CN114464134B - 像素电路及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种像素电路及显示装置，包括有机发光二极管和像素驱动电路，有机发光二极管包括阳极，阳极通过导线与像素驱动电路连接，导线具有寄生电容；像素驱动电路包括复位模块，复位模块包括连接至复位信号线的栅极，有机发光二极管阳极与复位模块栅极之间设有耦合电容。根据本申请实施例提供的技术方案，通过在有机发光二极管的阳极和复位模块的栅极之间增加设置耦合电容，使得复位模块在关闭阶段，有机发光二极管的阳极节点被耦合到一个更高的电压值，从而抵消有机发光二极管阳极与像素驱动电路不等位导致的导线电容过大造成的相应节点充电时间较长，亮度较低的问题。

Description

像素电路及显示装置

技术领域

本发明一般涉及显示技术领域，尤其涉及像素电路及显示装置。

背景技术

近年来，随着显示行业的迅猛发展，消费者对于显示边框的要求越来越严格，窄边框甚至零边框逐渐成为了潮流和趋势。其中，为了实现窄边框有多种方式，例如将Fanout压缩到AA发光区内，有一种将Fanout&GOA电路放入AA的方法是将AA区的像素通过纵向&横向压缩，在GOP区域采用密排的压缩后的像素，而在非GOP的正常区域采用压缩后的像素插入行dummy和列dummy的方式排列；或者，窄边框导致的部分阳极位于GOA区域或Fanout区域；FDC区由于透过率的要求导致阳极在FDC区而其驱动像素位于FDC区外等，会出现一部分OLED器件阳极与像素电路主体部位相距甚远，需要通过较长的走线进行连接(即不等位)。

上述情况中，dummy的插入，会导致以下问题的产生：相同样色的像素背板像素电路和其上方的阳极开口之间的相对位置不相同，相同颜色像素的ITO与像素之间的连线长度不相同；这就导致了他们的阳极点(N4)点的寄生电容有差异，从而导致了低灰阶的亮度差异；上述较长的走线增加了N4节点电容，使得在EM开启后需要更长的时间将N4节点电压充电至OLED开启电压，从而导致不等位区域较等位区域的OLED在其他条件相同的情况下更暗，该亮度均一性问题在低灰阶下更为显著。

因此，在追求窄边框的情况下会出现N4节点的寄生电容存在差异，在低灰阶下产生亮度差异问题。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种像素电路及显示装置。

第一方面，提供一种像素电路，包括有机发光二极管和像素驱动电路，所述像素驱动电路设置在电源和所述有机发光二极管之间，用来控制提供所述有机发光二极管的驱动电流；

所述有机发光二极管包括阳极，所述阳极通过导线与所述像素驱动电路连接，所述导线与其临近的金属层产生导线电容；

所述像素驱动电路包括复位模块，所述复位模块包括连接至复位信号线的栅极，所述有机发光二极管阳极与所述复位模块栅极之间设有耦合电容。

第二方面，提供一种显示装置，包括：多条扫描线，沿第一方向延伸，所述扫描线中包括有复位信号线，

多条数据线，沿与第一方向不同的第二方向延伸；

多个有机发光二极管和像素驱动电路，所述有机发光二极管的阳极层通过导线与所述像素驱动电路连接，所述导线具有导线电容，

所述像素驱动电路包括复位模块，所述复位模块包括连接至复位信号线的栅极，所述有机发光二极管阳极与所述复位模块栅极之间设有耦合电容。

根据本申请实施例提供的技术方案，通过在有机发光二极管的阳极和复位模块的栅极之间增加设置耦合电容，使得复位模块在关闭阶段，有机发光二极管的阳极，也就是图1中所示的N4节点被耦合到一个更高的电压值，从而抵消有机发光二极管阳极与像素驱动电路不等位导致的导线电容过大造成的N4节点充电时间较长，亮度较低的问题。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本实施例中像素电路原理图；

图2为本实施例中有机发光二极管与像素驱动电路设置位置示意图；

图3为本实施例中红素子像素在等位及不等位情况下一帧的情况；

图4为本实施例中增加耦合电容后等位及不等位情况下一帧的情况；

图5为本实施例中像素电路N4节点与Reset2的耦合情况；

图6为本实施例像素电路中不同耦合电熔值对应的电流补偿情况；

图7为本实施例中像素电路的布局俯视图；

图8-图10为本实施例中像素电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

请参考图1，本实施例提供一种像素电路，包括有机发光二极管和像素驱动电路，所述像素驱动电路用来控制所述有机发光二极管的驱动电流；

所述有机发光二极管包括阳极，所述阳极通过导线与所述像素驱动电路连接，所述导线具有寄生电容；

所述像素驱动电路包括复位模块，所述复位模块包括连接至复位信号线的栅极，所述有机发光二极管阳极与所述复位模块栅极之间设有耦合电容C1。

本实施例中提供的像素电路由于设计需求，会出现有机发光二极管器件的阳极3与像素电路的主体部分1相距较远，需要通过较长的走线进行连接，形成如图2所示的结构，该情况称之为不等位情况，相比较常规的有机发光二极管器件阳极与像素电路主体连接的等位情况，图2中的结构采用较长的导线2，该导线2与其临近的金属层会产生一定的导线电容也就是寄生电容，也就是如图1所示的电容C_N4_con，该电容的存在使得EM开启后需要更长的时间将N4节点也就是有机发光二极管阳极的电压充至相应的开启电压，从而导致不等位的区域相比较等位区域的有机发光二极管在其他条件相同的情况下更暗，低灰阶情况下的亮度均一性不一致；

因此，本实施例在有机发光二极管的阳极和复位模块的栅极之间增加设置耦合电容，使得复位模块在关闭阶段，有机发光二极管的阳极，也就是图1中所示的N4节点被耦合到一个更高的电压值，从而抵消有机发光二极管阳极与像素驱动电路不等位导致的导线电容过大造成的N4节点充电时间较长，亮度较低的问题。

本实施例中导线连接有机发光二极管的阳极和像素驱动电路，该导线会和其临近的金属层产生寄生电容，和当前导线临近的金属层为阳极层或者连接其他有机发光二极管的金属层或者为源漏极金属层，具体的根据实际情况而定。

进一步的，所述有机发光二极管阳极3连接至所述像素驱动电路1的导线2长度不完全相同，连接至所述有机发光二极管的耦合电容C1大小不完全相同。

如图2所示，本实施例中出现有机发光二极管的阳极3位于像素驱动电路1外侧，出现不等位的情况，此时需要采用导线2进行相应阳极3和像素驱动电路1的连接，但是不同的有机发光二极管距像素驱动电路的距离不完全相同，因此，使用的导线长度也不完全相同，因此，导线与其他金属层产生的导线电容也是不相同的，不同的导线对应需要进行耦合的电容也不相同，因此，相应的耦合电容需要根据相应导线的导线电容来确定，因此，不同的有机发光二极管阳极连接的耦合电容大小也不尽相同，需要根据实际的导线分布情况进行确定。

进一步的，连接至所述有机发光二极管的耦合电容C1小于等于当前有机发光二极管阳极连接至所述像素驱动电路的导线的寄生电容C_N4_con。

本实施例中通过连接至有机发光二极管阳极的耦合电容对相应导线过长产生的导线电容进行补偿抵消，使得在复位模块中Reset2关闭阶段，有机发光二极管的阳极的N4点被耦合到一个更高的电压值，改善亮度较低的问题；在该情况下，对导线电容的补偿需要适当，最佳效果是能够将每条导线对应的导线电容补偿至0，但是实际上，补偿结果接近0即可，不能将相应的耦合电容超过对应的导线电容的值；优选的设置每个有机发光二极管连接的耦合电容值C1小于等于相应的导线电容C_N4_con。

进一步的，所述复位模块包括第一复位模块和第二复位模块，所述第一复位模块的栅极连接至第一复位信号，第一极连接至电容模块，第二极连接至第一输入电压，所述第二复位模块的栅极连接至第二复位信号，第一极连接至所述有机发光二极管的阳极，第二极连接至第二输入电压；

所述耦合电容C1具体设置在所述有机发光二极管的阳极和所述第二复位模块的栅极之间。

本实施例中的复位模块具体包括两个部分，连接到第一复位信号线的第一复位模块和连接到第二复位信号线的第二复位模块，其中，耦合电容C1设置在第二复位模块的栅极和有机发光二极管的栅极之间。

图1为本实施例中像素电路的电路结构示意图，其中，包括第一发光控制模块，该第一发光控制模块包括第五晶体管T5，该第五晶体管T5的栅极连接至EM控制信号，第一极连接至VDD电压，第二极连接至驱动模块；

包括驱动模块，该驱动模块包括第三晶体管T3，该第三晶体管T3的栅极连接至补偿控制模块和电容模块，

包括电容模块，电容模块为一个电容Cst，一端连接至VDD电压，另一端连接至第三晶体管T3的栅极，

包括补偿控制模块，该补偿控制模块包括第二晶体管T2，该第二晶体管T2栅极连接至GATE信号线，第一极连接至第三晶体管T3的栅极，第二极连接至驱动模块和第二发光控制模块之间，

包括第二发光控制模块，该第二发光控制模块包括第六晶体管T6，该第六晶体管T6栅极连接至EM信号线，第一极连接至第三晶体管T3的第二极，第二极连接至有机发光二极管的阳极，即为N4节点，

包括数据写入模块，该数据写入模块包括第四晶体管T4，该第四晶体管T4栅极连接至GATE信号线，第一极连接至第一发光控制模块和驱动模块之间，第二极连接至Data数据线，

包括复位模块，该复位模块包括第一晶体管T1和第七晶体管T7，第一晶体管T1的栅极连接至Reset1信号线，第一极连接至Vinit1电压，第二极连接至电容模块，第七晶体管T7的栅极连接至Reset2信号线，第一极连接至Vinit2电压，第二极连接至有机发光二极管的阳极，

其中，该像素电路中部包括有机发光二极管的部分为像素驱动电路，由于有机发光二极管的阳极和像素驱动电路之间采用较长的导线进行连接，该导线与其他金属层之间产生一定导线电容，即图1中所示的C_N4_con，因此，在有机发光二极管的阳极和第七晶体管的栅极之间增加设置耦合电容C1，通过C1电容将产生的导线电容C_N4_con耦合掉，使得Reset2关闭阶段N4被耦合到一个更高的电压值，从而抵消阳极与像素电路不等位导致的N4连线电容过大造成的N4充电时间较长，亮度较低的问题。

如图3所示，本实施例中给出了通过仿真获得的等位情况下及不等位情况下的亮度时间曲线以及N4节点的电压变化情况，其中，颜色较浅的为等位情况下的曲线，颜色较深的为不等位情况下的曲线，其中，因不等位像素N4节点电容较大，导致EM开启后其需要更长的时间将N4节点充电至OLED开启电压，从而导致不等位区域较等位区域的有机发光二极管更暗。

如图4所示，当增加设置耦合电容后，不等位的像素电路的亮度时间曲线和N4节点的电压变化，该曲线与等位情况下的像素电路接近；如图5所示，为增加设置耦合电容后不等位的像素电路N4节点与Reset2耦合情况，能够得出，增加的电容导致不等位像素的N4节点与Reset2信号产生耦合，进而升高了N4节点在EM开启前的电压，使得不等位的N4节点可以在与等位的N4节点相差不多的时间充电至有机发光二极管开启电压，明显改善了亮度的均一性。

由于不同颜色的有机发光二极管阳极不相同，其相应的有机发光二极管本身的电容也不相同，因此，不同颜色的有机发光二极管连接的耦合电容大小也不相同；在进行耦合电容大小的设置的时候，根据不同颜色的有机发光二极管连接至像素驱动电路的导线长度，以及相应的有机发光二极管本身的电容决定，进行仿真，形成如图6所示的结果，对于相同颜色的有机发光二极管来说，通过改变相应的耦合电容C1的值，能够实现不同程度的亮度补偿，对于不同颜色的有机发光二极管来说，耦合电容C1值也是不完全相同的，理论上来说，补偿后的纵坐标小于等于0，越接近0补偿效果越好。

进一步的，所述导线连接至所述像素驱动电路上的导电层和所述有机发光二极管的阳极，所述导线至少包括第一寄生电容和第二寄生电容，所述第一寄生电容大于所述第二寄生电容，与所述第一寄生电容的导线对应的所述导电层或者所述阳极的面积为第一面积，与所述第二寄生电容的导线对应的所述导电层或者所述阳极的面积为第二面积，所述第一面积小于所述第二面积。

本实施例中由于部分有机发光二极管通过较长的导线连接至像素驱动电路，其中较长的导线会和其他金属层之间产生一定的导线电容，使得有机发光二极管阳极点的寄生电容有差异，导致了低灰阶的亮度差异，为了改善这种差异，使得相同颜色的有机发光二极管阳极与其他节点之间的导线产生的导线电容保持相同，优选地将与导线连接的金属的图案面积增加，增加的金属图案面积能够增加相应连接点与有机发光二极管之间的寄生电容，从而达到增大图1中N4点电容的目的，因此，可以通过多种方式来实现上述目的，例如导线两端连接的金属图案面积均可以进行更改，导线两端分别连接至有机发光二极管的阳极和像素驱动电路的导电层，其中，有机发光二极管阳极的面积，和相应的像素驱动电路导线层对应的图案面积均可以进行改变，以适应不同长度的导线；

其中，有机发光二极管阳极连接的导线长度越长，其对应的导线电容越大，为了将相同颜色的有机发光二极管阳极与其他连接节点之间的导线电容调节至相同，需要将导线较短的位置处的相应金属面积设置的较大，使其具有较大的电容，导线较长的位置处的相应的金属面积较小，使其具有较小的电容，或者导线最短位置处的金属面积保持不变，采用上述方式增加的导线电容能够保证相同颜色的有机发光二极管对应产生的导线电容相同，因此，亮度也相同，不会出现亮度不一致的情况；优选的，采用的导线至少包括第一寄生电容和第二寄生电容，第一寄生电容大于第二寄生电容，因此，与相应导线对应的阳极图案面积或者像素驱动电路的导电层对应图案面积，分别对应为第一面积和第二面积，根据上述规律，需要设置相应的第一面积小于第二面积，增加相应较短导线的导线电容，其中，导线的寄生电容不完全相同，还可包括第三寄生电容或者第四寄生电容等等，其相应导电层图案面积的变化规律也满足上述要求。

进一步的，相同颜色的所述有机发光二极管对应导线的寄生电容相同。

上述实施例中对有机发光二极管阳极连接的导线的寄生电容进行耦合或者调整，其目的是为了优化显示效果，使得低灰阶下的各个像素差异减小；在耦合和调整的过程中，考虑的是相同颜色的像素之间的差距，将相同颜色的像素之间的差距减小即可。

进一步的，与所述第一寄生电容的导线对应的所述有机发光二极管阳极为第一阳极，与所述第二寄生电容的导线对应的所述有机发光二极管阳极为第二阳极，所述第一阳极面积小于所述第二阳极面积。

如图8所示，本实施例中给出了一种增加与有机发光二极管阳极与其他节点之间寄生电容的方式，其中，各个有机发光二极管的阳极通过导线2连接至相应的像素驱动电路，其中，导线2的长度不完全相同，通过增加有机发光二极管阳极3的面积，增加相应的寄生电容，从而达到增大N4点寄生电容的目的，其中，有机发光二极管阳极3的面积增加的不完全相同，根据实际情况确定，导线较长的相对应的阳极面积设置的较小，导线较短的相对应的阳极面积设置的较大，例如图8中靠上面位置的阳极连接的导线长度较长，其对应的阳极面积增加的较少，靠下面位置的阳极连接的导线长度较短，其对应的阳极面积增加的较多，相对阳极面积较大，使得导线较短的有机发光二极管阳极与其他节点之间的寄生电容增加大到和导线长度较长的有机发光二极管处的接近或者相同；参考上述实施例，其中，对应第一寄生电容导线的阳极为第一阳极，对应第二寄生电容导线的阳极为第二阳极，设定第一阳极的面积小于第二阳极的面积，满足上述规律，将较短导线处的寄生电容进行相应的增大。

进一步的，所述有机发光二极管阳极通过所述导线连接至源漏极层，与所述第一寄生电容的导线对应的所述源漏极为第一源漏极，与所述第二寄生电容的导线对应的所述源漏极为第二源漏极，所述第一源漏极图案面积小于所述第二源漏极图案面积。

如图9所示，本实施例中一般有机发光二极管阳极连接至源漏极层所在的位置，因此，还可以通过增加与导线连接的源漏极图案的面积来实现增加源漏极层金属和其他节点之间寄生电容的目的，从而达到增加N4点寄生电容的目的，从而实现与上述实施例相同的目的，其中，源漏极层设置在阳极层的下方，为图9中4所示的位置，有机发光二极管的阳极3通过另一条导线5连接相应的源漏极图案4所在的位置，将寄生电容较小的有机发光二极管阳极的与像素驱动电路之间的寄生电容增大，实现相同颜色的有机发光二极管的寄生电容相同的目的，保证各像素之间的亮度差异减小或者没有差异；参考上述实施例，与有机发光二极管阳极连接的源漏极层也可以作为电容扩增的金属层，其中，对应第一寄生电容导线的为第一源漏极，对应第二寄生电容导线的为第二源漏极，该第一源漏极和第二源漏极图案面积也不同。

进一步的，所述像素驱动电路还包括冗余电路，所述冗余电路为未对所述有机发光二极管进行驱动的电路，所述冗余电路包括电极层，所述电极层连接至所述导线，与所述导线连接的所述电极图案随着所述导线长度的增加逐渐减小。

如图10所示，本实施例还提供了一种增加N4点寄生电容的方式，通过增加设置冗余电路对有机发光二极管阳极3与像素驱动电路相邻的导线2进行一定的扩展，扩展的即为冗余电路，该电路具体为与导线2连接的电极层6结构，通过电极层6的结构对导线2进行一定的延长，用作延长的电极层6一端与导线2连接，另一端不连接至其他的结构上，不对驱动电路产生任何的影响，仅仅是对导线2的面积进行改变，使得导线2相应的寄生电容也得到改变，并且与导线2对应连接的金属图案面积也就是电极层6的面积也根据导线长度决定，将增加的电极图案与有机发光二极管本身阳极的导线相连，从而达到增大N4点寄生电容的目的。

进一步的，所述电极层与所述有机发光二极管的阳极同层设置。

其中，导线连接至冗余电路的电极层，该电极层可与有机发光二极管的阳极层同层设置，其中，电极层6作为对导线2的延长结构，其可以设置为与导线相似的长条形结构，例如图10中所示，也可以适当增加其面积。

上述实施例中给出的实施方式，均是通过对相同颜色的有机发光二极管进行调整，对相同颜色的有机发光二极管进行比较，使其亮度保持一致即可，无需进行不同颜色的有机发光二极管之间的比较。并且，上述实施例中均是通过调整与导线连接的金属图案的面积实现的，上述方式可以采用其中的一种或者多种。

本实施例还提供一种显示装置，包括：多条扫描线，沿第一方向延伸，所述扫描线中包括有复位信号线，

多条数据线，沿与第一方向不同的第二方向延伸；

多个有机发光二极管和像素驱动电路，所述有机发光二极管的阳极层通过导线与所述像素驱动电路连接，所述导线具有导线电容，

所述像素驱动电路包括复位模块，所述复位模块包括连接至复位信号线的栅极，所述有机发光二极管阳极与所述复位模块栅极之间设有耦合电容。

本实施例在有机发光二极管的阳极和复位模块的栅极之间增加设置耦合电容，使得复位模块在关闭阶段，有机发光二极管的阳极，也就是图1中所示的N4节点被耦合到一个更高的电压值，从而抵消有机发光二极管阳极与像素驱动电路不等位导致的导线电容过大造成的N4节点充电时间较长，亮度较低的问题。其中，增加设置的耦合电容设置在图7所示的方框位置处。

进一步的，所述耦合电容包括相对设置的第一极和第二极，所述第一极与所述复位信号线复合使用，所述第二极与所述其他金属层同层设置。

本实施例中优选的给出了一种有机发光显示器像素电路的布局俯视图，其中，在有机发光二极管阳极增加设置耦合电容，该耦合电容可以通过采用双层相对设置的金属层实现，优选的可以将复位信号线与耦合电容的一个金属层复合使用，即第一栅极层7，另一个金属层与其他设置金属的层结构同层设置，例如与第二栅极层8同层设置，或者与源漏极层同层设置等，通过调整两金属层之间的重合面积来调整耦合电容的大小，其中，图7中仅仅给出了第一栅极层7和第二栅极层8的结构，第一栅极层复用为该耦合电容的第一极，第二栅极层增加相应的图案，作为该耦合电容的第二极，其中第一栅极层和第二栅极层之间重合部分的面积不同即为该耦合电容的大小变化。

本实施例还提供一种显示装置，包括上述像素电路。

需要理解的是，上文如有涉及术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位旋转90度或处于其他方位，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (11)

1.一种像素电路，其特征在于，包括有机发光二极管和像素驱动电路，所述像素驱动电路用来控制提供所述有机发光二极管的驱动电流；

所述有机发光二极管包括阳极，所述阳极通过导线与所述像素驱动电路连接，所述导线具有寄生电容；

所述像素驱动电路包括复位模块，所述复位模块包括连接至复位信号线的栅极，所述有机发光二极管阳极与所述复位模块栅极之间设有耦合电容，所述耦合电容用于在所述复位模块的关闭阶段，所述有机发光二极管的阳极点被耦合到一个更高的电压值；

所述有机发光二极管阳极连接至所述像素驱动电路的导线长度不完全相同，连接至所述有机发光二极管的耦合电容大小也不完全相同。

2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，连接至所述有机发光二极管的耦合电容小于等于当前有机发光二极管阳极连接至所述像素驱动电路的导线的寄生电容。

3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述复位模块包括第一复位模块和第二复位模块，所述第一复位模块的栅极连接至第一复位信号，第一极连接至电容模块，第二极连接至第一输入电压，所述第二复位模块的栅极连接至第二复位信号，第一极连接至所述有机发光二极管的阳极，第二极连接至第二输入电压；

所述耦合电容具体设置在所述有机发光二极管的阳极和所述第二复位模块的栅极之间。

4.根据权利要求1-3任一所述的像素电路，其特征在于，所述导线连接至所述像素驱动电路上的导电层和所述有机发光二极管的阳极，所述导线至少包括第一寄生电容和第二寄生电容，所述第一寄生电容大于所述第二寄生电容，与所述第一寄生电容的导线对应的所述导电层或者所述阳极的面积为第一面积，与所述第二寄生电容的导线对应的所述导电层或者所述阳极的面积为第二面积，所述第一面积小于所述第二面积。

5.根据权利要求4所述的像素电路，相同颜色的所述有机发光二极管对应导线的寄生电容相同。

6.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，与所述第一寄生电容的导线对应的所述有机发光二极管阳极为第一阳极，与所述第二寄生电容的导线对应的所述有机发光二极管阳极为第二阳极，所述第一阳极面积小于所述第二阳极面积。

7.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述有机发光二极管阳极通过所述导线连接至源漏极层，与所述第一寄生电容的导线对应的所述源漏极为第一源漏极，与所述第二寄生电容的导线对应的所述源漏极为第二源漏极，所述第一源漏极图案面积小于所述第二源漏极图案面积。

8.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述像素驱动电路还包括冗余电路，所述冗余电路为未对所述有机发光二极管进行驱动的电路，所述冗余电路包括电极层，所述电极层连接至所述导线，与所述导线连接的所述电极层图案随着所述导线长度的增加逐渐减小。

9.根据权利要求8所述的像素电路，其特征在于，所述电极层与所述有机发光二极管的阳极同层设置。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：多条扫描线，沿第一方向延伸，所述扫描线中包括有复位信号线，

多条数据线，沿与第一方向不同的第二方向延伸；

多个有机发光二极管和像素驱动电路，所述有机发光二极管的阳极层通过导线与所述像素驱动电路连接，所述导线具有导线电容，

所述像素驱动电路包括复位模块，所述复位模块包括连接至复位信号线的栅极，所述有机发光二极管阳极与所述复位模块栅极之间设有耦合电容，所述耦合电容用于在复位模块的关闭阶段，所述有机发光二极管的阳极点被耦合到一个更高的电压值；所述有机发光二极管阳极连接至所述像素驱动电路的导线长度不完全相同，连接至所述有机发光二极管的耦合电容大小也不完全相同。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述耦合电容包括相对设置的第一极和第二极，所述第一极与所述复位信号线复合使用，所述第二极与其他金属层同层设置。