CN114512150A - 一种光存储介质、光存储介质制备方法以及系统 - Google Patents

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Abstract

一种光存储介质、光存储介质制备方法以及系统，本申请中，光存储介质包括基板和至少一个数据层，数据层包括记录层和间隔层，记录层位于间隔层之上；数据层位于基板之上。该记录层可以存储数据，在该记录层中包括分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域，这两种不同的区域可以指示不同的数据。在上述光存储介质中，由于分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域差异明显，在该光存储介质中记录层的层数增多，所能存储的数据增大的情况下，分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域仍能保证较佳的区分度，在确保数据读写的准确性的情况下，能够提高光存储介质中记录层的层数，增大光存储介质的容量。

Description

一种光存储介质、光存储介质制备方法以及系统
技术领域
本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种光存储介质、光存储介质制备方法以及系统。
背景技术
随着通信时代的到来，数据量出现了爆炸式增长，对数据的存储提出了更高的需求。目前主要的存储技术包括光存储、磁存储和半导体存储。光存储介质具备存储寿命长、维护成本低、节能环保等优点，其中，蓝光光盘是较为典型的一种光存储介质。
蓝光光盘利用激光在光盘中的记录层中刻写数据，使得记录层中的相变材料的状态发生变化，如状态改变的区域表示数据“1”，状态未改变的区域表示数据“0”。蓝光光盘中记录层的层数越多，蓝光光盘的容量就越大。在保证记录层的透光率的前提下，记录层的层数增大，会导致记录层中状态改变的区域和状态改变的区域的区分度降低，也即信号的对比度减弱，使得后续从蓝光光盘不能准确的读取数据，为此记录层的层数只能控制在较小的范围内，制约了蓝光光盘的容量。
发明内容
本申请提供一种光存储介质、光存储介质制备方法以及系统，用以提升光存储介质的容量。
第一方面，本申请实施例提供了一种光存储介质，光存储介质包括基板和至少一层数据层，数据层包括记录层和间隔层，记录层位于间隔层之上；数据层位于基板之上；也就是说，基板之上依次为间隔层、记录层。该记录层可以存储数据，在该记录层中包括分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域，这两种不同的区域可以指示不同的数据，例如，分布有相变材料的区域可以指示数据“1”，未分布相变材料的区域可以指示数据“0”，又例如，分布有相变材料的区域可以指示数据“0”，未分布相变材料的区域可以指示数据“1”。间隔层能够对记录层、该光存储介质中其他层(如基板、其他记录层)进行隔离，避免记录层与其他层接触。
在上述光存储介质中，分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域可以指示不同的数据，能够使得该记录层中存储数据。由于在本发明实施例提供的光存储介质中分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域差异明显，在该光存储介质中记录层的层数增多，所能存储的数据增大的情况下，分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域仍能保证较佳的区分度，从而能够保证读写数据的正确性。因此，本发明实施例提供的光存储介质能够提供更多的记录层，增大了光存储介质的容量。
在一种可能的实现方式中，该光存储介质可以包括多个数据层，该多个数据层一层一层堆叠，位于该基板之上。
在上述光存储介质中，该光存储介质能够包括多个堆叠放置的数据层，使得该光存储介质中存在较多能够存储数据的记录层，提升该光存储介质的容量。
在一种可能的实现方式中，相变材料的组成成分包括锑Sb和碲Te。
在上述光存储介质中，组成成分包括锑Sb和碲Te的相变材料为无机相变材料，无机相变材料在发生相变之后，材料状态较为稳定，使得该相变材料能够较好的指示数据。
在一种可能的实现方式中，记录层的厚度范围为{10纳米，50纳米}，也即该记录层的厚度介于10纳米和50纳米之间，也可以等于10纳米或50纳米。
在上述光存储介质中，记录层的厚度较小，使得光存储介质厚度一定的情况下，该光存储介质中能够包括较多个记录层，提升该光存储介质的容量。
在一种可能的实现方式中，间隔层的厚度范围为{10微米，30微米}。也即该间隔层的厚度介于10微米和30微米之间，也可以等于30微米或30微米。
在上述光存储介质中，间隔层厚度较小，能减少间隔层在整个光存储介质的比例，增大记录层所能占用的比例，使记录层的层数得以增大，进一步提升该光存储介质的容量。
在一种可能的实现方式中，数据层的数量范围为{30,100}，也即该数据层的数量可以等于30层，也可以为100层，也可以介于30层到100层之间。
在上述光存储介质中，数据层的数量可以达到一个较大的范围，保证该光存储介质可以存储较多的数据。
在一种可能的实现方式中，光存储介质还包括反射层，反射层位于数据层与基板之间，若存在多个数据层，该反射层位于该基板与最接近该基板的一个数据层之间。反射层可以将投射到光存储介质的光反射到数据层。
在上述光存储介质中，反射层用于将投射到该光存储介质的伺服光反射出去，便于数据刻写或数据读取。
在一种可能的实现方式中，光存储介质还包括保护层，保护层位于距离基板最远的记录层之上，保护层用于避免记录层与外界接触。
在上述光存储介质中，保护层能够对记录层与外界进行隔离，保证记录层不会被破坏。
第二方面，本申请实施例提供了一种光存储介质制备方法，有益效果可以参见第一方面的描述此处不再赘述。该方法中，先在基板上制备第一间隔层；之后，再在第一间隔层之上生长一层相变材料，作为第一相变层；在生长了一层相变材料之后，可以在该相变材料上进行数据刻写。例如，可以利用激光将待存储的第一数据刻写在第一相变层的相变材料上，激光投射到该相变材料上，投射点出的相变材料会发生相变，未投射到的地方则不会发生相变。在进行刻写之后，可以将该第一相变层中相变材料中未被刻写的部分去掉，也就是说，可以将该相变材料中激光未投射的部分去掉。
在一种可能的实现方式中，清除第一相变层中未被刻写第一数据的相变材料的方式有许多种，例如可以湿法刻蚀的方式，利用显影液对相变材料进行清洗，溶解相变材料中未被刻写的部分，当然也可以采用干法刻蚀的方式，凡是能够去除第一相变层中未被刻写第一数据的相变材料的方式均适用于本申请实施例。
在一种可能的实现方式中，将第一相变层中未被刻写第一数据的相变材料去掉之后，形成了一层记录层；之后，还可以采用类似的操作在该层记录层上继续制备多层记录层，也即制备第二间隔层和包括相变材料的第二相变层，再利用激光将待存储的第二数据刻写到第二相变层的相变材料上，再去除第二相变层中未被刻写的部分，可以重复上述操作，使得形成第二间隔层以及记录层堆叠的结构。
在一种可能的实现方式中，制备第一间隔层的方法有很多，例如可以采用旋涂的方式，在基板上制备第一间隔层。
在一种可能的实现方式中，在基板可以先制备一层反射层，用以对投射到光存储介质的光进行反射，之后再在反射层之上制备第一间隔层。
在一种可能的实现方式中，在清除了最后一层相变层中未被刻写数据的相变材料之后，可以在该层相变层上制备一层保护层，保护层用于避免相变材料与外界接触。
在一种可能的实现方式中，相变材料的组成成分至少包括锑Sb和碲Te。
在一种可能的实现方式中，相变材料的厚度范围为{10纳米，50纳米}。即该相变材料的厚度介于10纳米和50纳米之间，也可以等于10纳米或50纳米。
在一种可能的实现方式中，第一间隔层或第二间隔层的厚度范围为{10微米，30微米}。即该第一间隔层和第二间隔层的厚度不小于10微米，且不大于30微米。
第三方面，本申请实施例还提供了一种存储系统，该系统中包括如前述任一方面所提供的光存储介质和数据读取装置，该数据读取装置能够从光存储介质中读取数据。
附图说明
图1为本申请提供的一种光存储介质制备方法的流程图；
图2为本申请提供的一种光存储介质制备方法的示意图；
图3为本申请提供的一种光存储介质的结构示意图；
图4为本申请提供的一种存储系统的结构示意图。
具体实施方式
在对本申请实施例提供的一种光存储介质、光存储介质制备方法以及系统进行说明之前，先对光盘涉及的一些基本概念进行说明：
1、光盘的数据记录方式。
光盘利用激光实现数据的刻写(也可以称为数据记录)，当激光投射到光盘中记录层时，会使得构成记录层的材料发生物理或者化学变化，改变构成记录层的材料的状态。通过该材料的状态来表征记录的数据。
在本申请实施例中构成记录层的材料为相变材料，当激光投射到记录层中时，会使得相变材料中的部分材料的状态从非晶态转换为晶态。处于晶态的相变材料可以表征记录一种数据，如表征数据“1”。在记录层中未分布相变材料的区域可以表征另一种数据，如表征数据“0”。当然，处于晶态的相变材料也可以表征数据“0”，在记录层中未分布相变材料的区域可以表征数据“1”。
举例来说，在向光盘中刻写数据时，需要两束光(该光的类型可以为激光)，为方便区分，一束光为刻写光，用于刻写数据，另一束为伺服光，伺服光用于在数据刻写过程中指示数据所在轨迹。
伺服光投射到光盘的基板之上的反射层上，通过该伺服光的反射光的强度确定该伺服光是否投射到基板上凹槽处(若投射到该凹槽处该伺服光的反射光的强度达到预设值，若未投射到该凹槽处该伺服光的反射光的强度没有达到预设值，如可能接近于零)，若投射到基板上凹槽的位置处，该凹槽所在位置即为该光盘中记录的数据的轨迹。刻写光投射到记录层上，沿着伺服光所指示的轨迹将数据刻写到该记录层的该轨迹上，这样，该记录层上记录的数据就是按照凹槽所指示的轨迹记录的。
2、光盘的数据读取方式。
光盘在进行数据刻写后，记录层中表征不同数据的区域的反射率不同，在从光盘中读取数据时，可以通过光束到达记录层后，通过反射率的变化形式“1”与“0”组成的信号。
举例来说，在从光盘中读取数据时，需要两束光(该光的类型可以为激光)，为方便区分，一束光为读取光，用于读取数据，另一束为伺服光，伺服光用于在数据读取过程中指示数据所在轨迹。
伺服光投射到光盘的基板之上的反射层上，通过该伺服光的反射光的强度确定该伺服光是否投射到基板上凹槽处，若投射到基板上凹槽的位置处，该凹槽所在位置即为该光盘中记录的数据的轨迹。数据读取装置可以通过读取光投射到记录层上，沿着伺服光所指示的轨迹读取该记录层在该轨迹上记录的数据，也即数据读取装置可以通过读取光投射到记录层上的反射光的反射率变化确定该记录层在该轨迹上记录的数据。
下面结合附图，以光存储介质为光盘为例，对本申请实施例提供了一种光存储介质制备方法进行说明，参见图1为本申请实施例提供的一种光盘制备方法，该方法包括：
步骤101：制备基板。
本申请实施例并不限定光盘的基板的制备方式，在本申请实施例中，可以选择带有沟槽的光盘母盘，以该光盘母盘的子盘为模板，利用注塑机将聚碳酸酯(polycarbonate，PC)注入到该子盘中，形成带有沟槽的基板。其中，光盘母盘是用于制备子盘的模具，母盘和子盘之间是吻合的，也即母盘上凸出的部分，在子盘中就有对应的凹陷的部分。本申请实施例并不限定子盘的材质，例如可以选择稳定性、强度较高的电铸镍子盘。
光盘的基板上有凹槽，该凹槽用于提供该光盘中记录数据的轨迹，也就是说，记录层中记录的数据均是沿着该轨迹记录的。
步骤102：在基板上制备反射层。
在基板制备完成后，可以在该基板上制备一层反射层，反射层用于对投射到该光盘上的光进行反射，以使得该光可以反射到光盘中的各个记录层中。因此，反射层需要具备较强的反射能力，可以采用反射性能较佳的材料作为反射层，本申请实施例并不限定该反射层的材料，例如可以选用银、铝等金属材料，也可以选用二氧化锌、二氧化钛等金属化合物材料，还可以选用一些合金材料。
在本申请实施例中在基板上制备的反射层层用于在数据刻写和数据读出时将投射到该反射层的伺服光反射出去，通过该伺服光的强度判断是否投射到基板凹槽所在的位置处，以便能够找到数据刻写所需的轨迹或数据读取时数据所在的轨迹。
制备反射层的方式有许多种，例如，可以采用等离子体增强化学气相沉积(plasmaenhanced chemical vapor deposition，PECVD)(该方法可以用于制备金属化合物材料)、磁控溅射(magnetron sputtering)(该方法可以用于制备金属材料、合金材料)、脉冲激光沉积(pulsed laser deposition，PLD)。
步骤103：在反射层上制备间隔层。
该间隔层用于对之后制备的记录层起到隔离作用，使得记录层不与其他层接触，在制备每层记录层之前均可以先制备一层间隔层，这样任意两层记录层之间均不会互相接触。当后续需要从光盘中读取数据中，利用光从不同的记录层中读出的数据之间也不会发生串扰。
本申请实施例并不限定间隔层的构成材料以及制备方式，利用可以采用PC，也可以采用有机材料，如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)，聚苯乙烯(polystyrene，PS)，聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)，聚酰胺(polyamide，PA)，聚氯乙烯(polyvinyl chloride，PVC)。在制备间隔层时，可以采用较为便捷、成本较低的旋涂的方式制备，也可以采用化学气相沉积、磁控溅射等方式制备出较为致密的间隔层。
步骤104：在间隔层上制备一层相变层，该层相变层包括相变材料。
在间隔层之上可以制备相变层，构成该相变层的材料可以为相变材料。相变材料(phase change material，PCM)是指在一定温度范围内，物理状态可以发生变化的材料。该相变材料可以为无机相变材料，例如组成成分包括锑Sb和碲Te的相变材料，如GeSbTe、AgInSbTe等相变材料。包括锑Sb和碲Te的相变材料在温度较高时，其物理状态为晶态，包括锑Sb和碲Te的相变材料在温度较低时，其物理状态保持非晶态。
该层相变材料的制备方式有许多种，例如可以采用PECVD，也可以采用磁控溅射。
步骤105：在该层相变层的相变材料上刻写数据。
在制备了一层相变层之后，可以在该层相变层上刻写数据，在本申请实施例中，可以采用激光刻写的方式，利用激光对相变层中的相变材料进行加热，相变材料中被加热的部分温度升高，物理状态由非晶态变为晶态，可以利用处于晶态的相变材料表征数据“1”。相变材料未被加热的部分温度保持不变，物理状态保持为非晶态，可以利用处于非晶态的相变材料表征数据“0”。经过激光刻写，形成处于晶态的相变材料和处于非晶态的相变材料，处于晶态的相变材料和处于非晶态的相变材料的分布可以表征记录在该记录层中的数据。
步骤106:清除相变层中未被刻写数据的相变材料，也即去掉处于非晶态的相变材料，形成记录层。该记录层用于记录数据，是光盘的核心层之一。
在该层相变层中的相变材料中刻写了数据之后，可以利用显影液去掉于非晶态的相变材料。在本申请实施例中，在刻写了数据之后，可以将该层相变层的相变材料浸泡在显影液中，显影液能够与相变材料中处于不稳定状态(也即非晶态)的部分发生反应，溶解该相变材料中处于非晶态的部分，保留该相变材料中处于晶态的部分。
在利用显影液去除了该相变材料中处于非晶态的部分之后，可以通过清洗、烘干等方式去除该记录层上残留的显影液。
在执行了步骤106之后，在间隔层之上形成了记录层，该记录层只分布有处于晶态的相变材料，由于去除了非晶态的部分，该部分所在的位置会显露出记录层之下的间隔层。采用这种方式最终形成的记录层中，可以利用处于晶态的相变材料表征数据“1”，不存在相变材料的区域表征数据“0”。由于该种记录层中，存在相变材料的区域和不存在相变材料的区域区别较为明显，当光盘中该种记录层的数量增多，仍能较好的区分中某一个记录层中存在相变材料的部分，也即能够在记录层层数增大的情况下，仍能够较为准确的从记录层中读取数据。另外，由于该种记录层中，存在未分布相变材料的部分，也能够提高光在该种光盘中的透过率，进一步为提高光盘中记录层的数量提供了可能性，使得光盘的容量提升成为可能性。
重复执行步骤103到106，也即在记录层上继续制备间隔层，在制备了间隔层之后，在该间隔层上继续制备一层相变层，并在该相变层中的相变材料上刻写数据(每层相变层中刻写对应的数据，不同相变层中刻写的数据可以相同，也可以不同。)，去除掉未刻写数据的部分(也即处于非晶态的相变材料)，继续在该记录层上制备间隔层，该间隔层上继续制备一层相变材料，并在该相变材料上刻写数据，去除掉未刻写数据的部分，如此循环，可以循环N次。也即制备N层间隔层和N层记录层。
在本申请实施例中，可以将一层记录层和一层间隔层作为数据层，在光盘中可以包括多个数据层，该多个数据层依次堆叠位于基板之上，也就是说，在基板上制备的反射层之后，可以开始制备第一层数据层，之后在该第一层数据层上再制备第二层数据层，进而形成多层数据层，本申请实施例中并不限定该数据层的数量，相较于层数有限的光盘，采用本申请实施例的方式在保证光盘中光的透过率的前提下，该数据层的层数范围可以从30～100层不等。
步骤107：在最后一层记录层上制备一层保护层，该保护层用于对该记录层进行保护，与外界隔离。本申请实施例并限定该保护层的材料，例如可以为无影胶(UV胶)。
为了清晰的描述本申请实施例提供的一种光盘制备方法，可以参见图2，图2为本申请实施例提供的一种光盘制备方法的示意图，在图2中，先制备带有沟槽的基板(1)，在该基板上制备一层反射层(2)，之后在该层反射层之上利用旋涂的方式制备间隔层(3)，之后在该间隔层上采用磁控溅射制备一层相变材料(4)，之后在该相变材料利用激光刻写的方式，在该层相变材料上刻写数据，形成处于晶态的相变材料和处于非晶态的相变材料(5)。之后，利用显影液去掉该层相变材料中处于非晶态的相变材料，并对残留的显影液进行清洗、烘干，形成记录层(6)。之后在该记录层上继续制备间隔层，采用前述方式在该层间隔层上形成记录层，可以重复N层(7)，之后，在最后一层记录层上制备保护层(8)。
如图3所示，为本申请实施例提供的一种光盘的结构示意图，该光盘中包括基板、位于该基板上的至少一个数据层，每个数据层中包括一层间隔层和一层记录层。
间隔层用于对该记录层与该光盘中其他组成部分进行隔离；记录层用于记录数据，该记录层中包括两种不同的区域，一种为分布有相变材料的区域，该区域中的相变材料可以处于晶态，一种为未分布有相变材料的区域，该区域不存在相变材料，可以显露出该记录层之下的间隔层。在该记录层中分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域用于指示不同的数据。
例如该记录层中分布有相变材料的区域指示数据“1”，未分布相变材料的区域指示“0”，又例如该记录层中分布有相变材料的区域指示数据“0”，未分布相变材料的区域指示“1”。相变材料的说明可以参见前述说明，此处不再赘述。
在基板与第一层数据层之间还包括反射层，反射层用于对投射到该光盘中的光进行反射，将该光反射到各个记录层中。反射层的设置是为了后续可以从该光盘中读取数据。
本申请实施例并不限定数据层的数量，可以为一层，也可以为多层，当该数据层的数据为多层时，该多层数据层堆叠位于该基板之上。
在最后一个数据层的记录层之上还可以设置一层保护层，该保护层用于保护该记录层，避免该记录层与外界接触。
在该光盘中，数据层为该光盘的主要核心部分，数据层的数量越多，该光盘的容量越大，该光盘能记录的数据也就越多，数据层的数量可以分布在{30,100}区间内，也即数量层的数量不大于100，不小于30。本申请实施例并不限定记录层以及间隔层的厚度，记录层和间隔层的厚度与该光盘需达到的厚度、该光盘中数据层的数量有关，在该光盘需达到的厚度一定的前提下，如该光盘厚度为1.2毫米，数据层的数量越大，记录层和间隔层的厚度就越小。当该光盘的候选为1.2毫米的情况下，记录层的厚度范围为{10纳米，50纳米}，也即记录层的厚度不大于50纳米，且不小于10纳米，间隔层的厚度范围为{10微米，30微米}，也即间隔层的厚度不大于30微米，且不小于10微米。
如图4所示，为本申请实施例提供的一种存储系统，该系统10中包括如前述实施例提供的光盘100，还可以包括数据读取装置200。
该数据读取装置200可以通过向光盘投射光束，从该光盘中读取数据。
可选的，该存储系统中还可以包括解码装置300，解码装置300可以对该数据读取装置读取的数据进行解码，生成能够被用户识别的数据。
需要说明的是，这里仅是以光盘为例，对于其他类型的能够采用本申请实施例所提供的方法制备或具备本申请实施例提供的光存储介质的结构的光存储介质也适用于本申请实施例。
显然，本领域的技术人员可以对本申请实施例进行各种改动和变型而不脱离本申请实施例范围。这样，倘若本申请实施例的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (17)

1.一种光存储介质，其特征在于，所述光存储介质包括基板和至少一个数据层，所述至少一个数据层位于所述基板之上；
所述数据层包括记录层和间隔层，所述记录层位于所述间隔层之上；
所述记录层，用于存储数据，所述记录层包括分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域，所述分布有相变材料的区域和所述未分布相变材料的区域分别用于指示不同的数据。
2.如权利要求1所述的光存储介质，其特征在于，所述光存储介质包括多个所述数据层，多个所述数据层堆叠于所述基板之上。
3.如权利要求1或2所述的光存储介质，其特征在于，所述相变材料的组成成分包括锑Sb和碲Te。
4.如权利要求1-3任一项所述的光存储介质，其特征在于，所述记录层的厚度不小于10纳米，且不大于50纳米。
5.如权利要求1-3任一项所述的光存储介质，其特征在于，所述间隔层的厚度不小于10微米，且不大于30微米。
6.如权利要求1～4任一所述的光存储介质，其特征在于，所述数据层的数量不小于30，且不大于100。
7.如权利要求1～5任一所述的光存储介质，其特征在于，所述光存储介质还包括反射层，所述反射层位于所述数据层与所述基板之间，所述反射层用于对投射到所述光存储介质的光进行反射。
8.如权利要求1～7任一所述的光存储介质，其特征在于，所述光存储介质还包括保护层，所述保护层位于距离所述基板最远的所述记录层之上，所述保护层用于避免所述记录层与外界接触。
9.一种光存储介质制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上制备第一间隔层；
在所述间隔层之上生长第一相变层，所述第一相变层包括相变材料；
利用激光将待存储的第一数据刻写在所述第一相变层的相变材料上；
清除所述第一相变层中未被刻写所述第一数据的相变材料。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述清除所述第一相变层中未被刻写所述第一数据的相变材料包括：
利用显影液对所述第一相变层进行清洗，溶解所述第一相变层中未被刻写所述第一数据的相变材料。
11.如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述清除所述第一相变层中未被刻写所述第一数据的相变材料之后，还包括
在所述第一相变层上制备第二间隔层；
在所述第二间隔层之上生长第二相变层，所述第二相变层包括相变材料；
利用激光将待存储的第二数据刻写在所述第二相变层的相变材料上；
清除所述第二相变层中未被刻写所述第二数据的相变材料。
12.如权利要求9～11任一所述的方法，其特征在于，所述在基板上制备第一间隔层，包括：
在所述基板上制备一层反射层，所述反射层用于对投射到所述光存储介质的光进行反射；
在所述反射层上旋涂所述第一间隔层。
13.如权利要求11～12任一所述的方法，其特征在于，在所述第一相变层之上依次制备多个所述第二间隔层和所述第二层相变层，所述方法还包括：
在清除最后一个第二相变层中未被刻写第二数据的相变材料之后，在所述最后一个第二相变层之上制备保护层，所述保护层用于避免所述最后一个第二层相变层与外界接触。
14.如权利要求9～13任一所述的方法，其特征在于，所述相变材料的组成成分至少包括锑Sb和碲Te。
15.如权利要求9～14任一项所述的方法，其特征在于，所述相变材料的厚度不小于10纳米，且不大于50纳米。
16.如权利要求9～15任一项所述的方法，其特征在于，所述第一间隔层的厚度范不小于10微米，且不大于30微米。
17.一种存储系统，其特征在于，所述存储系统包括如权利要求1～8任一权利要求所述的光存储介质以及数据读取装置；
所述数据读取装置用于从所述光存储介质中读取数据。
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