CN114388328A - 等离子体处理装置 - Google Patents

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CN114388328A CN202111187847.1A CN202111187847A CN114388328A CN 114388328 A CN114388328 A CN 114388328A CN 202111187847 A CN202111187847 A CN 202111187847A CN 114388328 A CN114388328 A CN 114388328A
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upper electrode
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plasma processing
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仙田孝博
植村雄三
桑原有生
氏家智也
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Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置用于提高上部电极或其周边的温度的测定精度。该等离子体处理装置具有：处理室；载置台，其配置于所述处理室内，用于载置基板；上部电极，其与所述载置台相向；调整所述上部电极的温度的构件；第一传感器，其设置于调整所述上部电极的温度的构件的内部，用于测定所述上部电极的温度；第一片构件，其配置于所述上部电极与所述第一传感器之间，该第一片构件在1MHz的频率下的相对介电常数为2.4以上。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本公开涉及一种等离子体处理装置。
背景技术
例如，在专利文献1中提出了以下方案：在上部电极设置温度传感器，从而测定上部电极的温度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2018/101065号
发明内容
发明要解决的问题
另外，在近些年的工艺中有时由于工艺条件而无法稳定地测定工艺中的温度。本公开提供一种能够提高上部电极或其周边的温度的测定精度的技术。
用于解决问题的方案
根据本公开的一个方式，提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置具有：处理室；载置台，其配置于所述处理室内，用于载置基板；上部电极，其与所述载置台相向；调整所述上部电极的温度的构件；第一传感器，其设置于调整所述上部电极的温度的构件的内部，用于测定所述上部电极的温度；以及第一片构件，其配置于所述上部电极与所述第一传感器之间，该第一片构件在1MHz的频率下的相对介电常数为2.4以上。
发明的效果
根据一个侧面，能够提高上部电极或其周边的温度的测定精度。
附图说明
图1是示出实施方式所涉及的等离子体处理装置的一例的截面示意图。
图2是示出温度测定的问题与实施方式所涉及的温度测定结果的一例的图。
图3是示出实施方式所涉及的上部电极及其周边的结构的一例的图。
图4是示出实施方式所涉及的温度传感器的一例的图。
图5是示出实施方式所涉及的温度传感器的其它例子的图。
图6是用于说明实施方式所涉及的片构件的屏蔽效果的图。
附图标记说明
1：等离子体处理装置；10：腔室；14：载置台；30：上部电极；34：顶板；36：支承体；37：流路；39：加热器；62：第一高频电源；64：第二高频电源；80：控制部；100：第一传感器；130：屏蔽构件；140：第一片构件；200：第二传感器；210：接地电极；220：环状构件；240：第二片构件；250：加热器。
具体实施方式
下面参照附图来说明用于实施本公开的方式。在各附图中，有时对相同结构部分标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[等离子体处理装置]
首先，一边参照图1一边说明实施方式所涉及的等离子体处理装置1的一例。图1是示出实施方式所涉及的等离子体处理装置1的一例的截面示意图。图1的等离子体处理装置1是电容耦合型的等离子体处理装置。
等离子体处理装置1具有腔室10。腔室10包括腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状。在腔室主体12的内侧提供有内部空间10s。腔室主体12例如由铝形成，内部空间10s是用于对基板实施期望的等离子体处理的处理室。在腔室主体12的内壁面上设置有具有耐腐蚀性的膜。具有耐腐蚀性的膜可以是由氧化铝(alumina)、氧化钇这样的陶瓷形成并被阳极氧化处理后的氧化膜。
在腔室主体12的侧壁形成有通路12p。当在内部空间10s与腔室10的外部之间搬送基板W时，基板W通过通路12p。通路12p能够通过闸阀12g来进行开闭。闸阀12g沿着腔室主体12的侧壁设置。
腔室主体12的底部上设置有支承部13。支承部13由绝缘材料形成。支承部13具有大致圆筒形状。支承部13在内部空间10s中从腔室主体12的底部向上方延伸。在支承部13上设置有包围基板的周围的边缘环25(也被称为聚焦环)。边缘环25具有大致圆筒形状，可以由硅等形成。
等离子体处理装置1还具备载置台14。载置台14被支承部13支承。载置台14配置在处理室内，用于载置基板W。
载置台14具有下部电极18和静电吸盘20。载置台14还可以具有电极板16。电极板16例如由铝这样的导体形成，具有大致圆盘形状。下部电极18设置在电极板16上。下部电极18例如由铝这样的导体形成，具有大致圆盘形状。下部电极18与电极板16电连接。下部电极18的外周面以及电极板16的外周面被支承部13包围。
静电吸盘20设置在下部电极18上。静电吸盘20的吸附电极20a经由开关20s来与直流电源20p连接。当将来自直流电源20p的电压施加到电极时，通过静电引力将基板W保持于静电吸盘20。静电吸盘20支承基板W。
在下部电极18的内部形成有流路18f。热交换介质(例如制冷剂)从设置于腔室10的外部的冷却单元经由配管22a供给到流路18f。供给到流路18f的热交换介质经由配管22b返回冷却单元。在等离子体处理装置1中，载置于静电吸盘20上的基板W的温度通过热交换介质与下部电极18之间的热交换来被进行调整。
在等离子体处理装置1中设置有气体供给线路24。气体供给线路24将来自传热气体供给机构的传热气体(例如He气体)供给到静电吸盘20的上表面与基板W的下表面之间。
等离子体处理装置1具备与载置台14相向的上部电极30。上部电极30具有顶板34和支承体36。上部电极30经由环状构件220被支承于腔室主体12的上部。环状构件220是圆环状，由具有导电性的材料形成。上部电极30和环状构件220关闭腔室主体12的上部开口。
顶板34的下表面是内部空间10s侧的下表面，划分出内部空间10s。顶板34可以由焦耳热少的低电阻的导电体或半导体形成。在顶板34形成有多个气体喷出孔34a。多个气体喷出孔34a沿顶板34的板厚方向贯通顶板34。
支承体36以装卸自如的方式支承顶板34。支承体36接地。支承体36由铝这样的导电性材料形成。在支承体36的内部设置有气体扩散室36a。在支承体36形成有多个气体孔36b。多个气体孔36b从气体扩散室36a向下方延伸。多个气体孔36b与多个气体喷出孔34a分别连通。在支承体36形成有气体导入口36c。气体导入口36c与气体扩散室36a连接。在气体导入口36c连接有气体供给管38。
在气体供给管38连接有包括气体源组40、流量控制器组44以及阀组42的气体供给部。气体源组40经由流量控制器组44和阀组42来与气体供给管38连接。气体源组40包括多个气体源。阀组42包括多个开闭阀。流量控制器组44包括多个流量控制器。流量控制器组44的多个流量控制器分别是质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由流量控制器组44中的对应的流量控制器以及阀组42中的对应的开闭阀来与气体供给管38连接。
在等离子体处理装置1中，沿着腔室主体12的内壁面以装卸自如的方式设置有屏蔽件46。屏蔽件46还设置于支承部13的外周。屏蔽件46防止蚀刻副产物等反应生成物附着于腔室主体12。屏蔽件46例如通过在由铝形成的构件的表面形成具有耐腐蚀性的膜来构成。具有耐腐蚀性的膜可以是氧化铝或氧化钇这样的氧化膜。
在支承部13与腔室主体12的侧壁之间设置有挡板48。挡板48例如通过在由铝形成的构件的表面形成具有耐腐蚀性的膜来构成。具有耐腐蚀性的膜可以是氧化铝或氧化钇这样的氧化膜。在挡板48形成有多个贯通孔。在挡板48的下方且腔室主体12的底部设置有排气口12e。排气口12e经由排气管52连接有排气装置51。排气装置51例如具有涡轮分子泵这样的真空泵。
等离子体处理装置1具备施加等离子体生成用的高频HF的电力的第一高频电源62。第一高频电源62构成为产生高频HF的电力，以在腔室10内从气体生成等离子体。高频HF的频率例如是27MHz～100MHz范围内的频率。
第一高频电源62经由匹配器66来与电极板16电连接。匹配器66具有匹配电路。匹配器66的匹配电路构成为使第一高频电源62的负载侧(下部电极侧)的阻抗与第一高频电源62的输出阻抗匹配。在其它实施方式中，第一高频电源62也可以经由匹配器66来与上部电极30电连接。
等离子体处理装置1还可以具备施加吸引离子用的高频LF的电力的第二高频电源64。第二高频电源64构成为产生高频LF的电力。高频LF具有主要是适合向基板W吸引离子的频率，例如是400kHz～13.56MHz范围内的频率。或者，高频LF也可以是具有矩形的波形的脉冲状的电压。
第二高频电源64经由匹配器68来与电极板16电连接。匹配器68具有匹配电路。匹配器68的匹配电路构成为使第二高频电源64的负载侧(下部电极侧)的阻抗与第二高频电源64的输出阻抗匹配。
在上述结构的等离子体处理装置1中，在将腔室10(腔室主体12)的中心轴设为轴Ax时，载置台14、边缘环25、上部电极30(顶板34、支承体36)以及环状构件220的中心轴与轴Ax大致一致。
在上部电极30安装有测定上部电极30的温度的第一传感器100。第一传感器100设置在支承体36的内部，其前端与设置在支承体36与顶板34之间的第一片构件140抵接，该第一传感器100用于测定上部电极30的温度。
第一传感器100既可以是1个，也可以是多个。例如，能够以轴Ax为中心在圆周方向上设置多个第一传感器100。例如在以轴Ax为中心在圆周方向上配置3个第一传感器100的情况下，能够测定上部电极30的3个位置的温度。由此，能够基于3个温度测定结果来提高上部电极30的温度的测定精度。另外，在3个测定值的差超过容许范围的情况下能够判定上部电极30的安装错误。
在上部电极30的周围设置有接地电位的接地电极210。上部电极30和接地电极210由具有导电性的构件形成。在上部电极30与接地电极210之间设置有绝缘构件230，从而使上部电极30与接地电极210之间绝缘。绝缘构件230可以是片状。
在环状构件220安装有用于测定接地电极210的温度的第二传感器200。第二传感器200设置在环状构件220的内部，其前端与设置在环状构件220与接地电极210之间的第二片构件240抵接，第二传感器200用于测定接地电极210的温度。
第二传感器200既可以是1个，也可以是多个。例如，可以以轴Ax为中心在圆周方向上设置多个第二传感器200。例如在以轴Ax为中心在圆周方向上配置3个第二传感器200的情况下，能够测定接地电极210的3个位置的温度。由此，能够基于3个温度测定结果来提高接地电极210的温度的测定精度。另外，在3个测定值的差超过容许范围的情况下能够判定接地电极210的安装错误。
相比上部电极30，从第一高频电源62输出的高频HF的电力优选地施加到载置台14。由此，通过不对上部电极30施加高功率的高频HF的电力，能够在通过第一传感器100和/或第二传感器200测定上部电极30的温度时提高测定精度。
等离子体处理装置1还可以具备控制部80。控制部80可以是具备处理器、存储器这样的存储部、输入装置、显示装置、信号的输入输出接口等的计算机。控制部80控制等离子体处理装置1的各部分。在控制部80中，能够使用输入装置来进行命令的输入操作等以供操作者管理等离子体处理装置1。另外，在控制部80中，能够通过显示装置来可视化地显示等离子体处理装置1的工作状况。并且，在控制部80的存储部中保存有控制程序以及制程数据。由控制部80的处理器执行控制程序，以在等离子体处理装置1中执行各种处理。控制部80的处理器执行控制程序，按照制程数据来控制等离子体处理装置1的各部分，由此在等离子体处理装置1中执行各种工艺、例如等离子体处理方法。
接着，参照图2的(a)来说明上部电极30的温度测定的问题。图2的(a)是示出上部电极30的温度测定的问题的图，图2的(b)是示出实施方式所涉及的第一传感器100和/或第二传感器200的温度测定结果的一例的图。
在本实施方式所涉及的等离子体处理装置1中设置有图1中示出的第一片构件140和第二片构件240，但在以往的等离子体处理装置的情况下，没有设置第一片构件140和第二片构件240。因此，在以往的等离子体处理装置的情况下，当在上部电极30的下方生成的等离子体进入上部电极30和接地电极210的间隙并在该隙间产生RF放电时，第一传感器100和第二传感器200直接受到该空间放电的影响。其结果，有时产生各传感器无法稳定地测定工艺中的温度的情况，测定精度下降。
特别是，近些年，在HARC(High Aspect Ratio Contact：高纵横比接触)等的工艺中，存在施加到等离子体处理装置的高频RF(HF、LF)的功率变大、并且基板W的处理时间变长的倾向。其结果，如图2的(a)所示，在施加了高频RF的瞬间(RF ON的上升沿)，由第一传感器100和第二传感器200测定出的温度T突然升高(图2的(a)中的A)。这之后，在施加高频RF期间(RF ON的期间)，由第一传感器100和第二传感器200测定出的温度也超过预先设定的温度的到达稳定控制范围而成为不稳定的状态(图2的(a)中的B)。像这样，由于高频RF的高功率化等而容易在上部电极30的附近和内部产生空间放电的结果是，在上部电极30和接地电极210的温度的测定值中产生噪声，难以稳定化。
因此，希望维持每个基板W的处理室内的状况，使测定上部电极30及其周边的温度时的环境更稳定化，并基于温度的测定结果，适当地进行工艺的控制。
为了达成上述的目的，在本实施方式所涉及的等离子体处理装置1中，设置了第一片构件140和第二片构件240。下面一边参照图3，一边进一步详细说明实施方式所涉及的上部电极30及其周边的结构。
第一片构件140配置在上部电极30(顶板34)与第一传感器100之间，由在1MHz的频率下的相对介电常数为2.4以上的高电容材料形成。由此，第一传感器100的前端不直接接触顶板34。第一片构件140减小顶板34与支承体36之间的电位差，来抑制等离子体放电，抑制高频电流直接流向各传感器，基本上去除了由高频电流引起的噪声。其结果，能够使在通过第一传感器100测定温度时的环境稳定化，使温度的测定精度提高。
第一片构件140由具有耐电压特性的构件形成。例如，在第一片构件140是含氟材料的情况下，优选地由在1MHz的频率下的相对介电常数为2.4以上的高电容材料形成。在第一片构件140是含硅材料的情况下，优选地由在1MHz的频率下的相对介电常数为4.0以上的高电容材料形成。
第二片构件240配置在接地电极210与第二传感器200之间，由在1MHz的频率下的相对介电常数为2.4以上的高电容材料形成。第二片构件240的作用和效果与第一片构件140的作用和效果相同。
第二片构件240由具有耐电压特性的构件形成。例如，在第二片构件240是含氟材料的情况下，优选地由在1MHz的频率下的相对介电常数为2.4以上的高电容材料形成。在第二片构件240是含硅材料的情况下，优选地由在1MHz的频率下的相对介电常数为4.0以上的高电容材料形成。
在支承体36中形成有流路37。另外，在支承体36中嵌入有加热器39。热交换介质(例如制冷剂)从设置于腔室10的外部的冷却单元供给到流路37。热交换介质在流路37中循环后返回到冷却单元。在等离子体处理装置1中，顶板34的温度通过供给到流路37的热交换介质及加热器39与顶板34之间的热交换来被进行调整。
在环状构件220中嵌入有加热器250。接地电极210的温度通过由加热器250进行的加热来被进行调整。并且，也可以在环状构件220中形成流路。由此，来调整接地电极210的温度。
支承体36和环状构件220都由导电性构件形成。在本实施方式中，支承体36和环状构件220是分体的，但也可以是一体的。支承体36是调整上部电极30的温度的构件的一例。环状构件220是调整接地电极210的温度的构件的一例。
由第一传感器100和第二传感器200测定出的上部电极30的温度和接地电极210的温度被发送到控制部80。控制部80基于测定出的上部电极30的温度和接地电极210的温度来控制加热器39、250的加热温度以及供给到流路37的热交换介质的温度，以使上部电极30的温度以及接地电极210的温度被调整为目标温度。
[温度传感器]
接着一边参照图4一边说明本实施方式所涉及的温度传感器。图4是示出实施方式所涉及的温度传感器的一例的图。在图4中，作为温度传感器的一例，以第一传感器100为例来说明第一传感器100的结构。第二传感器200与第一传感器100是相同的结构，因此省略说明。
第一传感器100具有传感器元件110、屏蔽构件130、环状构件120、以及屏蔽线101。传感器元件110被筒状的屏蔽构件130包围。屏蔽构件130由导电性材料形成，并且是接地电位。传感器元件110由铂形成，在传感器元件110的内部与导体的屏蔽线101连接。导体的屏蔽线101也可以插入到传感器元件110的内部。
屏蔽构件130的前端的直径比主体部的直径小，插入到形成于支承体36的凹部中。传感器元件110在屏蔽构件130的基端(主体部)粗，在前端变细，贯通屏蔽构件130的前端的孔，传感器元件110通过形成在支承体36的贯通的孔来与第一片构件140抵接。
当等离子体进入上部电极30内时，有时在内部空间产生由高频HF、LF引起的放电(RF放电)。在上部电极30的内部空间中，按照帕邢定律，在期望的压力以及期望的距离的空间中产生放电。当传感器元件110直接受到放电时，在传感器元件110测定出的温度的测定值中产生噪声，温度的测定精度下降。因此，为了避免这个问题，将在1MHz的频率下的相对介电常数为2.4以上的高电容材料的第一片构件140设置在第一传感器100与顶板34之间。由此，通过第一片构件140来使高频电流衰减。通过该第一片构件140的屏蔽效果，第一传感器100不会直接受到放电的影响。由此，能够减少测定上部电极30的温度时的干扰，从而提高温度的测定精度。
另外，在第一传感器100内，不仅在传感器元件110侧产生放电，在屏蔽构件130侧也产生放电。但是，由于屏蔽构件130由导电性材料形成并且是接地电位，因此能够通过使在屏蔽构件130中流动的高频电流流向大地来抑制放电的影响。
并且，在传感器元件110与屏蔽构件130之间配置有密封这些构件间的间隙的环状构件120。环状构件120可以是含硅结构体或者含碳结构体。
环状构件120例如也可以由具有导电性的树脂形成。当高频电流流入传感器元件110与屏蔽构件130之间时，可能会在传感器元件110与屏蔽构件130之间产生放电。这样，如前所述，传感器元件110的温度的测定值中产生噪声，温度的测定精度下降。因此，为了避免这个问题，通过环状构件120来屏蔽高频电流的传播。
图5是示出实施方式所涉及的温度传感器的其它例子的图。在此也以第一传感器100为例来进行说明，第二传感器200也同样地具有图5的结构。
图5的第一传感器100与图4的第一传感器100的不同之处在于：在图5的第一传感器100中，屏蔽构件130在内部具有迷宫结构。在图5的例子中，通过对屏蔽构件130的内壁以及传感器元件110的外壁中的至少一个设置凹凸，来使屏蔽构件130的内部成为迷宫结构。由此，基于帕邢定律，通过在屏蔽构件130的内部创造难以产生空间放电的条件，能够进一步地抑制由放电引起的温度的测定精度的下降。这是由于第一传感器100的其它结构与图4是相同的。
[屏蔽效果]
一边参照图6一边说明第一片构件140和第二片构件240的屏蔽效果。图6是用于说明实施方式所涉及的第一片构件140和第二片构件240的屏蔽效果的图。
图6的(a)的横轴表示图4和图5所示的传感器元件110贯通的孔的直径
Figure BDA0003300010960000111
纵轴表示衰减量(A)dB。图6的(b)的横轴表示图4和图5所示的传感器元件110贯通的孔的长度(t)mm，纵轴表示衰减量(A)dB。
衰减量A由式(1)示出。
[数1]
Figure BDA0003300010960000112
在式(1)中，α和β表示常数，λ表示高频HF或高频LF的波长。衰减量A是第一片构件140和第二片构件240的屏蔽效果，也就是说，衰减量A是隔绝高频电流的效果的指标。衰减量A越大，隔绝高频电流的效果越好。
在高频HF的频率为40MHz时，波长λ为大约7.5m，在高频LF的频率为400kHz时，波长λ为大约750m。根据式(1)，将高频HF的波长代入到式(1)的λ的情况下计算出的衰减量A比将高频LF的波长代入到式(1)的λ的情况下计算出的衰减量A小。
由此，在此，使用高频HF、LF中的屏蔽效果(衰减量A)的值小的、更严格的条件的高频HF的波长λ来计算第一片构件140和第二片构件240的衰减量A，来作为屏蔽效果的指标使用。
如果图6的(a)所示的衰减量A比预先决定的阈值S1大，则能够通过第一片构件140和第二片构件240的屏蔽效果来隔绝RF放电。也就是说，阈值S1表示能够隔绝RF放电的衰减量A。由此，以使衰减量A比阈值S1大的方式设计孔的直径
Figure BDA0003300010960000113
另外，如果图6的(b)所示的衰减量A比预先决定的阈值S1大，则能够通过第一片构件140和第二片构件240的屏蔽效果来隔绝RF放电。因此，以使衰减量A比阈值S1大的方式设计孔的长度(t)。优选孔的直径
Figure BDA0003300010960000114
和孔的长度t两者均超过阈值S1。由此，能够通过第一片构件140和第二片构件240来隔绝放电。
图2的(b)中示出了设置有第一片构件140和第二片构件240的情况下的、第一传感器100和/或第二传感器200的温度的测定结果。像这样，根据本实施方式所涉及的等离子体处理装置1，在施加高频RF期间(RF ON)，由第一传感器100(和第二传感器200)测定出的温度T稳定在到达稳定控制范围内(图2的(b)中的C)。像这样，根据本实施方式所涉及的上部电极30及其周边的结构，能够提高上部电极30的温度的测定精度。
应当认为的是，本次公开的实施方式所涉及的等离子体处理装置在所有方面均为例示，而非限制性的。实施方式能够在不脱离所附的权利要求范围和其主旨的范围内以各种方式进行变形和改良。上述多个实施方式所记载的事项也能够在不矛盾的范围内采取其它结构，另外，能够在不矛盾的范围内进行组合。
例如，列举等离子体处理装置来作为等离子体处理装置的一例进行了说明，但是等离子体处理装置只要是对基板实施规定的处理(例如成膜处理、蚀刻处理等)的装置即可，不限定于等离子体处理装置。
本公开的等离子体处理装置也能够应用于Atomic Layer Deposition(ALD：原子层沉积)装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP：电容耦合等离子体)、InductivelyCoupled Plasma(ICP：电感耦合等离子体)、Radial Line Slot Antenna(RLSA：径向线槽天线)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR：电子回旋共振等离子体)、HeliconWave Plasma(HWP：螺旋波等离子体)这样的任意类型的装置。

Claims (8)

1.一种等离子体处理装置，具有：
处理室；
载置台，其配置于所述处理室内，用于载置基板；
上部电极，其与所述载置台相向；
调整所述上部电极的温度的构件；
第一传感器，其设置于调整所述上部电极的温度的构件的内部，用于测定所述上部电极的温度；以及
第一片构件，其配置于所述上部电极与所述第一传感器之间，该第一片构件在1MHz的频率下的相对介电常数为2.4以上。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还具有：
接地电极，其配置于所述上部电极的周围，该接地电极为接地电位；
调整所述接地电极的温度的构件；
第二传感器，其设置于调整所述接地电极的温度的构件的内部，用于测定所述接地电极的温度；以及
第二片构件，其配置于所述接地电极与所述第二传感器之间，该第二片构件在1MHz的频率下的相对介电常数为2.4以上。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述第一传感器和/或所述第二传感器被导体的屏蔽构件包围。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在所述屏蔽构件的内部具有迷宫结构。
5.根据权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述屏蔽构件是接地电位。
6.根据权利要求3～5中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，还具有：
导电性的环状构件，该环状构件密封所述第一传感器和/或所述第二传感器与所述屏蔽构件之间的间隙。
7.根据权利要求2～6中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在调整所述上部电极的温度的构件形成的供所述第一传感器的前端部贯通的孔、和/或在调整所述接地电极的温度的构件形成的供所述第二传感器的前端部贯通的孔的直径
Figure FDA0003300010950000022
以及所述孔的长度t被设计为使根据式(1)计算的衰减量A为预先设定的阈值以上，在式(1)中，α和β表示常数，λ表示波长。
[数1]
Figure FDA0003300010950000021
8.根据权利要求2～7中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在圆周方向上配置多个所述第一传感器和/或所述第二传感器。
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