CN219508068U - 一种单晶炉热场隔离装置 - Google Patents
一种单晶炉热场隔离装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN219508068U CN219508068U CN202320015864.5U CN202320015864U CN219508068U CN 219508068 U CN219508068 U CN 219508068U CN 202320015864 U CN202320015864 U CN 202320015864U CN 219508068 U CN219508068 U CN 219508068U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat preservation
- groove
- single crystal
- well
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型公开了单晶炉设备技术领域的一种单晶炉热场隔离装置,包括中保温筒,中保温筒的底部设置有中保隔离环,中保隔离环呈中空设置,中保隔离环的内壁中部固定连接有固定板,固定板的顶部贯穿开设有圆形贯穿槽,固定板位于圆形贯穿槽内壁相互远离的两端均贯穿开设有加热器脚板限位槽,固定板顶部相互远离的四周均匀贯穿开设有贯穿孔,中保隔离环远离中保温筒一端的底端外壁设置有下保温筒,中保温筒的内部贯穿开设有第一内腔,中保温筒的底部开设有第一环形卡槽。本装置,可降低单晶硅棒电性能中的氧含量偏高异常现象,进一步提升单晶硅棒品质,且,可适用任意尺寸规格单晶热场,有效对氧含量进行降低和降低拉晶功耗。
Description
技术领域
本实用新型涉及单晶炉设备技术领域,具体是一种单晶炉热场隔离装置。
背景技术
为降低单晶硅片生产成本早日实现平价上网,使得单晶炉型、单晶大尺寸热场和大尺寸硅片更迭加快,而这样的情况在现有技术中,一方面造成拉晶功耗增加,使得单晶硅棒氧含量增加,另一方面大尺寸硅棒拉晶工艺成熟度相对较为薄弱,造成引放次数增加拉晶周期增长、单晶硅棒氧含量增加,且单晶热场中保温筒、下保温筒采用卡缝直接拼接,单晶热场加热方式为石墨加热器通电产生热量,能量以热辐射的形式对硅料进行加热熔化,当硅料熔化完后,石英坩埚内部硅液上下部温差较小,硅液内对流强度弱,硅液中间隙氧会集中在液面形成高氧区,在拉晶过程造成硅棒头部氧高现象,进而导致容易造成产品质量问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种单晶炉热场隔离装置,以解决上述提出在现有技术中,一方面造成拉晶功耗增加,使得单晶硅棒氧含量增加,另一方面大尺寸硅棒拉晶工艺成熟度相对较为薄弱,造成引放次数增加拉晶周期增长、单晶硅棒氧含量增加,且单晶热场中保温筒、下保温筒采用卡缝直接拼接,单晶热场加热方式为石墨加热器通电产生热量,能量以热辐射的形式对硅料进行加热熔化,当硅料熔化完后,石英坩埚内部硅液上下部温差较小,硅液内对流强度弱,硅液中间隙氧会集中在液面形成高氧区,在拉晶过程造成硅棒头部氧高现象,进而导致容易造成产品质量问题的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种单晶炉热场隔离装置,包括中保温筒,所述中保温筒的底部设置有中保隔离环,所述中保隔离环呈中空设置,所述中保隔离环的内壁中部固定连接有固定板,所述固定板的顶部贯穿开设有圆形贯穿槽,所述固定板位于圆形贯穿槽内壁相互远离的两端均贯穿开设有加热器脚板限位槽,所述固定板顶部相互远离的四周均匀贯穿开设有贯穿孔,所述中保隔离环远离中保温筒一端的底端外壁设置有下保温筒,通过中保隔离环的设置,与中保温筒和下保温筒采用上下卡槽进行连接限位,更有利于安装热场时对中,降低热场上部装配偏移异常风险,且,可通过贯穿孔使热场内气流更顺畅,不会产生气流漩涡,有利于单晶硅棒的生长环境,一方面提升产品品质,另一方面降低生产成本。
作为本实用新型进一步的方案:所述中保温筒的内部贯穿开设有第一内腔,所述中保温筒的底部开设有第一环形卡槽,所述第一环形卡槽的内径尺寸与中保隔离环顶端外壁的外径尺寸设置为相匹配,通过第一环形卡槽的设置,便于与中保隔离环进行连接限位,从而便于安装热场时对中。
作为本实用新型再进一步的方案:所述下保温筒的顶部开设有第二内腔,所述下保温筒的顶部开设有第二环形卡槽,所述第二环形卡槽的内径尺寸与中保隔离环底端外壁的外径尺寸设置为相匹配,通过第二环形卡槽的设置,便于与中保隔离环进行连接限位,从而便于安装热场时对中。
作为本实用新型再进一步的方案:所述下保温筒位于第二内腔内部的中间固定连接有密封轴承,所述密封轴承的内壁贯穿固定连接有坩埚托杆。
