CN219951297U - 一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置 - Google Patents

一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN219951297U
CN219951297U CN202321206266.2U CN202321206266U CN219951297U CN 219951297 U CN219951297 U CN 219951297U CN 202321206266 U CN202321206266 U CN 202321206266U CN 219951297 U CN219951297 U CN 219951297U
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat preservation
ring
single crystal
heat
constant head
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202321206266.2U
Other languages
English (en)
Inventor
兰志勇
王军磊
王艺澄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yunnan Meike New Energy Development Co ltd
Baotou Meike Silicon Energy Co Ltd
Original Assignee
Yunnan Meike New Energy Development Co ltd
Baotou Meike Silicon Energy Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yunnan Meike New Energy Development Co ltd, Baotou Meike Silicon Energy Co Ltd filed Critical Yunnan Meike New Energy Development Co ltd
Priority to CN202321206266.2U priority Critical patent/CN219951297U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN219951297U publication Critical patent/CN219951297U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,属于单晶生产制造领域,包括:加热器外壳;安装环,其固定连接于加热器外壳的圆周内壁上;定位机构;保温环;固定机构,本方案中通过两个保温环的设置可以不影响坩埚升降的同时,使得炉内可通过保温环阻挡气流的流动,同时能减少底部热量辐射,最终减少埚底部温度,通过这种设计可减少坩埚受热,进而减少坩埚反应产生氧,通过弧形定位块活动插接于定位槽内,可以实现保温环的定位,使得保温环便于固定在安装环上,通过弧形定位块活动插接于定位槽内,使得保温环便于安装和拆卸,可以解决现有技术中的单晶炉在加热的过程中大量热量进入坩埚底部的问题。

Description

一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置
技术领域
本实用新型属于单晶生产制造领域,具体涉及一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置。
背景技术
随着国家碳达峰、碳中和战略目标提出,光伏发电行业迅猛发展,单晶制造作为光伏发电最重要的生产环节,单晶生产在技术上更新迭代,炉型及热场更新换代频繁,产能进一步提升。
单晶晶棒产出对下游电池端影响最大的有氧含量、碳含量、少子寿命、电阻率,俗称四大电性能,其中氧含量影响主要会产生黑心,是目前影响电池效率的主要缺陷,目前的单晶炉在加热的过程中,由于温度高,使得单晶炉大很多热量会进入坩埚底部,从而对坩埚底部进行加热,加热时石英坩埚与熔硅反应,从而产生SiO气体,少量的SiO溶解在熔硅中,以氧原子形态存在于液体硅中,最终进入直拉单晶硅,而氧含量会导致单晶晶棒产生黑心。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,旨在解决现有技术中的单晶炉在加热的过程中大量热量进入坩埚底部的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,包括:
加热器外壳;
安装环,其固定连接于加热器外壳的圆周内壁上;
定位机构,其设置有两组,两组所述定位机构对称设置于安装环的顶部;
保温环,其设置有两个,每个所述保温环均设置于每组定位机构上;以及
固定机构,其设置有两组,两组所述固定机构对称设置于安装环上,每组所述固定机构均与每个保温环连接,所述固定机构用以固定保温环。
作为本实用新型一种优选的方案,每组所述定位机构均包括弧形定位块和定位槽,所述定位槽设置有多个,多个所述定位槽均开设于安装环的顶部,且多个定位槽均匀分布,所述弧形定位块设置有多个,每个所述弧形定位块均活动插接于每个定位槽内。
作为本实用新型一种优选的方案,每组所述固定机构均包括连接片、内六角碳碳螺丝和内螺纹槽,所述内螺纹槽设置有两个,两个所述内螺纹槽均开设于安装环的圆周内壁上,且两个内螺纹槽对称设置,所述连接片设置有两个,两个所述连接片均固定连接于保温环的底部,且两个连接片对称设置,所述内六角碳碳螺丝设置有两个,每个所述内六角碳碳螺丝均活动插接于每个连接片上,且每个内六角碳碳螺丝均螺纹连接于每个内螺纹槽内。
作为本实用新型一种优选的方案,每个所述保温环的表面均开设有两个第一卡槽,两个所述第一卡槽对称设置。
作为本实用新型一种优选的方案,所述安装环的圆周表面开设有两个第二卡槽,两个所述第二卡槽对称设置。
作为本实用新型一种优选的方案,每个所述连接片上均开设有椭圆孔。
作为本实用新型一种优选的方案,所述保温环的形状为半圆环。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本方案中,通过两个保温环的设置可以不影响坩埚升降的同时,使得炉内可通过保温环阻挡气流的流动,同时能减少底部热量辐射,最终减少埚底部温度,通过这种设计可减少坩埚受热,进而减少坩埚反应产生氧,通过弧形定位块活动插接于定位槽内,可以实现保温环的定位,使得保温环便于固定在安装环上,通过弧形定位块活动插接于定位槽内,使得保温环便于安装和拆卸。
2、本方案中,通过内六角碳碳螺丝活动插接于连接片上,且内六角碳碳螺丝螺纹连接于内螺纹槽内,可以固定住连接片,通过第一卡槽和第二卡槽的设置便于安装脚板。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1为本实用新型的立体结构示意图;
图2为本实用新型的剖视图;
图3为本实用新型图2中A处的放大图;
图4为本实用新型保温环处的爆炸图;
图5为本实用新型弧形定位块处的爆炸图。
图中:1、加热器外壳;2、安装环;3、保温环;4、连接片;5、内六角碳碳螺丝;6、弧形定位块;7、定位槽;8、内螺纹槽;9、第一卡槽;10、第二卡槽。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例1
请参阅图1-5,本实施例提供的技术方案如下:
一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,包括:
加热器外壳1;
安装环2,其固定连接于加热器外壳1的圆周内壁上;
定位机构,其设置有两组,两组定位机构对称设置于安装环2的顶部;
保温环3,其设置有两个,每个保温环3均设置于每组定位机构上;以及
固定机构,其设置有两组,两组固定机构对称设置于安装环2上,每组固定机构均与每个保温环3连接,固定机构用以固定保温环3。
在本实用新型的具体实施例中,安装环2的设置用于连接保温环3,两个保温环3分别固定连接于多个弧形定位块6的顶部,通过两个保温环3的设置可以不影响坩埚升降的同时,使得炉内可通过保温环3阻挡气流的流动,同时能减少底部热量辐射,最终减少埚底部温度,通过这种设计可减少坩埚受热,进而减少坩埚反应产生氧。
具体的,每组定位机构均包括弧形定位块6和定位槽7,定位槽7设置有多个,多个定位槽7均开设于安装环2的顶部,且多个定位槽7均匀分布,弧形定位块6设置有多个,每个弧形定位块6均活动插接于每个定位槽7内。
在本实用新型的具体实施例中,定位槽7的设置用于插接弧形定位块6,通过弧形定位块6活动插接于定位槽7内,可以实现保温环3的定位,使得保温环3便于固定在安装环2上,通过弧形定位块6活动插接于定位槽7内,使得保温环3便于安装和拆卸。
具体的,每组固定机构均包括连接片4、内六角碳碳螺丝5和内螺纹槽8,内螺纹槽8设置有两个,两个内螺纹槽8均开设于安装环2的圆周内壁上,且两个内螺纹槽8对称设置,连接片4设置有两个,两个连接片4均固定连接于保温环3的底部,且两个连接片4对称设置,内六角碳碳螺丝5设置有两个,每个内六角碳碳螺丝5均活动插接于每个连接片4上,且每个内六角碳碳螺丝5均螺纹连接于每个内螺纹槽8内。
在本实用新型的具体实施例中,内螺纹槽8的设置用于螺纹连接内六角碳碳螺丝5,连接片4的设置用于固定保温环3,通过内六角碳碳螺丝5活动插接于连接片4上,且内六角碳碳螺丝5螺纹连接于内螺纹槽8内,可以固定住连接片4。
具体的,每个保温环3的表面均开设有两个第一卡槽9,两个第一卡槽9对称设置。
在本实用新型的具体实施例中,每个保温环3的表面均开设有两个第一卡槽9,两个第一卡槽9对称设置。
具体的,安装环2的圆周表面开设有两个第二卡槽10,两个第二卡槽10对称设置。
在本实用新型的具体实施例中,安装环2的圆周表面开设有两个第二卡槽10,两个第二卡槽10对称设置。
具体的,每个连接片4上均开设有椭圆孔。
在本实用新型的具体实施例中,每个连接片4上均开设有椭圆孔。
具体的,保温环3的形状为半圆环。
在本实用新型的具体实施例中,保温环3的形状为半圆环。
本实用新型提供的用于单晶晶棒氧含量降低的装置的工作原理为:通过两个保温环3的设置可以不影响坩埚升降的同时,使得炉内可通过保温环3阻挡气流的流动,同时能减少底部热量辐射,最终减少埚底部温度,通过这种设计可减少坩埚受热,进而减少坩埚反应产生氧,通过弧形定位块6活动插接于定位槽7内,可以实现保温环3的定位,使得保温环3便于固定在安装环2上,通过弧形定位块6活动插接于定位槽7内,使得保温环3便于安装和拆卸,通过内六角碳碳螺丝5活动插接于连接片4上,且内六角碳碳螺丝5螺纹连接于内螺纹槽8内,可以固定住连接片4,通过第一卡槽9和第二卡槽10的设置便于安装脚板。
最后应说明的是:以上仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,其特征在于,包括:
加热器外壳(1);
安装环(2),其固定连接于加热器外壳(1)的圆周内壁上;
定位机构,其设置有两组,两组所述定位机构对称设置于安装环(2)的顶部;
保温环(3),其设置有两个,每个所述保温环(3)均设置于每组定位机构上;以及
固定机构,其设置有两组,两组所述固定机构对称设置于安装环(2)上,每组所述固定机构均与每个保温环(3)连接,所述固定机构用以固定保温环(3)。
2.根据权利要求1所述的一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,其特征在于:每组所述定位机构均包括弧形定位块(6)和定位槽(7),所述定位槽(7)设置有多个,多个所述定位槽(7)均开设于安装环(2)的顶部,且多个定位槽(7)均匀分布,所述弧形定位块(6)设置有多个,每个所述弧形定位块(6)均活动插接于每个定位槽(7)内。
3.根据权利要求2所述的一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,其特征在于:每组所述固定机构均包括连接片(4)、内六角碳碳螺丝(5)和内螺纹槽(8),所述内螺纹槽(8)设置有两个,两个所述内螺纹槽(8)均开设于安装环(2)的圆周内壁上,且两个内螺纹槽(8)对称设置,所述连接片(4)设置有两个,两个所述连接片(4)均固定连接于保温环(3)的底部,且两个连接片(4)对称设置,所述内六角碳碳螺丝(5)设置有两个,每个所述内六角碳碳螺丝(5)均活动插接于每个连接片(4)上,且每个内六角碳碳螺丝(5)均螺纹连接于每个内螺纹槽(8)内。
4.根据权利要求3所述的一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,其特征在于:每个所述保温环(3)的表面均开设有两个第一卡槽(9),两个所述第一卡槽(9)对称设置。
5.根据权利要求4所述的一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,其特征在于:所述安装环(2)的圆周表面开设有两个第二卡槽(10),两个所述第二卡槽(10)对称设置。
6.根据权利要求5所述的一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,其特征在于:每个所述连接片(4)上均开设有椭圆孔。
7.根据权利要求6所述的一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,其特征在于:所述保温环(3)的形状为半圆环。
CN202321206266.2U 2023-05-18 2023-05-18 一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置 Active CN219951297U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202321206266.2U CN219951297U (zh) 2023-05-18 2023-05-18 一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202321206266.2U CN219951297U (zh) 2023-05-18 2023-05-18 一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN219951297U true CN219951297U (zh) 2023-11-03

Family

ID=88554300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202321206266.2U Active CN219951297U (zh) 2023-05-18 2023-05-18 一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN219951297U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101311656B (zh) 快开式、水冷结构的多晶硅还原炉
CN219951297U (zh) 一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置
CN202968738U (zh) 一种区熔法生长气相掺杂硅单晶用反射器
CN103510154A (zh) 新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场
CN203923449U (zh) 一种低能耗单晶炉
CN214141602U (zh) 一种56对棒多晶硅还原炉底盘
CN221480164U (zh) 一种单晶炉用瓦片加热器结构
CN201180089Y (zh) 新型多晶硅还原炉之水冷双层玻璃视镜
CN211199468U (zh) 一种加速热场冷却的提升装置及单晶炉
CN100344810C (zh) 一种生产石墨化纤维的方法及装置
CN114150368A (zh) 化料装置及其使用方法
CN101319352B (zh) 直拉式单晶生长炉
CN210886316U (zh) 一种多晶硅铸锭热场隔热笼
CN219508068U (zh) 一种单晶炉热场隔离装置
CN215628416U (zh) 一种底部加热器及单晶炉
CN107651679B (zh) 一种石墨化炉
CN220433070U (zh) 一种直拉型单晶炉用的环形加热器
CN219621305U (zh) 用于单晶炉的导流筒和单晶炉
CN219010517U (zh) 用于单晶炉的降氧装置和单晶炉
CN219032460U (zh) 一种单晶炉石墨配件
CN109280968A (zh) 一种石墨加热器及硅晶体生长炉
CN218860953U (zh) 一种定位结构及单晶炉
CN215713524U (zh) 一种硅芯拉制加热装置
CN220999942U (zh) 单晶炉
CN221141953U (zh) 用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant