CN106783918A - 一种像素bank结构及制作方法 - Google Patents

一种像素bank结构及制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106783918A
CN106783918A CN201611170611.6A CN201611170611A CN106783918A CN 106783918 A CN106783918 A CN 106783918A CN 201611170611 A CN201611170611 A CN 201611170611A CN 106783918 A CN106783918 A CN 106783918A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel bank
pixel
photoresistance
areas
micro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201611170611.6A
Other languages
English (en)
Inventor
陈亚文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Corp
Original Assignee
TCL Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Corp filed Critical TCL Corp
Priority to CN201611170611.6A priority Critical patent/CN106783918A/zh
Publication of CN106783918A publication Critical patent/CN106783918A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开一种像素bank结构及制作方法，像素bank结构包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区，所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。本发明在像素bank区上表面形成微纳结构，使其上表面凹凸不平，从而放大像素bank区上表面的亲疏液性，形成像素bank区的内侧壁与上表面形成不同程度亲疏液性结构，从而形成有利于印刷工艺的像素bank结构，大大简化了现有适用于印刷工艺的bank制作工艺，提高了制作效率，节约了制作成本。

Description

一种像素bank结构及制作方法
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种像素bank结构及制作方法。
背景技术
采用溶液加工制作OLED以及QLED器件，由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点，是未来显示技术发展的重要方向。其中，印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
但作为一个新兴技术，溶液法印刷技术和印刷工艺一直未能得到很好的解决。虽然研究者们从材料及喷印设备对其进行了改进，但是印刷出的薄膜形貌不均匀等问题一直都未能有效解决。
在常规印刷OLED或QLED器件中，像素界定层(PDL或bank)呈现上窄下宽的结构，以限制墨水在印刷时向四周溢出，其结构如图1所示，在基板10上制作像素电极11，像素电极11所在区域为像素发光区13，像素发光区13两侧为像素bank区12，这种结构是通过曝光掩膜来制作的，曝光掩膜1如图2所示，分为不透光区3和透光区2，其中不透光区3对应与像素发光区13，透光区2对应像素bank区12，曝光显影后，不透光区3下的光阻材料被显影掉，形成像素发光区13，而透光区2下方的光阻无法被显影液去除而形成像素bank区12，像素bank区12的上表面与内侧壁均匀光滑表面，具有相同的亲疏液特性。为保证墨水成膜的均匀性，bank内部需与墨水呈现亲液性质，即小角度接触角；而同时为避免墨滴铺展到相连像素，bank上半部分需要与液体呈现疏液性质，及大角度接触角。为了实现bank上部与下部墨水不同的接触角区别，bank往往由多种材料组成并经过多次复杂工序制成。通过此方式以保证墨水对bank亲疏液性，但这种方式存在多次对位、曝光、显影和刻蚀工序，导致制程复杂、效率低、成本大幅增加，极大的限制了印刷技术在大尺寸显示器制造方向上的运用。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种像素bank结构及制作方法，旨在解决现有的bank结构制程复杂、效率低、成本高等问题。
本发明的技术方案如下：
一种像素bank结构，其中，包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区，所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。
所述的像素bank结构，其中，所述像素bank区的厚度为1~1.5μm。
所述的像素bank结构，其中，所述微纳结构的尺寸为50~500nm。
所述的像素bank结构，其中，所述微纳结构为半球状凸起、柱状凸起或椭球状凸起。
所述的像素bank结构，其中，所述像素bank区为负性光阻。
一种如上所述的像素bank结构的制作方法，其中，包括步骤：
A、在基板上制作像素电极；
B、再在像素电极上沉积一层光阻；
C、利用曝光掩膜对光阻进行曝光，其中，曝光掩膜具有透光区和不透光区，其中不透光区对应于像素发光区，透光区对应于像素bank区，所述透光区包括全透光区以及具有微纳尺寸的半透光区；
D、对光阻进行显影；
E、对未被去除的光阻进行烘干，形成像素bank结构。
所述的像素bank结构的制作方法，其中，所述半透光区的尺寸为50~500nm。
所述的像素bank结构的制作方法，其中，所述步骤C中，曝光后，半透光区下方的光阻形成微纳结构。
所述的像素bank结构的制作方法，其中，所述步骤B中沉积的光阻厚度为1~1.5μm。
所述的像素bank结构的制作方法，其中，所述光阻为负性光阻。
有益效果：本发明在像素bank区上表面形成微纳结构，使其上表面凹凸不平，从而放大像素bank区上表面的亲疏液性，形成像素bank区的内侧壁与上表面形成不同程度亲疏液性结构，从而形成有利于印刷工艺的像素bank结构，大大简化了现有适用于印刷工艺的bank制作工艺，提高了制作效率，节约了制作成本。
附图说明
图1为现有技术中一种像素bank结构的结构示意图。
图2为现有技术中一种曝光掩膜的结构示意图。
图3为本发明中一种像素bank结构较佳实施例的结构示意图。
图4为一种像素bank结构的制作方法较佳实施例的流程图。
图5为本发明中一种曝光掩膜较佳实施例的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种像素bank结构及制作方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图3，图3为本发明一种像素bank结构较佳实施例的结构示意图，如图所示，其包括像素bank区22以及位于相邻像素bank区22之间的像素发光区23，所述像素bank区22的上表面具有多个微纳结构221。
本发明实施例中，先在基板20上形成像素电极21，像素电极21所在区域即为像素发光区23，像素发光区23两侧即为像素bank区22，而像素bank区22上表面的微纳结构221即为微纳尺寸的结构，由于在像素bank区的上表面形成微纳结构221，使其上表面形成了凹凸不平的表面，从而放大像素bank区22上表面的亲疏液性，形成像素bank区22内侧壁与像素bank区22上表面不同程度亲疏液性结构，这种bank结构有利于印刷工艺的实施，可以大大简化现有适用于印刷工艺的bank结构的制作，节约了制作成本，提高了制作效率。
所述微纳结构221可以是半球状凸起、柱状凸起或椭球状凸起，当然也可以是随机的无规则凸起等。另外也可以是其他凸起结构，只要能在像素bank区22上表面形成凹凸不平表面即可。所述微纳结构221的尺寸优选为50~500nm，即微纳结构221的长和宽均限制在50~500nm以内，或者直径限制在50~500nm以内。
所述像素bank区22的厚度优选为1~1.5μm，例如为1μm。
所述像素bank区22优选为负性光阻。这是因为负性光阻经过曝光后会发生膨胀，且膨胀程度随曝光量的不同而不同，本发明可通过在负性光阻区形成微纳尺寸的不同曝光量区域，由于膨胀程度的区别形成微纳尺寸的凹凸不平表面，即具有微纳结构221的表面。
请参阅图4，图4为本发明一种像素bank结构的制作方法较佳实施例的流程图，如图所示，其包括步骤：
S1、在基板上制作像素电极；
S2、再在像素电极上沉积一层光阻；
S3、利用曝光掩膜对光阻进行曝光，其中，曝光掩膜具有透光区和不透光区，其中不透光区对应于像素发光区，透光区对应于像素bank区，所述透光区包括全透光区以及具有微纳尺寸的半透光区；
S4、对光阻进行显影；
S5、对未被去除的光阻进行烘干，形成像素bank结构。
本发明实施例的制作方法相对于传统的制作方法，其主要不同之处在于步骤S3中，所采用的曝光掩膜与传统的曝光掩膜有所不同。
具体来说，如图5所示，本发明实施例中的曝光掩膜4其具有透光区5和不透光区6，不透光区6对应于像素发光区23，曝光显影后，不透光区6下的光阻材料由于未被曝光所以会被显影液去除，形成像素发光区23。而在透光区5中除了包括传统的全透光区之外，还包括具有微纳尺寸的半透光区，其中的全透光区在曝光显影后，其下方的光阻无法被显影液去除而形成像素bank区22，但同时由于具有微纳尺寸的半透光区，所以在整个透光驱会存在不同曝光量的区域，所以在曝光和显影后形成的像素bank区22上表面会形成凹凸不平的微纳结构221，即在半透光区下方的光阻形成微纳结构221。
其中，所述半透光区的尺寸为50~500nm，以使形成的微纳结构221的尺寸为50~500nm，即微纳结构221的长和宽均限制在50~500nm以内，或者直径限制在50~500nm以内。
所述步骤S2中沉积的光阻厚度优选为1~1.5μm，例如为1μm。
所述光阻为负性光阻。本发明可通过在负性光阻区形成微纳尺寸的不同曝光量区域，由于膨胀程度的区别形成微纳尺寸的凹凸不平表面，即具有微纳结构的表面。
综上所述，本发明在像素bank区上表面形成微纳结构，使其上表面凹凸不平，从而放大像素bank区上表面的亲疏液性，形成像素bank区的内侧壁与上表面形成不同程度亲疏液性结构，从而形成有利于印刷工艺的像素bank结构，大大简化了现有适用于印刷工艺的bank制作工艺，提高了制作效率，节约了制作成本。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种像素bank结构，其特征在于，包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区，所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。
2.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述像素bank区的厚度为1~1.5μm。
3.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述微纳结构的尺寸为50~500nm。
4.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述微纳结构为半球状凸起、柱状凸起或椭球状凸起。
5.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述像素bank区为负性光阻。
6.一种如权利要求1所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：
A、在基板上制作像素电极；
B、再在像素电极上沉积一层光阻；
C、利用曝光掩膜对光阻进行曝光，其中，曝光掩膜具有透光区和不透光区，其中不透光区对应于像素发光区，透光区对应于像素bank区，所述透光区包括全透光区以及具有微纳尺寸的半透光区；
D、对光阻进行显影；
E、对未被去除的光阻进行烘干，形成像素bank结构。
7.根据权利要求6所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，所述半透光区的尺寸为50~500nm。
8.根据权利要求6所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，所述步骤C中，曝光后，半透光区下方的光阻形成微纳结构。
9.根据权利要求6所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，所述步骤B中沉积的光阻厚度为1~1.5μm。
10.根据权利要求6所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，所述光阻为负性光阻。
CN201611170611.6A 2016-12-16 2016-12-16 一种像素bank结构及制作方法 Pending CN106783918A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611170611.6A CN106783918A (zh) 2016-12-16 2016-12-16 一种像素bank结构及制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611170611.6A CN106783918A (zh) 2016-12-16 2016-12-16 一种像素bank结构及制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106783918A true CN106783918A (zh) 2017-05-31

Family

ID=58892045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611170611.6A Pending CN106783918A (zh) 2016-12-16 2016-12-16 一种像素bank结构及制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106783918A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107452782A (zh) * 2017-08-11 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制备方法、显示面板
CN108919605A (zh) * 2018-07-27 2018-11-30 京东方科技集团股份有限公司 光阻组合物、像素界定层、其制备方法及应用
CN110034170A (zh) * 2019-04-24 2019-07-19 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制作方法、阵列基板、显示面板和装置
CN110299388A (zh) * 2019-06-24 2019-10-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
US11782304B2 (en) 2020-09-29 2023-10-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, display apparatus, method of fabricating display panel, and counter substrate

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6422596A (en) * 1987-07-17 1989-01-25 Fujikura Rubber Ltd Blanket for printing and manufacture thereof
TW583449B (en) * 2000-11-30 2004-04-11 Nec Lcd Technologies Ltd Reflection type liquid crystal display device and process for manufacturing the same
CN101325171A (zh) * 2007-06-13 2008-12-17 中国科学院半导体研究所 一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法
CN103474343A (zh) * 2013-09-12 2013-12-25 昆山奥德鲁自动化技术有限公司 一种ito表面微纳米结构处理方法
CN103991839A (zh) * 2014-05-19 2014-08-20 中国矿业大学 一种超声振动制备微纳米织构的方法
CN104332398A (zh) * 2013-07-23 2015-02-04 中国科学院物理研究所 一种大面积制备伞状硅锥复合结构阵列的方法
CN105404038A (zh) * 2015-12-18 2016-03-16 Tcl集团股份有限公司 一种像素界定结构及制作方法、显示面板及显示装置
CN105502281A (zh) * 2014-10-09 2016-04-20 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种金属图形化方法
CN105529409A (zh) * 2015-11-11 2016-04-27 Tcl集团股份有限公司 一种印刷am-qdled器件及其制备方法
CN105590957A (zh) * 2016-03-03 2016-05-18 深圳市华星光电技术有限公司 一种基于喷墨打印技术的有机发光显示装置及其制造方法
CN105951162A (zh) * 2016-05-10 2016-09-21 大连理工大学 一种在金属基体上实现超亲水/超疏水润湿性图案的方法
CN105334693B (zh) * 2014-08-04 2019-03-05 信越化学工业株式会社 半色调相移光掩模坯料及其制备方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6422596A (en) * 1987-07-17 1989-01-25 Fujikura Rubber Ltd Blanket for printing and manufacture thereof
TW583449B (en) * 2000-11-30 2004-04-11 Nec Lcd Technologies Ltd Reflection type liquid crystal display device and process for manufacturing the same
CN101325171A (zh) * 2007-06-13 2008-12-17 中国科学院半导体研究所 一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法
CN104332398A (zh) * 2013-07-23 2015-02-04 中国科学院物理研究所 一种大面积制备伞状硅锥复合结构阵列的方法
CN103474343A (zh) * 2013-09-12 2013-12-25 昆山奥德鲁自动化技术有限公司 一种ito表面微纳米结构处理方法
CN103991839A (zh) * 2014-05-19 2014-08-20 中国矿业大学 一种超声振动制备微纳米织构的方法
CN105334693B (zh) * 2014-08-04 2019-03-05 信越化学工业株式会社 半色调相移光掩模坯料及其制备方法
CN105502281A (zh) * 2014-10-09 2016-04-20 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种金属图形化方法
CN105529409A (zh) * 2015-11-11 2016-04-27 Tcl集团股份有限公司 一种印刷am-qdled器件及其制备方法
CN105404038A (zh) * 2015-12-18 2016-03-16 Tcl集团股份有限公司 一种像素界定结构及制作方法、显示面板及显示装置
CN105590957A (zh) * 2016-03-03 2016-05-18 深圳市华星光电技术有限公司 一种基于喷墨打印技术的有机发光显示装置及其制造方法
CN105951162A (zh) * 2016-05-10 2016-09-21 大连理工大学 一种在金属基体上实现超亲水/超疏水润湿性图案的方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107452782B (zh) * 2017-08-11 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制备方法、显示面板
CN107452782A (zh) * 2017-08-11 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制备方法、显示面板
US10916602B2 (en) 2017-08-11 2021-02-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Base plate, method for manufacturing the same and display panel
US11322561B2 (en) 2018-07-27 2022-05-03 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Photoresist composition, pixel definition layer, display substrate and method for preparing the same, and display device
CN108919605B (zh) * 2018-07-27 2021-12-21 京东方科技集团股份有限公司 光阻组合物、像素界定层、其制备方法及应用
CN108919605A (zh) * 2018-07-27 2018-11-30 京东方科技集团股份有限公司 光阻组合物、像素界定层、其制备方法及应用
WO2020216237A1 (zh) * 2019-04-24 2020-10-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN110034170A (zh) * 2019-04-24 2019-07-19 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制作方法、阵列基板、显示面板和装置
US11594585B2 (en) 2019-04-24 2023-02-28 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED with bank having base and protrusion portions
CN110299388A (zh) * 2019-06-24 2019-10-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN110299388B (zh) * 2019-06-24 2021-07-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
US11782304B2 (en) 2020-09-29 2023-10-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, display apparatus, method of fabricating display panel, and counter substrate
US12055812B2 (en) 2020-09-29 2024-08-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, display apparatus, method of fabricating display panel, and counter substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106783918A (zh) 一种像素bank结构及制作方法
US11004917B2 (en) Pixel defining layer, display substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus
US20160254331A1 (en) Oled display device and manufacturing method thereof, and display apparatus
WO2016004698A1 (zh) Oled显示器件及其制备方法、显示装置和蒸镀用掩模板
WO2016145965A1 (zh) 像素界定层及其制作方法以及相应的发光显示器
CN102262319B (zh) 液晶显示基板及其制造方法、液晶面板和液晶显示器
CN109817826B (zh) 一种oled显示面板的制作方法
CN104062842B (zh) 一种掩模板及其制造方法、工艺装置
US9696594B2 (en) Display substrate and fabricating method thereof, and display device
CN107740041B (zh) 掩膜板的制作方法及掩膜板
US20210159463A1 (en) Display backboard, display panel and method of manufacturing the same, and display apparatus
WO2016019643A1 (zh) 有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
US11678557B2 (en) Display substrate and method of manufacturing the same, display device
CN108198843B (zh) 显示面板制备方法
CN109346505A (zh) 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置
US20150040826A1 (en) Method for manufacturing metal mask
CN107731879A (zh) 一种阵列基板、制备方法、显示面板及显示装置
CN102955288A (zh) 一种彩膜基板、制作方法及液晶触摸显示装置
CN109449314A (zh) 显示基板及其制造方法、显示面板
CN109950285A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、掩膜版、显示装置
WO2018149023A1 (zh) 发光器件及显示装置
WO2021189562A1 (zh) 显示面板及其制备方法、掩膜板
CN105182652A (zh) 像素隔离墙、显示基板及其制作方法和显示装置
JP2008040467A (ja) カラーフィルタ基板及びその製造方法
WO2019196798A1 (zh) 像素界定层、像素结构、显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170531