CN114864829B - 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114864829B CN114864829B CN202210794449.4A CN202210794449A CN114864829B CN 114864829 B CN114864829 B CN 114864829B CN 202210794449 A CN202210794449 A CN 202210794449A CN 114864829 B CN114864829 B CN 114864829B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- perovskite
- solar cell
- transport layer
- solution
- electron transport
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 35
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 77
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 33
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 29
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 28
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 25
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 24
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 19
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 16
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 12
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims description 10
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- ISWNAMNOYHCTSB-UHFFFAOYSA-N methanamine;hydrobromide Chemical compound [Br-].[NH3+]C ISWNAMNOYHCTSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NQMRYBIKMRVZLB-UHFFFAOYSA-N methylamine hydrochloride Chemical compound [Cl-].[NH3+]C NQMRYBIKMRVZLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N methylazanium;iodide Chemical compound [I-].[NH3+]C LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N aminomethylideneazanium;iodide Chemical compound I.NC=N QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- HGFIOWHPOGLXPU-UHFFFAOYSA-L 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline 4',4''-disulfonate Chemical compound C1=CC(S(=O)(=O)[O-])=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC(=CC=3)S([O-])(=O)=O)C=CN=C21 HGFIOWHPOGLXPU-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 4
- NKLPQNGYXWVELD-UHFFFAOYSA-M coomassie brilliant blue Chemical compound [Na+].C1=CC(OCC)=CC=C1NC1=CC=C(C(=C2C=CC(C=C2)=[N+](CC)CC=2C=C(C=CC=2)S([O-])(=O)=O)C=2C=CC(=CC=2)N(CC)CC=2C=C(C=CC=2)S([O-])(=O)=O)C=C1 NKLPQNGYXWVELD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- KMNTUASVUKNVJS-UHFFFAOYSA-N Ponceau S (acid form) Chemical compound OC1=C(S(O)(=O)=O)C=C2C=C(S(O)(=O)=O)C=CC2=C1N=NC(C(=C1)S(O)(=O)=O)=CC=C1N=NC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 KMNTUASVUKNVJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 77
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 33
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 13
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 7
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 6
- OOBPIWAAJBRELM-UHFFFAOYSA-N imidazol-1-yl-(2-methylfuran-3-yl)methanone Chemical compound O1C=CC(C(=O)N2C=NC=C2)=C1C OOBPIWAAJBRELM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 6
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 5
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- KQHKSGRIBYJYFX-UHFFFAOYSA-J Ponceau S Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].Oc1c(cc2cc(ccc2c1N=Nc1ccc(cc1S([O-])(=O)=O)N=Nc1ccc(cc1)S([O-])(=O)=O)S([O-])(=O)=O)S([O-])(=O)=O KQHKSGRIBYJYFX-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- -1 aminoblack 10B Chemical compound 0.000 description 1
- QXAITBQSYVNQDR-ZIOPAAQOSA-N amitraz Chemical compound C=1C=C(C)C=C(C)C=1/N=C/N(C)\C=N\C1=CC=C(C)C=C1C QXAITBQSYVNQDR-ZIOPAAQOSA-N 0.000 description 1
- 229960002587 amitraz Drugs 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YOBAEOGBNPPUQV-UHFFFAOYSA-N iron;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Fe].[Fe] YOBAEOGBNPPUQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/40—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a p-i-n structure, e.g. having a perovskite absorber between p-type and n-type charge transport layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/84—Layers having high charge carrier mobility
- H10K30/85—Layers having high electron mobility, e.g. electron-transporting layers or hole-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池技术领域,克服了现有技术中的钙钛矿薄膜电池晶粒尺寸小,进而导致界面缺陷,阻碍电池光电转换率的缺陷。本发明钙钛矿太阳能电池依次设置有底电极、金属螯合显色剂修饰的电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极。本发明可提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
背景技术
有机无机钙钛矿太阳能电池优异的光电性能作为下一代光伏器件,引起了科学研究者们的广泛关注。钙钛矿材料作为太阳能电池光吸收材料不仅具有高效的光吸收能力和载流子迁移率,还具有可调性的带隙使其成为了优异的光伏材料,引起了很大的关注,基于以上的优异的性能,钙钛矿材料可以作为光吸收材料作用于光伏器件中。太阳能光伏产业在光电领域有着广阔的发展前景。作为太阳能发电领域的研究热点,钙钛矿太阳能电池在短短十余年的时间里急剧提高到了25.7%的光电转换效率。
近几年,钙钛矿薄膜制备技术有了长足的进展,钙钛矿薄膜具有制备简单且结晶良好的优势。但是目前仍存在一些问题,譬如钙钛矿吸光层薄膜晶粒尺寸小等问题,这些问题会导致界面缺陷(如钙钛矿薄膜晶粒与晶粒之间、钙钛矿薄膜与相邻功能层的界面之间存在缺陷),界面缺陷对电池的性能有着直接联系,界面缺陷会影响器件中电流的传输以及会产生非辐射复合,最终导致太阳能电池的光电转换效率较低。
发明内容
因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的钙钛矿薄膜电池晶粒尺寸小,进而导致界面缺陷,阻碍电池光电转换率的缺陷,从而提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
为此,本发明提供了以下技术方案。
一方面,本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池,依次设置有底电极、金属螯合显色剂修饰的电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极。
进一步的,所述金属螯合显色剂为氨基黑10B、丽春红S、考马斯亮蓝和红菲绕啉二磺酸盐中的至少一种;和/或
所述底电极材料为FTO导电玻璃或ITO导电玻璃;和/或
所述顶电极材料为金、银或铜中的一种;和/或
所述顶电极的厚度为80~100 nm。
第二方面,本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:
步骤1、在底电极上制备电子传输层;
步骤2、将金属螯合显色剂溶液涂膜到所述电子传输层表面,退火处理,形成金属螯合显色剂修饰的电子传输层;
步骤3、在所述金属螯合显色剂修饰的电子传输层上制备钙钛矿吸光层;
步骤4、在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层;
步骤5、在空穴传输层上制备顶电极。
进一步的,所述步骤2中的退火处理时间为5~10 min,温度100±10℃。
进一步的,所述步骤1包括:将氧化锡溶液旋转涂膜到底电极上,退火处理,制得电子传输层;
所述步骤1中的退火温度为140~160℃,退火时间为25~35min。
进一步的,所述步骤3包括:在所述金属螯合显色剂修饰的电子传输层上旋涂卤化铅与碘化铯的混合溶液和钙钛矿前体溶液,退火处理得到钙钛矿吸光层。
进一步的,所述步骤3中,先旋涂卤化铅和碘化铯混合溶液,再旋涂钙钛矿前体溶液,退火处理时间为8~12min,温度为100±10℃。
进一步的,满足条件A-G中的至少一项:
A、所述卤化铅为碘化铅、溴化铅和氯化铅中的至少一种;
B、所述卤化铅和碘化铯混合溶液的溶剂为二甲基甲酰胺、氯苯和二甲基亚砜中的至少一种;
C、所述卤化铅和碘化铯混合溶液的卤化铅和碘化铯的质量比为(5~25):(0.2~1.0);
D、所述钙钛矿前体溶液为铵盐混合溶液,所述铵盐包括甲脒碘盐、甲基碘化铵、甲基溴化铵和甲基氯化铵;
所述钙钛矿前体溶液中甲脒碘盐:甲基碘化铵:甲基溴化铵:甲基氯化铵的质量比为(2~8):(1~4):(0.25~1.0):(0.25~1.0);
E、所述钙钛矿前体溶液的溶剂为异丙醇、氯苯或二甲基亚砜;
F、所述步骤2中,金属螯合显色剂溶液的溶剂为乙醇、异丙醇、氯苯、水中的至少一种;
G、所述步骤2中,金属螯合显色剂溶液的浓度为0.3~2.0mg/ml。
进一步的,所述步骤4包括:在钙钛矿吸光层上旋涂Spiro-OMeTAD溶液,制得空穴传输层。
进一步的,所述步骤5包括:采用真空蒸镀法于空穴传输层上制备顶电极。
钙钛矿前体溶液包括甲脒碘盐(FAI,CH(NH2)2I)、甲基碘化铵(MAI,CH3NH3I)、甲基溴化铵(MABr,CH3NH3Br)和甲基氯化铵(MACl,CH3NH3Cl),溶剂为异丙醇(IPA)、氯苯(CB)或二甲基亚砜(DMSO)。
本发明技术方案,具有如下优点:
1.本发明提供的钙钛矿太阳能电池,依次设置有底电极、金属螯合显色剂修饰的电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极。本发明采用金属螯合显色剂修饰电子传输层,金属螯合显色剂可以填补电子传输层表面的缝隙,提高电子传输层的平整度,从而减少电子传输层与钙钛矿吸光层的界面缺陷。通过修饰界面来调控界面的电荷积累和提高钙钛矿的结晶尺寸,填补电子传输层以及钙钛矿吸光层薄膜之间的深层缺陷,同时桥接钙钛矿界面,并且对界面电荷进行有效的调控,减少器件的迟滞效应,从而提高钙钛矿电池的光电转换效率性能,解决钙钛矿太阳能电池中界面缺陷阻碍性能的问题。
2.本发明提供的钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:步骤1、在底电极上制备电子传输层;步骤2、将金属螯合显色剂溶液涂膜到所述电子传输层表面,退火处理,形成金属螯合显色剂修饰的电子传输层;步骤3、在所述金属螯合显色剂修饰的电子传输层上制备钙钛矿吸光层;步骤4、在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层;步骤5、在空穴传输层上制备顶电极。
在制备的电子传输层的表面添加显色剂螯合剂溶液,以获得表面平整的电子传输层。同时,金属螯合显色剂会生成晶簇,会有更多的捕获位点产生,促进形成大晶粒的钙钛矿吸光层。金属螯合显色剂可以吸引电子传输层和钙钛矿吸光层中的金属离子,从而促进晶粒的生成,相比于无金属螯合剂的器件更有利于晶体生长。采用本发明方法制备的钙钛矿太阳能电池,电子传输层的平整度高、钙钛矿吸光层晶粒尺寸大,弥补了钙钛矿太阳能电池界面缺陷较多的问题,器件的光电转换效率显著提高。与对比器件相比,本发明修饰器件的光电转换效率提升了20%以上。
3.本发明提供的钙钛矿太阳能电池的制备方法,步骤3包括:在所述金属螯合显色剂修饰的电子传输层上旋涂卤化铅与碘化铯的混合溶液和钙钛矿前体溶液,退火后处理得到钙钛矿吸光层。
金属螯合显色剂可以生成晶簇,从而获得大晶粒尺寸的卤化铅薄膜,在晶粒相对尺寸较大的卤化铅的薄膜以及有着充分的结晶空间的基础上,卤化铅的薄膜与钙钛矿前体溶液充分的反应,获得大晶粒钙钛矿吸光层。采用本发明方法制备的钙钛矿太阳能电池中的钙钛矿吸光层平整度高、晶粒大且均匀。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是实施例1与对比例1制备的钙钛矿电池测试所得J-V曲线对比图;
图2是实施例2与对比例2制备的钙钛矿电池测试所得J-V曲线对比图;
图3是实施例3与对比例3制备的钙钛矿电池测试所得J-V曲线对比图;
图4是实施例4与对比例4制备的钙钛矿电池测试所得J-V曲线对比图;
图5是实施例5与对比例5制备的钙钛矿电池测试所得J-V曲线对比图;
