CN114464607A - 发光面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 391
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 117
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 34
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 claims 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 36
- 230000027772 skotomorphogenesis Effects 0.000 abstract 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 66
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 9
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 229910004286 SiNxOy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910004668 SiO0.6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910004352 SiO0.2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
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- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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Abstract
本申请实施例提供了发光面板及其制备方法、显示装置,发光面板包括基板以及位于基板一侧的多个发光元件、反光层和保护层,反光层位于基板和保护层之间;保护层和反光层开设有开口,基板包括位于开口的键合点位,发光元件与键合点位电连接。本申请实施例通过在反光层背离基板的一侧增设保护层,至少能够减弱甚至避免反光层黄化,提升发光面板的出光效果。
Description
技术领域
本申请属于显示技术领域,尤其涉及一种发光面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,发光面板的种类也越来越广泛。例如,发光面板的种类可以包括发光二极管LED发光面板、次毫米发光二极管(Mini LED)发光面板和微型发光二极管(Micro LED)发光面板等。
为了提升发光面板的出光效果,通常可以在发光面板中的基板的表面涂覆高反射率的反光层,如白色反射油墨,通过反光层来反射基板上的发光元件发出的光,从而提高发光面板的出光效果。
然而,经本申请的发明人发现,在发光元件的键合过程中,键合位点处的反光层易发生黄化,进而导致发光面板的出光效果较差。
发明内容
本申请实施例提供一种发光面板及其制备方法、显示装置,至少能够减弱甚至避免反光层黄化,提升发光面板的出光效果。
第一方面,本申请实施例提供了一种发光面板,发光面板包括基板以及位于基板一侧的多个发光元件、反光层和保护层,反光层位于基板和保护层之间;保护层和反光层开设有开口,基板包括位于开口的键合点位,发光元件与键合点位电连接。
第二方面,本申请实施例提供了一种发光面板的制备方法,发光面板包括如第一方面提供的发光面板,发光面板的制备方法包括:提供基板,基板上设置有键合点位;在基板的键合点位所在的一侧形成反光层;在反光层背离基板的一侧形成保护层,并在保护层和反光层上开设开口,以暴露出键合点位;将发光元件与键合点位电连接。
第三方面,本申请实施例提供了一种显示装置,显示装置包括如第一方面提供的发光面板。
本申请实施例的发光面板及其制备方法、显示装置,发光面板包括基板以及位于基板一侧的多个发光元件、反光层和保护层,反光层位于基板和保护层之间;保护层和反光层开设有开口,基板包括位于开口的键合点位,发光元件与键合点位电连接。本申请通过在反光层背离基板的一侧增设保护层,保护层可以起到抗氧化作用,可以在发光元件键合过程或者发光元件发光过程中,减弱甚至避免反光层氧化,从而减弱甚至避免反光层黄化,提升发光面板的出光效果;和/或,保护层可以起到隔离水气作用,可以尽可能的阻止水气入侵,减弱甚至避免发光元件和基板中的线路或电子器件被腐蚀。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单的介绍,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的发光面板的俯视示意图;
图2为图1所示的发光面板沿A-A’方向的一种剖面示意图;
图3为图1所示的发光面板沿A-A’方向的另一种剖面示意图
图4为图1所示的发光面板沿A-A’方向的又一种剖面示意图;
图5为图1所示的发光面板沿A-A’方向的又一种剖面示意图;
图6为图1所示的发光面板沿A-A’方向的又一种剖面示意图;
图7为保护层中的膜层厚度与反光层的反射率的一种关系示意图;
图8为本申请实施例中的CIE 1931标准色度系统的一种色相示意图;
图9为本申请实施例中的CIE 1931标准色度系统的一种色域示意图;
图10为本申请实施例中的光线波长、入射角度及反光层的反射率的一种关系示意图;
图11为图1所示的发光面板沿A-A’方向的又一种剖面示意图;
图12为本申请实施例中的CIE 1931标准色度系统的另一种色相示意图;
图13为本申请实施例中的CIE 1931标准色度系统的另一种色域示意图;
图14为本申请实施例中的光线波长、入射角度及反光层的反射率的另一种关系示意图;
图15为本申请实施例提供的发光面板的一种剖面示意图;
图16为图1所示的发光面板沿A-A’方向的又一种剖面示意图;
图17为本申请实施例提供的发光面板的制备方法的一种流程示意图;
图18为本申请实施例提供的发光面板的制备方法的一种工艺示意图;
图19为本申请实施例提供的发光面板的制备方法的另一种工艺示意图;
图20为本申请实施例提供的显示装置的一种俯视示意图;
图21为本申请实施例提供的显示装置的一种剖面示意图。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本申请进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅意在解释本申请,而不是限定本申请。对于本领域技术人员来说,本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本本申请的限制。
在本申请实施例中,术语“电连接”可以是指两个组件直接电连接,也可以是指两个组件之间经由一个或多个其它组件电连接。
在不脱离本申请的精神或范围的情况下,在本申请中能进行各种修改和变化,这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而,本申请意在覆盖落入所对应权利要求(要求保护的技术方案)及其等同物范围内的本申请的修改和变化。需要说明的是,本申请实施例所提供的实施方式,在不矛盾的情况下可以相互组合。
在阐述本申请实施例所提供的技术方案之前,为了便于对本申请实施例理解,本申请首先对现有技术中存在的问题进行具体说明:
如前所述,经本申请的发明人发现,相关技术中存在反光层易发生黄化,发光面板的出光效果较差的问题。
为了解决上述技术问题,本申请的发明人首先对于导致上述技术问题的根因进行了研究和分析,具体的研究和分析过程如下:
例如对于Mini LED发光面板和Micro LED发光面板而言,由于发光面板中的发光元件(又称LED芯片)的尺寸偏小,无法使用传统反射片增加反射率。因此,为了提升发光面板的出光效果,通常可以在发光面板中的基板的表面涂覆高反射率的反光层,如白色反射油墨,通过反光层来反射基板上的发光元件发出的光,从而提高发光面板的出光效果。
白色反射油墨主要由有机分散剂载体和高反射粒子组成。经本申请的发明人发现,在发光元件的键合(如焊接)过程中,或者在发光元件的发光过程(如发光元件长时间保持高强度发光)中,白色反射油墨表面会氧化,白色反射油墨表面的有机成分会被破坏,导致白色反射油墨表面黄化。这样一来,白色反射油墨表面的颜色会变暗,白色反射油墨表面的反射率会降低,进而导致发光面板的出光效果较差。
此外,经本申请的发明人发现,由于反光层(如白色反射油墨)的隔离水气的作用较差,所以空气中的水气易入侵发光元件和基板中,进而导致发光元件中的线路或电子器件以及基板中的线路或电子器件容易被水气腐蚀。
鉴于发明人的上述研究发现,本申请实施例提供了一种发光面板及其制备方法、显示装置,至少能够解决相关技术中存在的反光层易发生黄化,发光面板的出光效果较差的技术问题。
本申请实施例的技术构思在于:在反光层背离基板的一侧增设保护层,保护层可以起到抗氧化作用和/或隔离水气作用,一方面可以在发光元件键合过程或者发光元件发光过程中,减弱甚至避免反光层氧化,从而减弱甚至避免反光层黄化,提升发光面板的出光效果;另一方面可以尽可能的阻止水气入侵,减弱甚至避免发光元件和基板中的线路或电子器件被腐蚀。
在本申请实施例中,发光元件例如可以包括微型发光二极管Micro LED和次毫米发光二极管Mini LED。相应地,发光面板可以包括Micro LED发光面板和Mini LED发光面板。上述发光面板除了能够制备自发光显示面板之外,还可以作为背光面板使用。
下面首先对本申请实施例所提供的发光面板进行介绍。
结合图1和图2所示,图1为本申请实施例提供的发光面板的俯视示意图,图2为图1所示的发光面板沿A-A’方向的一种剖面示意图,本申请实施例提供的发光面板10包括基板100以及位于基板100一侧的多个发光元件101、反光层102和保护层103。基板100包括但不限于硬性基板,硬性基板包括但不限于玻璃基板、印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)基板或其他硬性基板。经本申请的发明人研究发现,当基板100为玻璃基板时,由于玻璃基板具有较好的抗形变性能,所以在实际应用中,在玻璃基板上设置上述膜层结构(即反光层102和保护层103)时具有较好的可行性。
在本申请实施例中,反光层102包括但不限于白色反射油墨(简称白色油墨),反光层102也可以由除白色反射油墨之外的其他反射率较高的材料制备,本申请实施例对此不作限定。保护层103可以为单层结构或叠层结构,即保护层103可以仅包括一个膜层,也可以包括层叠的多个膜层。
继续参见图2,在垂直于发光面板所在平面的方向Z上,反光层102位于基板100和保护层103之间。即,保护层103位于反光层102背离基板100的一侧,从而较好的保护反光层102。基板100上设置有与发光元件101键合的键合点位201。保护层103和反光层102开设有开口k1,键合点位201位于开口k1之中,发光元件101与键合点位201通过键合实现电连接。
当保护层103包括一个膜层时,保护层103可以由第一材料制备。容易理解的是,第一材料的抗氧化能力可以大于反光层102的材料(如白色反射油墨)的抗氧化能力,从而使得保护层103的抗氧化能力大于反光层102的抗氧化能力,进而使得保护层103起到较好的抗氧化作用。示例性地,第一材料可以包括抗氧化能力较好的氮化硅SiNx,或者第一材料可以包括吸水能力且抗氧化能力较好的氮氧化硅SiNxOy。当保护层103包括多个膜层时,保护层103可以由多种材料制备,多种材料中一部分材料例如可以具有较好的吸水能力(如MgO),多种材料中另一部分材料例如可以具有较好的抗氧化能力(如SiNx)。
这样一来,由于反光层102背离基板100的一侧设置有具有较好抗氧化作用的保护层103,所以在发光元件101与键合点位201的键合(如焊接)过程中,或者在发光元件101的发光过程(如发光元件长时间保持高强度发光)中,反光层102(如白色反射油墨)在保护层103的保护下其表面不会氧化,进而减弱甚至避免反光层102表面发生黄化,提升发光面板10的出光效果。
此外,第一材料的隔离水气能力(又称吸水能力)可以大于反光层102的材料(如白色反射油墨)的隔离水气能力,从而使得保护层103的隔离水气能力大于反光层102的隔离水气能力,进而使得保护层103起到较好的隔离水气作用。示例性地,第一材料可以包括吸水能力较好的氧化镁MgO,或者第一材料可以包括吸水能力且抗氧化能力较好的氮氧化硅SiNxOy。当保护层103包括多个膜层时,保护层103可以由多种材料制备,多种材料中一部分材料例如可以具有较好的吸水能力(如MgO),多种材料中另一部分材料例如可以具有较好的抗氧化能力(如SiNx)。
这样一来,由于保护层103具有较好的隔离水气作用,所以可以尽可能的阻止水气入侵,减弱甚至避免发光元件101中的线路或电子器件以及基板100中的线路或电子器件被腐蚀。
需要说明的是,上述第一材料的材料举例,如MgO、SiNx和SiNxOy,在成膜制作工艺中容易形成致密的膜层结构,进而可以达到抗氧化作用和/或隔离水气作用。
本申请实施例的发光面板10包括基板100以及位于基板100一侧的多个发光元件101、反光层102和保护层103,反光层102位于基板100和保护层103之间;保护层103和反光层102开设有开口k1,基板100包括位于开口k1的键合点位201,发光元件101与键合点位201电连接。本申请通过在反光层102背离基板100的一侧增设保护层103,保护层103可以起到抗氧化作用,可以在发光元件101键合过程或者发光元件101发光过程中,减弱甚至避免反光层102氧化,从而减弱甚至避免反光层102黄化,提升发光面板10的出光效果;和/或,保护层103可以起到隔离水气作用,可以尽可能的阻止水气入侵,减弱甚至避免发光元件101中的线路或电子器件以及基板100中的线路或电子器件被腐蚀。
图3为图1所示的发光面板沿A-A’方向的另一种剖面示意图。如图3所示,根据本申请的一些实施例,可选地,保护层103可以覆盖反光层102靠近键合点位201的端面D。其中,反光层102的端面D具体可以理解为反光层102在第一方向X上靠近键合点位201的端面(或表面)。
如此一来,由于保护层103覆盖反光层102靠近键合点位201的端面D,所以可以避免端面D暴露于空气之中,防止反光层102的端面D及与端面D邻近区域氧化及黄化,保证发光面板10具有较好的出光效果。此外,还可以阻止水气通过端面D入侵,进一步减弱甚至避免发光元件101中的线路或电子器件以及基板100中的线路或电子器件被腐蚀。
经本申请的发明人进一步发现,在反光层102背离基板100的一侧设置保护层103,虽然可以使得发光面板10具有较好的抗氧化作用和/或隔离水气作用,但是可能会使得反光层102的反射率大幅降低。例如,经本申请的发明人通过大量实验后发现,在未涂覆保护层103的情况下,实际测量得到的反光层102(如厚度为30μm的白色反射油墨)的反射率为83.05%,仿真软件得到的反光层102(如厚度为30μm的白色反射油墨)的反射率为82.52%。而在保护层103为单层的SiNx(如SiNx的厚度为70nm)的情况下,反光层102的反射率会降低至58.02%;而在保护层103为单层的MgO(如MgO的厚度为70nm)的情况下,反光层102的反射率会降低至59%。反光层102的反射率的大幅降低显然有悖于设置反光层102的初衷。因此,基于上述发现,本申请的发明人如何在尽可能不降低反光层102的反射率的基础上,使得发光面板10具有较好的抗氧化作用和/或隔离水气作用。
图4为图1所示的发光面板沿A-A’方向的又一种剖面示意图。如图4所示,为了在尽可能不降低反光层102的反射率的基础上,使得发光面板10具有较好的抗氧化作用和/或隔离水气作用,根据本申请的一些实施例,可选地,保护层103可以包括至少一层第一折射率的第一膜层1031和至少一层第二折射率的第二膜层1032。其中,第一折射率与第二折射率不同。示例性地,例如保护层103可以包括一层第一膜层1031和一层第二膜层1032,或者保护层103可以包括两层第一膜层1031和一层第二膜层1032,或者保护层103可以包括两层第一膜层1031和两层第二膜层1032,本申请实施例对于保护层103中的第一膜层1031的数量和第二膜层1032的数量不作限定。
下面以保护层103包括两层第一膜层1031和一层第二膜层1032为例,对于本申请实施例实现尽可能不降低反光层102的反射率的原理进行说明。
由于第一膜层1031的折射率与第二膜层1032的折射率不同,即一种膜层的折射率高,另一种膜层的折射率低,这样高折射率的膜层与低折射率的膜层会形成增透膜(即保证反光层反射率不被降低、增大透过率的膜),从而使得反光层102的反射率降低很小甚至还会提高。
为了便于理解,如以下反射率与折射率之间的关系表达式所示:
其中,R表示反光层102的反射率,n0表示空气的折射率,nb表示第一膜层1031的折射率,n1表示第二膜层1032的折射率,ng表示反光层102的折射率,s为预设系数,例如s=8。
不妨假设n0=1,nb=2,n1=1.8,ng=1.5,s=8,代入表达式(1),可得:
由此可以看出,相较于保护层103仅为单层的第一膜层1031或者仅为单层的第二膜层1032而言,当利用高折射率的膜层与低折射率的膜层形成增透膜时,反光层的反射率会大幅提高,如达到75.69%。而且,nb/ng越大,保护层103中的膜层的层数越多,反光层102的反射率通常会越高。
如此一来,由于保护层103包括折射率不同的第一膜层1031和第二膜层1032,第一膜层1031和第二膜层1032会形成增透膜,能够在尽可能不降低反光层102的反射率的基础上,使得发光面板10具有较好的抗氧化作用和/或隔离水气作用。
图5为图1所示的发光面板沿A-A’方向的又一种剖面示意图。如图5所示,在一些具体的实施例中,可选地,保护层103可以包括一层第一膜层1031和一层第二膜层1032。在垂直于发光面板10所在平面方向Z上,第一膜层1031位于第二膜层1032背离基板100的一侧,第二折射率大于第一折射率。即,在垂直于发光面板10所在平面方向Z上,折射率较高的膜层(如第二膜层1032)更加靠近反光层102。
如此设置,是因为经过发明人研究发现,相较于折射率较低的膜层(如第一膜层1031)靠近反光层102,折射率较高的膜层(如第二膜层1032)远离反光层102的情况而言,当折射率较高的膜层(如第二膜层1032)靠近反光层102,折射率较低的膜层(如第一膜层1031)远离反光层102时,反光层102的反射率会更高。这样一来,可以在保护层103仅包括有限层数的第一膜层1031和第二膜层1032(即第一膜层1031和第二膜层1032的层数较少)的情况下,较大程度上达到不降低反光层102的反射率的效果,保证经过保护层103的出光量。
需要说明的是,在本申请实施例中,也可以折射率较低的膜层(如第一膜层1031)靠近反光层102,折射率较高的膜层(如第二膜层1032)远离反光层102,本申请实施例对此不作限定。
图6为图1所示的发光面板沿A-A’方向的又一种剖面示意图。如图6所示,与图5所示实施例不同的是,在另一些具体的实施例中,可选地,保护层103可以包括至少两层第一膜层1031和至少两层第二膜层1032。在垂直于发光面板10所在平面方向Z上,第一膜层1031和第二膜层1032可以交替设置。需要说明的是,虽然图6仅示意性示出了保护层103包括两层第一膜层1031和两层第二膜层1032,但是可以理解的是,保护层103也可以包括两层以上的第一膜层1031和两层以上的第二膜层1032,本申请实施例对此不作限定。
如前所述,保护层103中的膜层的层数越多,反光层102的反射率通常会越高。因此,由于保护层103包括多层第一膜层1031和多层第二膜层1032,所以会使得反光层102的反射率降低很小甚至还会提高,从而能够在尽可能不降低甚至提高反光层102的反射率的基础上,使得发光面板10具有较好的抗氧化作用和/或隔离水气作用。
继续参见图6,根据本申请的一些实施例,可选地,在垂直于发光面板10所在平面方向Z上,保护层103中与基板100距离最近的膜层为第二膜层1032,第二折射率大于第一折射率。即,在垂直于发光面板10所在平面方向Z上,保护层103中最靠近反光层102的膜层为折射率高的第二膜层1032。
如前所述,经过发明人研究发现,相较于折射率较低的膜层(如第一膜层1031)紧邻反光层102的情况而言,当折射率较高的膜层(如第二膜层1032)紧邻反光层102时,反光层102的反射率会更高。这样一来,可以使得反光层102的反射率的降低程度进一步减小,甚至提高反光层102的反射率。
需要说明的是,在本申请实施例中,也可以折射率较低的膜层(如第一膜层1031)紧邻反光层102,本申请实施例对此不作限定。
根据本申请的一些实施例,可选地,第一折射率和第二折射率的取值范围可以包括1.4~2.0。
本申请实施例的折射率之所以选取上述1.4~2.0的取值范围,是因为经发明人发现,当第一折射率和第二折射率处于1.4~2.0时,已经可以使得反光层102的反射率的降低程度很小甚至还会提高。而当选取更宽泛的折射率的取值范围时,如第一折射率为1.0,第二折射率为2.5时,虽然有可能提高反光层102的反射率,但是提高的程度非常有限,并且当第一折射率和第二折射率处于1.4~2.0的取值范围之外时,第一膜层1031和第二膜层1032的材料的抗氧化能力和/或隔离水气能力会大幅降低,无法较好的达到使得发光面板10具有较好的抗氧化作用和/或隔离水气作用的效果。因此,第一折射率和第二折射率的取值范围为1.4~2.0,可以使得反光层102的反射率的降低程度很小,并且使得发光面板10具有较好的抗氧化作用和/或隔离水气作用。
需要说明的是,当第一折射率和第二折射率的取值范围均为1.4~2.0时,需要保证第一折射率与第二折射率不同,例如第一折射率小于第二折射率。第一折射率与第二折射率之间的差值可以根据实际情况灵活调整,本申请实施例对此不作限定。
经本申请的发明人进一步发现,保护层103中膜层的厚度的改变对于反光层102的反射率的大小起到关键作用。如果仅在反光层102上简单的堆叠第一膜层1031和第二膜层1032,而不考虑第一膜层1031和第二膜层1032的厚度,那么反光层102的反射率的降低程度仍然可能较大,很难达到使得反光层102的反射率的降低程度很小甚至提高的效果。而且,在第一膜层1031和第二膜层1032的厚度过薄时,第一膜层1031和第二膜层1032起不到很好的抗氧化作用和/或隔离水气作用。而在第一膜层1031和第二膜层1032的厚度过厚时,反光层102的反射率的降低程度可能会变得很大,并且因浪费材料过多会增大生产成本。因此,如何合理的设置第一膜层1031和第二膜层1032的厚度对于提高反光层102的反射率及降低生产成本至关重要。
经本申请的发明人大量实验和实践后,最终确定每层第一膜层的厚度的取值范围可以为25nm~100nm,和/或,每层第二膜层的厚度的取值范围可以为25nm~100nm。容易理解的是,厚度指的是膜层在垂直于发光面板所在平面的方向Z上的最小距离(或称垂直距离)。
如此一来,当第一膜层的厚度和第二膜层的厚度处于上述取值范围时,一方面可以使得第一膜层1031和第二膜层1032起到很好的抗氧化作用和/或隔离水气作用,另一方面可以使得反光层102的反射率的降低程度很小甚至提高,又一方面可以减少第一膜层和第二膜层所耗费的材料,降低生产成本。
为了便于理解,下面结合一些具体示例对于保护层103中膜层的厚度的对于反光层102的反射率的大小的影响进行说明。
图7为保护层中的膜层厚度与反光层的反射率的一种关系示意图。如图7所示,图7中的横坐标表示每层第一膜层的厚度或者每层第二膜层的厚度,图7中的纵坐标表示反光层102的反射率。当保护层103包括一层第一膜层1031(如第一膜层1031的材料为MgO)和一层第二膜层1032(如第二膜层1032的材料为SiNx)时,第一膜层1031的厚度和第二膜层1032的厚度均为(近似)70nm时,反光层102的反射率达到最大,为80.89%。相较于在未涂覆保护层103的情况下,反光层102的反射率82.52%(仿真软件仿真获得)而言,此时的反射率比未涂覆保护层103的反射率仅降低(82.52%-80.89%)/82.52%=2.0%。
表1示意性示出了在保护层103包括两层第一膜层1031(第一膜层1031的材料为MgO)和两层第二膜层1032(第二膜层1032的材料为SiNx)时的反光层102的反射率。
表1
如表1所示,在每层第一膜层1031的厚度为25nm,每层第二膜层1032的厚度为45nm时,反光层102的反射率达到最大,为82.77%。相较于在未涂覆保护层103的情况下,反光层102的反射率82.52%(仿真软件仿真获得)而言,此时的反射率比未涂覆保护层103的反射率甚至提高(82.77%-82.52%)/82.52%=0.3%。此外,此时的CIE 1931的标准色度L*=92.91,a*=-2.6758,b*=5.1351,符合预期要求。
需要说明的是,上述图7及表1中的数据仅是示意性的,并不构成对本申请实施例的限定。
继续参见图5或图6,根据本申请的一些实施例,可选地,在垂直于发光面板10所在平面方向Z上,保护层103中与基板100距离最近的膜层为第二膜层1032。第一膜层1031的材料的吸水能力大于第二膜层1032及反光层102的材料的吸水能力,和/或,第二膜层1032的材料的抗氧化能力大于第一膜层1031及反光层102的材料的抗氧化能力。
即,可以选用吸水能力较好的材料制备第一膜层1031,可以选用抗氧化能力的材料制备第二膜层1032。而且,在垂直于发光面板10所在平面方向Z上,保护层103中的最外侧(距离基板100最远)的膜层为第一膜层1031。这样,由于第一膜层1031位于最外侧且第一膜层1031是利用吸水能力较好的材料制成,所以第一膜层1031可以便于吸附空气中的水气,较大程度上起到隔离水气的作用。
根据本申请的一些实施例,可选地,第一膜层的材料和/或第二膜层的材料可以为透明材料或半透明材料。换句话说,第一膜层的材料和/或第二膜层的材料的消光系数k(又称吸光率)可以为0或者近似为0。
这样,可以较大程度上减弱甚至避免第一膜层的材料和/或第二膜层的材料对光的吸收,使得发光元件发出的光几乎没有损耗的情况下透过第一膜层和/或第二膜层,从而进一步提高反光层的反射率。
在一些具体的实施例中,可选地,第一膜层1031的材料可以包括氧化镁或者氮氧化物,和/或,第二膜层1032的材料可以包括氮化硅、氧化铝、硅胶、亚克力、环氧树脂或者氮氧化物。即,第一膜层1031可以选用吸水能力较好的材料制备,第二膜层1032可以选用抗氧化能力较好的材料制备。需要说明的是,除了上述列举的材料之外,第一膜层1031和第二膜层1032也可以通过其他材料性能相近的材料制备,本申请实施例对此不作限定。
以氮氧化物(如氮氧化硅SiNxOy)为例,氮氧化物既具有较好的吸水能力,同时又具备较好的抗氧化能力。而且,通过调整氮氧化物的氮N与氧O的比值可以使得氮氧化物具有不同的折射率,如在1.4~2.0的范围内变化。因此,可以选用氮氧化物制备保护层103。在制备保护层103时,通过调整氮氧化物的氮与氧的比值,可以形成折射率不同的第一膜层1031和第二膜层1032。
具体而言,在一些具体的实施例中,可选地,第一膜层1031的材料和第二膜层1032的材料均为氮氧化物。示例性地,氮氧化物包括氮氧化硅SiNxOy。其中,第一膜层1031的材料的氮与氧的比值小于第二膜层1032的材料的氮与氧的比值。需要说明的是,氮氧化物中的氮与氧的比值(即氮的比例)越高,通常折射率越大。因此,第一膜层1031的材料的氮与氧的比值小于第二膜层1032的材料的氮与氧的比值,可以理解为第一膜层1031的材料的折射率小于第二膜层1032的材料的折射率。例如,在一些示例中,第一膜层1031的材料可以包括SiO0.6N0.4,第二膜层1032的材料可以包括SiO0.2N0.8。
如此一来,由于保护层103中的第一膜层1031和第二膜层1032均由氮氧化物(如氮氧化硅SiNxOy)制备,所以在制备保护层103时,只需要改变氮与氧的比例(如调整氮气和氧气的进气比例),便可以得到折射率不同的第一膜层1031和第二膜层1032。即,只需要一道工艺便可以制备出具有不同折射率膜层的保护层103,有利于工艺的简化。此外,由于制备第一膜层1031的氮氧化物和制备第二膜层1032的氮氧化物均具有较好的吸水能力和抗氧化能力,所以可以进一步提高保护层103的吸水能力和抗氧化能力。
为了便于理解,下面结合一些具体示例进行说明。
表2示意性示出了在保护层103包括两层第一膜层1031(第一膜层1031的材料为SiO0.6N0.4)和两层第二膜层1032(第二膜层1032的材料为SiO0.2N0.8)时的反光层102的反射率。
表2
如表2所示,在每层第一膜层1031的厚度为25nm,每层第二膜层1032的厚度为50nm时,反光层102的反射率达到最大,为82.71%。相较于在未涂覆保护层103的情况下,反光层102的反射率82.52%(仿真软件仿真获得)而言,此时的反射率比未涂覆保护层103的反射率提高(82.71%-82.52%)/82.52%=0.23%。
图8为本申请实施例中的CIE 1931标准色度系统的一种色相示意图。如图8所示,图8横坐标表示CIE 1931标准色度系统中a*颜色通道,图8纵坐标表示CIE 1931标准色度系统中b*颜色通道。如图8所示,在保护层103包括两层第一膜层1031(第一膜层1031的材料为SiO0.6N0.4)和两层第二膜层1032(第二膜层1032的材料为SiO0.2N0.8)时,b*的变化范围为0~9,a*的变化范围为-2~-3,符合预期要求。
图9为本申请实施例中的CIE 1931标准色度系统的一种色域示意图。如图9所示,图9横坐标表示CIE 1931标准色度系统中的x色坐标,图9纵坐标表示CIE 1931标准色度系统中的y色坐标。如图9所示,在保护层103包括两层第一膜层1031(第一膜层1031的材料为SiO0.6N0.4)和两层第二膜层1032(第二膜层1032的材料为SiO0.2N0.8)时,会出现较小的色域波动,即中心白色色坐标仅在较小范围内波动,符合预期要求。
图10为本申请实施例中的光线波长、入射角度及反光层的反射率的一种关系示意图。图10中的X轴表示波长,单位nm;图10中的Y轴表示入射角度;图10中的Z轴表示反射率。如图10所示,在保护层103包括两层第一膜层1031(第一膜层1031的材料为SiO0.6N0.4)和两层第二膜层1032(第二膜层1032的材料为SiO0.2N0.8)时,在波长400nm~700nm范围内,不同的入射角度对应的反射率均能够达到70%以上,具有较高的反射率。
经本申请的发明人进一步发现,反光层102的加工要求是厚度均匀一致,且不能有气泡,穿孔等不良问题,但实际反光层102表面粗糙度还是μm量级。这样一来,由于反光层102表面粗糙度大,所以不利于表面镀膜实现。
有鉴于此,本申请的发明人考虑在涂覆保护层103之前,先在反光层102上涂覆平坦化层,以便于保护层103的涂覆。图11为图1所示的发光面板沿A-A’方向的又一种剖面示意图。具体而言,如图11所示,根据本申请的一些实施例,可选地,发光面板10还可以包括平坦化层901,在垂直于发光面板10所在平面方向Z上,平坦化层901可以位于保护层103与反光层102之间。示例性地,平坦化层901包括但不限于OC光学胶。
如此一来,通过在保护层103与反光层102之间设置平坦化层901,可以便于保护层103的涂覆,避免保护层103易脱落。
根据本申请的一些实施例,可选地,在垂直于发光面板所在平面方向Z上,平坦化层901的厚度的取值范围可以包括5μm~20μm。
本申请实施例的平坦化层901的厚度之所以选取上述5μm~20μm的取值范围,是因为经发明人发现,在平坦化层901的厚度小于5μm时,平坦化层901背离反光层102的表面仍不够平整,不利于保护层103的涂覆;而在平坦化层901的厚度大于20μm时,因平坦化层901的厚度太厚可能会降低反光层102的反射率,而且会增加生产成本。因此,平坦化层901的厚度的取值范围选取为5μm~20μm,不仅可以便于保护层103的涂覆,而且可以保证反光层102具有较高的反射率,以及降低生产成本。
在一些具体的示例中,平坦化层901的厚度例如为10μm。为了便于理解,下面结合一些具体示例进行详细说明。
表3示意性示出了在平坦化层901的厚度为10μm,且保护层103包括两层第一膜层1031(第一膜层1031的材料为MgO)和两层第二膜层1032(第二膜层1032的材料为SiNx)时的反光层102的反射率。
表3
如表3所示,在增设10μm厚度的平坦化层901的情况下,在每层第一膜层1031的厚度为45nm,每层第二膜层1032的厚度为45nm时,反光层102的反射率达到最大,为80.84%。相较于在未涂覆保护层103的情况下,反光层102的反射率82.52%(仿真软件仿真获得)而言,此时的反射率比未涂覆保护层103的反射率仅仅降低(82.52%-80.84%)/82.52%=2.0%。此外,此时的CIE 1931的标准色度L*=89.95,a*=-0.2320,b*=0.0282,符合预期要求。
表4示意性示出了在平坦化层901的厚度为10μm,且保护层103包括两层第一膜层1031(第一膜层1031的材料为SiO0.6N0.4)和两层第二膜层1032(第二膜层1032的材料为SiO0.2N0.8)时的反光层102的反射率。
表4
如表4所示,在增设10μm厚度的平坦化层901的情况下,在每层第一膜层1031的厚度为45nm,每层第二膜层1032的厚度为50nm时,反光层102的反射率达到最大,为80.43%。相较于在未涂覆保护层103的情况下,反光层102的反射率82.52%(仿真软件仿真获得)而言,此时的反射率比未涂覆保护层103的反射率仅仅降低(82.52%-80.43%)/82.52%=2.53%。
图12为本申请实施例中的CIE 1931标准色度系统的另一种色相示意图。图12横坐标表示CIE 1931标准色度系统中a*颜色通道,图12纵坐标表示CIE 1931标准色度系统中b*颜色通道。结合图8和图12所示,相较于图8,在增设平坦化层901之后,图12中的b*的变化范围和a*的变化范围明显减小,b*的变化范围仅为0.15~0.3,a*的变化范围仅为-0.15~-0.3。
图13为本申请实施例中的CIE 1931标准色度系统的另一种色域示意图。图13横坐标表示CIE 1931标准色度系统中的x色坐标,图13纵坐标表示CIE 1931标准色度系统中的y色坐标。结合图9和图13所示,相较于图9,在增设平坦化层901之后,图13中的色域波动变得更小,即中心白色色坐标在更小范围内波动,色域波动更加稳定。
图14为本申请实施例中的光线波长、入射角度及反光层的反射率的另一种关系示意图。图14中的X轴表示波长,单位nm;图14中的Y轴表示入射角度;图14中的Z轴表示反射率。如图14所示,在增设平坦化层901之后,在保护层103包括两层第一膜层1031(第一膜层1031的材料为SiO0.6N0.4)和两层第二膜层1032(第二膜层1032的材料为SiO0.2N0.8)时,波长400nm~700nm范围内,不同的入射角度对应的反射率均能够达到70%以上,具有较高的反射率。
需要说明的是,上述图8至图14、表2至表4中的数据仅是示意性的,并不构成对本申请实施例的限定。
根据本申请的一些实施例,可选地,平坦化层的材料可以为透明材料或半透明材料。换句话说,平坦化层的材料的消光系数k(又称吸光率)可以为0或者近似为0。
这样,可以较大程度上减弱甚至避免平坦化层的材料对光的吸收,使得发光元件发出的光几乎没有损耗的情况下透过平坦化层,从而进一步提高反光层的反射率。
图15为本申请实施例提供的发光面板的一种剖面示意图。如图15所示,为了提高发光面板10的出光率,根据本申请的一些实施例,可选地,基板100上可以设置有多个聚光凹槽1300。在垂直于发光面板10所在平面方向Z上,聚光凹槽1300与开口k1至少部分交叠。聚光凹槽1300表面设置有层叠的反光层102和保护层103,键合点位201可以位于聚光凹槽1300之中。需要说明的是,聚光凹槽1300的形状和尺寸可以根据实际情况灵活调整,本申请实施例此不作限定。示例性地,例如聚光凹槽1300可以为曲面凹槽。
如此一来,通过设置聚光凹槽1300可以将发光元件101出射的光线进行汇聚后再反射,提升发光元件101出射的光线的发散角,提升发光面板的发光效果。
图16为图1所示的发光面板沿A-A’方向的又一种剖面示意图。如图16所示,为了避免保护层103因破损而失效,根据本申请的一些实施例,可选地,发光面板10还可以包括封胶层1400,在垂直于发光面板所在平面方向Z上,封胶层1400位于保护层103背离基板100的一侧。容易理解的是,封胶层1400开设有开口k2,在垂直于发光面板所在平面方向Z上,封胶层1400上的开口k2与保护层103及反光层102上的开口k1至少部分交叠,从而暴露出键合点位201。示例性地,封胶层1400的材料包括但不限于环氧树脂、硅胶或其他透光率较高的材料。
如此一来,通过在保护层103背离基板100的一侧设置封胶层1400,可以对保护层103实现较好的保护,避免保护层103被刮擦,进而避免保护层103因破损而失效。
基于上述实施例提供的发光面板,相应地,本申请还提供了一种发光面板的制备方法,该发光面板的制备方法例如可以用于制备上述实施例提供的发光面板10。
图17为本申请实施例提供的发光面板的制备方法的一种流程示意图。如图17所示,本申请实施例提供的发光面板的制备方法包括以下步骤S101至S104。
S101、提供基板,基板上设置有键合点位。
图18为本申请实施例提供的发光面板的制备方法的一种工艺示意图。结合图18所示,在S101中,提供基板100,基板100上设置有键合点位201。基板100包括但不限于硬性基板,硬性基板包括但不限于玻璃基板、印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)基板或其他硬性基板。
S102、在基板的键合点位所在的一侧形成反光层。
结合图18所示,在S102中,可以在基板100的键合点位201所在的一侧喷涂形成反光层102。反光层102包括但不限于白色反射油墨(简称白色油墨),反光层102也可以由除白色反射油墨之外的其他反射率较高的材料制备,本申请实施例对此不作限定。
S103、在反光层背离基板的一侧形成保护层,并在保护层和反光层上开设开口,以暴露出键合点位。
结合图18所示,在S103中,可以在反光层102背离基板100的一侧形成保护层103,并通过图案化工艺在保护层103和反光层102上开设开口k1,以暴露出键合点位201。需要说明的是,反光层102上的开口也可以在形成保护层之前通过图案化工艺形成,在垂直于发光面板所在平面的方向上,只要保证保护层103上的开口与反光层102上的开口交叠即可。
S104、将发光元件与键合点位电连接。
结合图18所示,在S104中,例如可以通过焊接或者其他键合方式(如银胶粘接)将发光元件101与键合点位201电连接。
本申请实施例的发光面板的制备方法,通过在反光层102背离基板100的一侧增设保护层103,保护层103可以起到抗氧化作用,可以在发光元件101键合过程或者发光元件101发光过程中,减弱甚至避免反光层102氧化,从而减弱甚至避免反光层102黄化,提升发光面板10的出光效果;和/或,保护层103可以起到隔离水气作用,可以尽可能的阻止水气入侵,减弱甚至避免发光元件101中的线路或电子器件以及基板100中的线路或电子器件被腐蚀。
图19为本申请实施例提供的发光面板的制备方法的另一种工艺示意图。如图19所示,在一些实施例中,在S104将发光元件与键合点位电连接之前,发光面板的制备方法还可以包括以下步骤:
在保护层103背离基板100的一侧形成封胶层1400,并在封胶层1400上开设开口k2,封胶层1400上的开口k2与保护层103及反光层102上的开口k1至少部分交叠,以暴露出键合点位201。示例性地,封胶层1400的材料包括但不限于环氧树脂、硅胶或其他透光率较高的材料。
如此一来,通过在保护层103背离基板100的一侧设置封胶层1400,可以对保护层103实现较好的保护,避免保护层103被刮擦,进而避免保护层103因破损而失效。
在一些实施例中,在S102在基板的键合点位所在的一侧形成反光层之后,以及在S103在反光层背离基板的一侧形成保护层之前,发光面板的制备方法还可以包括以下步骤:
结合图11所示,在反光层102背离基板100的一侧形成平坦化层901。平坦化层901上开设有开口,在垂直于发光面板所在平面方向Z上,平坦化层901上的开口与保护层103及反光层102上的开口k1至少部分交叠,从而暴露出键合点位201。示例性地,平坦化层901包括但不限于OC光学胶。
如此一来,通过在保护层103与反光层102之间设置平坦化层901,可以便于保护层103的涂覆,避免保护层103易脱落。
在一些实施例中,在S101之前,发光面板的制备方法还可以包括以下步骤:
结合图15所示,在基板100上设置多个聚光凹槽1300,在聚光凹槽1300中形成键合点位201。需要说明的是,聚光凹槽1300的形状和尺寸可以根据实际情况灵活调整,本申请实施例此不作限定。
如此一来,通过设置聚光凹槽1300可以将发光元件101出射的光线进行汇聚后再反射,提升发光元件101出射的光线的发散角,提升发光面板的发光效果。
在一些实施例中,保护层103可以包括折射率不同的第一膜层1031和第二膜层1032。S103具体可以包括:在反光层102背离基板100的一侧依次形成层叠的第二膜层1032和第一膜层1031,并在第一膜层1031、第二膜层1032和反光层102上开设开口k1,以暴露出键合点位201。
需要说明的是,上述方法实施例中的发光面板的制备方法与上述产品实施例中的发光面板10具有相应的技术效果,为简洁描述,在此不再赘述。
基于上述实施例提供的显示面板,相应地,本申请还提供了一种显示装置。如图20所示,该显示装置1000可包括设备本体20’以及上述实施例中的发光面板10,该发光面板10覆盖在设备本体20’上。设备本体20’中可设置有各类器件,如传感器件、处理器件等,在此并不限定。显示装置1000具体可以为手机、计算机、平板电脑、数码相机、电视机、电子纸等具有显示功能的装置,在此并不限定。
如图21所示,在一些实施例中,发光面板10可以为背光面板,显示装置1000还可以包括位于背光面板出光面(如图21中的表面a)一侧的显示面板30。
需要明确的是,本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同或相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。对于显示面板实施例和显示装置实施例而言,相关之处可以参见像素驱动电路实施例和阵列基板实施例的说明部分。本申请并不局限于上文所描述并在图中示出的特定结构。本领域的技术人员可以在领会本申请的精神之后,作出各种改变、修改和添加。并且,为了简明起见,这里省略对已知技术的详细描述。
本领域技术人员应能理解,上述实施例均是示例性而非限制性的。在不同实施例中出现的不同技术特征可以进行组合,以取得有益效果。本领域技术人员在研究附图、说明书及权利要求书的基础上,应能理解并实现所揭示的实施例的其他变化的实施例。在权利要求书中,术语“包括”并不排除其他结构;数量涉及“一个”但不排除多个;术语“第一”、“第二”用于标示名称而非用于表示任何特定的顺序。权利要求中的任何附图标记均不应被理解为对保护范围的限制。某些技术特征出现在不同的从属权利要求中并不意味着不能将这些技术特征进行组合以取得有益效果。
Claims (21)
1.一种发光面板,其特征在于,包括基板以及位于所述基板一侧的多个发光元件、反光层和保护层,所述反光层位于所述基板和所述保护层之间;
所述保护层和所述反光层开设有开口,所述基板包括位于所述开口的键合点位,所述发光元件与所述键合点位电连接。
2.根据权利要求1所述的发光面板,其特征在于,
所述保护层包括至少一层第一折射率的第一膜层和至少一层第二折射率的第二膜层,所述第一折射率与所述第二折射率不同。
3.根据权利要求2所述的发光面板,其特征在于,所述保护层包括一层所述第一膜层和一层所述第二膜层;
在垂直于所述发光面板所在平面方向上,所述第一膜层位于所述第二膜层背离所述基板的一侧,所述第二折射率大于所述第一折射率。
4.根据权利要求2所述的发光面板,其特征在于,所述保护层包括至少两层所述第一膜层和至少两层所述第二膜层;
在垂直于所述发光面板所在平面方向上,所述第一膜层和所述第二膜层交替设置。
5.根据权利要求4所述的发光面板,其特征在于,在垂直于所述发光面板所在平面方向上,所述保护层中与所述基板距离最近的膜层为所述第二膜层,所述第二折射率大于所述第一折射率。
6.根据权利要求2所述的发光面板,其特征在于,所述第一折射率和所述第二折射率的取值范围包括1.4~2.0。
7.根据权利要求2所述的发光面板,其特征在于,在垂直于所述发光面板所在平面方向上,所述保护层中与所述基板距离最近的膜层为所述第二膜层,
所述第一膜层的材料的吸水能力大于所述第二膜层及所述反光层的材料的吸水能力,和/或,所述第二膜层的材料的抗氧化能力大于所述第一膜层及所述反光层的材料的抗氧化能力。
8.根据权利要求2所述的发光面板,其特征在于,每层所述第一膜层的厚度的取值范围包括25nm~100nm,和/或,每层所述第二膜层的厚度的取值范围包括25nm~100nm。
9.根据权利要求2所述的发光面板,其特征在于,所述第一膜层的材料和/或所述第二膜层的材料为透明材料或半透明材料。
10.根据权利要求2所述的发光面板,其特征在于,所述第一膜层的材料包括氧化镁或者氮氧化物,和/或,所述第二膜层的材料包括氮化硅、氧化铝、硅胶、亚克力、环氧树脂或者氮氧化物。
11.根据权利要求10所述的发光面板,其特征在于,所述第一膜层的材料和所述第二膜层的材料均为所述氮氧化物,所述氮氧化物包括氮氧化硅,所述第一膜层的材料的氮与氧的比值小于所述第二膜层的材料的氮与氧的比值。
12.根据权利要求1所述的发光面板,其特征在于,所述发光面板还包括平坦化层,在垂直于所述发光面板所在平面方向上,所述平坦化层位于所述保护层与所述反光层之间。
13.根据权利要求12所述的发光面板,其特征在于,在垂直于所述发光面板所在平面方向上,所述平坦化层的厚度的取值范围包括5μm~20μm。
14.根据权利要求12所述的发光面板,其特征在于,所述平坦化层的材料包括透明材料或半透明材料。
15.根据权利要求1所述的发光面板,其特征在于,所述基板上设置有多个聚光凹槽,在垂直于所述发光面板所在平面方向上,所述聚光凹槽与所述开口至少部分交叠,所述聚光凹槽表面设置有层叠的所述反光层和所述保护层,所述键合点位位于所述聚光凹槽之中。
16.根据权利要求1所述的发光面板,其特征在于,所述发光面板还包括封胶层,在垂直于所述发光面板所在平面方向上,所述封胶层位于所述保护层背离所述基板的一侧;
所述封胶层开设有开口,所述封胶层上的开口与所述保护层及所述反光层上的开口至少部分交叠。
17.根据权利要求1所述的发光面板,其特征在于,所述保护层覆盖所述反光层靠近所述键合点位的端面。
18.一种发光面板的制备方法,其特征在于,所述发光面板包括如权利要求1-17中任一项所述的发光面板,所述制备方法包括:
提供基板,所述基板上设置有键合点位;
在所述基板的所述键合点位所在的一侧形成反光层;
在所述反光层背离所述基板的一侧形成保护层,并在所述保护层和所述反光层上开设开口,以暴露出所述键合点位;
将发光元件与所述键合点位电连接。
19.根据权利要求18所述的制备方法,其特征在于,在所述将发光元件与所述键合点位电连接之前,所述制备方法还包括:
在所述保护层背离所述基板的一侧形成封胶层,并在所述封胶层上开设开口,所述封胶层上的开口与所述保护层及所述反光层上的开口至少部分交叠,以暴露出所述键合点位。
20.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至17中任一项所述的发光面板。
21.根据权利要求20所述的显示装置,其特征在于,所述发光面板为背光面板,所述显示装置还包括位于所述背光面板出光面一侧的显示面板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210111537.XA CN114464607B (zh) | 2022-01-29 | 2022-01-29 | 发光面板及其制备方法、显示装置 |
US17/721,385 US20230246145A1 (en) | 2022-01-29 | 2022-04-15 | Light-emitting panel, method for fabricating the light-emitting panel, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210111537.XA CN114464607B (zh) | 2022-01-29 | 2022-01-29 | 发光面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114464607A true CN114464607A (zh) | 2022-05-10 |
CN114464607B CN114464607B (zh) | 2024-08-09 |
Family
ID=81411302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210111537.XA Active CN114464607B (zh) | 2022-01-29 | 2022-01-29 | 发光面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230246145A1 (zh) |
CN (1) | CN114464607B (zh) |
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-
2022
- 2022-01-29 CN CN202210111537.XA patent/CN114464607B/zh active Active
- 2022-04-15 US US17/721,385 patent/US20230246145A1/en active Pending
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---|---|
CN114464607B (zh) | 2024-08-09 |
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PB01 | Publication | ||
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