JP2015212719A - 電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】時間経過等に起因する電気光学パネルの温度変化に伴う表示変化を抑制し、高品位な表示を長時間に渡り継続できる電気光学装置を提供する。【解決手段】電気光学装置２００は、表示領域を有する電気光学パネルと、透光領域４１０を有する第一基板６１と、を備える。第一基板６１の第一面で透光領域４１０の外側の領域には、第一光学状態と第二光学状態とを取り得る調光装置６０が形成される。前記表示領域と透光領域４１０とは、平面視にて、少なくとも部分的に重なり合うことにより、光照射に伴う前記電気光学パネルの温度変化を或る程度制御する事ができる。【選択図】図７

Description

本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。

表示機能が付いた電子機器では、透過型電気光学パネルや反射型電気光学パネルが使用されている。これらの電気光学パネルに光が照射され、電気光学パネルにより変調された透過光や反射光が表示画像となったり、或いはスクリーンに投影されて投射画像となったりしている。この様な電気光学パネルとしては液晶パネルが知られており、これは液晶の誘電異方性と液晶に於ける光の旋光性とを利用して画像を形成する物である。液晶パネルは実装ケースに収容されて液晶装置となり、この液晶装置が投射型表示装置等の電子機器に組み込まれている。

液晶装置の一例は特許文献１に記載されている。特許文献１の図６に記載されている様に、液晶パネルは、ＬＣＤパネル固定枠にはめ込まれ、見切り板にて固定されている。ＬＣＤパネル固定枠はＡｌ金属枠である。

特開２００７−２３３０６９号公報

しかしながら、特許文献１に記載されている液晶装置では、液晶パネルが本来有する高品位な表示を継続する事が困難であるという課題があった。即ち、液晶装置を使用し始めた当初は高品位な表示を行っていても、時間の経過と共にコントラスト比の低下等の表示品質の劣化が生ずる事があった。

本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現する事が可能である。

（適用例１） 本適用例に係わる電気光学装置は、表示領域を有する電気光学パネルと、透光領域を有する第一基板と、を備え、第一基板の第一面で透光領域の外側の領域には、第一光学状態と第二光学状態とを取り得る調光装置が形成されており、表示領域と透光領域とは、平面視にて、少なくとも部分的に重なり合う事を特徴とする。
この構成によれば、調光装置が電気光学パネルの非表示領域に照射される光量を調整するので、光照射に伴う電気光学パネルの温度変化を或る程度制御する事ができる。従って、時間経過等に起因する電気光学パネルの温度変化に伴う表示変化を抑制し、高品位な表示を長時間に渡り継続する事が可能となる。

（適用例２） 上記適用例１に記載の電気光学装置に於いて、第一基板の第二面側で、透光領域の外側の領域には遮光層が形成されている事が好ましい。
この構成によれば、見切り板を用いる必要性がないので、見切り板のエッジ等に埃が溜まり、表示不良を引き起こす事態が抑制される。即ち、電気光学装置の表面が平坦となっており、見切り板による段差が形成されていないので、表示領域に相当する空間に埃が溜まる事がなく、これに起因する表示不良が抑制される。換言すると、この構成によると、時間経過に伴うコントラスト比の低下等の表示品質の劣化が生じ難く、高品位な表示を継続する事ができる。

（適用例３） 上記適用例１又は２に記載の電気光学装置に於いて、電気光学パネルには光が入射され、調光装置は電気光学パネルよりも光の入射側に配置されている事が好ましい。
この構成によれば、調光装置は、電気光学パネルの非表示領域に到達する入射光の量を調整する事ができる。

（適用例４） 上記適用例１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置に於いて、反射抑制層を更に備え、反射抑制層と調光装置とは透明導電膜を兼用している事が好ましい。
この構成によれば、透明導電膜が兼用されているので、製造が容易となり、同時に光の透過率を向上させる事ができる。

（適用例５） 上記適用例１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置に於いて、制御装置と計測装置とを更に備え、制御装置は、計測装置による物理量の計測結果に応じて、調光装置を第一光学状態又は第二光学状態とする事が好ましい。
この構成によれば、物理量の計測結果に応じて、調光装置は第一光学状態か第二光学状態とされるので、電気光学パネルの物理量を或る程度制御する事ができる。

（適用例６） 上記適用例１又は２に記載の電気光学装置に於いて、第一光学状態よりも第二光学状態の方が調光装置を透過する光量が小さい事が好ましい。
この構成によれば、電気光学パネルの物理量を増やした方が好ましい際には、調光装置を第一光学状態とし、電気光学パネルの物理量の増加を抑制した方が好ましい際には、調光装置を第二光学状態とし、電気光学パネルの物理量を或る程度制御する事ができる。

（適用例７） 上記適用例５又は６に記載の電気光学装置に於いて、物理量は温度であり、制御装置は、温度が閾値よりも低い際には調光装置を第一光学状態とし、温度が閾値よりも高い際には調光装置を第二光学状態とする事が好ましい。
この構成によれば、電気光学パネルの温度を上げた方が好ましい際には、調光装置を第一光学状態とし、電気光学パネルの温度上昇を抑制した方が好ましい際には、調光装置を第二光学状態とし、電気光学パネルの温度を或る程度制御する事ができる。

（適用例８） 上記適用例１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置に於いて、第一光学状態と第二光学状態とはエレクトロクロミック方式により切り替わる事が好ましい。
この構成によれば、電気的な制御で容易に第一光学状態と第二光学状態とを切り替える事ができる。

（適用例９） 上記適用例１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機器。
この構成によれば、高い表示品位を長時間維持可能な電気光学装置を備えた電子機器を実現する事ができる。

電子機器の一例である投射型表示装置の模式図。 電気光学装置の回路ブロック図。 画素の回路図。 実施形態１に係わる電気光学装置が備える電気光学パネルの全体構成を示す平面図。 実施形態１に係わる電気光学装置が備える電気光学パネルの全体構成を示す断面図。 実施形態１に係わる電気光学装置の入射光側からの平面図。 実施形態１に係わる電気光学装置を説明する断面図。 実施形態１に係わる電気光学装置の一部を説明する図。 実施形態２に係る電気光学装置を説明する断面図。 実施形態３に係わる電気光学装置の一部を説明する断面図。 実施形態４に係わる電気光学装置の一部を説明する断面図。 変形例１に係る電気光学装置の一部を説明する断面図。 変形例２に係る電気光学装置の一部を説明する断面図。 変形例３に係る電気光学装置の一部を説明する断面図。 変形例４に係る電気光学装置の一部を説明する断面図。 変形例５に係る電気光学装置の一部を説明する断面図。 変形例６に係る電気光学装置の一部を説明する断面図。 変形例７に係る電気光学装置の一部を説明する断面図。 変形例８に係る電気光学装置の一部を説明する断面図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。

（実施形態１）
「電子機器の概要」
図１は、電子機器の一例である投射型表示装置（３板式のプロジェクター）の模式図である。以下、図１を参照して電子機器の構成を説明する。

電子機器（投射型表示装置１０００）は、３枚の電気光学装置２００（図２参照、以下、第一表示装置２０１、第二表示装置２０２、第三表示装置２０３と略称する）と、これら電気光学装置２００と各種の信号をやり取りする制御装置３０と、を少なくとも有している。第一表示装置２０１と第二表示装置２０２と第三表示装置２０３とは、相異なる表示色（赤色や緑色、青色）に対応する３個の電気光学装置２００である。以下、特に第一表示装置２０１と第二表示装置２０２と第三表示装置２０３とを区別する必要がなければ、これらを纏めて単に電気光学装置２００と称する。

照明光学系１１００は、照明装置（光源）１２００からの出射光のうち赤色成分ｒを第一表示装置２０１に供給し、緑色成分ｇを第二表示装置２０２に供給し、青色成分ｂを第三表示装置２０３に供給する。各電気光学装置２００は、照明光学系１１００から供給される各色光を表示画像に応じて変調する光変調器（ライトバルブ）として機能する。投射光学系１３００は、各電気光学装置２００からの出射光を合成して投射面１４００に投射する。

以下に説明する様に、本実施形態の電気光学装置２００は、高い表示品位を長時間維持可能であるので、高い表示品位を長時間維持可能な電気光学装置を備えた電子機器が実現される事になる。

「電子機器の回路構成」
図２は、電気光学装置の回路ブロック図である。次に、図２を参照して電気光学装置２００の回路ブロック構成を説明する。

電気光学装置２００は、電気光学パネルと、電気光学パネルを収容する保持部材と、電気光学パネルと保持部材とを固定するフック３９０（図６参照）と、調光装置６０と計測装置７０とを備えている。本実施形態では、電気光学パネルは液晶パネル１００であり、保持部材はフレーム３１０（図６参照）である。

電気回路としては、図２に示す様に、電気光学装置２００は表示領域４０と駆動部５０と調光装置６０と計測装置７０とを少なくとも具備している。電気光学パネルの表示領域４０には、相交差する複数の走査線２２と複数の信号線２３とが形成され、走査線２２と信号線２３との各交差に対応して画素２１が行列状に配列されている。走査線２２は行方向に延在しており、信号線２３は列方向に延在している。尚、走査線２２の内でｉ行目の走査線２２を特定する際には、走査線Ｇｉと表記し、信号線２３の内でｊ列目の信号線２３を特定する際には、信号線Ｓｊと表記する。表示領域４０には、ｍ本の走査線２２とｎ本の信号線２３とが形成されている（ｍは２以上の整数、ｎは２以上の整数）。尚、本実施形態では、ｍ＝２１６８で、ｎ＝４１１２を例として、電気光学装置２００を説明する。この場合、２１６８行×４１１２列の表示領域４０に対し、２１６０行×４０９６行の所謂４Ｋ画像が表示される。

計測装置７０は表示領域４０に付随して配置され、表示領域４０近傍に於ける温度等の物理量を計測する。計測装置７０が計測する物理量が温度である場合、計測装置７０は温度センサーである。計測装置７０が計測する物理量は、他には、例えば、電気光学装置２００に照射される光量で有っても構わない。この場合、計測装置７０はフォトセンサーとなる。

調光装置６０は、調光ミラーデバイスとも呼ばれ、第一光学状態と第二光学状態とを取り得る。本実施形態で、第一光学状態とは、調光装置６０に照射された光の反射率が低くなると共に、調光装置６０を透過する光の透過率が高くなる状態である。一方、第二光学状態とは、調光装置６０に照射された光の反射率が高くなると共に、調光装置６０を透過する光の透過率が低くなる状態である。詳細は後述するが、制御装置３０が、計測装置７０による物理量の計測結果に応じて、調光装置６０を第一光学状態（光の透過状態）と第二光学状態（光の反射状態）とで切り替える。その結果、電気光学パネルの物理量（温度や照射される光量）が或る程度制御され、光照射に伴う電気光学パネルの物理量変化（温度変化等）が或る程度制御される。

表示領域４０には駆動部５０から各種信号が供給され、画像が表示領域４０に表示される。即ち、駆動部５０は、制御装置３０と駆動回路５１とを含み、複数の走査線２２と複数の信号線２３とに駆動信号を供給する。具体的に、駆動部５０は、各画素２１を駆動する駆動回路５１と、駆動回路５１に表示用信号を供給する表示用信号供給回路３２と、フレーム画像を一時的に記憶する記憶回路３３と、調光装置６０に調光用信号を供給する調光信号供給回路３１と、を含んで構成される。記憶回路３３に記憶されたフレーム画像から、表示用信号供給回路３２は表示用信号（画像信号やクロック信号等）やプリチャージ信号等を作製し、これを駆動回路５１に供給する。記憶回路３３には、計測装置７０にて計測された物理量に対する閾値等の情報も記憶されており、調光信号供給回路３１との間で、これらの情報のやり取りを行う。調光信号供給回路３１は計測された物理量に応じて、調光装置６０の光学状態を制御する。

駆動回路５１は走査線駆動回路５２と信号線駆動回路５３とを含んで構成される。走査線駆動回路５２は画素を行方向に選択又は非選択する走査信号を各走査線２２に出力し、走査線２２はこの走査信号を画素２１に伝える。言い換えると、走査信号は選択状態と非選択状態とを有しており、走査線２２は、走査線駆動回路５２からの走査信号を受けて、適宜選択され得る。走査線駆動回路５２は不図示のシフトレジスター回路を備えており、シフトレジスター回路をシフトする信号が、一段毎にシフト出力信号として出力される。このシフト出力信号を用いて走査信号が形成される。信号線駆動回路５３は、走査線２２の選択に同期してｎ本の信号線２３の各々にプリチャージ信号や画像信号を供給する事ができる。

一枚の表示画像は１フレーム期間に形成される。１フレーム期間には各走査線２２が少なくとも一度は選択される。通常は、各走査線２２が一度ずつ選択される。一つの走査線が選択される期間を水平走査期間と呼ぶので、１フレーム期間には少なくともｍ個の水平走査期間が含まれる。１行目走査線Ｇ１から順にｍ行目の走査線Ｇｍまで（或いは、ｍ行目走査線Ｇｍから順に１行目の走査線Ｇ１まで）順次走査線２２が選択されて１フレーム期間が構成されるので、フレーム期間を垂直走査期間とも呼ぶ。

本実施形態で電気光学パネルは素子基板１０（図５参照）を用いて形成され、駆動回路５１や計測装置７０はこの素子基板１０に薄膜トランジスター（ＴＦＴ）等の薄膜素子を用いて形成されている。又、表示用信号供給回路３２と記憶回路３３と調光信号供給回路３１とが制御装置３０に含まれており、制御装置３０は単結晶半導体基板に形成される半導体集積回路で構成されている。表示用信号供給回路３２と記憶回路３３と調光信号供給回路３１とは別々の半導体集積回路（個別の半導体チップ）で有っても構わないし、一つの半導体チップの中に集積されていても良い。この構成以外にも、表示領域４０が素子基板１０に形成され、駆動回路５１は単結晶半導体基板に形成される集積回路としても良いし、表示領域４０も駆動回路５１も単結晶半導体基板に形成される構成としても良い。

「画素の構成」
図３は、各画素の回路図である。次に、図３を参照して画素２１の構成を説明する。

本実施形態の電気光学装置２００は液晶装置であり、電気光学材料は液晶２６となる。図３に示す様に、各画素２１は、液晶素子ＣＬと画素トランジスター２４とを含んで構成される。液晶素子ＣＬは、相対向する画素電極２５と共通電極２７とを有し、これら両電極間に電気光学材料である液晶２６が配置された電気光学素子である。画素電極２５と共通電極２７との間に印加される電界に応じて液晶２６を通過する光の透過率が変化する。

より具体的には、表示領域４０を構成する行列状に形成された複数の画素２１の各々には、画素電極２５及び画素トランジスター２４が形成されている。画素トランジスター２４は、画素電極２５に電気的に接続されており、液晶パネル１００の動作時に画素電極２５と信号線２３との導通及び遮断をスイッチング制御する。画像信号が供給される信号線２３は、画素トランジスター２４のソースに電気的に接続されている。信号線２３に供給される画像信号は、信号線２３毎に線順次で供給されても構わないし、相隣接する複数の信号線２３同士に対して、グループ毎に供給されても良い。

画素トランジスター２４のゲートには、走査線２２が電気的に接続されており、走査線駆動回路５２からは、所定のタイミングで、走査線２２にパルス的に選択信号が供給される。画素電極２５は、画素トランジスター２４のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子である画素トランジスター２４は一定期間だけ導通状態とされる事により、信号線２３から供給される画像信号は所定のタイミングで画素電極２５に書き込まれる。画素トランジスター２４を介して画素電極２５に書き込まれた画像信号は、対向基板２０に形成された共通電極２７との間で一定の期間保持される。尚、物理的に厳密には、トランジスターのソースとドレインとは電位に応じて入れ替わるが、本明細書では、説明を判り易くする為に、画素トランジスター２４で信号線２３と電気的に接続する方をソースと呼び、画素トランジスター２４で画素電極２５と電気的に接続する方をドレインと呼んでいる。

液晶２６は、印加される電圧レベルに応じて分子集合の配向や秩序が変化する事により、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードであれば、画素電位が上昇するに連れて入射光の透過率は減少し、ノーマリーブラックモードであれば、画素電位が上昇するに連れて入射光の透過率は増加し、全体として液晶パネル１００からは画像信号の電位に応じた輝度をもつ光が出射される。

「電気光学パネル」
図４は、実施形態１に係わる電気光学装置が備える電気光学パネル（液晶パネル）の全体構成を示す平面図である。図５は、実施形態１に係わる電気光学装置が備える電気光学パネル（液晶パネル）の全体構成を示す断面図で、図４のＨ−Ｈ´線に於ける断面に相当する。以下、図４と図５とを参照して電気光学パネルの全体構成を説明する。尚、以下の形態に於いて、「○○上に」或いは「○○の上層側に」と記載された場合、○○の上に接する様に配置される場合、或いは○○の上層側に接する様に配置される場合、又は、○○の上に他の構成物を介して配置される場合、或いは○○の上層側に他の構成物を介して配置される場合、又は、○○の上に一部が接する様に配置され一部が他の構成物を介して配置される場合、或いは○○の上層側に一部が接する様に配置され一部が他の構成物を介して配置される場合、を表すものとする。

図４に示す様に、電気光学パネルは、表示領域４０を備え、本実施形態では、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードやＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの透過型の液晶パネル１００である。液晶パネル１００は、素子基板１０と対向基板２０とが対向配置されて構成されている。素子基板１０は、例えば、ガラス基板若しくは石英基板等の透明基板からなり、対向基板２０は、例えば、ガラス基板若しくは石英基板等の透明基板からなる。素子基板１０と対向基板２０との間には液晶２６が封入されている。液晶２６は、一種類又は数種類の液晶が混合され、一対の基板間で所定の配向状態を取っている。

素子基板１０と対向基板２０とは、表示領域４０の周囲に位置するシール領域に設けられたシール材１８により、相互に接着されている。表示領域４０には複数の画素電極２５が配置されている。シール材１８は、両基板を貼り合わせると共に液晶２６を維持する為の物であり、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂等からなる。シール材１８は、製造時には、素子基板１０上に塗布された後、対向基板２０が配置され、その後紫外線照射や加熱等により硬化させられた物である。シール材１８の中には、素子基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とする為のグラスファイバーやガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材をシール材１８に混入する構成に加えて、若しくは代えて、表示領域４０又は表示領域４０の外周に位置する外周領域に、ギャップ材を配置する構成としても良い。

シール材１８が配置されたシール領域の内側に並行して、表示領域４０の額縁領域を部分的に規定する対向側遮光膜１９が対向基板２０側に設けられている。対向側遮光膜１９は、対向基板２０に遮光性材料が額縁状に形成されており、表示領域４０を部分的に規定している。尚、平面視にて表示領域４０以外の領域を非表示領域と称する。

表示領域４０の外周領域のうち、シール材１８が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、素子基板１０の一辺に沿って、信号線駆動回路５３及び外部接続端子１０２が設けられている。走査線駆動回路５２は、この一辺に交差する二辺に沿い、且つ、額縁状に形成された対向側遮光膜１９に覆われる様に設けられている。更に、この様に表示領域４０の両側に設けられた二つの走査線駆動回路５２間を接続する為に、素子基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁状に形成された対向側遮光膜１９に覆われる様にして複数の配線１０５が設けられている。

次に、図５を参照して、素子基板１０と対向基板２０とを説明する。尚、以下の説明にて、素子基板１０に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは素子基板１０の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板２０が位置する側）を意味し、下層側或いは裏面側とは素子基板１０の基板本体が位置する側を意味する。又、対向基板２０に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは対向基板２０の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板１０が位置する側）を意味し、下層側或いは裏面側とは対向基板２０の基板本体が位置する側を意味する。

素子基板１０上で、対向基板２０の４つの角部に対向する領域には、両基板間を上下導通材で接続する為の上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通が取られている。

素子基板１０上には、画素スイッチング素子である画素トランジスター２４（図３参照）や走査線２２（図３参照）、信号線２３（図３参照）等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。この積層構造の詳細な構成については図５では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、図５に示す様に、画素電極２５が設けられている。画素電極２５は典型的にはインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）等の透明導電膜により、画素２１毎に所定のパターンで島状に形成され、入射光を透過させる。

画素電極２５は、共通電極２７に対向する様に、素子基板１０上の表示領域４０に形成されている。素子基板１０における液晶２６の面する側の表面、即ち画素電極２５上には、配向膜１６が画素電極２５を覆う様に形成されている。

対向基板２０で、素子基板１０との対向面上には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極２７が複数の画素電極２５と対向する様に形成されている。又、カラー表示を行う為に、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、不図示のカラーフィルターを対向基板２０に形成しても良い。共通電極２７上には、配向膜１７が形成されている。尚、対向基板２０上に格子状又はストライプ状に遮光膜を形成し、画素２１間に非開口領域を設けても良い。

尚、図４及び図５に示した素子基板１０上には、上述した信号線駆動回路５３、走査線駆動回路５２等の駆動回路に加えて、画像信号をサンプリングして信号線２３に供給する不図示のサンプリング回路や、複数の信号線２３に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給する不図示のプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶パネル１００の品質、欠陥等を検査する為の不図示の検査回路等を形成しても良い。

「電気光学装置の全体構成」
図６は、実施形態１に係わる電気光学装置の入射光側からの平面図である。図７は、電気光学装置を説明する断面図であり、図７は図６のＩ−Ｉ’に於ける断面に相当している。以下、図６と図７とを参照して電気光学装置２００の全体構成を説明する。尚、図６以降の図では、図４及び図５に示した液晶パネル１００の詳細構造を適宜省略して図示している。

図６と図７とに示す様に、電気光学装置２００は、表示領域４０を有する電気光学パネル（液晶パネル１００、素子基板１０と対向基板２０とを図７に図示）と、電気光学パネルを収容する保持部材（フレーム３１０）と、電気光学パネルの第一面（対向基板２０の裏面）に配置された第一基板６１（第一の表側保護基板）と第二基板６２（第二の表側保護基板）と、電気光学パネルの第二面（素子基板１０の裏面）に配置された第三基板６３（裏側保護基板）と、電気光学パネルを保持部材に固定するフック３９０と、調光装置６０と、を備えている。調光装置６０は第一基板６１と第二基板６２との間に形成されている。電気光学装置２００の外部接続端子１０２にはフレキシブル基板１０７が接続されている。液晶パネル１００は、側面側からフレーム３１０によって保持されると共に、下方からフック３９０によって保持されて、保持部材に収容されている。又、電気光学パネルと第一基板６１と第二基板６２と第三基板６３との側面は、接着剤５００によって固定されている。

第一基板６１と第二基板６２と第三基板６３とは、本実施形態では、ガラスであり、電気光学パネルを外力から保護すると共に、電気光学パネルに埃や塵が浸入するのを防ぐ役割を担っており、保護基板とも呼ばれる。又、保護基板は防塵ガラスとも呼ばれる。但し、保護基板は上述の機能を果たせば、ガラスに限られることはなく、シクロオレフィンポリマー等の透明樹脂基板等であっても良い。

図６に示す様に、電気光学装置２００は、その中央部に透光領域４１０が形成されており、透光領域４１０の内側に表示領域４０が配置されている。図７（ａ）に示す様に、透光領域４１０の外側の境界は調光装置６０及び遮光層６００で規定されている。即ち、平面視にて、調光装置６０及び遮光層６００とで囲まれた内側の領域が透光領域４１０で、透光領域４１０では、所定の光が透過する。要するに、第一基板６１と第二基板６２とは透光領域４１０を有し、第一基板６１の第一面（入射光ＩＬ側の面）で透光領域４１０の外側の領域には、調光装置６０が形成されている。又、第一基板６１の第二面（第一面と反対の面）側で、透光領域の外側の領域には遮光層６００が形成されている。更に、保護基板の入射光ＩＬ側の最表面には（本実施形態では、第二基板６２の第二面（入射光ＩＬ側の面））には反射抑制層６５が備えられており、第二基板６２の第一面（第二面と反対の面）で透光領域４１０の外側の領域には、調光装置６０が形成されている。調光装置６０と遮光層６００とは、平面視でほぼ同じ領域に重なり合って形成されている。この結果、調光装置６０が形成された領域では、透光領域４１０を透過する光は遮光され、調光装置６０の光学状態に応じて、入射光ＩＬは調光装置６０で反射されるか、或いは、遮光層６００に照射される。本実施形態では、透光領域４１０は透明で、可視光を透過させるが、特別の色専用の電気光学パネルで有れば、透光領域４１０は少なくともその色を透過させる。従って、電気光学パネルが、例えば、赤色用の第一表示装置２０１に用いられていれば、透光領域４１０は少なくとも赤色光を透過させる。

フレキシブル基板１０７は、液晶パネル１００の外部接続端子１０２に接合されている。フレキシブル基板１０７は、上述の液晶パネル１００の電気光学動作に要する種々の制御信号を送る為の信号配線を含む基板であり、例えばポリイミド等の基材に信号配線等がパターニングされている。フレキシブル基板１０７上には、液晶パネル１００や調光装置６０を駆動する駆動部５０の少なくとも一部を含む半導体集積回路が配置されていても良い。本実施形態では、フレキシブル基板１０７の液晶パネル１００に接続された一端とは反対側の他端は、フレーム３１０の外側に引き出されており、液晶パネル１００の電気光学動作に要する種々の制御信号を供給する表示用信号供給回路３２に接続されている。又、フレキシブル基板１０７を介して調光信号供給回路３１は調光装置６０に調光用信号を供給する。

フレーム３１０は、液晶パネル１００を上方及び側面側から保持する。フレーム３１０は、例えば鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム等の熱導電性に優れた金属を含んで構成されており、液晶パネル１００を保持すると共に、液晶パネル１００からの放熱を行う。フレーム３１０により、液晶パネル１００に熱が蓄積して、温度が上昇するのが或る程度抑制される。温度上昇は、液晶パネル１００に動作不良等の種々の不具合をもたらすので、フレーム３１０を介した放熱作用によって、これらの不具合は或る程度抑制される。又、熱に伴う電気光学装置２００の構成部材の歪みを軽減する事によって、装置内に生じる応力を軽減する事ができる。

図６に示す様に、フレーム３１０には複数のネジ穴７５０が設けられている。ネジ穴７５０にはボルト７６０が貫通可能であり、このボルト７６０を締め付ける事によってフレーム３１０を不図示の外部部材に固定する。不図示の外部部材とは、一例としては、電気光学装置２００を具備する電子機器（例えば、投射型表示装置１０００）に、電気光学装置２００が取り付けられる際に、投射型表示装置１０００の内壁に取り付ける為の治具部材である。

フック３９０は、入射光ＩＬ側の反対側に位置する背面側から、液晶パネル１００を保持する。フック３９０は、側面に設けられた不図示の開口部を、フレーム３１０に設けられた不図示の凸部に引っ掛ける事で、フレーム３１０と電気光学パネルとを固定する。

調光装置６０は、図７（ａ）に示す様に、透明な第一基板６１と透明な第二基板６２との間にエレクトロクロミック層６４を挟持してなる。より具体的には、第一基板６１の第一面（入射光ＩＬ側の面）には第一透明導電膜６１１が形成されており、第二基板６２の第一面（入射光ＩＬ側の反対の面）には第二透明導電膜６２１が形成されており、第一透明導電膜６１１と第二透明導電膜６２１とにエレクトロクロミック層６４が挟まれている。本実施形態では第一基板６１も第二基板６２も透明なガラス基板であり、具体的には石英ガラスが用いられている。エレクトロクロミック層６４に関しては後述するが、これにより、調光装置６０では、第一光学状態（光の透過状態）と第二光学状態（光の反射状態）とがエレクトロクロミック方式により切り替わる。即ち、電気的な制御で容易に調光装置６０の第一光学状態（光の透過状態）と第二光学状態（光の反射状態）とが切り替えられる。

第一光学状態（光の透過状態）よりも第二光学状態（光の反射状態）の方が調光装置６０を透過する光量が小さいので、電気光学パネルの物理量を増やした方が好ましい際には（例えば、温度を上昇させた方が好ましい際には）、調光装置６０を第一光学状態（光の透過状態）として入射光ＩＬを遮光層６００に照射する。その反対に、電気光学パネルの物理量の増加を抑制した方が好ましい際には（例えば、温度上昇を抑制した方が好ましい際には）、調光装置６０を第二光学状態（光の反射状態）として入射光ＩＬを調光装置６０にて反射させる。この様にして、電気光学パネルの物理量（温度や照射される光量）は調光装置６０により或る程度制御される。

具体的には、制御装置３０は、記憶回路３３に記憶されている閾値の温度（閾値温度）と計測装置７０により計測された温度（計測温度）とを比較し、計測温度が閾値温度よりも低い際には調光装置６０を第一光学状態（光の透過状態）として、電気光学装置２００の温度上昇を促進する。一方、計測温度が閾値温度よりも高い際には調光装置６０を第二光学状態（光の反射状態）として、電気光学装置２００の温度上昇を抑制する。この様にして、調光装置６０が電気光学パネルの非表示領域に照射される光量を調整し、電気光学パネルの温度を或る程度制御する。

本願発明者が鋭意研究した所によると、従来の液晶装置で時間の経過と共に表示品質が劣化する原因は、時間経過に伴う大きな温度変化にある事が判明した。従来の液晶装置では、調光装置６０を有さぬが故、時間経過等に起因する液晶パネルの温度変化は非常に大きかった。大きな温度変化は、液晶２６の応答速度や画素トランジスター２４のオフ電流値などを大きく変化させる。この為に、従来の液晶装置では、液晶装置を使用し始めた直後と長時間使用した後とでは、表示品位が異なっていた。これに対して、本実施形態の電気光学装置２００では、調光装置６０が電気光学パネルの非表示領域に照射される光量を調整するので、時間経過に伴う電気光学装置２００の温度変化が抑制される。この結果、表示品質の変化も抑制され、高品位な表示を長時間に渡り継続する事が可能となっている。

又、従来の液晶装置は防塵ガラス（本実施形態の第二基板６２に相当）を見切り板が固定していた。本願発明人が鋭意研究した所によると、従来の液晶装置が時間の経過と共に表示品質を劣化させる原因は、見切り板のエッジに埃が溜まる為である。これにより、コントラスト比の低下や薄暗いぼやけが発生して、表示品質を低下させていた。取り分け、液晶装置が液晶プロジェクターに適応された場合、ファンによる冷却風が防塵ガラスや見切り板に平行して流れるので、見切り板のエッジには埃が溜まりやすく、それ故に、表示品位の経時劣化が生じていた。

これに対して、本実施形態の電気光学装置２００では、図７（ａ）に示す様に、第一基板６１が遮光層６００を含んでいるので、従来技術で使用されていた見切り板を用いる必要性がない。見切り板が用いられていないので、当然、見切り板のエッジ等に埃が溜まり、表示不良を引き起こす事態は発生し得ない。要するに、第二基板６２の第二面（入射光ＩＬ側の面、裏面）が平坦となっており、第二基板６２の裏面で、透光領域４１０とその近傍には段差が形成されていないので、表示領域４０に相当する空間に埃が溜まる事が抑制され、これに起因する表示不良も抑制される。斯うして電気光学装置２００は、時間経過に伴うコントラスト比の低下等の表示品質の劣化が生じ難く、高品位な表示を継続する事ができる様になる。

尚、対向基板２０の非開口領域には対向側遮光膜１９が形成されているので、図７（ｂ）に示す様に、遮光層６００を形成しない構成としても良い。

「調光装置」
図８は、実施形態１に係わる電気光学装置の一部を説明する図で、（ａ）は電気光学装置で用いられている調光装置等の一部の断面構造を説明する図で、（ｂ）はその製造方法の一例を説明する図である。次に、図８を参照して、実施形態１に係わる調光装置６０を説明する。

図８（ａ）に示す様に、反射抑制層６５は異なった屈折率を有する膜が積層されており、入射光ＩＬの反射を抑制し、透過率を高める。本実施形態では、酸化珪素膜（ＳｉＯ₂）６５１と酸化ジルコニウム膜（ＺｒＯ₂）６５２とが交互に積層されている。

遮光層６００は、保護基板で電気光学パネルに接する側の面に（本実施形態では、第一基板の裏面に）形成され、電気光学パネルの第一面（対向基板２０の裏面）と保護基板の一つの面とが対面して配置される。遮光層６００は、上方からの入射光を遮光する物であれば、如何なる材料であっても構わない。例えば、金属膜を遮光層６００として用い、上方からの入射光を反射して、電気光学パネルの外周領域を遮光しても良い。この場合、遮光層６００は反射により非遮光体を遮光する。或いは、黒色の顔料インクをインクジェット法等の塗布法で保護基板に塗布して遮光層６００としても良い。この場合、遮光層６００は光の吸収により非遮光体を遮光する。本実施形態では、防塵ガラスにクロム膜（Ｃｒ）６０１と酸化クロム膜（ＣｒＯ₂）６０２とを蒸着して、遮光層６００を形成した。斯うすると、蒸着法と言った簡単な製造方法で遮光層６００を形成する事ができる。

調光装置６０は第一基板６１と第二基板６２との間にエレクトロクロミック層６４を挟持している。エレクトロクロミック層６４は、第一透明導電膜６１１の表面に形成されたイオン貯蔵層６４２と、イオン貯蔵層６４２の表面に形成された固体電解質層６４３と、固体電解質層６４３の表面に形成された触媒層６４４と、触媒層６４４の表面に形成された調光ミラー層６４５とを含んでいる。本実施形態では、更に第二基板６２の表面に第二透明導電膜６２１が形成されており、第二透明導電膜６２１は調光ミラー層６４５に接している。調光ミラー層６４５の電気伝導性が高い場合、第二透明導電膜６２１を省いても良い。第二透明導電膜６２１は、調光ミラー層６４５の平面視に於ける電位分布を均一化する為に設けられている。

第一透明導電膜６１１と第二透明導電膜６２１はＩＴＯ等の透明導電膜からなる。イオン貯蔵層６４２は、第一光学状態（光の透過状態）では酸化タングステン（ＷＯ₃）であるが、第二光学状態（光の反射状態）ではエレクトロクロミック現象を担うイオンを貯蔵する。本実施形態ではエレクトロクロミック現象を担うイオンは水素イオンであり、イオン貯蔵層６４２は第二光学状態（光の反射状態）では水素化酸化タングステン（Ｈ_xＷＯ₃）である。固体電解質層６４３はエレクトロクロミック現象を担うイオンを選択的に通過させる。本実施形態では、固体電解質層６４３は有機電解質であり、プロトンを通過させるが、この機能を有せば、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）等の無機電解質で有っても構わない。調光ミラー層６４５は、第一光学状態（光の透過状態）では金属水素化物で透明となり、第二光学状態（光の反射状態）では金属で光を反射させる。この様に、調光ミラー層６４５は、エレクトロクロミック現象を担うイオンを受け入れた際に第一光学状態を取り、エレクトロクロミック現象を担うイオンを放出した際に第二光学状態を取る。本実施形態では、調光ミラー層６４５は、第一光学状態（光の透過状態）ではマグネシウムニッケル水素化物であり、第二光学状態（光の反射状態）ではマグネシウムニッケル合金（Ｍｇ−Ｎｉ）である。触媒層６４４は、斯うした調光ミラー層６４５での化学反応を触媒し、本実施形態ではパラジウム（Ｐｄ）である。

調光装置６０では第一透明導電膜６１１の電位に対して調光ミラー層６４５（又は第二透明導電膜６２１）を高電位（例えば＋５Ｖ）とすると、イオン貯蔵層６４２（水素化酸化タングステン）の水素イオンが固体電解質層６４３を通り抜けて、触媒層６４４（パラジウム）の触媒作用で調光ミラー層６４５の金属（マグネシウムニッケル合金）を金属水素化物（マグネシウムニッケル水素化物）に変えて、第一光学状態へと変わる。一方、第一透明導電膜６１１の電位に対して調光ミラー層６４５（又は第二透明導電膜６２１）を低電位（例えば−５Ｖ）とすると、調光ミラー層６４５の金属水素化物（マグネシウムニッケル水素化物）の水素イオンがイオン貯蔵層６４２（酸化タングステン）に戻り、調光ミラー層６４５は金属（マグネシウムニッケル合金）に復帰して第二光学状態へと変わる。これがエレクトロクロミック方式による光学状態の遷移原理である。

次に、図８（ｂ）を参照して、調光装置６０の製造方法を説明する。まず、第一基板６１の第一面（表面）に第一透明導電膜６１１を成膜する。次いで第一透明導電膜６１１にイオン貯蔵層６４２を成膜する。一方、第二基板６２の第一面（表面）に第二透明導電膜６２１を成膜する。次いで第二透明導電膜６２１に調光ミラー層６４５を成膜し、更に連続して触媒層６４４を成膜する。これらの成膜は蒸着法やスパッター法等の物理気相堆積法（ＰＶＤ法）が適応される。斯うした状態で、イオン貯蔵層６４２の表面に、接着後は固体電解質層６４３となる接着性電解液５４３を塗布する。接着性電解液５４３は、溶媒と混合する事でゲル状に変化するゲル化剤を、支持電解質を溶媒に分散させた電解液と混合し攪拌した後に、紫外線照射で硬化する紫外線硬化樹脂と混合して攪拌する事で得られる。接着性電解液５４３をイオン貯蔵層６４２の表面に塗布した後（或いは触媒層６４４の表面に塗布した後）、第一基板６１の第一面と第二基板６２の第一面とが対面する様に貼り合わせ、紫外線を照射する事で、接着性電解液５４３は固体電解質層６４３へと変わり、調光装置６０が製造される。

以上述べた様に、本実施形態に係る電気光学装置２００では、温度や電気光学パネルに照射される光量が制御されるので、表示品位の経時劣化が抑制される。又、斯うした優れた電気光学装置２００を備えた電子機器が実現される。

（実施形態２）
「計測装置を備えた形態」
図９は、実施形態２に係る電気光学装置を説明する断面図である。以下、図９を参照して実施形態２に係わる電気光学装置２００を説明する。尚、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。

図７に示される実施形態１では、計測装置７０は電気光学パネルにＴＦＴを用いて内蔵されていた。これに対して、図９に示す様に、本実施形態の電気光学装置２００では、計測装置７０が第一基板６１と第二基板６２との間に形成されている点が異なっている。それ以外の構成は、実施形態１とほぼ同様である。

図９（ａ）に示す様に、本実施形態の電気光学装置２００では、計測装置７０（熱電対の計測部）が第一基板６１と第二基板６２との間に配置されている。これにより高精度に温度を計測する事が可能となっている。

尚、対向基板２０の非開口領域には対向側遮光膜１９が形成されているので、図９（ｂ）に示す様に、遮光層６００を形成しない構成としても良い。

（実施形態３）
「透明導電膜を共用する形態」
図１０は、実施形態３に係わる電気光学装置の一部を説明する断面図である。以下、図１０を参照して実施形態３に係わる電気光学装置２００を説明する。尚、実施形態１乃至２と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。

図７（ａ）に示される実施形態１では、第二基板６２が第一基板６１よりも入射光ＩＬ側に配置されていた。これに対して、図１０に示す様に、本実施形態の電気光学装置２００では、第一基板６１が第二基板６２よりも入射光ＩＬ側に配置され、調光装置６０等の断面視に於ける位置関係が多少異なっている。それ以外の構成は、実施形態１乃至２とほぼ同様である。

図１０に示す様に、本実施形態の電気光学装置２００では、第二基板６２の第一面（入射光ＩＬ側の反対の面）に遮光層６００が形成されており、第二基板６２の第二面（入射光ＩＬ側の面）と第一基板６１の第二面とが不図示の接着剤で接着されている。更に、第一基板６１の第一面（入射光ＩＬ側の面）には調光装置６０と反射抑制層６５とが形成されている。図８（ａ）に示す実施形態１では、反射抑制層６５は酸化珪素膜（ＳｉＯ₂）６５１と酸化ジルコニウム膜（ＺｒＯ₂）６５２とが交互に積層されていたが、本実施形態では、反射抑制層６５は酸化珪素膜（ＳｉＯ₂）６５１と透明導電膜（ＩＴＯ）６５３とが交互に積層されている。そして、反射抑制層６５と調光装置６０とは少なくとも一つの透明導電膜を兼用している。本実施形態では、調光装置６０を構成する第二透明導電膜６２１と反射抑制層６５を構成する透明導電膜６５３とが兼用されている。即ち、この透明導電膜は、透光領域４１０では反射抑制層６５の一部として機能しており、透光領域４１０の外側の領域では調光装置６０に利用されている。この様に、透明導電膜が兼用されていると、製造が容易となり、同時に光の透過率も向上される。

（実施形態４）
「基板を兼用する形態」
図１１は、実施形態４に係わる電気光学装置の一部を説明する断面図である。以下、図１１を参照して実施形態４に係わる電気光学装置２００を説明する。尚、実施形態３と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。

図１０に示される実施形態３では、第一基板６１と第二基板６２とが用いられていた。これに対して、図１１に示す様に、本実施形態の電気光学装置２００では、第一基板６１が第二基板６２を兼用している点が異なっている。それ以外の構成は、実施形態３とほぼ同様である。

図１１に示す様に、本実施形態の電気光学装置２００では、第一基板６１の第一面（入射光ＩＬ側の面）に調光装置６０と反射抑制層６５とが形成され、第一基板６１の第二面（入射光ＩＬ側の反対の面）に遮光層６００が形成されている。斯うした構成としても、実施形態３と同じ効果が得られる。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置２００、及び該電気光学装置２００を備えた電子機器も又本発明の技術的範囲に含まれるものである。又、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加える事も可能である。変形例を以下に述べる。

（変形例１）
「製造方法が異なる形態１」
図１２は、変形例１に係る電気光学装置の一部を説明する断面図である。本変形例は実施形態１乃至２の変形例であり、実施形態１乃至２と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。

図８（ｂ）に示される実施形態１では、接着性電解液５４３を用いて調光装置６０が製造されていた。これに対して、本変形例では、図１２に示す様に、第二基板６２に第二透明導電膜６２１とエレクトロクロミック層６４とを形成し、第一基板６１に第一透明導電膜６１１を形成し、その後に両基板を接合して調光装置６０を製造している。斯うした方法としても実施形態１乃至２と同じ効果が得られる。

（変形例２）
「製造方法が異なる形態２」
図１３は、変形例２に係る電気光学装置の一部を説明する断面図である。本変形例は実施形態１乃至２の変形例であり、実施形態１乃至２と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。

図８（ｂ）に示される実施形態１では、接着性電解液５４３を用いて調光装置６０が製造されていた。これに対して、本変形例では、図１３に示す様に、第二基板６２に第二透明導電膜６２１を形成し、第一基板６１に第一透明導電膜６１１とエレクトロクロミック層６４とを形成し、その後に両基板を接合して調光装置６０を製造している。斯うした方法としても実施形態１乃至２と同じ効果が得られる。

（変形例３）
「製造方法が異なる形態３」
図１４は、変形例３に係る電気光学装置の一部を説明する断面図である。本変形例は実施形態１乃至２の変形例であり、実施形態１乃至２と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。

図８（ｂ）に示される実施形態１では、接着性電解液５４３を用いて調光装置６０が製造されていた。又、第二透明導電膜６２１は調光装置６０が形成される部位に配置されていた。これに対して、本変形例では、図１４に示す様に、第二基板６２に第二透明導電膜６２１とエレクトロクロミック層６４とを形成し、第一基板６１に第一透明導電膜６１１を形成し、その後に両基板を接合して調光装置６０を製造している。又、第二透明導電膜６２１は透光領域４１０にも形成されている。斯うした方法としても実施形態１乃至２と同じ効果が得られる。

（変形例４）
「製造方法が異なる形態４」
図１５は、変形例４に係る電気光学装置の一部を説明する断面図である。本変形例は実施形態１乃至２の変形例であり、実施形態１乃至２と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。

図８（ｂ）に示される実施形態１では、接着性電解液５４３を用いて調光装置６０が製造されていた。又、第二透明導電膜６２１は調光装置６０が形成される部位に配置されていた。これに対して、本変形例では、図１５に示す様に、第二基板６２のほぼ全面に第二透明導電膜６２１を形成し、第一基板６１に第一透明導電膜６１１とエレクトロクロミック層６４とを形成し、その後に両基板を接合して調光装置６０を製造している。又、第二透明導電膜６２１は透光領域４１０にも形成されている。斯うした方法としても実施形態１乃至２と同じ効果が得られる。

（変形例５）
「製造方法が異なる形態５」
図１６は、変形例５に係る電気光学装置の一部を説明する断面図である。本変形例は実施形態１乃至２の変形例であり、実施形態１乃至２と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。

図８（ｂ）に示される実施形態１では、接着性電解液５４３を用いて調光装置６０が製造されていた。又、第一透明導電膜６１１は調光装置６０が形成される部位に配置されていた。これに対して、本変形例では、図１６に示す様に、第二基板６２に第二透明導電膜６２１とエレクトロクロミック層６４とを形成し、第一基板６１のほぼ全面に第一透明導電膜６１１を形成し、その後に両基板を接合して調光装置６０を製造している。又、第一透明導電膜６１１は透光領域４１０にも形成されている。斯うした方法としても実施形態１乃至２と同じ効果が得られる。

（変形例６）
「製造方法が異なる形態６」
図１７は、変形例６に係る電気光学装置の一部を説明する断面図である。本変形例は実施形態１乃至２の変形例であり、実施形態１乃至２と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。

図８（ｂ）に示される実施形態１では、接着性電解液５４３を用いて調光装置６０が製造されていた。又、第一透明導電膜６１１は調光装置６０が形成される部位に配置されていた。これに対して、本変形例では、図１７に示す様に、第二基板６２に第二透明導電膜６２１を形成し、第一基板６１に第一透明導電膜６１１とエレクトロクロミック層６４とを形成し、その後に両基板を接合して調光装置６０を製造している。又、第一透明導電膜６１１は透光領域４１０にも形成されている。斯うした方法としても実施形態１乃至２と同じ効果が得られる。

（変形例７）
「透明導電膜が異なる形態１」
図１８は、変形例７に係る電気光学装置の一部を説明する断面図である。本変形例は実施形態３の変形例であり、実施形態３と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。

図１０に示される実施形態３では、第一透明導電膜６１１は調光装置６０が形成される部位に配置されていた。これに対して、本変形例では、図１８に示す様に、第一透明導電膜６１１は第一基板６１の第一面のほぼ総ての領域に形成されている。即ち、第一透明導電膜６１１は透光領域４１０にも形成されている。斯うした方法としても実施形態３と同じ効果が得られる。

（変形例８）
「透明導電膜が異なる形態２」
図１９は、変形例８に係る電気光学装置の一部を説明する断面図である。本変形例は実施形態４の変形例であり、実施形態４と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。

図１１に示される実施形態４では、第一透明導電膜６１１は調光装置６０が形成される部位に配置されていた。これに対して、本変形例では、図１９に示す様に、第一透明導電膜６１１は第一基板６１の第一面のほぼ総ての領域に形成されている。即ち、第一透明導電膜６１１は透光領域４１０にも形成されている。斯うした方法としても実施形態４と同じ効果が得られる。

１０…素子基板、１６…配向膜、１７…配向膜、１８…シール材、１９…対向側遮光膜、２０…対向基板、２１…画素、２２…走査線、２３…信号線、２４…画素トランジスター、２５…画素電極、２６…液晶、２７…共通電極、３０…制御装置、３１…調光信号供給回路、３２…表示用信号供給回路、３３…記憶回路、４０…表示領域、５０…駆動部、５１…駆動回路、５２…走査線駆動回路、５３…信号線駆動回路、６０…調光装置、６１…第一基板、６２…第二基板、６３…第三基板、６４…エレクトロクロミック層、６５…反射抑制層、７０…計測装置、１００…液晶パネル、１０２…外部接続端子、１０５…配線、１０６…上下導通端子、１０７…フレキシブル基板、２００…電気光学装置、２０１…第一表示装置、２０２…第二表示装置、２０３…第三表示装置、３１０…フレーム、３９０…フック、４１０…透光領域、５００…接着剤、５４３…接着性電解液、６００…遮光層、６１１…第一透明導電膜、６２１…第二透明導電膜、６４２…イオン貯蔵層、６４３…固体電解質層、６４４…触媒層、６４５…調光ミラー層、６５３…透明導電膜、７５０…ネジ穴、７６０…ボルト、１０００…投射型表示装置、１１００…照明光学系、１３００…投射光学系、１４００…投射面。

Claims (9)

1. 表示領域を有する電気光学パネルと、
   透光領域を有する第一基板と、
   を備え、
   前記第一基板の第一面で前記透光領域の外側の領域には、第一光学状態と第二光学状態とを取り得る調光装置が形成されており、
   前記表示領域と前記透光領域とは、平面視にて、少なくとも部分的に重なり合う事を特徴とする電気光学装置。
2. 前記第一基板の第二面側で、前記透光領域の外側の領域には遮光層が形成されている事を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記電気光学パネルには光が入射され、
   前記調光装置は前記電気光学パネルよりも前記光の入射側に配置されている事を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 反射抑制層を更に備え、
   前記反射抑制層と前記調光装置とは透明導電膜を兼用している事を特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 制御装置と計測装置とを更に備え、
   前記制御装置は、前記計測装置による物理量の計測結果に応じて、前記調光装置を前記第一光学状態又は前記第二光学状態とする事を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記第一光学状態よりも前記第二光学状態の方が前記調光装置を透過する光量が小さい事を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
7. 前記物理量は温度であり、
   前記制御装置は、前記温度が閾値よりも低い際には前記調光装置を前記第一光学状態とし、前記温度が前記閾値よりも高い際には前記調光装置を前記第二光学状態とする事を特徴とする請求項５又は６に記載の電気光学装置。
8. 前記第一光学状態と前記第二光学状態とはエレクトロクロミック方式により切り替わる事を特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機器。

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