CN114540006A - 量子点材料及其制备方法、发光二极管和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种量子点材料，所述量子点材料包括量子点，所述量子点包括量子点本体和通过配位键键合在所述量子点本体上的空穴传输配体，所述空穴传输配体具有咔唑基、至少一个配位基和至少一个具有不饱和键的交联基，所述配位基和所述交联基均为所述空穴传输配体的端基，且所述配位基提供所述配位键。本公开还提供一种量子点材料的制备方法、一种发光二极管和一种显示面板。

Description

量子点材料及其制备方法、发光二极管和显示面板
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体地，涉及一种量子点材料、该量子点材料的制备方法、一种发光二极管和一种显示面板。
背景技术
量子点发光二极管的发光层由量子点发光材料制成，其中，量子点发光材料中的量子点能够在电场的激发下发出预定颜色的光。由于量子点发光二极管发光具有较高的色纯度，并且也具有较高的稳定性，因此，量子点发光二极管被应用在显示装置中，逐步成为一种新兴的显示技术。
如何进一步的提高量子点发光二极管的发光效率，也是本领域正在追求的。
发明内容
本公开的目的在于提供一种量子点材料、该量子点材料的制备方法、一种发光二极管和一种显示面板。
作为本公开第一个方面，提供一种量子点材料，所述量子点材料包括量子点，其中，所述量子点包括量子点本体和通过配位键键合在所述量子点本体上的空穴传输配体，所述空穴传输配体具有咔唑基、至少一个配位基和至少一个具有不饱和键的交联基，所述配位基和所述交联基均为所述空穴传输配体的端基，且所述配位基提供所述配位键。
可选地，所述空穴传输配体中，所述配位基和所述交联基的总数量不少于3。
可选地，所述空穴传输配体具有以下结构式：
Figure BDA0002800799980000011
其中，R1至R9中至少三者的端基分别为所述配位基或者所述交联基。
可选地，R1的端基、R4的端基和R7的端基各自独立地选自配位基和交联基中的任意一者。
可选地，R1至R9中，均不为氢、且相邻的两个基团的端基互不相同。
可选地，所述空穴传输配体还满足以下条件中的任意一者：
R1的端基为配位基，R2的端基、以及R9的端基均为交联基；
R3的端基和R8的端基均为配位基，R4的端基和R7的端基均为交联基，且R5的端基和R6的端基均为配位基；
R1的端基为交联基，R2的端基和R9的端基为配位基，R3的端基和R8的端基为交联基，R4的端基和R7的端基为配位基，R5的端基和R6的端基为交联基。
可选地，在R1至R9中，具有配位基的基团还具有第一烷基链，所述第一烷基链的一端与所述咔唑基相连，所述配位基形成在所述第一烷基链的另一端，所述第一烷基链中碳原子的个数不超过10个。
可选地，在R1至R9中，具有交联基的基团还具有第二烷基链，所述第二烷基链的一端与所述咔唑基相连，所述乙烯基形成在所述第二烷基链的另一端，所述第二烷基链中碳原子的个数不超过10个。
可选地，R1至R9中的至少一者具有苯环基团。
可选地，所述配体化合物的分子式选自以下分子式中的任意一者：
Figure BDA0002800799980000021
Figure BDA0002800799980000031
可选地，所述空穴传输配体中的配位基选自巯基、多巯基、羧基、氨基、多氨基或者磷氧基中的至少一者。
作为本公开的第二个方面，提供一种量子点材料的制备方法，其中，所述制备方法包括：
提供配体化合物溶液，所述配体化合物包括咔唑基、至少一个配位基和至少一个交联基，所述咔唑基和所述交联基均为所述配位化合物的端基；
提供初始量子点溶液，所述初始量子点包括量子点本体；
将配体化合物溶液与量子点溶液混合，以使所述配体化合物与所述量子点本体反应，所述配体化合物的配位基与所述量子点本体键合，获得所述量子点材料。
可选地，提供配体化合物的步骤包括：
将3,6-二溴咔唑与硼酸化合物反应，获得中间体，其中，所述硼酸化合物的结构式为
Figure BDA0002800799980000032
基团R为配位基或者交联基，以使得所述硼酸化合物的基团R取代3,6-二溴咔唑与硼酸化合物中的溴，所述中间体的结构式为
Figure BDA0002800799980000033
将所述中间体与溴代化合物混合，其中，所述溴代化合物的结构式为R1-Br，基团R1的端基为配位基或者交联基；
使所述中间体与所述溴代化合物反应，以使得基团R1取代所述中间体的亚胺基中的氢，并获得所述配位化合物。
作为本公开的第三个方面，提供一种发光二极管，所述发光二极管包括量子点发光层，其中，所述量子点发光层具有本公开所提供的上述量子点材料的空穴传输配体连结形成的网状结构。
可选地，所述量子点发光层中，多个量子点的交联基互相交联；和/或
所述量子点发光层中，至少一个量子点的空穴传输配体具有多个配位基，且在具有多个所述配位基的量子点中，其中一个配位基与当前量子点的量子点本体键合，其他配位基与其他量子点的量子点本体键合。
可选地，所述发光二极管还包括第一电极、电子传输层、第二电极，所述第一电极层、所述量子点发光层、所述电子传输层和所述第二电极依次层叠设置。
作为本公开的第四个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括发光二极管，其中，所述发光二极管为本公开所提供的上述发光二极管。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是相关技术中，量子点发光二极管的结构示意图；
图2是本公开所提供的量子点材料中，量子点的结构示意图；
图3是量子点材料固化后获得的网状结构的一种实施方式的示意图；
图4是量子点材料固化后获得的网状结构的另一种实施方式的示意图；
图5是本公开所提供的量子点材料的制备方法流程图；
图6是制备配体化合物的流程示意图；
图7是本公开所提供的发光二极管的一种实施方式的结构示意图；
图8是本公开所提供的发光二极管的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
图1中所示的是一种量子点发光二极管的结构图。如图中所示，所述量子点发光材料包括依次层叠的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、第二电极。
其中，电子传输层多采用电子迁移率较高的金属氧化物半导体纳米粒子(诸如，ZnO、ZnMgO等)制成，空穴注入层、空穴传输层多采用有机材料制成。与金属氧化物半导体纳米粒子相比，有机物的载流子迁移率相对较低。这就在量子点发光二极管发光时，载流子注入不平衡，激子复合区域容易出现在空穴传输层，而非量子点发光层，从而降低了量子点发光二极管的发光效率。
有鉴于此，作为本公开的一个方面，提供一种量子点材料，所述量子点材料包括量子点，其中，如图2所示，所述量子点包括量子点本体110和通过配位键键合在所述量子点本体上的空穴传输配体，所述空穴传输配体具有咔唑基、至少一个配位基和至少一个具有不饱和键的交联基，所述配位基和所述交联基均为所述空穴传输配体的端基，且所述配位基提供所述配位键。
在本公开所提供的量子点材料中，量子点本体110能够发挥量子点的基本功能，即，在预定电场激发作用下，量子点本体110能够发出预定颜色的光。并且，在空穴传输配体中，所述端基远离所述咔唑基。交联基具有不饱和建，该交联基被配置为在特定条件下，多个交联基相互之间可以发生交联反应，从而可以连结在一起。
咔唑基具有良好的空穴传输功能，在将所述量子点材料应用于量子点发光二极管的量子点发光层时，量子点的空穴传输配体中的咔唑基可以起到向该量子点发光层传输空穴的作用，从而可使得载流子注入更加平衡，提高发光效率。
在本公开中，所述配位基还可以钝化量子点本体110的表面缺陷，提高在制备量子点发光材料层的过程中量子点本体110的稳定性，确保量子点本体110能够被激发发光。
所述交联基具有不饱和键，在所述量子点材料固化的过程中，不同量子点的交联基可以发生交联，最终使得量子点材料固化获得致密、且稳定的网状结构。当所述量子点材料应用于量子点发光二极管中时，该量子点材料固化后获得的量子点发光层具有致密网状结构。在制备量子点发光二极管时，多用到溶液制程，具有致密网状结构的量子点发光层耐腐蚀性能强，能够在后续的溶液制程中保持稳定，从而可以提高量子点发光二极管的良率。
并且，利用量子点材料各个量子点的交联基交联即可实现量子点材料的固化，不需要提供额外的固化用基体材料，减少了制造量子点发光二极管时所需要的材料，降低了制造成本。
在本公开中，对配位基的选择并不做特殊的限定。例如，所述配位基可以选自多巯基、羧基、氨基、多氨基或者磷氧基中的至少一者。当然，在同一个空穴传输配体上，可以同时包括上述各种配位基。
在本公开中，对交联基的具体形式也不做特殊的限定，只要所述交联基具有不饱和健即可，例如，所述交联基可以为乙烯基，也可以为丙烯基、乙炔基、丙炔基中的任意一者。
需要指出的是，在量子点材料固化形成量子点发光层时，发生交联的不仅仅是空穴传输配体中的交联基，还可以是其他基团(例如，不同量子点的空穴传输配体上的配位基也可以互相交联)，从而进一步增加量子点发光层网状结构致密性。
在本公开中，对所述空穴传输配体中配位基和交联基的具体数量不做特殊的限定。作为一种可选实施方式，所述配位基和所述交联基的总数量不小于三个。也就是说，在所述空穴传输配体中，配位基和交联基中的至少一个的数量为两个以上。
所述配位基和所述交联基的总数量不小于三个可以提高量子点材料固化后获得的网状结构的致密性。
作为一种可选实施方式，所述空穴传输配体上设置有多个配位基，多个配位基均可以与量子点本体110发生键合，从而可以形成网状结构，如图4所示。换言之，对于某一个量子点而言，连接在其量子点本体上的空穴传输配体中的一个配位基于当前量子点的量子点本体结合，其他配位基可以与除当前量子点之外的其他量子点的量子点本体键合，从而可以形成网状结构。
作为另一种可选实施方式，所述空穴传输配体上设置有多个交联基，对于某一个量子点而言，连接在其量子点本体上的空穴传输配体中的所有交联基均可以与其他量子点的空穴传输配体的交联基交联，形成更加致密的网状结构。
在图3中所示的即为量子点材料固化后获得的网状结构的示意图，如图所示，不同量子点的空穴传输配体互相交联。在图3中，还示出了不同量子点的空穴传输配体中用作配位基的巯基互相交联的情况。
作为一种可选实施方式，所述空穴传输配体具有以下结构式：
Figure BDA0002800799980000061
其中，R1至R9中至少三者的端基分别为所述配位基或者所述交联基。
在本公开中，对配位基和交联基在咔唑基上的位置不做特殊的限定，作为一种可选实施方式，R1的端基、R4的端基和R7的端基各自独立地选自配位基和交联基中的任意一者。也就是说，在这种实施方式中，配位基于交联基之间、或者配位基于配位基之间、或者交联基于交联基之间是互相间隔的，从而可以提高空间位阻。空间位阻效应又称立体效应，主要是指分子中某些原子或基团彼此接近而引起的空间阻碍作用。提高空穴传输配体的空间位阻可以避免多个配位基与同一个量子点本体发生配位。
避免同一个空穴传输配体上的两个相同的端基于同一个量子点本体键合。
所述配位基失氢后可以提供配位键，当所述空穴传输配体与量子点本体结合后，形成为上文中所述的量子点。
在本公开中，对“具有所述配位基”不做特殊的限定。具有配位基的基团可以是配位基本身。当然，具有配位基的基团，除了所述配位基之外，还可以具有其他的基团或者官能团。但是，需要注意的是，在本公开中，所述配位基的作用是提供配位键，因此，在所述配体化合物中，所述配位基必然是位于该配体化合物的端部的。
在本公开中，R1至R9中，均不为氢、且相邻的两个基团的端基互不相同。
例如，所述空穴传输配体还满足以下条件中的任意一者：
R1的端基为配位基，R2的端基、以及R9的端基均为交联基；
R3的端基和R8的端基均为配位基，R4的端基和R7的端基均为交联基，且R5的端基和R6的端基均为配位基；
R1的端基为交联基，R2的端基和R9的端基为配位基，R3的端基和R8的端基为交联基，R4的端基和R7的端基为配位基，R5的端基和R6的端基为交联基。
作为一种可选实施方式，在R1至R9中，具有所述配位基的基团还具有第一烷基链，所述第一烷基链的一端与所述咔唑基相连，所述配位基形成在所述第一烷基链的另一端，并且，所述第一烷基链中碳原子的个数不超过10个。第一烷基链的碳原子个数不超过10个，可以提高所述量子点材料固化后获得的网状结构的柔韧性。如上文中所述，在同一个空穴传输配位中，可能会存在多个配位基，设置第一烷基链可以避免同一个空穴传输配体中的多个配位基于同一个量子点本体发生配位。
如上文中所述，所述量子点材料可以包括交联基，相应地，在上述结构式中，在R1至R9中，具有交联基的基团还具有第二烷基链，所述第二烷基链的一端与所述咔唑基相连，所述交联基形成在所述第二烷基链的另一端，所述第二烷基链中碳原子的个数不超过10个。同样地，限制第二烷基链中碳原子的个数也有利于使得量子点材料固化后获得的网状结构具有良好的柔韧性。
与对“具有配位基”的解释类似，“具有交联基”的基团，可以直接就是交联基，也可以是其他结构与交联基的组合。
作为另一种可选实施方式，R1至R9中的至少一者具有苯环基团。苯环基团具有共轭性，可以调整配体基团的空穴传输性能。
在本公开中，对“具有苯环基团”的具体形式也不做特殊的限定。
当然，R1至R9中，还可以包括-H。
同时具有第二烷基链、以及交联基(这种实施方式中，交联基为乙烯基)的基团结构式如下：
Figure BDA0002800799980000081
同时具有第一烷基链、以及配位基(这种实施方式中，配位基为巯基)的基团结构式如下：
Figure BDA0002800799980000082
同时具有苯环、第一烷基链、以及配位基(这种实施方式中，配位基为巯基)的基团结构式如下：
Figure BDA0002800799980000083
同时具有苯环、第二烷基链、以及交联基(这种实施方式中，交联基为乙烯基)的基团结构式如下：
Figure BDA0002800799980000084
在上述结构式中，1≤n≤10。
当将所述量子点材料用于量子点发光二极管中时，量子点材料固化获得的量子点发光层具有良好的柔性，因此，所述量子点发光二极管也具有良好的柔性。
结合上述描述，本申请中，所述配体化合物的分子式选自以下分子式中的任意一者：
Figure BDA0002800799980000085
Figure BDA0002800799980000091
在本公开中，对量子点本体的具体结构、以及具体材料均不做特殊限定。只要能够在电场激发作用下发出具有预定波长的光即可。所述量子点本体为核壳结构，所述空穴传输配体通过配位键键合在核壳结构的壳体上。作为一种可选实施方式，所述量子点本体可以为CdSe/CdZnSeS/ZnS量子点。
作为本公开的第二个方面，提供一种量子点材料的制备方法，如图5所示，该制备方法包括：
在步骤S110中，提供配体化合物溶液，所述配体化合物包括咔唑基、至少一个配位基和至少一个交联基，所述咔唑基和所述交联基均为所述配位化合物的端基；
在步骤S120中，提供初始量子点溶液，所述初始量子点包括量子点本体；
在步骤S130中，将配体化合物溶液与量子点溶液混合，以使所述配体化合物与所述量子点本体反应，所述配体化合物的配位基与所述量子点本体键合，获得所述量子点材料。
通过所述制备方法可以制得本公开第一个方面所提供的量子点材料，上文中已经对所述量子点材料的原理、以及优点进行了详细介绍，这里不再赘述。
需要解释的是，步骤S130应当维持在一个能够使得初始量子点材料和配体化合物溶液发生反应的反应条件下。
在本公开中，对如何制备配体化合物并不做特殊的限定。下面结合图6介绍一种制备配体化合物的可选方式：
在步骤S111中，将3,6-二溴咔唑与硼酸化合物反应，获得中间体，其中，所述硼酸化合物的结构式为
Figure BDA0002800799980000101
基团R为配位基或者交联基，以使得所述硼酸化合物的基团R取代3,6-二溴咔唑与硼酸化合物中的溴，所述中间体的结构式为
Figure BDA0002800799980000102
在步骤S112中，将所述中间体与溴代化合物混合，其中，所述溴代化合物的结构式为R1-Br，基团R1的端基为配位基或者交联基；
在步骤S113中，使所述中间体与所述溴代化合物反应，以使得基团R1取代所述中间体的亚胺基中的氢，并获得所述配位化合物。
3,6-二溴咔唑的结构式如下所示：
Figure BDA0002800799980000103
利用3,6-二溴咔唑制备配体化合物可以获得配位基或者交联基在3、6两个位置的配位化合物。
步骤S113后获得的配位化合物的结构式如下：
Figure BDA0002800799980000104
在本公开中，对步骤S111中，3,6-二溴咔唑与硼酸化合物的物质的量之比不做特殊的限定。理论上，为了获得所述中间体，3,6-二溴咔唑与硼酸化合物的物质的量之比为1:2，为了确保反应完全，可以添加更多的硼酸化合物。在步骤S111中，发生的反应的化学反应式如下：
Figure BDA0002800799980000111
为了使得反应充分发生，还可以在步骤S111中添加催化剂。所述催化剂可以为醋酸钯、三(邻甲基苯基)磷、氢氧化钡一水化合物等。
同样地，在步骤S112中，中间体与溴代化合物的物质的量之比理论上为1:1，为了确保反应完全，可以添加更多的溴代化合物。
在步骤S112中，发生反应的化学反应式如下：
Figure BDA0002800799980000112
下面介绍步骤S111至步骤S113的一种具体实施方式：
步骤S111被具体执行为：在氩气保护氛围下，将硼酸化合物(9mmol)、醋酸钯(0.3mmol)、三(邻甲基苯基)磷(0.6mmol)、氢氧化钡一水化合物(9mmol)、3,6-二溴咔唑(3mmol)依次加入配有磁力搅拌的圆底烧瓶中，然后搅拌状态下加入无水乙二醇二甲醚(24mL)和超纯水(5mL)，将生成的悬浮液在80℃下加热搅拌反应8小时，冷却至室温，悬浮液通过硅藻土过滤。黄化滤液真空浓缩，残渣用二氯甲烷萃取两次，合并有机相，在有机相中加入无水硫酸钠进行干燥。通过旋转蒸发去除溶剂，用硅胶柱层析提纯粗产物，淋洗液为(10:1正己烷–乙酸乙酯)，最后通过重结晶方式进一步提纯获得中间体。
步骤S112被具体执行为：在氩气保护氛围下，将中间体(5mmol)，溴代化合物(5.5mmol)，粉末状无水碳酸钾(2.76g，20.0mmol)，粉末铜(635mg，0.5mmol)，六氧环十八烷(132mg,0.5mmol)，依次加入配有磁力搅拌的圆底烧瓶中。
步骤S113被具体执行为：搅拌状态下，向配有磁力搅拌的圆底烧瓶的反应物中加入邻二氯苯(10mL)。反应混合物回流反应4天，冷却至室温，过滤去除铜粉和无机盐。通过旋转蒸发去除溶剂，用硅胶柱层析法提纯粗产物，淋洗液为(2:1正己烷–乙酸乙酯)，最后通过重结晶方式进一步提纯获得目标产物(所述配体化合物)。
下面简单介绍制备具有如下化学式的配体化合物的过程：
Figure BDA0002800799980000121
在氩气保护氛围下，将硼酸化合物(F)(2.93g，9mmol)、醋酸钯(0.07g，0.3mmol)、三(邻甲基苯基)磷(0.18g，0.6mmol)、氢氧化钡一水化合物(3g，9mmol)、3,6-二溴咔唑(0.98g，3mmol)依次加入配有磁力搅拌的圆底烧瓶中，然后搅拌状态下加入无水乙二醇二甲醚(24mL)和超纯水(5mL)，将生成的绿色悬浮液在80℃下加热搅拌反应8小时，冷却至室温，墨绿色悬浮液通过硅藻土过滤。黄化滤液真空浓缩，残渣用二氯甲烷萃取两次，合并有机相，在有机相中加入无水硫酸钠进行干燥。通过旋转蒸发去除溶剂，通过硅胶柱层析提纯粗产物，淋洗液为(10:1正己烷–乙酸乙酯)，最后通过重结晶方式进一步提纯获得目标产物(G)。化学反应式如下所示：
Figure BDA0002800799980000122
在氩气保护氛围下，将化合物(G)(1.24g，5mmol)，化合物(H)(1.27g，5.5mmol)，粉末状无水碳酸钾(2.76g，20.0mmol)，粉末铜(635mg，0.5mmol)，六氧环十八烷(132mg,0.5mmol)，依次加入配有磁力搅拌的圆底烧瓶中，然后搅拌状态下加入邻二氯苯(10mL)。反应混合物回流反应4天，冷却至室温，过滤去除铜粉和无机盐。通过旋转蒸发去除溶剂，用硅胶柱层析法提纯粗产物，淋洗液为(2:1正己烷–乙酸乙酯)，最后通过重结晶方式进一步提纯获得目标产物(e)。化学反应式如下所示：
Figure BDA0002800799980000131
下面介绍一种具体的制备实施例：
量子点配体交换过程需在氮气环境保护下进行，实验过程中使用无水无氧超干溶剂。制备方法包括以下步骤：
使用旋转蒸发仪将普通量子点溶剂除去，并用5mL氯仿重新溶解，加入到配有磁力搅拌的20mL回流瓶中，升温至65℃；
将新合成配体化合物的氯仿溶液分3次缓慢滴加至量子点溶液中，每次间隔1h，最后再回流1h，结束反映，冷却至室温；
向反应体系加入适量丙酮，量子点沉降，离心，沉淀用甲苯溶解，再用丙酮/甲苯循环处理3次，洗净量子点表面残留的油酸和未修饰的配体等，得到具有空穴传输性配体的量子点。
在本公开中，对量子点材料如何固化不做特殊的限定，例如，可以通过热固化的方式使得所述量子点材料固化。
作为本公开的第三个方面，提供一种发光二极管，所述发光二极管包括量子点发光层，其中，所述量子点发光层由本公开所提供的上述量子点材料制成。具体地，所述量子点发光层具有量子点材料的空穴传输配体连结形成的网状结构。
如上文中所述，所述量子点发光层由本公开所提供的上述量子点发光材料制成，所述量子点发光材料中，量子点上形成有空穴传输配体，在所述发光二极管发光时，空穴传输配体更有利于将空穴传输至量子点发光层中，使载流子注入更加平衡，并使得复合区位于所述量子点发光层中，提高所述发光二极管的发光效率。
作为一种实施方式，如图3中所示，量子点材料的多个量子点的交联基可以互相交联。因此，在所述量子发光层中，多个量子点的交联基互相交联。图3中的m是指交联基发生交联的量子点个数，在本公开中，m不做特殊限定，m的大小对量子点发光层的柔韧性等物理参数有影响，可以通过对量子点发光层的要求来确定m的数值范围，并通过控制交联反应的条件来实现相应的范围。在本公开中，m至少大于1。
作为另一种实施方式，如图4中所示，所述量子点材料的至少一个量子点的空穴传输配体具有多个配位基，且在具有多个所述配位基的量子点中，其中一个配位基与当前量子点的量子点本体键合，其他配位基与其他量子点的量子点本体键合，最终也可以形成网状结构。
在本公开中，对发光二极管的具体结构不做特殊的限定。作为一种可选实施方式，所述发光二极管还包括第一电极、电子传输层、第二电极，所述第一电极层、所述量子点发光层、所述电子传输层和所述第二电极依次层叠设置。
为了提高空穴传输性能，可以在第一电极层和量子点发光层之间设置空穴注入层。具体地，如图6所示，第一电极层的一个表面与空穴注入层的一个表面接触接触、量子点发光层的一个表面与空穴注入层的另一个表面接触，电子传输层的一个表面与量子点发光层的另一个表面接触、电子传输层的另一个表面与第二电极的一个表面接触。
由于量子点发光层的量子点包括空穴传输配体，该空穴传输配体可以将空穴引导至量子点发光层，因此，利用所述量子点发光层可以实现空穴传输层、以及量子点发光层两个膜层的功能。与相关技术相比，本公开所提供的发光二极管不包括空穴传输层，结构更加简单，降低了制造成本。并且，省去空穴传输层的发光二极管缩小了该发光二极管发光时空穴传输的距离，使得该发光二极管具有更小的电阻，降低了该发光二极管的起亮电压。
当然，本公开并不限于此，也可以在发光二极管的量子点发光层和空穴注入层之间设置空穴传输层。
如上文中所述，制成所述量子点发光层的材料中可以具有乙烯基，因此，在所述量子点材料交联固化获得量子点发光层后，所述量子点发光层结构致密、性能稳定，在制备完成所述量子点发光层后，再通过溶液制程制备其他膜层时，制备过程中的溶液不会对量子点发光层造成腐蚀作用，从而提高了制备获得的发光二极管的良率，并提高了发光二极管的使用寿命。
在本公开中，对如何制备发光二极管并不做特殊限定，作为一种可选实施方式，可以按照图8所示的方式制备图7中所示的发光二极管，具体地，制备发光二极管的方法可以包括以下步骤：
在步骤S210中，提供具有第一电极的基板；
在步骤S220中，形成空穴注入层；
在步骤S230中，涂敷量子点材料，并使其固化，获得量子点发光层；
在步骤S240中，形成电子传输层；
在步骤S250中，形成第二极。
下面简单介绍一种制备发光二极管的方法的具体实施方式：
在步骤S210中，用无水乙醇和去离子水，超声清洗ITO玻璃基片各15min后烘干，再用紫外灯照射处理基片10min，提高ITO的表面功函数，其中，ITO用作发光二极管的第一极(此处第一极为阴极)；
经过上述处理后，在步骤S220中，在基片ITO上旋涂沉积空穴注入层PEDOT:PSS，并通过加热退火处理改善空穴注入层表面形态；
在步骤S230中，溶液法沉积本公开第一个方面所提供的量子点发光材料，工艺可以采用打印或者旋涂，然后通过热固化成膜，以获得量子点发光层；
在步骤S240中，溶液法沉积电子传输材料ZnO，以获得电子传输层；
在步骤S250中，真空蒸镀Al电极，该Al电极用作第二电极(此处第二电极为阳极)。
通过上述制备方法可以看出，在形成了量子点发光层后，步骤S140中仍然需要用到溶液制程。该步骤S240中的溶液并不会对步骤S130中获得的量子点发光层造成腐蚀。
作为本公开的第四个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括发光二极管，其中，所述发光二极管为本公开第二个方面所提供的发光二极管。
所述发光二极管具有较高的发光效率，使得所述显示面板也具有较高的亮度，降低了所述显示面板的耗电量。并且，所述发光二极管具有较长的使用寿命，进而也提高了所述显示面板的使用寿命。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (17)

1.一种量子点材料，所述量子点材料包括量子点，其特征在于，所述量子点包括量子点本体和通过配位键键合在所述量子点本体上的空穴传输配体，所述空穴传输配体具有咔唑基、至少一个配位基和至少一个具有不饱和键的交联基，所述配位基和所述交联基均为所述空穴传输配体的端基，且所述配位基提供所述配位键。
2.根据权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述空穴传输配体中，所述配位基和所述交联基的总数量不少于3。
3.根据权利要求2所述的量子点材料，其特征在于，所述空穴传输配体具有以下结构式：
Figure FDA0002800799970000011
其中，R1至R9中至少三者的端基分别为所述配位基或者所述交联基。
4.根据权利要求3所述的量子点材料，其特征在于，R1至R9中，均不为氢、且相邻的两个基团的端基互不相同。
5.根据权利要求3所述的量子点材料，其特征在于，R1的远离所述咔唑基的端基、R4的远离所述咔唑基的端基和R7的远离所述咔唑基的端基各自独立地选自配位基和交联基中的任意一者。
6.根据权利要求5所述的量子点材料，其特征在于，所述空穴传输配体还满足以下条件中的任意一者：
R1的端基为配位基，R2的端基、以及R9的端基均为交联基；
R3的端基和R8的端基均为配位基，R4的端基和R7的端基均为交联基，且R5的端基和R6的端基均为配位基；
R1的端基为交联基，R2的端基和R9的端基为配位基，R3的端基和R8的端基为交联基，R4的端基和R7的端基为配位基，R5的端基和R6的端基为交联基。
7.根据权利要求2至6中任意一项所述的量子点材料，其特征在于，在R1至R9中，具有配位基的基团还具有第一烷基链，所述第一烷基链的一端与所述咔唑基相连，所述配位基形成在所述第一烷基链的另一端，所述第一烷基链中碳原子的个数不超过10个。
8.根据权利要求2至6中任意一项所述的量子点材料，其特征在于，在R1至R9中，具有交联基的基团还具有第二烷基链，所述第二烷基链的一端与所述咔唑基相连，所述乙烯基形成在所述第二烷基链的另一端，所述第二烷基链中碳原子的个数不超过10个。
9.根据权利要求2至6中任意一项所述的量子点材料，其特征在于，R1至R9中的至少一者具有苯环基团。
10.根据权利要求2至6中任意一项所述的量子点材料，其特征在于，所述配体化合物的分子式选自以下分子式中的任意一者：
Figure FDA0002800799970000021
Figure FDA0002800799970000031
11.根据权利要求1至6中任意一项所述的量子点材料，其特征在于，所述空穴传输配体中的配位基选自巯基、多巯基、羧基、氨基、多氨基或者磷氧基中的至少一者。
12.一种量子点材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供配体化合物溶液，所述配体化合物包括咔唑基、至少一个配位基和至少一个交联基，所述咔唑基和所述交联基均为所述配位化合物的端基；
提供初始量子点溶液，所述初始量子点包括量子点本体；
将配体化合物溶液与量子点溶液混合，以使所述配体化合物与所述量子点本体反应，所述配体化合物的配位基与所述量子点本体键合，获得所述量子点材料。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，提供配体化合物的步骤包括：
将3,6-二溴咔唑与硼酸化合物反应，获得中间体，其中，所述硼酸化合物的结构式为
Figure FDA0002800799970000032
基团R为配位基或者交联基，以使得所述硼酸化合物的基团R取代3,6-二溴咔唑与硼酸化合物中的溴，所述中间体的结构式为
Figure FDA0002800799970000033
将所述中间体与溴代化合物混合，其中，所述溴代化合物的结构式为R1-Br，基团R1的端基为配位基或者交联基；
使所述中间体与所述溴代化合物反应，以使得基团R1取代所述中间体的亚胺基中的氢，并获得所述配位化合物。
14.一种发光二极管，所述发光二极管包括量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层具有权利要求1至11中任意一项所述的量子点材料的空穴传输配体连结形成的网状结构。
15.根据权利要求14所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层中，多个量子点的交联基互相交联；和/或
所述量子点发光层中，至少一个量子点的空穴传输配体具有多个配位基，且在具有多个所述配位基的量子点中，其中一个配位基与当前量子点的量子点本体键合，其他配位基与其他量子点的量子点本体键合。
16.根据权利要求14或15所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括第一电极、电子传输层、第二电极，所述第一电极层、所述量子点发光层、所述电子传输层和所述第二电极依次层叠设置。
17.一种显示面板，所述显示面板包括发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为权利要求14至16中任意一项所述的发光二极管。
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