CN114365292A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了显示装置。根据实施例的显示装置包括:基板,包括包含主像素的显示区域及包含辅助像素和透射区域的传感器区域;第一阳极电极,设置成与主像素相对应;第一像素限定层,用于限定部分地暴露第一阳极电极的开口;间隔件,设置在第一像素限定层上并且在厚度方向上突出;第二阳极电极,设置成与辅助像素相对应;以及第二像素限定层,用于限定部分地暴露第二阳极电极的开口。间隔件和第二像素限定层由相同的材料同时形成。
Description
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
显示装置是用于显示图像的装置,并且包括诸如发光显示面板或液晶显示面板的显示面板,该显示面板包括有机发光二极管(OLED)或量子点电致发光器件(QD-EL)。
显示装置包括像素电路以及用于驱动像素电路的驱动单元。驱动单元可以设置在与显示区域相邻的非显示区域中,并且考虑到显示装置的功能,非显示区域可以被认为是一种死区。为了减小死区,显示装置可以包括用于将数据信号传送到设置在显示区域中的信号线的连接线。然而,由于图案可能由于连接线之间的长度和面积的差异而可见,因此可以使用黑色像素限定层来防止图案可见。
近来,其中传感器设置在显示面板下方的显示装置包括用于体现图像的像素区域以及具有其中可以设置传感器等的透射区域的传感器区域。然而,当在显示装置中使用黑色像素限定层时,可能出现传感器区域的透射率降低的问题。
发明内容
技术问题
本公开的目的在于提供其中传感器设置在显示面板下方并且像素区域和传感器区域的像素限定层由它们各自的彼此不同的材料形成以防止信号线图案可见并提高传感器区域的透射率的显示装置。
本公开的目的不限于上面提到的那些,并且根据本公开的以下描述,本领域技术人员将清楚地理解在本文中未提到的本公开的附加目的。
技术方案
用于实现上述目的的根据本公开的一个实施例的显示装置包括:基板,包括包含主像素的显示区域以及包含辅助像素和透射区域的传感器区域;第一阳极电极,设置成与主像素相对应;第一像素限定层,限定部分地暴露第一阳极电极的开口;间隔件,设置在第一像素限定层上并且在厚度方向上突出;第二阳极电极,设置成与辅助像素相对应;以及第二像素限定层,限定部分地暴露第二阳极电极的开口。间隔件和第二像素限定层由相同的材料同时形成。
第一像素限定层可以包括炭黑和有机绝缘材料。
第二像素限定层和间隔件可以包括从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种透明有机材料。
显示装置可以包括:组件,设置在透射区域下方,其中,组件可以包括红外传感器、可见光传感器和声学传感器中的至少一种。
一个透射区域的尺寸可以大于辅助像素的一个发光区域的尺寸。
每单位面积的辅助像素的数量可以小于每单位面积的主像素的数量。
用于解决上述问题的根据本公开的一个实施例的显示装置包括:基板,包括包含主像素的显示区域以及包含辅助像素和透射区域的传感器区域;第一阳极电极,设置成与主像素相对应;第一像素限定层,限定部分地暴露第一阳极电极的开口;间隔件,设置在第一像素限定层上并且在厚度方向上突出;第二阳极电极,设置成与辅助像素相对应;以及第二像素限定层,限定部分地暴露第二阳极电极的开口。第二像素限定层包括堤部分以及覆盖堤部分并且在厚度方向上突出的突出部分。第一像素限定层和堤部分可以由相同的材料同时形成。
第一像素限定层和堤部分可以包括炭黑和有机绝缘材料。
突出部分和间隔件可以包括从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种透明有机材料。
从基板到突出部分的上表面的高度可以等于从基板到间隔件的上表面的高度。
显示装置可以包括:组件,设置在透射区域下方,其中,组件可以包括红外传感器、可见光传感器和声学传感器中的至少一种。
一个透射区域的尺寸可以大于辅助像素的一个发光区域的尺寸。
每单位面积的辅助像素的数量可以小于每单位面积的主像素的数量。
用于解决上述问题的根据本公开的一个实施例的显示装置包括:基板,包括包含主像素的显示区域、包含辅助像素和透射区域的传感器区域以及形成在传感器区域中的开口区域,并且包括在传感器区域与开口区域之间的非显示区域;第一阳极电极,设置成与主像素相对应;第一像素限定层,限定部分地暴露第一阳极电极的开口;第一间隔件,设置在第一像素限定层上;第二阳极电极,设置成与辅助像素相对应;以及第二像素限定层,限定部分地暴露第二阳极电极的开口。显示装置包括:防漏光壁,设置在非显示区域中并且沿开口区域形成。第一像素限定层和防漏光壁由相同的材料同时形成。
第一像素限定层和防漏光壁可以包括炭黑和有机绝缘材料。
第二像素限定层和间隔件可以包括从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种透明有机材料。
显示装置可以包括:组件,设置在透射区域下方,其中,组件可以包括红外传感器、可见光传感器和声学传感器中的至少一种。
一个透射区域的尺寸可以大于辅助像素的一个发光区域的尺寸。
每单位面积的辅助像素的数量可以小于每单位面积的主像素的数量。
显示装置可以包括:薄膜封装层,覆盖显示区域和传感器区域,其中,薄膜封装层可以包括顺序地堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
有益效果
根据本公开的一个实施例,在其中传感器设置在显示面板下方的显示装置中,像素区域和传感器区域的像素限定层可以由它们各自的彼此不同的材料形成,以防止信号线图案可见并提高传感器区域的透射率。
根据本公开的实施例的效果不限于上面提到的那些,并且更多种效果被包括在本公开的以下描述中。
附图说明
图1是示出根据一个实施例的显示装置的透视图。
图2是示出根据一个实施例的显示装置的示意性截面图。
图3是示出图1的显示装置被展开的分解图。
图4是示出图1的显示装置的示例的平面图。
图5是示出能够设置在根据一个实施例的显示装置的显示区域中并执行有源矩阵驱动的像素的等效电路图。
图6是示出能够设置在根据一个实施例的显示装置的显示区域中并执行有源矩阵驱动的像素的等效电路图。
图7是与图3的区域A相对应并且部分地示出显示区域与传感器区域之间的边界部分的示意性平面图。
图8是沿图7的线I-I’截取的示意性截面图。
图9是沿图7的线II-II’和III-III’截取的示意性截面图。
图10是沿图7的线IV-IV’截取的示意性截面图。
图11是示出根据一个实施例的显示装置的透视图。
图12a至图12c是示出根据一个实施例的显示装置的示意性截面图。
图13是示出位于根据一个实施例的显示面板的一个区域中的线(信号线)的平面图。
图14至图16是示出根据一个实施例的显示装置的截面图。
具体实施方式
通过以下参考附图描述的实施例将阐明本公开的优点和特征以及这些优点和特征的实现方法。然而,本公开可以以不同的形式体现,并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反,这些实施例被提供使得本公开将是透彻的和完整的,并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。此外,本公开仅由权利要求的范围限定。
其中元件或层“在”另一元件或层“上”的情况包括其中不仅该元件或层直接在该另一元件或层上,而且又一元件或层介于该元件或层与该另一元件或层之间的所有情况。
在整个公开中,相同的附图标记将用于指代相同或相似的部件。
现在将参考附图来参考本公开的实施例。
图1是根据一个实施例的显示装置的透视图。图2是示出图1的显示装置被展开的分解图。
参考图1和图2,显示装置1可以显示图像。例如,显示装置1可以包括有机发光显示(OLED)装置、液晶显示(LCD)装置、等离子体显示(PDP)装置、场发射显示(FED)装置或电泳显示(EPD)装置等。尽管以下描述示例性地基于显示装置1是有机发光显示装置,但是本公开不限于此。
显示装置1可以应用于诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网装置以及便携式电子装置(诸如移动电话、智能电话、平板PC(个人计算机)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子日记、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航仪和超移动PC(UMPC))的各种产品。
显示装置1可以包括主显示表面10以及子显示表面11、12、13和14。
主显示表面10通常具有板形状,位于显示装置1的一个平面上,并且在主显示表面10和子显示表面11、12、13和14当中可以具有最大面积(或尺寸)。例如,主显示表面10可以位于显示装置11的上表面上。主显示表面10可以具有诸如矩形的多边形形状或者诸如圆形和椭圆形的平面形状。
子显示表面11、12、13和14可以位于与主显示表面10位于其上的平面不同的平面上。子显示表面11、12、13和14中的每一个具有小于主显示表面10的面积的面积,并且子显示表面11、12、13和14可以位于它们各自的彼此不同的平面上。子显示表面11、12、13和14可以分别与主显示表面10的边连接,并且可以从主显示表面10(或主显示表面10的边)被弯折或弯曲。
例如,当主显示表面10具有矩形形状时,显示装置1可以包括第一子显示表面至第四子显示表面11、12、13和14,并且第一子显示表面至第四子显示表面11、12、13和14可以分别连接到矩形的四个边。
第一子显示表面11可以连接到主显示表面10的第一长边,并且可以从主显示表面10在垂直方向上被弯折以构成显示装置1的左侧面。类似地,第二子显示表面12可以连接到主显示表面10的第二长边,并且可以从主显示表面10在垂直方向上被弯折以构成显示装置1的右侧面。第三子显示表面13可以连接到主显示表面10的第一短边以构成显示装置1的上表面,并且第四子显示表面14可以连接到主显示表面10的第二短边以构成显示装置1的下表面。
在这种情况下,显示装置1可以是在上表面以及连接到上表面的侧面上显示画面的多面立体显示装置。尽管图2示出了显示装置1的下表面不包括显示表面,但这仅是示例性的,并且不限于此。例如,显示装置1可以进一步包括用于显示图像的下表面。
主显示表面10可以包括包含主像素Pm的主显示区域DA0以及包含辅助像素Pa和透射区域TA的传感器区域SA。
主图像可以使用从设置在主显示区域DA0中的多个主像素Pm发射的光而被提供。
显示装置1包括传感器区域SA。传感器区域SA可以是其中诸如使用红外线、可见光或声音的传感器的组件设置在其下部的区域。传感器区域SA可以包括透射区域TA,从组件输出到外部或者从外部朝向组件行进的光和/或声音可以通过透射区域TA被透射。
辅助像素Pa可以设置,并且预定图像可以使用从多个辅助像素Pa发射的光而被提供。由传感器区域SA提供的图像是辅助图像,并且可以具有低于由主显示区域DA0提供的图像的分辨率的分辨率。即,传感器区域SA包括可以通过其透射光和/或声音的透射区域TA,并且每单位面积可以设置的辅助像素Pa的数量可以小于主显示区域DA0中每单位面积设置的主像素Pm的数量。
传感器区域SA可以设置在主显示区域DA0的一侧,并且作为实施例,传感器区域SA可以设置在主显示区域DA0的上侧。
显示装置1可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域是用于显示图像的区域,并且可以包括是用于显示图像的最小单元的发光单元的像素PX。非显示区域是用于不显示图像的区域,并且可以不包括像素PX。稍后将参考图5和图6描述像素PX。
首先,显示区域DA可以包括主显示区域DA0以及第一子显示区域DA1至第四子显示区域DA4。
主显示区域DA0可以位于主显示表面10上。例如,主显示表面10可以仅包括主显示区域DA0。第一显示区域DA1可以位于第一子显示表面11上,并且第一显示区域DA1可以与主显示区域DA0连接。类似地,第二显示区域DA2至第四显示区域DA4可以分别位于第二子显示表面12至第四子显示表面14上,并且第二显示区域DA2至第四显示区域DA4中的每一个可以与主显示区域DA0连接。
在显示装置1的分解图中,非显示区域NDA可以沿显示区域DA的边缘(或主显示表面10以及子显示表面11、12、13和14的最外边缘)设置。驱动线和驱动电路等可以设置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以包括但不限于遮挡漏光的黑矩阵和装饰墨水等。
非显示区域NDA可以包括第一非显示区域NDA1至第四非显示区域NDA4(或第一子非显示区域至第四子非显示区域)。第一非显示区域NDA1可以位于第一子显示表面11上。类似地,第二非显示区域NDA2至第四非显示区域NDA4可以分别位于第二子显示表面12至第四子显示表面14上。
在实施例中,非显示区域(NDA)(或显示装置1)可以包括第一角翼21至第四角翼24(或拐角部分、拐角区域、角翼区域)。第一角翼21至第四角翼24中的每一个可以设置成与主显示表面10的拐角(即,两个边相交的部分)相邻。除了它们的位置之外,第一角翼21至第四角翼24可以基本上彼此相同。在下文中,将基于第一角翼21来描述第一角翼21至第四角翼24的共同特征,并且将省略它们的重复描述。
第一角翼21可以具有从主显示表面10的拐角朝向外部突出的形状。第一角翼21可以位于第一子显示表面11与第四子显示表面14之间(或者可以位于第一子显示区域DA1与第四子显示区域DA4之间或第一非显示区域NDA1与第四非显示区域NDA4之间),或者可以平缓第一子显示表面11与第四子显示表面14之间的交角。第一角翼21的一端可以位于第一子显示表面11上,并且第一角翼21的另一端可以位于第四子显示表面14上。
第一角翼21可以提供其中设置信号线的空间或者信号线穿过其的空间。当第一子显示表面11和第四子显示表面14被弯折时,第一角翼21可以向内(即,朝向显示装置1的内部空间或重心)折叠。在这种情况下,第一角翼21可以沿弯折线20被弯折,使得第一角翼21的一端(即,与第一子显示表面11相邻的第一部分)和第一角翼21的另一端(即,与第四子显示表面14相邻的第二部分)可以彼此面对。第一角翼21的一端和另一端可以彼此接触,或者可以通过联接层等彼此联接。
由于第一角翼21在弯折第一子显示表面11和第四子显示表面14时向内折叠,因此第一角翼21可以不被暴露于外部,并且类似地,第二角翼22、第三角翼23和第四角翼24可以不被暴露于外部。因此,第一角翼21至第四角翼24可以被包括在非显示区域NDA中。
非显示区域NDA(或显示装置1)可以进一步包括驱动区域30,并且驱动区域30可以与第一子显示表面至第四子显示表面11、12、13和14中的至少一个连接。例如,驱动区域30可以连接到第四子显示表面14的一个边(例如,在显示装置1的分解图中,第四子显示表面14的下边)。
如图1中所示,当第四子显示表面14相对于主显示表面10垂直地被弯折时,驱动区域30可以相对于第四子显示表面14再次垂直地被弯折(即,可以相对于主显示表面10以180°的角被弯折),并且可以在主显示表面10的厚度方向上设置在主显示表面1下方。驱动区域30可以与主显示表面10重叠,并且可以与主显示表面10平行。
显示装置1可以包括驱动芯片40(或者可以包括焊盘部分,焊盘部分被提供有设置在其上的驱动芯片并且与驱动芯片电连接),并且驱动芯片40可以设置在驱动区域30中。驱动芯片40可以产生驱动像素PX所需的驱动信号,以将驱动信号提供到显示区域DA(或像素PX)。例如,驱动芯片40可以产生用于确定像素PX的发光亮度的数据信号。在这种情况下,驱动芯片40可以通过在驱动区域中形成的驱动线(未示出)以及在主显示表面10和子显示表面11、12、13和14上形成的信号线(未示出)(例如,数据线)将数据信号提供到像素PX。
图3是示出图1的显示装置的示例的平面图。
参考图1至图3,显示装置1可以包括信号线136、连接线146和驱动线60。信号线136、连接线146和驱动线60可以设置成在第一方向W1上延伸并且基于穿过显示装置1的区域的中心的参考轴(未示出)彼此对称。在下文中,将基于与第一子显示表面11相对相邻的信号线136、连接线146和驱动线60进行描述。
信号线136可以包括数据线D1至Dm(或信号线)(m是等于或大于3的整数)。
数据线D1至Dm可以在第一方向W1上延伸,并且可以沿第二方向W2以特定间隔顺序地设置。数据线D1至Dm中的每一条可以在第一方向W1上跨显示区域DA延伸。在图3中,数据线D1至Dm从主显示区域DA0和传感器区域SA沿第一方向W1以直线延伸,但是数据线D1至Dm可以在绕过透射区域TA的同时从传感器区域SA延伸。在这种情况下,数据线D1至Dm当中的第一数据线至第k数据线可以仅设置在一个显示表面上(其中,k是等于或大于2且小于m的正整数)。在下文中,将基于k是7且m大于14进行描述。
例如,第一数据线D1至第七数据线D7可以从第一非显示区域NDA1的一端跨第四显示区域DA4延伸到第一非显示区域NDA1的另一端(例如,从下侧延伸到上侧)。第八数据线D8至第十四数据线D14可以从第四非显示区域NDA4跨第四子显示区域DA4、主显示区域DA0和第三子显示区域DA3延伸到第三非显示区域NDA3。此外,数据线D1至Dm中的一些可以从角翼21至24中的一个角翼延伸到另一个角翼。例如,第三数据线D3至第七数据线D7可以从第一角翼21延伸到第三角翼23。
连接线146可以将信号线136中的一部分与驱动线60中的一部分电连接。连接线146可以设置在与其上设置信号线136的层不同的层上,并且连接线146可以通过绝缘层与信号线136绝缘。
连接线146可以包括第一数据连接线DM1至第k数据连接线DMk(或第一连接线至第k连接线),以与第一数据线D1至第k数据线Dk相对应。当k是7时,连接线146可以包括第一数据连接线DM1至第七数据连接线DM7。数据连接线DM1至DM7可以分别与设置在第一子显示表面11上的数据线D1至D7相对应。
第一数据连接线DM1至第七数据连接线DM7可以从第四子显示表面14的第四非显示区域NDA4(例如,第四非显示区域NDA4的下侧)经由显示区域DA延伸到相应的信号线136的一端(例如,第一子显示表面11的第一非显示区域NDA1的下侧和第一角翼21)。第一数据连接线DM1至第七数据连接线DM7可以以特定间隔彼此间隔开。第一数据连接线DM1至第七数据连接线DM7当中的间隔可以等于第一数据线D1至第七数据线D7当中的间隔。
图4是示出根据本公开的实施例的显示装置的示意性截面图,并且可以与沿图1的线I-I’截取的截面相对应。
参考图4,显示装置1可以包括显示面板PN和组件CP。显示面板PN可以包括显示元件层DE,并且组件CP可以设置成与传感器区域SA相对应。
显示面板PN可以包括基板SUB、设置在基板SUB上的显示元件层DE以及作为用于密封显示元件层DE的密封构件的薄膜封装层TFE。显示面板PN可以进一步包括设置在基板SUB下方的下保护膜PF。
基板SUB可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)等。包括聚合物树脂的基板SUB可以具有柔性、可卷曲或可弯折的特性。基板SUB可以是包括无机层(未示出)和包括聚合物树脂的层的多层结构。
显示元件层DE可以包括包含薄膜晶体管TFT和TFT’的电路层、作为显示元件的有机发光二极管OLED以及在电路层与有机发光二极管OLED之间的绝缘层IL和IL’。
包括主薄膜晶体管TFT和与主薄膜晶体管TFT连接的有机发光二极管OLED的主像素Pm可以设置在主显示区域DA0中,并且包括辅助薄膜晶体管TFT’和与辅助薄膜晶体管TFT’连接的有机发光二极管OLED的辅助像素Pa可以设置在传感器区域SA中。
辅助薄膜晶体管TFT’以及其中未设置显示元件的透射区域TA可以设置在传感器区域SA中。透射区域TA可以被理解为从组件CP发射的光/信号和/或入射在组件CP上的光/信号被透射的区域。
组件CP可以位于传感器区域SA中。组件CP可以是使用光或声音的电子元件。例如,组件CP可以是用于接收和使用光的传感器(诸如红外传感器)、用于输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、用于输出光的小灯或者用于输出声音的扬声器。在基于光的电子元件的情况下,可以使用诸如可见光、红外光和紫外光的各种波段的光。多个组件CP可以设置在传感器区域SA中。例如,发光元件和光接收元件可以一起被提供在一个传感器区域SA中作为组件CP。可替代地,发光单元和光接收单元可以同时被提供在一个组件CP中。
下金属层BSM可以设置在传感器区域SA中。下金属层BSM可以设置成与辅助薄膜晶体管TFT’的下部相对应。下金属层BSM可以阻挡外部光到达包括辅助薄膜晶体管TFT’等的辅助像素Pa。例如,下金属层BSM可以阻挡从组件CP发射的光到达辅助像素Pa。
在一些实施例中,恒定电压或信号可以被施加到下金属层BSM以防止像素电路被静电放电损坏。
薄膜封装层TFE可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。就此而言,图4示出了第一无机封装层TFE1和第二无机封装层TFE3以及在第一无机封装层TFE1与第二无机封装层TFE3之间的有机封装层TFE2。
第一无机封装层TFE1和第二无机封装层TFE3可以包括一种或多种无机绝缘材料(诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅)。有机封装层TFE2可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。
下保护膜PF可以附接到基板SUB的下部,以支撑和保护基板SUB。下保护膜PF可以包括与传感器区域SA相对应的开口PF_OP。由于下保护膜PF包括开口PF_OP,因此可以提高传感器区域SA的透光率。下保护膜PF可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
传感器区域SA的尺寸可以大于其中设置组件CP的面积。因此,在下保护膜PF中提供的开口PF_OP的面积可以与传感器区域SA的尺寸不匹配。例如,开口PF_OP的面积可以小于传感器区域SA的尺寸。
多个组件CP可以设置在传感器区域SA中。多个组件CP可以具有不同的功能。
尽管未示出,但是诸如用于感测触摸输入的输入感测构件、透明窗口以及包括偏振器和延迟器或者滤色器和黑矩阵的抗反射构件的组件可以进一步设置在显示面板PN上。
尽管如该实施例中所示,薄膜封装层TFE用作用于密封显示元件层DE的封装构件,但是本公开不限于此。例如,通过密封剂或玻璃料结合到基板SUB的密封基板可以用作用于密封显示元件层DE的密封构件。
图5和图6是可以被包括在根据本公开的一个实施例的显示面板中的主像素和/或辅助像素的等效电路图。
参考图5,像素Pm和Pa中的每一个包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL,并且根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL,并且存储与从开关薄膜晶体管T2传送的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst,并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过驱动电流发射具有预定亮度的光。
尽管在图5中,像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器,但是本公开不限于此。如图6中所示,像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
参考图6,像素Pm和Pa中的每一个包括像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器可以连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL。
尽管图6示出了像素Pm和Pa中的每一个连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL,但是本公开不限于此。作为另一实施例,信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL中的至少一条可以由相邻的像素共享。
多个薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
信号线包括用于传送扫描信号Sn的扫描线SL、用于将前一扫描信号Sn-1传送到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7的前一扫描线SL-1、用于将发光控制信号En传送到操作控制薄膜晶体管T5和发光控制薄膜晶体管T6的发光控制线EL以及与扫描线SL交叉并且传送数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传送到驱动薄膜晶体管T1,并且初始化电压线VL传送用于初始化驱动薄膜晶体管T1和像素电极(例如,阳极电极)的初始化电压Vint。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1,驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1经由操作控制薄膜晶体管T5连接到下驱动电压线PL,并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1经由发光控制薄膜晶体管T6与主有机发光二极管OLED的像素电极电连接。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm,并且将驱动电流IOLED供应到主有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2连接到扫描线SL,开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2连接到数据线DL,并且开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1并且经由操作控制薄膜晶体管T5同时连接到下驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2根据通过扫描线SL传送的扫描信号Sn而被导通,以执行用于将被传送到数据线DL的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3连接到扫描线SL,补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1并且经由发光控制薄膜晶体管T6与有机发光二极管OLED的像素电极连接,并且补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3根据通过扫描线SL传送的扫描信号Sn而被导通,以将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1与驱动漏电极D1电连接,从而将驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4连接到前一扫描线SL-1,第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL,并且第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4根据通过前一扫描线SL-1传送的前一扫描信号Sn-1而被导通,以将初始化电压Vint传送到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1,从而执行用于初始化驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5连接到发光控制线EL,操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5连接到下驱动电压线PL,并且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。
发光控制薄膜晶体管T6的发光控制栅电极G6连接到发光控制线EL,发光控制薄膜晶体管T6的发光控制源电极S6连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3,并且发光控制薄膜晶体管T6的发光控制漏电极D6电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发光控制薄膜晶体管T6根据通过发光控制线EL传送的发光控制信号En而同时被导通,由此驱动电压ELVDD被传送到主有机发光二极管OLED,以允许驱动电流IOLED流到有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7连接到前一扫描线SL-1,第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7连接到发光控制薄膜晶体管T6的发光控制漏电极D6和主有机发光二极管OLED的像素电极,并且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7连接到第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7根据通过前一扫描线SL-1传送的前一扫描信号Sn-1而被导通,以初始化主有机发光二极管OLED的像素电极。
尽管图6示出了第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7连接到前一扫描线SL-1,但是本公开不限于此。在另一实施例中,第一初始化薄膜晶体管T4可以连接到前一扫描线SL-1并且根据前一扫描线SL-1而被驱动,并且第二初始化薄膜晶体管T7可以连接到单独的信号线(例如,后一扫描线)并且根据被传送到该信号线的信号而被驱动。
存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2连接到驱动电压线PL,并且有机发光二极管OLED的对电极连接到公共电压ELVSS。因此,有机发光二极管OLED可以通过接收从驱动薄膜晶体管T1传送的驱动电流IOLED来发光,从而显示图像。
尽管图6示出了补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4具有双栅电极,但是补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以具有一个栅电极。
在该实施例中,主像素Pm和辅助像素Pa可以包括相同的像素电路PC,但不限于此。主像素Pm和辅助像素Pa可以包括它们各自的彼此不同的像素电路PC。例如,主像素Pm可以采用图6的像素电路,并且辅助像素Pa可以采用图5的像素电路。以这种方式,可以对主像素Pm和辅助像素Pa进行各种修改。
在下文中,将参考图7至图9详细地描述设置在主显示区域DA0中的第一像素限定层119与间隔件120之间的关系以及设置在传感器区域SA中的第二像素限定层119’。
图7是与图3的区域A相对应并且部分地示出了显示区域与传感器区域之间的边界部分的示意性平面图,图8是沿图7的线I-I’截取的示意性截面图,并且图9是沿图7的线II-II’截取的示意性截面图。
参考图7,根据本公开的一个实施例的显示装置包括包含多个主像素Pm的主显示区域DA0以及包含透射区域TA和多个辅助像素Pa的传感器区域SA,并且包括多个对电极223。对电极223包括设置成与主显示区域DA0相对应的多个第一对电极223A和设置成与传感器区域SA相对应的多个第二对电极223B,并且第一对电极223A被提供为具有与第二对电极223B的形状不同的形状。对电极223可以彼此连接。
第一对电极223A和第二对电极223B中的每一个可以设置成与一个像素组Pg相对应。
像素Pa或Pm中的至少一个可以被包括在像素组Pg中。在图7中,一个像素组Pg包括设置在两行中的四个像素Pa和Pm,但是本公开不限于此。可以对被包括在一个像素组Pg中的像素Pa和Pm的数量和布置进行各种修改。例如,一个像素组Pg可以包括并排设置在一行中的三个像素Pa和Pm,或者可以包括设置在四行中的八个像素Pa和Pm。在本说明书中,像素Pa和Pm可以指发射红色、绿色或蓝色的子像素。
透射区域TA是其中由于未设置显示元件而透光率高的区域,并且可以在传感器区域SA中被提供为多个。透射区域TA可以沿第一方向DR1和/或第二方向DR2与像素组Pg一起交替地设置。或者,透射区域TA可以设置成围绕像素组Pg。或者,辅助像素Pa可以设置成围绕透射区域TA。在该实施例中,透射区域TA是其中未设置第一对电极223A和第二对电极223B的区域,并且可以指与传感器区域SA中的对电极233的开口233OP相对应的区域。
透射区域TA的尺寸可以大于至少一个像素Pa或Pm的发光区域的尺寸。在一些实施例中,透射区域TA的尺寸可以等于或大于一个像素组Pg的尺寸。
第一对电极223A和第二对电极223B可以彼此电连接。第一对电极223A和第二对电极223B中的一部分可以在主显示区域DA0与传感器区域SA之间的边界处彼此电连接,并且在第二方向上彼此间隔开的多个第一对电极223A可以与非显示区域NDA的第二电源线ELVSS(参见图5和图6)电连接。
详细地,第一对电极223A当中的在第一方向DR1上相邻的第一对电极223A可以彼此连接,并且在第二方向DR2上相邻的第一对电极223A可以彼此间隔开。然而,在第二方向DR2上彼此间隔开的第一对电极223A电连接到非显示区域NDA的第二电源线ELVSS(参见图5和图6),并且因此,第一对电极223A可以彼此电连接。
第二对电极223B可以设置成通过绕过透射区域TA而沿第一方向DR1和/或第二方向DR2在第三方向DR3上与像素组Pg重叠。即,可以理解,沿第一方向DR1设置的第二对电极223B利用介于第二对电极223B之间的透射区域TA彼此间隔开,并且沿第二方向DR2设置的第二对电极223B利用介于第二对电极223B之间的透射区域TA彼此间隔开。第二对电极223B可以设置成在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此电连接。彼此连接的第二对电极223B可以电连接到非显示区域NDA的第二电源线ELVSS(参见图5和图6)。
在一个实施例中,第一宽度W1可以大于第二宽度W2。即,设置在传感器区域SA中的第二对电极223B的在第一方向W2上的第二宽度W2小于设置在显示区域DA中的第一对电极223A的在第一方向W2上的第一宽度W1,并且利用介于第二对电极223B之间的透射区域TA设置的第二对电极223B之间的间隔距离可以是较大的。即,透射区域TA的在第一方向W2上的宽度Wt大于第一宽度W1,并且因此,光可以穿过的透射区域TA被提供有大尺寸(Wt>W1>W2)。
同时,第一对电极223A当中的在第二方向W2上彼此相邻的第一对电极223A之间的间隔距离可以被提供有比透射区域TA在第二方向W1上的长度dt小得多的尺寸。
在下文中,将参考图8和图9描述根据本公开的一个实施例的显示装置的堆叠结构。图8是沿图7的线I-I’截取的示意性截面图并且示出了显示区域DA的部分截面,并且图9是沿图7的线II-II’截取的示意性截面图并且示出了传感器区域SA的部分截面。
参考图8和图9,根据本公开的一个实施例的显示装置包括主显示区域DA0和传感器区域SA。主像素Pm设置在主显示区域DA0中,并且辅助像素Pa和透射区域TA设置在传感器区域中。
主像素Pm可以包括主薄膜晶体管TFT、主存储电容器Cst和主有机发光二极管OLED。辅助像素Pa可以包括辅助薄膜晶体管TFT’、辅助存储电容器Cst’和辅助有机发光二极管OLED’。透射区域TA可以包括与透射区域TA相对应的透射孔TAH。
在下文中,将描述其中堆叠有被包括在根据本公开的一个实施例的显示装置中的组件的结构。
基板SUB可以包括玻璃或聚合物树脂。
缓冲层111可以位于基板SUB上以减少或阻挡颗粒、湿气或外部空气从基板SUB的下部渗透,并且可以在基板SUB上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机/无机复合物,并且可以由无机材料和有机材料的单层或多层结构形成。用于阻挡外部空气的渗透的阻挡层(未示出)可以进一步被包括在基板SUB与缓冲层111之间。在一些实施例中,缓冲层111可以由氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)形成。缓冲层111可以被提供成使得第一缓冲层111a和第二缓冲层111b被堆叠。
在传感器区域SA中,下电极层BSM可以设置在第一缓冲层111a与第二缓冲层111b之间。在其它实施例中,下电极层BSM可以设置在基板SUB与第一缓冲层111a之间。下电极层BSM可以设置在辅助薄膜晶体管TFT’下方,以防止辅助薄膜晶体管TFT’的特性由于从组件CP等发射的光而劣化。
另外,下电极层BSM可以通过接触孔与设置在另一层中的线GCL连接。下电极层BSM可以被供应来自线GCL的恒定电压或信号。例如,下电极层BSM可以被供应驱动电压ELVDD或扫描信号。由于下电极层BSM被供应恒定电压或信号,因此可以显著降低静电放电的发生概率。下电极层BSM可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、镍(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。下电极层BSM可以是上述材料的单层或多层。
主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT’可以设置在缓冲层111上。主薄膜晶体管TFT包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1,并且辅助薄膜晶体管TFT包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。主薄膜晶体管TFT可以与显示区域DA的主有机发光二极管OLED连接,以驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT’可以与传感器区域SA的辅助有机发光二极管OLED’连接,以驱动辅助有机发光二极管OLED’。
第一半导体层A1和第二半导体层A2可以设置在缓冲层111上,并且可以包括多晶硅。在另一实施例中,第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括非晶硅。在又一实施例中,第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括从包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)的组中选择的至少一种材料的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
第二半导体层A2可以与下电极层BSM重叠,其中第二缓冲层111b介于它们之间。
第一栅绝缘层112可以被提供为覆盖第一半导体层A1和第二半导体层A2。第一栅绝缘层112可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)的无机绝缘材料。第一栅绝缘层112可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
第一栅电极G1和第二栅电极G2设置在第一栅绝缘层112上,以分别与第一半导体层A1和第二半导体层A2重叠。第一栅电极G1和第二栅电极G2可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等,并且可以由单层或多层形成。例如,第一栅电极G1和第二栅电极G2可以是Mo的单层。
第二栅绝缘层113可以被提供为覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2。第二栅绝缘层113可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)的无机绝缘材料。第二栅绝缘层113可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
主存储电容器Cst的第一上电极CE2和辅助存储电容器Cst’的第二上电极CE2’可以设置在第二栅绝缘层113上。
在显示区域DA中,第一上电极CE2可以与其下方的第一栅电极G1重叠。彼此重叠的第一栅电极G1和第一上电极CE2(其中,第二栅绝缘层113介于第一栅电极G1与第一上电极CE2之间)可以形成主存储电容器Cst。即,第一栅电极G1可以用作主存储电容器Cst的第一下电极CE1。
在传感器区域SA中,第二上电极CE2’可以与其下方的第二栅电极G2重叠。彼此重叠的第二栅电极G2和第二上电极CE2’(其中,第二栅绝缘层113介于第二栅电极G2与第二上电极CE2’之间)可以形成辅助存储电容器Cst’。第一栅电极G1可以用作辅助存储电容器Cst’的第二下电极CE1’。
第一上电极CE2和第二上电极CE2’可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、镍(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu),并且可以是上述材料的单层或多层。
层间绝缘层115可以形成为覆盖第一上电极CE2和第二上电极CE2’。层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。
源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以设置在层间绝缘层115上。源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等的导电材料,并且可以由包括上述材料的多层或单层形成。例如,源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117可以设置成覆盖源电极S1和S2以及漏电极D1和D2。平坦化层117可以具有平坦的上表面,使得设置在平坦化层117上的第一像素电极221和第二像素电极221’可以形成为是平坦的。
平坦化层117可以由有机材料或无机材料所制成的单层或多层形成。平坦化层117可以包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的混合物。平坦化层117可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。在形成平坦化层117之后,可以执行化学机械抛光以提供平坦的上表面。
平坦化层117包括暴露主薄膜晶体管TFT的第一源电极S1和第一漏电极D1中的任一个的开口,并且第一像素电极221可以通过该开口与第一源电极S1或第一漏电极D1接触以与主薄膜晶体管TFT电连接。
另外,平坦化层117包括暴露辅助薄膜晶体管TFT’的第二源电极S2和第二漏电极D2中的任一个的开口,并且第二像素电极221’可以通过该开口与第二源电极S2或第二漏电极D2接触以与辅助薄膜晶体管TFT’电连接。
第一像素电极221和第二像素电极221’可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在另一实施例中,第一像素电极221和第二像素电极221’可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或者它们的化合物的反射层。在又一实施例中,第一像素电极221和第二像素电极221’可以进一步包括在上述反射层上方/下方的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。在一些实施例中,第一像素电极221和第二像素电极221’可以由ITO/Ag/ITO的堆叠结构形成。
在主显示区域DA0中,第一像素限定层119可以覆盖第一像素电极221中的每一个的边缘。第一像素限定层119与第一像素电极221中的每一个重叠,并且包括限定像素的发光区域的第一开口OP1。第一像素限定层119可以通过增大第一像素电极221的边缘与在第一像素电极221上方的对电极223A之间的距离来防止在第一像素电极221的边缘处发生电弧。
第一像素限定层119可以是黑色像素限定层(黑色PDL)。即,第一像素限定层119可以包括不透射光的黑色材料。例如,第一像素限定层119可以包括炭黑和有机绝缘材料。
如图2和图3中所示,用于将数据信号传送到设置在显示区域DA中的信号线136的连接线146可以被提供为减小非显示区域NDA。然而,由于连接线146之间的长度和面积的差异,图案可能是可见的。当黑色像素限定层被用作第一像素限定层119时,由于连接线146所引起的光的反射、衍射和散射而导致的显示质量劣化可以被最小化。
第一像素限定层119可以包括间隔件120。间隔件120可以设置成在厚度方向上从第一像素限定层119的上表面突出。间隔件120可以具有棱锥体、棱柱体、截锥体、圆柱体、半球体和半椭球体中的任何一种形状。
间隔件120可以包括从苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种透明有机材料。
在传感器区域SA中,第二像素限定层119’可以覆盖第二像素电极221’中的每一个的边缘。第二像素限定层119’与第二像素电极221’中的每一个重叠,并且包括限定像素的发光区域的第二开口OP2。第二像素限定层119’可以通过增大第二像素电极221’的边缘与在第二像素电极221’上方的对电极223B之间的距离来防止在第二像素电极221’的边缘处发生电弧。
然而,与形成在主显示区域DA0中的第一像素限定层119不同,形成在传感器区域SA中的第二像素限定层119’可以不是黑色像素限定层(黑色PDL)。即,当需要特定值或更高值的透光率时,第二像素限定层119’可以由透明材料形成。
其中未设置显示元件的透射区域TA可以设置在传感器区域SA中。透射区域TA可以被理解为从组件CP发射的光/信号或入射在组件CP上的光/信号被透射的区域。
组件CP可以是使用光或声音的电子元件。例如,组件CP可以是光学传感器或者相机。通常,为了利用光学传感器作为接近传感器,需要大约15%的透光率,并且需要大约85%的透光率以识别虹膜或面部。另外,为了利用相机拍摄目标,需要大约95%的透光率。
因此,第二像素限定层119’可以与形成在主显示区域DA0中的间隔件120同时由与间隔件120的材料相同的材料形成。即,第二像素限定层119’可以包括从苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种透明有机材料。
当第二像素限定层119’由与形成在主显示区域DA0中的间隔件120的透明有机材料相同的透明有机材料形成时,可以以特定值或更高值获得由组件CP发射和入射的光的透射率。另外,当间隔件120形成在主显示区域DA0中时,传感器区域SA的第二像素限定层119’可以与间隔件120同时形成,由此可以不增加制造工艺。
第一功能层222a可以设置在被第一像素限定层119和第二像素限定层119’的开口OP1和OP2暴露的像素电极221和221’上。第一功能层222a可以延伸到第一像素限定层119和第二像素限定层119’的上表面。第一功能层222a可以是单层或多层。第一功能层222a可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)。可替代地,第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。第一功能层222a可以一体地形成为与被包括在显示区域DA中的主像素Pm和被包括在传感器区域SA中的辅助像素Pa相对应。
形成为分别与第一像素电极221和第二像素电极221’相对应的第一发光层221b和第二发光层222b’设置在第一功能层222a上。第一发光层222b和第二发光层222b’可以包括聚合物材料或单体材料,并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
第二功能层222c可以形成在第一发光层222b和第二发光层222b’上。第二功能层222c可以是单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层222c可以一体地形成为与被包括在显示区域DA中的主像素Pm和被包括在传感器区域SA中的辅助像素Pa相对应。第一功能层222a和/或第二功能层222c可以被省略。
间隔件SPC可以设置在第二功能层222c上。间隔件SPC可以由与像素限定层119的材料相同的材料形成。即,间隔件SPC可以包括从苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种有机材料。
对电极223设置在第二功能层222c上。对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如,对电极223可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或者它们的合金的(半)透明层。可替代地,对电极223可以进一步包括在包括上述材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
在该实施例中,如上所述,对电极223包括设置在主显示区域DA0中的第一对电极223A和设置在传感器区域SA中的第二对电极223B。
同时,在传感器区域SA中,第二对电极223B中的一些可以利用介于第二对电极223B之间的透射区域TA彼此间隔开。根据一个实施例,第二对电极222B中的至少一部分可以不设置在透射区域TA上。
当第二对电极223B之间的间隙空间可以被理解为对电极223的开口223OP时,开口223OP可以是光穿过的透射孔。透射孔的宽度Wt可以大于由像素限定层119的第二开口OP2限定的发光区域的宽度。
由于形成透射孔TAH的情况意味着与透射区域TA相对应的诸如对电极223的构件被去除,因此可以显著提高透射区域TA中的透光率。
尽管未示出,但是封盖层可以形成在对电极223上,以在保护对电极223的同时提高光提取效率。封盖层可以包括LiF。可替代地,封盖层可以包括诸如氮化硅的无机绝缘材料,并且/或者可以包括有机绝缘材料。
在下文中,将描述其它实施例。在下面的实施例中,与先前描述的实施例的元件相同的元件的描述将被省略或简化,并且下面的描述将基于与先前描述的实施例的不同。
图10是沿图7的线IV-IV’截取的示意性截面图。
参考图8和图10,该实施例与图9中所示的实施例的不同之处在于,形成在传感器区域SA中的多个第二像素限定层119’的至少一部分可以进一步包括堤部分BK和突出部分PT。
更详细地,在主显示区域DA0中,第一像素限定层119可以覆盖第一像素电极221中的每一个的边缘。第一像素限定层119与第一像素电极221中的每一个重叠,并且包括限定像素的发光区域的第一开口OP1。
第一像素限定层119可以是黑色像素限定层(黑色PDL)。即,第一像素限定层119可以包括不透射光的黑色材料。例如,第一像素限定层119可以包括炭黑和有机绝缘材料。
第一像素限定层119可以包括间隔件120。间隔件120可以设置成在厚度方向上从第一像素限定层119的上表面突出。间隔件120可以具有棱锥体、棱柱体、截锥体、圆柱体、半球体和半椭球体中的任何一种形状。
间隔件120可以包括从苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种透明有机材料。
在传感器区域SA中,第二像素限定层119’可以覆盖第二像素电极221’中的每一个的边缘。第二像素限定层119’与第二像素电极221’中的每一个重叠,并且包括限定像素的发光区域的第二开口OP2。另外,第二像素限定层119’的至少一部分可以进一步包括堤部分BK和突出部分PT。
堤部分BK可以由与形成在主显示区域DA0中的第一像素限定层119的材料相同的材料形成。即,堤部分BK可以包括不透射光的黑色材料。例如,第一像素限定层119可以包括炭黑和有机绝缘材料。
突出部分PT可以设置成在第三方向DR3上与堤部分BK重叠。即,突出部分PT可以形成为覆盖堤部分PK的上表面并且在第三方向DR3上突出。根据一个实施例,从基板SUB的上表面到突出部分PT的上表面的距离可以等于从基板SUB的上表面到形成在主显示区域DA0中的间隔件120的上表面的距离。
第二像素限定层119’的突出部分PT可以由与形成在主显示区域DA0中的间隔件120的材料相同的材料形成。即,第二像素限定层119’可以包括从苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种透明有机材料。
在下文中,将参考图11至图16描述其中开口区域OA被包括在传感器区域SA中的实施例。
图11是示出根据一个实施例的显示装置的透视图。图12A至图12C是示出根据一个实施例的显示装置的示意性截面图。图13是示出位于根据一个实施例的显示面板的一个区域中的线(信号线)的平面图。图14至图16是示出根据一个实施例的显示装置的开口区域附近的截面的截面图。
参考图11,显示装置1_1与图1中所示的显示装置1的不同之处在于,显示装置1_1进一步包括在传感器区域SA的部分区域中的开口区域OA。
更详细地,显示装置1_1包括被传感器区域SA至少部分地围绕的开口区域OA。图11示出了开口区域OA被传感器区域SA完全围绕。非显示区域NDA可以进一步包括围绕开口区域OA的第五非显示区域NDA5。第五非显示区域NDA5可以完全围绕开口区域OA,并且传感器区域SA可以完全围绕第五非显示区域NDA5。
图12a至图12c是示出根据本公开的实施例的显示装置1_1的示意性截面图,并且可以与沿图11的线V-V’截取的截面相对应。
参考图12a,显示装置1_1可以包括显示面板PN以及与显示面板PN的开口区域OA相对应的组件CP。
显示面板PN可以包括基板SUB、设置在基板SUB上的包括显示元件的显示元件层DE、作为覆盖显示元件层DE的封装构件的薄膜封装层TFE以及用于感测触摸输入的输入感测层400。尽管未示出,但是诸如透明窗口以及包括偏振器和延迟器或者滤色器和黑矩阵的抗反射构件的(一些)组件可以进一步设置在输入感测层400上。
输入感测层400可以设置在显示区域DA中。输入感测层400可以基于外部输入(例如,触摸事件)来获取坐标信息。输入感测层400可以包括感测电极(或触摸电极)以及连接到感测电极的信号线(迹线)。
形成输入感测层400的工艺可以在稍后将描述的形成平坦化层610的工艺之后连续地被执行,或者可以在形成薄膜封装层TFE的工艺之后连续地被执行。因此,粘合构件可以不介于输入感测层400与薄膜封装层TFE之间。
平坦化层610设置在第五非显示区域NDA5中。平坦化层610包括有机绝缘材料。平坦化层610可以包括光刻胶(例如,负性光刻胶或正性光刻胶),或者可以包括与薄膜封装层TFE的有机封装层的材料相同的材料,或者可以包括与稍后将描述的输入感测层的绝缘层中的一个绝缘层的材料相同的材料,或者可以包括其它各种有机绝缘材料。
如图12a中所示,显示面板PN可以包括与开口区域OA相对应并且穿过显示面板PN的开口PN_H。基板SUB、显示元件层DE、薄膜封装层TFE、输入感测层400和平坦化层610可以分别包括与开口区域OA相对应的第一开口至第五开口SUB_H、DE_H、TFE_H、400H和610H。
第一开口SUB_H可以形成为穿过基板SUB的上表面和下表面,第二开口DE_H可以形成为从显示元件层DE的最下层穿过最上层,第三开口TFE_H可以形成为穿过薄膜封装层TFE,第四开口400H可以形成为从输入感测层400的最下层穿过最上层,并且第五开口610H可以形成为穿过平坦化层610的上表面和下表面。
开口区域OA是设置组件CP的位置,并且组件CP可以如图12a中所示设置在显示面板PN下方以与开口区域OA相对应,或者可以如图12b中所示设置在开口PN_H中以与显示面板PN的开口PN_H的侧面重叠。
组件CP可以包括电子组件。例如,组件CP可以是使用光或声音的电子元件。例如,电子元件可以包括用于接收和使用光的传感器(诸如红外传感器)、用于接收光以拍摄图像的相机、用于输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、用于输出光的小灯或者用于输出声音的扬声器。在基于光的电子元件的情况下,可以使用诸如可见光、红外光和紫外光的各种波段的光。在一些实施例中,开口区域OA可以被理解为能够将光和/或声音从组件CP输出到外部或者透射从外部朝向电子元件移动的光和/或声音的透射区域。
如图12a和图12b中所示,基板SUB可以包括与开口区域OA相对应的第一开口SUB_H。可替代地,如图12c中所示,基板SUB可以不包括第一开口SUB_H。组件CP可以如由虚线所示设置在显示面板PN下方,或者可以如由实线所示设置在显示面板PN的开口PN_H中。设置在显示面板PN下方的组件CP可以是使用光的电子元件。
图13是示出根据一个实施例的显示面板的一部分的平面图,并且示出了位于第五非显示区域中的线(例如,信号线)。
参考图13,辅助像素Pa和透射区域TA可以基于开口区域OA交替地设置在传感器区域TA中,并且第五非显示区域NDA5可以位于开口区域OA与传感器区域SA之间。
辅助像素Pa可以基于开口区域OA彼此间隔开。辅助像素Pa可以基于开口区域OA上下彼此间隔开,或者可以基于开口区域OA从左到右彼此间隔开。
将信号供应到辅助像素Pa的信号线当中的与开口区域OA相邻的信号线可以绕过开口区域OA。穿过传感器区域SA的数据线DL中的一些可以在第二方向DR2上延伸,以将数据信号提供到利用介于辅助像素Pa之间的开口区域OA上下设置的辅助像素Pa,并且可以在第五非显示区域NDA5中沿开口区域OA的边缘而绕过。
穿过传感器区域SA的扫描线SL中的一些可以在第一方向DR1上延伸,以将扫描信号提供到利用介于辅助像素Pa之间的开口区域OA从左到右设置的辅助像素Pa,并且可以在第五非显示区域NDA5中沿开口区域OA的边缘而绕过。
参考图8、图9和图14,该实施例与图9中所示的实施例的不同之处在于,开口区域OA进一步被包括在传感器区域SA的部分区域中,并且设置成围绕开口区域OA的第五非显示区域NDA5进一步包括用于防止漏光发生的防漏光壁PW。
更详细地,在主显示区域DA0中,第一像素限定层119可以覆盖第一像素电极221中的每一个的边缘。第一像素限定层119与第一像素电极221中的每一个重叠,并且包括限定像素的发光区域的第一开口OP1。
第一像素限定层119可以是黑色像素限定层(黑色PDL)。即,第一像素限定层119可以包括不透射光的黑色材料。例如,第一像素限定层119可以包括炭黑和有机绝缘材料。
第一像素限定层119可以包括间隔件120。间隔件120可以设置成在厚度方向上从第一像素限定层119的上表面突出。间隔件120可以具有棱锥体、棱柱体、截锥体、圆柱体、半球体和半椭球体中的任何一种形状。
间隔件120可以包括从苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种透明有机材料。
凹槽G可以形成在传感器区域SA的第五非显示区域NDA5中的基板SUB的一部分中。例如,可以通过去除基板SUB的一部分来形成凹槽G。凹槽G可以沿开口区域OA形成为在平面中具有同心圆形状。
凹槽G可以具有底切结构。凹槽G可以具有其中穿过基板SUB的部分的宽度大于穿过无机绝缘层(例如,缓冲层111和第一栅绝缘层112)的部分的宽度的底切结构。
防漏光壁PW可以设置成在第三方向DR3上与凹槽G重叠。根据一个实施例,防漏光壁PW可以设置成覆盖凹槽G的内表面,并且可以具有在第三方向DR3上在凹槽G的外围区域上突出的结构。
防漏光壁PW可以由与主显示区域DA0的第一像素限定层119的材料相同的材料形成。即,防漏光壁PW可以包括不透射光的黑色材料。例如,防漏光壁PW可以包括炭黑和有机绝缘材料。
第二像素限定层119’可以覆盖第二像素电极221’中的每一个的边缘。第二像素限定层119’与第二像素电极221’中的每一个重叠,并且包括限定像素的发光区域的第二开口OP2。
然而,与形成在主显示区域DA0中的第一像素限定层119不同,形成在传感器区域SA中的第二像素限定层119’可以不是黑色像素限定层(黑色PDL)。即,当需要特定值或更高值的透光率时,第二像素限定层119’可以由透明材料形成。
因此,第二像素限定层119’可以由与形成在主显示区域DA0中的间隔件120的材料相同的材料形成。即,第二像素限定层119’可以包括从苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种透明有机材料。
有机发光二极管OLED可以被薄膜封装层TFE覆盖,并且可以被保护免受外部颗粒或湿气的影响。薄膜封装层TFE可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。图14示出了薄膜封装层TFE包括第一无机封装层TFE1和第二无机封装层TFE3以及介于第一无机封装层TFE1和第二无机封装层TFE3之间的有机封装层TFE2。在另一实施例中,可以改变有机封装层的数量和无机封装层的数量以及有机封装层和无机封装层的堆叠顺序。
第一无机封装层TFE1和第二无机封装层TFE3可以包括一种或多种无机绝缘材料(诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅),并且可以通过化学气相沉积(CVD)等形成。有机封装层TFE2可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。
有机封装层TFE2可以通过在基板100上涂布单体并且然后使其硬化来形成,并且分隔壁500可以被提供在第五非显示区域NDA5中以控制单体的流动并确保单体(或有机封装层)的厚度。
例如,分隔壁500可以包括有机绝缘材料,并且可以是第一子壁部分至第三子壁部分510、520和530的堆叠结构。第一子壁部分至第三子壁部分510、520和530可以分别由与层间绝缘层115、平坦化层117和第二像素限定层221’的材料相同的材料形成。
第二无机封装层TFE3可以设置在有机封装层TFE2上。平坦化层610可以位于设置在开口区域OA与分隔壁500之间的第二无机封装层TFE3上。平坦化层610可以覆盖第五非显示区域NDA5的未被有机封装层TFE2覆盖的区域,从而提高开口区域OA附近的显示面板的平坦度。因此,当诸如抗反射构件或窗口的组件设置在显示面板PN上时,平坦化层610可以防止这些组件无法联接到显示面板PN、与显示面板PN分离或者与显示面板PN间隔开。
平坦化层610包括有机绝缘材料。平坦化层610可以包括光刻胶(例如,负性光刻胶或正性光刻胶)。
平坦化层610可以位于薄膜封装层TFE上。平坦化层610可以通过第二无机封装层TFE3在空间上与有机封装层TFE2分离。例如,有机封装层TFE2和平坦化层610可以在空间上彼此分离,就像平坦化层610设置在第二无机封装层TFE3上并且有机封装层TFE2设置在第二无机封装层TFE3下方的情况一样。
有机封装层TFE2和平坦化层610可以彼此不直接接触。平坦化层610可以具有5μm或更大的厚度。平坦化层610的一部分可以与有机封装层TFE2重叠。平坦化层610的第一端610E1可以延伸到有机封装层TFE2上以与有机封装层TFE2重叠。平坦化层610的第二端610E2面对开口区域OA。第二端610E2可以与基板100的端100E位于同一条线上。
参考图15,该实施例与图14中所示的实施例的不同之处在于,第二像素限定层119’包括第一区域119A和第二区域119B。
更详细地,第二像素限定层119’的第一区域119A可以形成为在第三方向DR3上与透射区域TA的边缘区域重叠。即,第一区域119A可以形成为在第三方向DR3上不与透射区域TA的中心区域重叠。
第二像素限定层119’的第二区域119B可以形成在透射区域TA的中心区域中以在第三方向DR3上与第一区域119A的部分区域重叠。第一区域119A的上表面和第二区域119B的上表面可以设置在同一平面上。
第一区域119A可以由与主显示区域DA0的第一像素限定层119的材料相同的材料形成。即,第一区域119A可以包括不透射光的黑色材料。例如,防漏光壁PW可以包括炭黑和有机绝缘材料。
第二区域119B可以与主显示区域DA0的间隔件120同时由与间隔件120的材料相同的材料形成。即,第二区域119B可以包括从苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种透明有机材料。
参考图16,该实施例与图14中所示的实施例的不同之处在于,形成在传感器区域SA的透射区域TA中的多个第二像素限定层119’中的至少一部分进一步包括堤部分BK_1和突出部分PT_1。
更详细地,在传感器区域SA中,第二像素限定层119’可以覆盖第二像素电极221’中的每一个的边缘。第二像素限定层119’与第二像素电极221’中的每一个重叠,并且包括限定像素的发光区域的第二开口OP2。第二像素限定层119’的至少一部分可以进一步包括堤部分BK_1和突出部分PT_1。
堤部分BK_1可以与形成在主显示区域DA0中的第一像素限定层119同时由与第一像素限定层119的材料相同的材料形成。即,堤部分BK_1可以包括不透射光的黑色材料。例如,第一像素限定层119可以包括炭黑和有机绝缘材料。
突出部分PT_1可以设置成在第三方向DR3上与堤部分BK_1重叠。即,突出部分PT_1可以形成为覆盖堤部分PK的上表面并且在第三方向DR3上突出。根据一个实施例,从基板SUB的上表面到突出部分PT_1的上表面的距离可以等于从基板SUB的上表面到形成在主显示区域DA0中的间隔件120的上表面的距离。
第二像素限定层119’的突出部分PT_1可以由与形成在主显示区域DA0中的间隔件120的材料相同的材料形成。即,第二像素限定层119’可以包括从苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种透明有机材料。
尽管已经基于本公开的实施例描述了本公开,但是这仅是示例性的并且不旨在限制本公开。本领域普通技术人员将理解,可以对实施例进行各种修改和应用,而不脱离根据本公开的实施例的本质特征。例如,本公开的实施例中所示的每个组件可以通过修改来实现。此外,与这样的修改和应用相关的差异应被解释为被包括在如所附权利要求中限定的本公开的范围内。
Claims (20)
1.一种显示装置,包括:
基板,包括包含主像素的显示区域以及包含辅助像素和透射区域的传感器区域;
第一阳极电极,设置成与所述主像素相对应;
第一像素限定层,限定部分地暴露所述第一阳极电极的开口;
间隔件,设置在所述第一像素限定层上并且在厚度方向上突出;
第二阳极电极,设置成与所述辅助像素相对应;以及
第二像素限定层,限定部分地暴露所述第二阳极电极的开口,
其中,所述间隔件和所述第二像素限定层由相同的材料同时形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一像素限定层包括炭黑和有机绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二像素限定层和所述间隔件包括从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种透明有机材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
组件,设置在所述透射区域下方,
其中,所述组件包括红外传感器、可见光传感器和声学传感器中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,一个所述透射区域的尺寸大于所述辅助像素的一个发光区域的尺寸。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,每单位面积的所述辅助像素的数量小于每单位面积的所述主像素的数量。
7.一种显示装置,包括:
基板,包括包含主像素的显示区域以及包含辅助像素和透射区域的传感器区域;
第一阳极电极,设置成与所述主像素相对应;
第一像素限定层,限定部分地暴露所述第一阳极电极的开口;
间隔件,设置在所述第一像素限定层上并且在厚度方向上突出;
第二阳极电极,设置成与所述辅助像素相对应;以及
第二像素限定层,限定部分地暴露所述第二阳极电极的开口,
其中,所述第二像素限定层包括堤部分以及覆盖所述堤部分并且在所述厚度方向上突出的突出部分,并且
所述第一像素限定层和所述堤部分由相同的材料同时形成。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第一像素限定层和所述堤部分包括炭黑和有机绝缘材料。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述突出部分和所述间隔件包括从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种透明有机材料。
10.根据权利要求7所述的显示装置,其中,从所述基板到所述突出部分的上表面的高度等于从所述基板到所述间隔件的上表面的高度。
11.根据权利要求7所述的显示装置,进一步包括:
组件,设置在所述透射区域下方,
其中,所述组件包括红外传感器、可见光传感器和声学传感器中的至少一种。
12.根据权利要求7所述的显示装置,其中,一个所述透射区域的尺寸大于所述辅助像素的一个发光区域的尺寸。
13.根据权利要求7所述的显示装置,其中,每单位面积的所述辅助像素的数量小于每单位面积的所述主像素的数量。
14.一种显示装置,包括:
基板,包括包含主像素的显示区域、包含辅助像素和透射区域的传感器区域以及形成在所述传感器区域中的开口区域,并且包括在所述传感器区域与所述开口区域之间的非显示区域;
第一阳极电极,设置成与所述主像素相对应;
第一像素限定层,限定部分地暴露所述第一阳极电极的开口;
第一间隔件,设置在所述第一像素限定层上;
第二阳极电极,设置成与所述辅助像素相对应;以及
第二像素限定层,限定部分地暴露所述第二阳极电极的开口,
其中,所述显示装置进一步包括:
防漏光壁,设置在所述非显示区域中并且沿所述开口区域形成,并且
所述第一像素限定层和所述防漏光壁由相同的材料同时形成。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述第一像素限定层和所述防漏光壁包括炭黑和有机绝缘材料。
16.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述第二像素限定层和所述间隔件包括从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂和苯酚树脂中选择的至少一种透明有机材料。
17.根据权利要求14所述的显示装置,进一步包括:
组件,设置在所述透射区域下方,
其中,所述组件包括红外传感器、可见光传感器和声学传感器中的至少一种。
18.根据权利要求14所述的显示装置,其中,一个所述透射区域的尺寸大于所述辅助像素的一个发光区域的尺寸。
19.根据权利要求14所述的显示装置,其中,每单位面积的所述辅助像素的数量小于每单位面积的所述主像素的数量。
20.根据权利要求14所述的显示装置,进一步包括:
薄膜封装层,覆盖所述显示区域和所述传感器区域,
其中,所述薄膜封装层包括顺序地堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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