CN114464589A - 高结合强度的引线框架、封装器件的制作工艺及其产品 - Google Patents
高结合强度的引线框架、封装器件的制作工艺及其产品 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114464589A CN114464589A CN202210238556.9A CN202210238556A CN114464589A CN 114464589 A CN114464589 A CN 114464589A CN 202210238556 A CN202210238556 A CN 202210238556A CN 114464589 A CN114464589 A CN 114464589A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- functional
- base island
- pin
- frame
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 17
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 claims description 13
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000003878 thermal aging Methods 0.000 claims description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 4
- 238000005282 brightening Methods 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 210000005069 ears Anatomy 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49517—Additional leads
- H01L23/4952—Additional leads the additional leads being a bump or a wire
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
- H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geometry (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种高结合强度的引线框架、封装器件的制作工艺及其产品。一种高结合强度的引线框架,包括框架体以及间隔分布于所述框架体的框架单元,所述框架单元包括粘片基岛、第一功能性引脚、第二功能性引脚和固定引脚;所述第一功能性引脚对称分布在所述粘片基岛的左右两侧,且所述第一功能性引脚的一端与所述框架体相连接。所述高结合强度的引线框架,能够提高功能性引脚和粘片基岛与塑封料的卡合作用,且粘片基岛的牢固性好,能够有效防止出现分层,解决了现有引线框架中引脚容易存在拉伸而出现错位分层、粘片基岛容易翘起、贴炉不牢造成焊接异常以及框架表面容易出现分层的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种高结合强度的引线框架、封装器件的制作工艺及其产品。
背景技术
集成半导体封装技术正在不断发展,以满足电子消费类产品小型化,轻量化、高性能等的需求,半导体封装过程主要是将主体芯片、框架、引线使用塑封料进行物理固定,提供机械保护,避免在使用过程出现物理性结构损坏和存在水电潮气影响导致失效。
封装过程的基本流程包括:将芯片通过研磨设备进行减薄,切割成单一封装芯片体,接着通过点银浆、点绝缘胶或者点锡膏等粘片材料将芯片与粘片基岛相互结合,再通过使用引线将芯片与功能性引脚进行连接,形成基础的电气连接,塑封是使用高分子塑封料将已经焊好线的单元体进行物理包封,形成封装单体,最终经过电参数测试合格后成为满足特定需求的集成电路器件。
目前使用的引线框架中存在以下问题:
1、传统框架的功能性引脚为拐点圆滑的形状,功能性引脚与塑封料没有形成相互之间的卡位咬合,在成型冲切过程中,在外力作用下,引脚被外力拉扯松动错位,导致引脚处容易出现与塑封料之间分层、引线断裂等问题;
2、传统框架的粘片基岛只有一个功能性引脚相互连接,单向连接使得粘片基岛容易存在翘起,在焊接过程中压合不牢固存在松动,导致引起在焊接过程中压焊参数的损失甚至出现压焊偏位等焊接异常;
3、目前常规框架粘片基岛、引脚表面与塑封料均为平面结合,在塑封固化后,塑封料与框架仅在表面形成粘合,很容易在使用过程中发热膨胀、受潮气影响,使得塑封料与框架表面结合面处出现剥离分层的问题,严重时会使内部线路断开而引起失效。
发明内容
针对背景技术提出的问题,本发明的目的在于提出一种高结合强度的引线框架,能够提高功能性引脚和粘片基岛与塑封料的卡合作用,且粘片基岛的牢固性好,能够有效防止出现分层,解决了现有引线框架中引脚容易存在拉伸而出现错位分层、粘片基岛容易翘起、贴炉不牢造成焊接异常以及框架表面容易出现分层的问题。
针对背景技术提出的问题,本发明的另一目的在于提出使用上述高结合强度的引线框架的封装器件的制作工艺,制得的封装器件中的粘片基岛和引脚与塑封料的结合强度高,有效防止框架与塑封料分层。
针对背景技术提出的问题,本发明的另一目的在于上述封装器件的制作工艺制作得到的封装器件,粘片基岛和引脚与塑封料的卡合作用强、结合强度高,有效防止框架与塑封料分层。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种高结合强度的引线框架,包括框架体以及间隔分布于所述框架体的框架单元,所述框架单元包括粘片基岛、第一功能性引脚、第二功能性引脚和固定引脚;
所述第一功能性引脚对称分布在所述粘片基岛的左右两侧,且所述第一功能性引脚的一端与所述框架体相连接,所述第一功能性引脚的另一端位于所述粘片基岛的上侧或下侧;
所述第二功能性引脚的一端与所述框架体相连接,所述第二功能性引脚的另一端与所述粘片基岛的后端相连接,所述固定引脚的一端与所述框架体相连接,所述固定引脚的另一端与所述粘片基岛的前端相连接;
所述第一功能性引脚包括用于包封在塑封料内的功能部和位于塑封料外的折弯部,所述功能部的左右两侧分别设有倒钩角和凸点帽尖;
所述粘片基岛的表面和所述第一功能性引脚的功能部的背面均设有第一进料凹槽,所述粘片基岛的背面设有第二进料凹槽。
更进一步说明,所述倒钩角和所述凸点帽尖均设置于所述功能部靠近所述折弯部的一侧,且所述倒钩角设置于所述功能部远离所述粘片基岛的一侧,所述凸点帽尖设置于所述功能部靠近所述粘片基岛的一侧。
更进一步说明,所述功能部远离所述折弯部的一侧还设有凹陷卡口,且所述凹陷卡口位于所述功能部远离所述粘片基岛的侧边沿。
更进一步说明,所述固定引脚与所述粘片基岛的连接处设置有朝向所述固定引脚的内部凹陷的颈部卡口。
更进一步说明,所述第一功能性引脚的功能部的表面以及所述粘片基岛与所述固定引脚的交接处的表面均设有金属镀层;
所述粘片基岛的表面于所述金属镀层的左右两侧分别设有所述第一进料凹槽,所述第一功能性引脚的功能部对应所述金属镀层的背面设有所述第一进料凹槽。
更进一步说明,所述第一进料凹槽的形状为圆球状,所述第一进料凹槽的槽口的宽度<所述第一进料凹槽的直径宽度;
位于所述粘片基岛的所述第一进料凹槽的深度≤所述粘片基岛的厚度的2/3,位于所述第一功能性引脚的功能部的所述第一进料凹槽的深度≤所述第一功能性引脚的功能部的厚度的2/3。
更进一步说明,所述粘片基岛的背面对称设置有所述第二进料凹槽,且所述第二进料凹槽沿左右方向设置,所述第二进料凹槽的纵截面的形状为倒梯形;
所述第二进料凹槽的深度≤所述粘片基岛的厚度的2/3。
更进一步说明,所述第一进料凹槽与所述第二进料凹槽的内表面均为磨砂面。
一种封装器件的制备工艺,使用如所述的高结合强度的引线框架,包括以下步骤:
步骤S1、粘片:在粘片基岛点上粘片材料,将芯片放置到框架单元对应的粘片材料的位置上,全部框架单元粘片完毕后进行固化;
步骤S2、压焊:使用引线将芯片的焊接区与框架单元相应的引脚进行连接;
步骤S3、塑封:将步骤S2的待制品用高分子塑封料包封起来,固化后脱模成型;
步骤S4、热老化:将塑封成型的产品进行热老化反应;
步骤S5、去氧化光亮:在引脚上沉积一层锡层;
步骤S6、成型/分离:将整排经过上述步骤后形成的电子器件产品,在成型模具的冲压下进行成型/分离,得到单只的封装器件。
一种封装器件,使用所述的封装器件的制作工艺制作得到。
与现有技术相比,本发明的实施例具有以下有益效果:
1、通过倒钩角与凸点帽尖相配合,形成防拉伸的防护双卡门,在塑封完成后,包封在塑封料内的引脚功能区在朝外的倒钩角与凸点帽尖的作用下,与塑封料形成反向卡扣作用,在作用力与反作用力的物理性卡位咬合作用下,在成型冲切过程中提供反向作用力抵消外力作用,保护产品的第一功能性引脚不会被外力拉松动错位,有效解决引脚处出现与塑封料之间形成分层、引线断裂等问题;
2、通过设置固定引脚,固定引脚与粘片基岛相连接,保证粘片基岛的牢固性更好,有效解决了在生产过程中粘片基岛翘起变形,贴炉不牢的问题,提升产品基岛的焊接性能;
3、通过在粘片基岛的表面和第一功能性引脚的功能部的背面均设有第一进料凹槽,粘片基岛的背面设有第二进料凹槽,能够增加塑封料与框架上下表面的咬合强度,防止出现使用过程中热胀冷缩而引起的分层问题,提升产品的可靠性。
附图说明
图1是现有引线框架的结构示意图;
图2是本发明一个实施例的高结合强度的引线框架的结构示意图;
图3是图2的F处的局部放大示意图;
图4是本发明一个实施例的高结合强度的引线框架的结构示意图;
图5是图4中C-C截面的剖视图;
图6是图4中D-D截面的剖视图;
图7是图4中E-E截面的剖视图;
其中:框架体1、框架单元2、粘片基岛3、基岛耳朵31、第一功能性引脚4、功能部41、倒钩角411、凸点帽尖412、凹陷卡口413、折弯部42、第二功能性引脚5、固定引脚6、颈部卡口61、塑封料7、第一进料凹槽8、第二进料凹槽9、金属镀层10、芯片20、引线30。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“纵向”、“横向”“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征,用于区别描述特征,无顺序之分,无轻重之分。
一种高结合强度的引线框架,包括框架体1以及间隔分布于所述框架体1的框架单元2,所述框架单元2包括粘片基岛3、第一功能性引脚4、第二功能性引脚5和固定引脚6;
所述第一功能性引脚4对称分布在所述粘片基岛3的左右两侧,且所述第一功能性引脚4的一端与所述框架体1相连接,所述第一功能性引脚4的另一端位于所述粘片基岛3的上侧或下侧;
所述第二功能性引脚5的一端与所述框架体1相连接,所述第二功能性引脚5的另一端与所述粘片基岛3的后端相连接,所述固定引脚6的一端与所述框架体1相连接,所述固定引脚6的另一端与所述粘片基岛3的前端相连接;
所述第一功能性引脚4包括用于包封在塑封料7内的功能部41和位于塑封料7外的折弯部42,所述功能部41的左右两侧分别设有倒钩角411和凸点帽尖412;
所述粘片基岛3的表面和所述第一功能性引脚4的功能部41的背面均设有第一进料凹槽8,所述粘片基岛3的背面设有第二进料凹槽9。
如图1所示,图1显示的是现有引线框架阵列的结构局部示意图,如图1所示,传统框架的功能性引脚为拐点圆滑的形状,功能性引脚与塑封料没有形成相互之间的卡位咬合,此外,粘片基岛只有一个功能性引脚相互连接,单向连接容易存在翘起,在焊接过程中容易由于压合不牢固而存在松动;并且粘片基岛、引脚表面与塑封料均为平面结合,容易引起塑封料与框架出现分层。
如图2至图7所示,所述第一功能性引脚4分为用于包封在塑封料7内的所述功能部41和位于塑封料7外的所述折弯部42两部分,如图2所示,虚线框柱的区域为塑封料7包封的区域,其中包封在塑封料7内的所述功能部41的左右两侧分别设置有所述倒钩角411和所述凸点帽尖412,通过所述倒钩角411与所述凸点帽尖412相配合,形成防拉伸的防护双卡门,在塑封完成后,包封在塑封料7内的功能部41在朝外的所述倒钩角411与所述凸点帽尖412的作用下,与塑封料7形成反向卡扣作用,在作用力与反作用力的物理性卡位咬合作用下,在成型冲切过程中提供反向作用力抵消外力作用,保护产品的所述第一功能性引脚不会被外力拉松动错位,有效解决引脚处出现与塑封料7之间形成分层、引线断裂等问题;
需要说明的是,所述第一功能性引脚4是独立的引脚,所述第一功能性引脚4的一端与所述框架体1相连接,所述第一功能性引脚4的另一端与所述粘片基岛3不相接,因此容易存在与塑封料7之间分层、与塑封料7之间的结合强度差的问题,而所述第二功能性引脚5由于一端与所述框架体1相连接,所述第二功能性引脚5的另一端与所述粘片基岛3的后端相连接,因此不存在此问题。
此外,通过设置所述固定引脚6,所述固定引脚6与所述粘片基岛3相连接,保证所述粘片基岛3的牢固性更好,有效解决了在生产过程中所述粘片基岛3翘起变形,贴炉不牢的问题,提升产品基岛的焊接性能;
通过在所述粘片基岛3的表面和所述第一功能性引脚4的功能部41的背面均设有所述第一进料凹槽8,所述粘片基岛3的背面设有所述第二进料凹槽9,能够增加塑封料7与框架上下表面的咬合强度,防止出现使用过程中热胀冷缩而引起的分层问题,提升产品的可靠性。
所述高结合强度的引线框架,能够提高第一功能性引脚4和粘片基岛3与塑封料7的卡合作用,且粘片基岛3的牢固性好,能够有效防止出现分层,解决了现有引线框架中引脚容易存在被外力拉伸而出现错位分层、粘片基岛3容易翘起、贴炉不牢造成焊接异常以及使用过程中框架表面与塑封料7之间容易出现分层的问题。
更进一步说明,所述倒钩角411和所述凸点帽尖412均设置于所述功能部41靠近所述折弯部42的一侧,且所述倒钩角411设置于所述功能部41远离所述粘片基岛3的一侧,所述凸点帽尖412设置于所述功能部41靠近所述粘片基岛3的一侧。
通过所述倒钩角411与所述凸点帽尖412相配合,形成防拉伸的防护双卡门,具体地,所述倒钩角411的边缘与所述功能部41的边缘之间的夹角A为65°,所述凸点帽尖412的倾斜边与所述折弯部42的边缘之间的夹角B为65°,有效增强卡扣的作用力。
更进一步说明,所述功能部41远离所述折弯部42的一侧还设有凹陷卡口413,且所述凹陷卡口13位于所述功能部41远离所述粘片基岛3的侧边沿。
通过设置所述凹陷卡口413,使所述第一功能性引脚4的功能部存在定位卡点,能够增强所述第一功能性引脚4的功能部与塑封料7外壁的塑封强度;优选地,所述凹陷卡口413的形状为正方形,所述凹陷卡口413的边长为0.08mm,通过矩形卡位的设计,能够有效增强与塑封料7的结合强度,需要说明的是,所述凹陷卡口413的形状还可以设置为三角形、圆形等其他形状,不局限于上述形状。
更进一步说明,所述固定引脚6与所述粘片基岛3的连接处设置有朝向所述固定引脚6的内部凹陷的颈部卡口61。
具体地,所述固定引脚6于所述颈部卡口61处的宽度为0.15mm,所述固定引脚6的宽度为0.35mm,通过设置所述固定引脚6,所述固定引脚6于所述粘片基岛3的连接牢固性好,有效避免了在生产过程中所述粘片基岛3翘起变形的问题,从而避免贴炉不稳出现焊接问题;同时通过设置所述颈部卡口61,所述颈部卡口61设置在冲切断面位置,在保证所述粘片基岛3的牢固性的同时,能够提高切断的生产效率,使得在成型切割时更容易切断,有效避免出现崩边、切割毛刺等问题。
具体地,所述第一功能性引脚4的功能部41的表面以及所述粘片基岛3与所述固定引脚6的交接处的表面均设有金属镀层10;
所述粘片基岛3的表面于所述金属镀层10的左右两侧分别设有所述第一进料凹槽8,所述第一功能性引脚4的功能部对应所述金属镀层10的背面设有所述第一进料凹槽8。
具体地,所述第一功能性引脚4的功能部41的表面指的是所述第一功能性引脚4的上端面,所述粘片基岛3与所述固定引脚6的交接处的表面指的是所述粘片基岛3与所述固定引脚6的交接处的上端面。
在所述粘片基岛3上,根据产品输出特性及结构布局,在局部区域进行选择性镀上保护金属(一般是镀银或镍钯金层等),形成所述金属镀层10,如图2所示的阴影区域为设置所述金属镀层10的区域;可有效增加基岛焊接区域的可焊性,同时保留其他区域与塑封料结合的粘合性,其他区域采用裸铜金属平面,所述金属镀层10的厚度为0.002-0.01mm;优选地,所述粘片基岛3的左右两侧还设置有基岛耳朵31,所述基岛耳朵31位于前后两个所述第一功能性引脚4之间,在所述基岛耳朵31的表面也设置有所述金属镀层10,通过设置所述金属镀层10保护,方便产品内部引线布局,同时避免了所述粘片基岛3上全镀银,避免增加塑封料7与所述粘片基岛3之间的分层风险。
进一步地,通过在所述粘片基岛3的表面于所述金属镀层10的左右两侧分别设有所述第一进料凹槽8,在经过注塑塑封后,塑封料在所述第一进料凹槽8处形成强连接,有效避免镀层区域出现分层,引起产品失效,且有效防止塑封料7与所述粘片基岛3的表面膨胀脱开而引起引线二焊点断裂问题。
进一步地,通过在所述第一功能性引脚4的功能部41对应所述金属镀层10的背面设有所述第一进料凹槽8,能够增强所述第一功能性引脚4的功能部41与塑封料7的有效结合,同时,结合所述倒钩角411、所述凸点帽尖412和所述凹陷卡口413的设置,能够进一步加强所述第一功能性引脚4的结合强度。
位于所述粘片基岛3的所述第一进料凹槽8的深度≤所述粘片基岛3的厚度的2/3,位于所述第一功能性引脚4的功能部41的所述第一进料凹槽8的深度≤所述第一功能性引脚4的功能部41的厚度的2/3。
具体地,所述第一进料凹槽8的槽口的宽度<所述第一进料凹槽8的直径宽度,形成收口的形状,且通过限定所述第一进料凹槽8的深度,保证在固化后塑封料7在所述第一进料凹槽8内形成高尔夫球棒状,形成牵引卡位,避免出现塑封料7与框架表面分层的问题;
优选地,所述第一进料凹槽8的槽口的宽度>0.07mm,方便塑封料注塑时顺利注入;所述第一进料凹槽8的槽口宽度优选为0.08mm,所述第一进料凹槽8的直径宽度优选为0.1mm,所述第一进料凹槽8的深度优选为0.08mm。
具体地,所述粘片基岛3的背面对称设置有所述第二进料凹槽9,且所述第二进料凹槽9沿左右方向设置,所述第二进料凹槽9的纵截面的形状为倒梯形;
所述第二进料凹槽9的深度≤所述粘片基岛3的厚度的2/3。
具体地,所述粘片基岛3的背面指的是所述粘片基岛3的下端面,所述粘片基岛3的背面优选地设置有两条所述第二进料凹槽9,两条所述第二进料凹槽9成对称设置,通过将所述第二进料凹槽9沿左右方向设置,使得所述第二进料凹槽9的设置方向与塑封料7的注入方向一致,可以有效提高塑封料7的填充速度与饱满度;此外,由于所述第二进料凹槽9的纵截面的形状为倒梯形,即所述第二进料凹槽9的槽口的宽度比内部宽度窄,进入所述第二进料凹槽9的塑封料7形成收口的形状,有效增强所述粘片基岛3的背面与塑封料7的结合强度,防止使用过程热胀冷缩引起分层问题,提升产品可靠性能。需要说明的是,所述第二进料凹槽9的数量可以设置为一条或者两条以上,不局限于上述数量。
具体地,所述第二进料凹槽9的槽口的宽度>0.07mm,方便塑封料注塑时顺利注入,同时所述第二进料凹槽9的深度≤所述粘片基岛3的厚度的2/3,保证所述粘片基岛3的背面与塑封料7的结合强度,所述第二进料凹槽9的槽口宽度优选设置为0.1mm,所述第二进料凹槽9的底部宽度优选为0.2mm,所述第二进料凹槽9的深度优选为0.08mm。
优选地,所述第一进料凹槽8与所述第二进料凹槽9的内表面均为磨砂面。
通过将所述第一进料凹槽8与所述第二进料凹槽9的内表面均设置为粗糙的磨砂面,当塑封料7进入所述第一进料凹槽8和所述第二进料凹槽9并固化后,能够增强塑封料7与所述第一进料凹槽8和所述第二进料凹槽9的结合强度。
一种封装器件的制备工艺,使用所述的高结合强度的引线框架,包括以下步骤:
步骤S1、粘片:在粘片基岛点上粘片材料,将芯片放置到框架单元对应的粘片材料的位置上,全部框架单元粘片完毕后进行固化;
步骤S2、压焊:使用引线将芯片的焊接区与框架单元相应的引脚进行连接;
步骤S3、塑封:将步骤S2的待制品用高分子塑封料包封起来,固化后脱模成型;
步骤S4、热老化:将塑封成型的产品进行热老化反应;
步骤S5、去氧化光亮:在引脚上沉积一层锡层;
步骤S6、成型/分离:将整排经过上述步骤后形成的电子器件产品,在成型模具的冲压下进行成型/分离,得到单只的封装器件。
具体地,所述封装器件的制备工艺如下:
如图2所示,步骤S1、粘片:使用粘片机通过挤胶或者沾胶的方式,在粘片基岛3上点上粘片材料(如粘片银浆、绝缘胶或锡膏等),粘片机将芯片20从蓝膜上吸取,将芯片20放置到框架单元2对应的粘片材料的位置上,在整批粘片完毕后,在烤箱内进行高温连续固化,固化温度最高设置为160℃-180℃之间,最优温度设置为175±5℃,固化时间为3小时±10分钟;
步骤S2、压焊:根据设计输出内容连接方式,使用引线30(如金线、铜线或者合金钯铜线)将芯片20的焊接区与框架单元2相应的引脚进行连接,引线30的连接如图2所示,具体地,焊接方式可以采用正打Normal模式,正打BSOB、反打、加强线等连接模式;
步骤S3、塑封:使用注塑模具,通过控制注塑设备的压力、温度、注塑时间将高分子塑封料圆柱体在高温下熔融状态,通过注塑压力使塑封料7注入到塑封腔体内,将步骤S2的待制品用高分子塑封料包封起来,固化后脱模成型;
步骤S4、热老化:将塑封成型的产品进行热老化反应,以更有效的固化内部塑封料,释放内部寄存的塑封应力,其中热老化温度为170±5℃,热老化时间为300±10分钟;
步骤S5、去氧化光亮:使用化学置换方式,在引脚上沉积上一层均匀、致密的锡层,锡层的厚度控制在7-15μm,使产品的功能性引脚在成型后具有良好的可焊性和导电性;
步骤S6、成型/分离:将整排经过上述步骤后形成的电子器件产品,在成型模具的冲压下进行管脚成型/分离,其中所述第一功能性引脚4和所述第二功能性引脚5通过模具折弯成为焊接引接;而所述固定引脚6则通过所述颈部卡口61处,在塑封料的外边缘进行冲切断开,使之形成单只电子器件;
步骤S7:对经过成型分离后的封装器件,根据FT测试规范要求进行测试并按内控标准把合格品分档及废次品分开,并将合用档打印、编带、包装。
一种封装器件,使用所述的封装器件的制作工艺制作得到。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种高结合强度的引线框架,其特征在于,包括框架体以及间隔分布于所述框架体的框架单元,所述框架单元包括粘片基岛、第一功能性引脚、第二功能性引脚和固定引脚;
所述第一功能性引脚对称分布在所述粘片基岛的左右两侧,且所述第一功能性引脚的一端与所述框架体相连接,所述第一功能性引脚的另一端位于所述粘片基岛的上侧或下侧;
所述第二功能性引脚的一端与所述框架体相连接,所述第二功能性引脚的另一端与所述粘片基岛的后端相连接,所述固定引脚的一端与所述框架体相连接,所述固定引脚的另一端与所述粘片基岛的前端相连接;
所述第一功能性引脚包括用于包封在塑封料内的功能部和位于塑封料外的折弯部,所述功能部的左右两侧分别设有倒钩角和凸点帽尖;
所述粘片基岛的表面和所述第一功能性引脚的功能部的背面均设有第一进料凹槽,所述粘片基岛的背面设有第二进料凹槽。
2.根据权利要求1所述的高结合强度的引线框架,其特征在于,所述倒钩角和所述凸点帽尖均设置于所述功能部靠近所述折弯部的一侧,且所述倒钩角设置于所述功能部远离所述粘片基岛的一侧,所述凸点帽尖设置于所述功能部靠近所述粘片基岛的一侧。
3.根据权利要求2所述的高结合强度的引线框架,其特征在于,所述功能部远离所述折弯部的一侧还设有凹陷卡口,且所述凹陷卡口位于所述功能部远离所述粘片基岛的侧边沿。
4.根据权利要求1所述的高结合强度的引线框架,其特征在于,所述固定引脚与所述粘片基岛的连接处设置有朝向所述固定引脚的内部凹陷的颈部卡口。
5.根据权利要求1所述的高结合强度的引线框架,其特征在于,所述第一功能性引脚的功能部的表面以及所述粘片基岛与所述固定引脚的交接处的表面均设有金属镀层;
所述粘片基岛的表面于所述金属镀层的左右两侧分别设有所述第一进料凹槽,所述第一功能性引脚的功能部对应所述金属镀层的背面设有所述第一进料凹槽。
6.根据权利要求5所述的高结合强度的引线框架,其特征在于,所述第一进料凹槽的形状为圆球状,所述第一进料凹槽的槽口的宽度<所述第一进料凹槽的直径宽度;
位于所述粘片基岛的所述第一进料凹槽的深度≤所述粘片基岛的厚度的2/3,位于所述第一功能性引脚的功能部的所述第一进料凹槽的深度≤所述第一功能性引脚的功能部的厚度的2/3。
7.根据权利要求1所述的高结合强度的引线框架,其特征在于,所述粘片基岛的背面对称设置有所述第二进料凹槽,且所述第二进料凹槽沿左右方向设置,所述第二进料凹槽的纵截面的形状为倒梯形;
所述第二进料凹槽的深度≤所述粘片基岛的厚度的2/3。
8.根据权利要求1所述的高结合强度的引线框架,其特征在于,所述第一进料凹槽与所述第二进料凹槽的内表面均为磨砂面。
9.一种封装器件的制备工艺,其特征在于,使用如权利要求1~8任意一项所述的高结合强度的引线框架,包括以下步骤:
步骤S1、粘片:在粘片基岛点上粘片材料,将芯片放置到框架单元对应的粘片材料的位置上,全部框架单元粘片完毕后进行固化;
步骤S2、压焊:使用引线将芯片的焊接区与框架单元相应的引脚进行连接;
步骤S3、塑封:将步骤S2的待制品用高分子塑封料包封起来,固化后脱模成型;
步骤S4、热老化:将塑封成型的产品进行热老化反应;
步骤S5、去氧化光亮:在引脚上沉积一层锡层;
步骤S6、成型/分离:将整排经过上述步骤后形成的电子器件产品,在成型模具的冲压下进行成型/分离,得到单只的封装器件。
10.一种封装器件,其特征在于,使用如权利要求9所述的封装器件的制作工艺制作得到。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210238556.9A CN114464589A (zh) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | 高结合强度的引线框架、封装器件的制作工艺及其产品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210238556.9A CN114464589A (zh) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | 高结合强度的引线框架、封装器件的制作工艺及其产品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114464589A true CN114464589A (zh) | 2022-05-10 |
Family
ID=81418178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210238556.9A Pending CN114464589A (zh) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | 高结合强度的引线框架、封装器件的制作工艺及其产品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114464589A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115939072A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-07 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 | 一种半导体引线框架及半导体器件 |
CN116364686A (zh) * | 2023-04-03 | 2023-06-30 | 深圳市鑫宇微科技有限公司 | 引线框架和单相模块 |
-
2022
- 2022-03-10 CN CN202210238556.9A patent/CN114464589A/zh active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115939072A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-07 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 | 一种半导体引线框架及半导体器件 |
CN115939072B (zh) * | 2022-12-29 | 2023-10-20 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 | 一种半导体引线框架及半导体器件 |
CN116364686A (zh) * | 2023-04-03 | 2023-06-30 | 深圳市鑫宇微科技有限公司 | 引线框架和单相模块 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6338984B2 (en) | Resin-molded semiconductor device, method for manufacturing the same, and leadframe | |
CN114464589A (zh) | 高结合强度的引线框架、封装器件的制作工艺及其产品 | |
CN101375382B (zh) | 半导体器件封装及其制造方法 | |
US9087827B2 (en) | Mixed wire semiconductor lead frame package | |
US7348211B2 (en) | Method for fabricating semiconductor packages | |
JP5562874B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN103715150A (zh) | 芯片帽及戴有芯片帽的倒装芯片封装 | |
US7211886B2 (en) | Three-dimensional multichip stack electronic package structure | |
CN103346136B (zh) | 功率模块及其封装方法 | |
JPH11345915A (ja) | スタックパッケ―ジ及びその製造方法 | |
CN103811430A (zh) | 层叠封装结构及其形成方法 | |
CN101447439A (zh) | 用于集成电路管芯的封装 | |
CN102044517B (zh) | 一种超大功率ic芯片封装件的生产方法 | |
CN102916112A (zh) | 一种大功率led器件及其制造方法 | |
US20070004092A1 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
JP3522177B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN216773240U (zh) | 高结合强度的引线框架 | |
CN203367261U (zh) | 功率模块 | |
CN109904077B (zh) | 多管脚半导体产品的封装方法 | |
CN104810462B (zh) | 一种中大功率led驱动芯片的esop8引线框架 | |
CN115394743A (zh) | 一种半导体封装器件、框架产品及其制作方法 | |
US7795712B2 (en) | Lead frame with non-conductive connective bar | |
CN114300437A (zh) | 一种无框架的半导体封装结构及其制备工艺 | |
US9418920B2 (en) | Integrated circuit (IC) package with thick die pad functioning as a heat sink | |
CN104882386B (zh) | 半导体器件格栅阵列封装 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |