CN114725170A - 显示设备和制造该显示设备的方法 - Google Patents

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朴钟圣
李尙玟
李相信
李丞赈
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Abstract

提供了显示设备和制造该显示设备的方法。所述显示设备包括：基底，具有彼此间隔开的多个第一组区域；第一像素电极和第二像素电极，位于所述多个第一组区域中的每个第一组区域中；第一中间层，位于第一像素电极上；第二中间层，位于第二像素电极上；对电极，位于第一中间层和第二中间层上；以及多个第一盖层，位于对电极上，并且彼此间隔开以分别与所述多个第一组区域对应。

Description

显示设备和制造该显示设备的方法
本申请要求于2021年1月6日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0001466号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例的方面涉及一种显示设备和制造该显示设备的方法。
背景技术
显示设备被构造为视觉地或图形化地显示数据。显示设备可以用作用于诸如移动电话的小型产品或诸如电视机的大型产品的显示器。
通常，显示设备可以包括被划分为显示区域和非显示区域的基底以及在显示区域中彼此绝缘的栅极线和数据线。通常，多个像素区域被限定在显示区域中，并且每个像素区域中的像素从彼此交叉的栅极线和数据线接收电信号并发光，以向外部显示图像。薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极设置在每个像素区域中，并且对电极可以(例如，作为共电极)设置在每个像素区域中。在非显示区域中，可以设置有各种线、垫(pad，或被称为“焊盘”)等，所述各种线被构造为将电信号传输到显示区域中的像素，垫可连接到栅极驱动器、数据驱动器和控制器。
近来，显示设备的各种用途已经变得更加多样化。此外，显示设备已经变得相对较薄且较轻质，因此，显示设备的潜在用途已经被扩展。因此，已经积极地对显示设备的生产进行了研究，并且已经做出了各种尝试以减少附加设施并增大产率(yield)。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，因此，在本背景技术部分中讨论的信息不必然构成现有技术。
发明内容
一个或更多个实施例包括显示设备和制造该显示设备的方法，在该显示设备和该方法中，与可选的制造方法相比，可以通过减少沉积掩模的数量来减少成本和制造操作。然而，这仅是示例，并且根据本公开的实施例的范围不因此而受限制。
附加的方面将在下面的描述中部分地被阐述，并且部分地通过描述将是清楚的，或者可以通过对公开的给出的实施例的实践而被获知。
根据一个或更多个实施例，一种显示设备包括：基底，在基底中限定有彼此隔开的多个第一组区域；第一像素电极和第二像素电极，位于所述多个第一组区域中的每个第一组区域中；第一中间层，位于第一像素电极上；第二中间层，位于第二像素电极上；对电极，位于第一中间层和第二中间层上；以及多个第一盖层，位于对电极上，并且彼此隔开以分别与所述多个第一组区域对应。
根据一些实施例，第一像素电极可以设置为多个第一像素电极，第二像素电极可以设置为多个第二像素电极，并且在所述多个第一组区域中的每个第一组区域中，所述多个第一像素电极和所述多个第二像素电极可以交替地布置。
根据一些实施例，还可以在基底中限定有彼此隔开的多个第二组区域，并且所述显示设备还可以包括：第三像素电极，位于所述多个第二组区域中的每个第二组区域中；多个第三中间层，位于第三像素电极上，并且彼此隔开以分别与所述多个第二组区域对应，其中，对电极还位于所述多个第三中间层上；以及第二盖层，位于对电极上并且与所述多个第一组区域和所述多个第二组区域对应。
根据一些实施例，所述多个第一组区域和所述多个第二组区域可以在行方向上交替地布置。
根据一些实施例，第一像素电极可以设置为多个第一像素电极，第二像素电极可以设置为多个第二像素电极，第三像素电极可以设置为多个第三像素电极，所述多个第一像素电极、所述多个第二像素电极和所述多个第三像素电极可以以矩阵形式布置在基底上，所述多个第一组区域中的每个第一组区域可以包括所述多个第一像素电极和所述多个第二像素电极之中的布置在对应的列中的至少一个第一像素电极和至少一个第二像素电极，并且所述多个第二组区域中的每个第二组区域可以包括所述多个第三像素电极之中的布置在对应的列中的至少一个第三像素电极。
根据一些实施例，所述多个第一组区域和所述多个第二组区域可以均在第一方向上布置，并且所述多个第一组区域和所述多个第二组区域可以在与第一方向交叉的第二方向上交替地布置。
根据一些实施例，在平面图中，位于所述多个第一组区域之间的第一分离区域和位于所述多个第二组区域之间的第二分离区域可以在第二方向上彼此相邻。
根据一些实施例，在平面图中，将位于所述多个第一组区域之间的第一分离区域和位于所述多个第二组区域之间的第二分离区域连接的虚拟线可以在与第一方向和第二方向交叉的第三方向上延伸。
根据一些实施例，所述显示设备还可以包括像素限定层，像素限定层位于所述多个第三像素电极上并且具有多个开口，所述多个开口中的每个开口暴露所述多个第三像素电极中的每个第三像素电极的至少一部分，其中，所述多个开口之中的在第一方向上彼此相邻的第一开口和第二开口之间的距离可以小于所述多个开口之中的在第一方向上彼此相邻的第三开口和第四开口之间的距离，第一开口和第二开口可以位于所述多个第二组区域之中的同一第二组区域中，并且第三开口和第四开口可以分别位于所述多个第二组区域之中的在第一方向上彼此相邻的第二组区域中。
根据一些实施例，第一中间层可以被构造为发射第一波段的光，第二中间层可以被构造为发射第二波段的光，并且第三中间层可以被构造为发射第三波段的光。
根据一些实施例，第二盖层的分别与所述多个第一组区域对应的多个部分可以分别位于对电极与所述多个第一盖层之间。
根据一些实施例，所述多个第一组区域可以在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上布置，位于所述多个第一组区域之中的在第一方向上彼此相邻的第1-1组区域和第1-2组区域之间的第一分离区域与位于所述多个第一组区域之中的在第一方向上彼此相邻的第1-3组区域和第1-4组区域之间的第二分离区域可以在第二方向上彼此隔开，第1-1组区域和第1-3组区域可以在第二方向上彼此隔开，并且第1-2组区域和第1-4组区域可以在第二方向上彼此隔开。
根据一些实施例，第一方向可以与第二方向垂直。
根据一些实施例，所述显示设备还可以包括像素限定层，像素限定层位于多个第一像素电极和多个第二像素电极上并且具有多个开口，所述多个开口中的每个开口暴露所述多个第一像素电极和所述多个第二像素电极中的每个的至少一部分，其中，所述多个第一组区域可以在第一方向上布置，所述多个开口之中的在第一方向上彼此相邻的第一开口和第二开口之间的距离可以小于所述多个开口之中的在第一方向上彼此相邻的第三开口和第四开口之间的距离，第一开口和第二开口可以位于所述多个第一组区域之中的同一第一组区域中，并且第三开口和第四开口可以分别位于所述多个第一组区域之中的在第一方向上彼此相邻的第一组区域中。
根据一些实施例，所述多个第一盖层可以在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上布置，位于所述多个第一盖层之中的在第一方向上彼此相邻的第1-1盖层和第1-2盖层之间的第一分离区域与位于所述多个第一盖层之中的在第一方向上彼此相邻的第1-3盖层和第1-4盖层之间的第二分离区域可以在第二方向上彼此隔开，第1-1盖层和第1-3盖层可以在第二方向上彼此隔开，并且第1-2盖层和第1-4盖层可以在第二方向上彼此隔开。
根据一些实施例，第一方向可以与第二方向垂直。
根据一些实施例，一种制造显示设备的方法包括以下步骤：准备基底，在基底中限定有彼此隔开的多个第一组区域；在所述多个第一组区域中的每个第一组区域中形成第一像素电极和第二像素电极；在第一像素电极上形成第一中间层；在第二像素电极上形成第二中间层；在第一中间层和第二中间层上形成对电极；以及在对电极上形成多个第一盖层，所述多个第一盖层彼此隔开以分别与所述多个第一组区域对应。
根据一些实施例，形成所述多个第一盖层的步骤可以使用具有多个开口的第一掩模，并且所述多个开口可以分别与所述多个第一组区域对应。
根据一些实施例，还可以在基底中限定有彼此隔开的多个第二组区域，并且所述方法还可以包括：在所述多个第二组区域中的每个第二组区域中形成第三像素电极；在第三像素电极上形成多个第三中间层，所述多个第三中间层彼此隔开以分别与所述多个第二组区域对应，其中，对电极还形成在所述多个第三中间层上；以及在对电极上形成第二盖层，第二盖层与所述多个第一组区域和所述多个第二组区域对应。
根据一些实施例，形成所述多个第三中间层的步骤可以使用具有多个开口的第二掩模，并且所述多个开口可以分别与所述多个第二组区域对应。
根据一些实施例，第一中间层可以被构造为发射第一波段的光，第二中间层可以被构造为发射第二波段的光，并且第三中间层可以被构造为发射第三波段的光。
根据一些实施例，第一像素电极可以设置为多个第一像素电极，第二像素电极可以设置为多个第二像素电极，并且在所述多个第一组区域中的每个第一组区域中，所述多个第一像素电极和所述多个第二像素电极可以交替地布置。
通过附图、权利要求和详细描述，根据本公开的实施例的其他方面、特征和特性将变得被更好地理解。
这些总体方面和特定方面可以通过使用系统、方法、计算机程序或它们的任何组合来实现。
附图说明
通过下面结合附图进行的描述，公开的一些实施例的以上和其他方面、特征和特性将更加清楚，在附图中：
图1是根据一些实施例的显示设备的示意性平面图；
图2是根据一些实施例的显示设备的像素的示意性等效电路图；
图3是图1的一部分的示意性放大平面图；
图4是图3的一部分的示意性放大平面图；
图5是沿着图4的线I-I’截取的第一组区域的剖视图；
图6是沿着图4的线II-II’截取的第一组区域和第一分离区域的剖视图；
图7是沿着图4的线III-III’截取的第二组区域的剖视图；
图8是沿着图4的线IV-IV’截取的第二组区域和第二分离区域的剖视图；
图9是沿着图4的线V-V’截取的第一组区域的一部分和第二组区域的一部分的剖视图；
图10是根据一些实施例的显示设备的示意性放大平面图；
图11是根据一些实施例的显示设备的示意性放大平面图；
图12是根据一些实施例的显示设备的示意性放大平面图；
图13是根据一些实施例的显示设备的示意性放大平面图；
图14是根据一些实施例的显示设备的示意性放大平面图；
图15是根据一些实施例的显示设备的示意性放大平面图；
图16是根据一些实施例的显示设备的示意性放大平面图；
图17是根据一些实施例的显示设备的示意性放大平面图；
图18A是示出用于形成第一盖层的掩模的示例的示意性平面图；
图18B至图18D是顺序地示出根据一些实施例的制造显示设备的方法的剖视图；
图19A是示出用于形成第三中间层的掩模的示例的示意性平面图；以及
图19B和图19C是顺序地示出根据一些实施例的制造显示设备的方法的剖视图。
具体实施方式
现在将更详细地参考一些实施例的方面，在附图中示出了一些实施例的示例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，给出的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为局限于在此阐述的描述。因此，以下仅通过参照图来描述实施例，以解释给出的描述的方面。如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者它们的变型。
因为给出的描述允许各种改变和许多实施例，所以将在附图中示出并在文字描述中详细地描述一些实施例。将参考以下参照附图详细地描述的实施例来使公开的效果和特征以及实现它们的方法清楚。然而，公开不限于下面的实施例，并且可以以各种形式被实施。
以下将参照附图更详细地描述公开的实施例。相同或彼此对应的那些元件被赋予相同的附图标记而与图号无关，并且省略了冗余解释。
将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
除非上下文另外清楚地指出，否则如在此使用的单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
还将理解的是，在此使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或元件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征或元件。
还将理解的是，当层、区域或元件被称为“在(位于)”另一层、区域或元件“上”时，该层、区域或元件可以直接地或间接地在(位于)所述另一层、区域或元件上。也就是说，例如，可以存在居间层、居间区域或居间元件。
为了便于解释，可以夸大或减小附图中的元件的尺寸。例如，因为为了便于解释而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，所以公开不限于此。
当特定实施例可以被不同地实现时，可以与描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，可以基本同时执行两个连续描述的工艺，或者可以以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
在本说明书中，表述“A和/或B”表示仅A、仅B或者A和B两者。表述“A和B中的至少一个(种/者)”表示仅A、仅B或者A和B两者。
还将理解的是，当层、区域或组件被称为彼此连接时，它们可以彼此直接连接，或者彼此间接连接且居间层、居间区域或居间组件位于它们之间。例如，当层、区域或组件被称为彼此电连接时，它们可以彼此直接电连接，或者彼此间接电连接且居间层、居间区域或居间组件位于它们之间。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的含义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是根据一些实施例的显示设备1的示意性平面图。
参照图1，显示设备1可以包括其中显示图像的显示区域DA以及位于显示区域DA周围的外围区域PA。显示设备1可以通过利用从显示区域DA发射的光来向外部显示图像。
基底100可以包括诸如玻璃、金属或塑料的各种材料。根据一些实施例，基底100可以包括柔性材料。柔性材料指可弯曲的、可折叠的或可卷曲的材料。包括这样的柔性材料的基底100可以包括超薄玻璃、金属或塑料。
包括诸如有机发光二极管(OLED)的各种显示元件的像素PX可以位于基底100的显示区域DA中。多个像素PX可以以诸如条状(stripe)布置、五片瓦(pentile)布置或马赛克(mosaic)布置的各种形式布置，并且可以显示图像。
在平面图中，如图1中所示，显示区域DA可以具有矩形形状。根据一些实施例，显示区域DA可以具有多边形形状(例如，三角形形状、五边形形状或六边形形状)、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。
基底100的外围区域PA位于显示区域DA周围(例如，位于显示区域DA的外围中，或者位于显示区域DA的覆盖区(footprint)外部)，并且可以是其中不显示图像的区域。在外围区域PA中，可以布置被构造为传输将要施加到显示区域DA的电信号的各种线以及接合到印刷电路板或驱动器集成电路(IC)芯片的垫(pad，或被称为“焊盘”)。
图2是根据一些实施例的显示设备的像素PX的示意性等效电路图。
参照图2，像素PX可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、扫描薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。扫描薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以被构造为响应于通过扫描线SL输入的扫描信号Sn而将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可以连接到扫描薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以被构造为对电压进行存储，该电压对应于从扫描薄膜晶体管T2接收的电压与供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以被构造为响应于存储在存储电容器Cst中的电压值而控制从驱动电压线PL流动到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流而发射具有特定亮度的光。有机发光二极管OLED可以连接到供应有公共电压ELVSS的线。
尽管已经参照图2描述了其中像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况，但根据本公开的实施例不限于此。例如，像素电路PC可以包括三个或更多个薄膜晶体管以及/或者两个或更多个存储电容器。根据一些实施例，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。此外，根据一些实施例，在不脱离根据本公开的实施例的精神和范围的情况下，与以上描述的组件的数量和构造相比，像素电路PC可以包括附加的组件或更少的组件。
图3是图1的一部分的示意性放大平面图，图4是图3的一部分的示意性放大平面图。例如，图3是图1的区域AR的放大平面图。
参照图3，显示设备(见图1中的1)可以包括多个第一组区域GA1和多个第二组区域GA2。因为显示设备1包括基底100，所以可以这样说：基底100包括第一组区域GA1和第二组区域GA2。
第一组区域GA1和第二组区域GA2可以沿着行方向(例如，±x方向)彼此间隔开。第一组区域GA1和第二组区域GA2可以在第一方向(例如，±y方向)上延伸，并且可以沿着与第一方向交叉的第二方向(例如，±x方向)而相对于彼此地布置。
第一组区域GA1和第二组区域GA2可以在第二方向(例如，±x方向)上交替地布置。例如，如图3中所示，第二组区域GA2可以位于在第二方向(例如，±x方向)上间隔开的第一组区域GA1之间。例如，第一组区域GA1可以布置在每个奇数列中，第二组区域GA2可以布置在每个偶数列中，但实施例不限于此，并且根据一些实施例，第一组区域GA1可以布置在偶数列中，第二组区域GA2可以布置在奇数列中。
多个第一像素PX1和多个第二像素PX2可以位于每个第一组区域GA1中。多个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。根据一些实施例，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个可以对应于其中发光元件作为用于实现图像的最小单元而发光的发射区域。也就是说，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以表示共同地形成像素的子像素。当采用有机发光二极管作为显示元件时，发射区域可以由像素限定层119的开口OP限定。如稍后将参照图5至图9更详细地描述的，像素限定层119的开口OP可以暴露构成第一显示元件200a的第一像素电极210a的至少一部分。在平面图中，第一像素电极210a的边缘可以围绕像素限定层119的开口OP。因此，可以理解的是，多个第一像素电极210a位于第一组区域GA1中。尽管已经聚焦于第一像素PX1给出了以上描述，但该描述也可以应用于第二像素PX2和第三像素PX3。
根据一些实施例，如图4中所示，多个开口OP之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第一开口OP1和第二开口OP2之间的距离d1可以小于开口OP之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第二开口OP2和第三开口OP3之间的距离d2。在这种情况下，第一开口OP1和第二开口OP2可以位于同一第一组区域GA1中，第二开口OP2和第三开口OP3可以分别位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第一组区域GA1中。
根据一些实施例，如图4中所示，开口OP之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第四开口OP4和第五开口OP5之间的距离d3可以小于开口OP之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第五开口OP5和第六开口OP6之间的距离d4。在这种情况下，第四开口OP4和第五开口OP5可以位于同一第二组区域GA2中，第五开口OP5和第六开口OP6可以分别位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第二组区域GA2中。
多个第一像素PX1、多个第二像素PX2和多个第三像素PX3可以在第二方向(例如，±x方向)上交替地布置。例如，如图3中所示，第三像素PX3可以位于在第二方向(例如，±x方向)上彼此隔开的第一像素PX1和第二像素PX2之间。第一像素PX1和第二像素PX2可以位于每个奇数列中，第三像素PX3可以位于每个偶数列中。
根据一些实施例，如图3中所示，第一像素PX1和第二像素PX2可以在第一方向(例如，±y方向)上交替地布置。例如，第一像素PX1可以布置在每个奇数行中，第二像素PX2可以布置在每个偶数行中。
第一像素PX1可以发射第一波段(wavelength band)的光，第二像素PX2可以发射第二波段的光，第三像素PX3可以发射第三波段的光。
根据一些实施例，第一像素PX1可以发射红光，第二像素PX2可以发射绿光，第三像素PX3可以发射蓝光。在这种情况下，第一波段可以为大约630nm至大约750nm，第二波段可以为大约490nm至大约570nm，第三波段可以为大约450nm至大约490nm。这仅是示例，并且从第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每者发射的光的波段可以改变。
尽管图3和图4示出了四个第一像素PX1和四个第二像素PX2位于每个第一组区域GA1中，但这仅是示例。每个第一组区域GA1中的第一像素PX1的数量和第二像素PX2的数量可以不同地改变。例如，五个或更多个第一像素PX1以及五个或更多个第二像素PX2可以位于每个第一组区域GA1中。作为另一示例，一个或两个第一像素PX1以及一个或两个第二像素PX2可以位于每个第一组区域GA1中。稍后将参照图13至图16更详细地对此进行描述。
此外，尽管图3和图4示出了四个第三像素PX3位于每个第二组区域GA2中，但这仅是示例。每个第二组区域GA2中的第三像素PX3的数量可以不同地改变。例如，五个或更多个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。作为另一示例，一个或两个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。稍后将参照图11和图12更详细地描述对此进行描述。
显示设备1可以包括位于第一组区域GA1之间的第一分离区域SA1以及位于第二组区域GA2之间的第二分离区域SA2。第一分离区域SA1可以位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第一组区域GA1之间，第二分离区域SA2可以位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第二组区域GA2之间。因为显示设备1包括基底100，所以可以这样说：基底100包括第一分离区域SA1和第二分离区域SA2。
根据一些实施例，如图4中所示，在平面图中，第一分离区域SA1和第二分离区域SA2可以在第二方向(例如，±x方向)上彼此相邻。将第一分离区域SA1连接到第二分离区域SA2的虚拟线
Figure BDA0003442592810000111
可以平行于第二方向(例如，±x方向)。例如，该虚拟线
Figure BDA0003442592810000112
可以在平面图中穿过彼此相邻的第一分离区域SA1和第二分离区域SA2。
尽管图3和图4示出了第一分离区域SA1和第二分离区域SA2在第二方向(例如，±x方向)上彼此相邻(即，在第二方向(例如，±x方向)上彼此叠置)，但这仅是示例，并且第一分离区域SA1和第二分离区域SA2可以不同地布置。例如，在平面图中，第一分离区域SA1可以在第二分离区域SA2处在第一方向(例如，±y方向)上偏移。例如，在平面图中，第一分离区域SA1可以基于与第二分离区域SA2相邻的位置(如图3和图4中所示)而在第一方向(例如，±y方向)上移动。稍后将参照图10更详细地对此进行描述。
显示设备1可以包括彼此间隔开以分别与多个第一组区域GA1对应的多个第一盖层250。将参照图5更详细地描述第一盖层250。
如稍后将要描述的图18A和图18C中所示，因为使用具有分别与多个第一组区域GA1对应的多个开口MOP1的第一掩模M1来形成第一盖层250，所以多个第一盖层250可以分别对应于多个第一组区域GA1。每个第一盖层250的平面形状可以基本对应于每个第一组区域GA1的平面形状。
如此，第一盖层250可以对应于其中布置有发射彼此不同的波段的光的第一像素PX1和第二像素PX2的第一组区域GA1。与发射彼此不同的波段的光的第一像素PX1和第二像素PX2叠置的第一盖层250可以利用单个掩模来形成。
作为对比示例，与发射同一颜色的光的像素叠置的盖层可以利用同一掩模来形成，与发射彼此不同的颜色的光的像素叠置的盖层可以利用彼此不同的掩模来形成。在这种情况下，用于形成与发射彼此不同的颜色的光的像素叠置的盖层的掩模的数量可以等于彼此不同的颜色的数量。例如，可以使用两个掩模来形成与发射红光的像素叠置的盖层和与发射绿光的像素叠置的盖层。
然而，根据一些实施例，当使用一个掩模来形成与第一像素PX1和第二像素PX2叠置的第一盖层250时，即使第一像素PX1和第二像素PX2发射彼此不同的波段的光，也使用一个掩模，因此，可以相对地简化制造工艺，并且可以减少制造成本。
此外，显示设备1可以包括彼此隔开以分别与多个第二组区域GA2对应的多个第三中间层220c。将参照图7更详细地描述第三中间层220c。
如稍后将要更详细地描述的图19A和图19B中所示，因为使用具有分别与多个第二组区域GA2对应的多个开口MOP2的第二掩模M2来形成第三中间层220c，所以多个第三中间层220c可以分别对应于多个第二组区域GA2。每个第三中间层220c的平面形状可以基本对应于每个第二组区域GA2的平面形状。
当与第三像素PX3对应的第三中间层220c如实施例中一样一体地形成时，可以减少每单位面积内的位于第二组区域GA2之间的第二分离区域SA2。当每单位面积内的第二分离区域SA2减少时，可以在其中布置有第三像素PX3的空间是相对宽的。因此，每个第三像素PX3的尺寸可以增大。
图5是沿着图4的线I-I’截取的第一组区域GA1的剖视图。例如，图5是示出图4的一个第一组区域GA1的剖视图。在图5中，与图3和图4中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且省略了它们的冗余描述。
参照图5，基底100可以包括第一组区域GA1。多个第一像素PX1和多个第二像素PX2可以位于第一组区域GA1中。
多个第一像素PX1可以分别对应于多个第一发射区域EA1，多个第一显示元件200a分别在多个第一发射区域EA1中作为实现图像的最小单元而发光。当采用有机发光二极管作为第一显示元件200a时，第一发射区域EA1可以由像素限定层119的开口OP限定。
像素限定层119的开口OP可以暴露构成第一显示元件200a的第一像素电极210a的至少一部分。在平面图中，第一像素电极210a的边缘可以围绕像素限定层119的开口OP。因此，可以理解的是，多个第一像素电极210a位于第一组区域GA1中。尽管已经聚焦于第一像素PX1给出了以上描述，但该描述也可以应用于多个第二像素PX2。
多个第二像素PX2可以分别对应于多个第二发射区域EA2，多个第二显示元件200b分别在多个第二发射区域EA2中作为实现图像的最小单元而发光。当采用有机发光二极管作为第二显示元件200b时，第二发射区域EA2可以由像素限定层119的开口OP限定。
像素限定层119的开口OP可以暴露构成第二显示元件200b的第二像素电极210b的至少一部分。在平面图中，第二像素电极210b的边缘可以围绕像素限定层119的开口OP。因此，可以理解的是，多个第二像素电极210b位于第一组区域GA1中。
根据一些实施例，如图5中所示，第一发射区域EA1的面积可以小于第二发射区域EA2的面积。
尽管图5示出了第一发射区域EA1的面积小于第二发射区域EA2的面积，但第一发射区域EA1的面积可以等于第二发射区域EA2的面积，或者第一发射区域EA1的面积可以大于第二发射区域EA2的面积。
在下文中，将根据图5中示出的堆叠顺序详细地描述根据一些实施例的显示设备(见图1中的1)。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有多层结构，该多层结构包括无机层和包含上述聚合物树脂的层。
缓冲层110可以减少或防止外来物质、湿气或环境空气从基底100下方渗透，并且可以在基底100上提供平坦的表面。缓冲层110可以包括无机材料(诸如，氧化物或氮化物)、有机材料或有机/无机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。
显示设备1还可以包括位于基底100与缓冲层110之间的阻挡层。阻挡层可以防止或最小化杂质从基底100等渗透到半导体层A中。阻挡层可以包括无机材料(诸如，氧化物或氮化物)、有机材料或有机/无机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。
半导体层A可以位于缓冲层110上。半导体层A可以包括非晶硅或多晶硅。根据一些实施例，半导体层A可以包括从铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)中选择的至少一种材料的氧化物。
半导体层A可以包括沟道区以及位于沟道区的两侧上的源区和漏区。半导体层A可以包括单个层或多个层。
第一栅极绝缘层111和第二栅极绝缘层113可以堆叠在基底100上以覆盖半导体层A。第一栅极绝缘层111和第二栅极绝缘层113可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)。例如，在给出的实施例中，氧化锌(ZnOx)可以是ZnO或ZnO2。
栅电极G可以位于第一栅极绝缘层111上，以与半导体层A的至少一部分叠置。图5示出了栅电极G位于第一栅极绝缘层111上，但根据一些实施例，栅电极G可以位于第二栅极绝缘层113上。
根据一些实施例，存储电容器Cst可以包括下电极CE1和上电极CE2。如图5中所示，存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。例如，薄膜晶体管TFT的栅电极G可以用作存储电容器Cst的下电极CE1。与此不同，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置并且可以单独地存在。
存储电容器Cst的上电极CE2与下电极CE1叠置，且第二栅极绝缘层113位于上电极CE2与下电极CE1之间，以形成电容器。在这种情况下，第二栅极绝缘层113可以用作存储电容器Cst的介电层。
层间绝缘层115可以位于第二栅极绝缘层113上，以覆盖存储电容器Cst的上电极CE2。层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO或ZnO2。
源电极S、漏电极D等可以位于层间绝缘层115上。
源电极S和漏电极D可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单个层或多个层。例如，源电极S和漏电极D可以均具有Ti/Al/Ti的多层结构。源电极S和漏电极D可以通过接触孔连接到半导体层A的源区或漏区。
源电极S和漏电极D可以覆盖有无机保护层。无机保护层可以是包括氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的单个层或多个层。无机保护层可以覆盖并保护在层间绝缘层115上的一些线。
平坦化层117可以布置为覆盖源电极S和漏电极D，平坦化层117可以包括用于将薄膜晶体管TFT连接到第一像素电极210a和第二像素电极210b的接触孔。
平坦化层117可以包括包含有机材料的单个层或多个层，并且可以提供平坦的上表面。平坦化层117可以包括通用聚合物(例如，苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者它们的任何共混物。
第一显示元件200a和第二显示元件200b可以位于平坦化层117上。第一显示元件200a包括第一像素电极210a、包含有机发射层的第一中间层220a以及对电极230，第二显示元件200b包括第二像素电极210b、包含有机发射层的第二中间层220b以及对电极230。
第一像素电极210a和第二像素电极210b可以包括(半)透射电极或反射电极。根据一些实施例，第一像素电极210a和第二像素电极210b可以包括反射层以及在反射层上的透明或半透明电极层，该反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物。该透明或半透明电极层可以包括从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中选择的至少一种。根据一些实施例，第一像素电极210a和第二像素电极210b可以均包括ITO/Ag/ITO。
根据一些实施例，如图5中所示，第一像素电极210a和第二像素电极210b可以交替地布置。第一像素电极210a和第二像素电极210b可以在第一方向(例如，±y方向)上交替地布置。
在基底100的显示区域(见图1中的DA)中，像素限定层119可以位于平坦化层117上。此外，像素限定层119可以通过使第一像素电极210a和第二像素电极210b的边缘与对电极230的在第一像素电极210a和第二像素电极210b上的部分之间的距离增大，来防止在第一像素电极210a和第二像素电极210b的边缘上发生电弧等。像素限定层119可以包括多个开口OP，多个开口OP中的每个暴露第一像素电极210a和第二像素电极210b中的每个的至少一部分。
像素限定层119可以包括从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中选择的至少一种有机绝缘材料，并且可以通过旋涂等来形成。
第一中间层220a和第二中间层220b可以布置在由像素限定层119限定的开口OP中，并且可以包括有机发射层。有机发射层可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷光材料。有机发射层可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。还可以可选地(optionally，或“任选地”)在有机发射层下方和下方布置诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等的功能层。
第一中间层220a可以发射第一波段的光，第二中间层220b可以发射第二波段的光。
根据一些实施例，第一中间层220a可以发射红光，第二中间层220b可以发射绿光。在这种情况下，第一波段可以为大约630nm至大约750nm，第二波段可以为大约490nm至大约570nm。这仅是示例，并且从第一中间层220a和第二中间层220b发射的光的波段可以改变。
对电极230可以包括透射电极或反射电极。根据一些实施例，对电极230可以包括透明或半透明电极，并且可以包括具有低逸出功的金属薄膜，该金属薄膜包括Li、Ca、LiF、Al、Ag、Mg、它们的任何化合物或混合物或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料。此外，诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电氧化物(TCO)层还可以位于金属薄膜上。对电极230可以遍及显示区域DA，并且可以位于第一中间层220a、第二中间层220b和像素限定层119上。对电极230可以相对于第一显示元件200a和第二显示元件200b一体地形成，以对应于第一像素电极210a和第二像素电极210b。
第一盖层250和第二盖层240可以位于对电极230上。如图5中所示，第二盖层240可以位于对电极230上，第一盖层250可以位于第二盖层240上。作为另一示例，第一盖层250可以位于对电极230上，第二盖层240可以位于第一盖层250上。
第一盖层250和第二盖层240可以包括有机材料、无机材料或它们的任何混合物。有机材料的示例可以包括从三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2,5-双(6'-(2',2”-联吡啶))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯、4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]联苯(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、1,1-双(二(4-甲苯基)氨基-苯基)环己烷(TAPC)、三芳基胺衍生物(EL301)、8-羟基喹啉锂(Liq)、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HT211)和2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[D]咪唑(LG201)中选择的至少一种。无机材料的示例可以包括从ZnSe、ITO、IZO、SiO2、SiNx、Y2O3、WO3、MoO3和Al2O3中选择的至少一种。
第一盖层250和第二盖层240可以通过诸如真空沉积、旋涂、浇铸或朗格缪尔-布洛杰特(LB)法的各种方法来形成。
第一盖层250和第二盖层240可以保护对电极230并且增大光提取效率。例如，第一盖层250和第二盖层240可以包括具有大约1.2至大约3.1的折射率的材料。
第一盖层250和第二盖层240的厚度可以被调整，以在第一盖层250的上表面与第一像素电极210a和第二像素电极210b的反射层的上表面之间引起谐振。光学谐振可以发生在第一盖层250的上表面与第一像素电极210a和第二像素电极210b中的每个的反射层的上表面之间。因此，光提取效率可以增大，视角特性可以改善，外部发光效率可以增大。
第一盖层250和第二盖层240的厚度可以根据第一盖层250的存在或不存在来调整。例如，当第一盖层250位于第二盖层240上时的盖层的总厚度可以大于当第一盖层250不位于第二盖层240上时的盖层的总厚度。
第一盖层250和第二盖层240的厚度可以根据从第一显示元件200a、第二显示元件200b和第三显示元件200c发射的光的波段而彼此不同。例如，如图5中所示，当第一显示元件200a和第二显示元件200b分别发射红光和绿光时，因为第一盖层250位于第二盖层240上，所以盖层的总厚度可以增大。如稍后将要更详细地描述的图7中所示，当第三显示元件200c发射蓝光时，第一盖层250可以被省略，盖层的总厚度可以减小。
根据一些实施例，如图5中所示，第一盖层250可以位于第一组区域GA1中，并且可以与第一组区域GA1中的第一显示元件200a和第二显示元件200b对应。第一盖层250可以位于第一组区域GA1中，并且可以与第一组区域GA1中的第一显示元件200a和第二显示元件200b叠置。第一盖层250可以位于第一组区域GA1中，并且可以与第一组区域GA1中的第一像素电极210a和第二像素电极210b对应。第一盖层250可以位于第一组区域GA1中，并且可以与第一组区域GA1中的第一像素电极210a和第二像素电极210b叠置。
参照上述图3和图4，多个第一盖层250可以彼此隔开以分别对应于多个第一组区域GA1。第一盖层250可以分别对应于每个第一组区域GA1中的第一显示元件200a和第二显示元件200b。第一盖层250可以分别对应于每个第一组区域GA1中的第一像素电极210a和第二像素电极210b。
根据一些实施例，如图5中所示，第二盖层240可以像对电极230一样遍及显示区域DA。第二盖层240可以与对电极230对应地位于对电极230上。
当第一显示元件200a和第二显示元件200b是有机发光二极管时，有机发光二极管容易被外部湿气或氧损坏。因此，封装层可以覆盖和保护有机发光二极管。封装层可以覆盖显示区域DA并且延伸到外围区域PA的至少一部分。封装层可以包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
图6是沿着图4的线II-II’截取的第一组区域GA1和第一分离区域SA1的剖视图。例如，图6是图4中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第一组区域GA1的剖视图。在图6中，与图3至图5中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且省略了它们的冗余描述。
参照图6，基底100可以包括第一组区域GA1以及位于第一组区域GA1之间的第一分离区域SA1。第一分离区域SA1可以在第一方向(例如，±y方向)上位于第一组区域GA1之间。
根据一些实施例，多个第一盖层250可以彼此隔开以分别对应于多个第一组区域GA1。第一盖层250可以分别对应于每个第一组区域GA1中的第一显示元件200a和第二显示元件200b。第一盖层250可以分别对应于每个第一组区域GA1中的第一像素电极210a和第二像素电极210b。
根据一些实施例，因为多个第一盖层250的多个边缘可以分别对应于多个第一组区域GA1，所以与彼此不同的第一组区域GA1对应的第一盖层250之间的区域可以对应于第一分离区域SA1。该区域可以位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第一盖层250之间。
如稍后将要更详细地描述的图18A和图18C中所示，因为使用具有分别与多个第一组区域GA1对应的多个开口MOP1的第一掩模M1来形成第一盖层250，所以多个第一盖层250的多个边缘可以分别对应于多个第一组区域GA1。每个第一盖层250的平面形状可以基本对应于每个第一组区域GA1的平面形状。
此外，多个开口MOP1之间的区域(对应于图18A中的第一肋r1)可以对应于第一分离区域SA1。该区域可以在第一方向(例如，±y方向)上位于多个开口MOP1之间。
根据一些实施例，如图6中所示，多个开口OP之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第一开口OP1和第二开口OP2之间的距离d1可以小于开口OP之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第二开口OP2和第三开口OP3之间的距离d2。在这种情况下，第一开口OP1和第二开口OP2可以位于同一第一组区域GA1中，第二开口OP2和第三开口OP3可以分别位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第一组区域GA1中。
图7是沿着图4的线III-III’截取的第二组区域GA2的剖视图。例如，图7是示出图4的一个第二组区域GA2的剖视图。在图7中，与图3至图5中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且可以省略它们的一些冗余描述。
参照图7，基底100可以包括第二组区域GA2。多个第三像素PX3可以位于第二组区域GA2中。
多个第三像素PX3可以分别对应于多个第三发射区域EA3，多个第三显示元件200c分别在多个第三发射区域EA3中作为实现图像的最小单元而发光。当采用有机发光二极管作为第三显示元件200c时，第三发射区域EA3可以由像素限定层119的开口OP限定。
像素限定层119的开口OP可以暴露构成第三显示元件200c的第三像素电极210c的至少一部分。在平面图中，第三像素电极210c的边缘可以围绕像素限定层119的开口OP。因此，可以理解的是，多个第三像素电极210c位于第二组区域GA2中。
如图7中所示，第三显示元件200c位于平坦化层117上。第三显示元件200c包括第三像素电极210c、包含有机发射层的第三中间层220c以及对电极230。
第三像素电极210c可以包括(半)透射电极或反射电极。根据一些实施例，第三像素电极210c可以包括反射层以及在反射层上的透明或半透明电极层，该反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物。该透明或半透明电极层可以包括从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中选择的至少一种。根据一些实施例，第三像素电极210c可以包括ITO/Ag/ITO。
在基底100的显示区域(见图1中的DA)中，像素限定层119可以位于平坦化层117上。此外，像素限定层119可以通过使第三像素电极210c的边缘与对电极230的在第三像素电极210c上的部分之间的距离增大，来防止在第三像素电极210c的边缘上发生电弧等。像素限定层119可以包括多个开口OP，多个开口OP中的每个暴露第三像素电极210c的至少一部分的多个开口OP。
第三中间层220c可以布置在由像素限定层119限定的开口OP中，并且可以包括有机发射层。有机发射层可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷光材料。有机发射层可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。还可以可选地在有机发射层下方和上方布置诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等的功能层。
第三中间层220c可以发射第三波段的光。根据一些实施例，第三中间层220c可以发射蓝光。在这种情况下，第三波段可以为大约450nm至大约490nm。这仅是示例，并且从第三中间层220c发射的光的波段可以改变。
根据一些实施例，如图7中所示，第三中间层220c可以布置在第二组区域GA2中，并且可以与第二组区域GA2中的多个第三像素电极210c对应。第三中间层220c可以位于第二组区域GA2中，并且可以与第二组区域GA2中的多个第三像素电极210c叠置。第三中间层220c可以在第二组区域GA2中，并且可以在第二组区域GA2中在多个第三像素电极210c上是彼此一体的(例如，彼此一体地形成)。
参照上述图3和图4，多个第三中间层220c可以彼此隔开以分别对应于多个第二组区域GA2。第三中间层220c可以分别对应于每个第二组区域GA2中的第三像素电极210c。第三中间层220c可以分别在每个第二组区域GA2中在第三像素电极210c上是彼此一体的。
对电极230还可以在显示区域DA中位于第三中间层220c上。对电极230可以相对于第一显示元件200a、第二显示元件200b和第三显示元件200c一体地形成，以对应于第一像素电极210a、第二像素电极210b和第三像素电极210c。第二盖层240可以位于对电极230上。第二盖层240可以通过诸如真空沉积、旋涂、浇铸或LB法的各种方法来形成。
第二盖层240可以保护对电极230并且增大光提取效率。例如，第二盖层240可以包括具有大约1.2至大约3.1的折射率的材料。
如以上参照图5所述，第一盖层250和第二盖层240的厚度可以根据第一盖层250的存在或不存在来调整。例如，当第一盖层250位于第二盖层240上时的盖层的总厚度可以大于当第一盖层250不位于第二盖层240上时的盖层的总厚度。
第一盖层250和第二盖层240的厚度可以根据从第一显示元件200a、第二显示元件200b和第三显示元件200c发射的光的波段而彼此不同。例如，如上述图5中所示，当第一显示元件200a和第二显示元件200b分别发射红光和绿光时，因为第一盖层250位于第二盖层240上，所以盖层的总厚度可以增大。如图7中所示，当第三显示元件200c发射蓝光时，第一盖层250可以被省略，盖层的总厚度可以减小。也就是说，第一盖层250可以不位于第二组区域GA2中。
图8是沿着图4的线IV-IV’截取的第二组区域GA2和第二分离区域SA2的剖视图。例如，图8是图4中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第二组区域GA2的剖视图。在图8中，与图3至图5中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且省略了它们的冗余描述。
参照图8，基底100可以包括第二组区域GA2和位于第二组区域GA2之间的第二分离区域SA2。第二分离区域SA2可以在第一方向(例如，±y方向)上位于第二组区域GA2之间。
根据一些实施例，多个第三中间层220c可以彼此隔开以分别对应于多个第二组区域GA2。第三中间层220c可以分别对应于每个第二组区域GA2中的第三像素电极210c。第三中间层220c可以分别在每个第二组区域GA2中在第三像素电极210c上是彼此一体的。
根据一些实施例，因为多个第三中间层220c的多个边缘可以分别对应于多个第二组区域GA2，所以与彼此不同的第二组区域GA2对应的第三中间层220c之间的区域可以对应于第二分离区域SA2。该区域可以位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第三中间层220c之间。
如稍后将要更详细地描述的图19A和图19B中所示，因为使用具有分别与多个第二组区域GA2对应的多个开口MOP2的第二掩模M2来形成第三中间层220c，所以多个第三中间层220c可以分别对应于多个第二组区域GA2。每个第三中间层220c的平面形状可以基本对应于每个第二组区域GA2的平面形状。
此外，多个开口MOP2之间的区域(对应于图19A中的第二肋r2)可以对应于第二分离区域SA2。该区域可以在第一方向(例如，±y方向)上位于多个开口MOP2之间。
根据一些实施例，如图8中所示，开口OP之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第四开口OP4和第五开口OP5之间的距离d3可以小于开口OP之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第五开口OP5和第六开口OP6之间的距离d4。在这种情况下，第四开口OP4和第五开口OP5可以位于同一第二组区域GA2中，第五开口OP5和第六开口OP6可以分别位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第二组区域GA2中。
图9是沿着图4的线V-V’截取的第一组区域GA1的一部分和第二组区域GA2的一部分的剖视图。例如，图9是图4的第一像素PX1至第三像素PX3的剖视图。在图9中，与图3至图5中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且可以省略它们的一些冗余描述。
参照图9，基底100可以包括第一组区域GA1和第二组区域GA2。第一像素PX1和第二像素PX2可以位于第一组区域GA1中，第三像素PX3可以位于第二组区域GA2中。
第一像素PX1可以对应于其中第一显示元件200a发光的第一发射区域EA1。当第一显示元件200a是有机发光二极管时，第一发射区域EA1可以由像素限定层119的暴露第一显示元件200a的第一像素电极210a的至少一部分的开口OP限定。
第二像素PX2可以对应于其中第二显示元件200b发光的第二发射区域EA2。当第二显示元件200b是有机发光二极管时，第二发射区域EA2可以由像素限定层119的暴露第二显示元件200b的第二像素电极210b的至少一部分的开口OP限定。
第三像素PX3可以对应于其中第三显示元件200c发光的第三发射区域EA3。当第三显示元件200c是有机发光二极管时，第三发射区域EA3可以由像素限定层119的暴露第三显示元件200c的第三像素电极210c的至少一部分的开口OP限定。
第一像素PX1可以发射第一波段的光，第二像素PX2可以发射第二波段的光，第三像素PX3可以发射第三波段的光。
根据一些实施例，第一像素PX1可以发射红光，第二像素PX2可以发射绿光，第三像素PX3可以发射蓝光。在这种情况下，第一波段可以为大约630nm至大约750nm，第二波段可以为大约490nm至大约570nm，第三波段可以为大约450nm至大约490nm。这仅是示例，并且从第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3发射的光的波段可以改变。
根据一些实施例，如图9中所示，第三发射区域EA3的面积可以大于第一发射区域EA1的面积和第二发射区域EA2的面积。此外，第二发射区域EA2的面积可以大于第一发射区域EA1的面积。这仅是示例，并且第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中的每个的面积可以被不同地修改。例如，第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3之中的第二发射区域EA2的面积可以是最大的。
根据一些实施例，如图9中所示，第二盖层240可以位于对电极230上，第一盖层250可以位于与第一组区域GA1对应的第二盖层240上。也就是说，第一盖层250可以不位于与第二组区域GA2对应的第二盖层240上。第一盖层250可以位于第一组区域GA1中的第一像素电极210a和第二像素电极210b上，并且可以与第一像素电极210a和第二像素电极210b叠置。第一盖层250可以不位于第二组区域GA2中的第三像素电极210c上，并且可以不与第三像素电极210c叠置。
因此，盖层的总厚度可以通过第一盖层250的存在或不存在来调整。盖层的总厚度可以根据从第一中间层220a、第二中间层220b和第三中间层220c发射的光的波段而彼此不同。例如，可以通过将第一盖层250和第二盖层240布置在分别发射红光和绿光的第一中间层220a和第二中间层220b上来增大盖层的总厚度t1。可选地，仅第二盖层240可以位于发射蓝光的第三中间层220c上，并且第一盖层250可以被省略。在这种情况下，第三中间层220c上的盖层的总厚度t2可以小于分别发射红光和绿光的第一中间层220a和第二中间层220b上的盖层的总厚度t1。
盖层的总厚度可以通过第一盖层250的存在或不存在来调整，使得从第一中间层220a、第二中间层220b和第三中间层220c发射的光引起光学谐振。盖层的总厚度可以被调整，使得从第一中间层220a、第二中间层220b和第三中间层220c发射的光的光学谐振被减轻或优化。
图10是根据一些实施例的显示设备的示意性放大平面图。例如，图10示出了与图3的区域AR对应的区域AR'。因为相对于图10示出的实施例共享相对于图3示出的实施例的特性，所以以下将主要描述差异，并且可以省略相同或相似的元件的一些重复描述。
参照图10，显示设备(见图1中的1)可以包括多个第一组区域GA1和多个第二组区域GA2。
第一组区域GA1和第二组区域GA2可以彼此隔开。多个第一组区域GA1和多个第二组区域GA2可以在第一方向(例如，±y方向)和与第一方向交叉的第二方向(例如，±x方向)上布置。
第一组区域GA1和第二组区域GA2可以在第二方向(例如，±x方向)上交替地布置。例如，如图10中所示，第二组区域GA2可以位于布置在第二方向(例如，±x方向)上的第一组区域GA1之间。第一组区域GA1可以布置在每个奇数列中，第二组区域GA2可以布置在每个偶数列中。
多个第一像素PX1和多个第二像素PX2可以位于每个第一组区域GA1中。多个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。第一像素PX1和第二像素PX2可以在第一方向(例如，±y方向)上交替地布置。
显示设备1可以包括位于第一组区域GA1之间的第一分离区域SA1和位于第二组区域GA2之间的第二分离区域SA2。第一分离区域SA1可以位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第一组区域GA1之间，第二分离区域SA2可以位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第二组区域GA2之间。
根据一些实施例，在平面图中，第一分离区域SA1可以在第二分离区域SA2处(例如，从与第二分离区域SA2相邻的位置)在第一方向(例如，±y方向)上偏移。将第一分离区域SA1连接到第二分离区域SA2(例如，在平面图中穿过第一分离区域SA1和第二分离区域SA2)的虚拟线
Figure BDA0003442592810000241
可以平行于与第一方向(例如，±y方向)和第二方向(例如，±x方向)交叉的第三方向。将第一分离区域SA1连接到第二分离区域SA2的虚拟线
Figure BDA0003442592810000242
可以在与第一方向(例如，±y方向)和第二方向(例如，±x方向)交叉的第三方向上延伸。
例如，如图10中所示，将第一分离区域SA1连接到第二分离区域SA2的虚拟线
Figure BDA0003442592810000251
可以平行于斜线方向(diagonal direction)。将第一分离区域SA1连接到第二分离区域SA2的虚拟线
Figure BDA0003442592810000252
可以在斜线方向上延伸。
图11和图12是根据一些实施例的显示设备的示意性放大平面图。例如，图11示出了与图3的区域AR对应的区域AR”，图12示出了与图3的区域AR对应的区域AR”'。因为相对于图11和图12示出的实施例共享相对于图3描述的实施例的特性，所以以下将主要描述差异，并且可以省略相同或相似的元件的一些描述。
参照图11和图12，显示设备(见图1中的1)可以包括多个第一组区域GA1和多个第二组区域GA2。
多个第一像素PX1和多个第二像素PX2可以位于每个第一组区域GA1中。多个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。
根据一些实施例，如图11中所示，四个第一像素PX1和四个第二像素PX2可以位于每个第一组区域GA1中，两个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。在这种情况下，彼此隔开以分别与多个第二组区域GA2对应的多个第三中间层220c中的每个可以与两个第三像素电极(见图7中的210c)叠置。
根据一些实施例，如图12中所示，四个第一像素PX1和四个第二像素PX2可以位于每个第一组区域GA1中，一个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。在这种情况下，彼此隔开以分别与多个第二组区域GA2对应的多个第三中间层220c中的每个可以与一个第三像素电极(见图7中的210c)叠置。
尽管图11和图12示出了四个第一像素PX1和四个第二像素PX2位于每个第一组区域GA1中，但这仅是示例。如图13至图16中所示，每个第一组区域GA1中的第一像素PX1的数量和第二像素PX2的数量可以不同地改变。
显示设备1可以包括位于第一组区域GA1之间的第一分离区域SA1和位于第二组区域GA2之间的第二分离区域SA2。第一分离区域SA1可以位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第一组区域GA1之间，第二分离区域SA2可以位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第二组区域GA2之间。
根据一些实施例，如图11和图12中所示，第一分离区域SA1和第二分离区域SA2可以在平面图中在第二方向(例如，±x方向)上彼此相邻。
尽管图11和图12示出了第一分离区域SA1和第二分离区域SA2在第二方向(例如，±x方向)上彼此相邻，但这仅是示例，并且第一分离区域SA1和第二分离区域SA2可以不同地布置。例如，在平面图中，第一分离区域SA1和第二分离区域SA2可以竖直地偏移(例如，从彼此相邻的位置在第一方向(例如，±y方向)上偏移)。
图13和图14是根据一些实施例的显示设备的示意性放大平面图。因为相对于图13和图14描述的实施例共享相对于图3描述的实施例的一些特性，所以以下将主要描述差异，并且可以省略相同或相似的元件或组件的一些描述。
参照图13和图14，显示设备(见图1中的1)可以包括多个第一组区域GA1和多个第二组区域GA2。
多个第一像素PX1和多个第二像素PX2可以位于每个第一组区域GA1中。多个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。
根据一些实施例，如图13和图14中所示，两个第一像素PX1和两个第二像素PX2可以位于每个第一组区域GA1中，四个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。在这种情况下，彼此隔开以分别与多个第一组区域GA1对应的多个第一盖层250中的每个可以与两个第一像素电极(见图5中的210a)和两个第二像素电极(见图5中的210b)叠置。
尽管图13和图14示出了四个第三像素PX3位于每个第二组区域GA2中，但如图11和图12中所示，一个或两个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。作为另一示例，四个或更多个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。
显示设备1可以包括位于第一组区域GA1之间的第一分离区域SA1和位于第二组区域GA2之间的第二分离区域SA2。第一分离区域SA1可以位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第一组区域GA1之间，第二分离区域SA2可以位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第二组区域GA2之间。
根据一些实施例，如图13中所示，在平面图中，第一分离区域SA1和第二分离区域SA2可以彼此相邻。根据一些实施例，如图14中所示，在平面图中，第一分离区域SA1和第二分离区域SA2可以彼此相邻，或者可以竖直地偏移(例如，从彼此相邻的位置在第一方向(例如，±y方向)上偏移)。
根据一些实施例，如图13中所示，位于第一组区域GA1之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第1-1组区域GA1-1和第1-2组区域GA1-2之间的第1-1分离区域SA1-1与位于第一组区域GA1之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第1-3组区域GA1-3和第1-4组区域GA1-4之间的第1-2分离区域SA1-2可以在第二方向(例如，±x方向)上彼此隔开。将第1-1分离区域SA1-1连接到第1-2分离区域SA1-2(例如，在平面图中穿过第1-1分离区域SA1-1和第1-2分离区域SA1-2)的虚拟线
Figure BDA0003442592810000271
可以平行于第二方向(例如，±x方向)。
在这种情况下，第1-1组区域GA1-1和第1-3组区域GA1-3可以在第二方向(例如，±x方向)上彼此平行，第1-2组区域GA1-2和第1-4组区域GA1-4可以在第二方向(例如，±x方向)上彼此平行。
因为多个第一盖层250可以布置为分别与多个第一组区域GA1对应，所以可以使用第一盖层250来进行相同的表述。也就是说，位于第一盖层250之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第1-1盖层250a和第1-2盖层250b之间的第1-1分离区域SA1-1与位于第一盖层250之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第1-3盖层250c和第1-4盖层250d之间的第1-2分离区域SA1-2可以在第二方向(例如，±x方向)上彼此隔开。将第1-1分离区域SA1-1连接到第1-2分离区域SA1-2的虚拟线
Figure BDA0003442592810000272
可以平行于第二方向(例如，±x方向)。将第1-1分离区域SA1-1连接到第1-2分离区域SA1-2的虚拟线
Figure BDA0003442592810000273
可以在第二方向(例如，±x方向)上延伸。
根据一些实施例，如图14中所示，位于第一组区域GA1之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第1-1组区域GA1-1和第1-2组区域GA1-2之间的第1-1分离区域SA1-1与位于第一组区域GA1之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第1-3组区域GA1-3和第1-4组区域GA1-4之间的第1-2分离区域SA1-2可以在与第一方向(例如，±y方向)和第二方向(例如，±x方向)交叉的第三方向上彼此隔开。将第1-1分离区域SA1-1连接到第1-2分离区域SA1-2(例如，在平面图中穿过第1-1分离区域SA1-1和第1-2分离区域SA1-2)的虚拟线
Figure BDA0003442592810000274
可以平行于第三方向。将第1-1分离区域SA1-1连接到第1-2分离区域SA1-2的虚拟线
Figure BDA0003442592810000275
可以在第三方向上延伸。
在这种情况下，第1-1组区域GA1-1和第1-3组区域GA1-3可以在第二方向(例如，±x方向)上彼此隔开或竖直地(例如，沿着第一方向(例如，±y方向))偏移，第1-2组区域GA1-2和第1-4组区域GA1-4可以在第二方向(例如，±x方向)上彼此隔开或竖直地(例如，沿着第一方向(例如，±y方向))偏移。也就是说，第1-1组区域GA1-1和第1-3组区域GA1-3可以在第三方向上彼此隔开，第1-2组区域GA1-2和第1-4组区域GA1-4可以在第三方向上彼此隔开。
因为多个第一盖层250可以布置为分别与多个第一组区域GA1对应，所以可以使用第一盖层250来进行相同的表述。也就是说，位于第一盖层250之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第1-1盖层250a和第1-2盖层250b之间的第1-1分离区域SA1-1与位于第一盖层250之中的在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第1-3盖层250c和第1-4盖层250d之间的第1-2分离区域SA1-2可以在与第一方向(例如，±y方向)和第二方向(例如，±x方向)交叉的第三方向上彼此隔开。将第1-1分离区域SA1-1连接到第1-2分离区域SA1-2的虚拟线
Figure BDA0003442592810000281
可以平行于第三方向。
此外，如图14中所示，第一分离区域SA1可以处于布置在第二方向(例如，±x方向)上的第一组区域GA1的中心。例如，第一分离区域SA1可以与在第二方向(例如，±x方向)上与其相邻的第一组区域GA1的中心基本对齐。例如，第1-3组区域GA1-3与第1-4组区域GA1-4之间的第1-2分离区域SA1-2可以在第二方向(例如，±x方向)上平行于第1-2组区域GA1-2的中心。
尽管图14示出了第一分离区域SA1处于布置在第二方向(例如，±x方向)上的第一组区域GA1的中心，但这仅是实施例，并且第一分离区域SA1可以从第一组区域GA1的中心偏离。也就是说，图14中示出的第一分离区域SA1可以被定位为在第一方向(例如，±y方向)上平行地移动。
图15和图16是根据一些实施例的显示设备的示意性放大平面图。因为相对于图15和图16描述的实施例共享相对于图3描述的实施例的特性，所以以下将主要描述差异，并且可以省略相同或相似的元件的一些描述。
参照图15和图16，显示设备(见图1中的1)可以包括多个第一组区域GA1和多个第二组区域GA2。
多个第一像素PX1和多个第二像素PX2可以位于每个第一组区域GA1中。多个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。
根据一些实施例，如图15和图16中所示，一个第一像素PX1和一个第二像素PX2可以位于每个第一组区域GA1中，四个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。在这种情况下，彼此隔开以分别与多个第一组区域GA1对应的多个第一盖层250中的每个可以与一个第一像素电极(见图5中的210a)和一个第二像素电极(见图5中的210b)叠置。
尽管图15和图16示出了四个第三像素PX3位于每个第二组区域GA2中，但如图11和图12中所示，一个或两个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。作为另一示例，四个或更多个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。
显示设备1可以包括位于第一组区域GA1之间的第一分离区域SA1和位于第二组区域GA2之间的第二分离区域SA2。第一分离区域SA1可以位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第一组区域GA1之间，第二分离区域SA2可以位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第二组区域GA2之间。
根据一些实施例，如图15中所示，在平面图中，布置在彼此不同的列中的第一分离区域SA1可以彼此相邻。例如，将布置在彼此不同的列中的第一分离区域SA1连接(例如，在平面图中穿过布置在彼此不同的列中的第一分离区域SA1)的虚拟线
Figure BDA0003442592810000291
可以平行于第二方向(例如，±x方向)。
在这种情况下，布置在彼此不同的列中的第一组区域GA1可以平行于第二方向(例如，±x方向)。尽管已经聚焦于第一组区域GA1给出了以上描述，但多个第一盖层250可以布置为分别与多个第一组区域GA1对应，因此，该描述可以应用于第一盖层250。
根据一些实施例，如图16中所示，在平面图中，布置在彼此不同的列中的第一分离区域SA1可以竖直地(例如，沿着第一方向(例如，±y方向))偏移。例如，将布置在彼此不同的列中的第一分离区域SA1连接(例如，在平面图中穿过布置在彼此不同的列中的第一分离区域SA1)的虚拟线
Figure BDA0003442592810000292
可以平行于与第一方向(例如，±y方向)和第二方向(例如，±x方向)交叉的第三方向。将布置在彼此不同的列中的第一分离区域SA1连接的虚拟线
Figure BDA0003442592810000293
可以平行于斜线方向。
在这种情况下，布置在彼此不同的列中的第一组区域GA1可以在第二方向(例如，±x方向)上彼此隔开或竖直地(例如，沿着第一方向(例如，±y方向))偏移。也就是说，布置在彼此不同的列中的第一组区域GA1可以在第三方向上彼此隔开。尽管已经聚焦于第一组区域GA1给出了以上描述，但多个第一盖层250可以布置为分别与多个第一组区域GA1对应，因此，该描述可以应用于第一盖层250。
此外，如图16中所示，第一分离区域SA1可以处于布置在第二方向(例如，±x方向)上的第一组区域GA1的中心。例如，第一分离区域SA1可以与在第二方向(例如，±x方向)上与其相邻的第一组区域GA1的中心基本对齐。
尽管图16示出了第一分离区域SA1处于布置在第二方向(例如，±x方向)上的第一组区域GA1的中心，但这仅是实施例，并且第一分离区域SA1可以从第一组区域GA1的中心偏离。也就是说，图16中示出的第一分离区域SA1可以被定位为在第一方向(例如，±y方向)上平行地移动。
图17是根据一些实施例的显示设备的示意性放大平面图。因为相对于图17描述的实施例共享相对于图3描述的实施例的特性，所以以下将主要描述差异，并且可以省略相同或相似的组件的描述。
参照图17，显示设备(见图1中的1)可以包括多个第一组区域GA1和多个第二组区域GA2。
第一组区域GA1和第二组区域GA2可以彼此隔开。第一组区域GA1和第二组区域GA2可以在行方向(例如，±x方向)上交替地布置。例如，如图17中所示，第二组区域GA2可以位于在行方向(例如，±x方向)上隔开的第一组区域GA1之间。
多个第一像素PX1、多个第二像素PX2和多个第三像素PX3可以位于显示设备1的基底(见图3中的100)上。多个第一像素PX1、多个第二像素PX2和多个第三像素PX3可以以矩阵形式布置。在这种情况下，布置在对应的列中的多个第一像素PX1和多个第二像素PX2可以位于每个第一组区域GA1中。布置在对应的列中的多个第三像素PX3可以位于每个第二组区域GA2中。换句话说，每个第一组区域GA1可以包括布置在对应的列中的多个第一像素PX1和多个第二像素PX2。每个第二组区域GA2可以包括布置在对应的列中的多个第三像素PX3。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以分别包括第一像素电极(见图9中的210a)、第二像素电极(见图9中的210b)和第三像素电极(见图9中的210c)。显示设备1的基底100上的第一像素电极210a、第二像素电极210b和第三像素电极210c可以布置为分别与第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3对应。多个第一像素电极210a、多个第二像素电极210b和多个第三像素电极210c可以以矩阵形式布置。在这种情况下，布置在对应的列中的多个第一像素电极210a和多个第二像素电极210b可以位于每个第一组区域GA1中。布置在对应的列中的多个第三像素电极210c可以位于每个第二组区域GA2中。换句话说，每个第一组区域GA1可以包括布置在对应的列中的多个第一像素电极210a和多个第二像素电极210b。每个第二组区域GA2可以包括布置在对应的列中的多个第三像素电极210c。
第一组区域GA1和第二组区域GA2可以在列方向(例如，±y方向)上延伸，第一组区域GA1和第二组区域GA2可以布置在对应的列中。与以上参照图3至图16描述的实施例不同，可以不存在在列方向(例如，±y方向)上彼此隔开的第一组区域GA1，并且可以不存在位于在列方向(例如，±y方向)上彼此隔开的第一组区域GA1之间的分离区域(见图3中的SA1)。此外，在一些实施例中，可以不存在在列方向(例如，±y方向)上彼此隔开的第二组区域GA2，并且可以不存在位于在列方向(例如，±y方向)上彼此隔开的第二组区域GA2之间的分离区域(见图3中的SA2)。
另一方面，如以上参照图9所述，第一盖层250和第二盖层240可以位于第一组区域GA1中，第二盖层240可以位于第二组区域GA2中。因此，第一组区域GA1中的盖层的总厚度可以大于第二组区域GA2中的盖层的总厚度。
已经主要描述了仅显示设备，但公开不限于此。例如，将理解的是，制造该显示设备的方法也落入公开的范围内。
图18A是示出用于形成第一盖层的掩模的示例的示意性平面图，图18B至图18D是顺序地示出根据一些实施例的制造显示设备的方法的剖视图。例如，图18B至图18D示出了在第一组区域GA1中形成第一盖层250的工艺。
参照图18A，用于形成第一盖层(见图3的250)的第一掩模M1可以具有多个开口MOP1。开口MOP1可以对应于以上参照图3描述的第一组区域GA1。
第一肋r1可以位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的开口MOP1之间。因为多个开口MOP1分别对应于多个第一组区域GA1，所以第一肋r1可以与位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第一组区域GA1之间的第一分离区域SA1对应。
参照图18B，在形成第一盖层(见图18D中的250)之前，可以形成薄膜晶体管TFT、第一像素电极210a、第二像素电极210b、第一中间层220a、第二中间层220b、对电极230和第二盖层240。
首先，在基底100上顺序地形成缓冲层110、半导体层A、第一栅极绝缘层111、第二栅极绝缘层113、栅电极G、存储电容器Cst的下电极CE1和上电极CE2、层间绝缘层115、源电极S、漏电极D以及平坦化层117。
基底100可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者柔性或可弯曲的材料。基底100可以具有单层结构或多层结构。当基底100具有多层结构时，基底100还可以包括无机层。根据一些实施例，基底100可以具有有机/无机/有机复合结构。
缓冲层110可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)，并且可以通过气相沉积(诸如，化学气相沉积(CVD))或溅射来形成。
半导体层A可以位于缓冲层110上。可以通过将初步半导体层图案化来形成半导体层A。初步半导体层可以包括非晶硅或氧化物半导体，并且可以通过CVD来沉积。此外，当初步半导体层包括非晶硅层时，可以形成初步半导体层，然后通过诸如快速热退火(RTA)、固相结晶(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)和顺序横向固化(sequential lateral solidification，SLS)的各种方法来使初步半导体层结晶为多晶半导体层。
根据一些实施例，半导体层A可以包括从铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)中选择的至少一种材料的氧化物。
半导体层A可以包括沟道区以及位于沟道区的两侧上的源区和漏区。半导体层A可以包括单个层或多个层。
可以在基底100上堆叠第一栅极绝缘层111和第二栅极绝缘层113，以覆盖半导体层A。第一栅极绝缘层111和第二栅极绝缘层113可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnOx)，并且可以通过诸如CVD或溅射的沉积方法来形成，但公开不限于此。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO或ZnO2。
栅电极G可以位于第一栅极绝缘层111上，以与半导体层A的至少一部分叠置。栅电极G可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以包括单个层或多个层。例如，栅电极G可以包括单个Mo层。
存储电容器Cst的下电极CE1可以位于第一栅极绝缘层111上，并且可以包括与栅电极G的材料相同的材料。存储电容器Cst的上电极CE2与下电极CE1叠置，且第二栅极绝缘层113位于上电极CE2与下电极CE1之间，以形成电容器。在这种情况下，第二栅极绝缘层113可以用作存储电容器Cst的介电层。
为了形成栅电极G和存储电容器Cst的下电极CE1，可以在基底100的整个表面上形成金属层，然后将金属层图案化。可以通过诸如CVD、等离子体增强CVD(PECVD)、低压CVD(LPCVD)、物理气相沉积(PVD)、溅射或原子层沉积(ALD)的沉积方法来形成金属层，但公开不限于此。形成存储电容器Cst的上电极CE2的方法可以与形成栅电极G和存储电容器Cst的下电极CE1的方法相同。
可以在基底100的整个表面上形成层间绝缘层115，以覆盖存储电容器Cst的上电极CE2。层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnOx)，并且可以通过诸如CVD或溅射的沉积方法形成，但公开不限于此。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO或ZnO2。
形成接触孔以穿过第一栅极绝缘层111、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115并暴露半导体层A的源区和/或漏区。
源电极S和漏电极D可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单个层或多个层。例如，源电极S和漏电极D可以均具有Ti/Al/Ti的多层结构。可以分别通过接触孔将源电极S和漏电极D连接到半导体层A的源区和漏区。
可以在层间绝缘层115上布置平坦化层117，以覆盖源电极S和漏电极D。平坦化层117可以包括包含有机材料和/或无机材料的单个层或多个层。平坦化层117可以包括通用聚合物(例如，苯并环丁烯((BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的任何共混物。平坦化层117可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)，氧化锌(ZnOx)可以是ZnO或ZnO2。在形成平坦化层117之后，可以对平坦化层117执行化学机械抛光，以提供平坦的上表面。
在平坦化层117上形成第一像素电极210a和第二像素电极210b。可以通过在平坦化层117的整个上表面上沉积导电层，并对导电层执行掩模工艺和蚀刻工艺，来形成第一像素电极210a和第二像素电极210b。
因为在平坦化层中形成了暴露漏电极D的接触孔，所以可以通过接触孔将第一像素电极210a和第二像素电极210b中的每个连接到相应的漏电极D。
在平坦化层117的整个上表面上形成像素限定层119，像素限定层119包括覆盖第一像素电极210a和第二像素电极210b的边缘并分别暴露第一像素电极210a和第二像素电极210b的中心部分的多个开口OP。像素限定层119可以包括从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中选择的至少一种有机绝缘材料，并且可以通过旋涂等来形成。
分别在像素限定层119的开口OP中形成第一中间层220a或第二中间层220b。第一中间层220a和第二中间层220b可以包括低分子量材料或高分子量材料。可以通过真空沉积、丝网印刷或喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI)等来形成第一中间层220a和第二中间层220b。
将对电极230形成为与第一中间层220a和第二中间层220b对应。可以通过开口掩模将对电极230形成为覆盖基底100的显示区域(见图1中的DA)。可以通过诸如CVD、PECVD、LPCVD、PVD、溅射或ALD的沉积方法来形成对电极230。
将第二盖层240形成为与对电极230对应。可以通过开口掩模将第二盖层240形成为覆盖基底100的显示区域DA。可以通过诸如真空沉积、旋涂、浇铸或LB法的各种方法来形成第二盖层240。
第二盖层240可以包括有机材料、无机材料或它们的任何混合物。有机材料的示例可以包括从三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2,5-双(6'-(2',2”-联吡啶))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯、4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]联苯(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、1,1-双(二(4-甲苯基)氨基-苯基)环己烷(TAPC)、三芳基胺衍生物(EL301)、8-羟基喹啉锂(Liq)、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HT211)和2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[D]咪唑(LG201)中选择的至少一种。无机材料的示例可以包括从ZnSe、ITO、IZO、SiO2、SiNx、Y2O3、WO3、MoO3和Al2O3中选择的至少一种。
参照图18C和图18D，通过使用图18A中示出的第一掩模M1在第二盖层240上形成第一盖层250。可以通过诸如真空沉积、旋涂、浇铸或LB法的各种方法来形成第一盖层250。
如图18C中所示，当通过使用具有开口MOP1的第一掩模M1来形成第一盖层250时，形成第一盖层250的沉积材料的一部分可以穿过开口MOP1并且到达第二盖层240。与此不同，因为形成第一盖层250的沉积材料的另一部分不穿过位于开口MOP1之间的第一肋r1，所以沉积材料不会到达与第一肋r1对应的第二盖层240。
结果，如图18D中所示，可以在第二盖层240上局部地形成第一盖层250。可以在与开口MOP1对应的第一组区域GA1中形成第一盖层250，并且可以不在位于第一组区域GA1之间的与第一肋r1对应的第一分离区域SA1中形成第一盖层250。
图18B至图18D示出了将基底100的上表面布置为面向+z方向并随后形成薄膜晶体管TFT、第一像素电极210a、第二像素电极210b、第一中间层220a、第二中间层220b、对电极230、第二盖层240和第一盖层250，但可以根据工艺条件而将基底100的上表面布置为面向-z方向。例如，在形成第一盖层250和第二盖层240时，可以将基底100的上表面布置为面向-Z方向，并且可以将线性电机等布置为面向基底100(例如，基底100的上表面)。从线性电机等发射的沉积材料可以在+z方向上行进，并且可以沉积在对电极230的上表面上。
图19A是示出用于形成第三中间层的掩模的示例的示意性平面图，图19B和图19C是顺序地示出根据一些实施例的制造显示设备的方法的剖视图。例如，图19B和图19C示出了在第二组区域GA2中形成第三中间层220c的工艺。
参照图19A，用于形成第三中间层(见图3中的220c)的第二掩模M2可以具有多个开口MOP2。多个开口MOP2可以分别与以上参照图3描述的多个第二组区域GA2对应。
第二肋r2可以位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的开口MOP2之间。因为多个开口MOP2分别对应于多个第二组区域GA2，所以第二肋r2可以与位于在第一方向(例如，±y方向)上彼此相邻的第二组区域GA2之间的第二分离区域SA2对应。
参照图19B和图19C，通过使用图19A中示出的第二掩模M2在第三像素电极210c上形成第三中间层220c。在形成第三中间层220c之前，可以形成薄膜晶体管TFT和第三像素电极210c，并且可以通过以上参照图18B描述的方法来形成薄膜晶体管TFT和第三像素电极210c。
第三中间层220c可以包括低分子量材料或高分子量材料。可以通过真空沉积、丝网印刷或喷墨印刷、LITI等来形成第三中间层220c。
如图19B中所示，当通过使用具有开口MOP2的第二掩模M2来形成第三中间层220c时，形成第三中间层220c的沉积材料的一部分可以穿过开口MOP2并且到达第三像素电极210c。与此不同，因为形成第三中间层220c的沉积材料的另一部分不穿过位于开口MOP2之间的第二肋r2，所以沉积材料不会到达与第二肋r2对应的区域。
结果，如图19C中所示，可以在第三像素电极210c上部分地形成第三中间层220c。可以在与开口MOP2对应的第二组区域GA2中形成第三中间层220c，并且可以不在位于第二组区域GA2之间的与第二肋r2对应的第二分离区域SA2中形成第三中间层220c。
图19B和图19C示出了将基底100的上表面布置为面向+z方向并随后形成第三中间层220c，但可以根据工艺条件而将基底100的上表面布置为面向-z方向。例如，在形成第三中间层220c时，可以将基底100的上表面布置为面向-z方向，并且可以将线性电机等布置为面向基底100(例如，基底100的上表面)。从线性电机等发射的沉积材料可以在+z方向上行进，并且可以沉积在第三像素电极210c的上表面上。
根据一些实施例，可以使用单个掩模来形成与发射彼此不同的颜色(或波段)的光的第一像素PX1和第二像素PX2叠置的第一盖层250。在这种情况下，因为即使当第一像素PX1和第二像素PX2发射彼此不同的波段(或颜色)的光时也使用单个掩模，所以可以简化制造工艺，并且可以减少制造成本。
此外，根据一些实施例，可以一体地形成与第三像素PX3对应的第三中间层220c。在这种情况下，因为可以减少每单位面积内的位于第二组区域GA2之间的第二分离区域SA2，所以可以相对地加宽其中可以布置有第三像素PX3的空间。因此，可以增大每个第三像素PX3的尺寸。可以增大每个第三像素PX3的开口率。
如上所述，根据一个或更多个实施例，可以实现显示设备和制造该显示设备的方法，在该显示设备和该方法中，可以通过减少沉积掩模的数量来减少制造操作和成本。公开的范围不受这样的效果的限制。
应理解的是，在此描述的实施例应仅以描述性的含义进行考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述应通常被认为适用于其他实施例中的其他相似的特征或方面。尽管已经参照图描述了一个或更多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及它们的等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (22)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，具有彼此间隔开的多个第一组区域；
第一像素电极和第二像素电极，位于所述多个第一组区域中的每个第一组区域中；
第一中间层，位于所述第一像素电极上；
第二中间层，位于所述第二像素电极上；
对电极，位于所述第一中间层和所述第二中间层上；以及
多个第一盖层，位于所述对电极上，并且彼此间隔开以分别与所述多个第一组区域对应。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一像素电极具有多个第一像素电极，所述第二像素电极具有多个第二像素电极，并且
在所述多个第一组区域中的每个第一组区域中，所述多个第一像素电极和所述多个第二像素电极交替地布置。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述基底还具有彼此间隔开的多个第二组区域，并且
所述显示设备还包括：
第三像素电极，位于所述多个第二组区域中的每个第二组区域中；
多个第三中间层，位于所述第三像素电极上，并且彼此间隔开以分别与所述多个第二组区域对应，其中，所述对电极还位于所述多个第三中间层上；以及
第二盖层，位于所述对电极上并且与所述多个第一组区域和所述多个第二组区域对应。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述多个第一组区域和所述多个第二组区域在行方向上交替地布置。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一像素电极具有多个第一像素电极，所述第二像素电极具有多个第二像素电极，并且所述第三像素电极具有多个第三像素电极，
所述多个第一像素电极、所述多个第二像素电极和所述多个第三像素电极以矩阵布置位于所述基底上，
所述多个第一组区域中的每个第一组区域包括所述多个第一像素电极和所述多个第二像素电极之中的位于对应的列中的至少一个第一像素电极和至少一个第二像素电极，并且
所述多个第二组区域中的每个第二组区域包括所述多个第三像素电极之中的布置在对应的列中的至少一个第三像素电极。
6.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述多个第一组区域和所述多个第二组区域均在第一方向上布置，并且
所述多个第一组区域和所述多个第二组区域在与所述第一方向交叉的第二方向上交替地布置。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，在平面图中，位于所述多个第一组区域之间的第一分离区域和位于所述多个第二组区域之间的第二分离区域在所述第二方向上彼此相邻。
8.根据权利要求6所述的显示设备，其中，在平面图中，将位于所述多个第一组区域之间的第一分离区域和位于所述多个第二组区域之间的第二分离区域连接的虚拟线在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸。
9.根据权利要求6所述的显示设备，所述显示设备还包括像素限定层，所述像素限定层位于多个第三像素电极上并且具有多个开口，所述多个开口中的每个开口暴露所述多个第三像素电极中的每个第三像素电极的至少一部分，
其中，所述多个开口之中的在所述第一方向上彼此相邻的第一开口和第二开口之间的距离小于所述多个开口之中的在所述第一方向上彼此相邻的第三开口和第四开口之间的距离，
所述第一开口和所述第二开口位于所述多个第二组区域之中的同一第二组区域中，并且
所述第三开口和所述第四开口分别位于所述多个第二组区域之中的在所述第一方向上彼此相邻的第二组区域中。
10.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一中间层被构造为发射第一波段的光，所述第二中间层被构造为发射第二波段的光，并且所述第三中间层被构造为发射第三波段的光。
11.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第二盖层的分别与所述多个第一组区域对应的多个部分分别位于所述对电极与所述多个第一盖层之间。
12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个第一组区域在第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向上布置，
位于所述多个第一组区域之中的在所述第一方向上彼此相邻的第1-1组区域和第1-2组区域之间的第一分离区域与位于所述多个第一组区域之中的在所述第一方向上彼此相邻的第1-3组区域和第1-4组区域之间的第二分离区域在所述第二方向上彼此间隔开，
所述第1-1组区域和所述第1-3组区域在所述第二方向上彼此间隔开，并且
所述第1-2组区域和所述第1-4组区域在所述第二方向上彼此间隔开。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。
14.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括像素限定层，所述像素限定层位于多个第一像素电极和多个第二像素电极上并且具有多个开口，所述多个开口中的每个开口暴露所述多个第一像素电极和所述多个第二像素电极中的每个的至少一部分，
其中，所述多个第一组区域在第一方向上布置，
所述多个开口之中的在所述第一方向上彼此相邻的第一开口和第二开口之间的距离小于所述多个开口之中的在所述第一方向上彼此相邻的第三开口和第四开口之间的距离，
所述第一开口和所述第二开口位于所述多个第一组区域之中的同一第一组区域中，并且
所述第三开口和所述第四开口分别位于所述多个第一组区域之中的在所述第一方向上彼此相邻的第一组区域中。
15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个第一盖层在第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向上布置，
位于所述多个第一盖层之中的在所述第一方向上彼此相邻的第1-1盖层和第1-2盖层之间的第一分离区域与位于所述多个第一盖层之中的在所述第一方向上彼此相邻的第1-3盖层和第1-4盖层之间的第二分离区域在所述第二方向上彼此间隔开，
所述第1-1盖层和所述第1-3盖层在所述第二方向上彼此间隔开，并且
所述第1-2盖层和所述第1-4盖层在所述第二方向上彼此间隔开。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。
17.一种制造显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：
准备基底，所述基底具有彼此间隔开的多个第一组区域；
在所述多个第一组区域中的每个第一组区域中形成第一像素电极和第二像素电极；
在所述第一像素电极上形成第一中间层；
在所述第二像素电极上形成第二中间层；
在所述第一中间层和所述第二中间层上形成对电极；以及
在所述对电极上形成多个第一盖层，所述多个第一盖层彼此间隔开以分别与所述多个第一组区域对应。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述多个第一盖层的步骤包括使用具有多个开口的第一掩模，并且
所述多个开口分别与所述多个第一组区域对应。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述基底还具有彼此间隔开的多个第二组区域，并且
所述方法还包括以下步骤：
在所述多个第二组区域中的每个第二组区域中形成第三像素电极；
在所述第三像素电极上形成多个第三中间层，所述多个第三中间层彼此间隔开以分别与所述多个第二组区域对应，其中，所述对电极还形成在所述多个第三中间层上；以及
在所述对电极上形成第二盖层，所述第二盖层与所述多个第一组区域和所述多个第二组区域对应。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，形成所述多个第三中间层的步骤包括使用具有多个开口的第二掩模，并且
所述多个开口分别与所述多个第二组区域对应。
21.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一中间层被构造为发射第一波段的光，所述第二中间层被构造为发射第二波段的光，并且所述第三中间层被构造为发射第三波段的光。
22.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一像素电极具有多个第一像素电极，所述第二像素电极具有多个第二像素电极，并且
在所述多个第一组区域中的每个第一组区域中，所述多个第一像素电极和所述多个第二像素电极交替地布置。
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