CN114656497B - 一种苯硅烷的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及有机硅合成技术领域,尤其涉及一种苯硅烷的制备方法。其制备方法包括以下步骤:在惰性气体保护下,在甲基叔丁基醚中依次加入钠氢和四氢铝锂,搅拌混合,降温至0℃后,再滴加苯基三氯硅烷,制得苯硅烷混合物;将制得的苯硅烷混合物淬灭,然后进行分液,得到有机相;向制得的有机相中加入干燥剂去除有机相中的水,然后滤除干燥剂,得到干燥液;将得到的干燥液减压蒸馏,即得到纯化后的苯硅烷。本发明以钠氢、四氢铝锂以及苯基三氯硅烷为原料,以甲基叔丁基醚为溶剂,能够制备得到纯度高的苯硅烷,制备工艺路线短,无副产物,苯硅烷的制备成本低。

Description

一种苯硅烷的制备方法
技术领域
本发明涉及有机硅合成技术领域,尤其涉及一种苯硅烷的制备方法。
背景技术
苯硅烷作为一个新型的硅烷类化合物,目前正逐渐被使用在高端光刻胶和半导体前驱体中,现有的合成方法太过危险严重的限制了该产品的工业化,且应用行业决定了产品需要非常高的纯度,得到纯度高的产品也是一项非常大的挑战。
中国专利公开号CN110606491A,公告日2019年12月24日,名称为“一种高纯二碘硅烷的制备方法”中公开了“将工艺所涉及的容器及管线洗净烘干,并用惰性气体吹扫;在惰性气体保护下,以溶剂醚类作为溶剂,在搅拌的条件下控制反应温度为0~25℃,并向溶剂醚类中加入四氢铝锂,随后滴加苯基二氯硅烷,至苯基二氯硅烷滴加完后,搅拌2~4h,制得苯硅烷混合物;将苯硅烷混合物加热,在30~100℃之间,蒸出溶剂醚类,继续升高温度,在120~180℃之间,蒸出苯硅烷,并将苯硅烷收集;控制反应温度为-80~30℃,搅拌条件下,在粉末状的碘单质中逐滴滴加S2步骤收集的苯硅烷,同时加入含氧有机化合物作为催化剂,滴加完毕后,升至室温,反应4~8 h,制得二碘硅烷混合物;升高二碘硅烷混合物的温度,在60~130℃的温度下收集副产物苯和轻组分杂质,继续升高温度,在140~190℃蒸馏粗二碘硅烷”。该方法使用的原料苯基二氯硅烷价格昂贵,生产成本高。
有鉴于此,有必要提供一种苯硅烷的制备方法,以解决现有技术的不足。
发明内容
本发明的目的是提供一种苯硅烷的制备方法,该方法以钠氢、四氢铝锂以及苯基三氯硅烷为原料,可以制得苯硅烷,苯硅烷的纯度高,反应路线短,制备成本低。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:
一种苯硅烷的制备方法,包括以下步骤:
S1:在惰性气体保护下,在甲基叔丁基醚中依次加入钠氢和四氢铝锂,搅拌混合,降温至0℃后,再滴加苯基三氯硅烷,制得苯硅烷混合物;
S2:将步骤S1制得的苯硅烷混合物淬灭,然后进行分液,得到有机相;
S3:向步骤S2制得的有机相中加入干燥剂去除有机相中的水,然后滤除干燥剂,得到干燥液;
S4:将步骤S3得到的干燥液减压蒸馏,即得到纯化后的苯硅烷。
本发明的有益效果是:本发明以钠氢、四氢铝锂以及苯基三氯硅烷为原料,以甲基叔丁基醚为溶剂,能够制备得到纯度高的苯硅烷,制备工艺路线短,无副产物,苯硅烷的制备成本低。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步的,所述惰性气体为氩气或氦气。
采用上述进一步方案的有益效果是:采用氩气或氦气作为惰性气体,能够保证反应过程稳定安全。
进一步的,在步骤S1中,所述钠氢、四氢铝锂和苯基三氯硅烷的投料当量比为2-4:0.3-0.4:1。
采用上述进一步方案的有益效果是:采用此当量比的钠氢、四氢铝锂和苯基三氯硅烷,能够保证苯基三氯硅烷完全反应生成苯硅烷,无副产物。
进一步的,所述钠氢、四氢铝锂和苯基三氯硅烷的投料当量比为2:0.3:1。
采用上述进一步方案的有益效果是:在此当量比下,无副产物,苯硅烷的产品含量高。
进一步的,在步骤S1中,当所述苯基三氯硅烷滴加结束后,在25℃保温2~4h。
采用上述进一步方案的有益效果是:在25℃下保温,能够使得反应充分,有利于提升产品的含量。
进一步的,在步骤S2中,所述淬灭的具体方法是:先将苯硅烷混合物降温至0℃,然后加入至冰水中进行淬灭。
采用上述进一步方案的有益效果是:将苯硅烷混合物加入到冰水中淬灭反应安全,防止后续过滤过程中滤渣的敏感性造成危险。
进一步的,在步骤S3中,所述干燥剂为无水硫酸钠。
采用上述进一步方案的有益效果是:采用无水硫酸钠,能够有效的干燥分液得到的有机相。
进一步的,在步骤S4中,所述减压蒸馏的温度控制为22~28℃。
采用上述进一步方案的有益效果是:在此温度下减压蒸馏效果好,能够有效的提纯苯硅烷。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明的原理和特征进行描述,所举实施例只适用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
实施例1
用氩气置换2000mL干燥的三口圆底烧瓶,向烧瓶中加入钠氢45.38g,四氢铝锂7.17g以及800ml甲基叔丁基醚,搅拌混合,降温至0℃,再向烧瓶中滴加100g苯基三氯硅烷,制得苯硅烷混合物,控制温度为25℃保温反应2h,气相检测,甲基叔丁基醚质量含量58%,苯硅烷质量含量42%;将苯硅烷混合物降温至0℃,向苯硅烷混合物中缓慢滴加25mL的0~4℃冰水进行淬灭,冰水滴加完成后,控制温度于25℃搅拌0.5h,分液得到有机相;向有机相中加入无水硫酸钠,搅拌干燥0.5h,过滤得到滤渣和滤液,滤渣用100mL的甲基叔丁基醚冲洗2次,收集冲洗液,将冲洗液与滤液合并,减压蒸馏,即得到39g苯硅烷产品,收率78.44%。如图1所示,最终产品气相纯度99.99%;如图2所示,NMR氢谱显示为苯基硅烷,如下所示:
H1NMR ( 400 MHz, C6D6 ):7.36-7.39(m,2H),7.04-7.13(m,3H),4.23(s,3H)。
实施例2
用氩气置换2000mL干燥的三口圆底烧瓶,向烧瓶中加入钠氢45.38g,四氢铝锂5.38g以及800ml甲基叔丁基醚,搅拌混合,降温至0℃,再向烧瓶中滴加100g苯基三氯硅烷,制得苯硅烷混合物,控制温度为25℃保温反应2h,气相检测,甲基叔丁基醚质量含量59%,苯硅烷41%;将苯硅烷混合物降温至0℃,向苯硅烷混合物中缓慢滴加25mL的0~4℃冰水进行淬灭,冰水滴加完成后,控制温度于25℃搅拌0.5h,分液得到有机相;向有机相中加入无水硫酸钠,搅拌干燥0.5h,过滤得到滤渣和滤液,滤渣用100mL的甲基叔丁基醚冲洗2次,收集冲洗液,将冲洗液与滤液合并,减压蒸馏,即得到42g苯硅烷产品,收率84.47%。
实施例3
用氩气置换2000mL干燥的三口圆底烧瓶,向烧瓶中加入钠氢22.69g,四氢铝锂5.38g以及800ml甲基叔丁基醚,搅拌混合,降温至0℃,再向烧瓶中滴加100g苯基三氯硅烷,制得苯硅烷混合物,控制温度为25℃保温反应4h,气相检测,甲基叔丁基醚质量含量49%,苯硅烷51%;将苯硅烷混合物降温至0℃,向苯硅烷混合物中缓慢滴加25mL的0~4℃冰水进行淬灭,冰水滴加完成后,控制温度于25℃搅拌0.5h,分液得到有机相;向有机相中加入无水硫酸钠,搅拌干燥0.5h,过滤得到滤渣和滤液,滤渣用100mL的甲基叔丁基醚冲洗2次,收集冲洗液,将冲洗液与滤液合并,减压蒸馏,即得到48.6g苯硅烷产品,收率97.9%。
对比例1
用氩气置换2000mL干燥的三口圆底烧瓶,向烧瓶中加入钠氢45.38g、硼氢化钠7.15g以及800mL的乙醚,搅拌混合,降温至0℃,再向烧瓶中滴加100g苯基三氯硅烷,无明显升温和产气,直至苯基三氯硅烷滴加完成,控制温度为25℃保温反应2h。取样气相检测,如图3所示,未检出苯硅烷。
对比例2
用氩气置换2000mL干燥的三口圆底烧瓶,向烧瓶中加入钠氢45.38g、四氢铝锂7.17g以及800mL乙醚,搅拌混合,降温至0℃,向烧瓶中滴加100g苯基三氯硅烷,反应升温快,产气剧烈,直至苯基三氯硅烷滴加完成,控制温度于25℃保温反应2h。取样气相检测(50-220℃),如图4所示,乙醚39.8%,苯基硅烷32.9%,苯基硅烷产品前后有杂峰,杂峰占比合计27.3%。该方法反应剧烈,杂质多,且沸点与产品接近,难提纯。
对比例3
用氩气置换2000mL干燥的三口圆底烧瓶,箱烧瓶中加入钠氢45.38g、四氢铝锂7.17g以及800mL四氢呋喃,搅拌混合,降温至0℃,向烧瓶中滴加钠氢100g,反应升温快,产气慢,直至苯基三氯硅烷滴加完成,控制温度与25℃保温反应2h。取样气相检测(50-220℃),如图5所示,四氢呋喃47%,苯基硅烷16%,苯基硅烷产品前后有杂峰,杂峰占比合计37%。该方法反应慢,产品含量低,副产物多,无处理价值。
将实施例1-3得到的苯硅烷产品合并混合,得到共计129.6g的液体,转入250mL单口烧瓶,加装50cm高的玻璃弹簧填料柱,于0℃抽真空,采出甲基叔丁基醚,直至于0℃不能采出甲基叔丁基醚;撤除填料柱,安装蒸馏管,于25℃抽真空,继续采出甲基叔丁基醚,直至于25℃不能采出甲基叔丁基醚。收集蒸馏残液为产品,取样,产品的形状、质谱和气相色谱均测试如下所示:
1HNMR(400MHz,C6D6):7.36-7.39(m,2H),7.04-7.13(m,3H),4.23(s,3H);
无色透明液体,SE54色谱柱气相色谱测试纯度=99.99%。
实验表明:实施例1-3以钠氢、四氢铝锂以及苯基三氯硅烷能够反应制得苯硅烷产品,苯硅烷产品的副产物少,苯硅烷产品冰水淬灭、减压蒸馏能够获得更高纯度的苯硅烷产品,产品无副产物;对比例1,采用硼氢化钠替换四氢铝锂不能反应生成苯硅烷;对比例2与实施例1相比表明,采用乙醚作为溶剂,产品的副产物较多,苯硅烷的含量较低;对比例3与与实施例1相比表明,采用四氢呋喃作为溶剂,产品的副产物较多,苯硅烷的含量较低。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种苯硅烷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:在惰性气体保护下,在甲基叔丁基醚中依次加入钠氢和四氢铝锂,搅拌混合,降温至0℃后,再滴加苯基三氯硅烷,制得苯硅烷混合物;
S2:将步骤S1制得的苯硅烷混合物淬灭,然后进行分液,得到有机相;
S3:向步骤S2制得的有机相中加入干燥剂去除有机相中的水,然后滤除干燥剂,得到干燥液;
S4:将步骤S3得到的干燥液减压蒸馏,即得到纯化后的苯硅烷;
在步骤S1中,所述钠氢、所述四氢铝锂和所述苯基三氯硅烷的投料当量比为2-4:0.3-0.4:1。
2.根据权利要求1所述的苯硅烷的制备方法,其特征在于,在步骤S1中,所述惰性气体为氩气或氦气。
3.根据权利要求2所述的苯硅烷的制备方法,其特征在于,所述钠氢、所述四氢铝锂和所述苯基三氯硅烷的投料当量比为2:0.3:1。
4.根据权利要求1所述的苯硅烷的制备方法,其特征在于,在步骤S1中,当所述苯基三氯硅烷滴加结束后,在25℃保温2~4h。
5.根据权利要求1所述的苯硅烷的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,所述淬灭的具体方法是:先将苯硅烷混合物降温至0℃,然后加入至冰水中进行淬灭。
6.根据权利要求1所述的苯硅烷的制备方法,其特征在于,在步骤S3中,所述干燥剂为无水硫酸钠。
7.根据权利要求1所述的苯硅烷的制备方法,其特征在于,在步骤S4中,所述减压蒸馏的温度控制为22~28℃。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003313190A (ja) * 2002-04-19 2003-11-06 Jsr Corp シラン類の製造方法
CN104203962A (zh) * 2012-02-16 2014-12-10 道康宁公司 在微反应器中还原卤代硅烷化合物的方法
CN110606491A (zh) * 2019-06-20 2019-12-24 天津绿菱气体有限公司 一种高纯二碘硅烷的制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003313190A (ja) * 2002-04-19 2003-11-06 Jsr Corp シラン類の製造方法
CN104203962A (zh) * 2012-02-16 2014-12-10 道康宁公司 在微反应器中还原卤代硅烷化合物的方法
CN110606491A (zh) * 2019-06-20 2019-12-24 天津绿菱气体有限公司 一种高纯二碘硅烷的制备方法

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