CN112365849A - 一种像素驱动电路及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种像素驱动电路及显示面板,在该像素驱动电路中,由于第三晶体管和第四晶体管采用双栅极晶体管,可以避免光生伏特效应导致的晶体管漏电流增大,进而可以有效降低晶体管的漏电流,使得该显示面板具有更稳定的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素驱动电路及显示面板。
背景技术
随着多媒体的发展,显示装置变得越来越重要。相应地,对各种类型显示装置的要求越来越高,尤其是智能手机领域,超高频驱动显示、低功耗驱动显示以及低频驱动显示都是现阶段和未来的发展需求方向。
然而,在光照条件下,由于光生伏特效应,会导致薄膜晶体管(Thin filmtransistor,TFT)器件漏电流增大。TFT漏电流的增大导致主动矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)显示器在较低的刷新频率情况下显示效果较差。
发明内容
本发明提供一种像素驱动电路及显示面板,该像素驱动电路通过设计双栅结构有效降低器件漏电流,使像素驱动电路具有更稳定的显示效果。
本发明提供一种显示面板,包括:
第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、存储电容器和发光器件;
所述第一晶体管的第一端电性连接于第一节点,所述第一晶体管的第二端电性连接于第二节点,所述第一晶体管的栅极电性连接于第四节点;
所述第二晶体管的第一端接入数据信号,所述第二晶体管的第二端电性连接于所述第一节点,所述第二晶体管的栅极接入第二扫描信号;
所述第三晶体管的第一端电性连接于所述第四节点,所述第三晶体管的第二端电性连接于所述第二节点,所述第三晶体管的栅极接入第三扫描信号,所述第三晶体管为双栅极晶体管;
所述第四晶体管的第一端电性连接于所述第四节点,所述第四晶体管的第二端接入复位信号,所述第四晶体管的栅极接入第一扫描信号,所述第四晶体管为双栅极晶体管;
所述第五晶体管的第一端电性连接于第五节点并接入第一电源信号,所述第五晶体管的第二端电性连接于所述第一节点,所述第五晶体管的栅极接入发光控制信号;
所述第六晶体管的第一端电性连接于所述第二节点,所述第六晶体管的第二端电性连接于第三节点,所述第六晶体管的栅极接入所述发光控制信号;
所述第七晶体管的第一端接入所述复位信号,所述第七晶体管的第二端电性连接于所述第三节点,所述第七晶体管的栅极接入所述第二扫描信号;
所述存储电容器的第一端电性连接于所述第四节点,所述存储电容器的第二端电性连接于所述第五节点并接入所述第一电源信号;
所述发光器件的阳极端电性连接于所述第三节点,所述发光器件的阴极端接入第二电源信号。
在一些实施例中,所述第二扫描信号、所述第一扫描信号、所述第三扫描信号以及所述发光控制信号相组合先后对应于复位阶段、信号输入阶段以及发光阶段;其中,所述发光器件在所述发光阶段发光。
在一些实施例中,在所述复位阶段,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第三扫描信号为低电位,所述发光控制信号为高电位。
在一些实施例中,在所述信号输入阶段,所述第一扫描信号为低电位,所述第二扫描信号为低电位,所述第三扫描信号为高电位,所述发光控制信号为高电位。
在一些实施例中,在所述发光阶段,所述第一扫描信号为低电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第三扫描信号为高电位,所述发光控制信号为低电位。
在一些实施例中,所述第一电源信号的电位以及所述第二电源信号的电位均在所述复位阶段、所述信号输入阶段以及所述发光阶段均保持不变。
在一些实施例中,所述第一电源信号以及所述第二电源信号均为直流电压源,且所述第一电源信号的电位大于所述第二电源信号的电位。
在一些实施例中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管以及所述第六晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。
在一些实施例中,所述发光器件为有机发光二极管。
本发明提供一种显示面板,其特征在于,包括一种像素驱动电路,所述像素驱动电路为以上所述的像素驱动电路。
本发明提供一种像素驱动电路及显示面板,在该像素驱动电路中,由于第三晶体管和第四晶体管采用双栅极晶体管,可以避免光生伏特效应导致的晶体管漏电流增大,进而可以有效降低晶体管的漏电流,使得该显示面板具有更稳定的显示效果。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明提供的像素驱动电路的一种电路示意图;
图2为本发明提供的像素驱动电路的一种布线示意图;
图3为图2中第一有源层的一种布线示意图;
图4为图2中第一栅极层的一种布线示意图;
图5为图2中第二栅极层的一种布线示意图;
图6为图2中第二有源层的一种布线示意图;
图7为图2中第三栅极层的一种布线示意图;
图8为图2中第一源漏层的一种布线示意图;
图9为图2中第二源漏层的一种布线示意图;
图10为本发明提供的像素驱动电路的一种膜层叠构图;
图11为本发明提供的像素驱动电路的一种时序示意图;
图12为本发明提供的像素驱动电路的漏电流对比图。
具体实施方式
下面将结合本发明中的附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明的是,在本发明的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
本发明提供一种显示面板及显示装置,以下对显示面板做详细介绍。
请参阅图1、图2,图1为本发明提供的像素驱动电路的一种电路示意图。图2为本发明提供的像素驱动电路的一种布线示意图。如图1、图2所示,本发明提供了一种像素驱动电路,其包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、存储电容器C1和发光器件D1。需要进行说明的是,发光器件D1可以但不限定为有机发光二极管。
具体地,第一晶体管T1的第一端电性连接于第一节点A,第一晶体管T1的第二端电性连接于第二节点B,第一晶体管T1的栅极电性连接于第四节点Q。第一晶体管T1用于控制流经发光回路的电流。
具体地,第二晶体管T2的第一端接入数据信号Data,第二晶体管T2的第二端电性连接于第一节点A,第二晶体管T2的栅极接入第二扫描信号Scan2。第二晶体管T2用于根据第二扫描信号Scan2写入数据信号Data至像素驱动电路。
具体地,第三晶体管T3的第一端电性连接于第四节点Q,第三晶体管T3的第二端电性连接于第二节点B,第三晶体管T3的栅极接入第三扫描信号Scan3,第三晶体管T3为双栅极晶体管。第三晶体管T3用于根据第三扫描信号Scan3钳制第一晶体管T1的栅极的电位至第一晶体管T1的源极的电位或者第一晶体管T1的漏极的电位。
具体地,第四晶体管T4的第一端电性连接于第四节点Q,第四晶体管T4的第二端接入复位信号VI,第四晶体管T4的栅极接入第一扫描信号Scan1,第四晶体管T4为双栅极晶体管。第四晶体管T4用于根据第一扫描信号Scan1控制第一晶体管T1的栅极复位至复位信号VI的电位。
具体地,第五晶体管T5的第一端电性连接于第五节点N并接入第一电源信号Vdd,第五晶体管T5的第二端电性连接于第一节点A,第五晶体管T5的栅极接入发光控制信号EM。第六晶体管T6的第一端电性连接于第二节点B,第六晶体管T6的第二端电性连接于第三节点C,第六晶体管T6的栅极接入发光控制信号EM。第五晶体管T5以及第六晶体管T6均用于根据发光控制信号EM控制发光回路的通断。
可以理解的是,第五晶体管T5和第六晶体管T6同时处于截止状态或者饱和状态,以同时控制发光回路的通断。
具体地,第七晶体管T7的第一端接入复位信号VI,第七晶体管T7的第二端电性连接于第三节点C,第七晶体管T7的栅极接入第二扫描信号Scan2。第七晶体管T7用于根据第二扫描信号Scan2控制发光器件D1的阳极复位至复位信号VI的电位。
具体地,存储电容器C1的第一端电性连接于第四节点Q,存储电容器C1的第二端电性连接于第五节点N并接入第一电源信号Vdd。存储电容C1用于存储第一晶体管T1的栅极的电位。
具体地,发光器件D1的阳极端电性连接于第三节点C,发光器件D1的阴极端接入第二电源信号Vss。
其中,第一电源信号Vdd的电位不小于第二电源信号Vss的电位。
需要说明的是,由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的,所以其源极、漏极是可以互换的。在本发明中,为区分晶体管除栅极之外的两极,将其中一极称为源极,另一极称为漏极。例如,晶体管的第一端为源极,第二端为漏极,或晶体管的第一端为漏极,第二端为源极。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、输出端为漏极。
在本发明中,第三晶体管T3和第四晶体管T4为双栅极晶体管。在该像素驱动电路中,由于该第三晶体管T3和第四晶体管T4采用双栅极晶体管,可以避免由于光生伏特效应,导致晶体管的漏电流增大,进而可以有效降低晶体管的漏电流。
光生伏特效应(Photovoltaic effect)是指半导体在受到光照射时产生电动势的现象。在光照条件下,由于光生伏特效应,会导致TFT器件漏电流增大。TFT漏电流的增大导致显示面板在较低的刷新频率情况下显示效果较差。
需要说明的是,由于分辨率和刷新率不断提高,导致每一帧有效时间越来越短,每一行有效时间也随之越来越短。按照现在有机发光半导体(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示面板的像素驱动电路运作规律,每一次充电、放电过程中,有专门针对驱动晶体管的阈值电压做补偿的时间,其不随充放电时间的压缩而压缩,只能保持相对稳定时间需求。因此,每行像素的阈值电压补偿时间越来越短,导致低灰阶下的不良越来越明显,这会使得OLED显示面板显示交叉,影响生产研发效率;还会由于补偿不良造成更大的成本问题。而采用本发明的技术方案,大大提高了充放电能力。
其中,第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5以及第六晶体管T6为低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅(α-Si)薄膜晶体管。具体地,氧化物半导体薄膜晶体管中的半导体层可以采用铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或锑锡氧化物(ATO)中的任一种。
在其中一个实施例中,第三晶体管T3以及第四晶体管T4均为铟镓锌氧化物薄膜晶体管。第三晶体管T3以及第四晶体管T4为双栅晶体管表示第三晶体管T3以及第四晶体管T4的栅极结构既满足“底栅+顶栅”的双栅结构,也满足水平双栅结构。关于水平双栅结构的布线结构,请参阅图2。其中,第三晶体管T3以及第四晶体管T4均为N型铟镓锌氧化物薄膜晶体管。
第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6以及第七晶体管T7均为低温多晶硅薄膜晶体管。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6以及第七晶体管T7均为P型低温多晶硅薄膜晶体管。需要说明的是,氧化物型的第三晶体管T3以及第四晶体管T4具有更好的低漏电特性,能够更好地防止第一晶体管T1的栅极漏电。
需要说明的是,P型晶体管在栅极为低电平时导通,在栅极为高电平时截止;N型晶体管为在栅极为高电平时导通,在栅极为低电平时截止。
在该实施例中,第三晶体管T3以及第四晶体管T4均为铟镓锌氧化物薄膜晶体管,第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6以及第七晶体管T7均为低温多晶硅薄膜晶体管。形成了低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide,LTPO)像素驱动电路。LTPO是一种新型背板技术,它结合了LTPS技术和氧化物半导体技术的优点,以低生产成本实现更高的电荷迁移率,稳定性和可扩展性。
为了更清楚的说明本发明提供的像素驱动电路膜层结构,请参阅图3至图10。图3为图2中第一有源层的一种布线示意图;图4为图2中第一栅极层的一种布线示意图;图5为图2中第二栅极层的一种布线示意图;图6为图2中第二有源层的一种布线示意图;图7为图2中第三栅极层的一种布线示意图;图8为图2中第一源漏层的一种布线示意图;图9为图2中第二源漏层的一种布线示意图;图10为本发明提供的像素驱动电路的一种膜层叠构图。图3至图9中实线方框是为了更清楚的体现各膜层在图2中的相对位置。
具体地,请参阅图10。基板101上依次层叠设置有缓冲层102、第一有源层103、第一栅极绝缘层104、第一栅极层105、第二栅极绝缘层106、第二栅极层107、第一层间绝缘层108、第二有源层109、第三栅极绝缘层110、第三栅极层111、第二层间绝缘层112、第一源漏层113、钝化层114、平坦层115以及第二源漏层116。
其中,第一有源层103为Poly层,通常为LTPS器件的有源层,其布线图案请参阅图3。第一栅极层105为GE1,GE1为LTPS器件的栅极金属层,也作为第一电容的一个极板和第二电容的一个极板,其布线图案请参阅图4。第二栅极层107为GE2,GE2为IGZO器件的一个栅极,也作为第一电容的另一个极板,其布线图案请参阅图5。第二有源层109通常采用铟镓锌氧化物(IGZO)制成,IGZO也作为器件的有源层和第二电容的另一个极板,其布线图案请参阅图6。第三栅极层111为GE3,GE3为IGZO器件的另一个栅极,其布线图案请参阅图7。第一源漏层113为SD1,其布线图案请参阅图8。第二源漏层116为SD2,其布线图案请参阅图9。
另外,图2中第一通孔117为SD1与Poly、GE1、GE2的连接孔,第二通孔118为SD1与IGZO、GE3的连接孔。
下面将对图1所示的像素驱动电路的工作过程进行说明。请参阅图1、图11,图11为本发明提供的像素驱动电路的一种时序示意图。第一扫描信号Scan1、第二扫描信号Scan2、第三扫描信号Scan3以及发光控制信号EM相组合先后对应于复位阶段t1、信号输入阶段t2以及发光阶段t3;其中,发光器件D1在发光阶段t3发光。
具体地,在复位阶段t1,第一扫描信号Scan1为高电位,第二扫描信号Scan2为高电位,第三扫描信号Scan3为低电位,发光控制信号EM为高电位。
具体地,在信号输入阶段t2,第一扫描信号Scan1为低电位,第二扫描信号Scan2为低电位,第三扫描信号Scan3为高电位,发光控制信号EM为高电位。
具体地,在发光阶段t3,第一扫描信号Scan1为低电位,第二扫描信号Scan2为高电位,第三扫描信号Scan3为低电位,发光控制信号EM为低电位。
结合图1、图11所示,在发光控制信号EM处于高电位期间,第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T7均处于截止状态,发光器件D1不发光。
此外,在发光控制信号EM处于高电位期间,第一扫描信号Scan1先处于高电位,再处于低电位;第二扫描信号Scan2先处于高电位,再处于低电位;第三扫描信号Scan3先处于低电位,再处于高电位。
具体的,第一扫描信号Scan1处于高电位、第二扫描信号Scan2处于高电位、第三扫描信号Scan3处于低电位时,第四晶体管T4处于开启状态,以复位第一晶体管T1的栅极的电位。第一扫描信号Scan1处于低电位、第二扫描信号Scan2处于低电位、第三扫描信号Scan3处于高电位时,第七晶体管T7、第三晶体管T3以及第二晶体管T2均处于开启状态,以复位发光器件D1的阳极的电位,并控制数据信号Data写入至第一晶体管T1的源极或者漏极,且以第三扫描信号Scan3钳制第一晶体管T1的栅极的电位至第一晶体管T1的源极的电位或者第一晶体管T1的漏极的电位。
发光控制信号EM处于低电位期间,第一扫描信号Scan1处于低电位、第三扫描信号Scan3处于低电位,第二扫描信号Scan2位于高电位,发光器件D1进行发光。
其中,第一电源信号Vdd的电位以及第二电源信号Vss的电位均在复位阶段t1、信号输入阶段t2以及发光阶段t3均保持不变。
其中,第一电源信号Vdd以及第二电源信号Vss均为直流电压源,且第一电源信号Vdd的电位大于第二电源信号Vss的电位。
进一步的,请参阅图12,图12为本发明提供的像素驱动电路的漏电流对比图。具体的,图12为采用单栅极晶体管与双栅极晶体管的漏电流比对结果。对于同样尺寸的晶体管,双栅极晶体管的漏电流明显低于单栅极晶体管的漏电流。图中两组结构为采用不同的第一电源信号Vdd的测试结果。由于在本发明中的第三晶体管T3以及第四晶体管T4为双栅极晶体管,可以通过其双栅极结构有效降低器件的漏电流。基于以上结论,本发明中的技术方案是可行的。
本发明提供一种像素驱动电路,在该像素驱动电路中,由于该第三晶体管T3以及第四晶体管T4采用双栅极晶体管,可以避免由于光生伏特效应导致的晶体管漏电流增大,进而可以有效降低晶体管的漏电流,使得该显示面板具有更稳定的显示效果。
本发明还提供一种显示面板,其包括以上任一实施例所述的像素驱动电路,具体可参照以上所述,在此不做赘述。
本发明提供的显示面板,采用了一种像素驱动电路。该像素驱动电路的第三晶体管T3以及第四晶体管T4采用双栅极晶体管,能够有效降低器件漏电流,使像素驱动电路具有更稳定的显示效果。
以上对本发明提供的像素驱动电路及显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、存储电容器和发光器件;
所述第一晶体管的第一端电性连接于第一节点,所述第一晶体管的第二端电性连接于第二节点,所述第一晶体管的栅极电性连接于第四节点;
所述第二晶体管的第一端接入数据信号,所述第二晶体管的第二端电性连接于所述第一节点,所述第二晶体管的栅极接入第二扫描信号;
所述第三晶体管的第一端电性连接于所述第四节点,所述第三晶体管的第二端电性连接于所述第二节点,所述第三晶体管的栅极接入第三扫描信号,所述第三晶体管为双栅极晶体管;
所述第四晶体管的第一端电性连接于所述第四节点,所述第四晶体管的第二端接入复位信号,所述第四晶体管的栅极接入第一扫描信号,所述第四晶体管为双栅极晶体管;
所述第五晶体管的第一端电性连接于第五节点并接入第一电源信号,所述第五晶体管的第二端电性连接于所述第一节点,所述第五晶体管的栅极接入发光控制信号;
所述第六晶体管的第一端电性连接于所述第二节点,所述第六晶体管的第二端电性连接于第三节点,所述第六晶体管的栅极接入所述发光控制信号;
所述第七晶体管的第一端接入所述复位信号,所述第七晶体管的第二端电性连接于所述第三节点,所述第七晶体管的栅极接入所述第二扫描信号;
所述存储电容器的第一端电性连接于所述第四节点,所述存储电容器的第二端电性连接于所述第五节点并接入所述第一电源信号;
所述发光器件的阳极端电性连接于所述第三节点,所述发光器件的阴极端接入第二电源信号。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一扫描信号、所述第二扫描信号、所述第三扫描信号以及所述发光控制信号相组合先后对应于复位阶段、信号输入阶段以及发光阶段;其中,所述发光器件在所述发光阶段发光。
3.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,在所述复位阶段,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第三扫描信号为低电位,所述发光控制信号为高电位。
4.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,在所述信号输入阶段,所述第一扫描信号为低电位,所述第二扫描信号为低电位,所述第三扫描信号为高电位,所述发光控制信号为高电位。
5.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,在所述发光阶段,所述第一扫描信号为低电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第三扫描信号为高电位,所述发光控制信号为低电位。
6.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一电源信号的电位以及所述第二电源信号的电位均在所述复位阶段、所述信号输入阶段以及所述发光阶段均保持不变。
7.根据权利要求1-6任一项所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一电源信号以及所述第二电源信号均为直流电压源,且所述第一电源信号的电位大于所述第二电源信号的电位。
8.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管以及所述第六晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。
9.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述发光器件为有机发光二极管。
10.一种显示面板,其特征在于,包括一种像素驱动电路,所述像素驱动电路为权利要求1至9任一项所述的像素驱动电路。
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