CN114875479B - 加热器组件和单晶炉 - Google Patents
加热器组件和单晶炉 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114875479B CN114875479B CN202210705520.7A CN202210705520A CN114875479B CN 114875479 B CN114875479 B CN 114875479B CN 202210705520 A CN202210705520 A CN 202210705520A CN 114875479 B CN114875479 B CN 114875479B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crucible
- electrode
- sub
- heater assembly
- annular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
本发明涉及一种加热器组件和单晶炉，所述单晶炉包括炉体，所述炉体内设置有坩埚，所述坩埚的底部通过支撑结构支撑，所述支撑结构包括支撑轴，所述坩埚能够在所述支撑轴的带动下旋转，所述加热器组件包括：包覆在所述坩埚的外表面上的加热部，所述加热部能够与所述坩埚同步旋转，所述加热部包括多个连接电极；设置于所述支撑轴上的导电部，所述导电部包括与所述连接电极一一对应连接的多个环形导电件，以及与多个环形导电件一一对应连接的外接电极，所述连接电极可沿着所述环形导电件旋转，所述外接电极与外部电源连接。
Description
技术领域
本发明涉及硅产品制作技术领域，尤其涉及一种加热器组件和单晶炉。
背景技术
直拉法生产单晶硅是目前制备单晶硅的最主要方法，热场系统是硅材料成晶的最重要的条件之一，热场的温度梯度分布直接影响着是否能顺利地拉出单晶和控制单晶的质量好坏，特别是通过直拉法单晶炉生长单晶硅材料的过程中，通常利用石墨热场提供生长温度，梯度控制等。具体过程中，是在低真空度且伴有惰性气体环境中进行多晶原料的熔化，通过籽晶的接触，旋转提升制备得到单晶材料，其中热源主要来自于石墨加热器。传统热场结构中，加热器普遍以位于坩埚外周的固定加热器为主，加热器产生热能以辐射的形式对坩埚以及内部硅料进行加热，这种加热方式为间接加热，加热效率较低。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种加热器组件和单晶炉，解决间接加热的方式效率低的问题。
为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案是：一种用于单晶炉的加热器组件，所述单晶炉包括炉体，所述炉体内设置有坩埚，所述坩埚的底部通过支撑结构支撑，所述支撑结构包括支撑轴，所述坩埚能够在所述支撑轴的带动下旋转，所述加热器组件包括：
包覆在所述坩埚的外表面上的加热部，所述加热部能够与所述坩埚同步旋转，所述加热部包括多个连接电极；
设置于所述支撑轴上的导电部，所述导电部包括与所述连接电极一一对应连接的多个环形导电件，以及与多个环形导电件一一对应连接的外接电极，所述连接电极可沿着所述环形导电件旋转，所述外接电极与外部电源连接。
可选的，所述导电部包括套设在所述支撑轴上的筒状壳体，所述壳体的内壁上沿其周向间隔设置有多个环形凸起作为所述环形导电件，所述壳体的外壁上设置有与所述环形凸起一一对应连接的所述外接电极。
可选的，所述壳体采用绝缘材料制成。
可选的，所述支撑结构包括支撑于所述坩埚的底部的支撑托盘，所述支撑轴支撑于所述支撑托盘远离所述坩埚的一侧，所述连接电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极与所述加热部连接，所述第二子电极的一端与所述第一子电极连接，所述第二子电极的另一端通过穿过所述支撑托盘固定于所述支撑轴上的导体与所述导电部连接。
可选的，所述导体远离所述坩埚的一端具有与所述环形凸起配合的连接凸起，所述连接凸起可沿着所述环形凸起移动。
可选的，所述加热部包括呈S状分布于所述坩埚的外部的条形加热件，所述条形加热件的至少两个端部延伸至所述坩埚的底部，并连接相应的所述第一子电极。
可选的，所述加热部和所述坩埚之间设置有绝缘导热层。
可选的，所述加热部远离所述坩埚的一侧罩设有隔热保护罩。
本发明实施例还提供一种单晶炉，包括上述的加热器组件。
本发明的有益效果是：将加热部包覆于坩埚的外部，从而使得热量直接通过热传导对坩埚以及内部硅料进行加热，提高效率。
附图说明
图1表示相关技术中的加热器组件的结构示意图；
图2表示本发明实施例中的加热器组件的结构示意图；
图3表示本发明实施例中的导体的结构示意图；
图4表示本发明实施例中的导电部的结构示意图；
图5表示本发明实施例中的加热部的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
参考图1，相关技术中，单晶炉包括炉体5，炉体5内设置有坩埚，坩埚通过支撑结构2支撑，加热器11普遍以位于坩埚(坩埚包括石英坩埚和套设在石英坩埚外部的石墨坩埚1)外周的固定为主，加热器11与坩埚之间是具有一定的距离的，加热器11通过设置于炉体底部的电极12与外部电源连接。加热器产生热能以辐射的形式对坩埚以及内部硅料进行加热，这种加热方式为间接加热，加热效率较低。针对该问题本实施例提供一种用于单晶炉的加热器组件，参考图2-图5，所述单晶炉包括炉体5，所述炉体5内设置有坩埚，所述坩埚的底部通过支撑结构2支撑，所述支撑结构2包括支撑轴21，所述坩埚能够在所述支撑轴21的带动下旋转，所述加热器组件包括：
包覆在所述坩埚的外表面上的加热部101，所述加热部101能够与所述坩埚同步旋转，所述加热部101包括多个连接电极；
设置于所述支撑轴21上的导电部203，所述导电部203包括与所述连接电极一一对应连接的多个环形导电件2031，以及与多个环形导电件2031一一对应连接的外接电极2032，所述连接电极可沿着所述环形导电件2031旋转，所述外接电极2032与外部电源连接。
本实施例中，加热部101包覆在坩埚的外表面上，即所述加热部101与坩埚直接接触，得热量直接通过热传导对坩埚以及内部硅料进行加热，提高效率。但是，在实际工艺过程中，坩埚需要进行旋转，以保证晶体的形状以及熔体的对流控制，因此为了保证在坩埚的旋转过程中，所述加热部101保持通电状态，本实施例中设置了所述导电部203，所述导电部203包括与所述连接电极一一对应连接的多个环形导电件2031，以及与多个环形导电件2031一一对应连接的外接电极2032，所述加热部101所包括的多个连接电极可沿着所述环形导电件2031旋转，即在加热部101随着所述坩埚同步旋转的过程中，所述连接电极沿着对应的所述环形导电件2031旋转，且所述连接电极始终是与对应的环形导电件2031接触的，这样通过环形导电件2031对应连接的外接电极2032，保证所述加热部101与外部电源保持连通状态。
综上，本实施例的加热器组件解决了加热部101在转动的过程中的电源连接问题，同时实现了传统热场加热过程从热辐射到固体间热传导的方式转变，极大的提高了热场以及设备的热效率，降低了热损耗；其次，这种复合型结构设计大大节省了炉体5内热场空间，有利于减小设备尺寸或者增大设备投料量(增大坩埚体积)。
需要说明的是，所述坩埚包括套设在一起的石墨坩埚1和石英坩埚3，所述加热部101包覆在所述石墨坩埚1的外部。
参考图4，在示例性的实施方式中，所述导电部203包括套设在所述支撑轴21上的筒状壳体，所述壳体的内壁上沿其周向间隔设置有多个环形凸起作为所述环形导电件2031，所述壳体的外壁上设置有与所述环形凸起一一对应连接的所述外接电极2032。
示例性的，所述壳体采用绝缘材料制成，避免相邻所述环形导电件2031之间短路。
示例性的实施方式中，所述壳体与所述炉体5固定连接。
示例性的实施方式中，所述支撑结构2包括支撑于所述坩埚的底部的支撑托盘，所述支撑轴21支撑于所述支撑托盘远离所述坩埚的一侧，所述连接电极包括第一子电极和第二子电极201，所述第一子电极与所述加热部101连接，所述第二子电极201的一端与所述第一子电极连接，所述第二子电极201的另一端通过穿过所述支撑托盘固定于所述支撑轴21上的导体202与所述导电部203连接。
将所述连接电极划分为分体设置的第一子电极和第二子电极201，利于所述坩埚、所述加热部101、所述支撑结构2的组装。
示例性的，所述第二子电极201为螺栓电极，但并不以此为限。
示例性的，所述支撑托盘中间区域和围设在所述中间区域外围的边缘区域，所述中间区域内凹形成凹槽，所述坩埚的底部为与所述凹槽配合的凸部。所述第二子电极201设置于所述边缘区域。
所述第二子电极201采用螺栓电极，所述边缘区域设置沿所述支撑轴21的轴向贯穿所述边缘区域的螺栓孔，所述螺栓电极螺旋安装于所述螺栓孔内，所述螺栓电极的一端与所述第一子电极连接，另一端通过所述导体202与所述导电部203连接。
参考图3，示例性的实施方式中，所述导体202远离所述坩埚的一端具有与所述环形凸起配合的连接凸起2021，所述连接凸起2021可沿着所述环形凸起移动。
所述导体202沿所述支撑轴21的轴向分布于所述支撑轴21的外表面上，所述导体202可以为导线，所述导线外露于所述壳体的部分的外部罩设有绝缘保护罩。
示例性的，在所述支撑轴21的轴向方向上，所述连接凸起2021的高度小于相邻两个所述环形导电件2031之间的距离，避免短路。
示例性的，所述导体202通过粘结层固定于所述支撑轴21上。所述连接凸起2021通过粘结层固定于所述支撑轴21上。
参考图5，示例性的实施方式中，所述加热部101包括呈S状分布于所述坩埚的外部的条形加热件，所述条形加热件的至少两个端部延伸至所述坩埚的底部，并连接相应的所述第一子电极。
示例性的，所述加热部101为条形结构且纵向分布于所述坩埚的外部，纵向分布的加热部101可以通过加热部101的结构分布以及功率控制保证熔体的热对流以及热分布，进一步优化晶体生长过程中的热梯度，以更好控制长晶的品质及良率；
示例性的，所述条形结构在所述坩埚的径向方向上的厚度为2-3cm，但并不以此为限。
示例性的实施方式中，所述加热部101和所述坩埚之间设置有绝缘导热层。所述绝缘导热层可以采用石墨或陶瓷等材料制成。
所述坩埚采用石墨材料制成，所述坩埚的壁厚为1-2cm，但并不以此为限。
示例性的实施方式中，所述加热部101远离所述坩埚的一侧罩设有隔热保护罩102。所述隔热保护罩102可将加热部101整体包覆，一方面可避免工艺过程中生成的氧化物沉积在加热部101表面，影响加热效果，另一方面也可避免加热部101向外热辐射，维持加热稳定，降低功耗。
本发明实施例还提供一种单晶炉，包括上述的加热器组件。
所述单晶炉包括炉体5，所述炉体5内设置有坩埚(包括石墨坩埚1和石英坩埚3)，坩埚内容纳有硅熔体6，标号7为晶棒，坩埚的外部把包覆有加热部101，加热部101的外部罩设有隔热保护罩102，所述支撑结构2上设置有与所述加热部101连接的第二子电极201，第二子电极201通过导体202与导电部203连接，所述炉,5的内侧部还设置有保温层4。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种用于单晶炉的加热器组件，所述单晶炉包括炉体，所述炉体内设置有坩埚，所述坩埚的底部通过支撑结构支撑，所述支撑结构包括支撑轴，所述坩埚能够在所述支撑轴的带动下旋转，其特征在于，所述加热器组件包括：
包覆在所述坩埚的外表面上的加热部，所述加热部能够与所述坩埚同步旋转，所述加热部包括多个连接电极；
设置于所述支撑轴上的导电部，所述导电部包括与所述连接电极一一对应连接的多个环形导电件，以及与多个环形导电件一一对应连接的外接电极，所述连接电极可沿着所述环形导电件旋转，所述外接电极与外部电源连接；
所述导电部包括套设在所述支撑轴上的筒状壳体，所述壳体的内壁上沿其周向间隔设置有多个环形凸起作为所述环形导电件，所述壳体的外壁上设置有与所述环形凸起一一对应连接的所述外接电极；
所述支撑结构包括支撑于所述坩埚的底部的支撑托盘，所述支撑轴支撑于所述支撑托盘远离所述坩埚的一侧，所述连接电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极与所述加热部连接，所述第二子电极的一端与所述第一子电极连接，所述第二子电极的另一端通过穿过所述支撑托盘固定于所述支撑轴上的导体与所述导电部连接。
2.根据权利要求1所述的加热器组件，其特征在于，所述壳体采用绝缘材料制成。
3.根据权利要求1所述的加热器组件，其特征在于，所述导体远离所述坩埚的一端具有与所述环形凸起配合的连接凸起，所述连接凸起可沿着所述环形凸起移动。
4.根据权利要求1所述的加热器组件，其特征在于，所述加热部包括呈S状分布于所述坩埚的外部的条形加热件，所述条形加热件的至少两个端部延伸至所述坩埚的底部，并连接相应的所述第一子电极。
5.根据权利要求1所述的加热器组件，其特征在于，所述加热部和所述坩埚之间设置有绝缘导热层。
6.根据权利要求1所述的加热器组件，其特征在于，所述加热部远离所述坩埚的一侧罩设有隔热保护罩。
7.一种单晶炉，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的加热器组件。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210705520.7A CN114875479B (zh) | 2022-06-21 | 2022-06-21 | 加热器组件和单晶炉 |
| JP2024518923A JP2024533738A (ja) | 2022-06-21 | 2022-09-30 | ヒータアセンブリ及び単結晶炉 |
| KR1020247010524A KR20240049380A (ko) | 2022-06-21 | 2022-09-30 | 히터 어셈블리 및 단결정로 |
| PCT/CN2022/122982 WO2023245909A1 (zh) | 2022-06-21 | 2022-09-30 | 加热器组件和单晶炉 |
| DE112022003905.1T DE112022003905T5 (de) | 2022-06-21 | 2022-09-30 | Heizanordnung und einkristall puller |
| TW111139209A TWI812506B (zh) | 2022-06-21 | 2022-10-17 | 加熱器元件和單晶爐 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210705520.7A CN114875479B (zh) | 2022-06-21 | 2022-06-21 | 加热器组件和单晶炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114875479A CN114875479A (zh) | 2022-08-09 |
| CN114875479B true CN114875479B (zh) | 2024-02-27 |
Family
ID=82681247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210705520.7A Active CN114875479B (zh) | 2022-06-21 | 2022-06-21 | 加热器组件和单晶炉 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2024533738A (zh) |
| KR (1) | KR20240049380A (zh) |
| CN (1) | CN114875479B (zh) |
| DE (1) | DE112022003905T5 (zh) |
| TW (1) | TWI812506B (zh) |
| WO (1) | WO2023245909A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114875477A (zh) * | 2022-06-21 | 2022-08-09 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 坩埚和单晶炉 |
| CN114875479B (zh) * | 2022-06-21 | 2024-02-27 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 加热器组件和单晶炉 |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2433970A1 (fr) * | 1978-08-25 | 1980-03-21 | Gi Redkomet | Dispositif pour le tirage d'un monocristal sur une amorce a partir d'un bain de fusion |
| US4235848A (en) * | 1978-06-15 | 1980-11-25 | Apilat Vitaly Y | Apparatus for pulling single crystal from melt on a seed |
| CH637698A5 (en) * | 1978-06-16 | 1983-08-15 | Gni I Pi Redkometallicheskoi P | Appliance for pulling a single crystal from a melt on a seed crystal |
| JPH03199194A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-08-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体単結晶引上装置 |
| JPH0761891A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-07 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体単結晶製造装置 |
| JPH1081592A (ja) * | 1996-09-02 | 1998-03-31 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | シリコン単結晶製造装置 |
| JP2001302391A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-31 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Ｓｉ単結晶引上げ用石英ガラスるつぼの製造方法 |
| CN102286775A (zh) * | 2011-08-27 | 2011-12-21 | 宁夏日晶新能源装备股份有限公司 | 能够快速换料的单晶炉及单晶炉快速换料方法 |
| CN207811928U (zh) * | 2018-01-30 | 2018-09-04 | 宁夏旭樱新能源科技有限公司 | 设置热屏组件的单晶炉 |
| CN108585450A (zh) * | 2018-04-09 | 2018-09-28 | 江阴龙源石英制品有限公司 | 一种6轴联动石英坩埚熔制机及其熔制方法 |
| CN108677042A (zh) * | 2018-05-26 | 2018-10-19 | 孟静 | 高温合金的熔炼与成型装置 |
| CN209397294U (zh) * | 2019-01-07 | 2019-09-17 | 江西豪安能源科技有限公司 | 一种无收尾直拉单晶硅生产装置 |
| CN110983429A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-10 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 单晶炉及单晶硅制备方法 |
| CN111424315A (zh) * | 2020-05-18 | 2020-07-17 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种单晶炉热场加热器组件及单晶炉 |
| CN113136618A (zh) * | 2020-01-17 | 2021-07-20 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种单晶炉热场及单晶炉 |
| CN114197033A (zh) * | 2021-12-08 | 2022-03-18 | 晶科能源股份有限公司 | 单晶炉及单晶硅制备方法 |
| WO2022065740A1 (ko) * | 2020-09-28 | 2022-03-31 | 한화솔루션 주식회사 | 잉곳 성장 장치 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH083748A (ja) * | 1994-06-14 | 1996-01-09 | Seiko Instr Inc | 蒸着用坩堝およびその製造方法 |
| JP2013220954A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Ibiden Co Ltd | 黒鉛ヒータ |
| CN213146246U (zh) * | 2020-09-23 | 2021-05-07 | 广东宇豪电子有限公司 | 一种小夜灯 |
| CN112267147B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-12-13 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 单晶炉热场加热器及单晶炉 |
| CN114875479B (zh) * | 2022-06-21 | 2024-02-27 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 加热器组件和单晶炉 |
-
2022
- 2022-06-21 CN CN202210705520.7A patent/CN114875479B/zh active Active
- 2022-09-30 DE DE112022003905.1T patent/DE112022003905T5/de active Pending
- 2022-09-30 WO PCT/CN2022/122982 patent/WO2023245909A1/zh active Application Filing
- 2022-09-30 JP JP2024518923A patent/JP2024533738A/ja active Pending
- 2022-09-30 KR KR1020247010524A patent/KR20240049380A/ko not_active Application Discontinuation
- 2022-10-17 TW TW111139209A patent/TWI812506B/zh active
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4235848A (en) * | 1978-06-15 | 1980-11-25 | Apilat Vitaly Y | Apparatus for pulling single crystal from melt on a seed |
| CH637698A5 (en) * | 1978-06-16 | 1983-08-15 | Gni I Pi Redkometallicheskoi P | Appliance for pulling a single crystal from a melt on a seed crystal |
| FR2433970A1 (fr) * | 1978-08-25 | 1980-03-21 | Gi Redkomet | Dispositif pour le tirage d'un monocristal sur une amorce a partir d'un bain de fusion |
| JPH03199194A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-08-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体単結晶引上装置 |
| JPH0761891A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-07 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体単結晶製造装置 |
| JPH1081592A (ja) * | 1996-09-02 | 1998-03-31 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | シリコン単結晶製造装置 |
| JP2001302391A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-31 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Ｓｉ単結晶引上げ用石英ガラスるつぼの製造方法 |
| CN102286775A (zh) * | 2011-08-27 | 2011-12-21 | 宁夏日晶新能源装备股份有限公司 | 能够快速换料的单晶炉及单晶炉快速换料方法 |
| CN207811928U (zh) * | 2018-01-30 | 2018-09-04 | 宁夏旭樱新能源科技有限公司 | 设置热屏组件的单晶炉 |
| CN108585450A (zh) * | 2018-04-09 | 2018-09-28 | 江阴龙源石英制品有限公司 | 一种6轴联动石英坩埚熔制机及其熔制方法 |
| CN108677042A (zh) * | 2018-05-26 | 2018-10-19 | 孟静 | 高温合金的熔炼与成型装置 |
| CN209397294U (zh) * | 2019-01-07 | 2019-09-17 | 江西豪安能源科技有限公司 | 一种无收尾直拉单晶硅生产装置 |
| CN110983429A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-10 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 单晶炉及单晶硅制备方法 |
| CN113136618A (zh) * | 2020-01-17 | 2021-07-20 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种单晶炉热场及单晶炉 |
| CN111424315A (zh) * | 2020-05-18 | 2020-07-17 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种单晶炉热场加热器组件及单晶炉 |
| WO2022065740A1 (ko) * | 2020-09-28 | 2022-03-31 | 한화솔루션 주식회사 | 잉곳 성장 장치 |
| CN114197033A (zh) * | 2021-12-08 | 2022-03-18 | 晶科能源股份有限公司 | 单晶炉及单晶硅制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE112022003905T5 (de) | 2024-05-23 |
| WO2023245909A1 (zh) | 2023-12-28 |
| TWI812506B (zh) | 2023-08-11 |
| KR20240049380A (ko) | 2024-04-16 |
| TW202305196A (zh) | 2023-02-01 |
| JP2024533738A (ja) | 2024-09-12 |
| CN114875479A (zh) | 2022-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN114875479B (zh) | 加热器组件和单晶炉 | |
| CN110983429A (zh) | 单晶炉及单晶硅制备方法 | |
| TWI803005B (zh) | 單晶爐熱場加熱器及單晶爐 | |
| KR20110094025A (ko) | 단결정 제조용 상부히터, 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법 | |
| WO2011062092A1 (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
| TWI812507B (zh) | 坩堝和單晶爐 | |
| NO20230345A1 (en) | Ingot growth apparatus | |
| GB2163367A (en) | Crystal puffing | |
| JP6853445B2 (ja) | ヒータ断熱構造体および単結晶製造装置 | |
| JPH10167876A (ja) | Ｃｚ結晶製造装置 | |
| CN115821367A (zh) | 坩埚装置、单晶炉装置及其工作方法 | |
| JP3191041B2 (ja) | シリコン単結晶製造装置 | |
| NO20230341A1 (en) | Ingot growing apparatus comprising heater and method for manufacturing heater for ingot growing apparatus | |
| CN219603764U (zh) | 一种降氧组合件和单晶炉用热场 | |
| CN208685104U (zh) | 一种多坩埚晶体生长炉 | |
| JP2000169281A (ja) | 結晶体引上げ装置 | |
| US4251206A (en) | Apparatus for and method of supporting a crucible for EFG growth of sapphire | |
| CN110528063A (zh) | 一种晶体生长装置 | |
| CN220999946U (zh) | 一种单晶炉加热器 | |
| KR102670460B1 (ko) | 성장시킬 단결정의 품질을 향상시킨 단결정 성장 도가니 및 그를 포함하는 장치 | |
| CN219508068U (zh) | 一种单晶炉热场隔离装置 | |
| JPS6034026Y2 (ja) | 高周波誘導加熱装置 | |
| CN219653176U (zh) | 用于单晶炉的降氧装置和单晶炉 | |
| CN219621297U (zh) | 用于单晶炉的降氧装置以及单晶炉 | |
| CN115467027B (zh) | 一种碳化硅炉腔内用导电结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 710000 room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi Province Applicant after: Xi'an Yisiwei Material Technology Co.,Ltd. Address before: 710000 room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi Province Applicant before: Xi'an yisiwei Material Technology Co.,Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |