CN114545738A - 正型感光性树脂组合物 - Google Patents

正型感光性树脂组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN114545738A
CN114545738A CN202111396375.0A CN202111396375A CN114545738A CN 114545738 A CN114545738 A CN 114545738A CN 202111396375 A CN202111396375 A CN 202111396375A CN 114545738 A CN114545738 A CN 114545738A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin composition
photosensitive resin
positive photosensitive
general formula
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111396375.0A
Other languages
English (en)
Inventor
武田隆信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ajinomoto Co Inc
Original Assignee
Ajinomoto Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ajinomoto Co Inc filed Critical Ajinomoto Co Inc
Publication of CN114545738A publication Critical patent/CN114545738A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1039Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors comprising halogen-containing substituents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1042Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/36Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
    • C08K5/37Thiols
    • C08K5/378Thiols containing heterocyclic rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明的课题是提供可以得到极限分辨力优异、热膨胀系数及弹性模量低、伸长率高、翘曲量被抑制、并且介电特性优异的固化物的正型感光性组合物等。本发明的解决手段是一种正型感光性树脂组合物,其中,含有(A)在分子内具有羟基羰基的聚酰亚胺树脂、及(B)光致酸产生剂。

Description

正型感光性树脂组合物
技术领域
本发明涉及正型感光性树脂组合物。进而涉及使用该正型感光性树脂组合物而得到的半导体封装基板、半导体装置、及半导体封装基板的制造方法。
背景技术
近年来,在半导体元件的表面保护膜、层间绝缘膜中使用了兼具优异的耐热性和绝缘特性、机械特性等的聚酰亚胺树脂。例如,在专利文献1中记载了,在聚酰亚胺前体中引入酯键的方法、具有光聚合性烯烃的可溶性聚酰亚胺、具有二苯甲酮骨架且在氮原子结合的芳环的邻位具有烷基的自敏化型聚酰亚胺等。
此外,最近提出了可以用碱水溶液进行显影的正型的感光性树脂。作为这种树脂,例如,专利文献2中记载了为正型的可溶性聚苯并噁唑前体,专利文献3中记载了在羟苯基取代酰亚胺中混合萘醌二叠氮化合物的方法、在可溶性聚酰亚胺中经由酯键引入萘醌二叠氮基的方法等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2018-197863号公报
专利文献2:日本特开2011-128358号公报
专利文献3:国际公开第2010/047271号。
发明内容
发明要解决的技术问题
随着近年来通信设备中的通信的高速化、大容量化,对于通信设备的半导体封装基板中使用的感光性树脂组合物也要求固化物的介电常数低且介电损耗低这样的优异的介电特性。此外,封装的再布线中使用的层叠数也要求从2层变为4层、5层这样的多层层叠化,因此要求用以抑制层叠基板的翘曲的感光性树脂组合物的固化物的热膨胀系数(CTE)降低、进而还要求用以增加封装本身的机械强度、可靠性、耐冲击性的高拉伸强度(伸长率)和高弹性模量。
专利文献1~3中记载的感光性树脂组合物并非能够满足5G通信用途所要求的低介电常数、低介电损耗的特性的组合物,进而在制造封装的多层膜时,有时因热或冲击等所产生的应力而在基板上产生翘曲。
此外,关于专利文献1的负型感光性聚酰亚胺,需要在显影液中使用有机溶剂,增加了制造半导体封装时的环境负荷,并且由于感光性组合物树脂为聚酰亚胺前体,在酰亚胺化中所需的固化温度需要为250℃以上,且对于所得的机械物性或介电特性而言,由于不完全的酰亚胺化,固化后膜的性能也不能说是充分的。
关于专利文献2、3,为了确保采用碱水溶液时的显影性能而需要引入羟苯基,但由此而无法避免介电特性、机械特性的劣化。此外,绝缘层图案形成时的分辨力、图案形状也不满足要求。
本发明是鉴于上述技术问题而完成的发明,其目的在于提供能够得到下述固化物的正型感光性组合物、使用该正型感光性树脂组合物而得的半导体封装基板、半导体装置、及半导体封装基板的制造方法;对于所述固化物而言,通过碱水溶液显影,能够以适当的图案形状形成绝缘层、即极限分辨力(限界解像性)优异、热膨胀系数低、伸长率高、翘曲量被抑制、并且介电特性优异。
用于解决技术问题的技术手段
本发明人等进行了深入研究,结果发现,通过在正型感光性树脂组合物中含有特定的聚酰亚胺树脂及酸产生剂,从而可以解决上述技术问题,由此完成了本发明。
即,本发明包含以下的内容;
[1]一种正型感光性树脂组合物,其中,含有:
(A)在分子内具有羟基羰基的聚酰亚胺树脂、及
(B)光致酸产生剂;
[2]根据[1]所述的正型感光性树脂组合物,其中,含有(C)敏化剂;
[3]根据[2]所述的正型感光性树脂组合物,其中,(C)成分是下述通式(C-1)所示的化合物,
[化学式1]
Figure BDA0003370084770000021
(式(C-1)中,R1表示氢原子、碳原子数1~7的直链状或支链状烷基、卤素原子、羟基、甲氧基、或叔丁氧基。)
[4]根据[2]或[3]所述的正型感光性树脂组合物,其中,(C)成分是下述通式(C-2)所示的化合物,
[化学式2]
Figure BDA0003370084770000031
[5]根据[1]~[4]中任一项所述的正型感光性树脂组合物,其中,含有(D)密合助剂;
[6]根据[1]~[5]中任一项所述的正型感光性树脂组合物,其中,含有(E)二官能以上的交联剂;
[7]根据[1]~[6]中任一项所述的正型感光性树脂组合物,其中,(A)成分包含:具有下述通式(A-1)所示的结构单元和下述通式(A-2)所示的结构单元的聚酰亚胺树脂,
[化学式3]
Figure BDA0003370084770000032
(式(A-1)、式(A-2)中,X各自独立地表示单键、氧原子、硫原子、酯键、碳原子数1~20的亚烷基、碳原子数7~20的亚芳基、或由它们组合而成的二价基团,Y1、Y2各自独立地表示氢原子、卤素原子、三甲基甲硅烷基、三氟甲基、三甲基甲硅烷基氧基、或羟基。m、n是任意的正整数且其总和为90至100。)
[8]根据[7]所述的正型感光性树脂组合物,其中,(A)成分含有:包含通式(A-1)所示的结构单元和通式(A-2)所示的结构单元的共聚物,
通式(A-1)所示的结构单元与通式(A-2)所示的结构单元的共聚比率(通式(A-1)所示的结构单元m/通式(A-2)所示的结构单元n)为20/80以上且50/50以下;
[9]根据[1]~[8]中任一项所述的正型感光性树脂组合物,其中,(A)成分包含:具有下述通式(A-3)所示的结构单元和下述通式(A-4)所示的结构单元的聚酰亚胺树脂,
[化学式4]
Figure BDA0003370084770000041
(式(A-3)、式(A-4)中,m1、n1是任意的正整数且其总和为90至100。)
[10]根据[9]所述的正型感光性树脂组合物,其中,(A)成分含有:包含通式(A-3)所示的结构单元和通式(A-4)所示的结构单元的共聚物,
通式(A-3)所示的结构单元与通式(A-4)所示的结构单元的共聚比率(通式(A-3)所示的结构单元m1/通式(A-4)所示的结构单元n1)为20/80以上且50/50以下;
[11]一种半导体封装基板,其中,包含利用[1]~[10]中任一项所述的正型感光性树脂组合物的固化物形成的绝缘层;
[12]一种半导体装置,其中,包含[11]所述的半导体封装基板;
[13]一种半导体封装基板的制造方法,其中,包括:
在电路基板上形成包含[1]~[10]中任一项所述的正型感光性树脂组合物的感光性树脂组合物层的工序、
对感光性树脂组合物层照射活化光线的工序、和
对感光性树脂组合物层进行显影的工序。
发明的效果
根据本发明,可以提供:能够得到极限分辨力优异、热膨胀系数低、伸长率高、翘曲量被抑制、并且介电特性优异的固化物的正型感光性组合物、使用该正型感光性树脂组合物而得的半导体封装基板、半导体装置、及半导体封装基板的制造方法。
具体实施方式
以下,对于本发明的正型感光性树脂组合物、使用该正型感光性树脂组合物而得的半导体封装基板、半导体装置、及半导体封装基板的制造方法进行详细说明。
[正型感光性树脂组合物]
正型感光性树脂组合物含有(A)在分子内具有羟基羰基的聚酰亚胺树脂、及(B)光致酸产生剂。通过在正型感光性树脂组合物中组合包含(A)~(B)成分,从而可以得到平衡性良好地实现了抑制热膨胀系数而抑制翘曲、和提高伸长率而提高机械强度的固化物。此外,可以得到介电特性优异的固化物。进而,该正型感光性树脂组合物的极限分辨力优异。
正型感光性树脂组合物中可以进一步与(A)~(B)成分组合地包含任意的成分。作为任意的成分,可举出例如,(C)敏化剂、(D)密合助剂、(E)二官能以上的交联剂、(F)溶剂、及(G)其他添加剂等。以下,对于正型感光性树脂组合物中所含的各成分进行详细说明。
<(A)在分子内具有羟基羰基的聚酰亚胺树脂>
正型感光性树脂组合物含有在分子内具有羟基羰基的聚酰亚胺树脂作为(A)成分。通过在正型感光性树脂组合物中含有(A)成分,可以得到极限分辨力优异、热膨胀系数低、伸长率高、翘曲量被抑制、进而介电特性优异的固化物。(A)成分可以单独使用一种,也可以将两种以上组合使用。
(A)成分可以使用具有羟基羰基、且具有多个酰亚胺结构的树脂。从显著获得本发明的效果的观点出发,(A)成分每一分子优选具有1个以上的羟基羰基、更优选具有2个以上的羟基羰基。此外,作为上限,优选具有4个以下的羟基羰基。羟基羰基优选与(A)成分分子中所含的芳环结合。此外,可以是在(A)成分的末端具有羟基羰基。
从显著获得本发明的效果的观点出发,(A)成分优选具有以下的结构单元(1),
[化学式5]
Figure BDA0003370084770000051
(式中,A1及A3各自独立地表示三价烃基,A2及A4各自独立地表示亚烷基、亚芳基、羰基、氧原子、或由它们组合而成的二价基团)。
A1及A3各自独立地表示三价烃基。三价烃基可举出直链状、支链状、环状、及它们的组合。从显著获得本发明的效果的观点出发,三价烃基的碳原子数优选为1以上、更优选为2以上、进一步优选为3以上,优选为15以下、更优选为10以下、进一步优选为8以下。作为三价烃基,可举出三价的脂肪族烃基、三价的芳香族烃基、三价的脂环族烃基。作为三价烃基,可举出例如以下的结构所示的基团,
[化学式6]
Figure BDA0003370084770000052
式中,*表示化学键。
A2及A4各自独立地表示亚烷基、亚芳基、羰基、氧原子、或由它们组合而成的二价基团。作为亚烷基的碳原子数,优选为1~10、更优选为1~6、进一步优选为1~3。作为亚烷基,可举出例如,亚甲基、亚乙基、亚丙基等。作为亚芳基的碳原子数,优选为6~20、更优选为6~15、进一步优选为6~10。作为亚芳基,可举出例如,亚苯基、亚萘基、亚蒽基、亚联苯基(-C6H4-C6H4-)等,其中优选亚苯基。
作为由它们组合而成的二价基团,优选由亚芳基、羰基和氧原子组合而成的基团。作为这种二价基团,可举出例如以下的结构所示的二价基团,
[化学式7]
Figure BDA0003370084770000061
式中,*表示化学键。
A1及A3所表示的三价烃基、以及A2所表示的亚烷基、亚芳基及由它们组合而成的二价基团任选具有取代基。作为取代基,可举出例如,甲基、乙基、丙基、异丙基等的碳原子数1~10的烷基;甲氧基、乙氧基、丙氧基等的碳原子数1~10的烷氧基;氟原子、氯原子、溴原子等的卤素原子;羟基;三氟甲基等的卤素原子取代烷基等。上述的取代基任选进一步具有取代基(以下有时称为“二次取代基”)。关于取代基,可以单独包含,也可以将两种以上组合包含。
从显著获得本发明的效果的观点出发,(A)成分优选包含:具有下述通式(A-1)所示的结构单元和下述通式(A-2)所示的结构单元的聚酰亚胺树脂,
[化学式8]
Figure BDA0003370084770000071
(式(A-1)、式(A-2)中,X各自独立地表示单键、氧原子、硫原子、酯键、碳原子数1~20的亚烷基、碳原子数7~20的亚芳基、或由它们组合而成的二价基团,Y1、Y2各自独立地表示氢原子、卤素原子、三甲基甲硅烷基、三氟甲基、三甲基甲硅烷基氧基、或羟基。m、n是任意的正整数且其总和为90至100)。
X各自独立地表示单键、氧原子、硫原子、酯键、碳原子数1~20的亚烷基、碳原子数6~20的亚芳基、或由它们组合而成的二价基团。
亚烷基的碳原子数优选为1~10、更优选为1~6、进一步优选为1~3。作为亚烷基,可举出例如,亚甲基、亚乙基、亚丙基等。
亚芳基的碳原子数优选为6~15、更优选为6~10、进一步优选为6。作为亚芳基,可举出例如亚苯基、亚萘基、亚蒽基、亚联苯基(-C6H4-C6H4-)等。
作为由它们组合而成的二价基团,可举出例如,由酯键和碳原子数1~20的亚烷基组合而成的二价基团、由酯键和碳原子数6~20的亚芳基组合而成的二价基团等。作为这种基团,可举出例如,羰基氧基亚甲基、羰基氧基亚乙基、羰基氧基亚丙基、羰基氧基亚苯基、羰基氧基亚萘基、羰基氧基亚联苯基等。
其中,作为X,优选表示单键。
Y1、Y2各自独立地表示氢原子、卤素原子、三甲基甲硅烷基、三氟甲基、三甲基甲硅烷基氧基、或羟基,优选为三氟甲基。
m、n是任意的正整数且其总和为90至100。作为m,优选为5以上、更优选为10以上、进一步优选为20以上,优选为60以下、更优选为50以下、进一步优选为40以下。作为n,优选为40以上、更优选为50以上、进一步优选为60以上,优选为100以下、更优选为90以下、进一步优选为80以下。
从显著获得本发明的效果的观点出发,(A)成分优选含有:包含(A-1)所示的结构单元和(A-2)所示的结构单元的共聚物。作为通式(A-1)所示的结构单元与通式(A-2)所示的结构单元的共聚比率(通式(A-1)所示的结构单元m/通式(A-2)所示的结构单元n),优选为20/80以上、更优选为30/70以上、进一步优选为35/65以上,优选为50/50以下、进一步优选为45/55以下、更优选为40/60以下。
从显著获得本发明的效果的观点出发,(A)成分优选包含:具有下述通式(A-3)所示的结构单元和下述通式(A-4)所示的结构单元的聚酰亚胺树脂,
[化学式9]
Figure BDA0003370084770000081
式(A-3)、(A-4)中,m1、n1是合计成为90至100的任意的正整数。
m1与式(A-1)中的m相同。此外,n1与式(A-2)中的n相同。
从显著获得本发明的效果的观点出发,(A)成分优选含有:包含(A-3)所示的结构单元和(A-4)所示的结构单元的共聚物。作为通式(A-3)所示的结构单元与通式(A-4)所示的结构单元的共聚比率(通式(A-3)所示的结构单元m1/通式(A-4)所示的结构单元n1),优选为20/80以上、更优选为30/70以上、进一步优选为35/65以上,优选为50/50以下、进一步优选为45/55以下、更优选为40/60以下。
作为(A)成分的重均分子量,从曝光后的正型感光性树脂组合物在显影液中的溶解性、及正型感光性树脂组合物的固化物的物性的观点出发,优选为1万以上、更优选为5万以上、进一步优选为7万以上,优选为100万以下、更优选为50万以下、进一步优选为20万以下。树脂的重均分子量可以通过凝胶渗透色谱(GPC)法作为聚苯乙烯换算的值测定。
(A)成分例如可以通过将酰胺酸通过酰亚胺化反应而合成聚酰亚胺,并使聚酰亚胺与羧酸等具有羟基羰基的化合物进行共聚反应而合成。
作为(A)成分的含量,从正型感光性树脂组合物的极限分辨力、及正型感光性树脂组合物的固化物的物性的观点出发,将正型感光性树脂组合物的不挥发成分设为100质量%时,优选为50质量%以上、更优选为60质量%以上、进一步优选为70质量%以上、80质量%以上,优选为98质量%以下、更优选为95质量%以下、进一步优选为93质量%以下。应予说明,在本发明中,正型感光性树脂组合物中的各成分的含量,只要没有另行明示,是将正型感光性树脂组合物中的不挥发成分设为100质量%时的值。
<(B)光致酸产生剂>
正型感光性树脂组合物含有光致酸产生剂作为(B)成分。关于(B)成分,接受紫外线等活化光线的照射而生成酸,且可溶解于碱溶液。因此,在显影时,在(B)成分产生了酸的部分中可以选择性地除去感光性树脂组合物,可以有利地形成正型的图案。(B)成分可以单独使用一种,也可以将两种以上组合使用。
(B)成分可以使用通过照射活化光线而产生酸的化合物。作为这种化合物,可举出例如,二叠氮酯(diazide ester)化合物、重氮酮化合物、鎓盐化合物、含有卤素的化合物、砜化合物、磺酸化合物、磺酰亚胺(sulfonimide)化合物、重氮甲烷化合物等。其中,从显著获得本发明的效果的观点出发,优选使用二叠氮酯化合物。
作为二叠氮酯化合物,可举出例如萘醌二叠氮酯化合物等。二叠氮酯化合物可以使用市售品。作为市售品,可举出例如,东洋合成公司制造的“TS-200”、“TS-250”、“TS-300A”、“NT-200”、“NT-250”、“CNB-250”、“CNB-300”;株式会社三宝化学研究所制造的“TKF-515”、“TKF-525”等。
作为重氮酮化合物,可举出例如,1,3-二酮-2-重氮化合物、重氮苯醌化合物、重氮萘醌化合物等。
作为鎓盐化合物,可举出例如,碘鎓盐、锍盐、鏻盐、重氮盐、吡啶鎓盐。作为鎓盐化合物的优选具体例,可举出二苯基碘鎓三氟甲磺酸盐、二苯基碘鎓对甲苯磺酸盐、二苯基碘鎓六氟锑酸盐、二苯基碘鎓六氟磷酸盐、二苯基碘鎓四氟硼酸盐等的二芳基碘鎓盐;三苯基锍三氟甲磺酸盐、三苯基锍对甲苯磺酸盐、三苯基锍六氟锑酸盐等的三芳基锍盐;4-叔丁基苯基-二苯基锍三氟甲磺酸盐、4-叔丁基苯基-二苯基锍对甲苯磺酸盐;4,7-二正丁氧基萘基四氢噻吩鎓三氟甲磺酸盐等。
作为含有卤素的化合物,可举出例如,含有卤代烷基的烃化合物及含有卤代烷基的杂环式化合物。作为含有卤素的化合物的优选具体例,可举出1,10-二溴正癸烷、1,1-双(4-氯苯基)-2,2,2-三氯乙烷;苯基-双(三氯甲基)-均三嗪、4-甲氧基苯基-双(三氯甲基)-均三嗪、苯乙烯基-双(三氯甲基)-均三嗪、萘基-双(三氯甲基)-均三嗪等的均三嗪衍生物。
作为砜化合物,可举出例如β-酮砜化合物、β-磺酰基砜化合物、及这些化合物的α-重氮化合物。作为具体例,可举出4-甲苯基苯甲酰甲基砜(4-tolyl phenacyl sulfone)、均三甲苯基苯甲酰甲基砜(mesityl phenacyl sulfone)、双(苯甲酰甲基磺酰基)甲烷等。