作为本实用新型再进一步的方案:所述下保温筒内部位于密封轴承相互远离的两侧均贯穿固定连接有电极螺母。
作为本实用新型再进一步的方案:所述第一内腔与第二内腔和圆形贯穿槽设置为相连通。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型中,通过将原中下保温筒之间平面连接,设置为中间添加中保隔离环卡槽式连接,便于一方面降低晶棒头部氧杂质浓度,另一方面有利于热场安装对中,通过对单晶热场中下保温筒之间增加中保隔离环优化设计方式可以很好的解决单晶硅棒头部氧杂质浓度偏高问题。本装置,可降低单晶硅棒电性能中的氧含量偏高异常现象,进一步提升单晶硅棒品质,且,可适用任意尺寸规格单晶热场,有效对氧含量进行降低和降低拉晶功耗。
附图说明
图1为本实用新型的分解结构示意图;
图2为本实用新型中中保隔离环的放大结构示意图;
图3为本实用新型中中保温筒的底部结构示意图;
图4为本实用新型中组装完成的结构示意图。
图中:1、中保温筒;101、第一内腔;102、第一环形卡槽;2、下保温筒;201、第二内腔;202、第二环形卡槽;203、密封轴承;204、坩埚托杆;205、电极螺母;3、中保隔离环;4、固定板;401、圆形贯穿槽;402、贯穿孔;403、加热器脚板限位槽。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1~4,本实用新型实施例中,一种单晶炉热场隔离装置,包括中保温筒1,中保温筒1的底部设置有中保隔离环3,中保隔离环3呈中空设置,中保隔离环3的内壁中部固定连接有固定板4,固定板4的顶部贯穿开设有圆形贯穿槽401,固定板4位于圆形贯穿槽401内壁相互远离的两端均贯穿开设有加热器脚板限位槽403,固定板4顶部相互远离的四周均匀贯穿开设有贯穿孔402,中保隔离环3远离中保温筒1一端的底端外壁设置有下保温筒2,通过中保隔离环3的设置,与中保温筒1和下保温筒2采用上下卡槽进行连接限位,更有利于安装热场时对中,降低热场上部装配偏移异常风险,且,可通过贯穿孔402使热场内气流更顺畅,不会产生气流漩涡,有利于单晶硅棒的生长环境,一方面提升产品品质,另一方面降低生产成本。
其中,中保温筒1的内部贯穿开设有第一内腔101,中保温筒1的底部开设有第一环形卡槽102,第一环形卡槽102的内径尺寸与中保隔离环3顶端外壁的外径尺寸设置为相匹配,通过第一环形卡槽102的设置,便于与中保隔离环3进行连接限位,从而便于安装热场时对中;下保温筒2的顶部开设有第二内腔201,下保温筒2的顶部开设有第二环形卡槽202,第二环形卡槽202的内径尺寸与中保隔离环3底端外壁的外径尺寸设置为相匹配,通过第二环形卡槽202的设置,便于与中保隔离环3进行连接限位,从而便于安装热场时对中;下保温筒2位于第二内腔201内部的中间固定连接有密封轴承203,密封轴承203的内壁贯穿固定连接有坩埚托杆204;下保温筒2内部位于密封轴承203相互远离的两侧均贯穿固定连接有电极螺母205;第一内腔101与第二内腔201和圆形贯穿槽401设置为相连通。
本实用新型的工作原理是:使用本装置进行工作时,只需将中保隔离环3的底端外壁与下保温筒2顶部的第二环形卡槽202进行卡合连接限位,并将中保温筒1底部的第一环形卡槽102与中保隔离环3顶端的外壁进行卡合连接限位,使中保隔离环3在单晶热场中工作时,可达到一方面减少主加热器对石英坩埚下部热辐射量,降低石英坩埚下部温度,降低石英坩埚与硅的反应,另一方面可以使液面高氧区液体向锅底回流时,使氧在硅液中分布更均匀,可有效降低硅棒头部氧含量,减小晶棒头尾氧浓度梯度。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
Claims (6)
1.一种单晶炉热场隔离装置,包括中保温筒(1),其特征在于:所述中保温筒(1)的底部设置有中保隔离环(3),所述中保隔离环(3)呈中空设置,所述中保隔离环(3)的内壁中部固定连接有固定板(4),所述固定板(4)的顶部贯穿开设有圆形贯穿槽(401),所述固定板(4)位于圆形贯穿槽(401)内壁相互远离的两端均贯穿开设有加热器脚板限位槽(403),所述固定板(4)顶部相互远离的四周均匀贯穿开设有贯穿孔(402),所述中保隔离环(3)远离中保温筒(1)一端的底端外壁设置有下保温筒(2)。
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉热场隔离装置,其特征在于:所述中保温筒(1)的内部贯穿开设有第一内腔(101),所述中保温筒(1)的底部开设有第一环形卡槽(102),所述第一环形卡槽(102)的内径尺寸与中保隔离环(3)顶端外壁的外径尺寸设置为相匹配。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉热场隔离装置,其特征在于:所述下保温筒(2)的顶部开设有第二内腔(201),所述下保温筒(2)的顶部开设有第二环形卡槽(202),所述第二环形卡槽(202)的内径尺寸与中保隔离环(3)底端外壁的外径尺寸设置为相匹配。
4.根据权利要求1所述的一种单晶炉热场隔离装置,其特征在于:所述下保温筒(2)位于第二内腔(201)内部的中间固定连接有密封轴承(203),所述密封轴承(203)的内壁贯穿固定连接有坩埚托杆(204)。
5.根据权利要求1所述的一种单晶炉热场隔离装置,其特征在于:所述下保温筒(2)内部位于密封轴承(203)相互远离的两侧均贯穿固定连接有电极螺母(205)。
6.根据权利要求2所述的一种单晶炉热场隔离装置,其特征在于:所述第一内腔(101)与第二内腔(201)和圆形贯穿槽(401)设置为相连通。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202320015864.5U CN219508068U (zh) | 2023-01-04 | 2023-01-04 | 一种单晶炉热场隔离装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202320015864.5U CN219508068U (zh) | 2023-01-04 | 2023-01-04 | 一种单晶炉热场隔离装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN219508068U true CN219508068U (zh) | 2023-08-11 |
Family
ID=87528954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202320015864.5U Active CN219508068U (zh) | 2023-01-04 | 2023-01-04 | 一种单晶炉热场隔离装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN219508068U (zh) |
-
2023
- 2023-01-04 CN CN202320015864.5U patent/CN219508068U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110172730A (zh) | 一种单晶炉用加热器及其加热工艺 | |
KR20240049380A (ko) | 히터 어셈블리 및 단결정로 | |
CN219508068U (zh) | 一种单晶炉热场隔离装置 | |
CN210215612U (zh) | 大直径高效n型单晶硅的单晶炉 | |
CN220132405U (zh) | 一种单晶生长用坩埚 | |
CN102912414B (zh) | 一种多晶硅铸锭炉及其坩埚 | |
CN210636093U (zh) | 一种单晶炉用加热器 | |
CN218812259U (zh) | 一种单晶加热器保温结构 | |
KR101196718B1 (ko) | 다결정 실리콘 잉곳 제조장치용 가스분사노즐 | |
CN220079250U (zh) | 一种单晶炉用加热器 | |
CN211199468U (zh) | 一种加速热场冷却的提升装置及单晶炉 | |
CN210886316U (zh) | 一种多晶硅铸锭热场隔热笼 | |
CN219621297U (zh) | 用于单晶炉的降氧装置以及单晶炉 | |
CN219010517U (zh) | 用于单晶炉的降氧装置和单晶炉 | |
CN218989478U (zh) | 用于单晶炉的降氧装置和单晶炉 | |
CN219951297U (zh) | 一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置 | |
CN206298659U (zh) | 多晶炉热场装置 | |
CN217869175U (zh) | 一种单晶炉热场保温装置 | |
CN112011823A (zh) | 一种硅晶体生长炉 | |
CN220827495U (zh) | 隔热保温环和单晶炉 | |
CN215856445U (zh) | 一种直拉法单晶硅生产中的保温装置 | |
CN219653176U (zh) | 用于单晶炉的降氧装置和单晶炉 | |
CN210765579U (zh) | 一种用于单晶炉的提升装置及单晶炉 | |
CN219991781U (zh) | 隔热保温环及直拉硅单晶的制备装置 | |
CN203559152U (zh) | 直拉单晶炉 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |