CN113571649B - 一种掺杂atmp-k的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种掺杂ATMP‑K的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用。解决了氧化锡层光电性不足以及其与钙钛矿层界面稳定性差的问题，为氧化锡在钙钛矿太阳电池中的应用提供了一种简单的思路。本发明所述电子传输层的制备工艺如下：采用ATMP与KOH溶液混合制备成ATMP‑K混合溶液，再与SnO2前驱体溶液混合得到掺杂ATMP‑K的SnO2前驱体溶液。将掺杂前驱体溶液旋涂在导电衬底上，得到掺杂ATMP‑K的SnO2电子传输层。本发明所述SnO2电子传输层能够在低温下制备，制备工艺简单，成本低廉，有效提高载流子的利用率，增加钙钛矿太阳电池的开路电压，提升太阳能电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明属新能源领域，具体涉及一种掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用
背景技术
目前基于杂化有机-无机卤化物钙钛矿的钙钛矿太阳能电池(Perovskite solarcells，PSCs)已成为世界上最有潜力的光伏技术。卤化物钙钛矿的通式为ABX3，其中A为单价阳离子，常见的A位离子有MA+、FA+和Cs+等，B为二价金属阳离子，B位离子目前常用的是Pb2+和Sn2+，X为卤素，一般是Cl、I和Br。自2009年，制备出第一块钙钛矿太阳电池至今，其功率转换效率(PCE)从3.8％提高到25.5％。目前制备出的PSCs器件构型也是多种多样，包括平面正结构(n-i-p)、介孔正结构、倒结构电池(p-i-n)。其基本结构包括透明导电电极、电子传输层(Electron Transport Layers，ETLs)、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极五个部分。由于SnO2具有深的导带、高电子迁移率和高电导率等特点，SnO2被认为是平面PSC的理想ETL。Anders Hagfeldt首次将低温处理的非晶SnO2用于平面PSC中，实现了18％的效率。然后，游经碧使用商品化的SnO2胶体分散液制备了高质量的ETL，结合PbI2钝化策略，获得20.9％的认证PCE。刘生忠通过引入乙二胺四乙酸进一步提高SnO2层的电子迁移率，可将器件效率分别提高至21.52％。但是在低温合成过程中，ETL/钙钛矿界面可能会形成大量缺陷，并且金属氧化物含有表面羟基，它们会在价带附近生成陷阱态，从而引起SnO2与钙钛矿界面处的非辐射复合。为了进一步提高基于SnO2的平面PSC的性能，应该更加努力地调整和减少ETL/钙钛矿界面上的缺陷。Edward H.Sargent采用NH4F对SnO2进行了表面钝化，NH4F产生的弱酸性的铵阳离子会与SnO2表面上的羟基反应，形成氨气和水蒸气，而氟离子会替代进入缺陷部位，从而调控SnO2的能级位置。尽管SnO2晶体本身的电子迁移率很大，但因纳米薄膜通常由结晶性很差的纳米颗粒组成，因此本征SnO2薄膜的电学性能可能并不理想。掺杂是调控材料电学性能的常用方法，因此Y，Mg，Li，Ga和Sb也常用来调控SnO2电子传输层的电学性质。
综上所述，可归纳出现有基于SnO2电子传输层的钙钛矿太阳电池的不足：1)目前SnO2电子传输层由于低温处理致使其稳定性和电学性能不足，从而难以制备出高效率的钙钛矿太阳电池。2)SnO2表面存在大量的羟基导致钙钛矿与SnO2界面处存在缺陷，不利于电池的效率和稳定性。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的上述不足，提供一种掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用。
为实现本发明目的，我们提出在SnO2溶液中掺入氨基三亚甲基磷酸和氢氧化钾混合溶液形成混合电子传输层，ATMP和SnO2的相互作用改善SnO2的能级位置，采用能级位置合适且电导率更高的SnO2作为电池的电子传输层，可获得更高的开路电压(VOC)和短路电流密度(JSC)；还通过K的掺杂增加了SnO2的n型性质，因此提高了电荷传输能力从而提高了电池的VOC。
本发明的技术方案：
一种掺杂氨基三亚甲基磷酸和氢氧化钾混合溶液(ATMP-K)的氧化锡电子传输层的制备方法，所述方法包括：
(1)关于ATMP-K混合溶液的制备；
所述ATMP-K混合溶液采用ATMP水溶液(体积浓度为50％)和浓度为0.001-0.025mg/ml的KOH溶液按照50-700μl:500-1000μl的比例混合制备而成，KOH溶液采用0.01-0.25mg的KOH粉末分散在10ml的去离子水中形成，浓度为0.001-0.025mg/ml；
(2)掺杂ATMP-K的SnO2前驱体溶液的制备；
采用SnO2溶液和去离子水按照250μl：750μl的比例混合制备成SnO2前驱体溶液，再用步骤(1)中制备的ATMP-K混合溶液与所述SnO2前驱体溶液按照20μl：1000μl的比例混合制成掺杂ATMP-K的SnO2前驱体溶液；
(3)在透明导电氧化物上制备掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层；
掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层采用旋涂法在导电玻璃上制备而成，转速为3000-4000转每分钟，时间为30-40s，退火处理温度为150-180℃，退火时间为20-30分钟。
本发明同时提供了掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层在钙钛矿太阳电池中的应用。
所述钙钛矿太阳电池为n-i-p的基本结构，依次包括：透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、钙钛矿钝化层、空穴传输层和电极。
所述的透明导电衬底为FTO导电玻璃或ITO导电玻璃。钙钛矿吸光层为厚度500-800nm的钙钛矿薄膜。钙钛矿钝化层为PEAI、MABr或GuaBr中的任何一种。空穴传输层材料为Spiro-OMeTAD、PTAA、NiOx或MoOx中的一种或多种。所述电极为通过真空蒸发的方法沉积80-120nm厚的金电极。
本发明所述钙钛矿太阳电池的制备方法如下：
(1)在ITO或FTO导电玻璃上制备SnO2+ATMP-K电子传输层；(2)在充满氮气的手套箱中采用旋涂方法在所述电子传输层上旋涂制备钙钛矿吸光层；(3)在所述钙钛矿吸光层上沉积一层钝化层；(4)在所述钝化后的钙钛矿吸光层上沉积一层空穴传输层；(4)在所述空穴传输层上沉积金属电极。
本发明的优点和积极效果：
本发明通过采用ATMP和KOH的混合溶液作为SnO2的掺杂剂，通过调节SnO2薄膜的能级位置和电学性能，从而减少电池的电压损失，实现传输层和钙钛矿的能级匹配；同时本发明还通过该掺杂剂减少了钙钛矿与SnO2之间的界面缺陷，改善了钙钛矿薄膜质量，提高了电池的填充因子(FF)，从而获得效率更高的钙钛矿太阳电池，除此之外，采用ATMP和KOH的混合掺杂的SnO2还可以应用作为NIP钙钛矿与硅叠层电池中的电子传输层。
附图说明
图1是本发明具体实施方式基于掺杂ATMP-K的氧化锡薄膜的钙钛矿太阳电池的层结构示意图；
图2是本发明对比实施方式基于无掺杂的氧化锡薄膜的钙钛矿太阳电池的伏安特性曲线图；
图3是本发明具体实施方式基于100μl的ATMP和1000μl的氢氧化钾混合掺杂的氧化锡薄膜的钙钛矿太阳电池的伏安特性曲线图；
图4是本发明具体实施方式基于200μl的ATMP和1000μl的氢氧化钾混合掺杂的氧化锡薄膜的钙钛矿太阳电池的伏安特性曲线图；
图5是本发明具体实施方式基于400μl的ATMP和1000μl的氢氧化钾混合掺杂的氧化锡薄膜的钙钛矿太阳电池的伏安特性曲线图；
图6是本发明具体实施方式基于600μl的ATMP和1000μl的氢氧化钾混合掺杂的氧化锡薄膜的钙钛矿太阳电池的伏安特性曲线图。
图7是本发明对比实施方式基于氢氧化钾掺杂的氧化锡薄膜的钙钛矿太阳电池的伏安特性曲线图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明所述的技术方案作进一步的详细说明。
本发明按附图1所示结构，它包括从下至上依次分布的透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、钝化层、空穴传输层和金属电极。
实施例1(对比实施例)：
无掺杂的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用，包括如下步骤：
1、ITO面积为2cm×2cm，表面处理顺序是去离子水和异丙醇进行超声清洗，然后使用氮气吹干，最后将基底紫外臭氧20min；
2、取250μl SnO2胶体溶液(Alfa Aesar(tin(IV)oxide,15％in H2O))和750μl去离子水混合将SnO2胶体溶液稀释。
3、把ITO置于旋涂仪里，将无任何添加的SnO2胶体溶液均匀涂在ITO表面，以4000rpm的速度旋涂30秒钟，然后在150℃的环境空气中退火30分钟，获得电子传输层。
4、取691.5mg的PbI2溶入体积比为9:1的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶剂中，搅拌均匀，直至完全溶解；
5、将90mg甲脒碘、6.39mg甲胺碘和9mg甲脒氯溶解于1ml的异丙醇溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
6、取步骤4得到的PbI2溶液涂在步骤3得到的电子传输层表面，以1500rpm的速度旋转30s后，取下70℃退火1min，得到PbI2薄膜；
7、取步骤5得到的有机盐溶液涂在步骤6得到的碘化铅表面，以2000rpm的速度旋转30s后，后取下在30％-40％湿度和150℃下退火15min，得到钙钛矿吸光层；
8、将5mg PEAI溶解于1ml的异丙醇溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
9、取步骤8到的溶液涂在步骤7到的钙钛矿表面，以5000rpm的速度旋转30s后；
10、将260mg LiTFSI溶解1ml的乙腈溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；72.3mg Spiro-OMeTAD、30μl 4-叔丁基吡啶和35μl上述的Li盐溶解1ml的氯苯溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
11、取步骤10得到的溶液在钝化后钙钛矿光吸收层上旋涂成膜，转速为3000转每分钟，时间30s。
12、利用热蒸镀方法沉积80nm厚的金属电极Au。
实验效果：进行太阳能电池的性能测试，如图2所示，在AM1.5，100mW/cm2标准光强的照射下，本实施例制备的太阳电池的开路电压1.08V，短路电流密度24.51mA/cm2，填充因子72.79％，效率为19.27％。
实施例2：
本发明提供的一种掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用，包括如下步骤：
1、ITO面积为2cm×2cm，表面处理顺序是去离子水和异丙醇进行超声清洗，然后使用氮气吹干，最后将基底紫外臭氧20min；
2、将0.22mg KOH粉末加入10ml去离子水中，取1000μl体积的KOH溶液与100μl的市售ATMP水溶液(体积浓度为50％)混合，得到ATMP-K混合溶液；
3、取250μl SnO2胶体溶液(Alfa Aesar(tin(IV)oxide,15％in H2O))和750μl去离子水混合将SnO2胶体溶液稀释。取20μl步骤2得到的ATMP-K混合溶液加入到SnO2的胶体溶液中，搅拌至均匀；
4、把ITO置于旋涂仪里，将带有ATMP-KOH的SnO2胶体溶液均匀涂在ITO表面，以4000rpm的速度旋涂30秒钟，然后在150℃的环境空气中退火30分钟，获得电子传输层。
5、取691.5mg的PbI2溶入体积比为9:1的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶剂中，搅拌均匀，直至完全溶解；
6、将90mg甲脒碘、6.39mg甲胺碘和9mg甲脒氯溶解于1ml的异丙醇溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
7、取步骤5得到的PbI2溶液涂在步骤4得到的电子传输层表面，以1500rpm的速度旋转30s后，取下70℃退火1min，得到PbI2薄膜。
8、取步骤6得到的有机盐溶液涂在步骤7得到的碘化铅表面，以2000rpm的速度旋转30s后，取下在30％-40％湿度和150℃下退火15min，得到钙钛矿吸光层。
9、将5mg PEAI溶解于1ml的异丙醇溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
10、取步骤9到的溶液涂在步骤8到的钙钛矿表面，以5000rpm的速度旋转30s后；
11、将260mg LiTFSI溶解1ml的乙腈溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；72.3mg Spiro-OMeTAD、30μl 4-叔丁基吡啶和35μl上述的Li盐溶解1ml的氯苯溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
12、取步骤11得到的溶液在钝化后钙钛矿光吸收层上旋涂成膜，转速为3000转每分钟，时间30s。
13、利用热蒸镀方法沉积80nm厚的金属电极Au。
实验效果：进行太阳能电池的性能测试，如图3所示，在AM1.5，100mW/cm2标准光强的照射下，本实施例制备的太阳电池的开路电压1.12V，短路电流密度24.56mA/cm2，填充因子74.56％，效率为20.51％。
实施例3：
一种掺杂氨基三亚甲基磷酸和氢氧化钾混合溶液(ATMP-K)的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用，包括如下步骤：
1、ITO面积为2cm×2cm，表面处理顺序是去离子水和异丙醇进行超声清洗，然后使用氮气吹干，最后将基底紫外臭氧20min；
2、将0.22mg KOH粉末加入10ml去离子水中，取1000μl体积的KOH溶液与200μl的ATMP溶液混合，得到ATMP-K溶液；
3、取250μl SnO2胶体溶液(Alfa Aesar(tin(IV)oxide,15％in H2O))和750μl去离子水混合将SnO2胶体溶液稀释。取20μl步骤2得到的ATMP-K溶液加入到SnO2的胶体溶液中，搅拌至均匀；
4、把ITO置于旋涂仪里，将带有ATMP-KOH的SnO2胶体溶液均匀涂在ITO表面，以4000rpm的速度旋涂30秒钟，然后在150℃的环境空气中退火30分钟，获得电子传输层。
5、取691.5mg的PbI2溶入体积比为9:1的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶剂中，搅拌均匀，直至完全溶解；
6、将90mg甲脒碘、6.39mg甲胺碘和9mg甲脒氯溶解于1ml的异丙醇溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
7、取步骤5得到的PbI2溶液涂在步骤4得到的电子传输层表面，以1500rpm的速度旋转30s后，后取下70℃退火1min，得到PbI2薄膜；
8、取步骤6得到的有机盐溶液涂在步骤7得到的碘化铅表面，以2000rpm的速度旋转30s后，后取下在30％-40％湿度和150℃下退火15min，得到钙钛矿吸光层；
9、将5mg PEAI溶解于1ml的异丙醇溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
10、取步骤9到的溶液涂在步骤8到的钙钛矿表面，以5000rpm的速度旋转30s后；
11、将260mg LiTFSI溶解1ml的乙腈溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；72.3mg Spiro-OMeTAD、30μl 4-叔丁基吡啶和35μl上述的Li盐溶解1ml的氯苯溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
12、取步骤11得到的溶液在钝化后钙钛矿光吸收层上旋涂成膜，转速为3000转每分钟，时间30s。
13、利用热蒸镀方法沉积80nm厚的金属电极Au。
实验效果：进行太阳能电池的性能测试，如图4所示，在AM1.5，100mW/cm2标准光强的照射下，本实施案例制备的太阳电池的开路电压1.12V，短路电流密度24.50mA/cm2，填充因子76.90％，效率为21.10％。
实施例4：
一种掺杂氨基三亚甲基磷酸和氢氧化钾混合溶液(ATMP-K)的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用，包括如下步骤：
1、ITO面积为2cm×2cm，表面处理顺序是去离子水和异丙醇进行超声清洗，然后使用氮气吹干，最后将基底紫外臭氧20min；
2、将0.22mg KOH粉末加入10ml去离子水中，取1000μl体积的KOH溶液与400μl的ATMP溶液混合，得到ATMP-K溶液；
3、取250μl SnO2胶体溶液(Alfa Aesar(tin(IV)oxide,15％in H2O))和750μl去离子水混合将SnO2胶体溶液稀释。取20μl步骤2得到的ATMP-K溶液加入到SnO2的胶体溶液中，搅拌至均匀；
4、把ITO置于旋涂仪里，将带有ATMP-KOH的SnO2胶体溶液均匀涂在ITO表面，以4000rpm的速度旋涂30秒钟，然后在150℃的环境空气中退火30分钟，获得电子传输层。
5、取691.5mg的PbI2溶入体积比为9:1的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶剂中，搅拌均匀，直至完全溶解；
6、将90mg甲脒碘、6.39mg甲胺碘和9mg甲脒氯溶解于1ml的异丙醇溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
7、取步骤5得到的PbI2溶液涂在步骤4得到的电子传输层表面，以1500rpm的速度旋转30s后，后取下70℃退火1min，得到PbI2薄膜；
8、取步骤6得到的有机盐溶液涂在步骤7得到的碘化铅表面，以2000rpm的速度旋转30s后，后取下在30％-40％湿度和150℃下退火15min，得到钙钛矿吸光层；
9、将5mg PEAI溶解于1ml的异丙醇溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
10、取步骤9到的溶液涂在步骤8到的钙钛矿表面，以5000rpm的速度旋转30s后；
11、将260mg LiTFSI溶解1ml的乙腈溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；72.3mg Spiro-OMeTAD、30μl 4-叔丁基吡啶和35μl上述的Li盐溶解1ml的氯苯溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
12、取步骤11得到的溶液在钝化后钙钛矿光吸收层上旋涂成膜，转速为3000转每分钟，时间30s。
13、利用热蒸镀方法沉积80nm厚的金属电极Au。
实验效果：进行太阳能电池的性能测试，如图5所示，在AM1.5，100mW/cm2标准光强的照射下，本实施案例制备的太阳电池的开路电压1.14V，短路电流密度24.37mA/cm2，填充因子78.08％，效率为21.70％。
实施例5：
一种掺杂氨基三亚甲基磷酸和氢氧化钾混合溶液(ATMP-K)的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用，包括如下步骤：
1、ITO面积为2cm×2cm，表面处理顺序是去离子水和异丙醇进行超声清洗，然后使用氮气吹干，最后将基底紫外臭氧20min；
2、将0.22mg KOH粉末加入10ml去离子水中，取1000μl体积的KOH溶液与600μl的ATMP溶液混合，得到ATMP-K溶液；
3、取250μl SnO2胶体溶液(Alfa Aesar(tin(IV)oxide,15％in H2O))和750μl去离子水混合将SnO2胶体溶液稀释。取20μl步骤2得到的ATMP-K溶液加入到SnO2的胶体溶液中，搅拌至均匀；
4、把ITO置于旋涂仪里，将带有ATMP-KOH的SnO2胶体溶液均匀涂在ITO表面，以4000rpm的速度旋涂30秒钟，然后在150℃的环境空气中退火30分钟，获得电子传输层。
5、取691.5mg的PbI2溶入体积比为9:1的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶剂中，搅拌均匀，直至完全溶解；
6、将90mg甲脒碘、6.39mg甲胺碘和9mg甲脒氯溶解于1ml的异丙醇溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
7、取步骤5得到的PbI2溶液涂在步骤4得到的电子传输层表面，以1500rpm的速度旋转30s后，后取下70℃退火1min，得到PbI2薄膜；
8、取步骤6得到的有机盐溶液涂在步骤7得到的碘化铅表面，以2000rpm的速度旋转30s后，后取下在30％-40％湿度和150℃下退火15min，得到钙钛矿吸光层；
9、将5mg PEAI溶解于1ml的异丙醇溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
10、取步骤9到的溶液涂在步骤8到的钙钛矿表面，以5000rpm的速度旋转30s后；
11、将260mg LiTFSI溶解1ml的乙腈溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；72.3mg Spiro-OMeTAD、30μl 4-叔丁基吡啶和35μl上述的Li盐溶解1ml的氯苯溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
12、取步骤11得到的溶液在钝化后钙钛矿光吸收层上旋涂成膜，转速为3000转每分钟，时间30s。
13、利用热蒸镀方法沉积80nm厚的金属电极Au。
实验效果：进行太阳能电池的性能测试，如图6所示，在AM1.5，100mW/cm2标准光强的照射下，本实施案例制备的太阳电池的开路电压1.11V，短路电流密度24.36mA/cm2，填充因子76.94％，效率为20.80％。
实施例6(对比实施例)：
一种掺杂氢氧化钾溶液的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用，包括如下步骤：
1、ITO面积为2cm×2cm，表面处理顺序是去离子水和异丙醇进行超声清洗，然后使用氮气吹干，最后将基底紫外臭氧20min；
2、将0.22mg KOH粉末加入10ml去离子水中得到KOH溶液，搅拌至均匀；
3、取250μl SnO2胶体溶液(Alfa Aesar(tin(IV)oxide,15％in H2O))和750μl去离子水混合将SnO2胶体溶液稀释。取20μl步骤2得到的KOH溶液加入到SnO2的胶体溶液中，搅拌至均匀；
4、把ITO置于旋涂仪里，将带有KOH的SnO2胶体溶液均匀涂在ITO表面，以4000rpm的速度旋涂30秒钟，然后在150℃的环境空气中退火30分钟，获得电子传输层。
5、取691.5mg的PbI2溶入体积比为9:1的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶剂中，搅拌均匀，直至完全溶解；
6、将90mg甲脒碘、6.39mg甲胺碘和9mg甲脒氯溶解于1ml的异丙醇溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
7、取步骤5得到的PbI2溶液涂在步骤4得到的电子传输层表面，以1500rpm的速度旋转30s后，后取下70℃退火1min，得到PbI2薄膜；
8、取步骤6得到的有机盐溶液涂在步骤7得到的碘化铅表面，以2000rpm的速度旋转30s后，后取下在30％-40％湿度和150℃下退火15min，得到钙钛矿吸光层；
9、将5mg PEAI溶解于1ml的异丙醇溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
10、取步骤9到的溶液涂在步骤8到的钙钛矿表面，以5000rpm的速度旋转30s后；
11、将260mg LiTFSI溶解1ml的乙腈溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；72.3mg Spiro-OMeTAD、30μl 4-叔丁基吡啶和35μl上述的Li盐溶解1ml的氯苯溶剂中，搅拌到全部粉末溶解；
12、取步骤11得到的溶液在钝化后钙钛矿光吸收层上旋涂成膜，转速为3000转每分钟，时间30s。
13、利用热蒸镀方法沉积80nm厚的金属电极Au。
实验效果：进行太阳能电池的性能测试，如图7所示，在AM1.5，100mW/cm2标准光强的照射下，本实施案例制备的太阳电池的开路电压1.11V，短路电流密度24.00mA/cm2，填充因子74.55％，效率为19.86％。
综上，一种以掺杂氨基三亚甲基磷酸和氢氧化钾混合溶液(ATMP-K)的氧化锡为电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法，通过调节SnO2薄膜的能级位置和电学性能，从而减少电池的电压损失，实现传输层和钙钛矿的能级匹配；同时本发明还通过该掺杂剂减少了钙钛矿与SnO2之间的界面缺陷，改善了钙钛矿薄膜质量，提高了电池的填充因子(FF)，从而获得效率更高的钙钛矿太阳电池。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种用于钙钛矿太阳电池的掺杂 ATMP-K的氧化锡电子传输层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1) ATMP-K混合溶液的制备；
所述ATMP-K混合溶液采用ATMP水溶液和浓度为0.001-0.025mg/ml的KOH溶液按照50-700μl:500-1000μl的比例混合而成；
(2) 掺杂ATMP-K的SnO2前驱体溶液的制备；
采用SnO2溶液和去离子水按照250μl:750μl的比例混合制备成SnO2前驱体溶液，再用步骤(1)中制备的ATMP-K混合溶液与所述SnO2前驱体溶液按照20μl:1000μl的比例混合而成；
(3) 在透明导电氧化物上制备掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层。
2.如权利要求1所述的一种用于钙钛矿太阳电池的掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层采用旋涂法在导电玻璃上制备而成，转速为3000-4000转每分钟，时间为30-40s，退火处理温度为150-180℃，退火时间为20-30分钟。
3.权利要求1或2所述方法制备的掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层在钙钛矿太阳电池中的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池为n-i-p基本结构。
4.如权利要求3所述的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池的结构依次包括：透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、钝化层、空穴传输层和电极。
5.如权利要求4所述的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池的透明导电衬底为FTO导电玻璃或ITO导电玻璃。
6.如权利要求4所述的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池的钙钛矿吸光层为厚度500-800nm的钙钛矿薄膜。
7.如权利要求4所述的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池的钝化层为PEAI、MABr或GuaBr中的任何一种。
8.如权利要求4所述的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池的空穴传输层材料为Spiro-OMeTAD、PTAA、NiOx或MoOx中的一种或多种。
9.如权利要求4所述的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池的电极为通过真空蒸发的方法沉积80-120nm厚的金电极。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102668158A (zh) * | 2009-12-03 | 2012-09-12 | 富士胶片株式会社 | 电荷传递膜、其制备方法以及使用其的发光元件和光电转换元件 |
| CN103579504A (zh) * | 2013-11-20 | 2014-02-12 | 电子科技大学 | 一种有机薄膜太阳能电池及其制备方法 |
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| JP2019054121A (ja) * | 2017-09-15 | 2019-04-04 | 攝津製油株式会社 | エッチング液 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2014203849A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池用基板の製造方法及び太陽電池 |
| CN103579504A (zh) * | 2013-11-20 | 2014-02-12 | 电子科技大学 | 一种有机薄膜太阳能电池及其制备方法 |
| JP2019054121A (ja) * | 2017-09-15 | 2019-04-04 | 攝津製油株式会社 | エッチング液 |
| CN109216557A (zh) * | 2018-09-03 | 2019-01-15 | 陕西师范大学 | 一种基于柠檬酸/SnO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| CN111370583A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-07-03 | 中国科学院半导体研究所 | 聚乙烯吡咯烷酮掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 |
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