图6是实施例6与对比例6制备的钙钛矿电池测试所得J-V曲线对比图;
图7是对比例1制备的钙钛矿薄膜测试所得扫描电镜图;
图8是实施例1制备的钙钛矿薄膜测试所得扫描电镜图;
图9是实施例1-6制备的钙钛矿电池的结构示意图。
具体实施方式
提供下述实施例是为了更好地进一步理解本发明,并不局限于所述最佳实施方式,不对本发明的内容和保护范围构成限制,任何人在本发明的启示下或是将本发明与其他现有技术的特征进行组合而得出的任何与本发明相同或相近似的产品,均落在本发明的保护范围之内。
实施例中未注明具体实验步骤或条件者,按照本领域内的文献所描述的常规实验步骤的操作或条件即可进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市购获得的常规试剂产品。
实施例和对比例中的原料碘化铅(PbI2,99.99%),甲脒碘盐(FAI),购自西安聚合物光技术公司;15 wt% SnO2胶体溶液(SnO2在H2O胶体分散体中为质量分数15%)购自阿尔法·伊索;Spiro-OMeTAD溶液及FTO导电玻璃购自辽宁优选公司;其余药品其余药品甲基碘化铵(MAI,CH3NH3I)、甲基溴化铵(MABr,CH3NH3Br)和甲基氯化铵(MACl,CH3NH3Cl),异丙醇(IPA)、 N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)、氨基黑10B、丽春红S、考马斯亮蓝或红菲绕啉二磺酸盐均购自TCI。所有盐类和溶剂均按接收到的方式使用,无需进一步净化。
实施例1
本实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
1)将FTO导电玻璃分别利用肥皂水、去离子水、无水乙醇、丙酮超声清洗,然后进行紫外臭氧清洗。
2)将15 wt% SnO2胶体溶液用去离子水稀释得到3.75 wt% SnO2胶体溶液。用胶头滴管吸取配置好的3.75 wt%氧化锡胶体溶液,铺满FTO导电玻璃后以4000 rpm旋涂35s,再在140℃下退火35 min制得电子传输层。将0.5 mg的金属螯合显色剂氨基黑10B溶于1 ml的无水乙醇,用胶头滴管吸取此溶液铺满涂有电子传输层的FTO导电玻璃,以3000rpm旋涂30s后,在100℃下退火10 min。
3)将PbI2(7.50 g)、CsI (0.30g)溶于11400 μL DMF和600 μL DMSO中,在室温下以500 rpm 剧烈搅拌5h,得到碘化铅和碘化铯混合的溶液,将FAI (0.60 g)、MAI (0.30g)、MABr (0.075 g)、和MACl (0.075 g)溶于15 ml IPA中,在室温下以500 rpm剧烈搅拌5h,得钙钛矿前体溶液。用移液枪滴加50 μL碘化铅和碘化铯的混合溶液,调整旋涂仪参数为3000 rpm,30 s;在涂好碘化铅和碘化铯混合溶液的薄膜上用移液枪静态滴加100μL钙钛矿前体溶液,旋涂仪参数为3000 rpm, 30 s,最后加热退火,温度100℃,时间12 min。
4)在手套箱旋涂Spiro-OMeTAD溶液:在钙钛矿吸光层上滴加50μL Spiro-OMeTAD溶液,旋涂仪参数为3000rpm, 30s。
5)最后,蒸镀银电极:采用真空蒸镀法于钙钛矿吸光层制备顶电极,本实施例中顶电极材料为银,银电极厚度为80 nm。
制得的钙钛矿太阳能电池如图9所示。
实施例2
本实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
1)将FTO导电玻璃分别利用肥皂水、去离子水、无水乙醇、丙酮超声清洗,然后进行紫外臭氧清洗。
2)将15 wt% SnO2胶体溶液用去离子水稀释得到3.75 wt% SnO2胶体溶液。用胶头滴管吸取配置好的3.75 wt%氧化锡胶体溶液,铺满FTO导电玻璃后以4000 rpm旋涂35s,再在150℃下退火30min制得电子传输层。将0.5 mg的金属螯合显色剂红菲绕啉二磺酸盐溶于1 ml的无水乙醇,用胶头滴管吸取此溶液铺满涂有电子传输层的FTO导电玻璃,以3000rpm旋涂30s后,在100℃下退火10 min。
3)将PbI2(7.50 g)、CsI (0.30g)溶于11400 μL DMF 和600 μL DMSO中,在室温下以500 rpm 剧烈搅拌5h,得到碘化铅和碘化铯混合的溶液,将FAI (0.60 g)、MAI (0.30g)、MABr (0.075 g)、和MACl (0.075 g)溶于15 ml IPA中,在室温下以500 rpm剧烈搅拌5h,得钙钛矿前体溶液。用移液枪滴加50 μL碘化铅和碘化铯的混合溶液,调整旋涂仪参数为3000 rpm, 30 s;在涂好碘化铅和碘化铯混合溶液的薄膜上用移液枪静态滴加100μL钙钛矿前体溶液,旋涂仪参数为3000 rpm, 30 s,最后加热退火,温度100 ℃,时间12 min。
4)在手套箱旋涂Spiro-OMeTAD 溶液,在钙钛矿吸光层上滴加50μL Spiro-OMeTAD溶液,仪器参数为3000rpm, 30s。
5)最后,蒸镀银电极。采用真空蒸镀法于钙钛矿吸光层制备顶电极。所述顶电极材料为银,所述方案中银电极厚度为80 nm。
制得的钙钛矿太阳能电池如图9所示。
实施例3
本实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
1)将FTO导电玻璃分别利用肥皂水、去离子水、无水乙醇、丙酮超声清洗,然后进行紫外臭氧清洗。
2)将15 wt% SnO2胶体溶液用去离子水稀释得到3.75 wt% SnO2胶体溶液。用胶头滴管吸取配置好的3.75 wt%氧化锡胶体溶液,铺满FTO导电玻璃后以4000 rpm旋涂35s,再在160℃下退火35min制得电子传输层。将0.5 mg的金属螯合显色剂氨基黑10B溶于1 ml的无水乙醇,用胶头滴管吸取此溶液铺满涂有电子传输层的FTO导电玻璃,以3000rpm旋涂30s后,在100℃下退火10 min。
3)将PbI2(7.20 g)、CsI (0.40g)溶于11400 μL DMF 和600 μL DMSO中,在室温下以500 rpm 剧烈搅拌5h,得到碘化铅和碘化铯混合的溶液,将FAI (0.50 g)、MAI (0.20g)、MABr (0.06 g)、和MACl (0.06 g)溶于15 ml IPA中,在室温下以500 rpm剧烈搅拌5h,得钙钛矿前体溶液。用移液枪滴加50 μL碘化铅和碘化铯的混合溶液,调整旋涂仪参数为3000 rpm, 30 s;在涂好碘化铅和碘化铯混合溶液的薄膜上用移液枪静态滴加100μL钙钛矿前体溶液,旋涂仪参数为3000 rpm, 30 s,最后加热退火,温度100℃,时间12 min。
4)在手套箱旋涂Spiro-OMeTAD 溶液,在钙钛矿吸光层上滴加50μL Spiro-OMeTAD溶液,仪器参数为3000rpm, 30s。
5)最后,蒸镀银电极。采用真空蒸镀法于钙钛矿吸光层制备顶电极。所述顶电极材料为银,所述方案中银电极厚度为90 nm。
制得的钙钛矿太阳能电池如图9所示。
实施例4
本实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
1)将FTO导电玻璃分别利用肥皂水、去离子水、无水乙醇、丙酮超声清洗,然后进行紫外臭氧清洗。
2)将15 wt% SnO2胶体溶液用去离子水稀释得到3.75 wt% SnO2胶体溶液。用胶头滴管吸取配置好的3.75 wt%氧化锡胶体溶液,铺满FTO导电玻璃后以4000 rpm旋涂35s,再在140℃下退火35 min制得电子传输层。将1.0mg的金属螯合显色剂氨基黑10B溶于1 ml的去离子水,用胶头滴管吸取此溶液铺满涂有电子传输层的FTO导电玻璃,以3000rpm旋涂30s后,在110 ℃下退火8 min。
3)将PbI2(8 g)、CsI (0.20g)溶于11400 μL DMF 和600 μL DMSO中,在室温下以500 rpm 剧烈搅拌5h,得到碘化铅和碘化铯混合的溶液,将FAI (0.70 g)、MAI (0.40 g)、MABr (0.09 g)、和MACl (0.09 g)溶于15 ml IPA中,在室温下以500 rpm剧烈搅拌5h,得钙钛矿前体溶液。用移液枪滴加50 μL碘化铅和碘化铯的混合溶液,调整旋涂仪参数为3000rpm, 30 s;在涂好碘化铅和碘化铯混合溶液的薄膜上用移液枪静态滴加100μL钙钛矿前体溶液,旋涂仪参数为3000 rpm, 30 s,最后加热退火,温度110℃,时间8 min。
4)在手套箱旋涂Spiro-OMeTAD 溶液,在钙钛矿吸光层上滴加50μL Spiro-OMeTAD溶液,仪器参数为3000rpm, 30s。
5)最后,蒸镀银电极。采用真空蒸镀法于钙钛矿吸光层制备顶电极。所述顶电极材料为金,所述方案中金电极厚度为100 nm。
制得的钙钛矿太阳能电池如图9所示。
实施例5
本实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
1)将ITO导电玻璃分别利用肥皂水、去离子水、无水乙醇、丙酮超声清洗,然后进行紫外臭氧清洗。
2)将15 wt% SnO2胶体溶液用去离子水稀释得到3.75 wt% SnO2胶体溶液。用胶头滴管吸取配置好的3.75 wt%氧化锡胶体溶液,铺满ITO导电玻璃后以4000 rpm旋涂35s,再在150℃下退火30min制得电子传输层。将0.5 mg的金属螯合显色剂丽春红S溶于1 ml的异丙醇,用胶头滴管吸取此溶液铺满涂有电子传输层的ITO导电玻璃,以3000rpm旋涂30s后,在110 ℃下退火8 min。
3)将PbBr2(7.50 g)、CsI (0.30g)溶于11400 μL 氯苯和600 μL DMSO中,在室温下以500 rpm 剧烈搅拌5h,得到溴化铅和碘化铯混合的溶液,将FAI (0.60 g)、MAI (0.30g)、MABr (0.075 g)、和MACl (0.075 g)溶于15 ml DMSO中,在室温下以500 rpm剧烈搅拌5h,得钙钛矿前体溶液。用移液枪滴加50 μL溴化铅和碘化铯的混合溶液,调整旋涂仪参数为3000 rpm, 30 s;在涂好溴化铅和碘化铯混合溶液的薄膜上用移液枪静态滴加100μL钙钛矿前体溶液,旋涂仪参数为3000 rpm, 30 s,最后加热退火,温度110 ℃,时间8 min。
4)在手套箱旋涂Spiro-OMeTAD 溶液,在钙钛矿吸光层上滴加50μL Spiro-OMeTAD溶液,仪器参数为3000rpm, 30s。
5)最后,蒸镀金电极。采用真空蒸镀法于钙钛矿吸光层制备顶电极。所述顶电极材料为金,所述方案中金电极厚度为80 nm。
制得的钙钛矿太阳能电池如图9所示。
实施例6
本实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
1)将FTO导电玻璃分别利用肥皂水、去离子水、无水乙醇、丙酮超声清洗,然后进行紫外臭氧清洗。
2)将15 wt% SnO2胶体溶液用去离子水稀释得到3.75 wt% SnO2胶体溶液。用胶头滴管吸取配置好的3.75 wt%氧化锡胶体溶液,铺满FTO导电玻璃后以4000 rpm旋涂35s,再在160 ℃下退火25 min制得电子传输层。将0.75 mg的金属螯合显色剂考马斯亮蓝溶于1ml的氯苯,用胶头滴管吸取此溶液铺满涂有电子传输层的FTO导电玻璃,以3000rpm旋涂30s后,在110℃下退火8 min。
3)将PbCl2(7.50 g)、CsI (0.30g)溶于11400 μL DMF 和600 μL DMSO中,在室温下以500 rpm 剧烈搅拌5h,得到氯化铅和碘化铯混合的溶液,将FAI (0.60 g)、MAI (0.30g)、MABr (0.075 g)、和MACl (0.075 g)溶于15 ml IPA中,在室温下以500 rpm剧烈搅拌5h,得钙钛矿前体溶液。用移液枪滴加50 μL氯化铅和碘化铯的混合溶液,调整旋涂仪参数为3000 rpm, 30 s;在涂好氯化铅和碘化铯混合溶液的薄膜上用移液枪静态滴加100μL钙钛矿前体溶液,旋涂仪参数为3000 rpm 30 s,最后加热退火,温度110 ℃,时间8 min。
4)在手套箱旋涂Spiro-OMeTAD 溶液,在钙钛矿薄膜上滴加50μL Spiro-OMeTAD溶液,仪器参数为3000rpm, 30s。
5)最后,蒸镀铜电极。采用真空蒸镀法于钙钛矿薄膜制备顶电极。所述顶电极材料为铜,所述方案中铜电极厚度为80 nm。
制得的钙钛矿太阳能电池如图9所示。
对比例1
本对比例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,与实施例1基本相同,不同之处在于未采用金属螯合显色剂对电子传输层进行修饰,其余步骤与实施例1相同。
对比例2
本对比例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,与实施例2基本相同,不同之处在于未采用金属螯合显色剂对电子传输层进行修饰,其余步骤与实施例2相同。
对比例3
本对比例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,与实施例3基本相同,不同之处在于未采用金属螯合显色剂对电子传输层进行修饰,其余步骤与实施例3相同。
对比例4
本对比例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,与实施例4基本相同,不同之处在于未采用金属螯合显色剂对电子传输层进行修饰,其余步骤与实施例4相同。
对比例5
本对比例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,与实施例5基本相同,不同之处在于未采用金属螯合显色剂对电子传输层进行修饰,其余步骤与实施例5相同。
对比例6
本对比例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,与实施例6基本相同,不同之处在于未采用金属螯合显色剂对电子传输层进行修饰,其余步骤与实施例6相同。
试验例
1)光电转换效率测试:
对实施例1-6和对比例1-6制备的钙钛矿太阳能电池进行光电转换效率测试,测试方法为:电化学工作站测试电池转换效率。使用NIM校准的标准硅太阳能电池将光强校准到AM1.5G一个太阳(100 mW/cm2)。使用金属掩模将实施例和对比例制备的太阳能电池器件的有效有源面积定义为0.09 cm2。J-V 曲线在1.2 V 至-0.1 V范围内以 100 mV/s 的扫描速率测量。
J-V 曲线如图1-图6所示,太阳能电池的光电转换效率为曲线上的点形成的矩形的最大面积,太阳能电池的光电转换效率如表1所示。光电转换效率提高率=(实施例的光电转换效率-相应对比例的光电转换效率)/相应对比例光电转换效率。
表1 太阳能电池的光电转换效率
光电转换效率(%) | 光电转换效率提高率 | |
对比例1 | 13.80% | |
实施例1 | 19.67% | 43% |
对比例2 | 14.68% | |
实施例2 | 17.57% | 20% |
对比例3 | 15.21% | |
实施例3 | 19.02% | 25 % |
对比例4 | 13.10% | |
实施例4 | 17.39% | 33 % |
对比例5 | 13.69% | |
实施例5 | 18.53% | 35 % |
对比例6 | 15.02% | |
实施例6 | 18.34% | 22 % |
由表1可知,本发明制得的钙钛矿太阳能电池的转化效率相较于对比例太阳能电池提高了20%以上。
2)钙钛矿吸光层的晶粒尺寸测量
用扫描电子显微镜(JSM-7800F,日本)获得扫描电子显微镜(SEM)图像。测试结果如图7、图8所示,晶粒尺寸如表2所示。
表2晶粒尺寸
晶粒尺寸 | |
对比例1 | 0.53 μm |
实施例1 | 1.01 μm |
由表2和图7、图8可知,本发明制得的钙钛矿太阳能电池的钙钛矿吸光层的晶粒尺寸相较于对比例太阳能电池明显增大,孔隙减少,缺陷减少。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (9)
1.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,依次设置有底电极、金属螯合显色剂修饰的电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极;
所述钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:
步骤1、在底电极上制备电子传输层;
步骤2、将金属螯合显色剂溶液涂膜到所述电子传输层表面,退火处理,形成金属螯合显色剂修饰的电子传输层;
步骤3、在所述金属螯合显色剂修饰的电子传输层上制备钙钛矿吸光层;
步骤4、在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层;
步骤5、在空穴传输层上制备顶电极。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述金属螯合显色剂为氨基黑10B、丽春红S、考马斯亮蓝和红菲绕啉二磺酸盐中的至少一种;和/或
所述底电极材料为FTO导电玻璃或ITO导电玻璃;和/或
所述顶电极材料为金、银或铜中的一种;和/或
所述顶电极的厚度为80~100 nm。
3.一种权利要求1或2所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤2中的退火处理时间为5~10 min,温度100±10℃。
4.根据权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤1包括:将氧化锡溶液旋转涂膜到底电极上,退火处理,制得电子传输层;
所述步骤1中的退火温度为140~160℃,退火时间为25~35min。
5.根据权利要求3或4所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤3包括:在所述金属螯合显色剂修饰的电子传输层上旋涂卤化铅与碘化铯的混合溶液和钙钛矿前体溶液,退火处理得到钙钛矿吸光层。
6.根据权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤3中,先旋涂卤化铅和碘化铯混合溶液,再旋涂钙钛矿前体溶液,退火处理时间为8~12min,温度为100±10℃。
7.根据权利要求6所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,满足条件A-G中的至少一项:
A、所述卤化铅为碘化铅、溴化铅和氯化铅中的至少一种;
B、所述卤化铅和碘化铯混合溶液的溶剂为二甲基甲酰胺、氯苯和二甲基亚砜中的至少一种;
C、所述卤化铅和碘化铯混合溶液的卤化铅和碘化铯的质量比为(5~25):(0.2~1.0);
D、所述钙钛矿前体溶液为铵盐混合溶液,所述铵盐包括甲脒碘盐、甲基碘化铵、甲基溴化铵和甲基氯化铵;
所述钙钛矿前体溶液中甲脒碘盐:甲基碘化铵:甲基溴化铵:甲基氯化铵的质量比为(2~8):(1~4):(0.25~1.0):(0.25~1.0);
E、所述钙钛矿前体溶液的溶剂为异丙醇、氯苯或二甲基亚砜;
F、所述步骤2中,金属螯合显色剂溶液的溶剂为乙醇、异丙醇、氯苯、水中的至少一种;
G、所述步骤2中,金属螯合显色剂溶液的浓度为0.3~2.0mg/ml。
8.根据权利要求3或4所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤4包括:在钙钛矿吸光层上旋涂Spiro-OMeTAD溶液,制得空穴传输层。
9.根据权利要求3或4所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤5包括:采用真空蒸镀法于空穴传输层上制备顶电极。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210794449.4A CN114864829B (zh) | 2022-07-07 | 2022-07-07 | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
EP22206543.5A EP4304317A1 (en) | 2022-07-07 | 2022-11-10 | Perovskite solar cell and preparation method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210794449.4A CN114864829B (zh) | 2022-07-07 | 2022-07-07 | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114864829A CN114864829A (zh) | 2022-08-05 |
CN114864829B true CN114864829B (zh) | 2022-09-20 |
Family
ID=82626954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210794449.4A Active CN114864829B (zh) | 2022-07-07 | 2022-07-07 | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP4304317A1 (zh) |
CN (1) | CN114864829B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115867054A (zh) * | 2022-11-25 | 2023-03-28 | 江苏振宁半导体研究院有限公司 | 一种超适形金属卤化物钙钛矿光电探测器阵列 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012113942A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Ricoh Co Ltd | 多層型光電変換素子およびその製造方法 |
CN105244449A (zh) * | 2015-09-13 | 2016-01-13 | 北京化工大学 | 一种钙钛矿太阳能电池 |
CN110676389A (zh) * | 2017-05-22 | 2020-01-10 | 周孝银 | 一种酞菁染料敏化的CsPbBr3光伏电池及其制造方法 |
CN107316942A (zh) * | 2017-06-07 | 2017-11-03 | 武汉理工大学 | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
JP2019175918A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 三菱ケミカル株式会社 | 光電変換素子及び太陽電池モジュール |
CN110098330A (zh) * | 2019-03-15 | 2019-08-06 | 北京宏泰创新科技有限公司 | 一种以二硫烯化合物为界面修饰层的钙钛矿太阳能电池 |
CN112382731B (zh) * | 2020-11-12 | 2022-01-28 | 华北电力大学 | 一种钙钛矿发光二极管及其制作方法 |
CN112635675B (zh) * | 2020-12-16 | 2023-11-03 | 华南理工大学 | 一种基于3-噻吩乙酸界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN114497390A (zh) * | 2022-01-11 | 2022-05-13 | 中国科学院大学 | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
-
2022
- 2022-07-07 CN CN202210794449.4A patent/CN114864829B/zh active Active
- 2022-11-10 EP EP22206543.5A patent/EP4304317A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4304317A1 (en) | 2024-01-10 |
CN114864829A (zh) | 2022-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106058061B (zh) | 一种疏水性钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 | |
CN106025085A (zh) | 基于Spiro-OMeTAD/CuXS复合空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN111668377B (zh) | 一种以Mo-二氧化锡作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN112133837A (zh) | 一种钙钛矿晶体薄膜的制备方法 | |
CN111211248A (zh) | 基于无铅钙钛矿薄膜的led器件及其制备方法 | |
CN114864829B (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN111525033B (zh) | 一种反向介孔钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法 | |
CN111244289B (zh) | 一种ZnO薄膜为界面层的有机光伏器件的制备方法 | |
CN115188893A (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法 | |
CN113437226B (zh) | 4-吡啶甲胺溴优化锡铅混合钙钛矿太阳能电池的制备方法 | |
CN112582544A (zh) | 一种基于添加剂工程制备钙钛矿薄膜的方法及其光电应用 | |
CN111668378B (zh) | 一种以v-二氧化锡作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN109354057A (zh) | 一种氧化锡纳米晶及其制备方法及太阳能电池制备方法 | |
EP2600365A2 (en) | Dye-sensitized solar cell and method for forming light-scattering layer thereof | |
CN116801652A (zh) | 一种晶硅钙钛矿叠层太阳能电池及制备方法 | |
CN110993801B (zh) | 一种葡萄糖掺杂的有机无机杂化钙钛矿复合膜及其制备和应用 | |
CN114784195B (zh) | 一种钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
CN112054123A (zh) | 电子传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN113644199B (zh) | 植酸二钾络合二氧化锡的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN114937743B (zh) | 一种基于甲脒基有机/无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN116507139B (zh) | 长支链烷基铵修饰的甲脒钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN113571649B (zh) | 一种掺杂atmp-k的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用 | |
CN113130770B (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN109216553B (zh) | 一种CsSnI3掺杂有机太阳能电池及其制备方法 | |
CN115101671A (zh) | 一种含氨基糖苷类抗生素修饰二氧化锡钙钛矿太阳能电池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |