CN103510154A - 新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场 - Google Patents

新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场 Download PDF

Info

Publication number
CN103510154A
CN103510154A CN201210225961.3A CN201210225961A CN103510154A CN 103510154 A CN103510154 A CN 103510154A CN 201210225961 A CN201210225961 A CN 201210225961A CN 103510154 A CN103510154 A CN 103510154A
Authority
CN
China
Prior art keywords
single crystal
thermal field
furnace thermal
crystal furnace
novel single
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210225961.3A
Other languages
English (en)
Inventor
韩建超
沈杨宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHANGHAI HEJING SILICON MATERIAL CO Ltd
Original Assignee
SHANGHAI HEJING SILICON MATERIAL CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHANGHAI HEJING SILICON MATERIAL CO Ltd filed Critical SHANGHAI HEJING SILICON MATERIAL CO Ltd
Priority to CN201210225961.3A priority Critical patent/CN103510154A/zh
Publication of CN103510154A publication Critical patent/CN103510154A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种新型单晶炉热场,包括导流筒;其特征在于,所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。本发明中的新型单晶炉热场,由于采用设置碳化硅涂层的导流筒,可降低硅单晶棒生产能耗,可降低5%以上。使用本发明中的新型单晶炉热场,拉制的N型<100>轻掺硅单晶的OISF可降低到100个/cm2以下。本发明中的新型单晶炉热场,能有效改善硅单晶棒中的Fe含量,平均值为1.80E+10atoms/cm3,最大值6.91E+10atoms/cm3。扩散长度达到450.2μm。

Description

新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场
技术领域
本发明涉及一种新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶的新型单晶炉热场及可减少N型轻掺硅单晶OISF的新型单晶炉热场。 
背景技术
随着半导体市场竞争的日趋激烈,降低能耗、节省成本、提升良率成为技术发展的核心。节能降耗已成为国家近几年的规划目标。目前单晶硅生产过程中的主要用电负载为单晶炉。单晶炉的耗电量占总用电量的45%,耗电量大是单晶生长的一个大问题,如何能在确保单晶产量的前提下,达到节能降耗的目标是一个急需解决的问题。 
除降低生产能耗外,提高产品质量也是单晶硅生产中的需要考虑的重要因素。衡量硅单晶棒质量的其中两个重要指标,一是OISF,即氧化层错;二是金属杂质含量,尤其是铁含量,铁含量采用每立方厘米的铁原子个数衡量。这两个指标值越小,表示硅单晶棒质量越高。 
发明内容
本发明的目的之一是为了克服现有技术中的不足,提供一种可提高硅单晶棒质量的新型单晶炉热场。 
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案实现: 
新型单晶炉热场,包括导流筒;其特征在于,所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。 
优选地是,所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒;内导流筒设置在外导流筒内,内导流筒与外导流筒之间具有间隙,所述间隙内设置有保温材料。 
优选地是,还包括保温筒,保温筒内设置有加热器,加热器围绕石墨坩埚设置,石墨坩埚内设置有石英坩埚;所述导流筒设置于石英坩埚上方。 
拉制轻掺硅单晶的新型单晶炉热场,其特征在于,包括导流筒,所述导流筒表面设置有 碳化硅涂层。 
优选地是,所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒;内导流筒设置在外导流筒内,内导流筒与外导流筒之间具有间隙,所述间隙内设置有保温材料。 
优选地是,所述轻掺单晶电阻率为0.1-100Ω·cm。 
优选地是,还包括保温筒,保温筒内设置有加热器,加热器围绕石墨坩埚设置,石墨坩埚内设置有石英坩埚;所述导流筒设置于石英坩埚上方。 
优选地是,所述硅单晶晶向为<100>。 
一种可减少N型轻掺单晶OISF的新型单晶炉热场,其特征在于,包括导流筒,所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。 
优选地是,所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒;内导流筒设置在外导流筒内,内导流筒与外导流筒之间具有间隙,所述间隙内设置有保温材料。 
优选地是,所述轻掺硅单晶电阻率为0.1-100Ω·cm。 
优选地是,所述的OISF小于等于100个/cm2。 
优选地是,还包括保温筒,保温筒内设置有加热器,加热器围绕石墨坩埚设置,石墨坩埚内设置有石英坩埚;所述导流筒设置于石英坩埚上方。 
优选地是,所述硅单晶晶向为<100>。 
本发明中的新型单晶炉热场,由于采用设置碳化硅涂层的导流筒,可降低晶棒生产能耗,可降低5%以上。使用本发明中的新型单晶炉热场,拉制的硅单晶的OISF可降低到100个/cm2以下。本发明中的新型单晶炉热场,能有效改善硅单晶棒中的Fe含量,平均值为1.80E+10atoms/cm3,最大值6.91E+10atoms/cm3。扩散长度达到450.2μm。 
附图说明
图1为本发明结构示意图。 
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细的描述: 
如图1所示,新型单晶炉热场,炉筒1内设置有保温筒8,保温筒8包括上保温筒81和下保温筒82。下保温筒82内设置有加热器4。加热器4与电极6通过加热器电极脚5连接。加热器电极脚5与电极6通过电极螺丝7连接,电极螺丝7平行于炉筒1轴向设置。安装时,电极螺丝7自上向下拧入加热器电极垫脚5和电极6内,将两者连接在一起。加热器4内设置有石墨坩埚2,石墨坩埚2内设置有石英坩埚3。加热器4围绕石墨坩埚2设置,为石墨坩埚2提供加热的热能。上保温筒81内壁比下保温筒82内壁更靠近石墨坩埚4,也就是,上保温筒81自下保温筒82向内延伸一定的长度,该长度可根据热场尺寸及需要的加热功率确定。上保温筒81可阻挡热辐射,降低热能损失。上保温筒81和下保温筒82之间设置有隔热挡板10,隔热挡板10设置于加热器4上方,也可以阻挡热辐射。加热器4下方设置有保温挡圈9,可以降低热能向下的热辐射。 
石英坩埚3上方设置有导流筒,导流筒包括内导流筒11和外导流筒12。导流筒11和外导流筒12连接,两者之间的间隙内填充有保温材料。内导流筒11和外导流筒12表面均涂有碳化硅涂层。保温材料可选用现有技术中使用的材料,如高纯度碳毡。 
使用16英寸新型单晶炉热场拉制单晶晶棒,投料45公斤,平均拉晶功率对比如下表所示: 
Figure BDA00001835816300031
从上表可以看出,采用新型热场后,拉晶各个阶段的用电功率均得到降低,达到降低生产能耗的目的。 
使用上述新型单晶炉热场拉制5英寸N型<100>轻掺磷硅单晶棒,电阻率为0.1-100Ω·cm,OISF对比如下表所示: 
Figure BDA00001835816300041
从上表可以看出,采用新型热场后,5英寸N型<100>轻掺磷硅单晶的OISF大大降低,达到改善OISF的目的。 
使用上述新型单晶炉热场拉制P型<100>轻掺硼硅单晶棒,电阻率为0.1-100Ω·cm,SPV数据对比如下表所示: 
Figure BDA00001835816300042
Figure BDA00001835816300051
从上表可以看出,采用新型热场后,由于导流筒表面设置有碳化硅涂层,所得SPV数据比未作涂层时改善明显,和老式的开放式热场水平相当。 
本发明中的热场拉制各种晶向的轻掺硅单晶,同样可降低N型硅单晶、其他P型硅单晶晶棒的Fe含量。 
以上所列对比数据中,一种老式热场是未设置导流筒的热场;另一种老式热场是设置导流筒,但导流筒表面未设置SiC涂层。其余结构相同。 
本发明中的实施例仅用于对本发明进行说明,并不构成对权利要求范围的限制,本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代,均在本发明保护范围内。 

Claims (14)

1.新型单晶炉热场,包括导流筒;其特征在于,所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。
2.根据权利要求1所述的新型单晶炉热场,其特征在于,所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒;内导流筒设置在外导流筒内,内导流筒与外导流筒之间具有间隙,所述间隙内设置有保温材料。
3.根据权利要求1所述的新型单晶炉热场,其特征在于,还包括保温筒,保温筒内设置有加热器,加热器围绕石墨坩埚设置,石墨坩埚内设置有石英坩埚;所述导流筒设置于石英坩埚上方。
4.拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场,其特征在于,包括导流筒,所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。
5.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场,其特征在于,所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒;内导流筒设置在外导流筒内,内导流筒与外导流筒之间具有间隙,所述间隙内设置有保温材料。
6.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场,其特征在于,所述轻掺硅单晶棒电阻率为0.1-100Ω·cm。
7.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场,其特征在于,还包括保温筒,保温筒内设置有加热器,加热器围绕石墨坩埚设置,石墨坩埚内设置有石英坩埚;所述导流筒设置于石英坩埚上方。
8.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场,其特征在于,所述硅单晶晶向为<100>。
9.一种可减少N型轻掺硅单晶OISF的新型单晶炉热场,其特征在于,包括导流筒,所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。
10.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺硅单晶OISF的新型单晶炉热场,其特征在于,所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒;内导流筒设置在外导流筒内,内导流筒与外导流筒之间具有间隙,所述间隙内设置有保温材料。
11.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺单晶OISF的新型单晶炉热场,其特征在于,所述轻掺单晶电阻率为0.1-100Ω·cm。
12.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺单晶OISF的新型单晶炉热场,其特征在于,所述的OISF小于等于100个/cm2
13.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺单晶OISF的新型单晶炉热场,其特征在于,还包括保温筒,保温筒内设置有加热器,加热器围绕石墨坩埚设置,石墨坩埚内设置有石英坩埚;所述导流筒设置于石英坩埚上方。
14.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺单晶OISF的新型单晶炉热场,其特征在于,所述硅单晶晶向为<100>。
CN201210225961.3A 2012-06-30 2012-06-30 新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场 Pending CN103510154A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210225961.3A CN103510154A (zh) 2012-06-30 2012-06-30 新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210225961.3A CN103510154A (zh) 2012-06-30 2012-06-30 新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103510154A true CN103510154A (zh) 2014-01-15

Family

ID=49893564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210225961.3A Pending CN103510154A (zh) 2012-06-30 2012-06-30 新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103510154A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105525346A (zh) * 2014-10-21 2016-04-27 镇江大成新能源有限公司 一种新型单晶炉
CN105568368A (zh) * 2015-06-16 2016-05-11 杭州海纳半导体有限公司 保护热场部件减小损耗的热场及方法
CN105887207A (zh) * 2014-10-21 2016-08-24 镇江大成新能源有限公司 一种低功耗的单晶炉
CN106319619A (zh) * 2016-11-02 2017-01-11 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105525346A (zh) * 2014-10-21 2016-04-27 镇江大成新能源有限公司 一种新型单晶炉
CN105887207A (zh) * 2014-10-21 2016-08-24 镇江大成新能源有限公司 一种低功耗的单晶炉
CN105568368A (zh) * 2015-06-16 2016-05-11 杭州海纳半导体有限公司 保护热场部件减小损耗的热场及方法
CN106319619A (zh) * 2016-11-02 2017-01-11 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101805925B (zh) 太阳能电池用掺镓铟单晶硅材料及其制备方法
CN204779921U (zh) 一种新型多晶硅侧分层加热装置
CN102560641B (zh) 一种掺杂电阻率均匀的n型铸造硅多晶及其制备方法
CN103510154A (zh) 新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场
CN204570091U (zh) 具有补温导流筒的单晶炉
CN104499048A (zh) 一种连续加料的单晶硅生长工艺
CN102560646B (zh) 一种掺杂电阻率均匀的n型铸造硅单晶及其制备方法
CN202755095U (zh) 新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场
Su et al. Optimization of crystal growth by changes of flow guide, radiation shield and sidewall insulation in Cz Si furnace
CN106868584A (zh) 一种单晶炉用电阻加热器及使用该电阻加热器制备硅单晶的方法
CN203295656U (zh) 直拉单晶用加热器
CN202072794U (zh) 全数字节能型太阳能用单晶生长电源及控制装置
CN103667801B (zh) 用于电力输送系统的超高导电率铝合金导线的制备方法
CN202430328U (zh) 一种用于直拉单晶炉热场的加热器
CN202126914U (zh) 水冷式风力发电变压器
CN104762655A (zh) 一种用于直拉单晶炉热场的组合加热器
CN207130360U (zh) 一种加热器
CN202297870U (zh) 超高纯锗单晶炉拉制装置
CN202187081U (zh) 一种单晶炉热场
CN201933198U (zh) 化合物半导体加热装置
CN204125562U (zh) 拉制轻掺硼单晶晶棒的封闭式热场
CN203558860U (zh) 应用于多晶硅定向凝固提纯的石墨护板
CN208995147U (zh) 一种多晶硅还原炉
CN203700579U (zh) 单晶炉热场
CN106544726A (zh) 一种拉晶、加料、化料、分离杂质同步进行的连续拉制单晶硅棒的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140115