CN114787699A - 显示面板、显示设备、显示面板的制造方法以及对置基板 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示面板。显示面板包括在基底基板(BS)上的堤层(BL)和量子点材料层(QDML)。堤层(BL)限定多个堤开口(BA)。所述量子点材料层(QDML)包括分别在所述多个堤开口(BA)中的至少一些中的多个量子点块(QDB)。堤层(BL)在两个相邻堤开口(BA)之间的至少一部分包括第一表面(S1)、与第一表面(S1)相对的第二表面(S2)、较靠近第一堤开口(BA1)的连接所述第一表面(S1)和所述第二表面(S2)的第三表面(S3)、以及较靠近第二堤开口(BA2)的连接所述第一表面(S1)和所述第二表面(S2)的第四表面(S4)。堤层(BL)在两个相邻堤开口(BA)之间的一部分的第三表面(S3)或第四表面(S4)的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面。

Description

显示面板、显示设备、显示面板的制造方法以及对置基板
技术领域
本发明涉及显示技术，尤其涉及一种显示面板、显示设备、显示面板的制造方法以及对置基板。
背景技术
量子点由于量子尺寸效应和介电限域效应而具有独特的光致发光和电致发光性质。量子点具有优异的光学性质，例如，通过量子点尺寸控制的发射光的高量子产率、高光化学稳定性、抗光解、宽带激发、窄带发射、高色纯度和可调谐颜色。利用量子点材料，在显示面板中可以获得各种优点，例如，高发光效率、良好的稳定性、长使用寿命、高亮度和宽色域。
发明内容
在一个方面，本公开提供了一种显示面板，包括：基底基板；在所述基底基板上的堤层，所述堤层限定多个堤开口；以及在所述基底基板上的量子点材料层，所述量子点材料层包括分别在所述多个堤开口中的至少一些堤开口中的多个量子点块；其中，所述堤层在两个相邻堤开口之间的至少一部分包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、较靠近所述两个相邻堤开口中的第一堤开口的连接所述第一表面和所述第二表面的第三表面、以及较靠近所述两个相邻堤开口中的第二堤开口的连接所述第一表面和所述第二表面的第四表面；所述第三表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面；所述第四表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面；在具有所述多个量子点块中的相应一个量子点块的所述多个堤开口中的相应一个堤开口中，所述第三表面的所述交替的凸起部分和凹陷部分在竖直平面上的正投影，与所述多个量子点块中的所述相应一个量子点块在所述竖直平面上的正投影至少部分地重叠，并且所述第四表面的所述交替的凸起部分和凹陷部分在所述竖直平面上的正投影，与所述多个量子点块中的所述相应一个量子点块在所述竖直平面上的正投影至少部分地重叠；以及所述竖直平面是垂直于所述基底基板并且垂直于从所述第一堤开口到所述第二堤开口的方向的平面。
可选地，所述显示面板还包括在所述多个堤开口中的各个堤开口中的阻挡涂层；以及其中，所述阻挡涂层与所述第三表面的所述至少一部分直接接触，并且与所述第四表面的所述至少一部分直接接触。
可选地，所述阻挡涂层与所述多个量子点块中的所述相应一个量子点块直接接触。
可选地，所述阻挡涂层包括石墨烯材料。
可选地，所述阻挡涂层包括表面官能化的石墨烯。
可选地，所述表面官能化的石墨烯是包括一个或多个表面官能团的等离子体官能化的石墨烯，所述一个或多个表面官能团通过包括氢键的相互作用结合到所述多个量子点块中的所述相应一个量子点块中的量子点材料中的官能团。
可选地，所述阻挡涂层的与所述第三表面的所述至少一部分直接接触的一部分具有包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面；以及所述阻挡涂层的与所述第四表面的所述至少一部分直接接触的一部分具有包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面。
可选地，所述显示面板还包括位于所述量子点材料层的远离所述基底基板的一侧的彩膜层；其中，所述彩膜层包括分别位于所述多个堤开口的远离所述基底基板的一侧的多个彩膜块。
可选地，所述的显示面板还包括：在所述基底基板上的多个薄膜晶体管；平坦化层，其位于所述多个薄膜晶体管的远离所述基底基板的一侧；阳极层，其包括位于所述平坦化层的远离所述基底基板的一侧的多个阳极；像素限定层，其位于所述平坦化层和所述阳极层的远离所述基底基板的一侧，所述像素限定层限定多个子像素开口；发光材料层，其位于所述阳极层的远离所述基底基板的一侧，所述发光材料层包括分别在所述多个子像素开口中的多个发光块；阴极层，其位于所述发光材料层的远离所述基底基板的一侧；封装层，其位于所述阴极层的远离所述基底基板的一侧；其中，所述堤层和所述像素限定层在所述显示面板的子像素间区域中；以及所述堤层在所述基底基板上的正投影与所述像素限定层在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，所述第一表面与所述封装层直接接触；以及在所述多个堤开口中的相应一个堤开口中，所述多个量子点块中的所述相应一个量子点块位于所述封装层的一部分的远离所述阴极层的一侧；其中所述显示面板还包括在所述多个堤开口中的各个堤开口中的阻挡涂层；以及所述阻挡涂层的至少一部分与所述封装层的所述一部分直接接触。
可选地，所述显示面板还包括与所述基底基板相对的第二基底基板；其中，所述堤层和所述量子点材料层在所述第二基底基板和所述封装层之间；所述显示面板还包括：第二封装层，其位于所述堤层和所述量子点材料层的远离所述第二基底基板的一侧，所述第二封装层封装所述堤层和所述量子点材料层；以及填充物层，其位于所述封装层与所述第二封装层之间。
可选地，所述显示面板是液晶显示面板，所述液晶显示面板包括阵列基板、对置基板、在所述阵列基板和所述对置基板之间的液晶层、以及背光源；其中，所述对置基板包括第二基底基板；其中，所述堤层和所述量子点材料层在所述第二基底基板上；其中，所述对置基板还包括：阻挡涂层，其在所述多个堤开口中的各个堤开口中；以及保护层，其位于所述量子点材料层、所述堤层和所述阻挡涂层的远离所述第二基底基板的一侧；其中所述阻挡涂层与所述多个量子点块中的相应一个量子点块直接接触。
可选地，所述对置基板还包括位于所述保护层的远离所述第二基底基板的一侧的线栅偏振器。
在另一方面，本公开提供了一种显示设备，包括本文所述的或通过本文所述方法制造的显示面板，和连接到所述显示面板的集成电路。
在另一方面，本公开提供了一种制造显示面板的方法，包括：在基底基板上形成堤层，所述堤层被形成为限定多个堤开口；以及在所述基底基板上形成量子点材料层，形成所述量子点材料层包括在所述多个堤开口中的至少一些堤开口中分别形成多个量子点块；其中，所述堤层被形成为使得：所述堤层在两个相邻堤开口之间的至少一部分包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、较靠近所述两个相邻堤开口中的第一堤开口的连接所述第一表面和所述第二表面的第三表面、以及较靠近所述两个相邻堤开口中的第二堤开口的连接所述第一表面和所述第二表面的第四表面；所述第三表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面；所述第四表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面；在具有所述多个量子点块中的相应一个量子点块的所述多个堤开口中的相应一个堤开口中，所述第三表面的所述交替的凸起部分和凹陷部分在竖直平面上的正投影，与所述多个量子点块中的所述相应一个量子点块在所述竖直平面上的正投影至少部分地重叠，并且所述第四表面的所述交替的凸起部分和凹陷部分在所述竖直平面上的正投影，与所述多个量子点块中的所述相应一个量子点块在所述竖直平面上的正投影至少部分地重叠；以及所述竖直平面是垂直于所述基底基板并且垂直于从所述第一堤开口到所述第二堤开口的方向的平面。
可选地，形成所述堤层包括：在所述基底基板上形成光刻胶层；在对所述光刻胶层进行曝光时引起驻波效应的条件下，利用光对所述光刻胶层进行曝光；以及对曝光的光刻胶层进行显影，以形成具有由于所述驻波效应而产生的波状表面的所述堤层。
可选地，所述方法还包括在所述多个堤开口中的各个堤开口中形成阻挡涂层；其中所述阻挡涂层被形成为与所述第三表面的所述至少一部分直接接触，并且与所述第四表面的所述至少一部分直接接触；形成所述量子点材料层包括将量子点材料溶液喷墨印刷至所述多个堤开口中的各个堤开口中，并且使所述量子点材料溶液变干；以及所述多个量子点块中的相应一个量子点块被形成为与所述阻挡涂层直接接触。
可选地，形成所述阻挡涂层的整个过程在小于100度的温度下进行；以及形成所述堤层的整个过程在小于100度的温度下进行。
可选地，形成所述阻挡涂层包括：在所述多个堤开口中的各个堤开口中沉积石墨烯材料层；以及对所述石墨烯材料层进行表面等离子体处理，以在所述石墨烯材料层的表面形成表面官能化的石墨烯。
附图说明
根据各个公开的实施例，以下附图仅是用于说明目的示例，并且不旨在限制本发明的范围。
图1A是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。
图1B是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。
图2是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的堤层和量子点层的平面图。
图3A是根据本公开的一些实施例中的堤层的一部分的扫描电子显微镜平面视图图像。
图3B是根据本公开的一些实施例中的堤层的一部分的扫描电子显微镜截面图图像。
图3C是图3B中的第一放大区域的放大视图。
图3D是图3B中的第二放大区域的放大视图。
图3E是示出图3B中第一放大区域中的堤层的结构的示意图。
图3F是示出图3B中第二放大区域中的堤层的结构的示意图。
图4A是根据本公开的一些实施例中的多个堤开口中的相应一个堤开口中的阻挡涂层的一部分的局部截面图。
图4B是根据本公开的一些实施例中的堤层在两个相邻堤开口之间的部分的局部截面图。
图4C是根据本公开的一些实施例中的多个堤开口中的相应一个堤开口中的阻挡涂层的一部分的局部截面图。
图4D是根据本公开的一些实施例中的堤层在两个相邻堤开口之间的部分的局部截面图。
图5A是根据本公开的一些实施例中的多个堤开口中的相应一个堤开口中的阻挡涂层的一部分的局部截面图。
图5B是根据本公开的一些实施例中的堤层在两个相邻堤开口之间的部分的局部截面图。
图5C是根据本公开的一些实施例中的多个堤开口中的相应一个堤开口中的阻挡涂层的一部分的局部截面图。
图5D是根据本公开的一些实施例中的堤层在两个相邻堤开口之间的部分的局部截面图。
图6是示出根据本公开的一些实施例中的对置基板的结构的示意图。
图7是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的堤层和量子点层的平面图。
图8A是示出根据本公开的一些实施例中的堤层的部分结构的示意图。
图8B是示出根据本公开的一些实施例中的堤层的一部分的示意图。
图9A是根据本公开的一些实施例中的多个堤开口中的相应一个堤开口中的阻挡涂层的一部分的局部截面图。
图9B是根据本公开的一些实施例中的堤层在两个相邻堤开口之间的部分的局部截面图。
图10A是根据本公开的一些实施例中的多个堤开口中的相应一个堤开口中的阻挡涂层的一部分的局部截面图。
图10B是根据本公开的一些实施例中的堤层在两个相邻堤开口之间的部分的局部截面图。
图11A是根据本公开的一些实施例中的线栅偏振器的扫描电子显微镜平面视图图像。
图11B是根据本公开的一些实施例中的线栅偏振器的扫描电子显微镜截面图图像。
图12是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。
具体实施方式
现在将参考以下实施例更具体地描述本公开。应当注意，本文中呈现的一些实施例的以下描述仅用于说明和描述的目的。其不是穷举的或限于所公开的精确形式。
本公开尤其提供了一种显示面板、显示设备、制造显示面板的方法和对置基板，其基本上避免了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。在一个方面，本公开提供了一种显示面板。在一些实施例中，显示面板包括基底基板；在所述基底基板上的堤层，所述堤层限定多个堤开口；以及在所述基底基板上的量子点材料层，所述量子点材料层包括分别在所述多个堤开口中的至少一些堤开口中的多个量子点块。可选地，堤层在两个相邻堤开口之间的至少一部分包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、较靠近两个相邻堤开口中的第一堤开口的连接第一表面和第二表面的第三表面、以及较靠近两个相邻堤开口中的第二堤开口的连接第一表面和第二表面的第四表面。可选地，第三表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面。可选地，第四表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面。
图1A是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。图2是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的堤(bank)层和量子点层的平面图。参照图1A与图2，在一些实施例中，显示面板包括基底基板BS；在基底基板BS上的多个薄膜晶体管TFT；位于多个薄膜晶体管TFT的远离基底基板BS的一侧的平坦化层PLN；阳极层ADL，其包括位于所述平坦化层PLN的远离所述基底基板BS的一侧的多个阳极AD；位于所述平坦化层PLN和所述阳极层ADL的远离所述基底基板BS的一侧的像素限定层PDL，所述像素限定层限定多个子像素开口SA；位于阳极层ADL的远离基底基板BS的一侧的发光材料层LEML，该发光材料层LEML包括分别在多个子像素开口SA中的多个发光块EL；位于发光材料层的远离基底基板的一侧的阴极层CD；位于阴极层CD的远离基底基板BS的一侧的封装层EN；位于所述封装层EN的远离所述基底基板BS的一侧的堤层BL，所述堤层BL限定多个堤开口BA；以及位于封装层EN的远离基底基板BS的一侧的量子点材料层QDML，量子点材料层QDML包括分别在多个堤开口BA中的至少一些堤开口BA中的多个量子点块(例如，QDB2和QDB3)。
各种合适的发光材料可以用于本显示面板中。合适的发光材料的示例包括有机发光材料、量子点发光材料、微发光材料、以及电致发光材料。因此，各种合适的发光元件可以用于本显示面板中。合适的发光元件的示例包括有机发光二极管、量子点发光二极管、微发光二极管和电致发光二极管。
在一个示例中，并且参照图1A，显示面板包括基底基板BS(例如，柔性基底基板)；在基底基板BS上的缓冲层BUF；多个薄膜晶体管TFT中的各个薄膜晶体管的有源层ACT，其位于缓冲层BUF的远离基底基板BS的一侧；位于有源层ACT的远离基底基板BS的一侧的第一栅极绝缘层GI1；位于第一栅极绝缘层GI1的远离缓冲层BUF的一侧的栅极G和第一电容器电极Ce1；位于栅极G和第一电容器电极Ce1远离第一栅极绝缘层GI1的一侧的第二栅极绝缘层GI2；位于第二栅极绝缘层GI2的远离第一栅极绝缘层GI1的一侧的第二电容器电极Ce2；层间电介质层ILD，其位于第二电容器电极Ce2的远离第二栅极绝缘层GI2的一侧；位于层间电介质层ILD的远离第二栅极绝缘层GI2的一侧的源极S和漏极D；平坦化层PLN，其位于源极S和漏极D的远离层间电介质层ILD的一侧；像素限定层PDL，其限定子像素开口SA并且位于所述平坦化层PLN的远离所述基底基板BS的一侧；位于像素限定层PDL的远离基底基板BS的一侧的间隔层PS；以及在子像素开口SA中的发光元件LE。发光元件LE包括：阳极AD，其位于平坦化层PLN的远离层间电介质层ILD的一侧；发光块EL，其位于阳极AD的远离平坦化层PLN的一侧；以及阴极层CD，其位于发光块EL的远离阳极AD的一侧。显示面板在显示区域还包括封装层EN，其封装发光元件LE，并位于阴极层CD的远离基底基板BS的一侧。在一些实施例中，封装层EN包括位于阴极层CD的远离基底基板BS的一侧的第一无机封装子层CVD1、位于第一无机封装子层CVD1的远离基底基板BS的一侧的有机封装子层IJP、以及位于有机封装子层IJP的远离第一无机封装子层CVD1的一侧的第二无机封装子层CVD2。
在一些实施例中，显示面板包括多个子像素。在一个示例中，并参考图1A，显示面板包括第一颜色的多个子像素sp1(例如，蓝色子像素)、第二颜色的多个子像素sp2(例如，红色子像素)和第三颜色的多个子像素sp3(例如，绿色子像素)。在另一示例中，第一颜色的多个子像素sp1、第二颜色的多个子像素sp2和第三颜色的多个子像素sp3中的多个发光块EL具有相同颜色。例如，第一颜色的多个子像素sp1、第二颜色的多个子像素sp2以及第三颜色的多个子像素sp3中的多个发光块EL都是蓝色发光块。
参照图1A，在一些实施例中，堤层BL和像素限定层PDL在显示面板的子像素间区域ISR中。可选地，间隔层PS也在显示面板的子像素间区域ISR中。可选地，多个发光块EL在显示面板的子像素区域SR中。可选地，堤层BL在基底基板BS上的正投影与像素限定层PDL在基底基板BS上的正投影至少部分地重叠。
如这里所使用的，子像素间区域是指相邻子像素区域之间的区域，例如，对应于液晶显示器中的黑矩阵的区域、对应于有机发光二极管显示面板中的像素限定层的区域、或本显示面板中的堤层。可选地，所述子像素间区域是同一像素中的相邻子像素区域之间的区域。可选地，所述子像素间区域是两个相邻像素中的两个相邻子像素区域之间的区域。可选地，所述子像素间区域是红色子像素的子像素区域和相邻的绿色子像素的子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是红色子像素的子像素区域和相邻的蓝色子像素的子像素区域之间的区域。可选地，所述子像素间区域是绿色子像素的子像素区域和相邻的蓝色子像素的子像素区域之间的区域。
如这里所使用的，子像素区域指的是子像素的发光区域，例如，与液晶显示器中的像素电极对应的区域、与有机发光二极管显示面板中的发光层对应的区域、或者与本公开中的透光块对应的区域。可选地，像素可以包括与像素中的多个子像素相对应的多个单独的发光区域。可选地，子像素区域是红色子像素的发光区域。可选地，子像素区域是绿色子像素的发光区域。可选地，子像素区域是蓝色子像素的发光区域。可选地，子像素区域是白色子像素的发光区域。
在一些实施例中，量子点材料层QDML包括分别在多个堤开口BA中的至少一些中的多个量子点块。在一个示例中，量子点材料层QDML包括分别在第二颜色的多个子像素sp2中的堤开口中的第二颜色的多个量子点块QDB2，以及分别在第三颜色的多个子像素sp3中的堤开口中的第三颜色的多个量子点块QDB3。
可选地，量子点材料层QDML还包括分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中的第一颜色的多个量子点块。
可选地，量子点材料层QDML不存在于分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中。在一个示例中，在分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中，显示面板包括多个透明块TB，如图1A与图2所示。在另一示例中，在分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中，显示面板包括第一颜色的彩膜块(color filter block)。
在一些实施例中，显示面板还包括彩膜层CFL，其位于量子点材料层QDML的远离封装层EN的一侧。在一些实施例中，彩膜层CFL包括分别位于多个堤开口BA的远离封装层EN的一侧的多个彩膜块。在一个示例中，彩膜层CFL包括在第一颜色的多个子像素(例如，蓝色子像素)中的第一颜色的多个彩膜块CFB1(例如，蓝色彩膜块)、在第二颜色的多个子像素(例如，红色子像素)中的第二颜色的多个彩膜块CFB2(例如，红色彩膜块)以及在第三颜色的多个子像素(例如，绿色子像素)中的第三颜色的多个彩膜块CFB3(例如，绿色彩膜块)。
在一些实施例中，显示面板还包括黑矩阵BM，其位于堤层BL的远离封装层EN的一侧。可选地，黑色矩阵BM位于显示面板的子像素间区域ISR中。堤层BL在基底基板BS上的正投影和黑矩阵BM在基底基板BS上的正投影至少部分地彼此重叠。可选地，堤层BL在基底基板BS上的正投影覆盖黑矩阵BM在基底基板BS上的正投影。
在一些实施例中，显示面板还包括第二封装层EN2，其封装包括多个量子点块(例如，QDB2和QDB3)的量子点材料层QDML。可选地，第二封装层EN2还封装多个透明块TB。
图1B为示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。图1B示出了包括阵列基板AS和对置基板CS的显示面板，其中使用设置在显示面板的外围区域中并将阵列基板AS和对置基板CS连接在一起的壁层DAM将阵列基板AS和对置基板CS组装在一起。显示面板还包括填充在阵列基板AS和对置基板CS之间的空间中并被壁层DAM围绕的填充物层FIL。在一些实施例中，阵列基板AS包括基底基板BS(例如，柔性基底基板)；在基底基板BS上的缓冲层BUF；多个薄膜晶体管TFT中的各个薄膜晶体管的有源层ACT，其位于缓冲层BUF的远离基底基板BS的一侧；位于有源层ACT的远离基底基板BS的一侧的第一栅极绝缘层GI1；位于第一栅极绝缘层GI1的远离缓冲层BUF的一侧的栅极G和第一电容器电极Ce1；位于栅极G和第一电容器电极Ce1远离第一栅极绝缘层GI1的一侧的第二栅极绝缘层GI2；位于第二栅极绝缘层GI2的远离第一栅极绝缘层GI1的一侧的第二电容器电极Ce2；层间电介质层ILD，其位于第二电容器电极Ce2的远离第二栅极绝缘层GI2的一侧；位于层间电介质层ILD的远离第二栅极绝缘层GI2的一侧的源极S和漏极D；平坦化层PLN，其位于源极S和漏极D的远离层间电介质层ILD的一侧；像素限定层PDL，其限定子像素开口SA并且位于所述平坦化层PLN的远离所述基底基板BS的一侧；位于像素限定层PDL的远离基底基板BS的一侧的间隔层PS；以及在子像素开口SA中的发光元件LE。发光元件LE包括：阳极AD，其位于平坦化层PLN的远离层间电介质层ILD的一侧；发光块EL，其位于阳极AD的远离平坦化层PLN的一侧；以及阴极层CD，其位于发光块EL的远离阳极AD的一侧。显示面板在显示区域还包括封装层EN，其封装发光元件LE，并位于阴极层CD的远离基底基板BS的一侧。在一些实施例中，封装层EN包括位于阴极层CD的远离基底基板BS的一侧的第一无机封装子层CVD1、位于第一无机封装子层CVD1的远离基底基板BS的一侧的有机封装子层IJP、以及位于有机封装子层IJP的远离第一无机封装子层CVD1的一侧的第二无机封装子层CVD2。
在一些实施例中，对置基板CS包括第二基底基板BS2、在第二基底基板BS2上的彩膜层CFL和黑矩阵BM、位于黑矩阵BM的远离第二基底基板BS2的一侧的堤层BL，堤层BL限定多个堤开口BA；在多个堤开口BA中的各个堤开口BA中的阻挡涂层GCL；位于彩膜层CFL的远离第二基底基板BS2的一侧的量子点材料层QDML，所述量子点材料层QDML包括分别在所述多个堤开口BA中的至少一些中的多个量子点块(例如，QDB2或QDB3)；以及位于量子点材料层QDML的远离第二基底基板BS2的一侧的第二封装层EN2，所述第二封装层EN2封装包括所述多个量子点块(例如，QDB2和QDB3)的所述量子点材料层QDML。可选地，第二封装层EN2还封装多个透明块TB。
可选地，第二封装层EN2包括单层结构。在一个示例中，单层结构包括氮化硅材料。
可选地，第二封装层EN2包括第一无机封装子层、有机封装子层和第二无机封装子层。
可选地，如图1B所示，对置基板CS还包括位于量子点材料层QDML的远离第二基底基板BS2一侧的绝缘层ALD。可选地，绝缘层ALD位于量子点材料层QDML和第二封装层EN2之间。
图3A是根据本公开的一些实施例中的堤层的一部分的扫描电子显微镜平面视图图像。图3B是根据本公开的一些实施例中的堤层的一部分的扫描电子显微镜截面图图像。参考图3A和图3B，在一些实施例中，两个相邻堤开口ABA1和ABA2之间的堤层BL的至少一部分包括与封装层EN接触的第一表面S1、与第一表面S1相对的第二表面S2、较靠近两个相邻堤开口ABA1和ABA2中的第一堤开口的连接第一表面S1和第二表面S2的第三表面S3、以及较靠近两个相邻堤开口ABA1和ABA2中的第二堤开口的连接第一表面S1和第二表面S2的第四表面S4。
图3C是图3B中的第一放大区域的放大视图。图3D是图3B中的第二放大区域的放大视图。图3E为示出图3B中第一放大区域中的堤层的结构的示意图。图3F为示出图3B中第二放大区域中的堤层的结构的示意图。参考图3A至图3F，在一些实施例中，第三表面S3的至少一部分是包括交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP的波状表面；且第四表面S4的至少一部分是包括交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP的波状表面。
再次参考图1A，在一些实施例中，显示面板还包括在多个堤开口BA中的各个堤开口BA中的阻挡涂层GCL(例如，石墨烯涂层)。可选地，阻挡涂层与多个量子点块中的相应一个量子点块(例如，QDB2或QDB3)直接接触。
图4A是根据本公开的一些实施例中的多个堤开口中的相应一个堤开口中的阻挡涂层的一部分的局部截面图。参考图1A和图4A，在一些实施例中，阻挡涂层GCL(例如，石墨烯涂层)与多个量子点块QDB中的相应一个量子点块直接接触。在多个堤开口BA中的相应一个堤开口中，多个量子点块QDB中的相应一个量子点块位于封装层EN的一部分的远离阴极层CD的一侧。如图4A所示，至少一部分阻挡涂层GCL与封装层EN的该部分直接接触。
图4B是根据本公开的一些实施例中的堤层在两个相邻堤开口之间的部分的局部截面图。参考图1A、图4A和图4B，在一些实施例中，堤层BL在两个相邻堤开口ABA1和ABA2之间的至少一部分包括与封装层EN接触的第一表面S1、与第一表面S1相对的第二表面S2、较靠近两个相邻堤开口ABA1和ABA2中的第一堤开口的连接第一表面S1和第二表面S2的第三表面S3、以及较靠近两个相邻堤开口ABA1和ABA2中的第二堤开口的连接第一表面S1和第二表面S2的第四表面S4。在一些实施例中，第三表面S3的至少一部分是包括交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP的波状表面；且第四表面S4的至少一部分是包括交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP的波状表面。在一些实施例中，阻挡涂层GCL(例如，石墨烯涂层)与第三表面S3的至少一部分直接接触，并与第四表面S4的至少一部分直接接触。
在一些实施例中，在具有多个量子点块QDB中的相应一个量子点块的多个堤开口BA中的相应一个堤开口BA中，第三表面S3的交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP在竖直平面VP上的正投影与多个量子点块QDB中的相应一个量子点块在竖直平面VP上的正投影至少部分地重叠。可选地，在具有多个量子点块QDB中的相应一个量子点块的多个堤开口BA中的相应一个堤开口BA中，多个量子点块QDB中的相应一个量子点块在基底基板BS上的正投影覆盖第三表面S3的交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP在基底基板上的正投影。竖直平面VP是垂直于基底基板BS且垂直于从第一堤开口到第二堤开口的方向的平面。
在一些实施例中，在具有多个量子点块QDB中的相应一个量子点块的多个堤开口BA中的相应一个堤开口BA中，第四表面S4的交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP在竖直平面VP上的正投影与多个量子点块QDB中的相应一个量子点块在竖直平面VP上的正投影至少部分地重叠。可选地，在具有多个量子点块QDB中的相应一个量子点块的多个堤开口BA中的相应一个堤开口BA中，多个量子点块QDB中的相应一个量子点块在竖直平面VP上的正投影覆盖第四表面S4的交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP在竖直平面VP上的正投影。
堤层BL的沿着从两个相邻堤开口ABA1和ABA2中的第一个堤开口到两个相邻堤开口ABA1和ABA2中的第二个堤开口的方向的截面可以具有各种适当的形状。适当的形状的示例包括梯形、倒梯形、矩形、正方形、三角形等。具有梯形或倒梯形增强光反射，且特别适合用于提高光利用效率的反射型显示面板。
图4C是根据本公开的一些实施例中的多个堤开口中的相应一个堤开口中的阻挡涂层的一部分的局部截面图。参考图4C，在一些实施例中，阻挡涂层GCL被限制到堤层BL的侧表面，例如，被限制到第三表面S3和第四表面S4。在一个示例中，显示面板在量子点材料层QDML和封装层EN之间的界面处没有阻挡涂层GCL。
图4D是根据本公开的一些实施例中的堤层在两个相邻堤开口之间的部分的局部截面图。参考图4D，在一些实施例中，阻挡涂层GCL进一步延伸到第二表面S2。在一个示例中，该阻挡涂层GCL(例如，石墨烯涂层)与第二表面S2的至少一部分直接接触。
如上所述，在一些实施例中，分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中不存在量子点材料层QDML。在一个示例中，在分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中，显示面板包括多个透明块TB，如图1A和图2所示。图5A是根据本公开的一些实施例中的多个堤开口中的相应一个堤开口中的阻挡涂层的一部分的局部截面图。图5B是根据本公开的一些实施例中的堤层在两个相邻堤开口之间的部分的局部截面图。参考图1A、图5A和图5B，在一些实施例中，阻挡涂层GCL(例如，石墨烯涂层)与多个透明块TB中的各个透明块直接接触。在多个堤开口BA中的各个堤开口BA中，多个透明块TB中的各个透明块位于封装层EN的一部分的远离阴极层CD的一侧。如图5A所示，至少一部分阻挡涂层GCL与封装层EN的该部分直接接触。
参见图4B和图5B，在一些实施例中，阻挡涂层GCL的与第三表面S3的至少一部分直接接触的一部分具有波状表面，该波状表面包括交替的凸起部分CVP2和凹陷部分CCP2。可选地，阻挡涂层GCL(例如，石墨烯涂层)的与第四表面S4的至少一部分直接接触的一部分具有波状表面，该波状表面包括交替的凸起部分CVP2和凹陷部分CCP2。
在一些实施例中，在具有多个透明块TB中的相应一个的多个堤开口BA中的相应一个堤开口中，第三表面S3的交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP在竖直平面VP上的正投影与多个透明块TB中的相应一个在竖直平面VP上的正投影至少部分地重叠。可选地，在具有多个透明块TB中的相应一个的多个堤开口BA中的相应一个堤开口中，多个透明块TB中的相应一个在竖直平面VP上的正投影覆盖第三表面S3的交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP在竖直平面VP上的正投影。竖直平面VP是垂直于基底基板BS且垂直于从第一堤开口到第二堤开口的方向的平面。
在一些实施例中，在具有多个透明块TB中的相应一个的多个堤开口BA中的相应一个堤开口中，第四表面S4的交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP在竖直平面VP上的正投影与多个透明块TB中的相应一个在竖直平面VP上的正投影至少部分地重叠。可选地，在具有多个透明块TB中的相应一个的多个堤开口BA中的相应一个堤开口中，多个透明块TB中的相应一个在竖直平面VP上的正投影覆盖第四表面S4的交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP在竖直平面VP上的正投影。
图5C是根据本公开的一些实施例中的多个堤开口中的相应一个堤开口中的阻挡涂层的一部分的局部截面图。参考图5C，在一些实施例中，阻挡涂层GCL被限制到堤层BL的侧表面，例如，被限制到第三表面S3和第四表面S4。在一个示例中，显示面板在多个透明块TB中的相应一个与封装层EN之间的界面处没有阻挡涂层GCL。
图5D是根据本公开的一些实施例中的堤层在两个相邻堤开口之间的部分的局部截面图。参考图5D，在一些实施例中，阻挡涂层GCL进一步延伸到第二表面S2。在一个示例中，该阻挡涂层GCL(例如，石墨烯涂层)与该第二表面S2的至少一部分直接接触。
可以使用各种适当的绝缘材料和各种适当的制造方法来制造量子点材料层QDML。量子点材料的示例包括CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CsPbClxBr3-x、CsPbBrxI3-x、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPhI3/ZnS、CsPbClxBr3-x/ZnS、CsPbBrxl3-x/ZnS及其组合，其中x＜3。
可以使用各种适当的绝缘材料和各种适当的制造方法来制造堤层BL。例如，绝缘材料可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积在基板上。用于制造堤层BL的适当的绝缘材料的示例包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。有机绝缘材料的示例包括光刻胶材料、光敏聚酰亚胺、树脂材料(例如，光敏重氮萘醌-酚醛树脂)和丙烯酸酯材料。无机绝缘材料的示例包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiOxNy)。堤层BL可以具有任何适当的颜色。堤层BL的颜色的示例包括黑色、黄色、灰色和白色。
在本显示面板中，第三表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面；并且第四表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面。因此，多个堤开口BA中的各个堤开口的侧壁具有波状表面。从多个发光块EL中的各个发光块发射的光可以在侧壁的波状表面上被重复地反射。本公开的发明人发现，令人惊讶地且出乎意料地，光在多个堤开口BA中的各个堤开口内的重复反射显著地增强了发光效率。此外，多个堤开口BA中的各个堤开口内的波状表面可以有效地降低设置在多个堤开口BA中的各个堤开口内的油墨的表面自由能。设置在多个堤开口BA中的各个堤开口中的墨滴可以更均匀地分布在墨滴的整个中心和边缘。结果，可以防止分别设置在相邻的堤开口中的墨滴之间的交叉污染，并且当墨滴变干时，可以形成更平坦的发光块。
可以使用各种合适的阻挡涂层材料和各种合适的制造方法来制造阻挡涂层GCL。可选地，阻挡涂层材料是具有相对高的气密性的材料。一种测量阻挡涂层材料的气密性的方法是湿耗散因数测试(湿DF测试)。可选地，阻挡涂层材料是对蓝光具有大于90％(例如大于95％，大于99％)的透光率的材料。例如，石墨烯材料可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积在基板上。可选地，对沉积的石墨烯材料进行表面等离子体处理，以在石墨烯材料层的表面形成表面官能化的石墨烯，从而形成石墨烯涂层GCL。可选地，石墨烯涂层GCL包括表面官能化的石墨烯。可选地，表面官能化的石墨烯是等离子体官能化的石墨烯。官能化的石墨烯的示例包括具有选自由羟基(-OH)、羧基(-COOH)、胺基(-NH2)、巯基(-SH)、腈基(-CN)、磺酸基(-SOOH)、仲胺基(-CONH-)、二级胺基(-NH-)、磺酸基(-SO3H)和伯胺基(-CONH2)组成的组中的一种或多种表面官能团的石墨烯材料。所述一个或多个表面官能团通过包括氢键的相互作用结合至所述多个量子点块中的相应一个量子点块中的量子点材料中的官能团。
可选地，阻挡涂层GCL的厚度在20nm至100nm的范围内，例如20nm至30nm、30nm至40nm、40nm至50nm、50nm至60nm、60nm至70nm、70nm至80nm、80nm至90nm或90nm至100nm。
在本显示面板中，阻挡涂层GCL包括表面官能化的石墨烯。本公开的发明人发现，惊奇地和出乎意料地，阻挡涂层GCL表面上的官能团例如通过氢键结合到设置在多个堤开口BA中的量子点材料中的官能团。阻挡涂层GCL和量子点块之间的键合进一步防止分别设置在相邻的堤开口中的墨滴之间的交叉污染。此外，官能化的石墨烯提供用于设置量子点油墨的额外印刷位点，这使得可以形成具有减小的厚度的量子点块。
在另一方面，本公开提供了一种显示设备。在一些实施例中，显示设备包括本文所述的或通过本文所述的方法制造的显示面板，以及连接到显示面板的集成电路。适当的显示设备的示例包括但不限于电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相册、GPS等。可选地，显示设备是有机发光二极管显示设备。可选地，显示设备是液晶显示设备。
在另一方面，本公开提供一种制造显示面板的方法。在一些实施例中，该方法包括在基底基板上形成堤层，该堤层被形成为限定多个堤开口；以及在所述基底基板上形成量子点材料层，形成所述量子点材料层包括在所述多个堤开口中的至少一些堤开口中分别形成多个量子点块。可选地，堤层和像素限定层形成在显示面板的子像素间区域中。可选地，堤层在基底基板上的正投影与像素限定层在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
在一些实施例中，堤层被形成为使得堤层在两个相邻堤开口之间的至少一部分包括与封装层接触的第一表面、与第一表面相对的第二表面、较靠近两个相邻堤开口中的第一堤开口的连接第一表面和第二表面的第三表面、以及较靠近两个相邻堤开口中的第二堤开口的连接第一表面和第二表面的第四表面；第三表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面；并且第四表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面。
在一些实施例中，形成堤层包括在基底基板上形成光刻胶层；在对光刻胶层进行曝光时引起驻波效应的条件下，对光刻胶层进行曝光；以及对曝光的光刻胶层进行显影，以形成具有由于驻波效应而产生的波状表面的堤层。在一些实施例中，用于曝光光刻胶层的光束处于以下条件下：光束透射通过空气、基底基板、基底基板上的各个层。光束在空气、基底基板和基底基板上的各个层之间的各个界面处反射，导致相长干涉和相消干涉，从而在光刻胶层中形成驻波效应。在曝光和显影后，光刻胶层的轮廓具有波状图案。可选地，所述轮廓具有锯齿形图案。
在一些实施例中，所述方法还包括在所述多个堤开口中的各个堤开口中形成阻挡涂层。可选地，形成量子点材料层包括将量子点材料溶液喷墨印刷到多个堤开口中的各个堤开口中，并且使量子点材料溶液变干。可选地，所述多个量子点块中的相应一个量子点块被形成为与所述阻挡涂层直接接触。
在一些实施例中，形成阻挡涂层的整个过程在小于100度的温度下进行。在一些实施例中，形成堤层的整个过程在小于100度的温度下执行。
在一些实施例中，形成阻挡涂层包括在多个堤开口中的各个堤开口中沉积石墨烯材料层；并且对所述石墨烯材料层进行表面等离子体处理，以在所述石墨烯材料层的表面形成表面官能化的石墨烯。可选地，所述表面官能化的石墨烯包括选自由羟基(-OH)、羧基(-COOH)、胺基(-NH2)、巯基(-SH)、腈基(-CN)、磺酸基(-SOOH)、仲胺基(-CONH-)、二级胺基(-NH-)、磺酸基(-SO3H)和伯胺基(-CONH2)组成的组中的一种或多种表面官能团。可选地，在将所述量子点材料溶液喷墨印刷至所述多个堤开口中的各个堤开口中期间，所述阻挡涂层的表面上的所述一个或多个表面官能团通过包括氢键的相互作用结合至设置在所述多个堤开口中的各个堤开口中的所述量子点材料中的官能团。
在另一方面，本公开提供了一种对置基板。在一些实施例中，所述对置基板包括第二基底基板；在所述第二基底基板上的堤层，所述堤层限定多个堤开口；在所述多个堤开口中的各个堤开口中的阻挡涂层；在所述第二基底基板上的量子点材料层，所述量子点材料层包括分别在所述多个堤开口中的至少一些堤开口中的多个量子点块；以及位于所述量子点材料层、所述堤层和所述阻挡涂层的远离所述第二基底基板的一侧的保护层。可选地，所述阻挡涂层与所述多个量子点块中的相应一个直接接触。如上所述，本公开的发明人令人惊讶地和出乎意料地发现，由于例如堤层的波状表面、阻挡涂层以及阻挡涂层的波状表面，可以形成具有高度均匀性的量子点材料层。因此，在量子点材料层上形成的保护层可以实现高度的均匀性。
图6是示出根据本公开的一些实施例中的对置基板的结构的示意图。图7是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的堤层和量子点层的平面图。参考图6和图7，在一些实施例中，对置基板包括第二基底基板BS2；在第二基底基板BS2上的堤层BL，该堤层BL限定多个堤开口BA；在多个堤开口BA中的各个堤开口中的阻挡涂层GCL(例如，石墨烯涂层)；在所述第二基底基板BS2上的量子点材料层QDML，所述量子点材料层QDML包括分别在所述多个堤开口BA中的至少一些堤开口BA中的多个量子点块(例如，QDB2或QDB3)；以及位于量子点材料层QDML、堤层BL和阻挡涂层GCL的远离第二基底基板BS2一侧的保护层OC。可选地，阻挡涂层GCL与多个量子点块中的相应一个量子点块直接接触。
在一些实施例中，所述对置基板还包括第二封装层EN2，其封装包括所述多个量子点块(例如，QDB2和QDB3)的量子点材料层QDML。可选地，第二封装层EN2还封装多个透明块TB。可选地，第二封装层EN2位于量子点材料层QDML的远离第二基底基板BS2的一侧。可选地，第二封装层EN2还封装多个透明块TB。
参照图6，表示在对置基板中分别与多个子像素对应的区域。在一些实施例中，显示面板包括多个子像素。在一个示例中，显示面板包括第一颜色的多个子像素sp1(例如，蓝色子像素)、第二颜色的多个子像素sp2(例如，红色子像素)和第三颜色的多个子像素sp3(例如，绿色子像素)。可选地，堤层BL在对置基板的子像素间区域ISR中。
在一些实施例中，量子点材料层QDML包括分别在多个堤开口BA中的至少一些中的多个量子点块。在一个示例中，量子点材料层QDML包括分别在第二颜色的多个子像素sp2中的堤开口中的第二颜色的多个量子点块QDB2，以及分别在第三颜色的多个子像素sp3中的堤开口中的第三颜色的多个量子点块QDB3。
可选地，量子点材料层QDML还包括分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中的第一颜色的多个量子点块。
可选地，量子点材料层QDML不存在于分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中。在一个示例中，在分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中，对置基板包括多个透明块TB，如图1A和图2所示。在另一示例中，在分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中，显示面板包括第一颜色的彩膜块。
在一些实施例中，对置基板还包括位于量子点材料层QDML的远离保护层OC的一侧的彩膜层CFL。在一些实施例中，彩膜层CFL包括分别位于多个堤开口BA的远离保护层OC的一侧的多个彩膜块。在一个示例中，彩膜层CFL包括在第一颜色的多个子像素(例如，蓝色子像素)中的第一颜色的多个彩膜块CFB1(例如，蓝色彩膜块)、在第二颜色的多个子像素(例如，红色子像素)中的第二颜色的多个彩膜块CFB2(例如，红色彩膜块)以及在第三颜色的多个子像素(例如，绿色子像素)中的第三颜色的多个彩膜块CFB3(例如，绿色彩膜块)。
图8A是示出根据本公开的一些实施例中的堤层的部分结构的示意图。图8B是示出根据本公开的一些实施例中的堤层的一部分的示意图。参考图8A和图8B，在一些实施例中，堤层BL的在两个相邻堤开口ABA1和ABA2之间的至少一部分包括与保护层OC接触的第一表面S1、与第一表面S1相对的第二表面S2、较靠近两个相邻堤开口ABA1和ABA2的第一堤开口的连接第一表面S1和第二表面S2的第三表面S3、以及较靠近两个相邻堤开口ABA1和ABA2的第二堤开口的连接第一表面S1和第二表面S2的第四表面S4。在一些实施例中，第三表面S3的至少一部分是包括交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP的波状表面；且第四表面S4的至少一部分是包括交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP的波状表面。
再次参考图6，在一些实施例中，对置基板还包括在多个堤开口BA的各个堤开口中的阻挡涂层GCL。可选地，所述阻挡涂层(例如，石墨烯涂层)与所述多个量子点块(例如，QDB2或QDB3)中的相应一个直接接触。
图9A是在根据本公开的一些实施例中的多个堤开口中的相应一个堤开口中的阻挡涂层的一部分的局部截面图。参照图6和图9A，在一些实施例中，阻挡涂层GCL(例如，石墨烯涂层)与多个量子点块QDB中的相应一个直接接触。在多个堤开口BA中的各个堤开口BA中，多个量子点块QDB中的相应一个量子点块在保护层OC的一部分上，并且可选地与保护层OC的该部分直接接触。如图9A所示，阻挡涂层GCL的至少一部分位于多个量子点块QDB中的相应一个的远离保护层OC的一侧。可选地，所述阻挡涂层GCL的所述部分在所述多个彩膜块CFB中的相应一个和所述多个量子点块QDB中的相应一个之间。可选地，所述阻挡涂层GCL的所述部分与所述多个彩膜块CFB中的相应一个直接接触，并且与所述多个量子点块QDB中的相应一个直接接触。
图9B是根据本公开的一些实施例中的堤层在两个相邻堤开口之间的部分的局部截面图。参考图6、图9A和图9B，在一些实施例中，堤层BL在两个相邻的堤开口ABA1和ABA2之间的至少一部分包括与保护层OC接触的第一表面S1、与第一表面S1相对的第二表面S2、较靠近两个相邻的堤开口ABA1和ABA2中的第一堤开口的连接第一表面S1和第二表面S2的第三表面S3、以及较靠近两个相邻的堤开口ABA1和ABA2中的第二堤开口的连接第一表面S1和第二表面S2的第四表面S4。在一些实施例中，第三表面S3的至少一部分是包括交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP的波状表面；且第四表面S4的至少一部分是包括交替的凸起部分CVP和凹陷部分CCP的波状表面。在一些实施例中，阻挡涂层GCL与第三表面S3的至少一部分直接接触，并与第四表面S4的至少一部分直接接触。
如上所述，在一些实施例中，量子点材料层QDML不存在于分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中。在一个示例中，在分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中，对置基板包括多个透明块TB，如图6和图7所示。图10A是根据本公开的一些实施例中的多个堤开口中的相应一个堤开口中的阻挡涂层的一部分的局部截面图。图10B是根据本公开的一些实施例中的堤层在两个相邻堤开口之间的部分的局部截面图。参照图6、图10A和图10B，在一些实施例中，阻挡涂层GCL(例如，石墨烯涂层)与多个透明块TB中的相应一个直接接触。在多个堤开口BA中的各个堤开口BA中，多个透明块TB中的相应一个透明块位于保护层OC的一部分上，并且可选地与保护层OC的该部分直接接触。如图10A所示，阻挡涂层GCL的至少一部分位于多个透明块TB中的相应一个的远离保护层OC的一侧。可选地，阻挡涂层GCL的所述部分在多个彩膜块CFB中的相应一个和多个透明块TB中的相应一个之间。可选地，阻挡涂层GCL的所述部分与多个彩膜块CFB中的相应一个直接接触，并且与多个透明块TB中的相应一个直接接触。
参见图9B和图10B，在一些实施例中，阻挡涂层GCL的与第三表面S3的至少一部分直接接触的一部分具有波状表面，该波状表面包括交替的凸起部分CVP2和凹陷部分CCP2。可选地，阻挡涂层GCL的与第四表面S4的至少一部分直接接触的一部分具有波状表面，该波状表面包括交替的凸起部分CVP2和凹陷部分CCP2。
在本显示面板中，第三表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面；并且第四表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面。因此，多个堤开口BA中的各个堤开口的侧壁具有波状表面。多个堤开口BA中的各个堤开口BA内的波状表面可以有效地降低设置在多个堤开口BA中的各个堤开口内的油墨的表面自由能。设置在多个堤开口BA中的各个堤开口中的墨滴可以更均匀地分布在墨滴的整个中心和边缘。结果，可以防止分别设置在相邻的堤开口中的墨滴之间的交叉污染，并且当墨滴变干时，可以形成更平坦的发光块。另外，阻挡涂层GCL包括表面官能化的石墨烯。阻挡涂层GCL表面上的官能团例如通过氢键结合到设置在多个堤开口BA中的量子点材料中的官能团。阻挡涂层GCL和量子点块之间的键合进一步防止分别设置在相邻的堤开口中的墨滴之间的交叉污染。此外，官能化的石墨烯提供用于设置量子点油墨的额外印刷位点，这使得可以形成具有减小的厚度的量子点块。因为可以在本对置基板中形成高度平坦的量子点材料层QDML，所以在量子点材料层QDML上形成的保护层OC可以实现超高均匀度。
在一些实施例中，并且参见图6，对置基板还包括位于保护层OC的远离第二基底基板BS2的一侧的线栅偏振器WGP。可选地，线栅偏振器WGP与保护层OC直接接触。可选地，线栅偏振器WGP的导线的线宽在25nm至95nm的范围内，例如25nm至35nm、35nm至45nm、45nm至55nm、55nm至65nm、65nm至75nm、75nm至85nm或85nm至95nm。可选地，线栅偏振器WGP的导线具有50nm的线宽。可选地，通过对沉积在保护层OC上的导电材料层进行图案化(例如，蚀刻)来形成线栅偏振器WGP。因为本对置基板中的保护层OC可以被形成为实现超高均匀度，所以可以防止或完全消除在图案化导电材料层时的缺陷。不仅可以避免导线剥离问题，而且令人惊讶和出乎意料地，在线栅偏振器WGP中可以实现超高偏振度。在一个示例中，偏振度大于99.9％，例如大于99.95％、大于99.99％、大于99.9995％或大于99.9999％。
图11A是根据本公开的一些实施例中的线栅偏振器的扫描电子显微镜平面视图图像。图11B是根据本公开的一些实施例中的线栅偏振器的扫描电子显微镜截面图图像。在一些实施例中，线栅偏振器具有光栅结构。线栅偏振器包括平行导电线CW的规则阵列，其置于垂直于入射光束的平面中。具有平行于导线排列的电场分量的电磁波引起电子沿着导线长度的运动。平行于导线的电场分量被反射，垂直于导线的电场分量通过栅格。
在另一方面，本公开提供一种显示面板。在一些实施例中，显示面板包括本文所述的或通过本文所述的方法制造的对置基板，以及包括多个薄膜晶体管的阵列基板。可选地，所述显示面板为液晶显示面板，所述显示面板还包括在所述对置基板和所述阵列基板之间的液晶层。图12是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。参考图12，显示面板是液晶显示面板，其包括阵列基板AS、本文描述的或通过本文描述的方法制造的对置基板CS、在阵列基板AS和对置基板CS之间的液晶层LC、以及位于阵列基板的远离对置基板CS的一侧的背光源BL。可选地，背光源BL被配置成发射第一颜色的光，例如蓝光。阵列基板AS包括多个薄膜晶体管TFT。
在另一方面，本公开还提供了一种制造对置基板的方法。在一些实施例中，该方法包括在第二基底基板上形成堤层，该堤层被形成为限定多个堤开口；在所述多个堤开口中的各个堤开口中形成阻挡涂层；在所述第二基底基板上形成量子点材料层，形成所述量子点材料层包括在所述多个堤开口中的至少一些堤开口中分别形成多个量子点块；以及在所述量子点材料层、所述堤层和所述阻挡涂层的远离所述第二基底基板的一侧形成保护层。可选地，所述阻挡涂层与所述多个量子点块中的相应一个直接接触。
在一些实施例中，堤层被形成为使得堤层在两个相邻堤开口之间的至少一部分包括与保护层接触的第一表面、与第一表面相对的第二表面、较靠近两个相邻堤开口中的第一堤开口的连接第一表面和第二表面的第三表面、以及较靠近两个相邻堤开口中的第二堤开口的连接第一表面和第二表面的第四表面；第三表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面；并且第四表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面。
在一些实施例中，形成堤层包括在基底基板上形成光刻胶层；在对光刻胶层进行曝光时引起驻波效应的条件下，利用光对光刻胶层进行曝光；以及对曝光的光刻胶层进行显影，以形成具有由于驻波效应而产生的波状表面的堤层。在一些实施例中，用于曝光光刻胶层的光束处于以下条件下：光束透射通过空气、基底基板、基底基板上的各个层。光束在空气、基底基板和基底基板上的各个层之间的各个界面处反射，导致相长干涉和相消干涉，从而在光刻胶层中形成驻波效应。在曝光和显影后，光刻胶层的轮廓具有波状图案。可选地，所述轮廓具有锯齿形图案。
在一些实施例中，所述方法还包括在所述多个堤开口中的各个堤开口中形成阻挡涂层。可选地，形成量子点材料层包括将量子点材料溶液喷墨印刷到多个堤开口中的各个堤开口中，并且使量子点材料溶液变干。可选地，所述多个量子点块中的相应一个量子点块被形成为与所述阻挡涂层直接接触。
在一些实施例中，形成阻挡涂层包括在多个堤开口中的各个堤开口中沉积石墨烯材料层；并且对所述石墨烯材料层进行表面等离子体处理，以在所述石墨烯材料层的表面形成表面官能化的石墨烯。可选地，所述表面官能化的石墨烯包括选自由羟基(-OH)、羧基(-COOH)、胺基(-NH2)、巯基(-SH)、腈基(-CN)、磺酸基(-SOOH)、仲胺基(-CONH-)、二级胺基(-NH-)、磺酸基(-SO3H)和伯胺基(-CONH2)组成的组中的一种或多种表面官能团。
在一些实施例中，所述方法还包括在所述保护层的远离所述第二基底基板的一侧形成线栅偏振器。可选地，形成线栅偏振器包括在保护层上沉积导电材料层；图案化导电材料层，以形成多条彼此平行的导线。
为了说明和描述的目的，已经给出了本发明的实施例的上述描述。其不是穷举的，也不是要将本发明限制为所公开的精确形式或示例性实施例。因此，前面的描述应当被认为是说明性的而不是限制性的。显然，许多修改和变化对于本领域技术人员将是显而易见的。选择和描述实施例是为了解释本发明的原理及其最佳模式实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明的各种实施例以及适合于所考虑的特定使用或实现的各种修改。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等价物来限定，其中除非另有说明，否则所有术语都意味着其最广泛的合理意义。因此，术语“本发明(the invention、the presentinvention)”等不一定将权利要求范围限制为特定实施例，并且对本发明的示例性实施例的引用不意味着对本发明的限制，并且不应推断出这样的限制。本发明仅由所附权利要求的精神和范围来限定。此外，这些权利要求可能涉及使用“第一”、“第二”等，随后是名词或元素。这些术语应当被理解为命名法，并且不应当被解释为对由这些命名法所修改的元件的数量进行限制，除非已经给出了特定的数量。所描述的任何优点和益处可能不适用于本发明的所有实施例。应当理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，本领域技术人员可以对所描述的实施例进行改变。此外，本公开中的元件和组件都不是要贡献给公众，无论该元件或组件是否在所附权利要求中明确叙述。

Claims (19)

1.一种显示面板，包括：
基底基板；
在所述基底基板上的堤层，所述堤层限定多个堤开口；以及
在所述基底基板上的量子点材料层，所述量子点材料层包括分别在所述多个堤开口中的至少一些堤开口中的多个量子点块；
其中，所述堤层在两个相邻堤开口之间的至少一部分包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、较靠近所述两个相邻堤开口中的第一堤开口的连接所述第一表面和所述第二表面的第三表面、以及较靠近所述两个相邻堤开口中的第二堤开口的连接所述第一表面和所述第二表面的第四表面；
所述第三表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面；
所述第四表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面；
在具有所述多个量子点块中的相应一个量子点块的所述多个堤开口中的相应一个堤开口中，所述第三表面的所述交替的凸起部分和凹陷部分在竖直平面上的正投影，与所述多个量子点块中的所述相应一个量子点块在所述竖直平面上的正投影至少部分地重叠，并且所述第四表面的所述交替的凸起部分和凹陷部分在所述竖直平面上的正投影，与所述多个量子点块中的所述相应一个量子点块在所述竖直平面上的正投影至少部分地重叠；以及
所述竖直平面是垂直于所述基底基板并且垂直于从所述第一堤开口到所述第二堤开口的方向的平面。
2.根据权利要求1所述的显示面板，还包括在所述多个堤开口中的各个堤开口中的阻挡涂层；以及
其中，所述阻挡涂层与所述第三表面的所述至少一部分直接接触，并且与所述第四表面的所述至少一部分直接接触。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中所述阻挡涂层与所述多个量子点块中的所述相应一个量子点块直接接触。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板，其中所述阻挡涂层包括石墨烯材料。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中所述阻挡涂层包括表面官能化的石墨烯。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中所述表面官能化的石墨烯是包括一个或多个表面官能团的等离子体官能化的石墨烯，所述一个或多个表面官能团通过包括氢键的相互作用结合到所述多个量子点块中的所述相应一个量子点块中的量子点材料中的官能团。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的显示面板，其中所述阻挡涂层的与所述第三表面的所述至少一部分直接接触的一部分具有包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面；以及
所述阻挡涂层的与所述第四表面的所述至少一部分直接接触的一部分具有包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示面板，还包括位于所述量子点材料层的远离所述基底基板的一侧的彩膜层；
其中，所述彩膜层包括分别位于所述多个堤开口的远离所述基底基板的一侧的多个彩膜块。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的显示面板，还包括：
多个薄膜晶体管，其位于所述基底基板上；
平坦化层，其位于所述多个薄膜晶体管的远离所述基底基板的一侧；
阳极层，其包括位于所述平坦化层的远离所述基底基板的一侧的多个阳极；
像素限定层，其位于所述平坦化层和所述阳极层的远离所述基底基板的一侧，所述像素限定层限定多个子像素开口；
发光材料层，其位于所述阳极层的远离所述基底基板的一侧，所述发光材料层包括分别在所述多个子像素开口中的多个发光块；
阴极层，其位于所述发光材料层的远离所述基底基板的一侧；
封装层，其位于所述阴极层的远离所述基底基板的一侧；
其中，所述堤层和所述像素限定层在所述显示面板的子像素间区域中；以及
所述堤层在所述基底基板上的正投影与所述像素限定层在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中所述第一表面与所述封装层直接接触；以及
在所述多个堤开口中的相应一个堤开口中，所述多个量子点块中的所述相应一个量子点块位于所述封装层的一部分的远离所述阴极层的一侧；
其中所述显示面板还包括在所述多个堤开口中的各个堤开口中的阻挡涂层；以及
所述阻挡涂层的至少一部分与所述封装层的所述一部分直接接触。
11.根据权利要求9所述的显示面板，还包括与所述基底基板相对的第二基底基板；
其中，所述堤层和所述量子点材料层在所述第二基底基板和所述封装层之间；
所述显示面板还包括：
第二封装层，其位于所述堤层和所述量子点材料层的远离所述第二基底基板的一侧，所述第二封装层封装所述堤层和所述量子点材料层；以及
填充物层，其位于所述封装层与所述第二封装层之间。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述显示面板是液晶显示面板，所述液晶显示面板包括阵列基板、对置基板、在所述阵列基板和所述对置基板之间的液晶层、以及背光源；
其中，所述对置基板包括第二基底基板；
其中，所述堤层和所述量子点材料层在所述第二基底基板上；
其中，所述对置基板还包括：
阻挡涂层，其在所述多个堤开口中的各个堤开口中；以及
保护层，其位于所述量子点材料层、所述堤层和所述阻挡涂层的远离所述第二基底基板的一侧；
其中所述阻挡涂层与所述多个量子点块中的相应一个量子点块直接接触。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其中所述对置基板还包括位于所述保护层的远离所述第二基底基板的一侧的线栅偏振器。
14.一种显示设备，包括根据权利要求1至13中任一项所述的显示面板，和连接到所述显示面板的集成电路。
15.一种制造显示面板的方法，包括：
在基底基板上形成堤层，所述堤层被形成为限定多个堤开口；以及
在所述基底基板上形成量子点材料层，形成所述量子点材料层包括在所述多个堤开口中的至少一些堤开口中分别形成多个量子点块；
其中，所述堤层被形成为使得：
所述堤层在两个相邻堤开口之间的至少一部分包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、较靠近所述两个相邻堤开口中的第一堤开口的连接所述第一表面和所述第二表面的第三表面、以及较靠近所述两个相邻堤开口中的第二堤开口的连接所述第一表面和所述第二表面的第四表面；
所述第三表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面；
所述第四表面的至少一部分是包括交替的凸起部分和凹陷部分的波状表面；
在具有所述多个量子点块中的相应一个量子点块的所述多个堤开口中的相应一个堤开口中，所述第三表面的所述交替的凸起部分和凹陷部分在竖直平面上的正投影，与所述多个量子点块中的所述相应一个量子点块在所述竖直平面上的正投影至少部分地重叠，并且所述第四表面的所述交替的凸起部分和凹陷部分在所述竖直平面上的正投影，与所述多个量子点块中的所述相应一个量子点块在所述竖直平面上的正投影至少部分地重叠；以及
所述竖直平面是垂直于所述基底基板并且垂直于从所述第一堤开口到所述第二堤开口的方向的平面。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述堤层包括：
在所述基底基板上形成光刻胶层；
在对所述光刻胶层进行曝光时引起驻波效应的条件下，利用光对所述光刻胶层进行曝光；以及
对曝光的光刻胶层进行显影，以形成具有由于所述驻波效应而产生的波状表面的所述堤层。
17.根据权利要求15或16所述的方法，还包括在所述多个堤开口中的各个堤开口中形成阻挡涂层；
其中所述阻挡涂层被形成为与所述第三表面的所述至少一部分直接接触，并且与所述第四表面的所述至少一部分直接接触；
形成所述量子点材料层包括将量子点材料溶液喷墨印刷至所述多个堤开口中的各个堤开口中，并且使所述量子点材料溶液变干；以及
所述多个量子点块中的相应一个量子点块被形成为与所述阻挡涂层直接接触。
18.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述阻挡涂层的整个过程在小于100度的温度下进行；以及
形成所述堤层的整个过程在小于100度的温度下进行。
19.根据权利要求17或18所述的方法，其中形成所述阻挡涂层包括：
在所述多个堤开口中的各个堤开口中沉积石墨烯材料层；以及
对所述石墨烯材料层进行表面等离子体处理，以在所述石墨烯材料层的表面形成表面官能化的石墨烯。
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