作为磺酸化合物,可举出例如,烷基磺酸酯类、卤代烷基磺酸酯类、芳基磺酸酯类、亚氨基磺酸盐/酯类等。作为优选的具体例,可举出苯偶姻对甲苯磺酸酯、连苯三酚三(三氟甲磺酸酯)、三氟甲磺酸邻硝基苄酯、对甲苯磺酸邻硝基苄酯等。
作为磺酰亚胺化合物,可举出N-(三氟甲基磺酰氧基)琥珀酰亚胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)邻苯二甲酰亚胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)二苯基马来酰亚胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)双环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲酰亚胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)萘二甲酰亚胺、N-(对甲苯磺酰氧基)-1,8-萘二甲酰亚胺、N-(10-樟脑磺酰氧基)-1,8-萘二甲酰亚胺等。
作为重氮甲烷化合物,可举出双(三氟甲基磺酰基)重氮甲烷、双(环己基磺酰基)重氮甲烷及双(苯基磺酰基)重氮甲烷。
从显著获得本发明的效果的观点出发,将正型感光性树脂组合物的不挥发成分设为100质量%时,(B)成分的含量优选为1质量%以上、更优选为3质量%以上、进一步优选为5质量%以上,优选为15质量%以下、更优选为10质量%以下、进一步优选为8质量%以下。
将正型感光性树脂组合物的不挥发成分设为100质量%时,将(B)成分的含量记为b1、并将(A)成分的含量记为a1时,作为a1/b1,从显著获得本发明的效果的观点出发,优选为3以上、更优选为5以上、进一步优选为10以上,优选为25以下、更优选为20以下、进一步优选为15以下。
<(C)敏化剂>
正型感光性树脂组合物可以含有(C)敏化剂作为任意的成分。通过含有敏化剂,可以提高正型感光性树脂组合物的光敏度。(C)成分可以单独使用一种,也可以将两种以上组合使用。
(C)成分可以使用能够提高正型感光性树脂组合物的光敏度的化合物。作为这种化合物,可举出例如,米蚩酮(Michler's ketone)、4,4'-双(二乙基氨基)二苯甲酮、4-吗啉二苯甲酮等的二苯甲酮类;2,5-双(4'-二乙基氨基亚苄基(benzal))环戊烷、2,6-双(4'-二乙基氨基亚苄基)环己酮、2,6-双(4'-二乙基氨基亚苄基)-4-甲基环己酮等的环状烷烃类;4,4'-双(二甲基氨基)查耳酮、4,4'-双(二乙基氨基)查耳酮等的查耳酮类;对二甲基氨基亚肉桂基茚满酮、对二甲基氨基苯亚甲基茚满酮等的茚满酮类;2-(对二甲基氨基苯基亚联苯基)-苯并噻唑、2-(对二甲基氨基苯基亚乙烯基)苯并噻唑、2-(对二甲基氨基苯基亚乙烯基)异萘噻唑等的噻唑类;1,3-双(4'-二甲基氨基亚苄基)丙酮、1,3-双(4'-二乙基氨基亚苄基)丙酮等的丙酮类;3,3'-羰基-双(7-二乙基氨基香豆素)、3-乙酰基-7-二甲基氨基香豆素、3-乙氧基羰基-7-二甲基氨基香豆素、3-苄氧基羰基-7-二甲基氨基香豆素、3-甲氧基羰基-7-二乙基氨基香豆素、3-乙氧基羰基-7-二乙基氨基香豆素等的香豆素类;N-苯基-N'-乙基乙醇胺、N-苯基二乙醇胺、N-对甲苯基二乙醇胺、N-苯基乙醇胺、二甲基氨基苯甲酸异戊酯、二乙基氨基苯甲酸异戊酯等的胺类;2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噻唑、2-(对二甲基氨基苯乙烯基)苯并噁唑、2-(对二甲基氨基苯乙烯基)苯并噻唑、2-(对二甲基氨基苯乙烯基)萘并(1,2-d)噻唑、1-苯基-5-巯基四唑、1-对羟基苯基-5-巯基四唑等的杂环类;2-(对二甲基氨基苯甲酰基)苯乙烯等的苯乙烯类。
其中,作为(C)成分,从显著获得本发明的效果的观点出发,优选为杂环类,优选下述通式(C-1)所示的化合物,
[化学式10]
Figure BDA0003370084770000111
(式(C-1)中,R1表示氢原子、碳原子数1~7的直链状或支链状烷基、卤素原子、羟基、甲氧基、或叔丁氧基)。
R1表示氢原子、碳原子数1~7的直链状或支链状烷基、卤素原子、羟基、甲氧基、或叔丁氧基。作为碳原子数1~7的直链状或支链状烷基,可举出例如,甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基等。其中,作为R1,优选表示具有氧原子的羟基、甲氧基或叔丁氧基,优选为氢原子、羟基,更优选为羟基。
作为R1的结合位置,以与巯基四唑的氮原子结合的亚苯基的部位为基准可以是邻位、间位和对位中的任一者,从显著获得本发明的效果的观点出发,优选为对位。
(C-1)所示的化合物优选为下述(C-2)所示的化合物,
[化学式11]
Figure BDA0003370084770000112
从显著获得本发明的效果的观点出发,将正型感光性树脂组合物的不挥发成分设为100质量%时,(C)成分的含量优选为0.1质量%以上、更优选为0.5质量%以上、进一步优选为1质量%以上,优选为10质量%以下、更优选为5质量%以下、进一步优选为3质量%以下。
将正型感光性树脂组合物的不挥发成分设为100质量%时,将(C)成分的含量记为c1时,作为a1/c1,从显著获得本发明的效果的观点出发,优选为10以上、更优选为30以上、进一步优选为40以上,优选为70以下、更优选为60以下、进一步优选为50以下。
作为b1/c1,从显著获得本发明的效果的观点出发,优选为1以上、更优选为2以上、进一步优选为3以上,优选为15以下、更优选为10以下、进一步优选为5以下。
此外,作为a1/(b1+c1),从显著获得本发明的效果的观点出发,优选为1以上、更优选为5以上、进一步优选为8以上,优选为25以下、更优选为20以下、进一步优选为15以下。
<(D)密合助剂>
正型感光性树脂组合物可以含有(D)密合助剂作为任意的成分。通过在正型感光性树脂组合物中含有(D)密合助剂,可以提高基板与正型感光性树脂组合物的固化物之间的密合强度。(D)成分可以单独使用一种,也可以将两种以上组合使用。
作为(D)密合助剂,可以使用提高基板与使用正型感光性树脂组合物形成的膜之间的密合强度的化合物。作为这种化合物,可举出例如,γ-氨基丙基二甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基二甲氧基甲基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、二甲氧基甲基-3-哌啶基丙基硅烷、二乙氧基-3-环氧丙氧基丙基甲基硅烷、N-(3-二乙氧基甲基甲硅烷基丙基)琥珀酰亚胺、N-[3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基]邻氨甲酰苯甲酸、二苯甲酮-3,3'-双(N-[3-三乙氧基甲硅烷基]丙基酰胺)-4,4'-二羧酸、苯-1,4-双(N-3-三乙氧基甲硅烷基]丙基酰胺)-2,5-二羧酸、3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基琥珀酸酐、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、3-脲丙基三甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-(三烷氧基甲硅烷基)丙基琥珀酸酐、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、巯基甲基三甲氧基硅烷、巯基甲基甲基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基二乙氧基甲氧基硅烷、3-巯基丙基乙氧基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基三丙氧基硅烷、3-巯基丙基二乙氧基丙氧基硅烷、3-巯基丙基乙氧基二丙氧基硅烷、3-巯基丙基二甲氧基丙氧基硅烷、3-巯基丙基甲氧基二丙氧基硅烷、2-巯基乙基三甲氧基硅烷、2-巯基乙基二乙氧基甲氧基硅烷、2-巯基乙基乙氧基二甲氧基硅烷、2-巯基乙基三丙氧基硅烷、2-巯基乙基三丙氧基硅烷、2-巯基乙基乙氧基二丙氧基硅烷、2-巯基乙基二甲氧基丙氧基硅烷、2-巯基乙基甲氧基二丙氧基硅烷、4-巯基丁基三甲氧基硅烷、4-巯基丁基三乙氧基硅烷、4-巯基丁基三丙氧基硅烷、N-(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)脲、N-(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)脲、具有氨基三嗪环和乙氧基甲硅烷基的化合物等的硅烷偶联剂;三(乙基乙酰乙酸)铝、三(乙酰丙酮)铝、乙酰乙酸乙基铝二异丙酯等的铝系粘接助剂等。其中,作为(D)密合助剂,从显著获得本发明的效果的观点出发,优选为硅烷偶联剂。
(D)密合助剂可以使用市售品。作为市售品,可举出例如,信越化学工业公司制造的“KBM403”(3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷)、“KBM803”(3-巯基丙基三甲氧基硅烷)、“LS1375”(3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷)、“LS3610”(N-(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)脲);Chisso公司制造的“Sila-Ace S810”(3-巯基丙基三甲氧基硅烷);AZmax公司制造的“SIM6475.0”(3-巯基丙基三乙氧基硅烷)、“SIM6474.0”(3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷)、“SIM6473.5C”(巯基甲基三甲氧基硅烷)、“SIM6473.0”(巯基甲基甲基二甲氧基硅烷)、“SIU9055.0”(N-(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)脲)、“SIU9058.0”(N-(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)脲);四国化成公司制造的“VD-5”(具有氨基三嗪环和乙氧基甲硅烷基的化合物)等。
从正型感光性树脂组合物的固化物的基板密合性及机械强度的观点出发,将正型感光性树脂组合物的不挥发成分设为100质量%时,(D)成分的含量优选为0.1质量%以上、更优选为0.3质量%以上、进一步优选为0.5质量%以上,优选为5质量%以下、更优选为3质量%以下、进一步优选为1质量%以下。
<(E)二官能以上的交联剂>
正型感光性树脂组合物可以含有(E)二官能以上的交联剂作为任意的成分。通过在正型感光性树脂组合物中含有(E)二官能以上的交联剂,可以提高正型感光性树脂组合物的固化物的强度。(E)成分可以单独使用一种,也可以将两种以上组合使用。
(E)成分优选使用二官能或三官能以上的交联剂。通过使用这种交联剂,可以提高正型感光性树脂组合物的固化物的强度。(E)成分1分子中所含的官能团的数目为2以上,优选为10以下、更优选为8以下、进一步优选为4以下。此处,官能团表示能够进行交联反应的基团。作为官能团,可举出例如,环氧基、羟基、氨基、氰基、环氧基、羧基、甲酰基等。其中,从显著获得本发明的效果的观点出发,优选环氧基。
作为(E)成分,从正型感光性树脂组合物的极限分辨力、及正型感光性树脂组合物的固化物的机械强度的观点出发,优选为具有2个以上的环氧基的交联剂。作为这种交联剂,可举出联二甲酚(bixylenol)型环氧化合物、双酚A型环氧化合物、双酚F型环氧化合物、双酚S型环氧化合物、双酚AF型环氧化合物、三酚型环氧化合物、萘酚酚醛清漆(naphtholnovolac)型环氧化合物、苯酚酚醛清漆(phenol novolac)型环氧化合物、叔丁基-邻苯二酚型环氧化合物、萘型环氧化合物、萘酚型环氧化合物、蒽型环氧化合物、甲酚酚醛清漆(cresol novolac)型环氧化合物、联苯型环氧化合物、萘醚型环氧化合物等的芳香族环氧化合物;具有丁二烯结构的环氧化合物、环己烷型环氧化合物、环己烷二甲醇型环氧化合物、三羟甲基型环氧化合物、四苯乙烷型环氧化合物等的脂肪族环氧化合物;脂环族环氧化合物;杂环式环氧化合物;缩水甘油醚型环氧化合物;缩水甘油胺型环氧化合物;等。其中,从显著获得本发明的效果的观点出发,优选芳香族环氧化合物,在芳香族环氧化合物中,优选萘型环氧化合物。
作为芳香族环氧化合物的具体例,可举出DIC公司制造的“HP4032”、“HP4032D”、“HP4032SS”(萘型环氧化合物);三菱化学公司制造的“828US”、“jER828EL”、“825”、“EPIKOTE 828EL”(双酚A型环氧化合物);三菱化学公司制造的“jER807”、“1750”(双酚F型环氧化合物);三菱化学公司制造的“jER152”(苯酚酚醛清漆型环氧化合物);日铁化学材料公司制造的“ZX1059”(双酚A型环氧化合物和双酚F型环氧化合物的混合品);DIC公司制造的“HP4032H”(萘型环氧化合物);DIC公司制造的“HP-4700”、“HP-4710”(萘型4官能环氧化合物);DIC公司制造的“N-690”(甲酚酚醛清漆型环氧化合物);DIC公司制造的“N-695”(甲酚酚醛清漆型环氧化合物);日本化药公司制造的“EPPN-502H”(三酚型环氧化合物);日本化药公司制造的“NC7000L”(萘酚酚醛清漆型环氧化合物);日本化药公司制造的“NC3000H”、“NC3000”、“NC3000L”、“NC3100”(联苯型环氧化合物);日铁化学材料公司制造的“ESN475V”(萘酚型环氧化合物);日铁化学材料公司制造的“ESN485”(萘酚酚醛清漆型环氧化合物);三菱化学公司制造的“YX4000H”、“YX4000”、“YL6121”(联苯型环氧化合物);三菱化学公司制造的“YX4000HK”(联二甲酚型环氧化合物);三菱化学公司制造的“YX8800”(蒽型环氧化合物);大阪燃气化学公司制造的“PG-100”、“CG-500”;三菱化学公司制造的“YL7760”(双酚AF型环氧化合物);三菱化学公司制造的“YL7800”(芴型环氧化合物);三菱化学公司制造的“jER1010”(固体状双酚A型环氧化合物);三菱化学公司制造的“jER1031S”(四苯乙烷型环氧化合物)等。
具有2个以上的环氧基的交联剂的环氧当量优选为50g/eq~5000g/eq、更优选为50g/eq~3000g/eq、进一步优选为80g/eq~2000g/eq、进一步更优选为110g/eq~1000g/eq。通过为该范围,可以使正型感光性树脂组合物的固化物的交联密度变得充分,可以带来表面粗糙度小的绝缘层。环氧当量是指包含1当量环氧基的树脂的质量。该环氧当量可以按照JIS K7236进行测定。
从显著获得本发明期望的效果的观点出发,(E)成分的重均分子量(Mw)优选为100~5000、更优选为250~3000、进一步优选为400~1500。树脂的重均分子量可以通过凝胶渗透色谱(GPC)法作为聚苯乙烯换算的值而测定。
对于(E)成分而言,除了上述的具有2个以上的环氧基的交联剂以外,还可以是在1分子中平均包含2个以上的羟甲基及/或烷氧基甲基的、三聚氰胺化合物、胍胺化合物、甘脲化合物、脲化合物等的含氮化合物及它们的缩合物、在1分子中平均具有2个以上的羟甲基或烷氧基甲基的酚类化合物等。
从正型感光性树脂组合物的极限分辨力、及正型感光性树脂组合物的固化物的机械强度的观点出发,将正型感光性树脂组合物的不挥发成分设为100质量%时,(E)成分的含量优选为0.1质量%以上、更优选为0.5质量%以上、进一步优选为1质量%以上,优选为15质量%以下、更优选为10质量%以下、进一步优选为5质量%以下。
将正型感光性树脂组合物的不挥发成分设为100质量%时,将(E)成分的含量记为e1时,作为a1/e1,从显著获得本发明的效果的观点出发,优选为10以上、更优选为20以上、进一步优选为30以上,优选为50以下、更优选为45以下、进一步优选为40以下。
<(F)溶剂>
正型感光性树脂组合物可以包含(F)溶剂作为任意的成分。(F)溶剂可以使用为挥发成分且能够使(A)~(E)成分及(G)成分中的至少任一成分均匀溶解的溶剂。作为这种溶剂,可举出例如,二甲基醚、二乙基醚、甲基乙基醚、四氢呋喃、二噁烷、乙二醇二甲基醚、二乙二醇二甲基醚、及三乙二醇二甲基醚之类的碳数2以上且碳数9以下的醚化合物;丙酮、及甲基乙基酮之类的碳数2以上且碳数6以下的酮化合物;正戊烷、环戊烷、正己烷、环己烷、甲基环己烷、及十氢化萘之类的碳数5以上且碳数10以下的饱和烃化合物;苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、及四氢化萘之类的碳数6以上且碳数10以下的芳香族烃化合物;乙酸甲酯、乙酸乙酯、γ-丁内酯、及苯甲酸甲酯之类的碳数3以上且碳数9以下的酯化合物;氯仿、二氯甲烷、及1,2-二氯乙烷之类的碳数1以上且碳数10以下的含卤素化合物;乙腈、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、及N-甲基-2-吡咯烷酮之类的碳数2以上且碳数10以下的含氮化合物;以及二甲基亚砜之类的含硫化合物。
此外,作为(F)成分,可举出例如,N-乙基-2-吡咯烷酮、四氢呋喃、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、吡啶、环戊酮、γ-丁内酯、α-乙酰基-γ-丁内酯、四甲基脲、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、N-环己基-2-吡咯烷酮、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、苯甲醚、乙酸乙酯、乳酸乙酯、及乳酸丁酯等。(F)成分可以单独使用一种,也可以将两种以上组合使用。
将正型感光性树脂组合物的总量设为100质量%时,(F)成分的含量通常为1质量%以上,优选为150质量%以上、更优选为200质量%以上,500质量%以下,优选为400质量%以下,更优选为300质量%以下。通过使(F)成分的含量在上述范围内,可以显著获得本发明的效果。
<(G)其他添加剂>
正型感光性树脂组合物在不损害本发明目的的程度可以进一步含有(G)其他添加剂。作为(G)其他添加剂,可以添加例如,氟系表面活性剂、非离子系表面活性剂、阳离子系表面活性剂、阴离子系表面活性剂、有机硅系表面活性剂等的表面活性剂;热塑性树脂;酞菁蓝、酞菁绿、碘绿、重氮黄、结晶紫、氧化钛、炭黑、萘黑等的着色剂;对苯二酚、吩噻嗪、甲基对苯二酚、对苯二酚单甲基醚、邻苯二酚、连苯三酚等的阻聚剂;Benton、蒙脱石等的增稠剂;有机硅系、氟系、乙烯基树脂系的消泡剂;环氧树脂、锑化合物、磷系化合物、芳香族缩合磷酸酯、含卤素缩合磷酸酯等的阻燃剂;酚系固化剂、氰酸酯系固化剂等的热固化树脂等各种添加剂。
正型感光性树脂组合物可通过以下方式来制造:将作为必需成分的上述(A)~(B)成分混合,适当地混合作为任意成分的上述(C)~(G)成分,此外,根据需要,利用三辊磨、球磨机、珠磨机、砂磨机等混炼装置、或超级混合机、行星混合机等搅拌装置,进行混炼或搅拌。
<正型感光性树脂组合物的物性、用途>
正型感光性树脂组合物显示出极限分辨力优异这样的特性。例如,使用描绘曝光图案的开口直径为10μm、15μm、20μm、25μm、30μm的圆孔的掩膜进行曝光、显影。此时,作为可开口的最小尺寸的极限分辨力优选为25μm以下、更优选为20μm以下、进一步优选为15μm以下。极限分辨力的评价可以按照后述的实施例中记载的方法进行测定。
使正型感光性树脂组合物于200℃热固化2小时而得的固化物显示出热膨胀系数(CTE)低这样的特性。作为热膨胀系数,优选为35ppm/℃以下、更优选为30ppm/℃以下、进一步优选为25ppm/℃以下。下限没有特别限定,可以为0.1ppm/℃以上等。热膨胀系数可以按照后述的实施例中记载的方法进行测定。
使正型感光性树脂组合物于200℃热固化2小时而得的固化物显示出伸长率高这样的特性。该伸长率表示拉伸固化物至断裂为止的伸长率,其值越大则表示拉伸强度越优异。由于该伸长率高,从而可以得到机械强度高、对于热循环试验、跌落冲击试验(dropimpact test)等的可靠性高的固化物。作为伸长率,优选为5%以上、更优选为6%以上、进一步优选为7%以上。上限没有特别限定,可以为20%以下等。伸长率可以按照后述的实施例中记载的方法进行测定。
使正型感光性树脂组合物于200℃热固化2小时而得的固化物显示出弹性模量低这样的特性。由此可以抑制翘曲的发生。作为弹性模量,优选为20GPa以下、更优选为10GPa以下、进一步优选为6GPa以下。下限没有特别限定,可以为0.1GPa以上等。弹性模量可以按照后述的实施例中记载的方法进行测定。
使正型感光性树脂组合物于200℃热固化120分钟而得的固化物显示出翘曲量小这样的特性。作为在8英寸硅晶片上的翘曲量,优选为100μm以下、更优选为90μm以下、进一步优选为80μm以下。下限没有特别限定,可以为0.1μm以上等。翘曲量可以按照后述的实施例中记载的方法进行测定。
使正型感光性树脂组合物于200℃热固化2小时而得的固化物显示出介电常数(Dk)低这样的特性。介电常数优选为5以下、更优选为3以下、进一步优选为2.5以下。下限没有特别限定,可以为0.01以上等。介电常数可以按照后述的实施例中记载的方法进行测定。
使正型感光性树脂组合物于200℃热固化2小时而得的固化物显示出介质损耗角正切(Df)低这样的特性。介质损耗角正切优选为0.03以下、更优选为0.02以下、进一步优选为0.01以下。下限没有特别限定,可以为0.0005以上等。介质损耗角正切可以按照后述的实施例中记载的方法进行测定。
本发明的正型感光性树脂组合物的用途,没有特别限定,可以用于带有支承体的感光性膜、预浸料等的绝缘树脂片材、硅晶片、电路基板(层叠板用途、多层印刷布线板用途等)、阻焊层、缓冲涂膜、底部填充材料、芯片键合材料、半导体密封材料、填孔树脂、部件填埋树脂等使用正型感光性树脂组合物的广范围的用途。其中,可以合适地用作:印刷布线板的绝缘层用感光性树脂组合物(将正型感光性树脂组合物的固化物作为绝缘层的印刷布线板)、层间绝缘层用感光性树脂组合物(将正型感光性树脂组合物的固化物作为层间绝缘层的印刷布线板)、镀层形成用感光性树脂组合物(在正型感光性树脂组合物的固化物上形成有镀层的印刷布线板)、及阻焊层用感光性树脂组合物(将正型感光性树脂组合物的固化物作为阻焊层的印刷布线板)、晶圆级封装的再布线形成层用感光性树脂组合物(将正型感光性树脂组合物的固化物作为再布线形成层的晶圆级封装)、扇出型晶圆级封装的再布线形成层用感光性树脂组合物(将正型感光性树脂组合物的固化物作为再布线形成层的扇出型晶圆级封装)、扇出型面板级封装的再布线形成层用感光性树脂组合物(将正型感光性树脂组合物的固化物作为再布线形成层的扇出型面板级封装)、缓冲涂层用感光性树脂组合物(将正型感光性树脂组合物的固化物作为缓冲涂层的半导体装置)、显示器用绝缘层用感光性树脂组合物(将正型感光性树脂组合物的固化物作为绝缘层的显示器)。
[半导体封装基板]
本发明的半导体封装基板包含利用本发明的正型感光性树脂组合物的固化物形成的绝缘层。该绝缘层优选作为再布线形成层、层间绝缘层、缓冲涂膜或阻焊层使用。
详细而言,本发明的第一实施方式的半导体封装基板可以使用上述的正型感光性树脂组合物来制造,将正型感光性树脂组合物的固化物作为绝缘层使用。具体而言,半导体封装基板的制造方法依序包括:
(I)在电路基板上形成包含本发明的正型感光性树脂组合物的感光性树脂组合物层的工序、(II)对感光性树脂组合物层照射活化光线的工序、及(III)对感光性树脂组合物层进行显影的工序。
<工序(I)>
作为感光性树脂组合物层的形成方法,可举出将包含正型感光性树脂组合物的树脂清漆直接涂布于电路基板上的方法。
在将包含正型感光性树脂组合物的树脂清漆直接涂布于电路基板上的情况下,通过使(F)成分干燥、挥发,从而在电路基板上形成感光性树脂组合物层。
作为树脂清漆的涂布方式,可举出例如,凹版涂布方式、微型凹版涂布方式、反向涂布(reverse coating)方式、接触式反向涂布(kiss reverse coating)方式、口模式涂布(die coating)方式、夹缝式挤压(slot die)方式、唇模涂布(lip coating)方式、逗号涂布(comma coating)方式、刮板涂布(blade coating)方式、辊涂布方式、刮刀涂布(knifecoating)方式、帘幕式涂布(curtain coating)方式、密闭腔式(chamber)凹版涂布方式、夹缝式喷嘴(slot orifice)方式、旋涂(spin coating)方式、狭缝涂布(slit coating)方式、喷涂方式、浸渍涂布方式、热熔涂布方式、刮棒涂布(bar coating)方式、涂敷(applicator)方式、气刀涂布(airknife coating)方式、幕涂流动涂布(curtain flow coating)方式、胶板印刷(offset printing)方式、刷涂(brush coating)方式、基于丝网印刷(screenprinting)法的整面印刷方式等。
树脂清漆可分成数次来进行涂布,也可通过1次来涂布,此外,也可将多种不同方式组合来涂布。其中,优选均匀涂布性优异的口模式涂布方式。此外,为了避免异物混入等,优选在洁净室(clean room)等异物产生少的环境中实施涂布工序。
涂布树脂清漆后,根据需要,用热风炉或远红外线炉等进行干燥。干燥条件优选为于80℃~120℃进行3分钟~13分钟。通过上述方式,在电路基板上形成感光性树脂组合物层。
作为电路基板,可举出例如,玻璃环氧基板、金属基板、聚酯基板、聚酰亚胺基板、BT树脂基板、热固化型聚苯醚基板等。应予说明,此处,电路基板是指在如上述的支持基板的单面或两面形成了经图案加工的导体层(电路)的基板。此处,在将导体层和绝缘层交替层叠而成的多层印刷布线板中,在该多层印刷布线板的最外层的单面或两面成为经图案加工的导体层(电路)的基板也被包含在此处所说的电路基板中。应予说明,可以通过黑化处理、铜蚀刻等对导体层表面实施预粗糙化处理。
<工序(II)>
在电路基板上设置了感光性树脂组合物层后,接着,进行透过掩膜图案、对感光性树脂组合物层的规定部分照射活化光线的曝光工序。通常,照射了活化光线的曝光部的感光性树脂组合物可以通过显影液而除去。作为活化光线,可举出例如,紫外线、可见光线、电子束、X射线等,特别优选紫外线。紫外线的照射量大致为10mJ/cm2~1000mJ/cm2。曝光方法包括将掩模图案密合于电路基板而进行的接触曝光法、和不密合而使用平行光线进行曝光的非接触曝光法,使用哪种都可以。
工序(II)中,作为掩膜图案,例如,可以使用圆孔图案等的通孔图案来形成通孔。作为通孔直径(开口直径),优选为100μm以下、更优选为50μm以下、进一步优选为30μm以下。下限没有特别限定,可以为0.1μm以上、0.5μm以上等。
<工序(III)>
曝光工序后,通过进行利用显影液除去感光性树脂组合物层的经曝光的部分(曝光部)的显影工序,可以形成图案。显影通常通过湿式显影来进行。
在上述湿式显影的情况下,作为显影液,可以使用碱性溶液、水系显影液、有机溶剂等的安全且稳定、操作性良好的显影液,其中,优选基于碱水溶液等的碱性溶液的显影工序。此外,作为显影方法,可适当采用喷雾、摇动浸渍、刷涂(brushing)、刮涂(scraping)等公知的方法。
作为可用作显影液的碱性水溶液,可举出例如,氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾等的碱金属氢氧化物、碳酸钠、碳酸氢钠等的碳酸盐或碳酸氢盐、磷酸钠、磷酸钾等的碱金属磷酸盐、焦磷酸钠、焦磷酸钾等的碱金属焦磷酸盐的水溶液、四烷基氢氧化铵等的不含金属离子的有机碱的水溶液,从不含金属离子而对半导体芯片不造成影响的观点来看,优选为四甲基氢氧化铵(TMAH)的水溶液。
为了提高显影效果,这些碱性水溶液中可以包含表面活性剂、消泡剂等。上述碱性水溶液的pH,例如,优选为8~12的范围,更优选为9~11的范围。此外,上述碱性水溶液的碱浓度优选为0.1质量%~10质量%。上述碱性水溶液的温度可根据感光性树脂组合物层的显影性而适当选择,优选为20℃~50℃。
可作为显影液使用的有机溶剂例如为丙酮、乙酸乙酯、具有碳原子数1~4的烷氧基的烷氧基乙醇、乙醇、异丙醇、丁醇、二乙二醇单甲基醚、二乙二醇单乙基醚、二乙二醇单丁基醚、环戊酮、环己酮。
这种有机溶剂的浓度优选相对于显影液总量为2质量%~90质量%。此外,这种有机溶剂的温度可根据显影性来调节。进而,这种有机溶剂可以单独使用或将两种以上组合使用。作为单独使用的有机溶剂系显影液,可举出例如1,1,1-三氯乙烷、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、环己酮、甲基异丁基酮、γ-丁内酯。
在图案形成中,根据需要,可将两种以上的显影方法并用来使用。显影的方式包括浸渍方式、旋覆浸没方式、喷雾方式、高压喷雾方式、刷涂方式、刮涂方式等,高压喷雾方式由于提高分辨率而优选。作为采用喷雾方式时的喷雾压力,优选为0.05MPa~0.3MPa。
<热固化(后烘)工序>
上述工序(III)结束后,根据需要,进行热固化(后烘)工序。在上述的工序(I)~(III)中,感光性树脂组合物层的固化可能会进行,但通过热固化工序使感光性树脂组合物的固化进一步进行,可以得到机械强度亦优异的绝缘层。作为后烘工序,可举出使用了清洁炉(Clean Oven)的加热工序等。热固化时的气氛可以是在空气中,也可以是在氮气等惰性气体气氛下。此外,加热的条件根据正型感光性树脂组合物中的树脂成分的种类、含量等适当选择即可,优选在150℃~250℃下20分钟~180分钟的范围、更优选在160℃~230℃下30分钟~120分钟的范围内进行选择。
<其他工序>
关于半导体封装基板的制造方法,在形成作为固化的感光性树脂组合物层的绝缘层后,进而可以包含开孔工序、除沾污(desmear)工序。这些工序可按照可用于半导体封装基板的制造的本领域技术人员公知的各种方法来实施。
在形成绝缘层后,根据期望,对形成于电路基板上的绝缘层进行开孔工序而形成通孔、透孔。开孔工序例如可以通过钻头、激光、等离子体等公知的方法,并根据需要组合这些方法来进行,优选基于二氧化碳激光、YAG激光等激光的开孔工序。
除沾污工序是进行除沾污处理的工序。在开孔工序中形成的开口部内部通常附着有树脂残渣(沾污)。所述沾污成为电连接不良的原因,因此,在该工序中实施除去沾污的处理(除沾污处理)。
除沾污处理可以通过干式除沾污处理、湿式除沾污处理或它们的组合来实施。
作为干式除沾污处理,可举出例如,使用了等离子体的除沾污处理等。使用了等离子体的除沾污处理可以使用市售的等离子体除沾污处理装置来实施。市售的等离子体除沾污处理装置中,作为适合半导体封装基板的制造用途的例子,可举出NISSIN公司制造的微波等离子体装置、积水化学工业公司制造的常压等离子体蚀刻装置等。
作为湿式除沾污处理,可举出例如,使用了氧化剂溶液的除沾污处理等。在使用氧化剂溶液进行除沾污处理的情况下,优选依序进行基于溶胀液的溶胀处理、基于氧化剂溶液的氧化处理、基于中和液的中和处理。作为溶胀液,可举出例如,安美特日本(ATOTECHJAPAN)公司制造的“Swelling Dip Securiganth P”、“Swelling Dip Securiganth SBU”等。溶胀处理优选通过将形成了通孔等的基板浸渍于加热至60℃~80℃的溶胀液中5分钟~10分钟来进行。作为氧化剂溶液,优选碱性高锰酸水溶液,可举出例如在氢氧化钠的水溶液中溶解高锰酸钾、高锰酸钠而成的溶液。基于氧化剂溶液的氧化处理优选通过将溶胀处理后的基板在加热至60℃~80℃的氧化剂溶液中浸渍10分钟~30分钟来进行。作为碱性高锰酸水溶液的市售品,可举出例如,安美特日本公司制的“Concentrate Compact CP”、“Dosing Solution Securiganth P”等。基于中和液的中和处理优选通过将氧化处理后的基板在30℃~50℃的中和液中浸渍3分钟~10分钟来进行。作为中和液,优选酸性的水溶液,作为市售品,可举出例如,安美特日本公司制的“Reduction Solution SecuriganthP”。
在将干式除沾污处理和湿式除沾污处理组合实施的情况下,可以先实施干式除沾污处理,也可以先实施湿式除沾污处理。
在将绝缘层形成为再布线形成层、层间绝缘层、及阻焊层的任一者的情况下,也可以在热固化工序后进行开孔工序及除沾污工序。此外,在半导体封装基板的制造方法中可以进一步进行镀覆工序。
镀覆工序是在绝缘层上形成导体层的工序。对于导体层而言,可以在形成绝缘层后通过溅射而形成导体层,也可以组合无电解镀覆和电解镀覆而形成,此外,也可以形成与导体层呈相反图案的抗镀层,仅通过无电解镀覆而形成导体层。作为后续的图案形成的方法,例如可使用本领域技术人员公知的减成法、半加成法等。
本发明的第二实施方式涉及的半导体封装基板可以使用上述的正型感光性树脂组合物来制造,将正型感光性树脂组合物的固化物作为再布线形成层使用。具体而言,半导体封装基板的制造方法包括:
(A)在基材上层叠临时固定膜的工序、
(B)将半导体芯片临时固定于临时固定膜上的工序、
(C)在半导体芯片上形成密封层的工序、
(D)将基材及临时固定膜从半导体芯片剥离的工序、
(E)在半导体芯片的剥离了基材及临时固定膜的面上形成作为绝缘层的再布线形成层的工序、
(F)在再布线形成层上形成作为导体层的再布线层的工序、以及、
(G)在再布线层上形成阻焊层的工序。此外,前述的半导体芯片封装的制造方法还可以包括(H)将多个半导体芯片封装切割成一个一个的半导体芯片封装而进行单片化的工序。
<工序(A)>
工序(A)是在基材上层叠临时固定膜的工序。基材与临时固定膜的层叠条件,没有特别限定,优选的是,例如,将压接温度(层压温度)优选设为70℃~140℃、将压接压力优选设为1kgf/cm2~11kgf/cm2、将压接时间优选设为5秒钟~300秒钟、在使空气压力为20mmHg以下的减压下进行层压。此外,层压工序可以是分批式、也可以是使用辊的连续式。真空层压法可以使用市售的真空层压机来进行。作为市售的真空层压机,可举出例如,Nikko-Materials公司制真空敷料器(vacuum applicator)、株式会社名机制作所制真空加压式层压机、Hitachi Industries公司制辊式干式涂布机、HitachiAIC公司制真空层压机等。
作为基材,可举出例如,硅晶片;玻璃晶片;玻璃基板;铜、钛、不锈钢、冷轧钢板(SPCC)等金属基板;FR-4基板等使环氧树脂等渗入玻璃纤维并进行热固化处理而得的基板;由BT树脂等双马来酰亚胺三嗪树脂形成的基板;等等。
临时固定膜可以使用能够从半导体芯片剥离且能够将半导体芯片临时固定的任意的材料。作为市售品,可举出日东电工公司制“REVALPHA”等。
<工序(B)>
工序(B)是将半导体芯片临时固定于临时固定膜上的工序。半导体芯片的临时固定例如可以使用倒装芯片焊接器(flip chip bonder)、芯片焊接器(die bonder)等装置进行。半导体芯片的配置的布局(layout)及配置数可根据临时固定膜的形状、大小、作为目标的半导体封装的生产数等而适当设定,例如,可以将半导体芯片排列成多行且多列的矩阵状来进行临时固定。
<工序(C)>
工序(C)是在半导体芯片上形成密封层的工序。对于密封层而言,可以使用具有绝缘性的任意的材料,可以使用上述的正型感光性树脂组合物。密封层通常通过包括在半导体芯片上形成密封用树脂组合物层的工序、以及使该树脂组合物层热固化而形成密封层的工序的方法来形成。
密封用树脂组合物层的形成优选通过压缩成型法进行。对于压缩成型法而言,通常,将半导体芯片及密封用树脂组合物配置在模具中,在该模具内,向密封用树脂组合物施加压力并且根据需要进行加热,形成覆盖半导体芯片的密封用树脂组合物层。
压缩成型法的具体操作例如可按照下述方式进行。作为压缩成型用的模具,准备上模及下模。此外,在如上所述临时固定于临时固定膜上的半导体芯片上涂布密封用树脂组合物。将涂布了密封用树脂组合物的半导体芯片与基材及临时固定膜一起安装于下模。然后,将上模与下模合模,向密封用树脂组合物施加热及压力,进行压缩成型。
此外,压缩成型法的具体操作例如可按照下述方式进行。作为压缩成型用的模具,准备上模及下模。在下模上放置密封用树脂组合物。此外,将半导体芯片与基材及临时固定膜一起安装于上模。然后,以放置于下模的密封用树脂组合物与安装于上模的半导体芯片接触的方式将上模与下模合模,施加热及压力,进行压缩成型。
成型条件根据密封用树脂组合物的组成而不同,为了实现良好的密封,可采用适当的条件。例如,成型时的模具的温度优选为密封用树脂组合物能够发挥优异的压缩成型性的温度,优选为80℃以上、更优选为100℃以上、特别优选为120℃以上,优选为200℃以下、更优选为170℃以下、特别优选为150℃以下。此外,在成形时施加的压力优选为1MPa以上、更优选为3MPa以上、特别优选为5MPa以上,优选为50MPa以下、更优选为30MPa以下、特别优选为20MPa以下。固化时间(cure time)优选为1分钟以上、更优选为2分钟以上、特别优选为5分钟以上,优选为60分钟以下、更优选为30分钟以下、特别优选为20分钟以下。通常,形成密封用树脂组合物层后,将模具拆卸。模具的拆卸可在密封用树脂组合物层的热固化前进行,也可在热固化后进行。
压缩成型法可以通过将填充于料筒内的密封用树脂组合物排出至下模来进行。
<工序(D)>
工序(D)是将基材和临时固定膜从半导体芯片剥离的工序。剥离方法理想的是采用与临时固定膜的材质相适应的合适的方法。作为剥离方法,可举出例如,使临时固定膜加热、发泡或膨胀来进行剥离的方法。此外,作为剥离方法,可举出例如,透过基材对临时固定膜照射紫外线而使临时固定膜的粘合力下降来进行剥离的方法。
使临时固定膜加热、发泡或膨胀来进行剥离的方法中,加热条件通常为在100℃~250℃加热1秒钟~90秒钟或5分钟~15分钟。此外,照射紫外线而使临时固定膜的粘合力下降来进行剥离的方法中,紫外线的照射量通常为10mJ/cm2~1000mJ/cm2
<工序(E)>
工序(E)是在半导体芯片的剥离了基材和临时固定膜的面上形成作为绝缘层的再布线形成层的工序。再布线形成层使用本发明的正型感光性树脂组合物。再布线形成层的形成方法与第一实施方式中的工序(I)的感光性树脂组合物层的形成方法相同。
形成再布线形成层时,为了将半导体芯片与再布线层进行层间连接,可以在再布线形成层形成通孔。
通孔通常可以通过进行以下工序来形成:对用以形成再布线形成层的感光性树脂组合物层的表面透过掩膜图案照射活化光线的曝光工序、和利用碱水溶液除去照射了活化光线的曝光部的显影工序。活化光线的照射量及照射时间可以根据感光性树脂组合物层而适当设定。作为曝光方法,可举出例如,使掩模图案密合于感光性树脂组合物层进行曝光的接触曝光法、不使掩模图案密合于感光性树脂组合物层而使用平行光线进行曝光的非接触曝光法等。活化光线、碱水溶液、曝光显影方法如上所述。
通孔的形状没有特别限定,通常可设为圆形(大致圆形)。通孔的顶部直径优选为50μm以下、更优选为30μm以下、进一步优选为20μm以下,优选为0.1μm以上、优选为0.5μm以上、更优选为1.0μm以上。此处,通孔的顶部直径是指在再布线形成层的表面处的通孔的开口直径。
<工序(F)>
工序(F)是在再布线形成层上形成作为导体层的再布线层的工序。在再布线形成层上形成再布线层的方法可以与第一实施方式中的在绝缘层上形成导体层的方法相同。此外,可反复进行工序(E)和工序(F),交替堆积(堆叠)再布线层和再布线形成层。
<工序(G)>
工序(G)是在再布线层上形成阻焊层的工序。阻焊层的材料可使用具有绝缘性的任意的材料。其中,从半导体芯片封装的制造的容易性的观点出发,优选感光性树脂及热固性树脂。此外,可以使用本发明的正型感光性树脂组合物。
另外,工序(G)中,可根据需要进行形成凸块的凸块加工。凸块加工可利用焊料球、焊料镀覆(solder plating)等方法进行。另外,凸块加工中的通孔的形成可与工序(E)同样地进行。
对于半导体芯片封装的制造方法,除包括工序(A)~(G)以外,还可包括工序(H)。工序(H)是将多个半导体芯片封装切割成一个一个的半导体芯片封装而进行单片化的工序。将半导体芯片封装切割成一个一个的半导体芯片封装的方法没有特别限定。
[半导体装置]
作为安装有上述的半导体芯片封装的半导体装置,可举出例如,供于电气产品(例如电脑、移动电话、智能手机、平板型设备、可穿戴设备、数码相机、医疗设备和电视机等)和交通工具(例如摩托车、汽车、电车、船舶和航空器等)等的各种半导体装置。
实施例
以下,利用实施例具体地说明本发明。本发明不受这些实施例的限制。应予说明,以下的记载中,表示量的“份”及“%”只要没有另行明示,分别是指“质量份”及“质量%”。
<合成例1:(A)聚酰亚胺A-1的合成>
将对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐(p-phenylene bis(trimellitate anhydride))(TAHQ)45.3g加入2L容量的可拆式烧瓶中,加入N-甲基-2-吡咯烷酮500mL并在室温下进行搅拌,进而加入4,4'-二氨基-2,2'-双(三氟甲基)联苯(TFMB)8.8g、5,5'-亚甲基双(2-氨基苯甲酸)20.3g,同时将反应容器用油浴加热至内部温度成为51℃,进行20小时聚合。接着加入3,5-二羟基苯甲酸2.3g、甲苯185g,进行加热、搅拌5小时直到油浴中溶剂开始回流,通过甲苯共沸脱水从反应体系中取出水约5g,进行了酰亚胺化反应。
接着,将所得的反应液滴加至6L的超纯水中,使聚合物析出,从而生成聚合物。将生成的聚合物过滤分开后,通过真空干燥在80℃下加热使其干燥,得到71g的聚酰亚胺A-1。
通过凝胶渗透色谱(标准聚苯乙烯换算)测定聚酰亚胺A-1的分子量,其结果是,重均分子量(Mw)为85,000。此外,由1H-NMR进行了确认,其结果是,聚酰亚胺A-1是具有下述2个结构单元的共聚物,共聚比率是m:n=28.1:71.9;
[化学式12]
聚酰亚胺A-1
Figure BDA0003370084770000251
<合成例2:聚酰亚胺A-2的合成>
将对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐(TAHQ)45.4g加入2L容量的可拆式烧瓶中,加入N-甲基-2-吡咯烷酮530mL并在室温下进行搅拌,进而加入4,4'-二氨基-2,2'-双(三氟甲基)联苯(TFMB)6.4g、5,5'-亚甲基双(2-氨基苯甲酸)22.7g,同时将反应容器用油浴加热至内部温度成为51℃,进行20小时聚合。接着加入3,5-二羟基苯甲酸2.2g、甲苯185g,进行加热、搅拌5小时直到油浴中溶剂开始回流,通过甲苯共沸脱水从反应体系中取出水约4.8g,进行了酰亚胺化反应。
接着,将所得的反应液滴加至6L的超纯水中,使聚合物析出,从而生成聚合物。将生成的聚合物过滤分开后,通过真空干燥在80℃下加热使其干燥,得到68g的聚酰亚胺A-2。
通过凝胶渗透色谱(标准聚苯乙烯换算)测定聚酰亚胺A-2的分子量,其结果是,重均分子量(Mw)为81,000。此外,由1H-NMR进行了确认,其结果是,聚酰亚胺A-2是具有下述2个结构单元的共聚物,共聚比率是m:n=22.0:78.0。
[化学式13]
聚酰亚胺A-2
Figure BDA0003370084770000261
<合成例3:聚酰亚胺A-3的合成>
将对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐(TAHQ)45.2g加入2L容量的可拆式烧瓶中,加入N-甲基-2-吡咯烷酮550mL并在室温下进行搅拌,进而加入4,4'-二氨基-2,2'-双(三氟甲基)联苯(TFMB)8.8g、5,5'-亚甲基双(2-氨基苯甲酸)18.4g,同时将反应容器用油浴加热至内部温度成为51℃,进行20小时聚合。接着加入3,5-二羟基苯甲酸2.2g、甲苯185g,进行加热、搅拌5小时直到油浴中溶剂开始回流,通过甲苯共沸脱水从反应体系中取出水约5g,进行了酰亚胺化反应。接着,将所得的反应液滴加至6L的超纯水中,使聚合物析出,从而生成聚合物。将生成的聚合物过滤分开后,通过真空干燥在80℃下加热使其干燥,得到63g的聚酰亚胺A-3。通过凝胶渗透色谱(标准聚苯乙烯换算)测定聚酰亚胺A-3的分子量,其结果是,重均分子量(Mw)为92,000。此外,由1H-NMR确认的聚酰亚胺A-3是具有下述2个结构单元的共聚物,共聚比率是m:n=34.7:65.3。
[化学式14]
聚酰亚胺A-3
Figure BDA0003370084770000271
<比较合成例1:聚酰亚胺A-4的合成>
将对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐(TAHQ)42.0g加入2L容量的可拆式烧瓶中,加入N-甲基-2-吡咯烷酮550mL并在室温下进行搅拌,进而加入4,4'-二氨基-2,2'-双(三氟甲基)联苯(TFMB)8.8g、2,2-双(3-氨基-4-羟基苯基)六氟丙烷(6FAP)23.5g,同时将反应容器用油浴加热至内部温度成为45℃,进行20小时聚合。接着加入3,5-二羟基苯甲酸2.2g、甲苯185g,进行加热、搅拌5小时直到油浴中溶剂开始回流,通过甲苯共沸脱水从反应体系中取出水约3.5g,进行了酰亚胺化反应。
接着,将所得的反应液滴加至6L的超纯水中,使聚合物析出,从而生成聚合物。将生成的聚合物过滤分开后,通过真空干燥在80℃下加热使其干燥,得到66g的聚酰亚胺A-4。
通过凝胶渗透色谱(标准聚苯乙烯换算)测定聚酰亚胺A-4的分子量,其结果是,重均分子量(Mw)为71,000。此外,由1H-NMR进行了确认,其结果是,聚酰亚胺A-4是具有下述2个结构单元的共聚物,共聚比率是m:n=30.4:69.6;
[化学式15]
聚酰亚胺A-4
Figure BDA0003370084770000272
<实施例1~10及比较例1:正型感光性组合物的制备>
如下表所示那样分别配合作为合成例1~3及比较合成例1中聚合的(A)成分的聚酰亚胺、(B)光致酸产生剂、(C)敏化剂、(D)密合助剂、及(E)二官能以上的交联剂,溶解于γ-丁内酯,制备正型感光性组合物。
应予说明,在下表中,(B)~(E)成分的含量表示相对于(A)成分100质量份的添加量(质量份)。溶剂(γ-丁内酯)的使用量均相对于(A)成分100质量份为280质量份。
[表1]
(表1)
Figure BDA0003370084770000281
表中的缩写等如下所述;
·光致酸产生剂B-1:下述结构式所示的化合物
[化学式16]
Figure BDA0003370084770000282
·光致酸产生剂B-2:下述结构式所示的化合物
[化学式17]
Figure BDA0003370084770000283
·敏化剂C-1:下述结构式所示的化合物
[化学式18]
Figure BDA0003370084770000284
·敏化剂C-2:下述结构式所示的化合物
[化学式19]
Figure BDA0003370084770000291
·密合助剂:下述结构所示的化合物(信越化学工业公司制、KBM-403)
[化学式20]
Figure BDA0003370084770000292
·密合助剂D-2:VD-5(四国化成公司制)
·交联剂E-1:下述结构式所示的化合物(HP-4032D、DIC公司制)
[化学式21]
Figure BDA0003370084770000293
·交联剂E-2:下述结构式所示的化合物
[化学式22]
Figure BDA0003370084770000294
<极限分辨力的评价>
在硅晶片上以10μm的膜厚层叠铜镀层,在用1%盐酸水溶液进行了10秒钟粗糙化处理的基板上,使用旋涂机以适合膜厚成为25μm的转速涂布实施例及比较例中配合的正型感光性组合物后,在热板上于120℃加热5分钟,制作感光性树脂组合物层。将其称为层叠体。
用紫外线(波长365nm、强度40mW/cm2)对制作的层叠体进行曝光。曝光量设定为50mJ/cm2至1000mJ/cm2的范围的最优值。曝光图案使用描绘开口直径10μm、15μm、20μm、25μm、30μm的圆孔(通孔)的石英玻璃掩膜。
接着,在该层叠体的感光性树脂组合物层的整面,以喷雾压力0.1MPa,喷雾作为显影液的50℃的2.38质量%四甲基氢氧化铵水溶液,以60秒至600秒之间的最优时间进行喷雾显影,接着,以喷雾压力0.1MPa喷水,进行30秒钟喷淋洗涤(spray rinse)。进而,进行200℃、120分钟的加热处理,使感光性树脂组合物层固化。
采用SEM对曝光图案的开口10μm、15μm、20μm、25μm、30μm的通孔的底部的直径进行观察(倍率1000倍)并进行测定。将可开口的最小尺寸作为极限分辨力。
<伸长率、弹性模量、线热膨胀系数、介电常数、及介质损耗角正切的测定>
(1)物性测定用感光性树脂组合物膜的制作
使用刮刀将实施例及比较例中配合的正型感光性组合物以膜厚成为140μm的方式涂布于经剥离处理的PET膜(产品名NS-80A:藤森工业公司制)上。使用加热机将该PET膜上的溶液于80℃加热20分钟后,得到感光性树脂组合物层。将感光性树脂组合物层从PET膜剥离,使用耐热性胶带将感光性树脂组合物层贴附于金属框,在200℃下进行2小时固化,制作物性测定用感光性树脂组合物膜。
(2)伸长率及弹性模量的测定
将物性测定用感光性树脂组合物膜切成哑铃状1号形,得到试片。使用Orientec公司制拉伸试验机“RTC-1250A”对该试片进行拉伸强度测定,求出25℃时的伸长率及弹性模量。测定按照JIS K7127实施。进行3次该操作,将其平均值示于表中(单位:伸长率=%:弹性模量=GPa)。
(3)线热膨胀系数(CTE)的测定
将物性测定用感光性树脂组合物膜切割成宽度5mm、长度15mm,得到试片。使用热机械分析装置(Rigaku公司制“Thermo Plus TMA8310”),采用拉伸载荷法对该试片进行热机械分析。详细而言,将试片安装于前述热机械分析装置后,在负荷1g、升温速度5℃/分钟的测定条件下连续进行2次测定。然后,算出从25℃至150℃的范围内的平面方向的线热膨胀系数(ppm/℃)。
(4)介电常数、介质损耗角正切的测定
从物性测定用感光性树脂组合物膜切出宽度2mm、长度80mm的试片。使用安捷伦科技(Agilent Technologies)公司制造的测定装置“HP8362B”,通过谐振腔微扰法,在测定频率5.8GHz、测定温度23℃的条件下,对切出的试片测定介质损耗角正切。
<翘曲的评价>
在8英寸硅晶片上,使用旋涂机以适合膜厚成为25μm的转速涂布实施例及比较例中配合的感光性树脂组合物后,在热板上于120℃加热5分钟。进而进行200℃、120分钟的加热处理,使感光性树脂组合物层热固化。由此得到包含8英寸硅晶片和感光性树脂组合物的固化物层的试样基板。使用影像云纹(Shadow Moire)测定装置(Akorometrix公司制“ThermoireAXP”),针对前述的试样基板测定25℃时的翘曲量。按照日本电子信息技术产业协会标准的JEITA EDX-7311-24进行测定。具体而言,将测定区域的基板面的全部数据采用最小二乘法算出的拟合平面作为基准面,求出从该基准面起垂直方向的最小值与最大值之差作为翘曲量(μm)。
[表2]
(表2)
Figure BDA0003370084770000311

Claims (13)

1.一种正型感光性树脂组合物,其中,含有:
(A)在分子内具有羟基羰基的聚酰亚胺树脂、及
(B)光致酸产生剂。
2.根据权利要求1所述的正型感光性树脂组合物,其中,含有(C)敏化剂。
3.根据权利要求2所述的正型感光性树脂组合物,其中,(C)成分是下述通式(C-1)所示的化合物,
Figure FDA0003370084760000011
在式(C-1)中,R1表示氢原子、碳原子数1~7的直链状或支链状烷基、卤素原子、羟基、甲氧基、或叔丁氧基。
4.根据权利要求2所述的正型感光性树脂组合物,其中,(C)成分是下述通式(C-2)所示的化合物,
Figure FDA0003370084760000012
5.根据权利要求1所述的正型感光性树脂组合物,其中,含有(D)密合助剂。
6.根据权利要求1所述的正型感光性树脂组合物,其中,含有(E)二官能以上的交联剂。
7.根据权利要求1所述的正型感光性树脂组合物,其中,(A)成分包含:具有下述通式(A-1)所示的结构单元和下述通式(A-2)所示的结构单元的聚酰亚胺树脂,
Figure FDA0003370084760000013
在式(A-1)、式(A-2)中,X各自独立地表示单键、氧原子、硫原子、酯键、碳原子数1~20的亚烷基、碳原子数7~20的亚芳基、或由它们组合而成的二价基团,Y1、Y2各自独立地表示氢原子、卤素原子、三甲基甲硅烷基、三氟甲基、三甲基甲硅烷基氧基、或羟基,m、n是任意的正整数且其总和为90至100。
8.根据权利要求7所述的正型感光性树脂组合物,其中,(A)成分含有:包含通式(A-1)所示的结构单元和通式(A-2)所示的结构单元的共聚物,
通式(A-1)所示的结构单元与通式(A-2)所示的结构单元的共聚比率、即通式(A-1)所示的结构单元m/通式(A-2)所示的结构单元n为20/80以上且50/50以下。
9.根据权利要求1所述的正型感光性树脂组合物,其中,(A)成分包含:具有下述通式(A-3)所示的结构单元和下述通式(A-4)所示的结构单元的聚酰亚胺树脂,
Figure FDA0003370084760000021
在式(A-3)、(A-4)中,m1、n1是任意的正整数且其总和为90至100。
10.根据权利要求9所述的正型感光性树脂组合物,其中,(A)成分含有:包含通式(A-3)所示的结构单元和通式(A-4)所示的结构单元的共聚物,
通式(A-3)所示的结构单元与通式(A-4)所示的结构单元的共聚比率、即通式(A-3)所示的结构单元m1/通式(A-4)所示的结构单元n1为20/80以上且50/50以下。
11.一种半导体封装基板,其中,包含利用权利要求1~10中任一项所述的正型感光性树脂组合物的固化物形成的绝缘层。
12.一种半导体装置,其中,包含权利要求11所述的半导体封装基板。
13.一种半导体封装基板的制造方法,其中,包括:
在电路基板上形成包含权利要求1~10中任一项所述的正型感光性树脂组合物的感光性树脂组合物层的工序、
对感光性树脂组合物层照射活化光线的工序、和
对感光性树脂组合物层进行显影的工序。
CN202111396375.0A 2020-11-25 2021-11-23 正型感光性树脂组合物 Pending CN114545738A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020195575 2020-11-25
JP2020-195575 2020-11-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114545738A true CN114545738A (zh) 2022-05-27

Family

ID=81668831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111396375.0A Pending CN114545738A (zh) 2020-11-25 2021-11-23 正型感光性树脂组合物

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2022083986A (zh)
KR (1) KR20220072786A (zh)
CN (1) CN114545738A (zh)
TW (1) TW202231721A (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5649118B2 (ja) 2008-10-20 2015-01-07 日本化薬株式会社 ポリイミド樹脂及びその組成物
JP5577688B2 (ja) 2009-12-17 2014-08-27 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜及び電子部品
US10719016B2 (en) 2015-08-21 2020-07-21 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Photosensitive resin composition, polyimide production method, and semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
TW202231721A (zh) 2022-08-16
JP2022083986A (ja) 2022-06-06
KR20220072786A (ko) 2022-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI653258B (zh) Semiconductor device
JP7375761B2 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性樹脂組成物フィルム、硬化膜、これらを用いた中空構造体、および電子部品
WO2021020344A1 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性シート、硬化膜、硬化膜の製造方法、層間絶縁膜および電子部品
TW202111432A (zh) 負型感光性樹脂組合物、聚醯亞胺之製造方法、硬化浮凸圖案之製造方法、及半導體裝置
WO2016158362A1 (ja) ドライフィルム、硬化物、積層体及びレジストパターンの形成方法
JP2022154451A (ja) 感光性樹脂組成物
JP2021055055A (ja) 樹脂組成物、樹脂組成物フィルム、硬化膜、およびこれらを用いた半導体装置
WO2023139814A1 (ja) 樹脂組成物、フィルム、硬化膜、および半導体装置、多層配線基板
CN114545738A (zh) 正型感光性树脂组合物
JP2023092854A (ja) 樹脂組成物
CN113518792B (zh) 含酯二胺的聚苯并噁唑前体、感光性树脂组合物、干膜、固化物和电子部件
TW201533198A (zh) 接著組成物及具有其的接著膜、帶有接著組成物的基板、半導體裝置及其製造方法
CN114764213A (zh) 负型感光性树脂组合物
JP2001110898A (ja) 半導体装置及びその材料
CN112585536A (zh) 感光性树脂组合物、干膜、固化物和电子部件
WO2024070808A1 (ja) 感光性フィルム及び感光性樹脂組成物
WO2022210788A1 (ja) 感光性樹脂組成物
TWI830255B (zh) 感光性聚醯亞胺樹脂組成物
JP7484782B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP2022154159A (ja) 感光性樹脂組成物
WO2023162718A1 (ja) 樹脂組成物、樹脂組成物被膜、樹脂組成物フィルム、硬化膜、およびこれらを用いた半導体装置
CN117136335A (zh) 感光性树脂组合物
WO2023032467A1 (ja) 樹脂組成物、樹脂組成物フィルム、硬化膜、および半導体装置
JP2023046118A (ja) 感光性樹脂組成物
JP2022162611A (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂組成物フィルム、硬化膜、および半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination