CN1144919A - 成像装置 - Google Patents

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Abstract

本发明成像装置由下列构件组成：包括可旋转的感光构件；充电器件；电荷去除器件；光辐射装置用于辐射光到处于由充电器件充电状态下的感光膜层的充电区域，并用于调节所辐射的光量；曝光器件；显影器件；变化量检测器件，用于检测感光膜层的充电电势和感光膜层灵敏度其中至少一个的变化量；以及补偿装置，由光辐射器件根据变化量检测器件所测得的结果，通过调整向充电区域所辐射的光量来补偿变化量。

Description

成像装置
本发明涉及一种应用静电复印技术的成像装置。尤其是本发明涉及一种将单层有机感光鼓进行充电并曝光成像的成像装置。
按照常规，采用电子照相技术的成像装置已经被广泛地开发用于静电复印和静电打字领域。
图15简要地描述采用电子照相技术的常规成像装置1。成像装置包括一个可旋转的感光鼓3，在其表面设置一感光膜层2，一个主充电器4用于向感光膜层2均匀地施加预定电荷电平，一个光学器件5用于使感光膜层2曝光并在感光膜层2上形成静电潜像，一个显影器件6用于将在感光膜层2上形成的静电潜像显影成调色像，一个转印器件8用于将在感光膜层2上的调色像转印到记录纸张7上，一个清除器件9提供一个清除刮片，用于去除在感光膜层2上剩余的调色剂，及一个电荷去除灯10用于去除在感光膜层2上的剩余电荷，并调整感光膜层2的表面电势到予定均匀的电平。主充电器4包括一个放电线4b用于对感光膜层2进行电晕放电，及一个围绕放电线4b的密封外壳4a，朝着感光膜层2开口。
在具有上述结构的成像装置1中，成像是以下述方式形成的。
首先，主充电器4均匀地向感光膜层2施加予定电平的电荷。其次由光学器件5向感光膜层2辐射光，因此在感光膜层2上形成静电潜像。接着由显影器件6向感光膜层2施敷调色剂，从而将静电潜像显影成为调色像。借助于转印器件8将在感光膜层2上的调色像转印到记录纸张7上。转印之后，借助清除器9将感光膜层2上的剩余调色剂去除掉。由电荷去除灯10将光辐射到感光膜层2上，从而去除感光膜层2上的剩余电荷。这样，感光膜层2的表面电势被均匀地调整在一个予定电平。其后，感光膜层2又再被主充电器4充电。这样的过程是依照感光鼓3的旋转而重复进行的。
众所周知，因为在不同的生产批量中感光鼓3的感光膜层2的电特性是不一致的，因此在不同的生产批量中，由主充电器4充电所获得的感光膜层2的表面电势是有差别的。详细地讲，当感光膜层2的表面电势均匀地建立以后，感光膜层2是相应于文件的白色区域(非图像区域)进行曝光的。相应于在显影位置所获得的白色区域的感光膜层2的表面电势在不同的生产批量中是不一致的。这种表面电势的不均匀性便会导致在不同的生产批量中，在记录纸7上成像密度的差别。
为了克服这样的问题，通常采用图16中所示的光辐射装置C。光辐射装置C包括一个灯B和一个围绕灯B的外壳A，且其朝着感光膜层2开口。由光辐射装置C辐射光朝向感光膜层2的充电区域24C，因此调整感光膜层2的表面电势，这样使得在不同生产批量中表面电势将变得均匀一致。通常，凡是在由主充电器4供给感光层2表面电势均匀的地方，当由光辐射器C辐射的光量越大，则受光辐射的区域D的表面电势就越低。按照感光膜层2的感光特性来调整光辐射装置C辐射的光量，借助显影器件6，在感光膜层2上显影出像之前，在显影位置的感光膜层2的表面电势甚至在不同的生产批量中也可以做到均匀一致。
但是，当不同的材料被用作感光膜层2时，光辐射装置C便不能有效地起作用。感光膜层2可以由无机光导材料制成，例如硒，或者由单层或多层有机光层材料制成。本发明的发明人发现：由光辐射装置C辐射到感光膜层2上的光量和其表面电势之间的关系是不同的，它取决于感光膜层2是否由无机材料或者由有机材料构成的。图17就是描述这种关系的同线图。曲线L1代表当感光膜层2是由无机材料构成时所得到的关系曲线，同线L2代表当感光膜层2是由有机材料构成时所得到的关系曲线。从图17可得知，当由光辐射装置C辐射的光量是相对小的时候，有机感光膜层(L2)表面电势的下降大于无机感光膜层(L1)表面电势的下降。
取决于是将无机材料还是将有机材料用作感光膜层2，由主充电器4供给到表面电势SP1时用于降低感光膜层2电势所需的由光学器件5辐射的光量是不相同的。例如，在有机感光层情况下的光量是E1，而在无机感光膜层的情况下所需光量是E2。
在如图16所示的常规成像装置1中，由光学器件5辐射的光量不能按照感光膜层2的材料来调整。所以在记录纸7上的图像密度是因感光膜层2的材料而异的，从而导致图像质量的降低。而且，要想由光学器件5对每台成像装置进行光量调整是很困难的。
按照本发明的一个方案，成像装置包括：一个可旋转的感光器件，其包括一个导电基体和一个设置在基体表面的感光膜层；一个充电器件，设置在感光器件的邻近，用于充电感光膜层；一个电荷去除器件，设置在相对于充电器件的沿感光器件旋转方向的迎面端，用来先于由充器件进行充电之前向感光膜层辐射光，使得感光膜层的表面电势均匀一致；一个光辐射器件用于向处于被充电器件充电状态下的感光膜层充电区域辐射光，以及用于调整被辐射的光量；一个曝光器件，用于向处于被充电状态下的感光膜层辐射相应于图像的光；一个显影器件，设置在相对于曝光器件沿感光器件旋转方向的下游；一个变化量检测器件，用于检测感光膜层充电电势及感光膜层的灵敏度至少其中之一的变化量；以及一个补偿器件，用于由光辐射器件基于变化量检测器件所测得的结果，通过调整向充电区域辐射的光量来补偿变化量。
按照本发明的另一个方案，成像装置包括：一个可旋转的感光器件，其包括一个导电基体和一个设置在基体表面的感光膜层；一个充电器件，设置在感光器件的邻近，用于充电感光膜层；一个电荷去除器件，设置在相对于充电器件沿感光器件旋转方向的迎而端，用来先于由充电器件进行充电之前向感光膜层辐射光，以使得感光膜层的表面电势均匀一致；一个光辐射器件，用于向处于由充电器件充电状态下的感光膜层充电区域辐射光，并用于调整所辐射的光量；一个曝光器件，用于向处于被充电状态下的感光膜层辐射相应于图像的光；一个显影器件，设置在沿感光器件旋转方向相对于曝光器件的下游；一个操作器件，用于输出一个调整信号，以便调整感光膜层充电电势及感光膜层灵敏度至少其中之一，于多个予先确定的不同值中的一个；及一个补偿器件，通过由光辐射器件根据调整信号调整向充电区域所辐射的光量，来调整至少感光膜层充电电势及感光膜层的灵敏度在多个不同予先确定值中的一个。
按照本发明的再另一个方案，成像装置包括：一个可旋转的感光器件，其包括一个导电基体和一个设置在基体表面的感光膜层；一个充电器件，设置在感光器件的邻近，用于充电感光膜层；一个电荷去除器件，设置在相对于充电器件沿感光器件旋转方向的迎面端，用来先于由充电器件实行充电之前向感光膜层辐射光以使得感光膜层的表面电势均匀一致；一个光辐射器件、用于向处于由充电器件充电状态下的感光膜层充电区域辐射光，并用于调整所辐射的光量；一个曝光器件，用于向处于被充电状态下的感光膜层辐射相应于图像的光；一个显影器件，设置在相对于曝光器件沿感光膜器件旋转方向的下游；一个操作器件，用于输出一个调整信号，以调节至少感光膜层充电电势及感光膜层的灵敏度中的一个，于至少两个不同予先确定值中的一个；及一个补偿器件，由光辐射器件根据调整信号调整向充电区域的辐射光量，来调整至少感光膜层充电电势和感光膜层灵敏度中的一个于至少两个不同值中的一个，该调整信号被选择为至少两个不同予先确定值中的一个，以便改变感光膜层相对于图像的伽马(gamma)特性。
在本发明的一个实施方式中，感光膜层的灵敏度由补偿器件调节在两个不同值上。
在本发明的一个实施方式中，由补偿器件调节的感光膜层灵敏度是至少从三个不同值中选择出的。
在本发明的一个实施方式中，电荷去除器件起光辐射器件的作用。
在本发明的一个实施方式中，光辐射器件包括一个发光器件，它不同于电荷去除器件。
在本发明的一个实施方式中，光辐射器件产生光脉冲。
在本发明的一个实施方式中，充电器件包括一个放电构件向感光膜层进行放电，及一个第一外壳，其包围着放电构件，并朝感光膜层开口。光辐射器件包括一个发光构件及一个第二外壳，其包围着发光构件，并朝感光膜层的充电区域开口，而且第一和第二外壳是由公共材料构成的。
在本发明的一个实施方式中，补偿器件包括一个光发射驱动器件，用于驱动光辐射器件及一个用于调节由光辐射器件所辐射光量的光量调节器件。
这样，本文中所述的本发明使得该装置的优点成为可能，(1)成像装置无需麻烦的调整即可避免图像技师的下降，例如感光层材料的差别及存在于不同的生产批量中和伴随着反复使用感光膜层电特性的不一致性；以及(2)成像装置在成像过程中实施各种型式的图像处理，例如操作方式可以转换，一种的摄影方式，其在记录纸上成像的密度基本上相对于原始文件的密度呈直线性变化；另一种是常规方式，其在纸张上成像的密度相对于原始文件的密度而言，在予定密度的附近呈强烈地变化。
本发明上述这些以及其它的优点对本领域的普通技术人员来说通过结合附图阅读和理解以下详细的描述将是明显的：
图1表示按照本发明第一实施例成像装置的示意图；
图2表示按照成像过程感光膜层的表面电势曲线图；
图3表示在显影位置时由显影器件所形成的调色像密度相对于感光膜层表面电势的曲线图；
图4表示在显影位置时，感光膜层表面电势随着由电荷去除灯所辐射光量的增大而下降的曲线；
图5表示由光学器件形成主曝光后，感光膜层的表面电势相对于主曝光量的变化曲线；
图6表示存贮在存储器中的补偿数据曲线；
图7表示主曝光光量相对于带有充电曝光光量的变化曲线，二者均被要求感光膜层的表面电势从800伏降低到250伏；
图8表示一种用于调整带有充电曝光光量的器件示意图；
图9表示另一种用于调整带有充电曝光量器件的示意图；
图10表示按照本发明第二实施例成像装置的示意图；
图11表示如图10所示成像装置的补偿操作的流程图；
图12表示按照本发明第三实施例成像装置的示意图；
图13表示由如图12所示成像装置在记录纸张上的成像密度相对于原始文件密度的关系曲线图；
图14表示在如图12所示成像装置中，感光膜层表面电势相对于带充电曝光的曲线图；
图15表示采用电子照相技术的现有技术成像装置示意图；
图16表示现有技术中用于补偿感光膜层灵敏度不致性的器件的示意剖视图；
图17表示辐射到处于被充电状态下感光膜层的光量及其表面电势的关系曲线图，其中感光膜层由有机材料和无机材料构成。
在下文中，本发明将以实施例方式结合附图进行详细描述。但发明不受下列实施例的限制。
在根据本发明的成像装置中，由主充电器将感光鼓的感光膜层均匀地充电到一个规定的电荷量级，然后由能调整光量的光辐射器件向感光膜层的充电区域辐射光。其次，由曝光器件辐射对应于文件图像的光到感光膜层上，该感光膜层已由主充电器充电并从光辐射器件辐射规定量的光。这样，在感光层上便形成静电潜像。然后由显影器件将静电潜像显影居调色像。
在根据本发明的成像装置中，甚至在感光膜层是由不同的材料构成的，或者由相同型式的材料但具有不同电特性的情况下，在显影位置要对感光膜层表面电势的变化量进行检测和补偿。如此，在显影位置的感光膜层的表面电势能够无需从曝光器件调整光量就被均匀一致了。
详细地讲，在显影位置要首先对感光膜层的表面电势变化量进行检测。在检测结果的基础上，由操作器件产生一个调整信号用于将被检则到的表面电势调节在多个不同规定值中的一个。根据调整信号，补偿器件调节来自光辐射器件的光量到感光膜层的充电区域上，以使得其显影位置的表面电势调整在多个不同规定值中的一个。如此，在显影位置的感光膜层表面电势能够达到均匀一致，而无需调整来自曝光器件的光量。
借助于调整来自光辐射器件的光量；来自曝光器件的光便可在感光膜层上得到一个静电潜像，并且由显影器件形成一个调色像，且该图像已经按照原始文件图像的情况经过适当处理。
实施例1
参照附图1详细描述按照本发明第一个实施例的成像装置。图1是成像装置11的示意图。如图1所示，成像装置11包括一个可旋转的感光鼓13作为感光构件，其又包括鼓衬底30和设置在鼓衬底30表面上的感光膜层12。感光鼓13被主充电器14环绕着，以便向感光膜层12均匀地施加一个规定量级的电荷，光学器件15作为一个曝光装置，产生光以便在感光膜层12上形成静电潜像，显影器件16用于将在感光膜层12上的静电潜像显影成调色像，转印器件18将感光膜层12上的调色像转印到例如记录纸17上，清除器件19用于在转印之后将感光膜层12上的剩余调色剂去除掉，以及电荷去除器件20用于去除在感光膜层12上的剩余电荷，以使得感光膜层12的表面电势均一在一个规定电平。
电荷去除灯20用于去除在感光膜层12上的剩余电荷，以使感光膜层12的表面电势均一在一个规定电平，当必要时也用作光辐射器件，用于向由主充电器14充电的感光膜层12辐射光。在下文中，向处于被充电状态下的感光膜层12进行光辐射叫做“带有充电的曝光”。带有充电的曝光以下列方式之一进行：
(1)在一个步骤中进行电荷去除和光辐射并且同时进行充电。
(2)在电荷去除以后同时进行充电和光辐射。
(3)在电荷去除和充电以后进行光辐射。
当电荷去除灯20也起光辐射器件作用的时候，电荷去除灯20设置在主充电器14的邻近并且向主充电器14和感光鼓13之间的感光膜层12辐射光。
图2是按照成像过程的感光膜层12表面电势曲线图。如图2所示，当由电荷去除灯20辐射光用于去除电荷时，感光膜层12的表面电势为SP2。当感光鼓13旋转并且由充电器14在充电位置对感光膜层12充电时，感光膜层12的表面电势增加到SP3。例如，SP3约为810伏。当处在曝光位置，感光膜层12由光学器件15曝光相应于文件图像光的时候，感光膜层12区域的表面电势便降低到SP4，该区域是相应于文件的空白区域(即无图像区域)的光进行曝光的。在下文中，由光学器件15实施的曝光被称作“主曝光”，由主曝光所获得的电势被称作“曝光后电势”。感光膜层12未被相应于文件空白区域的光所曝光的区域的表面电势，亦即相应于文件图像区域的表面电势为SP5。这样区域的表面电势被称作“充电电势”。显影器件16将调色剂施加到具有充电电势的区域，这样便形成显影。充电电势SP5等于SP3，或者比SP3低一个暗衰减的电平。图3表示图像密度相对于表面电势SP5的曲线。如图3所示，当表面电势增加时，图像密度升高。
返回到图1，主充电器14包括一个放电线21，用于进行电晕放电，一个屏敝外壳22围绕着放电线21，并有一个开口朝着感光光鼓13，以及一个格栅23，由金属制成并设置在屏敝外壳22的开口处。放电线21接到电源25上，用于供给放电线21以电晕放电所必需的电流量。屏敝外壳22接地。对格栅23施加一上规定的电势，其值属于放电线21的放电电势和电荷去除后感光层12表面电势之间。
从电源25流到放电电线21的电流Icc被分流为：一个流到屏蔽外壳22的放电电流Isc，一个流到格栅23的放电电流Igc，以及一个流到感光鼓13的放电电流Ipc。
当由电荷去除灯20进行带有充电的曝光时，以及当带有充电的曝光未进行时，对放电电流Ipc，在充电位置的感光膜层12的表面电势SP3，及经曝光后的表面电势SP4三者进行测量。其结如下表1：
                       表1
            Ipc(微安) SP3(伏)  SP4(伏)未曝光            100       810      250带有充电的曝光    115       950      280
当进行带有充电的曝光情况下，放电电流Ipc，表面电势SP3及表面电势SP4三者在曝光后均高于未进行带有充电曝光情况下的值。从这些测量结果可以看出，当进行带有充电的曝光时，在充电位置感光膜层12的表面电势SP3高于由主充电器14提供的表面电势。当进行带有充电的曝光时，从主充电器获得的充电电势SP3(表1中为810伏)到曝光后的表面电势SP4的下降小于当不进行带有充电曝光时的下降。如果这样的下降定义为“灵敏度”；则当进行带有充电曝光时感光膜层12的灵敏度低于当不进行带有充电曝光时的灵敏度。
图4表示从充电电势到显影位置电势的降低，相对于由电荷去除灯20辐射到紧接主充电器下方的感光膜层12区域的光量的关系曲线图。这种光量的测量可以使用例如S1226-BK，它是带有光电二极管的光电传感器，生产厂家是Hamamatsu光量子学有限责任公司。图4所示的光量(单位：毫伏·秒)是由光电传感器探测到的积分电流转换成为由电荷去除灯20辐射光时间周期内的电压。从图4可以看出：由电荷去除灯20进行的带有充电的曝光能够降低显影位置的电势，并且当电荷去除灯20辐射的光量增加时，则从充电电势到显影位置的电势的下降增加了。
图5是当带有充电的曝光是用相对大的光量(例如10毫伏·秒)和当带有充电的曝光是用相对小的光量(例如3mv·sec)时，曝光后的电势和由光学器件15用于主曝光光量的关系曲线。线40代表当使用相对大的光量时所得到的结果，而线41代表当使用相对小的光量时所得到的结果。从图5可得知，当主曝光光量保持一定时，则曝光后的电势的降低随着带有充电曝光光量的增加而减少。
上述结果表明：感光膜层12的灵敏度可以由带有充电的曝光进行控制。(电荷去除灯驱动电路)
再返回到图1，电荷去除灯20连接到电荷去除灯驱动电路24。电荷去除灯驱动电路24连接到电源25，以便给接通电荷去除灯20供电。电荷去除灯驱动电路24也连接光量调节器件34。电荷去除灯驱动电路24将电荷去除灯20辐射出的光量调节在一个规定的水平。光量调节器件34发出一个光量控制信号给电荷去除灯驱动电路24，从而调节由电荷去除灯20所辐射到紧接在主充电器14下方的感光膜层12区域的光量在一个规定的水平。电荷去除灯驱动电路24驱动电荷去除灯20，在规定计时辐射一个规定光量，是根据为电荷去除所规定的光量数据，或者根据光量调节器件34的光量数据，它的调整在后还将描述。在制造成像装置11时，由电荷去除灯20辐射用于带有充电曝光的辐射光量，被调整在基准光量E1。在此点，感光膜层12的灵敏度为S1，它是相应于基准光量E1的基准灵敏度。(光量调节器件)
当电荷去除灯20被脉冲状信号驱动的情况下，光量调节器件34发出一个信号给电荷去除灯驱动线路24。此信号是用来调整由电荷去除灯驱动线路24施加到电荷去除灯20上的脉冲状驱动信号的负载。由电荷去除灯20辐射的光量借助于此负载来调整。在电荷去除灯20被施加一个交流电压或者一个直流电压来驱动的情况下，则光量调节器件34发出一个信号给电荷去除灯驱动电路24。该信号是用来调整由电荷去除灯驱动电路24施加到电荷去除灯20上的驱动电压的。光量则由驱动电压进行调整。
在成像装置11中，用于带有充电的曝光由电荷去除灯20所辐射的光量是在光量调节器件34中调节的。感光膜层12表面电势的型式，例如对感光膜层12的充电电势或者其曝光后的电势进行探测，这样一种探测到的电势被调整为一规定的基准表面电势。例如，对为均衡曝光后的电势所需的电势降低要用基准表面电势进行计算。为进行这种降低所需的由电荷去除灯20所辐射的光量可从下述关系获得：即如图4所示向紧接着主充电器14下方的感光膜层12区域辐射的光量及如图1所示在显影位置的电势降低之间的关系。于是，由电荷去除灯20为带有充电曝光所辐射的光量在光量调节器件34中进行调整。(调整装置)
如图1所示，为了调整用于充电曝光由电荷去除灯20辐射的光量，采用的是调整装置33。该装置33包括：一个变化量探测器件26，一个比较电路27，一个控制器件28，一个存储器29和一个输出器件36。如果电荷去除灯驱动电路24具有存贮控制信号的功能，该信号由光量调节器件34调整，则光量调节器件34可以包括在调整装置33之内。
变化量探测器件26设置在感光鼓13的邻近，处于沿感光鼓13旋转方向相对于显影装置16的上游。变化量探测器件26至少探测感光膜层12的充电电势和曝光后表面电势中的一个。例如，采用探测感光膜层12表面电势的电势传感器作为变化量探测器件26。在该实施例中，这样一个电势传感器31被用作变化量探测器件26的一个举例。电势传感器31探测电势并且输出一个相应于电势的信号给比较电路27。比较电路27由与其连接的控制电路28进行控制，对由电势传感器31探测到的电势和存贮在存储器29中的规定基准表面电势两者进行比较。接着，将变化量信号ΔSP从比较电路27送到控制器件28，ΔSP是相当于所探测到的电势和基准表面电势之间的差。这个差值表示感光膜层12的灵敏度变化量。控制器件28根据变化量信号ΔSP输出数据，用于补偿由电荷去除灯20为带有充电曝光所辐射光量之差。在下文中，此数据被称做“补偿数据”。将补偿数据从控制器件28送到输出器件36，例如是显示装置或者打印装置，于是就直观形象化了。操作人员使用如此具体的数据作为补偿数据，输入到先量调节器件34。光量调节器件34按照该补偿数据来控制电荷去除灯驱动电路24。
存贮在存储器29中的基准表面电势可以是例如：感光膜层12的充电电势或者曝光后的电势。基准表面电势可以调整在一定电平而不管感光膜层12的材料如何，例如是无机或者有机材料。
图6是用图解说明补偿数据的一个举例。详细地讲，图6说明用于带有充电曝光光量的补偿量和探测到的灵敏度变化量之间的关系。如上所述，所探测的灵敏度变化量代表着由电势传感器31所探测到的电势和基准表面电势之间的差。从图6可以看出，当探测到的灵敏度变化量增加时，则用于带有充电曝光光量的补偿量也增加。在成像装置11中，根据探测到的表面电势光量补偿量可以取连续变化的值，或者也可以取不连续变化的3个或更多的值。这种补偿量按如下所述进行确定。
从图5，曝光H后的电势用函数H＝f(R，E)来表示，这里的变数E是用于带有充电曝光的光量，变数R是用于主曝光的光量。因为从上所述灵敏度S可借助函数S＝g(B-H)来表示，这里的B代表基准表面电势，所以灵敏度S又可以转换成函数S＝h(R，E)，这里的R和E均为变数。
图7是用图解说明为降低感光膜层12的充电电势到曝光后规定的电势所需的主曝光光量(例如从800伏降到250伏)，就是说，为获得规定的基准灵敏度所需的主曝光光量和用于带有充电曝光的光量。从图7可以看出，用于带有充电曝光的光量E正比于主曝光的光量R。这可以用函数R＝f(E)来表示。所以当光量E设定在规定的基准光量E1时，则主曝光基准光量R1也就相对于E1被确定了。在记录纸张17上在该点所形成图像的图像密度就是基准图像密度。
当用于主曝光的光量R固定在一个常数水平时，则灵敏度S仅依赖于供带有充电曝光的光量E而变化。
因此，当主曝光光量R被固定不变时，则光量E的变化量ΔE对应于感光膜层12的灵敏度S相对于基准灵敏度的变化量，便必然地确定了。所以用于带有充电曝光光量E的补偿数据如图6所示，从灵敏度S相对于基准灵敏度的变化量关系中获得。
如此，便获得用于带有充电曝光光量E的补偿数据ΔE。根据补偿数据ΔE，由电荷去除灯20辐射的光量则如上所述进行调整。
在成像装置11中，由于不同的生产批量所带来的感光膜层12的不同电特性，其所导致的在灵敏度上或者充电电势的差别能够容易地调整到均匀一致。因此，使用不麻烦的调整即可防止图像质量的降低。(实施带有充电的曝光器件)
作为电荷去除灯20，可以使用可见光的光源，例如，卤素灯、萤光灯、冷阴极射线管、用于发射红色、绿色及其它颜色的霓虹灯，或者可以使用单色光光源，例如用于发射红色、黄色、绿色及其它颜色的发光二极管。
其它的器件也可以代替电荷去除灯20，被用来进行带有充电的曝光。图8中展示了一个举例。在图8中，在主充电器14的密封外壳22的开口处设置一个光源47，例如是一个发光二极管，开口朝向感光膜层12。光源47也可以设置在密封外壳22的侧面。光源47可以为了相同效果如电荷去除灯20的相同方式那样进行控制。
带有充电曝光的光量借助于控制由电荷去除灯20或者光源47所辐射的光量来进行调节。
图9用图解说明另一种调整带有充电曝光光量的方法。在图9中，壁44设置在主充电器14密封外壳22侧面之外。设置壁44的外壳侧面比密封外壳22的另一侧面更靠近电荷去除灯20。壁44是用于调节密封外壳22和感光膜层12之间的距离的，从而调整来自带有充电曝光的电荷去除灯20辐射的光量。例如壁44可以用纸构成。壁44相对于感光膜层12的表面可作向上或向下往复地移动，并且也可以停止在任意位置。通过适当地选择壁44的停止位置，可以调节来自带有充电曝光的电荷去除灯20辐射到感光膜层12充电区域的光量。因此，由电荷去除灯20辐射的光量可以相同于为电荷去除的光量为带有充电曝光的光量以及当带有充电曝光时用于调节的光量。
按照本发明的再另一个调节带有充电曝光光量的方法，是在电荷去除灯20或者光源47和感光膜层12之间设置一个滤光器，从而调节射向感光膜层12充电区域的光量。作为滤光器例如可以采用一种中性(ND)滤光器。或者使用游离基发光元件的滤光器。采用游离基发光元件的滤光器以下列方式工作。由于主充电器14进行的电晕放电，一种包括在结构式1所表示的滤光器材料内的分子结构变成为结构式2，以及由电晕放电所产生的臭氧，从而发射光。
结构式1
Figure A9510631000191
结构式2
Figure A9510631000192
按照本发明的再另一种调整带有充电曝光光量的方法，格栅23的空隙相对于其整个面积的比是可变化的。因为从主充电器14流到感光层12的放电电流Ipc的电平是按照这一比例进行变化的，所以能够获得相同调整效果。(主充电器)
作为主充电器，优选使用储能管充电器，当使用储能管充电器作为主充电器14时，在充电位置上感光鼓13的感光膜层12上的表面电势，由于下列原因达到并保持在一个规定最大极限。
如上所述，来自电源25流到放电线21的电流Icc被分流成为，流到屏蔽壳22的放电电流Isc、流到格栅23的放电电流Igc和流到感光鼓13的放电电流Ipc。当感光膜层12的表面电势低于格栅23的电势时，来自放电线21的放电电流Ipc穿过格栅23到达感光膜层12的表面。当来自放电线21的放电电流Ipc被施加到感光膜层12时，感光膜层12的表面电势逐渐上升。当感光膜层12的表面电势变得基本上与格栅23的电势相等时，供给放电线21的放电电流Icc基本上仅分流成为放电电流Isc和Igc。因此，感光膜层12的表面电势通常由格栅23的电势所决定，并在达到格栅23的电势以后就保持在格栅23电势的左右。
当使用储能管(scorotron)充电器作为主充电器14时的情况下，最好对感光膜12充电以使感光膜层12的饱和表面电势Vs约在500伏和1000伏之间，优选在约700伏和850伏之间的范围。为了进行这样的充电，当进行电晕放电时，最好对主充电器14的放电线21施加高电压约4至7千伏。(光学器件)
作为光学器件15，可以使用一种光学系统，它包括透镜、反射镜以及诸如此类、激光振荡器或其他同类等。(电荷去除)
在对感光膜层12充电之前，感光膜层12的表面电势最好约在100伏或更少。虽然，为了实现这样的表面电势电平所需的由电荷去除灯20辐射的光量取决于感光膜层12的类型，在感光膜层12上的照度最好大约是5勒克斯·秒至200勒克斯·秒，优选的大约是10载克斯·秒到100勒克斯·秒。如果照度超过约200勒克斯·秒，那么由于感光膜层12被光损坏，所以图像质量变坏。(感光膜层)
作为感光膜层12，可以采用无机光导材料，例如硒、或者单层或多层的有机光导材料。
由有机材料构成的感光膜层可以是一种正向充电或者负向充电的型式。最好使用正向充电型式的单层感光膜层，因为它具有各种优点，包括被主充电器14在充电时所生成的臭氧很少。
感光膜层1是通过将电荷携载介质和电荷产生材料散布在粘合树脂中形成的。
作为电荷产生材料，可以使用任何公知的有机光导颜料。例如：酞菁型颜料、苝型颜料、喹丫酮颜料、吡喃埃特朗(pyranetron)型颜料、双偶氮型颜料、或者三偶氮型颜料，可以单独使用，或者二种或二种以上的颜料组合使用。尤其是，苝型颜料，偶氮型颜料或者其组合是优选可取的。
电荷携载介质是将电荷携载材料散布在树脂中构成的。
作为电荷携载材料，可以使用公知的空穴携载材料或者公知的电子携载材料。
作为空穴携载材料，可使用聚-N-乙烯咔唑、菲、N-乙基咔唑、2，5-二苯基-1，3，4-噁唑、2，5-双(4-二乙基氨基苯基)-1，3，4，-噁二唑、双-二乙基氨基苯基-1，3，6-噁二唑、4，4’-双(二乙基氨基)-2，2’-二甲基三苯基甲烷、2，4，5-三氨基苯基咪唑、2，5-双(4-二乙基氨基苯基)-1，3，4，-三唑、1-苯基-3-(4、二乙基氨基苯乙烯基)-5-(4-二乙基氨基苯基)-2-吡唑啉、对位-二乙基氨基苯甲醛-(二苯腙)、或者上述这些化合物的混合物。在这些材料中，二苯酚奎宁酮衍生物诸如：2，6-二甲基-2’，6-二特丁基-二苯酚奎宁酮，二胺型化合物诸如：3，3’-二甲基-N，N，N’，N’-四个-4甲基苯基(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺，氟型化合物，腙型化合物，尤其它们的混合物是可取的。
作为电子携载材料例如可使用2-硝基-9芴酮、2，7-二硝基-9-芴酮、2，4，7-三硝基-9芴酮、2，4，5，7-四硝基-9-芴酮、2-硝基苄并噻吩、2，4，8-三硝基噻吨酮、二硝基蒽、二硝基吖啶、二硝基安托奎宁酮(dinitroantoquinone)或者上述化合物的混合物。
作为粘合树脂例如可以使用苯乙烯型聚合物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-马来酸共聚物、丙烯酸共聚物、苯乙烯-丙烯酸共聚物、苯乙烯-乙烯基醋酸盐共聚物、聚(氯乙烯)、氯乙烯-乙烯基醋酸盐共聚物、聚酯、醇酸树脂、聚酰胺、聚氨酯、环氧树脂、聚碳酸酯、聚烯丙基酯、聚砜、二烯丙基邻苯二甲酸酯树脂、硅树脂、酮树脂、聚乙烯丁缩醛树脂、聚醚树脂、酚醛树脂；可光固化的树脂诸如环氧丙烯酸酯或者丙烯酸氨基甲酸乙酯；或它们的混合物。光导聚合物也可用诸如聚-N-乙烯咔唑。
含于感光层12中的电荷产生材料的量相对于100份的粘合树脂而言，优选为约0.1到50份，更可取的是约0.5到30份。含于感光膜层12中的电荷携载材料的量，相对于100份粘合树脂而言，优选约为20到500份，更可取的是约30到200份。感光膜层12的厚度优选约为10到40微米，最佳的厚度约为22到32微米，以便获得足够高的表面电势、对于反复成像使用具有足够高的耐久性，以及足够高的灵敏度。
鼓衬底30通常由普通的铝管或用表面渗铝的铝管构成。任何导电材料均可使用。例如可使用金属、导电树脂，或者导电薄膜。衬底也可以不是“鼓”的形式，而是以“带”来的形式装备。
感光膜层12以下列方式构成：
将粘合树脂溶解于溶剂中，将电荷产生材料散布在溶解的粘合树脂中，以制成组合物。将该组合物涂敷到鼓衬底30的表面上。作为溶剂，例如可使用酰胺型溶剂，诸如：N，-N-二甲基甲酰胺或者N，N-二甲基乙酰胺；环醚诸如四氢呋喃或二噁烷；二甲基亚砜；芳香溶剂诸如苯、甲苯，或二甲苯；酮诸如甲基乙基酮；N-甲基-2-吡咯烷酮；或苯酚诸如苯酚或甲酚。
实施例2
图10是按照本发明的第二实施例中成像装置11a的示意图。与第一实施例中相同的元件在此也具有相同的标号。
在第二实施例中，电势传感器31、比较电路27、控制器件28及存储器29直接被合并入成像装置11a中，不是被包括入调整装置33中。在此结构中，供光量调节器件34的补偿数据自动地由控制器件28调整。由于这样的自动调整，即使感光膜层12的灵敏度和充电电势至少其中的一个由于反复使用而降低了，但灵敏度或者充电电势的降低也会如同实施例1中所述的成像装置11那样，以相同方式进行自动补偿。当探测到灵敏度或者充电电势下降了一定的水平时，或者当已经完成了一定数量的复印时，当接通成像装置11a时则这样的补偿就进行了。在两个或更多这样的场合下可以实施补偿。
图11是说明成像装置11a补偿操作的程序方框图。
在步骤a1，由电势传感器31探测感光膜层12的表面电势。在步骤a2，在步骤1所探测到的表面电势由比较电路27控制器件28和存储器29如实施例1中关于成像装置11所述的那样，用基准表面电势进行比较，并将其施加到如图6所示的在存储器29中所存贮的数据上。在步骤a3，从这样的数据即可确定供带有充电曝光光量的补偿量。在步骤a4，由控制器件28控制光量调节器件34，从而调整供带有充电曝光的光量。
在成像装置11a中，在其生产时，为了补偿感光膜层12的灵敏度和充电电势其中至少的一个，象实施例1中那种成像装置11所需的单独的调节器件是不必要的。在生产时这样的补偿操作在成像装置11a中是由电势传感器31，控制器件28和光量调节器件34完成的。其次，由于反复使用所需的这种补偿操作可以无需使用外部器件的特殊操作便完成。
在此方式下，由于在生产期间进行自动调整，从而防止了由于在不同的生产批量中，材料的电特性不一致所导致的图像密度的不一致性。其次也防止由于反复使用所造成的感光膜层12的灵敏度和充电电势的下降。不需要使用一套从光学器件15调节光量的机构便能够进行这样的调整，因此可以实现成像装置的结构更简单和体积更小。
实施例3
图12是按照本发明第三实施例的成像装置11b的示意图。在成像装置11中所使用与此相同的元件，这里也使用相同的标号。
成像装置11b包括连接到光量调节器件34的操作器件42。操作器件42接收一个外部的输入信号。
图13表示在原始文件的图像密度(在下文中称＂原始密度＂)和在记录纸张17上所形成图像密度(在下文中称为＂输出密度＂)之间的关系曲线。线43代表当辐射到感光膜层12的光量(供带有充电的曝光)较小时的这种关系；线44代表当光量较大时的这种关系。
如曲线43所示，当光量相对小的时候，输出密度相对于原始密度的变化急刷地上升；换言之，伽马特性(灰度系数)高。在原始密度等于或小于一定数值时的区域，输出密度可以被调整在相应于文件空白区域(无图像区域)的第一密度D1。在原始密度大于某一定数值时的区域，输出密度可以被调整在相应于文件图像区域的第二密度D2。这种在原始密度和输出密度间的关系适合于形成不具有中间色调的黑白图像。如曲线44所示，当光量相对大的时候，输出密度相对于原始密度的变化比曲线43的情况较慢；换言之，伽马特性较低。在这种情况下，例如输出密度相应于原始密度呈近似直线性变化。这种在原始密度和输出密度间的关系适合于具有各种色调的图像，诸如照片。
因此，在成像装置11b中，或者可以选择照片方式，形成具有各种色调的图像；或者选择常规方式，形成没有各种色调的图像；只需通过调节供带有充电曝光的光量即可实现。图14表示供带有充电曝光的光量和感光膜层12表面电势之间的关系图。根据电势传感器31所探测的感光膜层12的表面电势将供带有充电曝光的光量调节有E3或E4。E3和E4是这样调节的，即：由充电所得的感光膜层12的表面电势在较小的光量E3时为800伏，在较大的光量E4时为700伏。较小的光量E3被用于调节常规方式，较大的光量E4被用于调节照片方式。在图6中所示的供带有充电曝光光量的补偿数据是存贮在存储器29中的，而这样的补偿数据，为了调节供带有充电曝光的光量于E3或E4，是由操作器件42来选择的。
关于成像装置11和11a如上所述的相同效果，在成像装置11b中是由操作器件42达到的。其次，也能够选择适合于具有各种色调的照片方式及适合于没有各种色调的常规方式。
实验
<实验1使用第一实施例的成像装置11>
单层感光鼓是在下述条件下制备的。(单层静电复印感光鼓的制备)
使用涂料振动器将具有下列组分的材料进行分散和混合2小时，以制备单层感光膜层的液体。将该液体涂复到具有外经为30毫米的铝鼓表面。将该鼓置于温度110℃下烘干30分钟，以形成具有厚度为30微米的单层感光膜层。照这样，便得到了一种正充电型的静电复印感光鼓。
Figure A9510631000261
(实验)
将下列的每种感光鼓安装在如图1所示的成像装置11上(从DC-2556改进，由Mita工业有限责任公司生产，供实验用)，感光鼓的表面电势由主充电器14调节在800±20伏。
感光鼓1：按上述方式制备。
感光鼓2：按上述方式制备，但具有与感光鼓1不同的灵敏度。
感光鼓3：将感光鼓2进行例行试验(30,000次)而获得。
感光鼓4：将感光鼓2进行例行试验(80,000次)而获得。
感光鼓5：将感光鼓2进行例行试验(120,000次)而获得。
在那时，对调节曝光后表面电势约在250伏时所需的光量进行测量。其结果如表2所示，所有的感光鼓均具有不同的灵敏度。
其次，当保持供调节表面电势在800±20伏时的充电条件，且每种感光鼓被辐射于照度为3.5勒克斯·秒下，在曝光后测量电势。其结果也示于表2。在曝光后由于不同的灵敏度，这些感光鼓具有不同的电势。
控制向充电区域辐射的光量，用以检验在曝光后的电势变化，其结果示于表2。因为用于实验的成像装置具有储能管充电器作为主充电器14，因此即使向充电区域辐射光，表面电势也能够是800±20伏。
表2所示的结果表示：通过控制在感光鼓1到5供带有充电曝光的光量，可以调节曝光后的电势在约250伏。
从本实验的结果得知：在曝光后能够获得相同的电势，即使感光膜层12的灵敏度是不相同的，但借助于向充电区域辐射一定量的光也能够补偿灵敏度。
               表2
*1借助于向感光膜层的充电区域进行光辐射来控制灵敏度
*2补偿前感光鼓的灵敏度 *5为补偿灵敏度的光量(毫伏·秒) *6经补偿后曝光后的电势(伏)
*3所需的光量800V→250V(勒克斯·秒) *4曝光后的电势4勒克斯·秒(伏特)
    2.53.53.84.04.5     160195210225250     3.21.81.51.00     252253248253250
*1：由Mita工业有限责任公司生产的DC-2556被改进用于具有园周速率为300毫米/秒实验。初始表面电势调整在800±20伏。
*2：当没有光辐射到充电面积时的感光鼓的灵敏度。
*3：由光学器件15在曝光后被要求调节电势在250伏时所辐射的光量。
*4：当感光鼓表面被光学器件15光辐射的照度为4勒克斯·秒时的曝光后电势。
*5：当曝光后电势调整在250伏时向充电区域辐射的光量(用于探测向感光膜层12紧接在主充电器14下方的区域辐射光量的光电传感器，其型号为S1226-BK，由Hamamatsu光量子学公司生产，光量由光电传感器(光电二极管)所探测到的电流值转换成电压值来表示，并对辐射光时期内的电压进行积分)
<实验2使用第2实施例的成像装置11a>
通过下列实验发现：借助于改变供带有充电到如实验1中的相同感光膜层上曝光所辐射的光量，则感光膜层12表面上的电荷水平可以按照原始密度进行改变。换言之，下列实验就是用以检验E-V特性变化的。该实验是以下列方式进行的。
如图10所示将一种特殊的感光鼓安装在成像装置11a上，该鼓需要3.5勒克斯·秒的照度来衰减表面电势从800伏降到250伏，不对充电区域进行光辐射。
其次，充电条件调整到使感光鼓表面具有800伏电势。在供曝光感光鼓上图像的照度调整为3.5勒克斯·秒以后，对供带有充电曝光的光量进行多种不同的改变，来测量在显影位置的充电后的表面电势及曝光后电势。其结果示于表3。
            表3
供带有充电曝光的光量(勒克斯·秒) 暗电势(伏) 曝光后电势(伏)
条件1条件2条件3条件4条件5     02.54.04.55.5     800780770760750     250260265270275
表3所示的结果表明：能够通过改变辐射到充电区域的光量来对充电后的表面电势和曝光后的电势进行控制。
在将供带有充电曝光的光量调节在上述每个不同条件以后，对充电电压进行这样的调节以使得感光鼓的表面电势相应于孟塞尔(Munsel)灰色标度N值为8.0时为250伏(当使用如文件的孟塞尔灰色标度时在上述每种条件下，通过曝光感光膜层12所获得的表面电势)。然后对相应于孟塞尔灰色标度的曝光后电势相对于各种不同光量进行测量。其结果示于表4。
             表4
供曝光的光量(勒克斯·秒) 暗电势(伏) 相应于孟塞尔灰色标度的曝光后电势(伏)
   N＝1.0    N＝6.0    N＝8.0    N＝9.5
条件6条件7条件8条件9条件10     02.54.04.55.5     800810825730750     750765770680700     430450480400410     250250250250250     160165170160165
表4所示的结果表明：光电势(E-V)特性，亦即，色调的再现性可以任意调节。
<实验3使用第三实施例中的成像装置11b>
使用二元显影剂进行成像。表4中的条件6被用于常规方式条件10被用于照片方式。表5示出在重复条件6和10下所形成的图像密度。从表5可得知，在常规方式下获得具有高对比度的清晰图像，并且在照片方式下获得具有极好色调再现的图像。
                  表5
带有充电的曝光(勒克斯·克) 孟塞尔灰色标度的图像密度
 N＝1.0  N＝6.0  N＝8.0  N＝9.5
条件6     0  1.400  0.950  0.093  0.088
条件10     5.5  1.350  0.750  0.092  0.087
在按照本发明的成像装置中，当感光鼓的感光膜层正在由主充电器充电，或者在感光膜层被充电以后，由可调节光量的光辐射器件辐射光到感光膜层的充电区域。依据这样的光辐射，能够达到如下的效果，例如：
(1)能够补偿感光膜层的灵敏度和充电电势的不一致性。
(2)能够从一份原始文件获得不同水平的再现性，借助于当辐射光时控制充电电势，而无需更换感光构件。
(3)即使采用一个感光构件，通过予先调节两个再现性值也能够选择：在常规色调再现性下形成图像的常规方式，或者在较高色调再现性下形成图像的照片方式。
在不脱离本发明范围和精神情况下，各种其它变换和改进对于本专业的技术人员来说是显而易见的，并且是容易做出的。因此，不希望所附加的权利要求书的保护范围受限于说明书中所述的那样，而是对权利要求书作概括地解释。

Claims (20)

1.成像装置，由下列构件组成：
—可旋转的感光构件，包括一个导电基体和一个设置在基体表面的感光膜层；
—设置在感光构件邻近，用于充电感光膜层的充电装置；
—电荷去除装置处于沿感光构件旋转方向相对于充电装置的上游，用来在充电装置进行充电之前向感光膜层辐射光，以使感光膜层的表面电势均匀一致；
—光辐射装置，用于辐射光到处于由充电装置充电状态下的感光膜层的充电区域，并用于调节所辐射的光量；
—曝光装置，用于向处于被充电状态下的感光膜层辐射相应于图像的光；
—显影装置，设置在沿感光构件旋转方向相对于曝光装置的下游；
—变化量检测装置，用来检测感光膜层充电电势和感光膜层灵敏度至少其中一个的变化量；
—补偿装置，由光辐射装置根据变化量检测装置所测得的结果通过调整向充电区域所辐射的光量来补偿变化量。
2.成像装置由下列构件组成：
—可旋转的感光构件，包括一个导电基体和一个设置在基体表面的感光膜层；
—设置在感光构件邻近，用于充电感光膜层的充电装置；
—电荷去除装置，处于沿感光构件旋转方向相对于充电装置的上游，用来先于由充电装置进行充电之前，向感光膜层辐射光，以使感光膜层的表面电势均匀一致；
—光辐射装置，用于辐射光到处于由充电装置充电状态下的感光膜层的充电区域，并用于调节所辐射的光量；
—曝光装置，用于向处于被充电状态下的感光膜层辐射相应于图像的光；
—显影装置，设置在沿感光构件旋转方向相对于曝光装置的下游；
—操作装置，用来输出一个调节信号，以调节感光膜层充电电势和感光膜层灵敏度至少其中之一于多个不同予定值中的一个；及
—补偿装置，用来调节感光膜层充电电势和感光膜层灵敏度至少其中之一，于多个不同予定值之一，由光辐射装置根据调节信号调节向充电区域所辐射的光量。
3.成像装置，由下列构件组成：
—可旋转的感光构件，包括一个导电基体和一个设置在基体表面的感光膜层；
—设置在感光构件邻近，用于充电感光膜层的充电装置；
—电荷去除装置处于沿感光构件旋转方向相对于充电装置的上游，用来先于由充电装置进行充电之前，向感光膜层辐射光，以使感光膜层的表面电势均匀一致；
—光辐射装置，用于辐射光到处于由充电装置充电状态下的感光膜层的充电区域，并用于调节所辐射的光量；
—曝光装置，用于向处于被充电状态下的感光膜层辐射相应于图像的光；
—显影装置，设置在沿感光构件旋转方向相对于曝光装置的下游；
—操作装置，用来输出一个调节信号，以调节感光膜层充电电势和感光膜层灵敏度至少其中之一于至少2个不同予定值中的一个；及
—补偿装置，用来调节感光膜层充电电势和感光膜层灵敏度至少其中之一、于至少二个不同值中之一，由光辐射装置根据调节信号调节向充电区域所辐射的光量于至少二个不同予定值之一，这样选择以便改变感光膜层相对于图像的伽马特性。
4.根据权利要求3所述的成像装置，其特征是：借助于补偿装置调节感光膜层的灵敏度于二个不同值。
5.根据权利要求3所述的成像装置，其特征是：由补偿装置所调节的感光膜层的灵敏度是从至少三个不同值中选择出的。
6.根据权利要求1所述的成像装置，其特征是：电荷去除装置起光辐射装置的作用。
7.根据权利要求2所述的成像装置，其特征是：电荷去除装置起光辐射装置的作用。
8.根据权利要求3所述的成像装置，其特征是：电荷去除装置起光辐射装置的作用。
9.根据权利要求1所述的成像装置，其特征是：光辐射装置包括不同于电荷去除装置的光发射装置。
10.根据权利要求2所述的成像装置，其特征是：光辐射装置包括不同于电荷去除装置的光发射装置。
11.根据权利要求3所述的成像装置，其特征是：光辐射装置包括不同于电荷去除装置的光发射装置。
12.根据权利要求1所述的成像装置，其特征是：光辐射装置产生光冲脉。
13.根据权利要求2所述的成像装置，其特征是：光辐射装置产生光冲脉。
14.根据权利要求3所述的成像装置，其特征是：光辐射装置产生光冲脉。
15.根据权利要求9所述的成像装置，其特征是：
—充电装置向感光膜层进行放电的放电构件和一个环绕放电构件并朝感光膜层开口的第一外壳，
—光辐射装置包括一个光发射构件和一个环绕光发射构件并朝感光膜层充电区域开口的第二外壳，及
—第一外壳及第二外壳具有一个公共部分。
16.根据权利要求10所述的成像装置，其特征是：
—充电装置包括一个向感光膜层进行放电的放电构件和一个环绕放电构件并朝感光膜层开口的第一外壳，
—光辐射装置包括一个光发射构件和一个环绕光发射构件并朝感光膜层充电区域开口的第二外壳，及
—第一外壳及第二外壳具有一个公共部分。
17.根据权利要求11所述的成像装置，其特征是：
—充电装置包括一个向感光膜层进行放电的放电构件和一个环绕放电构件并朝感光膜层开口的第一外壳，
—光辐射装置包括一个光发射构件及一个环绕光发射构件并朝感光膜层充电区域开口的第二外壳，及
—第一外壳及第二外壳具有一个公共部分。
18.根据权利要求1所述的成像装置，其特征是：补偿装置包括用于驱动光辐射装置的光发射驱动装置及用于调节由光辐射装置所辐射光量的光量调节装置。
19.根据权利要求2所述的成像装置，其特征是：补偿装置包括用于驱动光辐射装置的光发射驱动装置及用于调节由光辐射装置所辐射光量的光量调节装置。
20.根据权利要求3所述的成像装置，其特征是：补偿装置包括：用于驱动光辐射装置的光发射驱动装置及用于调节由光辐射装置所辐射光量的光量调节装置。
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