CN106783918A - 一种像素bank结构及制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种像素bank结构及制作方法，像素bank结构包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区，所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。本发明在像素bank区上表面形成微纳结构，使其上表面凹凸不平，从而放大像素bank区上表面的亲疏液性，形成像素bank区的内侧壁与上表面形成不同程度亲疏液性结构，从而形成有利于印刷工艺的像素bank结构，大大简化了现有适用于印刷工艺的bank制作工艺，提高了制作效率，节约了制作成本。

Description

一种像素bank结构及制作方法
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种像素bank结构及制作方法。
背景技术
采用溶液加工制作OLED以及QLED器件，由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点，是未来显示技术发展的重要方向。其中，印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
但作为一个新兴技术，溶液法印刷技术和印刷工艺一直未能得到很好的解决。虽然研究者们从材料及喷印设备对其进行了改进，但是印刷出的薄膜形貌不均匀等问题一直都未能有效解决。
在常规印刷OLED或QLED器件中，像素界定层(PDL或bank)呈现上窄下宽的结构，以限制墨水在印刷时向四周溢出，其结构如图1所示，在基板10上制作像素电极11，像素电极11所在区域为像素发光区13，像素发光区13两侧为像素bank区12，这种结构是通过曝光掩膜来制作的，曝光掩膜1如图2所示，分为不透光区3和透光区2，其中不透光区3对应与像素发光区13，透光区2对应像素bank区12，曝光显影后，不透光区3下的光阻材料被显影掉，形成像素发光区13，而透光区2下方的光阻无法被显影液去除而形成像素bank区12，像素bank区12的上表面与内侧壁均匀光滑表面，具有相同的亲疏液特性。为保证墨水成膜的均匀性，bank内部需与墨水呈现亲液性质，即小角度接触角；而同时为避免墨滴铺展到相连像素，bank上半部分需要与液体呈现疏液性质，及大角度接触角。为了实现bank上部与下部墨水不同的接触角区别，bank往往由多种材料组成并经过多次复杂工序制成。通过此方式以保证墨水对bank亲疏液性，但这种方式存在多次对位、曝光、显影和刻蚀工序，导致制程复杂、效率低、成本大幅增加，极大的限制了印刷技术在大尺寸显示器制造方向上的运用。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种像素bank结构及制作方法，旨在解决现有的bank结构制程复杂、效率低、成本高等问题。
本发明的技术方案如下：
一种像素bank结构，其中，包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区，所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。
所述的像素bank结构，其中，所述像素bank区的厚度为1~1.5μm。
所述的像素bank结构，其中，所述微纳结构的尺寸为50~500nm。
所述的像素bank结构，其中，所述微纳结构为半球状凸起、柱状凸起或椭球状凸起。
所述的像素bank结构，其中，所述像素bank区为负性光阻。
一种如上所述的像素bank结构的制作方法，其中，包括步骤：
A、在基板上制作像素电极；
B、再在像素电极上沉积一层光阻；
C、利用曝光掩膜对光阻进行曝光，其中，曝光掩膜具有透光区和不透光区，其中不透光区对应于像素发光区，透光区对应于像素bank区，所述透光区包括全透光区以及具有微纳尺寸的半透光区；
D、对光阻进行显影；
E、对未被去除的光阻进行烘干，形成像素bank结构。
所述的像素bank结构的制作方法，其中，所述半透光区的尺寸为50~500nm。
所述的像素bank结构的制作方法，其中，所述步骤C中，曝光后，半透光区下方的光阻形成微纳结构。
所述的像素bank结构的制作方法，其中，所述步骤B中沉积的光阻厚度为1~1.5μm。
所述的像素bank结构的制作方法，其中，所述光阻为负性光阻。
有益效果：本发明在像素bank区上表面形成微纳结构，使其上表面凹凸不平，从而放大像素bank区上表面的亲疏液性，形成像素bank区的内侧壁与上表面形成不同程度亲疏液性结构，从而形成有利于印刷工艺的像素bank结构，大大简化了现有适用于印刷工艺的bank制作工艺，提高了制作效率，节约了制作成本。
附图说明
图1为现有技术中一种像素bank结构的结构示意图。
图2为现有技术中一种曝光掩膜的结构示意图。
图3为本发明中一种像素bank结构较佳实施例的结构示意图。
图4为一种像素bank结构的制作方法较佳实施例的流程图。
图5为本发明中一种曝光掩膜较佳实施例的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种像素bank结构及制作方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图3，图3为本发明一种像素bank结构较佳实施例的结构示意图，如图所示，其包括像素bank区22以及位于相邻像素bank区22之间的像素发光区23，所述像素bank区22的上表面具有多个微纳结构221。
本发明实施例中，先在基板20上形成像素电极21，像素电极21所在区域即为像素发光区23，像素发光区23两侧即为像素bank区22，而像素bank区22上表面的微纳结构221即为微纳尺寸的结构，由于在像素bank区的上表面形成微纳结构221，使其上表面形成了凹凸不平的表面，从而放大像素bank区22上表面的亲疏液性，形成像素bank区22内侧壁与像素bank区22上表面不同程度亲疏液性结构，这种bank结构有利于印刷工艺的实施，可以大大简化现有适用于印刷工艺的bank结构的制作，节约了制作成本，提高了制作效率。
所述微纳结构221可以是半球状凸起、柱状凸起或椭球状凸起，当然也可以是随机的无规则凸起等。另外也可以是其他凸起结构，只要能在像素bank区22上表面形成凹凸不平表面即可。所述微纳结构221的尺寸优选为50~500nm，即微纳结构221的长和宽均限制在50~500nm以内，或者直径限制在50~500nm以内。
所述像素bank区22的厚度优选为1~1.5μm，例如为1μm。
所述像素bank区22优选为负性光阻。这是因为负性光阻经过曝光后会发生膨胀，且膨胀程度随曝光量的不同而不同，本发明可通过在负性光阻区形成微纳尺寸的不同曝光量区域，由于膨胀程度的区别形成微纳尺寸的凹凸不平表面，即具有微纳结构221的表面。
请参阅图4，图4为本发明一种像素bank结构的制作方法较佳实施例的流程图，如图所示，其包括步骤：
S1、在基板上制作像素电极；
S2、再在像素电极上沉积一层光阻；
S3、利用曝光掩膜对光阻进行曝光，其中，曝光掩膜具有透光区和不透光区，其中不透光区对应于像素发光区，透光区对应于像素bank区，所述透光区包括全透光区以及具有微纳尺寸的半透光区；
S4、对光阻进行显影；
S5、对未被去除的光阻进行烘干，形成像素bank结构。
本发明实施例的制作方法相对于传统的制作方法，其主要不同之处在于步骤S3中，所采用的曝光掩膜与传统的曝光掩膜有所不同。
具体来说，如图5所示，本发明实施例中的曝光掩膜4其具有透光区5和不透光区6，不透光区6对应于像素发光区23，曝光显影后，不透光区6下的光阻材料由于未被曝光所以会被显影液去除，形成像素发光区23。而在透光区5中除了包括传统的全透光区之外，还包括具有微纳尺寸的半透光区，其中的全透光区在曝光显影后，其下方的光阻无法被显影液去除而形成像素bank区22，但同时由于具有微纳尺寸的半透光区，所以在整个透光驱会存在不同曝光量的区域，所以在曝光和显影后形成的像素bank区22上表面会形成凹凸不平的微纳结构221，即在半透光区下方的光阻形成微纳结构221。
其中，所述半透光区的尺寸为50~500nm，以使形成的微纳结构221的尺寸为50~500nm，即微纳结构221的长和宽均限制在50~500nm以内，或者直径限制在50~500nm以内。
所述步骤S2中沉积的光阻厚度优选为1~1.5μm，例如为1μm。
所述光阻为负性光阻。本发明可通过在负性光阻区形成微纳尺寸的不同曝光量区域，由于膨胀程度的区别形成微纳尺寸的凹凸不平表面，即具有微纳结构的表面。
综上所述，本发明在像素bank区上表面形成微纳结构，使其上表面凹凸不平，从而放大像素bank区上表面的亲疏液性，形成像素bank区的内侧壁与上表面形成不同程度亲疏液性结构，从而形成有利于印刷工艺的像素bank结构，大大简化了现有适用于印刷工艺的bank制作工艺，提高了制作效率，节约了制作成本。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种像素bank结构，其特征在于，包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区，所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。
2.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述像素bank区的厚度为1~1.5μm。
3.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述微纳结构的尺寸为50~500nm。
4.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述微纳结构为半球状凸起、柱状凸起或椭球状凸起。
5.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述像素bank区为负性光阻。
6.一种如权利要求1所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：
A、在基板上制作像素电极；
B、再在像素电极上沉积一层光阻；
C、利用曝光掩膜对光阻进行曝光，其中，曝光掩膜具有透光区和不透光区，其中不透光区对应于像素发光区，透光区对应于像素bank区，所述透光区包括全透光区以及具有微纳尺寸的半透光区；
D、对光阻进行显影；
E、对未被去除的光阻进行烘干，形成像素bank结构。
7.根据权利要求6所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，所述半透光区的尺寸为50~500nm。
8.根据权利要求6所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，所述步骤C中，曝光后，半透光区下方的光阻形成微纳结构。
9.根据权利要求6所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，所述步骤B中沉积的光阻厚度为1~1.5μm。
10.根据权利要求6所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，所述光阻为负性光阻。
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