CN114539572B - 一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料及其制备方法 - Google Patents
一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114539572B CN114539572B CN202210153554.XA CN202210153554A CN114539572B CN 114539572 B CN114539572 B CN 114539572B CN 202210153554 A CN202210153554 A CN 202210153554A CN 114539572 B CN114539572 B CN 114539572B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hollow glass
- low
- electromagnetic shielding
- conductive polymer
- composite material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 title claims abstract description 46
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 40
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 20
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 11
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 10
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 239000005457 ice water Substances 0.000 claims description 8
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 7
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- WOYZXEVUWXQVNV-UHFFFAOYSA-N 4-phenoxyaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 WOYZXEVUWXQVNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 claims description 4
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-amino-2-(trifluoromethyl)phenyl]-3-(trifluoromethyl)aniline Chemical group FC(F)(F)C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C(F)(F)F NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- APXJLYIVOFARRM-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 APXJLYIVOFARRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 2
- 229910000360 iron(III) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 2
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 15
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 3
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 3
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJLPSBMDOIVXSN-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(OC=2C=C(C(C(O)=O)=CC=2)C(O)=O)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 KJLPSBMDOIVXSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KIFDSGGWDIVQGN-UHFFFAOYSA-N 4-[9-(4-aminophenyl)fluoren-9-yl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1(C=2C=CC(N)=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 KIFDSGGWDIVQGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical class [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000003911 water pollution Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1003—Preparatory processes
- C08G73/1007—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines
- C08G73/1028—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines characterised by the process itself, e.g. steps, continuous
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
- C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/001—Conductive additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
- C08K7/22—Expanded, porous or hollow particles
- C08K7/24—Expanded, porous or hollow particles inorganic
- C08K7/28—Glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/10—Encapsulated ingredients
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A30/00—Adapting or protecting infrastructure or their operation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
本发明提供了一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料及其制备方法。该制备方法包括:(1)在空心玻璃微球(HGM)上包覆一层导电聚合物,得到核壳结构低密度导电空心玻璃微球@导电聚合物填料;(2)用原位聚合法制备空心玻璃微球@导电聚合物/聚酰胺酸混合溶液;(3)将空心玻璃微球@导电聚合物/聚酰胺酸混合溶液涂敷在玻璃板上,之后进行热亚胺化,得到空心玻璃微球@导电聚合物/聚酰亚胺低导热电磁屏蔽复合材料。本发明制备的低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料不仅能够使材料获得优异的电磁屏蔽性能,还同时具备低热导系数。
Description
技术领域
本发明属于电磁屏蔽材料技术领域,具体涉及一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料及其制备方法。
背景技术
随着现代电子工业和军事领域的飞速发展,通信系统、电子设备和雷达也得到了长足的发展,然而,这些电子设备在使用时不可避免地会产生大量的电磁波辐射,电磁辐射被认为是继水污染、噪音污染、空气污染以外的第四大类污染,由电磁辐射造成的电磁干扰不但会影响通讯设施、医院仪器、航空航天设备的正常运行,还会危害人类的正常生活,给人们的身体健康带来了严峻的挑战。为了减少EMI造成的危害,迫切需要能够减弱电磁干扰的高性能EMI屏蔽材料。
金属及金属合金类材料因其良好的电导率、磁导率和低廉的价格,是使用最早且最为广泛的电磁屏蔽材料。然而随着当今电子器件小型化、多功能化和高功率化的发展趋势,金属材料密度高、易氧化、耐磨性和耐腐蚀性较差等缺点也限制了其应用。与传统的金属电磁屏蔽材料相比,高分子复合材料由于具有轻质、可设计性、导电性可调、易于加工、耐腐蚀等优点,并且它可以同时反射和吸收电磁波而备受关注。然而,电子设备有时工作在高温环境下,对电磁屏蔽材料的耐热性提出了更高的要求。所以,聚酰亚胺(PI)由于其优异的耐热性、阻燃性和耐化学性,被认为是一种很有前途的聚合物基电磁屏蔽基体,以满足高耐热要求。但是,聚酰亚胺的电磁屏蔽性能较差,为了进一步提高聚酰亚胺的电磁屏蔽性能,并实现聚合物复合材料轻量化,在聚酰亚胺中引入功能化多孔填料是一个有效的方法。
空心玻璃微球(HGM)是一种含有惰性气体的刚性多孔珠。内部空心结构赋予HGM许多理想的特性,例如低密度、高热稳定性、化学稳定性、耐高温、重量轻、成本低等特点,所以添加空心玻璃微球是实现材料轻量化的有效方法。研究发现,通过在系统中嵌入HGM,可以促进导电路径的连续性,提高材料的导电性,并且还增加了电磁波的散射和反射,是制备吸收性材料的理想原材料。此外,HGM的导热系数非常低,使复合材料具有低导热性,扩宽了电磁屏蔽材料的应用范围。例如,Tan等人加入30vol%的HGM到聚二甲硅氧烷/多壁碳纳米管复合材料中,复合材料的电磁屏蔽效能从约40dB提高到约46dB。电磁屏蔽效能提高效果不明显。同时,高极性HGM的光滑表面容易引起HGM在聚合物基体中的聚集,导致聚合物力学性能劣化(Y.-J.Tan et al.Comparative study on solid and hollow glassmicrospheres for enhanced electromagnetic interference shielding inpolydimethylsiloxane/multi-walled carbon nanotubecomposites.CompositesPartB177(2019)107378)。因此,有必要对HGM进行功能化改性。其中,导电聚合物作为一类具有吸引力的介电损耗材料,通常用作电磁波吸收体,所以广泛应用于电磁屏蔽中。导电聚合物的密度较小,一般在1.0-2.0g/cm3的范围内,可以很好地兼顾重量轻的需求,同时还具有良好的热稳定性和环境稳定性。所以,用导电聚合物来改性HGM,不仅能够保持材料的轻量化,还能有效提高聚合物的电磁屏蔽性能,是一个一举两得的方法。
发明内容
针对上述现有技术,本发明的目的是提供一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料及其制备方法,该复合材料在低导电填料含量下具有低导热性及电磁屏蔽性能。
本发明的目的至少通过如下技术方案之一实现。
一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)核壳结构低密度导电HGM@CP填料:在空心玻璃微球(HGM)上包覆一层导电聚合物(CP),得到核壳结构低密度导电HGM@CP填料;
(2)用原位聚合法制备核壳结构低密度导电HGM@CP/聚酰胺酸(PAA)混合溶液,记为核壳结构低密度导电HGM@CP/PAA混合溶液;
(3)将核壳结构低密度导电HGM@CP/PAA混合溶液涂敷在玻璃板上,之后进行热亚胺化,得到HGM@CP/PI低导热系数电磁屏蔽复合材料。
在上述技术方案基础上,本发明还可以做如下优化:
进一步地,步骤(1)所述导电聚合物为聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯(PPY)、聚苯胺(PANI)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)等中的一种以上。
进一步地,步骤(2)所述用原位聚合法制备HGM@CP/聚酰胺酸(PAA)混合溶液包括以下步骤:将核壳结构低密度导电HGM@CP填料超声分散在溶剂中,之后在氮气条件及冰水浴中依次加入二胺及二酐单体,机械搅拌5h-6h,得到HGM@CP/聚酰胺酸(PAA)混合溶液。
进一步地,所述二胺单体包括:4,4’-二氨基-2,2’-双三氟甲基联苯(TFDB)、9,9-双(4-氨基苯基)芴(BAFL)、4,4'-二氨基二苯醚(ODA)、1,3-双(4-氨基苯氧基苯)(TPE-R)中的一种以上。
进一步地,所述二酐单体包括:3,3,4,4'-二苯甲酮四酸二酐(BTDA)、3,3,4,4'-二苯醚四酸二酐(ODPA)、2,2-双[4-(3,4-二羧苯氧基)苯基]丙烷四酸二酐(BPADA)、2,2-双(3,4-二羧苯基)六氟丙烷四酸二酐(6FDA)、2,3,3',4'-联苯四甲酸二酐(α-BPDA)、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐(s-BPDA)中的一种以上。
进一步地,所述溶剂为二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的一种以上。
进一步,所述核壳结构低密度导电HGM@CP填料的制备包括以下步骤:
(1)首先,空心玻璃微球表面处理改性,得到改性空心玻璃微球的混合溶液;
(2)将导电聚合物单体滴加到改性后的空心玻璃微球的混合溶液中,然后使用逐步滴加氧化剂溶液来触发化学氧化聚合反应,得到沉淀;
(3)最后,将所得沉淀过滤洗涤,干燥得到不同厚度的核壳结构低密度导电HGM@CP填料。
进一步地,步骤(1)所述空心玻璃微球表面改性的方法为:将空心玻璃微球用碱处理,然后与表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)分散在乙二醇(EG)和水的混合溶剂中,然后超声振动直至HGM分散均匀。
进一步地,步骤(2)所述的氧化剂为三氯化铁、硫酸铁、过硫酸铵、氯化铜、过氧化氢中的一种。
进一步地,步骤(3)所述洗涤是用去离子水、甲醇和乙醇洗涤数次。
进一步地,步骤(3)所述干燥是在真空烘箱中干燥。
本发明还提供所述制备方法制备得到的一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料。
本发明采用原位聚合方法制备一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料,该方法有效降低了电磁屏蔽复合材料的重量,提高了复合材料的电磁屏蔽效能并具有低导热性,最高的电磁屏蔽效能在10GHz时可达到62.3dB(商业应用的要求为20dB)。
结果分析
以实施例1为例,利用扫描电镜分别对空心玻璃微球和碱改性的空心玻璃微球进行微观形貌表征,结果分别如图1和2所示。图1为未改性的空心玻璃微珠的扫描电子显微镜图。从图1可以看出原始HGM具有球形和直径约20μm的光滑表面。破碎的HGM图表明HGM的壁厚约为2μm。图2为HGM碱处理后的扫描电子显微镜图,图2可以观察到与原始HGM相比,用碱处理过的HGM呈现出粗糙的表面。这与表面上羟基的修饰有关,证明了羟基成功接枝在HGM表面。
将实施例1、实施例2、实施例3所制得低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料剪成规则形状,利用电磁屏蔽测试仪分别测试低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料的电磁屏蔽性能,低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料的电导率和电磁屏蔽效能分别如图3所示。图3可以观察到与纯的PI相比,HGM-OH/PI复合膜的电磁屏蔽效能略微提升,当HGM表面包覆导电聚合物时,电磁屏蔽效能大大提升,特别是HGM@PEDOT:PSS/PI低导热电磁屏蔽复合材料的电磁屏蔽效能在10GHz时达到62.3dB。
与现有技术相比,本发明具有如下优点和有益效果:
1、本发明在低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料的制备中,通过HGM的表面改性与导电聚合物形成核壳结构导电填料,再通过原位聚合方法实现了填料良好的分散,进一步完善了导电网络通路。
2、本发明所制备的一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料具有优异的电磁屏蔽,通过在系统中嵌入核壳结构密度导电HGM@CP填料,可以促进导电路径的连续性,提高材料的导电性,并且还增加了电磁波的散射和反射。
3、同时空心玻璃微球的引入可以进一步降低材料的重量,同时使其具有低导热性能,拓宽了电磁屏蔽材料的潜在使用领域。
附图说明
图1为未改性的空心玻璃微珠的扫描电子显微镜图。
图2为HGM碱处理后的扫描电子显微镜图。
图3为HGM/PI低导热电磁屏蔽复合材料的电磁屏蔽效能图。
具体实施方式
以下结合附图和实例对本发明的具体实施作进一步说明,但本发明的实施和保护不限于此。需指出的是,以下若有未特别详细说明之过程,均是本领域技术人员可参照现有技术实现或理解的。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,视为可以通过市售购买得到的常规产品。
实施例1
一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)核壳结构低密度导电HGM@PPY填料的制备
将10g HGM分散在0.5mol/L的NaOH溶液中90℃冷凝回流并磁力搅拌4h,之后选取上清液漂浮的HGM过滤洗涤,之后干燥备用。然后将碱处理过的1g HGM与1mg的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)一起分散在乙二醇(EG)和蒸馏水的混合溶剂中,然后超声振动直至HGM分散均匀,得到改性HGM的混合溶液;后来将改性HGM的混合溶液转移到冰水浴中并在-4℃下搅拌1小时,随后将吡咯(1.5毫升)滴加到上述冰浴的改性HGM的混合溶液中。然后逐步滴加FeCl3(0.4g)的去离子水溶液作为氧化剂来触发化学氧化聚合反应。聚合反应在-4℃下进行并搅拌12小时,得到沉淀。最后,将所得沉淀过滤并用去离子水、甲醇和乙醇洗涤3次,并在40℃的真空烘箱中干燥20小时,得到核壳结构低密度导电HGM@PPY填料。
(2)HGM@PPY/PAA混合溶液的制备
将核壳结构低密度导电HGM@PPY填料分散在N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)中,超声分散1h,之后在氮气条件及冰水浴中加入二胺单体,如4,4’-二氨基-2,2’-双三氟甲基联苯、9,9-双(4-氨基苯基)芴,待其全部溶解后,加入二酐单体,如3,3,4,4'-二苯甲酮四酸二酐(BTDA)、3,3,4,4'-二苯醚四酸二酐(ODPA),搅拌反应5h得到HGM@PPY/PAA混合溶液。
(3)HGM@PPY/PI低导热电磁屏蔽复合材料的制备
将HGM@PPY/PAA混合溶液放在真空烘箱中去除气泡,再用刮刀涂敷在玻璃板上,放进烘箱里进行热亚胺化。热亚胺化过程为:80℃/2h,100℃/1h,150℃/1h,200℃/1h,250℃/1h,300℃/1h,最后得到HGM@PPY/PI低导热电磁屏蔽复合材料。
实例2
一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)核壳结构低密度导电HGM@PANI填料的制备
将10g HGM分散在0.5mol/L的NaOH溶液中90℃冷凝回流并磁力搅拌4h,之后选取上清液漂浮的HGM过滤洗涤,之后干燥备用。将碱处理过的HGM(1g)与1mg的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)一起分散在乙二醇(EG)和蒸馏水的混合溶剂中,然后超声振动直至HGM分散均匀,得到改性HGM的混合溶液,后来将改性HGM的混合溶液转移到冰水浴中并在-4℃下搅拌1小时,然后将30μL苯胺单体加入所得上述改性HGM的混合溶液中,之后逐步滴加2mL含有0.114g过硫酸铵的盐酸(1mol/L),连续搅拌12小时,得到沉淀,用水和乙醇洗涤沉淀,然后在80℃下真空干燥,得到核壳结构低密度导电HGM@PANI填料。
(2)HGM@PANI/PAA混合溶液的制备
将核壳结构低密度导电HGM@PANI填料分散在N-甲基吡咯烷酮中,超声分散1h,之后在氮气条件及冰水浴中加入二胺单体,如4,4'-二氨基二苯醚、1,3-双(4-氨基苯氧基苯),待其全部溶解后,加入二酐单体,如2,2-双[4-(3,4-二羧苯氧基)苯基]丙烷四酸二酐、2,2-双(3,4-二羧苯基)六氟丙烷四酸二酐,搅拌反应6h得到HGM@PANI/PAA混合溶液。
(3)HGM@PANI/PI低导热电磁屏蔽复合材料的制备
将HGM@PANI/PAA混合溶液放在真空烘箱中去除气泡,再用刮刀涂敷在玻璃板上,放进烘箱里进行热亚胺化。热亚胺化过程为:80℃/2h,100℃/1h,150℃/1h,200℃/1h,250℃/1h,300℃/1h,最后得到HGM@PANI/PI低导热电磁屏蔽复合材料。
实例3
一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)核壳结构低密度导电HGM@PEDOT:PSS填料的制备
将10g HGM分散在0.5mol/L的NaOH溶液中90℃冷凝回流并磁力搅拌4h,之后选取上清液漂浮的HGM过滤洗涤,之后干燥备用。将碱处理过的HGM(1g)与1mg的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)一起分散在乙二醇(EG)和蒸馏水的混合溶剂中,然后超声振动直至HGM分散均匀,得到改性HGM的混合溶液。后来将改性HGM的混合溶液转移到冰水浴中并在-4℃下搅拌1小时。之后将0.05g导电聚合物单体EDOT(3,4-乙烯二氧噻吩)和0.5g掺杂剂PSS(聚苯乙烯磺酸)加入至上述改性HGM的混合溶液中,逐步滴加0.2克Fe2(SO4)3和4mg(NH4)2S2O8的去离子水溶液作为氧化剂。然后,搅拌12小时后,过滤收集HGM@PEDOT:PSS填料,用去离子水洗涤3次,然后在50℃真空干燥12小时,得到核壳结构低密度导电HGM@PEDOT:PSS填料。
(2)HGM@PEDOT:PSS/PAA混合溶液的制备
将核壳结构低密度导电HGM@PEDOT:PSS填料分散在N,N-二甲基甲酰胺中,超声分散1h,之后在氮气条件及冰水浴中加入二胺单体,如9,9-双(4-氨基苯基)芴(BAFL),1,3-双(4-氨基苯氧基苯)(TPE-R),待其全部溶解后,加入二酐单体,如2,3,3',4'-联苯四甲酸二酐(α-BPDA)、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐(s-BPDA),搅拌反应5.5h得到HGM@PEDOT:PSS/PAA混合溶液。
(3)HGM@PEDOT:PSS/PI低导热电磁屏蔽复合材料的制备
将HGM@PEDOT:PSS/PAA混合溶液放在真空烘箱中去除气泡,再用刮刀涂敷在玻璃板上,放进烘箱里进行热亚胺化。热亚胺化过程为:80℃/2h,100℃/1h,150℃/1h,200℃/1h,250℃/1h,300℃/1h,最后得到HGM@PEDOT:PSS/PI低导热电磁屏蔽复合材料。
图1为未改性的空心玻璃微珠的扫描电子显微镜图,可从图1可以观察到原始HGM具有球形和直径约20μm的光滑表面。破碎的HGM图(图1中(a))表明HGM的壁厚约为2μm。
图2为HGM碱处理后的扫描电子显微镜图,可从图2可以观察到.与原始HGM相比,用碱处理过的HGM呈现出粗糙的表面。这与表面上羟基的修饰有关,证明了羟基成功接枝在HGM表面。
图3为HGM/PI低导热电磁屏蔽复合材料的电磁屏蔽效能图,图3可以观察到与纯的PI相比,HGM-OH/PI复合膜的电磁屏蔽效能略微提升,当HGM表面包覆导电聚合物时,电磁屏蔽效能大大提升,特别是HGM@PEDOT:PSS/PI低导热电磁屏蔽复合材料的电磁屏蔽效能在10GHz时达到62.3dB。
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其它的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)核壳结构低密度导电空心玻璃微球@导电聚合物填料的制备:在空心玻璃微球上包覆一层导电聚合物,得到核壳结构低密度导电空心玻璃微球@导电聚合物填料;所述空心玻璃微球表面改性的方法为:将空心玻璃微球用碱处理,之后与表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵分散在乙二醇和水的混合溶剂中,然后超声振动直至空心玻璃微球分散均匀;所述导电聚合物为聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸中的一种以上;包括以下步骤:
(1)首先,空心玻璃微球表面改性,得到改性空心玻璃微球的混合溶液;
(2)将导电聚合物单体滴加到改性空心玻璃微球的混合溶液中,然后使用逐步滴加氧化剂溶液来触发化学氧化聚合反应,得到沉淀;
(3)最后,将所得沉淀过滤并洗涤,干燥得到核壳结构低密度导电空心玻璃微球@导电聚合物填料;
(2)用原位聚合法制备空心玻璃微球@导电聚合物/聚酰胺酸混合溶液;
(3)将空心玻璃微球@导电聚合物/聚酰胺酸混合溶液涂敷在玻璃板上,之后进行热亚胺化,得到空心玻璃微球@导电聚合物/聚酰亚胺低导热电磁屏蔽复合材料。
2.根据权利要求1所述的一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述氧化剂为三氯化铁、硫酸铁、过硫酸铵、氯化铜、过氧化氢中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述用原位聚合法制备空心玻璃微球@导电聚合物/聚酰胺酸混合溶液包括以下步骤:将核壳结构低密度导电空心玻璃微球@导电聚合物填料超声分散在溶剂中,之后在氮气条件及冰水浴中依次加入二胺单体及二酐单体,机械搅拌5h-6h,得到空心玻璃微球@导电聚合物/聚酰胺酸混合溶液。
4.根据权利要求3所述的一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料的制备方法,其特征在于,所述二胺单体包括:4,4’-二氨基-2,2’-双三氟甲基联苯、9,9-双(4-氨基苯基)芴、4,4'-二氨基二苯醚、1,3-双(4-氨基苯氧基苯)中的一种以上。
5.根据权利要求3所述的一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料的制备方法,其特征在于,所述二酐单体包括:3,3,4,4'-二苯甲酮四酸二酐、3,3,4,4'-二苯醚四酸二酐、2,2-双[4-(3,4-二羧苯氧基)苯基]丙烷四酸二酐、2,2-双(3,4-二羧苯基)六氟丙烷四酸二酐、2,3,3',4'-联苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐中的一种以上。
6.根据权利要求3所述的一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料的制备方法,其特征在于,所述溶剂为有机溶液为N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺中的一种以上。
7.权利要求1~6任一项所述制备方法制备得到的一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210153554.XA CN114539572B (zh) | 2022-02-18 | 2022-02-18 | 一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210153554.XA CN114539572B (zh) | 2022-02-18 | 2022-02-18 | 一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114539572A CN114539572A (zh) | 2022-05-27 |
CN114539572B true CN114539572B (zh) | 2023-12-26 |
Family
ID=81675901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210153554.XA Active CN114539572B (zh) | 2022-02-18 | 2022-02-18 | 一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114539572B (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010080826A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 電磁波シールド材 |
CN109608879A (zh) * | 2018-11-20 | 2019-04-12 | 郑州大学 | 一种中空四氧化三铁微球@聚苯胺/聚酰亚胺复合薄膜吸波材料及制备方法 |
CN112679770A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-20 | 四川轻化工大学 | 一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
CN112687864A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-20 | 深圳市德方纳米科技股份有限公司 | 硅氧负极材料及其制备方法 |
CN113292808A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-24 | 复旦大学 | 一种电磁屏蔽薄膜材料及其制备方法 |
CN113337116A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-09-03 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种高电导率的柔性聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI849148B (zh) * | 2019-06-28 | 2024-07-21 | 日商東亞合成股份有限公司 | 樹脂組成物、附有樹脂組成物層之積層體、積層體、及電磁波屏蔽薄膜 |
-
2022
- 2022-02-18 CN CN202210153554.XA patent/CN114539572B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010080826A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 電磁波シールド材 |
CN109608879A (zh) * | 2018-11-20 | 2019-04-12 | 郑州大学 | 一种中空四氧化三铁微球@聚苯胺/聚酰亚胺复合薄膜吸波材料及制备方法 |
CN112679770A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-20 | 四川轻化工大学 | 一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
CN112687864A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-20 | 深圳市德方纳米科技股份有限公司 | 硅氧负极材料及其制备方法 |
CN113292808A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-24 | 复旦大学 | 一种电磁屏蔽薄膜材料及其制备方法 |
CN113337116A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-09-03 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种高电导率的柔性聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
空心玻璃微球/聚酰亚胺复合薄膜的制备及性能表征;周德洋;张彤;王晓东;俞娟;黄培;;塑料工业(第03期);第13-15页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114539572A (zh) | 2022-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107011512B (zh) | 聚酰亚胺树脂前体 | |
CN109942815B (zh) | 一种低介电常数的聚酰亚胺复合树脂及制备方法与应用 | |
Li et al. | Ti3C2Tx/PANI/liquid metal composite microspheres with 3D nanoflower structure: Preparation, characterization, and applications in EMI shielding | |
CN109942851B (zh) | 一种低介电常数聚酰亚胺杂化薄膜及应用 | |
CN111989356A (zh) | 用于制备柔性金属箔层压板的聚酰亚胺薄膜和包含其的柔性金属箔层压板 | |
CN110172175B (zh) | 一种多孔聚酰亚胺导电复合材料的制备方法 | |
JP2018502964A (ja) | 気孔を有する粒子を用いたポリイミドフィルムの製造方法および低誘電率のポリイミドフィルム | |
KR101503332B1 (ko) | 폴리이미드 필름 및 이의 제조방법 | |
US20210212243A1 (en) | Electromagnetic shielding film and method for making same | |
Tang et al. | UV etched random copolymer membrane coated PBO fibers/cyanate ester wave-transparent laminated composites | |
WO2007089114A1 (en) | Basic solution washable antistatic composition and polymer products manufactured by using the same | |
CN110903649A (zh) | 一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用 | |
CN111269571A (zh) | 一种高强度高导热聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法 | |
CN114729136A (zh) | 低介电聚酰亚胺膜及其制造方法 | |
CN111285344B (zh) | 一种磁性微孔碳复合薄膜及其制备方法 | |
Chu et al. | Ti3C2Tx MXene/polyimide composites film with excellent mechanical properties and electromagnetic interference shielding properties | |
CN111925543A (zh) | 一种低湿、低热膨胀系数聚酰亚胺复合薄膜材料及制备方法 | |
CN117430848B (zh) | 一种添加无机助剂的导热型聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用 | |
CN113249819B (zh) | 一种碳纳米管-纳米Fe3O4-聚酰亚胺复合纤维及其制备方法 | |
CN114539572B (zh) | 一种低导热电磁屏蔽聚酰亚胺基复合材料及其制备方法 | |
WO2021200630A1 (ja) | 多層フィルム、その製造方法、金属張積層体及びプリント配線基板の製造方法 | |
KR102122938B1 (ko) | 연성동박적층필름용 본드 플라이층 및 그 제조 방법 | |
TW202216853A (zh) | 聚醯亞胺樹脂前驅體、聚醯亞胺樹脂、覆金屬積層板、積層體和柔性印刷配線板 | |
CN112154173B (zh) | 具有低介电常数以及低吸湿性的聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
Xia et al. | Multilayer cross‐linking polyetherimide/Ti3C2Tx MXenes material with pores channel structure for electromagnetic interference shielding |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |