CN105404038A - 一种像素界定结构及制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种像素界定结构及制作方法、显示面板及显示装置，所述方法包括：像素界定结构包括第一像素界定层和位于第一像素界定层上的第二像素界定层，所述一像素界定层具有与各个子像素发光区域一一对应的多个第一开口，所述第二像素界定层为相同颜色子像素列共用的多个第二开口。本发明中可以有效抑制墨水因单个子像素面积过小引起的溢出现象，相对减小各子像素的尺寸，保证印刷工艺的有效性，即印刷过程中不会因为子像素尺寸过小而引起墨水溢出，进而解决印刷工艺难以实现高分辨率显示器件的制备的局限，实现印刷型高分辨率显示器件的制作。

Description

一种像素界定结构及制作方法、显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及有机发光显示技术领域，尤其涉及一种像素界定结构及制作方法、显示面板及显示装置。

背景技术

采用溶液加工制作OLED以及QLED显示器，由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点，是未来显示技术发展的重要方向。其中，印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。

在印刷工艺中，由于受设备精度以及液滴尺寸的影响，对于传统的RGBStripe（RGB条状）排列的像素结构（如图1所示），当显示器件的分辨率达到200ppi时，各子像素的宽度会减小到了42μm，同时由于像素界定层的存在，子像素的真实宽度会进一步减小到35μm左右，而对于10pL体积的墨水，其直径就达27μm。如果再进一步提高分辨率，子像素尺寸会进一步减小，就很难控制各子像素内墨水相互独立而不溢出像素坑，因此比较难以实现高分辨显示装置的印刷制备。

因此，需要对子像素的像素界定结构进行改进和优化，使其实现高分辨率显示装置的印刷工艺制备。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于现有技术的不足，本发明目的在于提供一种像素界定结构及制作方法、显示面板及显示装置，通过像素界定层结构的设计，大幅扩大印刷工艺中的墨水沉积区域，防止墨水因单个子像素面积过小引发溢出现象，从而实现高分辨率显示器件的印刷工艺制作。

本发明的技术方案如下：

一种像素界定结构，其中，像素界定结构包括第一像素界定层和位于第一像素界定层上的第二像素界定层，所述一像素界定层具有与各个子像素发光区域一一对应的多个第一开口，所述第二像素界定层为相同颜色子像素列共用的多个第二开口。

所述的像素界定结构，其中，所述第一像素界定层为亲水性薄膜层，所述第二像素界定层为疏水材料薄膜层。

所述的像素界定结构，其中，所述第一像素界定层的厚度为50nm~500nm，所述第二像素界定层的厚度为1000nm~5000nm。

所述的像素界定结构，其中，所述亲水性薄膜层为负性光阻薄膜层，所述疏水性薄膜层为正性光阻薄膜层。

一种像素界定结构的制作方法，其中，包括：

S1、在阵列基板上生成一层亲水性薄膜层，并对其进行曝光显影形成具有与各个子像素的发光区域一一对应的多个开口的第一像素界定层；

S2、在形成有第一像素界定层的阵列基板上生成一层疏水性薄膜层，并对其进行曝光显影形成具有为相同颜色子像素列共用的多个第二开口的第二像素界定层。

所述的像素界定结构的制作方法，其中，所述步骤S1具体包括：

S11、在已经制作TFT阵列及图案化透明阳极的阵列基板上沉积一层亲水性薄膜层；

S12、对亲水性薄膜层进行曝光显影，形成与透明阳极一一对应的开口，形成第一像素界定层。

所述的像素界定结构的制作方法，其中，所述步骤S2之后还包括：

S3、在阵列基板上采用印刷工艺制作各色发光元件。

一种显示面板，其中，所述显示面板包括上面任一项所述的像素界定结构。

所述的显示面板，其中，所述显示面板为OLED或QLED。

一种显示装置，其中，显示装置包括上面所述的显示面板。

本发明提供了一种像素界定结构及制作方法、显示面板及显示装置，本发明在传统的RGBStripe在这基础上，通过采用双层像素界定层，第一层为亲水材料制备，开口与各子像素的发光区域一一对应，定义了各子像素的发光区域，第二层为疏水材料制备，相同颜色子像素列共用一个开口，此层定义了印刷工艺中的墨水沉积区域。通过这种像素结构设计，极大的扩大了墨水的沉积区域，使得墨水不会因单个子像素面积过小而发生溢出，最终实现印刷型高分辨率显示器件的制备。

附图说明

图1为本发明的一种像素界定结构的较佳实施例的结构图。

图2为图1所述像素界定结构Ⅰ-Ⅰ处切面图。

图3为图1所述像素界定结构Ⅱ-Ⅱ处切面图。

图4为本发明的一种像素界定结构的制作方法的较佳实施例的流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明提供了一种像素界定结构的较佳实施例的结构图，如图1所示，图2为图1所述像素界定结构Ⅰ-Ⅰ处切面图，图3为图1所述像素界定结构Ⅱ-Ⅱ处切面图。其中1代表第一像素界定层，2为第二像素界定层，3为子像素，4为像素电极，5为薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，简称TFT），6为基板，7为钝化平坦层。

如图1，图2，图3所示，图中R、G、B分别对应红（Red）、绿(Green)、蓝(Blue)子像素。本发明提供了一种像素界定结构，其中，像素界定结构包括第一像素界定层1和位于第一像素界定层上的第二像素界定层2，所述一像素界定层具有与各个子像素3发光区域一一对应的多个第一开口，所述第二像素界定层为相同颜色子像素3列共用的多个第二开口。

单个子像素间的用像素电极4相连，像素电极4设置在钝化平坦层7上，钝化平坦层7设置在基板6上，所述基板6上还设置有薄膜晶体管TFT5。

具体实施时，同种颜色的子像素列可在一起进行印刷，从而大幅的增大了墨水的沉积区域。因此，通过这种结构可以有效减小单个子像素的尺寸同时保证墨水不会因子像素面积过小而发生溢出，最终实现印刷型高分辨率显示器件的制备。

所述第一像素界定层为亲水性薄膜层，所述第二像素界定层为疏水材料薄膜层。其中的第一像素界定层为亲水材料制备（亲水性薄膜层），开口与各子像素的发光区域一一对应，第一像素界定层定义了各子像素的发光区域；第二像素界定层为疏水材料制备（疏水性薄膜层），其中相同颜色的子像素列共用一个第二像素界定层的开口，第二像素界定层定义了印刷工艺中墨水的沉积区域，即第二像素界定层的开口区域为子像素列共用，从而大幅提高墨水的沉积面积，防止墨水溢出。

进一步地，所述第一像素界定层的厚度为50nm~500nm，所述第二像素界定层的厚度为1000nm~5000nm。第一像素界定层的厚度为50nm~500nm，第二像素界定层的厚度为1000nm~5000nm。在印刷制备过程中，由于第一像素界定层为亲水材料制备，因此墨水沉积到子像素区后，会沿着子像素列内进行铺展，由于子像素列的面积相对于单个子像素的面积成倍增大，结合第二像素界定层的疏水性，因此墨水之后填充子像素列而不发生溢出。所以，采用本发明的结构，可以缩小子像素的尺寸同时保持墨水在沉积区域不发生溢出，从而提高显示器件的分辨率。

所述亲水性薄膜层为负性光阻薄膜层，所述疏水性薄膜层为正性光阻薄膜层。所述亲水性薄膜层为负性光阻薄膜，所述疏水性薄膜层为正性光阻薄膜。这样在曝光显影时互不影响。其中正性光阻是指曝光后被光照射的部分可以被显影液去除掉，而未曝光的光阻则不会被显影液去除。而负性光阻正好相反，负性光阻曝光后的被光照射的部分不会被显影液去除，而其余不被光照射的区域将会被显影液所去除。

本发明还提供了一种像素界定结构的制作方法的较佳实施例的流程图，如图4所示，其中，方法包括：

步骤S100、在阵列基板上生成一层亲水性薄膜层，并对其进行曝光显影形成具有与各个子像素的发光区域一一对应的多个开口的第一像素界定层。

具体实施时，所述步骤S1具体包括：

步骤S11、在已经制作TFT阵列及图案化透明阳极的阵列基板上沉积一层亲水性薄膜层；

步骤S12、对亲水性薄膜层进行曝光显影，形成与透明阳极一一对应的开口，形成第一像素界定层。

具体实施时，具体来说，首先在已经制作了TFT阵列以及图案化透明阳极（用于形成各种颜色的子像素）的阵列基板上沉积一层亲水性薄膜层，其中，所述亲水性薄膜层为负性光阻薄膜，随后对这层亲水性薄膜层进行曝光显影，形成与透明阳极一一对应的开口，形成第一像素界定层。通过这一步骤，在阵列基板上定义了各子像素的发光面积以及区域。

步骤S200、在形成有第一像素界定层的阵列基板上生成一层疏水性薄膜层，并对其进行曝光显影形成具有为相同颜色子像素列共用的多个第二开口的第二像素界定层。

具体实施时，后在阵列基板上进一步沉积一层疏水性薄膜层，其中，所述疏水性薄膜层为正性光阻薄膜，随后对这层疏水性薄膜层进行曝光显影形成第二像素界定层，由于第一像素界定层为负性光阻，因此在第二像素界定层进行曝光显影的过程中不会对第一像素界定层进行破坏，保持了第一像素界定层的完整性。第二像素界定层曝光显影后，相同颜色子像素列共用一个开口，从而大幅增大了后期印刷时墨水的沉积区域。通过这一步骤，将阵列基板上的相同颜色子像素列形成一个大面积的墨水沉积区域，即第二像素界定层定义了印刷过程中墨水的沉积区域。由于第一像素界定层与透明阳极均为亲水性表面，因此墨水在此区域内会形成良好的铺展，结合疏水性的第二像素界定层，从而有效解决因子像素尺寸较小引起墨水溢出的问题。

具体实施时，所述步骤S2之后还包括：

步骤S3、在阵列基板上采用印刷工艺制作各色发光元件。

具体实施时，进一步，在完成上述步骤的阵列基板上，采用印刷工艺制作各色发光元件。其中，在第二像素界定层开口区域分别打印发光元件各功能层材料溶液从而形成发光元件各功能层，由于第一像素界定层以及透明阳极的亲水性，溶液沉积后能形成良好的铺展，填充整个像素列，由于面积的大幅增大，可以有效避免溶液因子像素面积较小而溢出，造成颜色串扰。在第二像素界定层的开口区域，发光元件的各功能层连成一片，但发光区域还是由第一像素界定层的开口区域决定。因此，采用本发明的制作方法，大幅扩大了墨水的沉积区域，从而可以对子像素的尺寸进行缩小，实现高分辨率显示器件的印刷工艺制备。

本发明还提供了一种显示面板，其中，所述显示面板包括上面任一项所述的像素界定结构。

具体实施时，所述显示面板为OLED或QLED。一种显示面板，其包括形成在阵列基板上的如上所述的像素界定层结构。该显示面板可以是OLED或者QLED，所采用的制备工艺为印刷工艺。该显示面板为有源矩阵驱动方式驱动，其中驱动发光元件的为TFT阵列；

所述阵列基板上的像素结构包括三种及以上颜色的子像素构成的多个像素单元；每一像素单元由三种及以上子像素成条状排列形成正方形结构。

所述子像素至少包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。

本发明实施中还提供了一种显示装置，其中，显示装置包括上面所述的显示面板。

综上所述，本发明提供了一种像素界定结构及制作方法、显示面板及显示装置，所述方法包括：像素界定结构包括第一像素界定层和位于第一像素界定层上的第二像素界定层，所述一像素界定层具有与各个子像素发光区域一一对应的多个第一开口，所述第二像素界定层为相同颜色子像素列共用的多个第二开口。本发明中可以有效抑制墨水因单个子像素面积过小引起的溢出现象，相对减小各子像素的尺寸，保证印刷工艺的有效性，即印刷过程中不会因为子像素尺寸过小而引起墨水溢出，进而解决印刷工艺难以实现高分辨率显示器件的制备的局限，实现印刷型高分辨率显示器件的制作。

应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种像素界定结构，其特征在于，像素界定结构包括第一像素界定层和位于第一像素界定层上的第二像素界定层，所述一像素界定层具有与各个子像素发光区域一一对应的多个第一开口，所述第二像素界定层为相同颜色子像素列共用的多个第二开口。

2.根据权利要求1所述的像素界定结构，其特征在于，所述第一像素界定层为亲水性薄膜层，所述第二像素界定层为疏水材料薄膜层。

3.根据权利要求1所述的像素界定结构，其特征在于，所述第一像素界定层的厚度为50nm~500nm，所述第二像素界定层的厚度为1000nm~5000nm。

4.根据权利要求2所述的像素界定结构，其特征在于，所述亲水性薄膜层为负性光阻薄膜层，所述疏水性薄膜层为正性光阻薄膜层。

5.一种像素界定结构的制作方法，其特征在于，包括：

S1、在阵列基板上生成一层亲水性薄膜层，并对其进行曝光显影形成具有与各个子像素的发光区域一一对应的多个开口的第一像素界定层；

S2、在形成有第一像素界定层的阵列基板上生成一层疏水性薄膜层，并对其进行曝光显影形成具有为相同颜色子像素列共用的多个第二开口的第二像素界定层。

6.根据权利要求5所述的像素界定结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

S11、在已经制作TFT阵列及图案化透明阳极的阵列基板上沉积一层亲水性薄膜层；

S12、对亲水性薄膜层进行曝光显影，形成与透明阳极一一对应的开口，形成第一像素界定层。

7.根据权利要求6所述的像素界定结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S2之后还包括：

S3、在阵列基板上采用印刷工艺制作各色发光元件。

8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板权利要求1~4任一项所述的像素界定结构。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为OLED或QLED。

10.一种显示装置，其特征在于，显示装置包括权利要求8所述的显示面板。