CN114546169B - 液晶擦写板及其控制方法、制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供了液晶擦写板及其控制方法、制备方法。该液晶擦写板包括层叠的透明基板、双稳态液晶层和阵列基板，还包括光调制膜，光调制膜的光透过率与光照度正相关，在待擦除区域的光调制膜接收到源自擦除光源的第一光照度的光时，呈现第一光透过率，输出小于第一光照度的第二光照度的光至薄膜晶体管，使得待擦除区域的双稳态液晶形成擦除状态，以及在非擦除区域的光调制膜接收到源自环境光的第三光照度的光时，呈现第二光透过率，输出第四光照度的光至薄膜晶体管，使得非擦除区域的双稳态液晶保持原有状态。本申请实施例实现了保护薄膜晶体管，或者保护书写痕迹、防止误擦除。

Description

液晶擦写板及其控制方法、制备方法
技术领域
本申请涉及电子书写技术领域，具体而言，本申请涉及一种液晶擦写板及其控制方法、制备方法。
背景技术
随着电子书写技术领域的发展，现在的电子书写板，如液晶擦写板能够实现书写和擦除，包括用户在屏幕上按压时，液晶擦写板的按压区域的液晶翻转呈现书写状态，屏幕上出现书写痕迹；在擦除光源进行照射时，对照射区域的书写痕迹进行擦除，具体是薄膜晶体管接收到擦除光源后产生的漏电流使得书写状态的液晶形成到擦除状态。
然而，在环境光光照度较低时，擦除所需的光照度较小，液晶擦写板在擦除时提供的光照度过高时，容易造成薄膜晶体管不可逆的损坏，影响薄膜晶体管的使用寿命；以及环境光的光照度过高时，薄膜晶体管在较高光照度的环境光作用下容易输出较大的漏电流，容易造成书写痕迹变淡或者造成误擦除。
所以现有技术中，在环境光的光照度较低时，直接以擦除光远高于擦除所需的光照度照射到薄膜晶体管，容易导致薄膜晶体管产生额外损耗；在环境光的光照度较高时，容易影响书写痕迹或造成误擦除。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种液晶擦写板及其控制方法、制备方法，用以解决现有技术存在的环境光光照度较低时容易损伤薄膜晶体管或环境光光照度较高时容易影响书写痕迹或造成误擦除的技术问题。
第一个方面，本申请实施例提供了一种液晶擦写板，包括层叠的透明基板、双稳态液晶层和阵列基板；还包括光调制膜；
所述透明基板包括透明导电层；所述阵列基板包括层叠的基底层和薄膜晶体管；
所述光调制膜设置于所述薄膜晶体管远离所述基底层的一侧，所述光调制膜在所述阵列基板上的正投影至少覆盖所述薄膜晶体管的沟道区，所述光调制膜的光透过率与光照度正相关；
所述光调制膜用于在所述待擦除区域接收到源自擦除光源的第一光照度的光时，呈现第一光透过率，输出第二光照度的光至所述薄膜晶体管，所述第二光照度小于所述第一光照度，所述第二光照度的光使得所述薄膜晶体管驱动所述双稳态液晶层中待擦除区域的双稳态液晶形成擦除状态；
所述光调制膜还用于在所述非擦除区域接收到源自环境光的第三光照度的光时，呈现第二光透过率，输出第四光照度的光至所述薄膜晶体管，使得所述双稳态液晶层中非擦除区域的双稳态液晶保持原有状态。
可选地，所述透明基板包括层叠的透明基底和透明导电层，所述透明导电层靠近所述双稳态液晶层；
所述光调制膜设置于所述透明基底远离所述透明导电层的一侧；
或，所述光调制膜设置于所述透明导电层远离所述透明基底的一侧；
或，所述光调制膜设置于所述透明基底层与所述透明导电层的之间。
可选地，所述光调制膜设置于所述薄膜晶体管远离所述基底层的一侧。
可选地，所述薄膜晶体管包括：栅极结构，设置于所述基底层的一侧；
第一绝缘层设置于所述栅极结构和所述基底层的一侧；有源结构设置于所述栅极结构远离所述基底层的一侧，包括所述沟道区和源漏区；源漏极结构设置于所述源漏区远离所述第一绝缘层的一侧，露出所述沟道区；第二绝缘层设置于所述沟道区、源漏极结构和所述第一绝缘层的一侧；像素电极层设置于所述源漏极结构中的源极结构或漏极结构远离所述第一绝缘层的一侧；
以及，所述光调制膜设置于所述像素电极层和所述第二绝缘层之间，或所述源漏极结构和所述有源结构之间。
可选地，还包括：所述第二绝缘层为所述光调制膜。
可选地，所述光调制膜的光透过率与光照度之间呈指数相关，包括；
所述第一光照度大于所述第三光照度，所述第一光透过率大于所述第二光透过率并呈指数上升，所述第二光照度大于所述第四光照度并呈指数上升。
可选地，所述光调制膜的材料包括聚四氟乙烯或环烯烃共聚物。
可选地，所述光调制膜在所述透明基板上整层设置；
或，所述光调制膜在所述阵列基板上整层设置。
可选地，所述阵列基板包括阵列排布的像素单元，所述像素单元包括所述薄膜晶体管；
所述光调制膜包括多个阵列排布的光调制单元，所述光调制单元仅覆盖所述薄膜晶体管对应区域。
可选地，所述光调制膜包括多个阵列排布的光调制单元，所述光调制单元在所述有源结构上的正投影覆盖所述沟道区。
第二个方面，本申请实施例提供了一种液晶擦写板的控制方法，应用于本申请第一方面提供的液晶擦写板，包括：
以第一光照度的光照射液晶擦写板的待擦除区域；
使得所述待擦除区域的光调制膜接收到所述第一光照度的光时呈现第一光透过率，输出第二光照度的光至所述待擦除区域的薄膜晶体管，所述第二光照度小于所述第一光照度，所述非擦除区域的光调制膜接收到源自周围环境的第三照度的光时呈现第二光透过率，输出第四光照度的光至所述非擦除区域的薄膜晶体管；
使得所述待擦除区域的薄膜晶体管驱动所述待擦除区域的双稳态液晶形成擦除状态，保持所述非擦除区域的双稳态液晶保持原有状态。
第三个方面，本申请实施例提供了一种液晶擦写板的制备方法，应用于本申请第一方面提供的液晶擦写板，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板包括层叠的基底层和薄膜晶体管；
制备透明基板并在所述透明基板处制备光调制膜层，所述透明基板包括层叠的透明基底和透明导电层，使得所述光调制膜设置于所述透明基底远离所述透明导电层的一侧、所述透明导电层远离所述透明基底的一侧或者所述透明基底与所述透明导电层之间；
在所述阵列基板靠近所述薄膜晶体管的一侧，制备双稳态液晶层，并与所述设置有光调制膜的所述透明基板对盒。
第四个方面，本申请实施例提供了一种液晶擦写板的制备方法，应用于本申请第一方面提供的液晶擦写板，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板包括层叠的基底层和薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管远离所述基底层的一侧，制备光调制膜；
提供透明基板；
在设置有所述光调制膜的所述阵列基板靠近所述薄膜晶体管的一侧，制备双稳态液晶层，并与所述透明基板对盒。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
本申请实施例提供的液晶擦写板，包括光调制膜，薄膜晶体管接收透过光调制膜后的光，能够在较低光照度环境光下，使得薄膜晶体管直接接收的光照度较低，保护薄膜晶体管。
而且，在较高光照度的环境光下，环境光透过光调制膜后输出到薄膜晶体管的光照度较低，保护书写痕迹。具体地：
本申请实施例提供的液晶擦写板，包括层叠的透明基板、双稳态液晶层和阵列基板，双稳态液晶在受到按压后发生翻转呈现书写状态，以及在收到足够大的电流刺激后从书写状态形成到擦除状态；液晶擦写板还包括光调制膜，光调制膜在阵列基板上的正投影至少覆盖薄膜晶体管的沟道区，薄膜晶体管接收到的光是擦除光源经过光调制膜后透过的光，所以薄膜晶体管接收的光小于擦除光源的光，在环境光较低时，擦除所需的光照度较低，此时擦除光源的光照度在光调制膜的透过后降低，薄膜晶体管接收到的光照度在完成擦除的情况下，还能减轻对薄膜晶体管的损耗。
进一步，在环境光的光照度较高时，经过光调制膜的调制，环境光透过光调制膜输出到薄膜晶体管上的光照度降低，使得薄膜晶体管输出的漏电流减小，能够大大降低双稳态液晶误翻转的几率和幅度，有利于保证稳定的书写状态和清晰的字迹。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种液晶擦写板的结构示意图；
图2a为本申请实施例提供的光调制膜在透明基板侧第一种设置位置的结构示意图；
图2b为本申请实施例提供的光调制膜在透明基板侧第二种设置位置的结构示意图；
图2c为本申请实施例提供的光调制膜在透明基板侧第三种设置位置的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种光调制膜在阵列基板侧设置的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种光照度与光调制膜的光透过率的函数关系示意图；
图6a为本申请实施例提供的光调制单元在透明基板侧第一种设置位置的结构示意图；
图6b为本申请实施例提供的光调制单元在透明基板侧第二种设置位置的结构示意图；
图6c为本申请实施例提供的光调制单元在透明基板侧第二种设置位置的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的一种光调制单元在阵列基板侧设置的结构示意图；
图8a为本申请实施例提供的光调制单元在薄膜晶体管结构中的一种设置位置的结构示意图；
图8b为本申请实施例提供的光调制单元在薄膜晶体管结构中的另一种设置位置的结构示意图；
图9为本申请实施例提供的一种液晶擦写板的制备方法的流程示意图；
图10为本申请实施例提供的另一种液晶擦写板的制备方法的流程示意图。
附图的附图标记解释如下：
1-液晶擦写板；
101-光调制膜；1011-光调制单元；
102-透明基板；1021-透明基底；1022-透明导电层；
103-双稳态液晶层；1031-双稳态液晶；
104-阵列基板；1041-薄膜晶体管；1042-基底层；
201-栅极结构；202-第一绝缘层；203-第二绝缘层；204-漏极结构；205-源极结构；206-增强有源结构；207-有源结构；208-像素电极层。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例提供了一种液晶擦写板1，如图1所示，包括层叠的透明基板102、双稳态液晶层103和阵列基板104；还包括光调制膜101。
透明基板102包括透明导电层1022；阵列基板104包括层叠的基底层1042和薄膜晶体管1041。
光调制膜101设置于薄膜晶体管1041远离基底层1042的一侧，光调制膜101在阵列基板104上的正投影至少覆盖薄膜晶体管1041，光调制膜101的光透过率与光照度正相关。
光调制膜101用于在待擦除区域接收到源自擦除光源的第一光照度的光时，呈现第一光透过率，输出第二光照度的光至薄膜晶体管1041，第二光照度小于第一光照度，第二光照度的光使得薄膜晶体管1041驱动双稳态液晶层103中待擦除区域的双稳态液晶1031形成擦除状态。
光调制膜101还用于在非擦除区域接收到源自环境光的第三光照度的光时，呈现第二光透过率，输出第四光照度的光至薄膜晶体管1041，使得双稳态液晶层103中非擦除区域的双稳态液晶1031保持原有状态。
本申请实施例提供的液晶擦写板1，包括光调制膜101，薄膜晶体管1041接收透过光调制膜101后的光，能够在较低光照度环境光下，使得薄膜晶体管1041直接接收的光照度较低，保护薄膜晶体管1041。
而且，在较高光照度的环境光下，环境光透过光调制膜101后输出到薄膜晶体管1041的光照度较低，保护书写痕迹。具体地：
本申请实施例提供的液晶擦写板1，包括层叠的透明基板102、双稳态液晶层103和阵列基板104，双稳态液晶1031在受到按压后发生翻转呈现书写状态，以及在收到足够大的电流刺激后从书写状态形成到擦除状态；液晶擦写板1还包括光调制膜101，光调制膜101在阵列基板104上的正投影至少覆盖薄膜晶体管1041的沟道区，薄膜晶体管1041接收到的光是擦除光源经过光调制膜101后透过的光，所以薄膜晶体管1041接收的光小于擦除光源的光，在环境光较低时，擦除所需的光照度较低，此时擦除光源的光照度在光调制膜101的透过后降低，薄膜晶体管1041接收到的光照度在完成擦除的情况下，还能减轻对薄膜晶体管1041的损耗。
进一步，在环境光的光照度较高时，经过光调制膜的调制，环境光透过光调制膜输出到薄膜晶体管上的光照度降低，使得薄膜晶体管输出的漏电流减小，能够大大降低双稳态液晶误翻转的几率和幅度，有利于保证稳定的书写状态和清晰的字迹。
可选地，双稳态液晶1031包括胆甾相液晶，双稳态液晶1031包括书写状态，即Planar Texture(平面态，简称P态)和擦除状态，即Focal Conic Texture(垂直螺旋态，简称FC态)两种稳定形态，书写状态和擦除状态均无需电压即可保持稳定。
可选地，双稳态液晶1031的书写状态表现为液晶擦写板1受到按压，按压区域的双稳态液晶1031由初始的擦除状态进行翻转，翻转后的双稳态液晶1031反射外界环境光呈现书写状态，包括选择性反射环境光中的绿光，此时书写痕迹表现为绿色。
可选地，双稳态液晶1031的擦除状态表现为未受按压，或按压后经擦除后形成的状态，擦除状态的双稳态液晶1031呈现基底颜色，包括黑色。
可选地，擦除状态对液晶擦写板1的书写状态位置进行擦除包括，液晶擦写板1阵列基板104中的薄膜晶体管1041受到光照，产生漏电流，当漏电流达到一定强度时，书写状态的双稳态液晶1031在电流刺激下形成到擦除状态。
可选地，人工选择进行擦除的区域为待擦除区域，待擦除区域之外的显示区域为非擦除区域，待擦除区域和非擦除区域的双稳态液晶1031都可包括书写状态和擦除状态。
可选地，待擦除区域的双稳态液晶1031在薄膜晶体管1041驱动下全部形成擦除状态，非擦除区域的双稳态液晶1031全部保持原有的书写状态或擦除状态。
可选地，在不同环境光下，达到使书写状态的双稳态液晶1031形成到擦除状态的漏电流，薄膜晶体管1041所需的光照度不同，具体表现为：环境光越强，薄膜晶体管1041完成擦除所需的光照度越大。
可选地，当环境光较低时，薄膜晶体管1041完成擦除所需的光照度较低，此时通过光调制膜101对擦除光源的光进行调制，使得透过光调制膜101的光照度低于擦除光源的照度，并输出至薄膜晶体管1041，在满足驱动双稳态液晶1031实现擦除的同时，光调制膜101调制后，作用到薄膜晶体管1041上的光照度下降，能够保护薄膜晶体管1041不被过高光照度损耗。
可选地，光调制膜101接收到环境光，并根据环境光的光照度匹配光透过率，并向薄膜晶体管1041输出环境光透过光调制膜101后的光，透过后的光照度小于环境光的光照度，不能使薄膜晶体管1041驱动双稳态液晶1031形成到擦除状态，不影响书写状态。
可选地，环境光和擦除光源发出的光包括不同波长的光，如擦除光源发出的光属于485纳米-550纳米，环境光属于390纳米-780纳米。
可选地，光调制膜101的光透过率与光照度正相关，当光调制膜101接收到的光照度较低时，光调制膜101的光透过率也较低，当光调制膜101接收到的光照度较高时，光调制膜101的光透过率也较高。
如当光调制膜101接收到的光照度为100lux(Illuminance/m2，勒克斯)时，光调制膜101的光透过率为10％，透过后的光照度为10lux。
当光调制膜101接收到的光照度为10000lux时，光调制膜101的光透过率为90％，透过后的光照度为9000lux。
可选地，环境光和擦除光源发出的光的光照度不同，光调制膜根据不同光照度呈现的光透过率也不同，不同光照度的光透过后作用到不同区域的薄膜晶体管上的光照度差别增大，避免误擦除。
在一些实施例中，如图2所示，透明基板102包括层叠的透明基底1021和透明导电层1022，透明导电层1022靠近双稳态液晶层103。
如图2a所示光调制膜101设置于透明基底1021远离透明导电层1022的一侧。
或，如图2b所示光调制膜101设置于透明导电层1022远离透明基底1021的一侧。
或，如图2c所示光调制膜101设置于透明基底1021层与透明导电层1022的之间。
可选地，透明基底1021和透明导电层1022都是透明材料，不影响光调制膜101接收的光照度和透过光调制膜101后的光照度。
可选地，光调制膜101设置于透明基底1021远离透明导电层1022的一侧时，用于接收擦除光源的光或者环境光并根据光照度呈现对应的光透过率，透过后的光透过透明基板102和双稳态液晶层103，向薄膜晶体管1041输出。
可选地，光调制膜101设置于透明导电层1022远离透明基底1021的一侧时，用于接收透过透明基板102的擦除光源的光或者环境光并根据光照度呈现对应的光透过率，透过后的光透过双稳态液晶层103，向薄膜晶体管1041输出。
可选地，光调制膜101设置于透明基底1021层与透明导电层1022的之间时，用于接收透过透明基底1021的擦除光源的光或者环境光并根据光照度呈现对应的光透过率，透过后的光透过透明导电层1022和双稳态液晶层103，向薄膜晶体管1041输出。
在一些实施例中，如图3所示光调制膜101设置于薄膜晶体管1041远离基底层1042的一侧。
可选地，光调制膜101设置在薄膜晶体管1041和双稳态液晶层103之间，用于接收透过透明基底1021和双稳态液晶层103的擦除光源的光或者环境光并根据光照度呈现对应的光透过率，透过后的光向薄膜晶体管1041输出。
在一些实施例中，如图4所示，薄膜晶体管包括：栅极结构201设置于基底层的一侧。
第一绝缘层202设置于栅极结构201和基底层的一侧，有源结构207设置于栅极结构201远离基底层的一侧，包括沟道区和源漏区，源漏极结构设置于源漏区远离第一绝缘层202的一侧，露出沟道区，第二绝缘层203设置于沟道区、源漏极结构和第一绝缘层202的一侧，像素电极层208设置于源漏极结构中的源极结构205或漏极结构204远离第一绝缘层202的一侧。
以及，光调制膜设置于像素电极层208和第二绝缘层203之间，或源漏极结构204和有源结构207之间。
可选地，有源结构207包括非晶硅，有源结构207的沟道区为接收光照的主体部分，并根据接收到的光照度产生漏电流。
可选地，有源结构207和漏极区的源极结构205和漏极结构204之间，还包括增强有源结构206，用于提高导电性，并与源极结构205和漏极结构204之间形成欧姆接触。
可选地，光调制膜设置于像素电极层208和第二绝缘层203之间，或源漏极结构204和有源结构207之间，用于接收透过透明基底1021和双稳态液晶层103的擦除光源的光或者环境光并根据光照度呈现对应的光透过率，透过后的光向沟道区输出。
可选地，如图4所示为空穴型薄膜晶体管，本领域技术人员可以理解，像素电极层208的设置位置可以改变，电子型薄膜晶体管也可以实现技术效果。
在一些实施例中，还包括：第二绝缘层203为所述光调制膜101。
可选地，第二绝缘层203可复用为光调制膜101，使第二绝缘层203具有光调制作用，且所用的材料具有绝缘作用。
在一些实施例中，如图5所示，光调制膜101的光透过率与光照度之间呈指数相关。
第一光照度大于第三光照度，第一光透过率大于第二光透过率并呈指数上升，第二光照度大于第四光照度并呈指数上升。
可选地，当作用到光调制膜的光照度为I，此时光调制膜的光透过率为Tr，光调制膜的光透过率与作用到光调制膜的光照度的关系为Tr＝F(I)，包括y＝aI-1(a>1)。
作用到薄膜晶体管的光照度为I’，I’＝I*F(I)。
可选地，本领域技术人员可以理解，指数a与光调制膜101的材料相关，根据适用需求进行选择。
可选地，环境光与擦除光源的光照度不同，其差别为I1-I3，I1为第一光照度，I3为第三光照度；光调制膜101根据环境光与擦除光源呈现的光透过率不同，Tr1为第一光照度下的第一光透过率，Tr2为第三光照度下的第二光透过率；在环境光的照射区域和在擦除光源的光的照射区域，薄膜晶体管1041接收到的透过光调制膜101的光比相同光透过率时的差别更大，为I2-I4，即I1*F(I1)-I3*F(I3)。
在一些实施例中，光调制膜101的材料包括聚四氟乙烯或环烯烃共聚物。
可选地，环烯烃共聚物包括环状烯烃结构的非晶性透明共聚高分子物体的树脂材料。
可选地，光调制膜101的材料同时包含刚性基团和柔性基团，刚性基团可以保证分子按照类晶体的有序性排列，提供各向异性的性质；柔性基团使分子存在类似液体的流动性，这就是常说的“液晶”。选取合适的基团构成具有“液晶”性质的分子，再以可见光波段的光催化剂进行催化，即可实现一种在可见光照度较低时，不发生光化学反应，而具有各向异性，阻止光线透过；提高光照，催化剂催化分子基团发生异构，分子不再具有液晶性质，失去各向异性，光线可以透过，实现光调制膜101的光透过率与光照度正相关，包括指数相关。
在一些实施例中，如图1至图3所示，
光调制膜101在透明基板102上整层设置。
或，光调制膜101在阵列基板104上整层设置。
可选地，光调制膜101可以为一整块材料，其在阵列基板104上的正投影覆盖整个阵列基板104，包括阵列基板104上的所有薄膜晶体管1041。
可选地，光调制膜101覆盖阵列基板104的所有区域，制备工艺简单。
在一些实施例中，阵列基板104包括阵列排布的像素单元，像素单元包括薄膜晶体管1041。
光调制膜101包括多个阵列排布的光调制单元1011，如图5和图6所示，光调制单元1011仅覆盖薄膜晶体管1041对应区域。
可选地，光调制膜101包括多个光调制单元1011，光调制单元1011与薄膜晶体管1041一一对应，每个光调制单元1011在阵列基板104上的正投影覆盖对应的薄膜晶体管1041。
可选地，如图6和图7所示，阵列基板104包括阵列排布的薄膜晶体管1041，薄膜晶体管1041位于像素单元中，像素单元未在图中表示，本领域技术人员可以理解，像素单元也呈阵列排布，薄膜晶体管1041在像素单元中的位置设置属于本领域的公知常识，在此不做赘述。
可选地，如图6a所示光调制单元1011设置于透明基底1021远离透明导电层1022的一侧。
如图6b所示光调制单元1011设置于透明导电层1022远离透明基底1021的一侧。
如图6c所示光调制单元1011设置于透明基底1021层与透明导电层1022的之间。
可选地，如图7所示，光调制单元1011设置于薄膜晶体管1041远离基底层1042的一侧。
可选地，光调制单元1011的尺寸至少大于膜晶体管1041的尺寸，如薄膜晶体管1041的尺寸为50微米*30微米，单个光调制单元1011的尺寸至少为50微米*30微米。
可选地，光调制单元1011仅覆盖薄膜晶体管1041对应的位置，双稳态液晶层103对于光线反射呈现书写状态时，反射光线受到光调制膜101的影响较小，书写状态的显示受到光调制膜101的影响较小。
在一些实施例中，如图8所示，光调制膜101包括多个阵列排布的光调制单元1011，光调制单元1011在有源结构207上的正投影覆盖沟道区。
可选地，如图8a所示，光调制单元1011设置于像素电极层208和第二绝缘层203之间，其尺寸至少大于沟道区。
可选地，如图8b所示，光调制单元1011设置于源漏极结构204和有源结构207之间，其尺寸至少大于沟道区。
可选地，沟道区用于接收透过光调制单元1011的光照后产生漏电流，漏电流足够大时，使得书写状态的双稳态液晶1031翻转，形成擦除状态。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种液晶擦写板1的控制方法，应用于本申请上述提供的液晶擦写板1，包括：
以第一光照度的光照射液晶擦写板1的待擦除区域。
使得待擦除区域的光调制膜101接收到第一光照度的光时呈现第一光透过率，输出第二光照度的光至待擦除区域的薄膜晶体管1041，第二光照度小于第一光照度，非擦除区域的光调制膜101接收到源自周围环境的第三照度的光时呈现第二光透过率，输出第四光照度的光至非擦除区域的薄膜晶体管1041。
使得待擦除区域的薄膜晶体管1041驱动待擦除区域的双稳态液晶1031形成擦除状态，保持非擦除区域的双稳态液晶1031保持原有状态。
可选地，待擦除区域包括待擦除的书写痕迹，在液晶擦写板1上进行书写包括对书写区域进行按压，双稳态液晶1031受压翻转，由初始的擦除状态翻转为书写状态，书写状态的双稳态液晶1031对接收到的可见光进行反射，形成书写痕迹。
可选地，第一光照度的光包括源自擦除光源的光。
可选地，第二光照度作用于待擦除区域的薄膜晶体管1041，使得薄膜晶体管1041驱动双稳态液晶1031形成擦除状态，且第二光照度小于第一光照度，避免薄膜晶体管产生额外损耗。
可选地，第四光照度作用于非擦除区域的薄膜晶体管1041，且第四光照度小于第三光照度。使得双稳态液晶1031保持书写状态，避免影响书写状态。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种液晶擦写板1的制备方法，应用于本申请上述提供的液晶擦写板1，该方法的流程示意图如图9所示，该方法包括如下步骤S901-S903。
S901：提供阵列基板104，阵列基板104包括层叠的基底层1042和薄膜晶体管1041，之后执行步骤S903。
S902：制备透明基板102并在透明基板102处制备光调制膜101层，透明基板102包括层叠的透明基底1021和透明导电层1022，使得光调制膜101设置于透明基底1021远离透明导电层1022的一侧、透明导电层1022远离透明基底1021的一侧或者透明基底1021与透明导电层1022之间。
可选地，透明电极材料包括ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)或IZO(IndiumZincOxide，氧化铟锌)等。
S903：在阵列基板104靠近薄膜晶体管1041的一侧，制备双稳态液晶层103，并与设置有光调制膜101的透明基板102对盒。
可选地，在阵列基板104靠近薄膜晶体管1041的一侧，制备双稳态液晶层103，包括：在阵列基板104的一侧滴注多个双稳态液晶1031，并使得各双稳态液晶1031在不加载电场的状态下按擦除状态排列，形成双稳态液晶层103。
可选地，在阵列基板104靠近薄膜晶体管1041的一侧，制备双稳态液晶层103，并与设置有光调制膜101的透明基板102对盒，包括：在阵列基板104靠近薄膜晶体管1041的一侧设置第一电极；在透明基板102靠近透明导电层1022的一侧设置第二电极；在第一电极远离阵列基板104的一侧，制备双稳态液晶层103，将阵列基板104承载双稳态液晶层103的一侧，与透明基板102设置有第二电极的一侧对盒。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种液晶擦写板1的制备方法，应用于本申请上述提供的液晶擦写板1，该方法的流程示意图如图10所示，该方法包括如下步骤S1001-S1003.
S1001：提供阵列基板104，阵列基板104包括层叠的基底层1042和薄膜晶体管1041。
S1002：在薄膜晶体管1041远离基底层1042的一侧，制备光调制膜101，之后执行步骤S1004。
S1003：提供透明基板102。
S1004：在设置有光调制膜101的阵列基板104靠近薄膜晶体管1041的一侧，制备双稳态液晶层103，并与透明基板102对盒。
可选地，在设置有光调制膜101的阵列基板104靠近薄膜晶体管1041的一侧，制备双稳态液晶层103，包括：在设置有光调制膜101的阵列基板104靠近薄膜晶体管1041的一侧滴注多个双稳态液晶1031，并使得各双稳态液晶1031在不加载电场的状态下按擦除状态排列，形成双稳态液晶层103。
可选地，在设置有光调制膜101的阵列基板104靠近薄膜晶体管1041的一侧，制备双稳态液晶层103，并与透明基板102对盒，包括：在阵列基板104靠近薄膜晶体管1041的一侧设置第一电极；在透明基板102靠近透明导电层1022的一侧设置第二电极；在第一电极远离阵列基板104的一侧，制备双稳态液晶层103，将阵列基板104承载双稳态液晶层103的一侧，与透明基板102设置有第二电极的一侧对盒。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
本申请实施例提供的液晶擦写板1，包括光调制膜101，薄膜晶体管1041接收透过光调制膜101后的光，能够在较低光照度环境光下，使得薄膜晶体管1041直接接收的光照度较低，保护薄膜晶体管1041。
而且，在较高光照度的环境光下，环境光透过光调制膜101后输出到薄膜晶体管1041的光照度较低，保护书写痕迹。具体地：
本申请实施例提供的液晶擦写板1，包括层叠的透明基板102、双稳态液晶层103和阵列基板104，双稳态液晶1031在受到按压后发生翻转呈现书写状态，以及在收到足够大的电流刺激后从书写状态形成到擦除状态；液晶擦写板1还包括光调制膜101，光调制膜101在阵列基板104上的正投影至少覆盖薄膜晶体管1041的沟道区，薄膜晶体管1041接收到的光是擦除光源经过光调制膜101后透过的光，所以薄膜晶体管1041接收的光小于擦除光源的光，在环境光较低时，擦除所需的光照度较低，此时擦除光源的光照度在光调制膜101的透过后降低，薄膜晶体管1041接收到的光照度在完成擦除的情况下，还能减轻对薄膜晶体管1041的损耗。
进一步，在环境光的光照度较高时，经过光调制膜的调制，环境光透过光调制膜输出到薄膜晶体管上的光照度降低，使得薄膜晶体管输出的漏电流减小，能够大大降低双稳态液晶误翻转的几率和幅度，有利于保证稳定的书写状态和清晰的字迹。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (13)

1.一种液晶擦写板，其特征在于，包括层叠的透明基板、双稳态液晶层和阵列基板；还包括光调制膜；
所述透明基板包括透明导电层；所述阵列基板包括层叠的基底层和薄膜晶体管；
所述光调制膜设置于所述薄膜晶体管远离所述基底层的一侧，所述光调制膜在所述阵列基板上的正投影至少覆盖所述薄膜晶体管的沟道区，所述光调制膜的光透过率与光照度正相关；
所述光调制膜用于在待擦除区域接收到源自擦除光源的第一光照度的光时，呈现第一光透过率，输出第二光照度的光至所述薄膜晶体管，所述第二光照度的光使得所述薄膜晶体管驱动所述双稳态液晶层中待擦除区域的双稳态液晶形成擦除状态；
所述光调制膜还用于在非擦除区域接收到源自环境光的第三光照度的光时，呈现第二光透过率，输出第四光照度的光至所述薄膜晶体管，使得所述双稳态液晶层中非擦除区域的双稳态液晶保持原有状态。
2.如权利要求1所述的液晶擦写板，其特征在于，所述透明基板包括层叠的透明基底和透明导电层，所述透明导电层靠近所述双稳态液晶层；
所述光调制膜设置于所述透明基底远离所述透明导电层的一侧；
或，所述光调制膜设置于所述透明导电层远离所述透明基底的一侧；
或，所述光调制膜设置于所述透明基底层与所述透明导电层的之间。
3.如权利要求1所述的液晶擦写板，其特征在于，所述光调制膜设置于所述薄膜晶体管远离所述基底层的一侧。
4.如权利要求1所述的液晶擦写板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极结构，设置于所述基底层的一侧；
第一绝缘层设置于所述栅极结构和所述基底层的一侧；有源结构设置于所述栅极结构远离所述基底层的一侧，包括所述沟道区和源漏区；源漏极结构设置于所述源漏区远离所述第一绝缘层的一侧，露出所述沟道区；
第二绝缘层设置于所述沟道区、源漏极结构和所述第一绝缘层的一侧；像素电极层设置于所述源漏极结构中的源极结构或漏极结构远离所述第一绝缘层的一侧；
以及，所述光调制膜设置于所述像素电极层和所述第二绝缘层之间，或所述源漏极结构和所述有源结构之间。
5.如权利要求4所述的液晶擦写板，其特征在于，还包括：所述第二绝缘层为所述光调制膜。
6.如权利要求1-5任一所述的液晶擦写板，其特征在于，所述光调制膜的光透过率与光照度之间呈指数相关，包括：
所述第一光照度大于所述第三光照度，所述第一光透过率大于所述第二光透过率并呈指数上升，所述第二光照度大于所述第四光照度并呈指数上升。
7.如权利要求6所述的液晶擦写板，其特征在于，所述光调制膜的材料包括聚四氟乙烯或环烯烃共聚物。
8.如权利要求2-4任一所述的液晶擦写板，其特征在于；
所述光调制膜在所述透明基板上整层设置；
或，所述光调制膜在所述阵列基板上整层设置。
9.如权利要求2-4任一所述的液晶擦写板，其特征在于，所述阵列基板包括阵列排布的像素单元，所述像素单元包括所述薄膜晶体管；
所述光调制膜包括多个阵列排布的光调制单元，所述光调制单元仅覆盖所述薄膜晶体管对应区域。
10.如权利要求4所述的液晶擦写板，其特征在于；
所述光调制膜包括多个阵列排布的光调制单元，所述光调制单元在所述有源结构上的正投影覆盖所述沟道区。
11.一种液晶擦写板的控制方法，应用于如权利要求1-10任一所述的液晶擦写板，其特征在于，包括：
以第一光照度的光照射液晶擦写板的待擦除区域；
使得所述待擦除区域的光调制膜接收到所述第一光照度的光时呈现第一光透过率，输出第二光照度的光至所述待擦除区域的薄膜晶体管，所述第二光照度小于所述第一光照度，所述非擦除区域的光调制膜接收到源自周围环境的第三照度的光时呈现第二光透过率，输出第四光照度的光至所述非擦除区域的薄膜晶体管；
使得所述待擦除区域的薄膜晶体管驱动所述待擦除区域的双稳态液晶形成擦除状态，保持所述非擦除区域的双稳态液晶保持原有状态。
12.一种液晶擦写板的制备方法，应用于如权利要求2所述的液晶擦写板，其特征在于，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板包括层叠的基底层和薄膜晶体管；
制备透明基板并在所述透明基板处制备光调制膜层，所述透明基板包括层叠的透明基底和透明导电层，使得所述光调制膜设置于所述透明基底远离所述透明导电层的一侧、所述透明导电层远离所述透明基底的一侧或者所述透明基底与所述透明导电层之间；
在所述阵列基板靠近所述薄膜晶体管的一侧，制备双稳态液晶层，并与所述设置有光调制膜的所述透明基板对盒。
13.一种液晶擦写板的制备方法，应用于如权利要求3所述的液晶擦写板，其特征在于，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板包括层叠的基底层和薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管远离所述基底层的一侧，制备光调制膜；
提供透明基板；
在设置有所述光调制膜的所述阵列基板靠近所述薄膜晶体管的一侧，制备双稳态液晶层，并与所述透明基板对盒。
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