CN114426530A - 一种螺芴杂蒽类化合物及其在发光层掺杂材料中的应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种螺芴杂蒽类化合物及其在发光层掺杂材料中的应用。本发明提供的式I所示化合物，以(I‑1)～(I‑6)所示基团作为基本母核结构，并通过N连接螺芴氧杂蒽或螺芴硫杂蒽，用于改善材料性能，以使利用本申请化合物所制备的有机电致发光器件，尤其是蓝色发光器件具有较高的发光效率、较低的驱动电压和较长的寿命。同时，部分结构可以用于绿光掺杂材料,性能较为优异。
Description
技术领域
本发明属于电致发光领域，具体涉及一种螺芴杂蒽类化合物及其应用，特别涉及一种螺芴氧杂蒽类化合物、制备方法、中间体与有机电致发光器件。
背景技术
当前，有机电致发光(OLED)显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展。在近30年的发展过程中，人们研制出了各种性能优良的OLED材料，并通过对器件结构的不同设计，和对器件寿命、效率等性能的优化，加快了OLED的商业化进程，使得OLED在显示和照明领域得到了广泛应用。
空穴层、发光层以及其他有机功能层材料的选择也对器件的电流效率、驱动电压以及寿命产生较大的影响，目前仍在探索具有更高性能的功能层材料。
CN109956961A公开了一种含氮有机化合物及其在有机电致发光器件中的应用，该化合物以氮杂螺芴为母核，该类化合物具有较强刚性，使得化合物具有分子间不易结晶、不易聚集、成膜性良好的特点，氮杂螺芴母核具有较强的吸电子能力，支链具有给电子能力。因此，该化合物作为掺杂材料的OLED器件效率和寿命得到提升。
CN106008537A公开了一种双极性主体有机电致发光材料，所述双极性主体有机电致发光材料包含咔唑并氧/硫/9,9-二甲基杂蒽的4,5-二氮杂螺芴结构，该有机电致发光材料热力学稳定性好、成膜性好、三线态能级合适等优点，可以作为蓝光、绿光主体材料。
因此，为了满足人们对于OLED器件的更高要求，本领域亟待开发更多种类、更高性能的OLED材料。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种螺芴杂蒽类化合物及其应用。特别提供一种螺芴氧杂蒽类化合物及其制备方法、中间体与有机电致发光器件，本申请化合物可以用做OLED发光器件的发光层掺杂材料，所得到的有机电致发光器件具有较低的驱动电压和较高的电流效率，尤其可适用于蓝光和绿光发光器件中，用于降低蓝光和绿光发光器件的驱动电压，提高发光器件的发光效率。
为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供一种螺芴杂蒽类化合物，所述螺芴杂蒽类化合物具有如下式I所示的结构：
其中，Ar选自取代或未取代的下式I-1～I-6所示基团中的任意一种，且下式I-1～I-6所示基团通过SP2杂化的碳原子和式I所示的化合物中N原子连接。
R11、R12、R21、R22各自独立地选自取代或未取代的C1～C20(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20等)烷基、取代或未取代的C6～C40(例如可以是C6、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27、C30、C32、C35、C37、C39、C40等)芳基。
n选自0或1。
Ar1～Ar4各自独立地选自取代或未取代的C6～C40(例如可以是C6、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27、C30、C32、C35、C37、C39、C40等)芳基、取代或未取代的
X选自O或S；且II-1所示基团通过SP2杂化的碳原子和式I所示的化合物中N原子连接。
且n＝1时，所述Ar1～Ar4中至少一基团选自式II-1所示的基团；n＝0时，所述Ar3或Ar4中至少一基团选自式II-1所示的基团。
优选地，所述I-1～I-6所示基团可以被至少一个R取代；其中，R选自氘、F、CN、C1～C20(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20等)烷基、C1～C20(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20等)烷氧基、C6～C40(例如可以是C6、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27、C30、C32、C35、C37、C39、C40等)芳基；且R选自C6～C40芳基，R可以被至少一个C1～C20烷基或至少一个C1～C20烷氧基取代。
优选地，所述Ar1～Ar4可以被至少一个R取代；其中，R选自氘、F、CN、C1～C20(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20等)烷基、C1～C20(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20等)烷氧基、C6～C40芳基；且R选自C6～C40芳基，R可以被至少一个C1～C20烷基或至少一个C1～C20烷氧基取代。
优选地，所述Ar可以被C6～C40(例如可以是C6、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27、C30、C32、C35、C37、C39、C40等)芳基取代。
优选地，所述R11和R12之间通过单键连接成环，和/或R21和R22之间通过单键连接成环。
在本发明中，所述取代的式I-1～I-6所示基团、取代的C1～C20烷基、取代的C6～C40芳基、取代的式II-1所示基团的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、C1～C20(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20等)烷基、C1～C20(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20等)烷氧基或C6～C40(例如可以是C6、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27、C30、C32、C35、C37、C39、C40等)芳基中的任意一种。
优选地，所述C1～C20烷基为C1～C20直链烷基或C1～C20支链烷基。
优选地，所述C1～C20烷基选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、仲丁基、异丁基、正戊基或正己基中任意一种。
优选地，所述C1～C20烷氧基为C1～C20直链烷氧基或C1～C20支链烷氧基。
优选地，所述C1～C20烷氧基选自甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、正戊氧基或正己氧基中任意一种。
优选地，所述C6～C40芳基选自苯基、萘基、芴基、蒽基、螺芴基、菲基、芘基、苝基、并四苯基、三亚苯基、荧蒽基、氢化苯并蒽基、茚并芴基、苯并茚并芴基、苯并芴基、萘并芴或
基中任意一种。
优选地，所述Ar1或Ar2中至少一基团选自苯基，所述Ar3或Ar4中至少一基团选自苯基；且所述苯基可以被至少一个C1～C20烷基或至少一个C1～C20烷氧基取代。
优选地，所述式II-1所示基团在
处和N原子连接：
优选地，所述螺芴杂蒽类化合物选自下述式1-168所示的化合物中的任意一种：
其中，所述螺芴杂蒽类化合物还包括上述式1～168所示的螺芴氧杂蒽类化合物的硫代物，所述硫代物为将式1～168所示结构中一个或两个苯并氧杂蒽基团中的O替换为S得到的螺芴杂蒽类化合物。
即除式1～168所示结构外，本申请化合物还可为将式1～168所示结构中的O替换为S形成的化合物。其中，在替换时，可将式1～168所示结构中一个或两个苯并氧杂蒽基团中的O替换为S，将该类化合物定义为硫代物。
具体举例说明如下：
化合物1结构如下所示：
当化合物1中一个苯并氧杂蒽基团中的O替换为S，得到的硫代物：
当化合物1中两个苯并氧杂蒽基团中的O替换为S，得到硫代物：
第二方面，本发明提供一种如第一方面所述的螺芴杂蒽类化合物的制备方法，所述n＝0，所述螺芴杂蒽类化合物的制备方法包括如下步骤：
将Ar-X和Ar3-NH-Ar4反应，得到式I所示的螺芴杂蒽类化合物。其中，X选自Cl、Br、I或OSO2CF3，Ar、Ar3、Ar4各自独立地具有与第一方面相同的限定范围。
反应式如下所示：
第三方面，本发明提供一种制备如第一方面所述的螺芴杂蒽类化合物的中间体，所述中间体具有如下式M所示的结构：
其中，Ar3、Ar4各自独立地具有与第一方面相同的限定范围。
优选地，所述式M所示的中间体选自下述化合物中的任意一种：
第四方面，本发明提供一种如第一方面所述的螺芴杂蒽类化合物在发光层掺杂材料中的应用。
第五方面，本发明提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括如第一方面所述的螺芴杂蒽类化合物。
优选地，所述有机电致发光器件为蓝色发光器件和/或绿色发光器件，优选为蓝色发光器件。
第六方面，本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括如第五方面所述的有机电致发光器件。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
本发明提供了一种式I所示化合物，以(I-1)～(I-6)基本母核结构，并通过N连接螺芴氧杂蒽或螺芴硫杂蒽，用于改善材料性能，以使利用本申请化合物所制备的有机电致发光器件，尤其是蓝色发光器件具有较高的发光效率、较低的驱动电压和较长的寿命。同时，部分结构可以用于绿光掺杂材料。。
附图说明
图1为式I所示的螺芴杂蒽类化合物的结构通式。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
制备例1
中间体M-1的合成
250mL三口瓶，氮气保护，加入100mL干燥的甲苯，0.93g(0.01mol)苯胺，4.11g(0.01mol)4'-溴螺[芴-9,9'-氧杂蒽]，0.0575g(0.0001mol)Pd(dba)2(双二亚苄基丙酮钯)，0.4g(0.0002mol)含有10％三叔丁基膦的甲苯溶液，1.44g(0.015mol)叔丁醇钠，加热至60℃反应8h，降温，加水分液，有机层水洗至中性，硫酸镁干燥，过滤除去硫酸镁后，浓缩至干，乙醇和甲苯混合溶剂重结晶，得到式M-1所示中间体3.2g。
对式M-1所示中间体进行质谱检测，确定分子m/z为：423.16。
对式M-1所示中间体进行核磁检测，数据解析如下：1H-NMR(瑞士Bruker公司，AvanceⅡ400MHz核磁共振波谱仪，CDCl3)δ7.92(m，2H)，δ7.59(m，2H)，δ7.45～7.14(m，11H)，δ7.06～6.95(m，3H)，δ6.88(m，1H)，δ6.83(m，1H)，δ5.21(s，1H)。
制备例2
中间体M-2的合成
合成方法参照M-1的合成，只是将其中的苯胺换成3,4-二甲基苯胺，得到M-2。
对式M-2所示中间体进行质谱检测，确定分子m/z为：451.19。
制备例3
中间体M-3的合成
合成方法参照M-1的合成，只是将其中的苯胺换成4-叔丁基苯胺，得到M-3。
对式M-3所示中间体进行质谱检测，确定分子m/z为：479.22。
制备例4
中间体M-4的合成
合成方法参照M-1的合成，只是将其中的苯胺换成4-甲氧基苯胺，得到M-4。
对式M-4所示中间体进行质谱检测，确定分子m/z为：453.17。
实施例1
化合物1的合成
500mL三口瓶，氮气保护，加入250mL干燥的甲苯，3.36g(0.01mol)9，10-二溴蒽，9.3g(0.022mol)M-1所示中间体，0.0575g(0.0001mol)Pd(dba)2(双二亚苄基丙酮钯)，0.4g(0.0002mol)含有10％三叔丁基膦的甲苯溶液，2.88g(0.03mol)叔丁醇钠，加热至回流反应24h，降温，过滤，得到的固体用水洗、乙醇洗涤，得到产品粗品，粗品用甲苯加热溶解，硅胶柱脱色，甲苯洗脱，洗脱液浓缩至余约60mL后停止，降温，过滤，将得到的固体，用80mL丙酮回流煮沸洗涤3h，降温过滤，干燥得到黄绿色固体，为化合物1，7.8g。
对式1所示化合物进行质谱检测，确定分子m/z为：1020.37。
对式1所示化合物进行核磁检测，数据解析如下：1H-NMR(瑞士Bruker公司，AvanceⅡ400MHz核磁共振波谱仪，CDCl3)，δ8.11(m，4H)，δ7.92(m，4H)，δ7.73(m，4H)，δ7.52(m，4H)，δ7.39～7.14(m，18H)，δ7.11～6.96(m，10H)，δ6.95～6.82(m，4H)。
实施例2
化合物2的合成
合成方法参照合成实施例1中化合物1的合成，只是将其中的M-1所示化合物换成M-2所示化合物，得到化合物2。
对式2所示化合物进行质谱检测，确定分子m/z为：1076.43。
实施例3
化合物5的合成
合成方法参照合成实施例1中化合物1的合成，只是将其中的9,10-二溴蒽换成9-苯基-10-溴蒽，并且化合物M-1的物质的量和9,10-二溴蒽的物质的量相同，反应时间变为12h，得到化合物5。
对式5所示化合物进行质谱检测，确定分子m/z为：675.26。
对式5所示化合物进行核磁检测，数据解析如下：1H-NMR(瑞士Bruker公司，AvanceⅡ400MHz核磁共振波谱仪，CDCl3)，δ8.24～8.12(m，4H)，δ7.91(m，2H)，δ7.72(m，2H)，δ7.63(m，2H)，δ7.53(m，2H)，δ7.50～7.13(m，14H)，δ7.11～6.96(m，5H)，δ6.95～6.83(m，2H)。
实施例4
化合物11的合成
合成方法参照合成实施例1中化合物1的合成，只是采用相应的溴代物和胺类化合物反应，得到化合物11。
对式11所示化合物进行质谱检测，确定分子m/z为：1100.43。
对化合物11进行了元素分析，理论值：C：89.43％，H：5.13％，N：2.54％，O：2.91％实测值C：89.44％，H：5.12％，N：2.55％。
实施例5
化合物13的合成
合成方法参照合成实施例3中化合物5的合成，只是采用相应的溴代物和胺类化合物反应，得到化合物13。
对式13所示化合物进行质谱检测，确定分子m/z为：623.22。
实施例6
化合物29的合成
合成方法参照合成实施例1中化合物1的合成，只是采用相应的溴代物和胺类化合物反应，得到化合物29。
对式29所示化合物进行质谱检测，确定分子m/z为：1086.42。
对式29所示化合物进行元素分析，理论值，C：89.47％，H：5.01％，N：2.58％，O：2.94％，实测值：C：89.46％，H：5.00％，N：2.57％。
实施例7
化合物33的合成
合成方法参照合成实施例3中化合物5的合成，只是采用相应的溴代物和胺类化合物反应，得到化合物33。
对式33所示化合物进行质谱检测，确定分子m/z为：665.27。
实施例8
化合物57的合成
合成方法参照合成实施例1中化合物1的合成，只是采用相应的溴代物和胺类化合物反应，得到化合物57。
对式57所示化合物进行质谱检测，确定分子m/z为：1152.47。
实施例9
化合物81的合成
合成方法参照合成实施例3中化合物5的合成，只是采用相应的溴代物和胺类化合物反应，得到化合物81。
对式81所示化合物进行质谱检测，确定分子m/z为：781.33。
实施例10
化合物101的合成
合成方法参照合成实施例3中化合物5的合成，只是采用相应的溴代物和胺类化合物反应，得到化合物101。
对式101所示化合物进行质谱检测，确定分子m/z为：789.30。
实施例11
化合物102的合成
合成方法参照合成实施例3中化合物5的合成，只是采用相应的溴代物和胺类化合物反应，得到化合物102。
对式102所示化合物进行质谱检测，确定分子m/z为：787.29。
实施例12
化合物113的合成
合成方法参照合成实施例3中化合物5的合成，只是采用相应的溴代物和胺类化合物反应，得到化合物113。
对式113所示化合物进行质谱检测，确定分子m/z为：691.29。
实施例13
化合物145的合成
合成方法参照合成实施例3中化合物5的合成，只是采用相应的溴代物和胺类化合物反应，得到化合物145。
对式145所示化合物进行质谱检测，确定分子m/z为：699.26。
实施例14
化合物161的合成
合成方法参照合成实施例1中化合物1的合成，只是采用相应的溴代物和胺类化合物反应，得到化合物161。
对式161所示化合物进行质谱检测，确定分子m/z为：1252.50。
下述应用例和对比应用例中所用的材料分别如下所示：
应用例1A
应用例1A选用实施例4制备的化合物11作为有机电致发光器件中的发光层掺杂材料。
该有机电致发光器件结构为：ITO/HIL02(100nm)/HT(30nm)/EM1(30nm)：掺杂材料5％/TPBI(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
有机电致发光器件制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层(作为阳极)的玻璃基板在清洗剂中进行超声处理，然后在去离子水中冲洗，再在丙酮与乙醇混合溶剂中超声除油，再在洁净环境下烘烤至完全除水，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面，以改善表面的性质，提高与空穴注入层的结合能力；
(2)将上述玻璃基板置于真空腔内，抽真空至1×10-5～1×10-6Pa，在阳极上真空蒸镀HIL02作为空穴注入层，蒸镀速率0.1nm/s，蒸镀膜厚为100nm；
(3)在空穴注入层上真空蒸镀HT作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为30nm；
(4)在空穴传输层之上真空蒸发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为30nm，发光层主体材料为EM1，掺杂材料为实施例4制备的化合物11，5％是指掺杂材料的掺杂比例，即发光层主体材料与掺杂材料的的体积份比为100:5；
(5)在有机发光层之上真空蒸镀TPBI作为有机电致发光器件的电子传输层；其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为30nm；
(6)在电子传输层上真空蒸镀0.5nm的LiF、150nm的Al作为电子注入层和阴极。
应用例2A～11A
应用例2A～11A与应用例1的区别仅在于，将化合物11按下表1所示分别替换为对应的实施例5～14制备的化合物13-化合物161；其它制备步骤均相同。
对比应用例1A～2A
对比应用例1A～2A与应用例1的区别仅在于，将化合物11按下表1所示分别替换为对应D-2～D-3；其它制备步骤均相同。
性能测试1
测试样品：应用例1A-11A提供的有机电致发光器件以及对比应用例1-2提供的有机电致发光器件；测试方法：使用杭州远方生产的OLED-1000多通道加速老化寿命与光色性能分析系统测试；测试项目：有机电致发光器件的亮度、驱动电压、电流效率。
有机电致发光器件性能见下表1：
表1
| 测试样品 | 掺杂材料 | 要求亮度cd/m<sup>2</sup> | 驱动电压V | 电流效率cd/A | 发光颜色 |
| 对比应用例1A | D-2 | 1000 | 5.06 | 3.99 | 蓝 |
| 对比应用例2A | D-3 | 1000 | 4.77 | 3.87 | 蓝 |
| 应用例1A | 11 | 1000 | 4.88 | 4.16 | 蓝 |
| 应用例2A | 13 | 1000 | 4.06 | 3.71 | 蓝 |
| 应用例3A | 29 | 1000 | 4.92 | 5.01 | 蓝 |
| 应用例4A | 33 | 1000 | 4.11 | 3.93 | 蓝 |
| 应用例5A | 57 | 1000 | 4.06 | 4.06 | 蓝 |
| 应用例6A | 81 | 1000 | 4.55 | 4.27 | 蓝 |
| 应用例7A | 101 | 1000 | 3.62 | 3.68 | 蓝 |
| 应用例8A | 102 | 1000 | 4.18 | 4.69 | 蓝 |
| 应用例9A | 113 | 1000 | 4.09 | 4.88 | 蓝 |
| 应用例10A | 145 | 1000 | 4.12 | 3.99 | 蓝 |
| 应用例11A | 161 | 1000 | 4.21 | 4.56 | 蓝 |
由表1测试数据可知，本发明所述螺芴杂蒽类化合物通过N连接螺芴氧杂蒽或螺芴硫杂蒽，用于改善材料性能，以使利用本申请化合物所制备的有机电致发光器件，尤其是蓝色发光器件具有较高的发光效率、较低的驱动电压和较长的寿命。由本发明所述螺芴杂蒽类化合物作为发光层掺杂材料制备得到有机电致发光器件中驱动电压均可达到5V以下，电流效率均可达到3.6cd/A以上；特别地，作为本发明优选技术方案，所述螺芴杂蒽类化合物驱动电压可达到3.7V以下，电流效率电流效率可达到4.6cd/A以上。
应用例1B
应用例1B选用实施例1制备的化合物1作为有机电致发光器件中的发光层掺杂材料。
该有机电致发光器件结构为：ITO/HIL02(100nm)/HT(30nm)/EM1(30nm)：掺杂材料6％/TPBI(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
有机电致发光器件制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层(作为阳极)的玻璃基板在清洗剂中进行超声处理，然后在去离子水中冲洗，再在丙酮与乙醇混合溶剂中超声除油，再在洁净环境下烘烤至完全除水，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面，以改善表面的性质，提高与空穴注入层的结合能力；
(2)将上述玻璃基板置于真空腔内，抽真空至1×10-5～1×10-6Pa，在阳极上真空蒸镀HIL02作为空穴注入层，蒸镀速率0.1nm/s，蒸镀膜厚为100nm；
(3)在空穴注入层上真空蒸镀HT作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为30nm；
(4)在空穴传输层之上真空蒸发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为30nm，发光层主体材料为EM1，掺杂材料分别为为实施例1制备的化合物1，6％是指掺杂材料的掺杂比例，即发光层主体材料与掺杂材料的的体积份比为100:6；
(5)在有机发光层之上真空蒸镀TPBI作为有机电致发光器件的电子传输层；其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为30nm；
(6)在电子传输层上真空蒸镀0.5nm的LiF、150nm的Al作为电子注入层和阴极。
应用例2B～3B
应用例2B～3B与应用例1的区别仅在于，将化合物1按下表2所示分别替换为对应的实施例2～3制备的化合物2和化合物5；其它制备步骤均相同。
对比应用例1B
对比应用例1B与应用例1的区别仅在于，将化合物11按下表1所示分别替换为对应D-1；其它制备步骤均相同。
性能测试2
测试样品：应用例1B-3B提供的有机电致发光器件以及对比应用例1B提供的有机电致发光器件；测试方法：使用杭州远方生产的OLED-1000多通道加速老化寿命与光色性能分析系统测试；测试项目：有机电致发光器件的亮度、驱动电压、电流效率。
有机电致发光器件性能见下表2：
表2
由表2测试数据可知，本发明所述螺芴杂蒽类化合物通过N连接螺芴氧杂蒽或螺芴硫杂蒽，用于改善材料性能，以使利用本申请化合物所制备的有机电致发光器件，部分结构可以用于绿光掺杂材料。由本发明所述螺芴杂蒽类化合物作为发光层掺杂材料制备得到有机电致发光器件中驱动电压均可达到4V以下，电流效率电流效率均可达到7.19cd/A以上；特别地，作为本发明优选技术方案，所述螺芴杂蒽类化合物驱动电压可达到3.6V以下，电流效率电流效率可达到8cd/A以上。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的工艺方法，但本发明并不局限于上述工艺步骤，即不意味着本发明必须依赖上述工艺步骤才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (10)
1.一种螺芴杂蒽类化合物，其特征在于，所述螺芴杂蒽类化合物具有如下式I所示的结构：
其中，Ar选自取代或未取代的下式I-1～I-6所示基团中的任意一种，且下式I-1～I-6所示基团通过SP2杂化的碳原子和式I所示的化合物中N原子连接；
R11、R12、R21、R22各自独立地选自取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C6～C40芳基；
n选自0或1；
Ar1～Ar4各自独立地选自取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的
X选自O或S；且II-1所示基团通过SP2杂化的碳原子和式I所示的化合物中N原子连接；
且n＝1时，所述Ar1～Ar4中至少一基团选自式II-1所示的基团；n＝0时，所述Ar3或Ar4中至少一基团选自式II-1所示的基团。
2.根据权利要求1所述的螺芴杂蒽类化合物，其特征在于，所述I-1～I-6所示基团可以被至少一个R取代；其中，R选自氘、F、CN、C1～C20烷基、C1～C20烷氧基、C6～C40芳基；且R选自C6～C40芳基，R可以被至少一个C1～C20烷基或至少一个C1～C20烷氧基取代；
优选地，所述Ar1～Ar4可以被至少一个R取代；其中，R选自氘、F、CN、C1～C20烷基、C1～C20烷氧基、C6～C40芳基；且R选自C6～C40芳基，R可以被至少一个C1～C20烷基或至少一个C1～C20烷氧基取代；
优选地，所述Ar可以被C6～C40芳基取代。
3.根据权利要求1或2所述的螺芴杂蒽类化合物，其特征在于，所述R11和R12之间通过单键连接成环，和/或所述R21和R22之间通过单键连接成环。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的螺芴杂蒽类化合物，其特征在于，所述取代的式I-1～I-6所示基团、取代的C1～C20烷基、取代的C6～C40芳基、取代的式II-1所示基团的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、C1～C20烷基、C1～C20烷氧基或C6～C40芳基中的任意一种；
优选地，所述C1～C20烷基选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、仲丁基、异丁基、正戊基或正己基中任意一种；
优选地，所述C1～C20烷氧基选自甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、正戊氧基或正己氧基中任意一种；
优选地，所述C6～C40芳基选自苯基、萘基、芴基、蒽基、螺芴基、菲基、芘基、苝基、并四苯基、三亚苯基、荧蒽基、氢化苯并蒽基、茚并芴基、苯并茚并芴基、苯并芴基、萘并芴或
基中任意一种；
优选地，所述Ar1或Ar2中至少一基团选自苯基，所述Ar3或Ar4中至少一基团选自苯基；且所述苯基可以被至少一个C1～C20烷基或至少一个C1～C20烷氧基取代；
优选地，所述式II-1所示基团在
处和N原子连接：
5.根据权利要求1-4中任一项所述的螺芴杂蒽类化合物，其特征在于，所述螺芴杂蒽类化合物选自下述式1-168所示的化合物中的任意一种：
其中，所述螺芴杂蒽类化合物还包括上述式1～168所示的螺芴氧杂蒽类化合物的硫代物，所述硫代物为将式1～168所示结构中一个或两个苯并氧杂蒽基团中的O替换为S得到的螺芴杂蒽类化合物。
6.一种根据权利要求1～5中任一项所述的螺芴杂蒽类化合物的制备方法，其特征在于，所述n＝0，所述螺芴杂蒽类化合物的制备方法包括如下步骤：
将Ar-X和Ar3-NH-Ar4反应，得到式I所示的螺芴杂蒽类化合物；
其中，X选自Cl、Br、I或OSO2CF3，Ar、Ar3、Ar4各自独立地具有与权利要求1-5中任一项相同的限定范围。
7.一种制备如权利要求1～5中任一项所述的螺芴杂蒽类化合物的中间体，其特征在于，所述中间体具有如下式M所示的结构：
其中，Ar3、Ar4各自独立地具有与权利要求1-5中任一项相同的限定范围；
优选地，所述式M所示的中间体选自下述化合物中的任意一种：
8.一种根据权利要求1～5中任一项所述的螺芴杂蒽类化合物在发光层掺杂材料中的应用。
9.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括如权利要求1～5中任一项所述的螺芴杂蒽类化合物；
优选地，所述有机电致发光器件为蓝色发光器件和/或绿色发光器件，优选为蓝色发光器件。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9所述的有机电致发光器件。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Country or region after: China Address after: 236000 No.1 Tianzhushan Road, Hefei modern industrial park, Yingzhou District, Fuyang City, Anhui Province Applicant after: Fuyang Xinyihua New Material Technology Co.,Ltd. Address before: 236000 No.1 Tianzhushan Road, Hefei modern industrial park, Yingzhou District, Fuyang City, Anhui Province Applicant before: FUYANG SINEVA MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. Country or region before: China |
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| CB02 | Change of applicant information |