CN114597318A

CN114597318A - 一种有机电致发光器件

Info

Publication number: CN114597318A
Application number: CN202011393759.2A
Authority: CN
Inventors: 马星辰; 高文正; 孙龙; 刘嵩; 陈继荣
Original assignee: Guan Eternal Material Technology Co Ltd
Current assignee: Guan Eternal Material Technology Co Ltd
Priority date: 2020-12-03
Filing date: 2020-12-03
Publication date: 2022-06-07

Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层，所述有机层包括发光层、电子阻挡层；所述发光层的主体材料为PH1、PH2的混合物；所述电子阻挡层材料为EBL；所述PH1材料包括式(A)所示化合物中的任意一种或至少两种组合，所述PH2材料包括式(B)所示化合物中的任意一种或至少两种组合，所述EBL材料包括式I所示化合物中的任意一种或至少两种组合。本发明的器件具有寿命长、发光效率高和驱动电压低的优点。

Description

一种有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件，尤其涉及一种有机电致发光器件和显示装置。

背景技术

近年来，基于有机材料的光电子器件已经变得越来越受欢迎。有机材料固有的柔性令其十分适合用于在柔性基板上制造，可根据需求设计、生产出美观而炫酷的光电子产品，获得相对于无机材料无以比拟的优势。此类有机光电子器件的示例包括有机发光二极管(OLED)，有机场效应管，有机光伏打电池，有机传感器等。其中OLED发展尤其迅速，已经在信息显示领域取得商业上的成功。OLED可以提供高饱和度的红、绿、蓝三颜色，用其制成的全色显示装置无需额外的背光源，具有色彩炫丽，轻薄柔软等优点。

随着OLED产品逐步进入市场，人们对这类产品的性能有越来越高的要求。业界人士也对提升器件效率及稳定性进行了不断的尝试与探索，其中寻求新材料提升器件性能的方式居多，开发了大量新颖的材料应用于OLED器件中，虽然其对器件性能有一定的改善，但是其依然存在载流子不平衡，制约器件效率及稳定性的提升。

当前使用的OLED材料和器件结构无法完全解决OLED产品效率、寿命、成本等各方面的问题。

日本专利申请(公开号JP2013183047A)中公开了一类可用于发光层材料的化合物，另一件国际申请(WO2018123783A1)中也公开了一类可用于发光层材料的化合物。本发明的发明人一直致力于开发有机功能材料，已经提出了多种适合用于空穴传输层或电子阻挡层的材料。但为了实现OLED器件具有降低电压、延长器件寿命的良好性能，且同时改善器件的发光效率，必须要进一步优化OLED器件中的各个功能层搭配方案，特别是优化OLED器件中发光层与电子阻挡层的材料搭配设计方案。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件具有较低的驱动电压，以及较高的发光效率和寿命。

本发明提供一种有机电致发光器件，包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层，其特征在于，所述有机层包括电子阻挡层和发光层，所述电子阻挡层中包括如式I所示结构的化合物：

式I中，R₁、R₂和R₃表示单取代基到最大允许取代基，并且各自独立地选自氢、氘、卤素、取代或未取代的C1-C20的直链烷基、取代或未取代的C3-C20的支链烷基、取代或未取代的C3-C30的环烷基、C2～C10烯基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种；

当R₁、R₂或R₃各自独立地为多个时，相邻的R₁之间、相邻的R₂之间或相邻的R₃之间可稠合连接；

R₄和R₅各自独立地选自氢、氘、卤素、C1-C20的直链烷基、C1-C20的支链烷基、C3-C30的环烷基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种；

q为0或1；

Ar选自取代或未取代的C1-C20的烷基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种；

所述发光层中包括第一主体化合物PH1和第二主体化合物PH2，所述PH1具有如式(A)所示结构的化合物：

式(A)中，R₆、R₇各自独立的选自氢、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种；

Ar₃和Ar₄各自独立的选自取代或未取代的C1-C30的烷基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C6-C30的芳基氨基中的一种；

所述PH2具有如式(B)所示结构的化合物：

式(B)中，R₈、R₉和R₁₀各自独立的选自氢、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基；

L₁和L₂各自独立的为单键、取代或未取代的C6-C30的亚芳基或者取代或未取代的C3-C30的亚杂芳基；

Ar₁和Ar₂各自独立的选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种，进一步优选，Ar1和Ar2中有一个为缺电子基团，

当上述基团存在取代基团时，所述取代基团选自卤素、氰基、羰基、C1～C20的链状烷基、C3～C20的环烷基、C2～C10烯基、C1～C10的烷氧基、C6～C30芳基氨基、C3～C30杂芳基氨基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的一种或者至少两种的组合。

需要说明的是，在本说明书中，Ca-Cb的表达方式代表该基团具有的碳原子数为a-b，除非特殊说明，一般而言该碳原子数不包括取代基的碳原子数。本发明中，对于化学元素的表述，若无特别说明，通常包含化学性质相同的同位素的概念，例如“氢”的表述，也包括化学性质相同的“氘”、“氚”的概念，碳(C)则包括¹²C、¹³C等，不再赘述。

在本说明书公开的结构式中，“—”划过的环结构的表达方式，表示连接位点于该环结构上任意能够成键的位置。

在本说明书中，若无特别说明，芳基和杂芳基均包括单环和稠环的情况。所谓单环芳基是指分子中含有至少一个苯基，当分子中含有至少两个苯基时，苯基之间相互独立，通过单键进行连接，示例性地如苯基、二联苯基、三联苯基等；稠环芳基是指分子中含有至少两个苯环，但苯环之间并不相互独立，而是共用环边彼此稠合起来，示例性地如萘基、蒽基等；单环杂芳基是指分子中含有至少一个杂芳基，当分子中含有一个杂芳基和其他基团(如芳基、杂芳基、烷基等)时，杂芳基和其他基团之间相互独立，通过单键进行连接，示例性地如吡啶、呋喃、噻吩等；稠环杂芳基是指由至少一个苯基和至少一个杂芳基稠合而成，或，由至少两种杂芳环稠合而成，示例性地如喹啉、异喹啉、苯并呋喃，二苯并呋喃，苯并噻吩，二苯并噻吩等

在本说明书中，取代或未取代的C6-C30芳基，优选为由苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、窟基、茈基、荧蒽基、并四苯基、并五苯基、苯并芘基、联苯基、偶苯基、三联苯基、三聚苯基、四联苯基、芴基、螺二芴基、二氢菲基、二氢芘基、四氢芘基、顺式或反式茚并芴基、三聚茚基、异三聚茚基、螺三聚茚基、螺异三聚茚基所组成的群组中的基团。具体地，联苯基选自2-联苯基、3-联苯基和4-联苯基；三联苯基包括对-三联苯基-4-基、对-三联苯基-3-基、对-三联苯基-2-基、间-三联苯基-4-基、间-三联苯基-3-基和间-三联苯基-2-基；所述萘基包括1-萘基或2-萘基；蒽基选自由1-蒽基、2-蒽基和9-蒽基；所述芴基选自由1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基和9-芴基；所述芘基选自由1-芘基、2-芘基和4-芘基；并四苯基选自由1-并四苯基、2-并四苯基和9-并四苯基。作为本发明中的芳基的优选例，可举出由苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、芴基及其衍生物、荧蒽基、三亚苯基、芘基、苝基、

基和并四苯基所组成的组中的基团。所述联苯基选自2-联苯基、3-联苯基和4-联苯基；所述三联苯基包括对-三联苯基-4-基、对-三联苯基-3-基、对-三联苯基-2-基、间-三联苯基-4-基、间-三联苯基-3-基和间-三联苯基-2-基；所述萘基包括1-萘基或2-萘基；所述蒽基选自由1-蒽基、2-蒽基和9-蒽基所组成的组中；所述芴基选自由1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基和9-芴基所组成的组中；所述芴基衍生物选自由9，9-二甲基芴、9，9-螺二芴和苯并芴所组成的组中；所述芘基选自由1-芘基、2-芘基和4-芘基所组成的组中；所述并四苯基选自由1-并四苯基、2-并四苯基和9-并四苯基所组成的组中。本发明的C6-C30芳基还可以是上述基团以单键连接或/和稠合所组合而成的基团。

在本说明书中，取代或未取代的C3-C30杂芳基，优选为含氮杂芳基、含氧杂芳基、含硫杂芳基等，具体的例子可举出：呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并呋喃基、异苯并噻吩基、吲哚基、异吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基及其衍生物、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、菲啶基、苯并-5，6-喹啉基、苯并-6，7-喹啉基、苯并-7，8-喹啉基、吩噻嗪基、吩嗪基、吡唑基、吲唑基、咪唑基、苯并咪唑基、萘并咪唑基、菲并咪唑基、吡啶并咪唑基、吡嗪并咪唑基、喹喔啉并咪唑基、嗯唑基、苯并嗯唑基、萘并嗯唑基、蒽并嗯唑基、菲并嗯唑基、1，2-噻唑基、1，3-噻唑基、苯并噻唑基、哒嗪基、苯并哒嗪基、嘧啶基、苯并嘧啶基、喹喔啉基、1，5-二氮杂蒽基、2，7-二氮杂芘基、2，3-二氮杂芘基、1，6-二氮杂芘基、1，8-二氮杂芘基、4，5-二氮杂芘基、4，5，9，10-四氮杂茈基、吡嗪基、吩嗪基、吩噻嗪基、萘啶基、氮杂咔唑基、苯并咔啉基、菲咯啉基、1，2，3-三唑基、1，2，4-三唑基、苯并三唑基、1，2，3-噁二唑基、1，2，4-嗯二唑基、1，2，5_嗯二唑基、1，2，3-噻二唑基、1，2，4-噻二唑基、1，2，5-噻二唑基、1，3，4-噻二唑基、1，3，5-三嗪基、1，2，4-三嗪基、1，2，3-三嗪基、四唑基、1，2，4，5-四嗪基、1，2，3，4-四嗪基、1，2，3，5-四嗪基、嘌呤基、蝶啶基、吲嗪基、苯并噻二唑等。作为本发明中的杂芳基的优选例子，例如为呋喃基、噻吩基、吡咯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并呋喃基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基及其衍生物，其中，所述咔唑基衍生物优选为9-苯基咔唑、9-萘基咔唑苯并咔唑、二苯并咔唑或吲哚并咔唑。本发明的C3～C30杂芳基还可以是上述基团以单键连接或/和稠合所组合而成的基团。

在本说明书中，作为C1-C20的直链烷基、C3-C20的支链烷基例如可举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、环戊基、新戊基、正己基、环己基、金刚烷基、新己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2，2，2-三氟乙基等。

在本说明书中，C3-C30的环烷基包括单环烷基和多环烷基，例如可以是环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。

本发明中的杂原子，通常指选自N、O、S、P、Si和Se，优选选自N、O、S。

在本说明书中，作为卤素的例子可举出：氟、氯、溴、碘等。

本发明中，所述的“取代或未取代”的基团，可以取代有一个取代基，也可以取代有多个取代基，当取代基为多个时，可以选自不同的取代基，本发明中涉及到相同的表达方式时，均具有同样的意义，且取代基的选择范围均如上所示不再一一赘述。

进一步优选的，所述PH2具有如式(B-1)所示结构的化合物：

式(B-1)中，R₈、R₉、R₁₀、L₁、L₂、Ar₁和Ar₂的定义均与在式(B)中的定义相同。

进一步的，式I中，所述R₁、R₂和R₃各自独立地选自取代或未取代的C1-C20的直链烷基、取代或未取代的C3-C20的支链烷基、取代或未取代的C3-C30的环烷基中的一种；

优选的，所述R₁、R₂和R₃各自独立地选自甲基、异丙基、叔丁基、环己基、金刚烷基中的一种。

进一步的，本发明器件中所述电子阻挡层中包括如式Ⅱ或者如式Ⅲ所示结构的化合物：

式Ⅱ、式Ⅲ中，所述Ar选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种，所述q、R₁、R₂、R₃、R₄和R₅的定义与在式Ⅰ中的定义相同；

优选的，当R₂独立地为多个时，相邻的R₂之间可相互键合形成C4-C30的芳基，当R₃各自独立地为多个时，相邻的R₃之间不稠合连接；

优选的，所述R₁、R₂、R₃、R₄和R₅各自独立地选自氢、C1-C10的直链烷基、C3-C10的支链烷基、C3-C20的环烷基、C6-C30的芳基、C3-C30的杂芳基中的一种；

当上述基团存在取代基团时，所述取代基团选自卤素、氰基、羰基、C1～C12的链状烷基、C3～C12的环烷基、C2～C10烯基、C1～C10的烷氧基或硫代烷氧基、C6～C30芳基氨基、C3～C30杂芳基氨基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的一种或者至少两种的组合。

再进一步的，本发明器件中所述电子阻挡层中包括如式Ⅳ所示结构的化合物：

式Ⅳ中，所述Ar选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种；

所述R₁₁、R₁₂和R₁₃表示单取代基到最大允许取代基，并且各自独立地选自氢、氘、卤素、取代或未取代的C1-C20的直链烷基、取代或未取代的C3-C20的支链烷基、取代或未取代的C3-C30的环烷基、C2～C10烯基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种；

当R₁₁、R₁₂或R₁₃各自独立地为多个时，相邻的R₁₁之间、相邻的R₁₂之间或相邻的R₁₃之间可稠合连接；

优选的，当R₁₂独立地为多个时，相邻的R₁₂之间可相互键合形成C4-C30的芳基，当R₁₃各自独立地为多个时，相邻的R₁₃之间不稠合连接；

当上述基团存在取代基团时，所述取代基团选自卤素、氰基、羰基、C1～C20的链状烷基、C3～C20的环烷基、C2～C10烯基、C1～C10的烷氧基或硫代烷氧基、C6～C30芳基氨基、C3～C30杂芳基氨基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的一种或者至少两种的组合；

优选的，所述R₁₁、R₁₂和R₁₃各自独立地选自氢、C1-C10的直链烷基、C3-C10的支链烷基、C3-C20的环烷基中的一种；更优选的，所述R₁₁、R₁₂和R₁₃各自独立地选自甲基、异丙基、叔丁基、环己基、金刚烷基中的一种。

进一步优选的，式Ⅱ、式Ⅲ、式Ⅳ中，Ar选自如下取代或未取代的基团：

当上述基团存在取代基团时，所述取代基团选自卤素、氰基、羰基、C1～C12的链状烷基、C3～C12的环烷基、C2～C10烯基、C1～C10的烷氧基或硫代烷氧基、C6～C30芳基氨基、C3～C30杂芳基氨基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的一种或者至少两种的组合；

优选的，Ar选自如下的基团：

更优选的，Ar选自如下的基团：

有机电致发光器件中，优选的，所述电子阻挡层中包括如下述结构所示的化合物：

本发明的有机电致发光器件，优选的，所述发光层中的第一主体化合物PH1包括如下结构所示的化合物：

本发明的有机电致发光器件，优选的，所述发光层中的第二主体化合物PH2包括如下结构所示的化合物：

本发明通过将(A)所示的P型半导体材料与式(B)所示的N型半导体材料混合作为有机电致发光器件发光层中的主体材料，再掺杂发光客体染料，同时采用式I所示结构的化合物作为有机电致发光器件的电子阻挡层材料，这种材料搭配方案，有效利用了发光材料与电子阻挡材料两者各自的优势，发挥出协同作用，能够进一步平衡器件中载流子传输性能，由此增强器件的稳定性，进而能够提高器件的发光效率，降低驱动电压，同时延长使用寿命。

在优选方案中，选用的化合物PH1、PH2蒸镀温度差异小，可以保证PH1、PH2两种材料可以实现预混，以免增加使用成本。优选所述PH1、PH2在

时的蒸镀温度差异在20℃以内。例如，本发明中可优选化合物C3作为电子阻挡层的材料，M-1作为第一主体化合物，F-1作为第二主体化合物，M-1、F-1蒸镀温度分别为235℃、223℃，差距在20℃以内。

本发明有机电致发光器件，发光层中第一主体化合物PH1与第二主体化合物PH2的质量比例为1:9-9:1，例如1:9、2:8、3:7、4:6、6:4、7:3、8:2、9:1等；最优选的发光层中第一主体化合物PH1与第二主体化合物PH2的质量比例为3:7-7:3。

优选的，本发明的有机电致发光器件中，发光层厚度为15nm-80nm，例如15nm、20nm、25nm、35nm、45nm、60nm、80nm等，优选为25nm-45nm。

优选地，本发明的有机电致发光器件中，电子阻挡层厚度为5nm-150nm，例如5nm、15nm、20nm、40nm、90nm、120nm、150nm等，优选为20nm-90nm。

本发明的有机电致发光器件中，所述有机层中还包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。

其中，本发明的有机电致发光器件中，采用真空蒸镀方式制备，也可采用其他方式制备，不局限于真空沉积。本发明仅用真空沉积方式制备的器件来进行说明。

其制备方法包括基片清洗、烘干、预处理、入腔，依次真空沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层(电子注入层)、阴极。

其中，基底为刚性基底或柔性基底，刚性基底包括玻璃基底、Si基底等，柔性基底包括聚乙烯醇(PVA)薄膜、聚酰亚胺(PD)薄膜、聚酯(PET)薄膜等；本发明基底优选刚性玻璃基底。

阳极，可优选功函数较大的导电性化合物、合金、金属以及该种材料的混合物。可以采用无机材料，无机材料包括金属或金属氧化物、金属与金属或金属与非金属交替形成的层叠物等，金属氧化物包括氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)等，金属包括功函数较高的金、银、铜、铝等；本发明阳极优选ITO。

空穴注入层可以是单一化合物材料，也可以是多种化合物的组合。例如，空穴注入层可以采用下述HT-1至HT-51的一种或多种化合物，或者采用下述HI-1至HI-3中的一种或多种化合物；也可以采用HT-1至HT-51的一种或多种化合物掺杂下述HI-1至HI-3中的一种或多种化合物。

空穴传输层的材料可以选自、但不限于酞菁衍生物如CuPc、导电聚合物或含导电掺杂剂的聚合物如聚苯撑乙烯、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(Pani/PSS)、芳香胺衍生物如下面HT-1至HT-51所示的化合物；或者其任意组合。

发光层包括可以发射不同波长光谱的发光染料(即掺杂剂，dopant)，还可以同时包括主体材料(Host)。发光层可以是发射红、绿、蓝等单一颜色的单色发光层。多种不同颜色的单色发光层可以按照像素图形进行平面排列，也可以堆叠在一起而形成彩色发光层。当不同颜色的发光层堆叠在一起时，它们可以彼此隔开，也可以彼此相连。发光层也可以是能同时发射红、绿、蓝等不同颜色的单一彩色发光层。

作为磷光发光层客体材料，绿光选自如下GPD-1至GPD-47所示的化合物中的任意一种或至少两种组合，红光选自如下RPD-1至RPD-28所示的化合物中的任意一种或至少两种组合：

OLED有机材料层还可以包括发光层与阴极之间的电子传输区。电子传输区可以为单层结构的电子传输层(ETL)，包括只含有一种化合物的单层电子传输层和含有多种化合物的单层电子传输层。电子传输区也可以为包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)中的至少一层的多层结构。

本发明的一方面，电子传输层材料可以选自、但不限于以下所罗列的ET-1至ET-73的一种或多种的组合。

阴极为镁银混合物、LiF/Al、ITO等金属、金属混合物、氧化物等，本发明优选LiF/Al。

相较于现有技术，本发明具有如下有益效果：

本发明提供了一种新型有机电致发光器件，选择式(A)所示的材料、式(B)所示的材料混合作为发光层的主体，再掺杂发光层客体染料，形成发光层，再搭配式(I)所示化合物为电子阻挡层，能够发挥出优于其搭配其他材料的性能，能够进一步平衡载流子，且增强器件的稳定性，进而提高器件的发光效率，降低驱动电压，同时延长使用寿命。

附图说明

图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图；

其中，1-阳极，2-空穴注入层，3-空穴传输层，4-电子阻挡层，5-发光层，6-电子传输层，7-电子注入层，8-阴极。

具体实施方式

为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。

以下实施例中所使用的属于通式(A)的化合物均通过专利申请JP2013183047A公开的方法制备得到，本领域技术人员也可以通过其他现有技术制备，本发明对于制备方法不再赘述。

以下实施例中所使用的属于通式(B)的化合物均通过专利申请WO2018123783A1公开的方法制备得到，本领域技术人员也可以通过其他现有技术制备，本发明对于制备方法不再赘述。

以下实施例中所使用的属于通式(I)的化合物均通过专利申请号202011223291.2的方法制备得到，本领域技术人员也可以通过其他现有技术制备，本发明对于制备方法不再赘述。

实施例1

本实施例提供一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件的结构如说明书附图1所示，具体包括阳极1、空穴注入层(HIL层)2、空穴传输层(HTL层)3、电子阻挡层(EBL层)、4、发光层(EML层)5、电子传输层(ETL层)6、电子注入层(EIL层)7和阴极8。

该有机电致发光器件的具体制备方法如下：

在膜厚150nm的形成有包含铟锡氧化物(ITO)/Ag/铟锡氧化物(ITO)的阳极玻璃基板上，利用真空蒸镀法，当真空度达到2×10^-4Pa下对各膜层进行沉积。首先，在ITO上形成空穴注入层HT-4:3％HI-3的薄膜(3％指的是空穴注入层中HI-3的掺杂比例)，HT-4与HI-3的蒸镀速率比例为1:0.03，HT-4的蒸镀速率为

总厚度为10nm；接着沉积60nm的HT-4作为空穴传输层，蒸镀速率为

在空穴传输层HT-4之上，蒸镀40nm的C3作为电子阻挡层。在电子阻挡层上蒸镀发光层，发光层中主体材料为M-1与F-1混合物，M-1与F-1混合物中M-1与F-1的质量比为6：4，客体材料为GPD-12，自不同的蒸发源共蒸镀主体材料(M-1、F-1混合物):10％GPD-12(10％指的是发光层中客体材料的掺杂比例)作为绿光发光层35nm，M-1与F-1混合物与染料GPD-12的蒸镀速率比为1:0.1，M-1与F-1混合物的蒸镀速率为

接着沉积25nm厚的ET-69:ET-57(比例为1：1，质量比)作为电子传输层，ET-69蒸镀速率为

继而沉积1nm的LiF作为电子注入层，蒸镀速率为

厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。

实施例2

与实施例1的区别仅在于，M-1、F-1混合物中M-1:F-1质量比为1:9。

实施例3

与实施例1的区别仅在于，M-1、F-1混合物中M-1:F-1质量比为2:8。

实施例4

与实施例1的区别仅在于，M-1、F-1混合物中M-1:F-1质量比为3:7。

实施例5

与实施例1的区别仅在于，M-1、F-1混合物中M-1:F-1质量比为4:6。

实施例6

与实施例1的区别仅在于，M-1、F-1混合物中M-1:F-1质量比为7:3。

实施例7

与实施例1的区别仅在于，M-1、F-1混合物中M-1:F-1质量比为8:2。

实施例8

与实施例1的区别仅在于，M-1、F-1混合物中M-1:F-1质量比为9:1。

实施例9

与实施例1的区别仅在于，电子阻挡层厚度为5nm。

实施例10

与实施例1的区别仅在于，电子阻挡层厚度为15nm。

实施例11

与实施例1的区别仅在于，电子阻挡层厚度为20nm。

实施例12

与实施例1的区别仅在于，电子阻挡层厚度为90nm。

实施例13

与实施例1的区别仅在于，电子阻挡层厚度为120nm。

实施例14

与实施例1的区别仅在于，电子阻挡层厚度为150nm。

实施例15

与实施例1的区别仅在于，发光层总厚度为15nm。

实施例16

与实施例1的区别仅在于，发光层总厚度为20nm。

实施例17

与实施例1的区别仅在于，发光层总厚度为25nm。

实施例18

与实施例1的区别仅在于，发光层总厚度为45nm。

实施例19

与实施例1的区别仅在于，发光层总厚度为60nm。

实施例20

与实施例1的区别仅在于，发光层总厚度为80nm。

实施例21

与实施例1的区别仅在于，发光层主体材料为M-1、F-21混合物，M-1、F-21混合物中M-1:F-21质量比为6:4。

实施例22

与实施例1的区别仅在于，发光层主体材料为M-5、F-21混合物，M-5、F-21混合物中M-5:F-21质量比为6:4。

实施例23

与实施例1的区别仅在于，发光层主体材料为M-5、F-1混合物，M-5、F-1混合物中M-5:F-1F-1质量比为6:4。

实施例24

与实施例1的区别仅在于，电子阻挡层材料为C9，发光层主体材料为M-1、F-1混合物，M-1:F-1混合物中M-1:F-1质量比为6:4。

实施例25

与实施例1的区别仅在于，发光层中主体材料为M-1、F-1混合物，M-1、F-1混合物中M-1:F-1质量比为6:4，客体材料为RPD-10，自不同的蒸发源共蒸镀(M-1、F-1混合物):3％RPD-10(3％指的是发光层中染料的掺杂比例)作为红光发光层40nm。

实施例26

与实施例1的区别仅在于，发光层中主体材料M-1、F-1混合物的质量比为1:10。

实施例27

与实施例1的区别仅在于，发光层中主体材料M-1、F-1混合物的质量比为10:1。

实施例28

与实施例1的区别仅在于，电子阻挡层的厚度为2nm。

实施例29

与实施例1的区别仅在于，电子阻挡层的厚度为180nm。

实施例30

与实施例1的区别仅在于，发光层的总厚度为10nm。

实施例31

与实施例1的区别仅在于，发光层的总厚度为100nm。

对比例1

与实施例1的区别仅在于，发光层主体材料为M-1、D-1混合物，混合物中M-1:D-1质量比为6:4。D-1结构如下：

对比例2

与实施例1的区别仅在于，发光层主体材料为D-2、F-1混合物，混合物中D-2:F-1质量比为6:4。D-2结构如下：

对比例3

与实施例1的区别仅在于，发光层主体材料为D-1、D-2混合物，混合物中D-1:D-2质量比为6:4。

对比例4

与实施例1的区别仅在于，电子阻挡层材料为HT51，HT51结构如下：

对比例5

与实施例1的区别仅在于，发光层中主体材料由M-1、F-1混合物替换为M-1。

对比例6

与实施例1的区别仅在于，发光层中主体材料由M-1、F-1混合物替换为F-1。

对比例7

与实施例25的区别仅在于，发光层中主体材料由M-1、F-1混合物替换为M-1、D-1混合物，混合物中M-1:D-1质量比为6:4。

性能测试

(1)在同样亮度下，使用Photo Research公司的PR 750型光辐射计、ST-86LA型亮度计(北京师范大学光电仪器厂)及Keithley4200测试系统测定实施例和对比例中制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率以及器件的寿命。具体而言，以每秒0.1V的速率提升电压，测定当有机电致发光器件的绿光亮度在10000cd/m²、红光亮度在3000cd/m²时的电压即驱动电压(V)，同时测出此时的电流密度；亮度与电流密度的比值即为电流效率(CE，cd/A)；

(2)LT97的寿命测试如下：使用ST-86LA型亮度计(北京师范大学光电仪器厂)在绿光10000cd/m²、红光3000cd/m²亮度下，保持恒定的电流，测量有机电致发光器件的亮度降为初始亮度97％的时间，表1中给出的数据为实施例或对比例对比实施例1寿命的相对值。

测试结果如表1所示：

表1：

由表1可知，本发明通过将如式(A)和式(B)这样特定结构的PH1、PH2两类材料混合作为发光层的主体材料，同时将如式Ⅰ的特定结构的EBL材料作为电子阻挡层，分别制备得到了绿光器件(实施例1-24、26-31)、红光器件(实施例25)，相对于对比例1至对比例7中分别采用现有技术材料的其它类发光材料或者其它类电子阻挡材料而组合搭配的器件方案来看，本发明的实施例1-31都相对实现降低了器件的驱动电压，提高了器件的电流效率，同时器件的寿命也获得显著的提升，其中实施例1-25的器件方案相对取得了更优异的技术效果。由上可见，本发明的技术方案有效提高了OLED显示装置的性能，提高OLED显示装置的成品良率。

申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。