CN113937134A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了显示装置。显示装置包括衬底、第一薄膜晶体管和第一显示元件、第二薄膜晶体管和第二显示元件、底部金属层和有机层，衬底包括主显示区域、具有透射区域的部件区域和在主显示区域外部的外围区域，第一薄膜晶体管和第一显示元件布置在主显示区域之上，第二薄膜晶体管和第二显示元件布置在部件区域之上，底部金属层布置在部件区域中的衬底与第二薄膜晶体管之间并且包括与透射区域对应的孔，有机层布置在透射区域中并且具有沿底部金属层的孔的边缘限定的孔图案。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年7月14日提交的第10-2020-0086918号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用特此并入，如同在本文中全面阐述一样。
技术领域
本发明的示例性实施方式总体上涉及显示装置及制造该显示装置的方法，并且更具体地，涉及具有改善的产品可靠性的显示装置及制造该显示装置的方法。
背景技术
近来，显示装置已变得越薄且越轻，而这扩大了显示装置的使用范围。
由于显示装置被以各种方式使用，所以存在了用于设计显示装置的形式的各种方法，并且可添加到显示装置的或与显示装置相关联的功能的数量已增加。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解本发明概念的背景，并且因此，它可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的示例性实施方式而构造的显示装置及制造该显示装置的方法即使在布置有作为电子元件的部件的区域中也能够显示图像。
本发明概念的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过该描述而显而易见，或者可通过实践本发明概念而习得。
根据一个或多个实施方式，显示装置包括衬底、第一薄膜晶体管和第一显示元件、第二薄膜晶体管和第二显示元件、底部金属层和有机层，其中衬底包括主显示区域、包括透射区域的部件区域和在主显示区域外部的外围区域，第一薄膜晶体管和第一显示元件布置在主显示区域之上，第二薄膜晶体管和第二显示元件布置在部件区域之上，底部金属层布置在部件区域中的衬底与第二薄膜晶体管之间并且包括与透射区域对应的孔，有机层布置在透射区域中并且具有沿底部金属层的孔的边缘限定的孔图案。
显示装置还可包括有机层的孔图案中的第一导电图案。
第一导电图案可包括镱(Yb)。
第一导电图案的厚度可为约50埃
至约200埃
显示装置还可包括位于第二薄膜晶体管的源电极和漏电极的各自的上表面上的第二导电图案。
第二导电图案可包括钛(Ti)。
第二导电图案可包括与源电极和漏电极的各自的最上层相同的材料。
有机层可包括布置在第一显示元件和第二显示元件的各自的发射层下的第一功能层和布置在各自的发射层上的第二功能层中的至少一个。
有机层的孔图案可具有线形状并且可为沿底部金属层的孔的边缘连续或不连续的。
有机层的孔图案可包括沿底部金属层的孔的边缘的以一定间距布置的多个岛型孔图案。
有机层的孔图案可具有底部金属层的孔的形状。
显示装置还可包括布置在透射区域中的衬底与有机层之间的无机层。
衬底可包括包含有有机材料的第一基础层、包括无机材料并且布置在第一基础层上的第一阻挡层、包括有机材料并且布置在第一阻挡层上的第二基础层以及包括无机材料并且布置在第二基础层上的第二阻挡层。
有机层可位于第二阻挡层上。
底部金属层可包括具有自衬底的上表面起的第一厚度的第一金属层和具有自第一金属层的上表面起的第二厚度的第二金属层，第二厚度可大于第一厚度。
根据一个或多个实施方式，显示装置包括衬底、底部金属层、至少一个绝缘层、像素电极、发射层、有机层和相对电极，其中衬底包括主显示区域、包括透射区域的部件区域和在主显示区域外部的外围区域，底部金属层布置在衬底的部件区域中并且包括与透射区域对应的孔，至少一个绝缘层布置在底部金属层上并且包括与透射区域对应的孔，像素电极布置在至少一个绝缘层上，发射层位于像素电极上，有机层包括布置在发射层下且在透射区域中的第一功能层以及布置在发射层上且在透射区域中的第二功能层，相对电极面对像素电极并且布置在有机层上，其中，在透射区域中，有机层具有沿底部金属层的孔的边缘限定的孔图案。
显示装置还可包括有机层的孔图案中的第一导电图案。
第一导电图案可包括镱(Yb)。
显示装置还可包括第二导电图案，其中第二导电图案与底部金属层重叠并且布置在薄膜晶体管的源电极和漏电极的各自的上表面上，薄膜晶体管布置在底部金属层与像素电极之间。
第二导电图案可包括钛(Ti)。
有机层的孔图案可具有线形状或底部金属层的孔的形状。
有机层的孔图案可为沿底部金属层的孔的边缘连续或不连续的。
应理解，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本发明的进一步理解以及被并入说明书中并且构成本说明书的一部分的附图，示出了本发明的示例性实施方式并且与描述一同用于解释本发明概念。
图1是示意性地示出根据示例性实施方式的显示装置的透视图。
图2是示意性地示出根据示例性实施方式的显示装置的一部分的剖面视图。
图3是示意性地示出根据示例性实施方式的显示面板的平面视图。
图4和图5分别是根据示例性实施方式的用于驱动第一子像素和第二子像素的像素电路的等效电路图。
图6是示意性地示出根据示例性实施方式的主显示区域中的像素布置结构的布局图。
图7A、图7B、图7C和图7D是示意性地示出根据示例性实施方式的部件区域中的像素布置结构的布局图。
图8A、图8B、图8C、图8D、图8E、图9A、图9B、图9C、图9D、图9E、图9F和图9G是示意性地示出根据示例性实施方式的布置在部件区域中的底部金属层的形状的平面视图。
图10A、图10B、图10C、图10D、图10E和图10F是示意性地示出根据示例性实施方式的制造显示装置的方法的剖面视图。
图11A、图11B、图11C、图11D和图11E是示意性地示出根据示例性实施方式的制造显示装置的方法的剖面视图。
图12是示意性地示出根据示例性实施方式的在部件区域中形成的孔图案的形状的平面视图。
图13A、图13B和图13C是示意性地示出根据示例性实施方式的制造显示装置的方法的剖面视图。
图14A、图14B、图14C、图14D和图14E是示意性地示出根据示例性实施方式的制造显示装置的方法的剖面视图。
图15A、图15B和图15C是示意性地示出根据示例性实施方式的制造显示装置的方法的剖面视图。
图16和图17是示意性地示出根据示例性实施方式的显示装置的透射区域的剖面视图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对本发明的各种示例性实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中所使用的，“实施方式”和“实现方式”为可互换的词，它们是采用本文中所公开的本发明概念中的一种或多种的装置或方法的非限制性实例。然而，显而易见的是，各种示例性实施方式可在没有具体细节的情况下或者在一个或多个等同布置的情况下实践。在其它实例中，公知的结构和装置以框图形式示出以避免不必要地混淆各种示例性实施方式。另外，各种示例性实施方式可为不同的，但是不必是排他的。例如，在不背离本发明概念的情况下，示例性实施方式的具体形状、配置和特性可使用或实现在另一示例性实施方式中。
除非另有说明，否则所示的示例性实施方式应被理解为提供可在实践中实现本发明概念的一些方式的变化细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则各种实施方式的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中单独称为或统称为“元件”)可在不背离本发明概念的情况下以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
交叉影线和/或阴影在附图中的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。由此，除非说明，否则无论交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对特定材料、材料性能、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性能等的任何偏好或要求。另外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，元件的大小和相对大小可被夸大。当示例性实施方式可不同地实现时，可与所描述的顺序不同地执行具体工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。此外，相似的附图标记表示相似的元件。
当元件(诸如，层)被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，该元件(诸如，层)可直接在另一元件或层上、连接到或联接到另一元件或层，或者可存在有中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可是指在具有或不具有中间元件的情况下的物理、电气和/或流体连接。另外，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可被解释为更广泛的意义。例如，D1轴、D2轴和D3轴可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同方向。为了这种公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z构成的集群中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
虽然术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被称为第二元件。
空间相对术语，诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“下(under)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”、“之上(over)”、“更高(higher)”和“侧(side)”(例如，如在“侧壁(sidewall)”中)等，可在本文中出于描述性目的使用，并且因此，用以描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。除了附图中描绘的取向以外，空间相对术语还旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随后被取向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”能涵盖上方和下方的取向这两者。此外，设备可以其它方式取向(例如，旋转90度或以其它取向)，并且由此，本文中所使用的空间相对描述词被相应地解释。
本文中所使用的术语是出于描述特定实施方式的目的，而不旨在限制。除非上下文另有清楚指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。此外，当术语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时说明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或添加。还要注意的是，如本文中所使用的，术语“基本上(substantially)”、“约(about)”以及其他相似术语用作近似的术语而不是程度的术语，并且由此，被利用以考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
本文中参照作为理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意性图示的剖面图示和/或分解图示对各种示例性实施方式进行描述。由此，由例如制造技术和/或公差的结果所导致的图示的形状的变化将被预料。因此，本文中所公开的示例性实施方式不应必须被解释为限于特定所示的区的形状，而是包括由例如制造而导致的形状上的偏差。在这种方式下，附图中所示的区本质上可为示意性的，并且这些区的形状可不反映装置的区的实际形状，并且由此不必须旨在限制。
除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属技术领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在本文中明确地这样限定，否则术语，诸如常用词典中限定的那些，应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的含义来解释。
如本文中所使用的，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同方向。
图1是示意性地示出根据示例性实施方式的显示装置1的透视图。
参照图1，显示装置1包括显示区域DA和在显示区域DA外部的外围区域DPA。显示区域DA包括部件区域CA和至少部分围绕部件区域CA的主显示区域MDA。部件区域CA和主显示区域MDA可单独或一起显示图像。外围区域DPA可为未布置有显示元件的非显示区域。显示区域DA可被外围区域DPA完全围绕。
图1示例性地示出了位于主显示区域MDA中的一个部件区域CA。根据另一实施方式，显示装置1可具有两个或更多个部件区域CA，并且多个部件区域CA的形状和大小可彼此不同。当从基本上垂直于显示装置1的上表面的方向(例如，方向z)观看时，部件区域CA可具有各种形状，诸如圆形形状、椭圆形形状、多边形形状(诸如四边形形状、六角形形状或八角形形状)、星形形状或菱形形状。尽管图1示例性地示出了当从基本上垂直于显示装置1的上表面的方向观看时，布置在具有基本上四边形形状的主显示区域MDA的上部中心(方向+y)中的部件区域CA，但是在其它示例性实施方式中，部件区域CA可布置在具有四边形形状的主显示区域MDA的一侧(例如，右上侧或左上侧)上。
显示装置1可通过使用布置在主显示区域MDA中的多个第一子像素Pm和布置在部件区域CA中的多个第二子像素Pa来提供图像。
如下面参照图2所描述的，在部件区域CA中，作为电子元件的部件40可布置在显示面板10下方以对应于部件区域CA。部件40可为使用红外线或可见光的相机，并且可包括成像装置。替代性地，部件40可为太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近传感器或虹膜传感器。部件40可附加地接收声音或者替代性地可接收声音。部件区域CA可包括能够将从部件40输出的光和/或声音透射到外部或者使来自外部的光和/或声音朝向部件40行进的透射区域TA。在根据示例性实施方式的显示面板10和包括其的显示装置1中，当光透射过部件区域CA时，透光率可为约10％或更大，并且更具体地，可为40％或更大、25％或更大、50％或更大、85％或更大、或90％或更大。
多个第二子像素Pa可布置在部件区域CA中。多个第二子像素Pa可通过发射光来提供一定图像。在部件区域CA中显示的图像是辅助图像，并且可具有比在主显示区域MDA中显示的图像更低的分辨率。更具体地，部件区域CA包括能够透射光和声音的透射区域TA。在一些示例性实施方式中，当透射区域TA中没有布置第二子像素Pa时，每单位面积中可布置的第二子像素Pa的数量可小于主显示区域MDA中每单位面积中布置的第一子像素Pm的数量。
图2是根据示例性实施方式的显示装置1的剖面视图。
参照图2，显示装置1可包括显示面板10和与显示面板10重叠的部件40。在一些示例性实施方式中，保护显示面板10的覆盖窗可进一步布置在显示面板10上。
显示面板10包括与部件40重叠的部件区域CA和显示主图像的主显示区域MDA。显示面板10可包括衬底100、位于衬底100上的显示层DISL、封装构件ENCM、触摸屏层TSL和位于显示层DISL上的光学功能层OFL。在衬底100下可布置有面板保护构件PB。
显示层DISL可包括像素电路、作为显示元件的有机发光二极管OLED、缓冲层BL和绝缘层IL，像素电路包括第一子像素Pm和第二子像素Pa中的每个的薄膜晶体管TFT。封装构件ENCM可包括薄膜封装层TFEL或密封衬底(未示出)。
衬底100可包括绝缘材料，诸如玻璃、石英和聚合物树脂。衬底100可为刚性衬底或可弯折、可折叠或可卷曲的柔性衬底。
未布置有薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED的透射区域TA可布置在部件区域CA中。透射区域TA可为从与部件区域CA对应的部件40发射的光/信号或入射到部件40的光/信号被透射的区域。
在部件区域CA中，可布置有底部金属层BML。底部金属层BML可对应于像素电路的下部部分。例如，底部金属层BML可布置在薄膜晶体管TFT与衬底100之间。底部金属层BML可防止外部光到达薄膜晶体管TFT。在一些示例性实施方式中，可将恒定电压或信号施加到底部金属层BML。
显示层DISL可被薄膜封装层TFEL覆盖或可被密封衬底覆盖。在一些示例性实施方式中，薄膜封装层TFEL可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据示例性实施方式，薄膜封装层TFEL可包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及第一无机封装层131与第二无机封装层133之间的有机封装层132。
第一无机封装层131和第二无机封装层133可包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的一种或多种无机绝缘材料。有机封装层132可包括聚合物基材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。
当显示层DISL被密封衬底(未示出)密封时，在显示层DISL位于其间的情况下，密封衬底可面对衬底100。在这种情况下，在密封衬底与显示层DISL之间可形成间隙。密封衬底可包括玻璃。包括玻璃料等的密封剂可布置在衬底100与密封衬底之间，并且密封剂可布置在上述外围区域DPA中。布置在外围区域DPA中同时围绕显示区域DA的密封剂可防止湿气的横向渗透。
触摸屏层TSL可根据外部输入(例如，触摸事件)来获得坐标信息。触摸屏层TSL可包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸线。触摸屏层TSL可根据自电容方法或互电容方法来感测外部输入。
触摸屏层TSL可形成在薄膜封装层TFEL上。替代性地，触摸屏层TSL可单独地形成在触摸衬底上，并且然后通过诸如光学透明粘合剂(Optically Clear Adhesive，OCA)的粘合层结合到薄膜封装层TFEL。根据示例性实施方式，触摸屏层TSL可直接形成在薄膜封装层TFEL上，并且在这种情况下，触摸屏层TSL与薄膜封装层TFEL之间可没有粘合层。
光学功能层OFL可包括抗反射层。抗反射层可降低从外部朝向显示装置1入射的光(例如，外部光)的反射率。
在一些示例性实施方式中，光学功能层OFL可包括偏振膜。光学功能层OFL可具有与透射区域TA对应的开口OFL_OP。在这种方式下，可显著改善透射区域TA中的透光率。可通过透明材料(诸如光学透明树脂(Optically Clear Resin，OCR))来填充开口OFL_OP。
在一些示例性实施方式中，光学功能层OFL可包括包含有黑色矩阵和滤色器的滤光板。
在一些示例性实施方式中，光学功能层OFL还可包括在抗反射层上的多层结构。多层结构可包括第一层和第一层上的第二层。第一层和第二层可包括有机绝缘材料，并且可具有彼此不同的折射率。例如，第二层的折射率可大于第一层的折射率。
在显示面板10上可布置有覆盖窗(未示出)以保护显示面板10。光学功能层OFL可通过OCA附接到覆盖窗，或者可通过OCA附接到触摸屏层TSL。
面板保护构件PB可附接到衬底100的下部部分以支撑和保护衬底100。面板保护构件PB可包括与部件区域CA对应的开口PB_OP。由于面板保护构件PB包括开口PB_OP，所以可改善部件区域CA中的透光率。面板保护构件PB可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)或聚酰亚胺(Polyimide，PI)。
部件区域CA可具有比布置有部件40的面积更大的面积。相应地，包括在面板保护构件PB中的开口PB_OP的面积可不同于部件区域CA的面积。
在一些示例性实施方式中，多个部件40可布置在部件区域CA中。多个部件40可具有彼此不同的功能。例如，多个部件40可包括相机(成像装置)、太阳能电池、闪光灯、接近传感器、照度传感器和虹膜传感器之中的至少两种，但是不限于此。
图3是示意性地示出根据示例性实施方式的显示面板10的平面视图。
参照图3，形成显示面板10的各种元件布置在衬底100上。衬底100包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域DPA。显示区域DA包括显示主图像的主显示区域MDA和包括透射区域TA并且显示辅助图像的部件区域CA。辅助图像可与主图像一起显示单个图像，或者可显示独立于主图像的图像。
多个第一子像素Pm布置在主显示区域MDA中。多个第一子像素Pm可各自包括诸如有机发光二极管OLED的显示元件。每个第一子像素Pm可发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。主显示区域MDA可被封装构件覆盖，并且因此可免受环境空气或湿气等的影响。
如以上所描述的，部件区域CA可位于主显示区域MDA的一侧上，或者可布置在显示区域DA内部并且被主显示区域MDA围绕。多个第二子像素Pa布置在部件区域CA中。多个第二子像素Pa可各自包括诸如有机发光二极管OLED的显示元件。每个第二子像素Pa可发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。部件区域CA可被封装构件覆盖，并且因此可免受环境空气或湿气等的影响。
部件区域CA可具有透射区域TA。透射区域TA可围绕多个第二子像素Pa。替代性地，透射区域TA可与多个第二子像素Pa布置为网格。
因为部件区域CA具有透射区域TA，所以部件区域CA的分辨率可低于主显示区域MDA的分辨率。例如，部件区域CA的分辨率可为主显示区域MDA的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9或1/16。例如，主显示区域MDA的分辨率可为约400ppi或更大，并且部件区域CA的分辨率可为约200ppi或约100ppi。
配置为驱动第一子像素Pm和第二子像素Pa的多个像素电路可各自电连接到布置在外围区域DPA中的外围电路。在外围区域DPA中可布置有第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、端子部分PAD、驱动电压供给线11和公共电压供给线13。
第一扫描驱动电路SDRV1可通过扫描线SL将扫描信号施加到用于驱动第一子像素Pm和第二子像素Pa的多个像素电路中的每个。第一扫描驱动电路SDRV1可通过发射控制线EL将发射控制信号施加到每个像素电路。第二扫描驱动电路SDRV2可设置成相对于主显示区域MDA与第一扫描驱动电路SDRV1相对，并且可设置成基本上平行于第一扫描驱动电路SDRV1。用于主显示区域MDA中的第一子像素Pm的多个像素电路中的一些可电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，并且其余的像素电路可电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。用于部件区域CA中的第二子像素Pa的多个像素电路中的一些可电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，并且其余的像素电路可电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。在一些示例性实施方式中，可省略第二扫描驱动电路SDRV2。
端子部分PAD可布置在衬底100的一侧上。端子部分PAD可不被绝缘层覆盖，而是可被暴露并且连接到显示电路板30。在显示电路板30上可布置有显示驱动器32。
显示驱动器32可生成被传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动器32可生成数据信号，并且所生成的数据信号可通过扇出线FW和连接到扇出线FW的数据线DL被传输到第一子像素Pm和第二子像素Pa的各像素电路。
显示驱动器32可将驱动电压ELVDD供给到驱动电压供给线11，并且可将公共电压ELVSS供给到公共电压供给线13。驱动电压ELVDD可通过连接到驱动电压供给线11的驱动电压线PL被施加到第一子像素Pm和第二子像素Pa的各像素电路，并且公共电压ELVSS可通过公共电压供给线13被施加到显示元件的相对电极。
驱动电压供给线11可连接到端子部分PAD并且可在主显示区域MDA的下侧下方在一个方向(例如，x轴方向)上延伸。公共电压供给线13可连接到端子部分PAD，并且可具有其一侧是开放的环形形状，以部分围绕主显示区域MDA。
图4和图5各自示出了根据示例性实施方式的配置为驱动第一子像素Pm或第二子像素Pa的像素电路PC的等效电路图。
参照图4，像素电路PC可连接到发光装置以实现第一子像素Pm或第二子像素Pa的发射。发光装置可为有机发光二极管OLED。像素电路PC包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2和电容器Cst。开关晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且配置为根据经由扫描线SL输入的扫描信号Sn，将经由数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动晶体管T1。
电容器Cst连接到开关晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关晶体管T2接收的电压和供给到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差异对应的电压。
驱动晶体管T1连接到驱动电压线PL和电容器Cst，并且可响应于存储在电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可根据驱动电流发射具有一定亮度的光。
尽管图4示例性地示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个电容器，但是本发明概念不限于此。
参照图5，像素电路PC可包括第一晶体管T1至第七晶体管T7，并且根据晶体管的类型(p型或n型)和/或操作条件，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的每个的第一端子可为源极端子或漏极端子，并且第二端子可为与第一端子不同的端子。例如，第一端子可为源极端子，并且第二端子可为漏极端子。
像素电路PC可连接到配置为传输第一扫描信号Sn的第一扫描线SL、配置为传输第二扫描信号Sn-1的第二扫描线SL-1、配置为传输第三扫描信号Sn+1的第三扫描线SL+1、配置为传输发射控制信号En的发射控制线EL、配置为传输数据信号Dm的数据线DL、配置为传输驱动电压ELVDD的驱动电压线PL以及配置为传输初始化电压Vint的初始化电压线VL。
第一晶体管T1包括连接到第二节点N2的栅极端子、连接到第一节点N1的第一端子和连接到第三节点N3的第二端子。第一晶体管T1用作驱动晶体管，并且根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并且因此将驱动电流供给到发光装置。发光装置可为有机发光二极管OLED。
第二晶体管T2(例如，开关晶体管)包括连接到第一扫描线SL的栅极端子、连接到数据线DL的第一端子和连接到第一节点N1(或第一晶体管T1的第一端子)的第二端子。第二晶体管T2可根据经由第一扫描线SL接收的第一扫描信号Sn而导通，以执行用于将经由数据线DL接收的数据信号Dm传输到第一节点N1的开关操作。
第三晶体管T3(例如，补偿晶体管)包括连接到第一扫描线SL的栅极端子、连接到第二节点N2(或第一晶体管T1的栅极端子)的第一端子和连接到第三节点N3(或第一晶体管T1的第二端子)的第二端子。第三晶体管T3可根据经由第一扫描线SL接收的第一扫描信号Sn而导通，从而二极管连接第一晶体管T1以补偿第一晶体管T1的阈值电压。第三晶体管T3可具有两个或更多个晶体管串联连接的结构。
第四晶体管T4(例如，第一初始化晶体管)包括连接到第二扫描线SL-1的栅极端子、连接到初始化电压线VL的第一端子和连接到第二节点N2的第二端子。第四晶体管T4可根据经由第二扫描线SL-1接收到的第二扫描信号Sn-1导通，以通过将初始化电压Vint传输到第一晶体管T1的栅极端子来初始化第一晶体管T1的栅电极电压。第四晶体管T4可具有两个或更多个晶体管串联连接的结构。
第五晶体管T5(例如，第一发射控制晶体管)包括连接到发射控制线EL的栅极端子、连接到驱动电压线PL的第一端子和连接到第一节点N1的第二端子。第六晶体管T6(例如，第二发射控制晶体管)包括连接到发射控制线EL的栅极端子、连接到第三节点N3的第一端子和连接到有机发光二极管OLED的像素电极的第二端子。第五晶体管T5和第六晶体管T6可根据经由发射控制线EL接收的发射控制信号En同时导通，以使得电流流过有机发光二极管OLED。
第七晶体管T7(例如，第二初始化晶体管)包括连接到第三扫描线SL+1的栅极端子、与第六晶体管T6的第二端子和有机发光二极管OLED的像素电极连接的第一端子以及连接到初始化电压线VL的第二端子。第七晶体管T7可根据经由第三扫描线SL+1接收的第三扫描信号Sn+1而导通，以通过将初始化电压Vint传输到有机发光二极管OLED的像素电极来初始化有机发光二极管OLED的像素电极的电压。在一些示例性实施方式中，可省略第七晶体管T7。
电容器Cst包括连接到第二节点N2的第一电极和连接到驱动电压线PL的第二电极。
有机发光二极管OLED包括像素电极和面对像素电极的相对电极，并且相对电极可接收公共电压ELVSS。有机发光二极管OLED可从第一晶体管T1接收驱动电流，并且因此可发射一定颜色的光，从而显示图像。相对电极可公共地被提供，诸如在多个子像素中一体地形成。
尽管图5示例性地示出了第四晶体管T4和第七晶体管T7分别连接到第二扫描线SL-1和第三扫描线SL+1，但是本发明概念不限于此。根据另一示例性实施方式，第四晶体管T4和第七晶体管T7这两者可连接到第二扫描线SL-1并且根据第二扫描信号Sn-1被驱动。另外，在图5中，第二晶体管T2和第三晶体管T3示例性地示出为连接到同一第一扫描线SL，但是在另一示例性实施方式中，第二晶体管T2和第三晶体管T3可分别连接到不同的扫描线并且被驱动。
配置为驱动第一子像素Pm和第二子像素Pa的各自的像素电路PC可彼此相同或不同。例如，配置为驱动第一子像素Pm的像素电路PC和配置为驱动第二子像素Pa的像素电路PC中的每个可用图5中所示的像素电路PC来被提供。根据另一示例性实施方式，配置为驱动第一子像素Pm的像素电路PC可采用图5中所示的像素电路PC，并且配置为驱动第二子像素Pa的像素电路PC可采用图4中所示的像素电路PC，或者反之亦然。
在图4和图5中，像素电路PC的晶体管示例性地示出为P型晶体管，但是本发明概念不限于此。例如，在其它示例性实施方式中的像素电路的晶体管可为N型晶体管，或者一些晶体管可为P型晶体管，并且其它晶体管可为N型晶体管。
图6是示意性地示出根据示例性实施方式的主显示区域MDA中的像素布置结构的布局图。
参照图6，多个第一子像素Pm可布置在主显示区域MDA中。如本文中所使用的，子像素是指作为用于实现图像的最小单元的发射区域。当采用有机发光二极管作为显示元件时，子像素的发射区域可由发射层或像素定义层的开口来限定。这将在下面更详细地描述。
如图6中所示，设置在主显示区域MDA中的多个第一子像素Pm可以pentile结构布置。多个第一子像素Pm可包括红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb，并且红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可分别实现红色、绿色和蓝色的颜色。
红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可交替地布置在每行(例如，1N、2N等)的第一子行1SN中，绿色子像素Pg可在邻近的第二子行2SN中以预定的间距间隔开，并且这种像素布置可重复直至第N行。蓝色子像素Pb和红色子像素Pr可大于绿色子像素Pg。布置在第一子行1SN中的红色子像素Pr和蓝色子像素Pb以及布置在第二子行2SN中的绿色子像素Pg可相对于彼此交错。相应地，红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可交替地布置在第一列1M中，绿色子像素Pg可在邻近的第二列2M中以预定的间距间隔开，蓝色子像素Pb和红色子像素Pr可交替地布置在邻近的第三列3M中，绿色子像素Pg可在邻近的第四列4M中以预定的间距间隔开，并且这种像素布置可重复直至第M列。
更具体地，红色子像素Pr布置在虚拟四边形VS的顶点之中的彼此面对的第一顶点和第三顶点上，绿色子像素Pg在虚拟四边形VS中位于虚拟四边形VS的中心处，并且蓝色子像素Pb布置在作为其它顶点的第二顶点和第四顶点上。在一些示例性实施方式中，虚拟四边形VS可不同地修改为矩形、菱形、正方形等。
上述像素布置结构被称为pentile矩阵结构或pentile结构。在这种方式下，通过应用渲染，凭借少量像素而获得了高分辨率，且在该渲染中，像素的颜色通过共享它的邻近的像素的颜色来表示。
尽管图6示例性地示出了第一子像素Pm以pentile结构布置，但是本发明概念不限于此。例如，在一些示例性实施方式中，第一子像素Pm可以各种形状布置，诸如条纹结构、马赛克布置结构和三角洲布置结构。
图7A至图7D是示意性地示出根据示例性实施方式的部件区域CA中的像素布置结构的布局图。
参照图7A，多个第二子像素Pa可布置在部件区域CA中。多个第二子像素Pa可包括红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb，并且红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可分别实现红色、绿色和蓝色的颜色。
部件区域CA可具有子像素区域ADA和透射区域TA。子像素区域ADA可为布置有第二子像素Pa的区域。在子像素区域ADA中可布置有包括至少一个第二子像素Pa的像素组PG。子像素区域ADA和透射区域TA可在一个方向(例如，x轴方向)和另一方向(例如，y轴方向)上交替地布置，并且例如，可布置为网格。在这种情况下，部件区域CA可具有多个子像素区域ADA和多个透射区域TA。连接到像素组PG的第二子像素Pa的像素电路可布置在子像素区域ADA中。
像素组PG可限定为第二子像素Pa以预设单位来分组的子像素的集合。例如，如图7A中所示，一个像素组PG可包括以pentile结构布置的八个第二子像素Pa。更具体地，根据所示的示例性实施方式的一个像素组PG可包括两个红色子像素Pr、四个绿色子像素Pg和两个蓝色子像素Pb。
在部件区域CA中，分组有预定数量的像素组PG和预定数量的透射区域TA的基本单元U可在x轴方向和y轴方向上重复布置。在图7A中，基本单元U可具有以下形状：两个像素组PG和两个邻近的透射区域TA以四边形形状被分组。基本单元U是指对重复形状的分割，并且不意味着配置的断开。
如图6中所示，可在主显示区域MDA中设定具有与基本单元U的面积相同的面积的对应单元U′。在这种情况下，包括在对应单元U′中的第一子像素Pm的数量可大于包括在基本单元U中的第二子像素Pa的数量。例如，包括在基本单元U中的第二子像素Pa的数量可为16，并且包括在对应单元U′中的第一子像素Pm的数量可为32。由此，可以1:2的比率来提供每相同面积所布置的第二子像素Pa的数量和第一子像素Pm的数量。
与主显示区域MDA中的第一子像素Pm的布置类似，四个第二子像素Pa可分别布置在虚拟四边形VS'的顶点上。部件区域CA的分辨率是主显示区域MDA的分辨率的1/2，并且部件区域CA的像素布置结构可被称为1/2pentile结构。包括在像素组PG中的第二子像素Pa的数量或布置可根据部件区域CA的分辨率来修改。
参照图7B，部件区域CA的像素布置结构可具有1/4pentile结构。在所示的示例性实施方式中，八个第二子像素Pa以pentile结构布置在像素组PG中，但是仅一个像素组PG可被包括在该基本单元U中。基本单元U的剩余区域可被提供为透射区域TA。相应地，可以1:4的比率来提供每相同面积所布置的第二子像素Pa的数量和第一子像素Pm的数量。在这种情况下，一个像素组PG可被透射区域TA围绕。
尽管图7A和图7B示例性地示出了第二子像素Pa具有与图6的第一子像素Pm的大小相同的大小，但是本发明概念不限于此。在一些示例性实施方式中，第二子像素Pa的大小可大于发射相同颜色的第一子像素Pm的大小。例如，第二子像素Pa的蓝色子像素Pb的大小可大于第一子像素Pm的蓝色子像素Pb的大小。可基于部件区域CA与主显示区域MDA之间的亮度和/或分辨率的差异来确定大小的差异。
另外，尽管图7A和图7B示例性地示出了第二子像素Pa以pentile结构布置，但是本发明概念不限于此。例如，第二子像素Pa可以诸如条纹结构、马赛克布置结构和三角洲布置结构的各种形状来布置。
图7C示例性地示出了呈S条纹结构的第二子像素Pa的布置。在所示的示例性实施方式中，一个像素组PG可包括包含有一个红色子像素Pr、一个绿色子像素Pg和一个蓝色子像素Pb的总共三个第二子像素Pa。红色子像素Pr和绿色子像素Pg可具有带有在x轴方向上的长边的四边形形状，并且蓝色子像素Pb可具有带有在y轴方向上的长边的四边形形状。蓝色子像素Pb在y轴方向上的长度可等于或大于红色子像素Pr在y轴方向上的长度与绿色子像素Pg在y轴方向上的长度之和。相应地，蓝色子像素Pb的大小可大于红色子像素Pr和绿色子像素Pg的大小。图7C示例性地示出了基本单元U仅包括一个像素组PG，但是在其它示例性实施方式中，基本单元U可包括两个或更多个像素组PG。在其它示例性实施方式中，包括在像素组PG中的第二子像素Pa的面积也可进行各种修改。
如图7D中所示，根据示例性实施方式的包括在一个像素组PG中的第二子像素Pa可包括包含有两个红色子像素Pr、四个绿色子像素Pg和两个蓝色子像素Pb的总共八个第二子像素Pa。绿色子像素Pg可具有带有在x轴方向上的长边的四边形形状，并且红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可具有带有在y轴方向上的长边的四边形形状。蓝色子像素Pb在y轴方向上的长度可大于红色子像素Pr在y轴方向上的长度。红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可在绿色子像素Pg位于其间的情况下彼此面对。
图8A至图8E和图9A至图9G是示意性地示出根据示例性实施方式的可布置在部件区域CA中的底部金属层BML的形状的平面视图。
参照图8A至图8E，底部金属层BML可对应于部件区域CA并且可包括底部孔BMLH。底部孔BMLH可为与透射区域TA对应的通孔。底部金属层BML和底部孔BMLH可具有各种形状和大小。
参照图8A，底部孔BMLH可具有四边形形状，并且底部孔BMLH可不对应于像素组PG。在这种情况下，透射区域TA的形状和大小可由底部孔BMLH的形状和大小来限定。在平面视图中，可为每个基本单元U提供两个底部孔BMLH，并且底部孔BMLH可与像素组PG交替地布置。
参照图8B和图8C，底部孔BMLH可具有圆形形状。当透射区域TA几乎为圆形时，可改善光的衍射特性。由此，当布置在部件区域CA下方的部件是相机时，透射区域TA可几乎为圆形。底部孔BMLH可具有带有接近圆形形状或椭圆形形状的八个或更多个边的多边形形状。底部孔BMLH可具有各种修改，例如，在像素组PG之间可存在一个或多个底部孔BMLH，如图8C中所示。
参照图8D，底部孔BMLH可包括彼此具有不同形状的第一底部孔BMLH1和第二底部孔BMLH2。第一底部孔BMLH1和第二底部孔BMLH2的平面形状和/或面积(或宽度)可彼此不同。图8D示例性地示出了第一底部孔BMLH1具有四边形形状，并且第二底部孔BMLH2具有圆形形状，但是本发明概念不限于此。
在图8A至图8D中，连接两个像素组PG的线可布置在像素组PG之间，并且可不对应于底部孔BMLH。
参照图8E，底部金属层BML可包括与像素组PG对应的第一底部金属层BMLa和与布置在像素组PG之间的线WL对应的第二底部金属层BMLb。第二底部金属层BMLb的宽度可小于第一底部金属层BMLa的宽度，并且可一体地提供第一底部金属层BMLa和第二底部金属层BMLb。相应地，底部孔BMLH可具有基本上“+”形状。由于底部金属层BML对应于线WL，所以可防止由于线WL之间形成的狭缝而导致的光的衍射。图8E示例性地示出了四个基本单元U。
底部孔BMLH可具有弯曲边缘。底部孔BMLH可具有带有平滑边缘的弯曲形状，或者可具有不规则的不均匀度(粗糙度)。在一些示例性实施方式中，底部孔BMLH的边缘可作为整体(或宏观)弯曲，并且可局部(或微观)具有不规则的不均匀度(粗糙度)。
参照图9A至图9E，底部孔BMLH可包括彼此具有不同形状的第一底部孔BMLH1和第二底部孔BMLH2。图9A示例性地示出与第二子像素Pa对应的底部金属层BML。在图9B至图9E中，省略了第二子像素Pa的图示。
如图9A至图9C中所示，第一底部孔BMLH1可具有基本上十字形状，并且第二底部孔BMLH2可具有基本上菱形形状。在另一示例性实施方式中，如图9D中所示，第一底部孔BMLH1可具有基本上菱形形状，并且第二底部孔BMLH2可具有基本上十字形状。多个第一底部孔BMLH1可围绕第二底部孔BMLH2。
如图9A至图9D中所示，第一底部孔BMLH1和第二底部孔BMLH2的边缘可为弯曲的，并且可具有不规则的不均匀度(粗糙度)。在另一示例性实施方式中，如图9E中所示，第一底部孔BMLH1和第二底部孔BMLH2的边缘可平滑地弯曲。
如图8A至图9E中所示，在透射区域TA中沿底部金属层BML的底部孔BMLH的边缘或透射区域TA的边缘可形成孔图案HP。孔图案HP可为具有与底部孔BMLH的形状对应的形状的线性图案。孔图案HP可为在透射区域TA中的有机层中限定的孔。有机层可包括布置在发射层上和/或下的功能层。
如图8A至图8E和图9A至图9E中所示，孔图案HP可为连续图案。在另一示例性实施方式中，孔图案HP可为不连续图案。例如，如图9F中所示，孔图案HP可部分地形成在透射区域TA中以与底部金属层BML的底部孔BMLH的一部分对应。替代性地，如图9G中所示，在透射区域TA中可沿底部金属层BML的底部孔BMLH的边缘以预定间距形成多个岛型孔图案HP。图9F和图9G示例性地示出了在图9A的底部金属层BML的底部孔BMLH周围的不连续的孔图案。类似地，如图9F和图9G中所示，可在图8A至图8E和图9B至图9E中所示的底部金属层BML的底部孔BMLH周围形成不连续的孔图案。
图10A至图10F是示意性地示出根据示例性实施方式的制造显示装置1的方法的剖面视图。
根据示例性实施方式，包括薄膜晶体管TFT和电容器Cst的像素电路PC以及作为与像素电路PC连接的显示元件的有机发光二极管OLED可布置在主显示区域MDA和部件区域CA中的每个中。
参照图10A，可在衬底100上方形成像素电路PC和与透射区域TA对应的第一孔H1，并且可在无机绝缘层IIL上形成导电层200。
衬底100可包括绝缘材料，诸如玻璃、石英和聚合物树脂。衬底100可为刚性衬底或可弯折、可折叠或可卷曲的柔性衬底。
衬底100可具有多层结构。衬底100可包括顺序堆叠的第一基础层101、第一阻挡层102、第二基础层103和第二阻挡层104。
第一基础层101和第二基础层103中的每个可包括聚合物树脂。聚合物树脂可包括聚醚砜(Polyethersulfone，PES)、聚芳酯(Polyarylate，PAR)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide，PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)、PET、聚苯硫醚(Polyphenylene Sulfide，PPS)、PI、聚碳酸酯、三乙酸纤维素(CelluloseTriacetate，TAC)、醋酸丙酸纤维素(Cellulose Acetate Propionate，CAP)等。聚合物树脂可为透明的。
第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每个是防止外部异物渗入的阻挡层，并且可具有包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料的单层或多层结构。
可在衬底100上布置缓冲层111。缓冲层111可位于衬底100上并且可防止或至少抑制异物、湿气或环境空气从衬底100下方渗入，并且在衬底100上提供平坦表面。在一些示例性实施方式中，阻挡层可进一步被包括在衬底100与缓冲层111之间以阻挡环境空气的渗透。缓冲层111可包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可具有包括上述材料的单层或多层结构。
在部件区域CA中，底部金属层BML可在形成缓冲层111之前形成在衬底100上。具体地，底部金属层BML可布置在衬底100与缓冲层111之间。底部金属层BML可包括导电金属，诸如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。底部金属层BML可具有包括上述材料的单层或多层结构。例如，底部金属层BML可具有顺序堆叠有包括钛(Ti)的第一金属层和包括钼(Mo)的第二金属层的结构。
底部金属层BML可通过接触孔连接到布置在另一层上的线。底部金属层BML可接收来自该线的恒定电压或信号。通过该线接收恒定电压或信号的底部金属层BML可保护薄膜晶体管TFT免受外部静电的影响，或者可改善薄膜晶体管TFT的性能。与透射区域TA对应的底部孔BMLH可形成在底部金属层BML中。底部金属层BML的底部孔BMLH可具有图8A至图8E和图9A至图9G中的任何一个中所示的形状和配置，但是不限于此。
在另一示例性实施方式中，也可在主显示区域MDA中形成底部金属层BML。
可在缓冲层111上形成像素电路PC。像素电路PC可包括薄膜晶体管TFT和电容器Cst。薄膜晶体管TFT可包括半导体层ACT、与半导体层ACT的沟道区重叠的栅电极GE以及分别连接到半导体层ACT的源区和漏区的源电极SE和漏电极DE。可在半导体层ACT与栅电极GE之间布置栅极绝缘层112。可在栅电极GE与源电极SE之间或栅电极GE与漏电极DE之间布置第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115。
电容器Cst可与薄膜晶体管TFT重叠。电容器Cst可包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2。在一些示例性实施方式中，薄膜晶体管TFT的栅电极GE可包括电容器Cst的下电极CE1。第一层间绝缘层113可布置在下电极CE1与上电极CE2之间。
半导体层ACT可包括多晶硅。在一些示例性实施方式中，半导体层ACT可包括非晶硅。在一些示例性实施方式中，半导体层ACT可包括包含有铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。半导体层ACT可包括掺杂有杂质的沟道区、源区和漏区。
栅极绝缘层112可包括诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅的无机绝缘材料，并且可具有包括上述材料的单层或多层结构。
栅电极GE或电容器Cst的下电极CE1可包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的低电阻导电材料，并且可具有包括上述材料的单层或多层结构。
第一层间绝缘层113可包括诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅的无机绝缘材料，并且可具有包括上述材料的单层或多层结构。
电容器Cst的上电极CE2可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可具有包括上述材料的单层或多层结构。
第二层间绝缘层115可包括诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅的无机绝缘材料，并且可具有包括上述材料的单层或多层结构。
源电极SE或漏电极DE可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可具有包括上述材料的单层或多层结构。例如，源电极SE和漏电极DE可具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
在形成源电极SE和漏电极DE之前，可在至少一个无机绝缘层IIL中形成与透射区域TA对应的第一孔H1。至少一个无机绝缘层IIL可包括栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115中的一个或多个。第一孔H1可与对应于透射区域TA的栅极绝缘层112中的孔、第一层间绝缘层113中的孔和第二层间绝缘层115中的孔重叠。图10A示例性地示出了通过同一过程在栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115中形成第一孔H1。然而，本发明概念不限于此。在另一示例性实施方式中，可通过单独的过程在栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115中的每个中形成孔，并且因此，第一孔H1的内侧表面可为不平滑的并且可具有台阶。第一孔H1的宽度Wt'可为透射区域TA的最小宽度，并且可小于底部孔BMLH的宽度Wt。
此外，可在无机绝缘层IIL中形成暴露半导体层ACT的源区和漏区的接触孔。源电极SE和漏电极DE可形成在第二层间绝缘层115上，以通过接触孔分别接触半导体层ACT的源区和漏区。
可在第二层间绝缘层115上形成导电层200。导电层200可形成在衬底100的整个表面之上。更具体地，导电层200可形成在主显示区域MDA和部件区域CA中的第二层间绝缘层115上，并且可形成在透射区域TA中的缓冲层111上。导电层200可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。在示例性实施方式中，导电层200可包括与源电极SE和漏电极DE基本上相同的材料。例如，导电层200可包括与具有多层结构的源电极SE和漏电极DE的最上层相同的材料，诸如钛。
参照图10B，可通过干法蚀刻等部分地去除导电层200以形成第一导电图案CP1和第二导电图案CP2。
可在透射区域TA中去除导电层200的一部分以在透射区域TA中形成第一导电图案CP1。第一导电图案CP1可用作在透射区域TA中用于形成孔图案HP的牺牲层。第一导电图案CP1可为沿底部孔BMLH的边缘形成连续线的图案。第一导电图案CP1的线宽可为约2微米(μm)至约20微米(μm)。第一导电图案CP1的厚度可为约50埃
至200埃
可在主显示区域MDA和部件区域CA中去除导电层200的一部分以形成覆盖源电极SE和漏电极DE的上表面的第二导电图案CP2。
参照图10C，可在第二层间绝缘层115上形成覆盖像素电路PC的平坦化层117。平坦化层117可具有单层或多层结构。根据所示的示例性实施方式的平坦化层117可包括第一平坦化层117a和第二平坦化层117b。相应地，可在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间形成连接电极CM，这对于高集成度可为有利的。第一平坦化层117a可覆盖第二导电图案CP2。
连接电极CM可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可具有包括上述材料的多层或单层结构。例如，连接电极CM可具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
第一平坦化层117a和第二平坦化层117b可包括诸如苯并环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)、PI、六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisiloxane，HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(Methyl Methacrylate)，PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene，PS)的一般商业聚合物、具有酚基集群的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物或乙烯醇基聚合物。第一平坦化层117a和第二平坦化层117b可包括诸如氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锌的无机绝缘材料。当形成平坦化层117时，可形成一层，并且然后可对该层的上表面执行化学和机械抛光以提供平坦的上表面。
可在平坦化层117中形成第二孔H2以对应于透射区域TA。第二孔H2可与第一孔H1重叠。图10C示例性地示出了第二孔H2大于第一孔H1。根据另一示例性实施方式，平坦化层117可覆盖无机绝缘层IIL的第一孔H1的边缘，并且在这种情况下，第二孔H2的面积可小于第一孔H1的面积。
可在第一平坦化层117a和第二导电图案CP2中形成暴露薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE中的一个的通孔，并且可在第二平坦化层117b中形成暴露连接电极CM的通孔。
参照图10D，可在平坦化层117上形成像素电极121，并且像素电极121可通过凭借连接电极CM接触源电极SE或漏电极DE来电连接到薄膜晶体管TFT。
像素电极121可包括诸如氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化铟锌(IndiumZinc Oxid，IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(Indium Gallium Oxide，IGO)或氧化铝锌(Aluminum Zinc Oxide，AZO)的导电氧化物。像素电极121可包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射膜。例如，像素电极121可具有在上述反射膜上/下带有膜的结构，其中该膜包括ITO、IZO、ZnO或In2O3。在这种情况下，像素电极121可具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
参照图10E，可在平坦化层117上布置像素限定层119。像素限定层119可覆盖像素电极121的边缘，并且可包括暴露像素电极121的一部分的开口OP。有机发光二极管OLED的发射区域，即第一子像素Pm和第二子像素Pa的大小和形状由开口OP限定。像素限定层119可包括诸如PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO、酚醛树脂等的有机绝缘材料。
可在像素限定层119中形成位于透射区域TA中的第三孔H3。第三孔H3可与第一孔H1和第二孔H2重叠。第一孔H1至第三孔H3可改善透射区域TA中的透光率。
在像素限定层119的开口OP中布置发射层122b以对应于像素电极121。发射层122b可包括聚合物材料或低分子量材料，并且可发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
可在发射层122b上和/或下布置有机功能层122e。有机功能层122e可包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。在一些示例性实施方式中，可省略第一功能层122a或第二功能层122c。
第一功能层122a可布置在发射层122b下。第一功能层122a可具有包括有机材料的单层或多层结构。第一功能层122a可为空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)。替代性地，第一功能层122a可包括空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)和HTL。
第二功能层122c可布置在发射层122b上。第二功能层122c可具有包括有机材料的单层或多层结构。第二功能层122c可包括电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)和/或电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)。
第一功能层122a和第二功能层122c可一体地形成为对应于包括在主显示区域MDA和部件区域CA中的多个有机发光二极管OLED。
在第二功能层122c上布置相对电极123。相对电极123可包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极123可包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半)透明层。替代性地，相对电极123还可包括位于包括上述材料中的任何的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。相对电极123可一体地形成为对应于包括在主显示区域MDA和部件区域CA中的多个有机发光二极管OLED。
从像素电极121到相对电极123的顺序地堆叠的层可形成有机发光二极管OLED。
可在相对电极123上形成包括有机材料的上层150。上层150可被提供以保护相对电极123并且增加光提取效率。上层150可包括具有比相对电极123的折射率更高的折射率的有机材料。替代性地，上层150可具有彼此具有不同折射率的堆叠层。例如，上层150可具有高折射率层/低折射率层/高折射率层。在这种情况下，高折射率层的折射率可为约1.7或更大，并且低折射率层的折射率可为约1.3或更小。上层150可附加地包括氟化锂(LiF)。替代性地，上层150可附加地包括氧化硅、氮氧化硅和氮化硅中的至少一种。根据另一示例性实施方式，可省略上层150。
第一功能层122a、第二功能层122c、相对电极123和上层150中的每个可形成在衬底100的整个表面之上。第一功能层122a、第二功能层122c、相对电极123和上层150可形成在主显示区域MDA和部件区域CA中。第一功能层122a、第二功能层122c、相对电极123和上层150中的每个可覆盖透射区域TA中的第一孔H1至第三孔H3和第一导电图案CP1的侧表面。
在衬底100的整个表面之上形成第一功能层122a、第二功能层122c、相对电极123和上层150中的每个之后，可在衬底100的与对应于透射区域TA的上表面相对的下表面上照射激光。
如图10F中所示，可使用激光剥离来去除有机功能层122e、相对电极123和上层150的形成在第一导电图案CP1上的各部分。当有机功能层122e、相对电极123和上层150的各部分被去除时，还可去除第一导电图案CP1。在透射区域TA的未形成有第一导电图案CP1的区域中，可仅去除相对电极123和上层150，并且有机功能层122e可被保留而未被去除。
可通过去除有机功能层122e、相对电极123和上层150的形成在第一导电图案CP1上的各部分来在透射区域TA中形成孔图案HP。孔图案HP可为形成在透射区域TA中的有机功能层122e中的孔，该孔对应于第一导电图案CP1的形状。
当在没有诸如第一导电图案CP1的牺牲层的情况下通过使用激光来去除形成在透射区域TA中的有机功能层122e、相对电极123和上层150时，仅去除了相对电极123和上层150，而有机功能层122e被保留而未被去除，从而降低透射区域TA中的透射率。另外，在透射区域TA中，当剩余的无机层的厚度由于无机绝缘层的去除而减少时，从衬底100的第二基础层103发射的气体、流动到第二基础层103的湿气和/或从(图2的)有机封装层132流动的湿气由于剩余的有机功能层122e而导致沿透射区域TA中的有机功能层122e传播，这可能导致透射区域TA周围的像素中的缺陷。
根据示例性实施方式，在第一导电图案CP1形成在有机功能层122e下之后，在激光剥离方法中，通过使用第一导电图案CP1作为牺牲层，可去除和缩短(例如，断开)有机功能层122e，并且因此，可阻挡湿气可渗透路径。
图11A至图11E是示意性地示出根据示例性实施方式的制造显示装置1的方法的剖面视图。在下文中，将省略或简化对与图10A至图10F中描述的过程相同的过程的重复描述，并且将主要描述差异。
参照图11A，可在部件区域CA中的衬底100上形成底部金属层BML，并且然后，可在主显示区域MDA和部件区域CA中形成缓冲层111。
可在主显示区域MDA和部件区域CA中的缓冲层111上形成像素电路PC。布置在部件区域CA中的像素电路PC可与底部金属层BML重叠。可在无机绝缘层IIL中形成与透射区域TA对应的第一孔H1。
可在无机绝缘层IIL上形成平坦化层117以覆盖像素电路PC。可在平坦化层117中形成第二孔H2以对应于透射区域TA。
参照图11B，可在平坦化层117上形成像素电极121，并且像素电极121可通过凭借平坦化层117中的通孔接触源电极SE或漏电极DE来电连接到薄膜晶体管TFT。
可在平坦化层117上布置覆盖像素电极121的边缘的像素限定层119。像素限定层119可包括暴露像素电极121的一部分的开口OP。可在像素限定层119中形成与透射区域TA对应的第三孔H3。
参照图11C，可在透射区域TA中形成第三导电图案CP3。第三导电图案CP3可用作在透射区域TA中形成孔图案HP的牺牲层。第三导电图案CP3可沿底部孔BMLH的边缘形成连续线。第三导电图案CP3可通过使用掩模(诸如精细金属掩模(Fine Metal Mask，FMM))的沉积工艺来形成。在示例性实施方式中，第三导电图案CP3可包括镱(Yb)。第三导电图案CP3的线宽可为约2微米(μm)至约20微米(μm)。第三导电图案CP3的厚度可为约50埃
至约200埃
参照图11D，在像素限定层119的开口OP中布置发射层122b以对应于像素电极121。可在发射层122b上和/或下布置有机功能层122e。有机功能层122e可包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。可在第二功能层122c上布置相对电极123。可在相对电极123上形成包括有机材料的上层150。
第一功能层122a、第二功能层122c、相对电极123和上层150可形成在主显示区域MDA和部件区域CA中。第一功能层122a、第二功能层122c、相对电极123和上层150中的每个可覆盖透射区域TA中的第一孔H1至第三孔H3和第三导电图案CP3的侧表面。
在衬底100的整个表面之上形成第一功能层122a、第二功能层122c、相对电极123和上层150中的每个之后，可在衬底100的与对应于透射区域TA的上表面相对的下表面上照射激光。
参照图11E，可使用激光剥离来去除有机功能层122e、相对电极123和上层150的形成在第三导电图案CP3上的各部分。根据所示的示例性实施方式，当有机功能层122e、相对电极123和上层150的各部分被去除时，可保留第三导电图案CP3。在透射区域TA的未形成有第三导电图案CP3的区域中，可仅去除相对电极123和上层150，并且有机功能层122e可被保留而未被去除。
在透射区域TA中可通过去除有机功能层122e、相对电极123和上层150的形成在第三导电图案CP3上的各部分来形成孔图案HP。孔图案HP可为形成在透射区域TA中的有机功能层122e中的孔，该孔对应于第三导电图案CP3的形状。
图11E的显示装置1与图10F的显示装置1的不同之处在于，保留了有机功能层122e下的第三导电图案CP3，而图10F的显示装置1去除了有机功能层122e下的第一导电图案CP1。
图12是示意性地示出根据示例性实施方式的形成在部件区域CA中的孔图案HP'的形状的平面视图。
参照图12，孔图案HP'可沿底部金属层BML的底部孔BMLH的边缘或透射区域TA的边缘形成在透射区域TA中。孔图案HP'可具有与底部孔BMLH的形状对应的形状。图12中所示的孔图案HP'可为有机功能层122e中限定的、在剖面中基本上对应于整个透射区域TA的孔。孔图案HP'可具有比透射区域TA小的面积。
图12中所示的孔图案HP'可对应于图8E中所示的底部金属层BML的底部孔BMLH中的孔图案HP。孔图案HP'可沿图8A和图8C和图9A至图9E中的每个中所示的底部金属层BML的底部孔BMLH的边缘形成在透射区域TA中。
图13A至图13C是示意性地示出根据示例性实施方式的制造显示装置1的方法的剖面视图。在下文中，将省略或简化对与图10A至图10F中描述的过程相同的过程的重复描述，并且将主要描述差异。
参照图13A，可在衬底100上方形成像素电路PC，并且可在无机绝缘层IIL中形成与透射区域TA对应的第一孔H1。可在无机绝缘层IIL上形成导电层200，并且可通过干法蚀刻等部分地去除导电层200以形成第一导电图案CP1'和第二导电图案CP2。导电层200可包括钛。
第一导电图案CP1'可形成在透射区域TA中。第一导电图案CP1'可为与透射区域TA对应的板状图案。第一导电图案CP1'的边缘可与底部金属层BML的边缘间隔开，并且第一导电图案CP1'的宽度可小于透射区域TA的宽度Wt'。第一导电图案CP1'的厚度可为约50埃
至约200埃
覆盖源电极SE和漏电极DE的上表面的第二导电图案CP2可形成在主显示区域MDA和部件区域CA中。
参照图13B，可在第二层间绝缘层115上形成覆盖像素电路PC的平坦化层117。可在平坦化层117中形成第二孔H2以对应于透射区域TA。
可在平坦化层117上形成像素电极121，并且可在平坦化层117上形成覆盖像素电极121的边缘的像素限定层119。可在像素限定层119中形成与透射区域TA对应的第三孔H3。
在像素限定层119的开口OP中布置发射层122b以对应于像素电极121。可在发射层122b上和/或下布置有机功能层122e。有机功能层122e可包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。可在第二功能层122c上布置相对电极123。可在相对电极123上形成包括有机材料的上层150。
第一功能层122a、第二功能层122c、相对电极123和上层150可形成在主显示区域MDA和部件区域CA中。第一功能层122a、第二功能层122c、相对电极123和上层150中的每个可覆盖透射区域TA中的第一孔H1至第三孔H3和第一导电图案CP1'的侧表面。
在衬底100的整个表面之上形成第一功能层122a、第二功能层122c、相对电极123和上层150中的每个之后，可在与衬底100的对应于透射区域TA的上表面相对的下表面上照射激光。
参照图13C，可使用激光剥离来去除有机功能层122e、相对电极123和上层150的形成在第一导电图案CP1'上的各部分。当有机功能层122e、相对电极123和上层150的各部分被去除时，还可去除第一导电图案CP1'。在透射区域TA的未形成有第一导电图案CP1'的区域中，可仅去除相对电极123和上层150，并且有机功能层122e可被保留而未被去除。
在透射区域TA中可通过去除有机功能层122e、相对电极123和上层150的形成在第一导电图案CP1'上的各部分来形成孔图案HP'。孔图案HP'可为在剖面中形成在透射区域TA中的有机功能层122e中的孔，该孔对应于第一导电图案CP1'的形状。
图14A至图14E是示意性地示出根据示例性实施方式的制造显示装置1的方法的剖面视图。在下文中，将省略或简化对与图10A至图10F中描述的过程相同的过程的重复描述，并且将主要描述差异。
参照图14A，可在部件区域CA中的衬底100上形成导电层105。导电层105可包括第一导电层105a和第二导电层105b。导电层105可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)，钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)。例如，第一导电层105a可包括钛(Ti)、铬(Cr)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。第二导电层105b可包括钼(Mo)。
第一导电层105a可形成在衬底100上以具有自衬底100的上表面起的第一厚度t1，并且第二导电层105b可形成在第一导电层105a上以具有自第一导电层105a的上表面起的第二厚度t2。第二导电层105b的第二厚度t2可大于第一导电层105a的第一厚度t1。例如，第一厚度t1可为约200埃
至约400埃
并且第二厚度t2可为约2500埃
至约3500埃
可在主显示区域MDA中的衬底100上和在部件区域CA中的第二导电层105b上形成缓冲层111。可在缓冲层111上形成像素电路PC。可在无机绝缘层IIL中形成与透射区域TA对应的第一孔H1，并且可在无机绝缘层IIL上布置覆盖像素电路PC的平坦化层117。当第一孔H1被形成时，可形成缓冲层111的与透射区域TA对应的孔。缓冲层111的孔可与无机绝缘层IIL的第一孔H1重叠。可在平坦化层117中形成第二孔H2以对应于透射区域TA。可通过第一孔H1和第二孔H2在透射区域TA中暴露第二导电层105b的上表面。
如图14B中所示，可在主显示区域MDA和部件区域CA中的平坦化层117上以及在透射区域TA中的第二导电层105b上形成导电层121M。
接着，如图14C中所示，可通过去除导电层121M的至少一部分来形成像素电极121，并且可去除第二导电层105b的与透射区域TA对应的一部分。可通过湿法蚀刻形成在衬底100的整个表面之上的导电层121M来形成像素电极121。当蚀刻导电层121M时，也可蚀刻形成在透射区域TA中的第二导电层105b。相应地，在透射区域TA中布置在第二导电层105b下的第一导电层105a的上表面可被暴露在外部。
如图14D中所示，可在平坦化层117上布置覆盖像素电极121的边缘的像素限定层119。可在像素限定层119中形成与透射区域TA对应的第三孔H3。
另外，可在衬底100的整个表面之上形成有机功能层122e、相对电极123和上层150以覆盖像素电极121和第一导电层105a。有机功能层122e、相对电极123和上层150可一体地形成为与包括在主显示区域MDA和部件区域CA中的多个有机发光二极管OLED对应。
在衬底100的整个表面之上形成第一功能层122a、第二功能层122c、相对电极123和上层150中的每个之后，可在衬底100的与对应于透射区域TA的上表面相对的下表面上照射激光。
参照图14E，透射区域TA中的第一导电层105a用作牺牲层，并且因此，可使用激光剥离来去除有机功能层122e、相对电极123和上层150的形成在第一导电层105a上的各部分，并且因此，孔图案HP'可形成在透射区域TA中。在这种情况下，透射区域TA中的第一导电层105a也可被去除以暴露衬底100的第二阻挡层104的上表面，并且在部件区域CA中形成底部金属层BML。底部金属层BML的底部孔BMLH的宽度Wt可与透射区域TA的最小宽度基本上相同。在图14E中，有机功能层122e的孔图案HP'的宽度或面积可与底部金属层BML的底部孔BMLH的宽度Wt或面积相同。
图15A至图15C是示意性地示出根据示例性实施方式的制造显示装置1的方法的剖面视图。在下文中，将省略或简化对与图11A至图11E中描述的过程相同的过程的重复描述，并且将主要描述差异。
如图15A中所示，在部件区域CA中形成底部金属层BML之后，可在主显示区域MDA和部件区域CA中形成像素电路PC，并且可形成连接到像素电路PC的像素电极121。另外，可在无机绝缘层IIL中形成与透射区域TA对应的第一孔H1，可在平坦化层117中形成第二孔H2以对应于透射区域TA，并且可在像素限定层119中形成与透射区域TA对应的第三孔H3。
参照图15B，可在透射区域TA中形成第三导电图案CP3'。第三导电图案CP3'可用作在透射区域TA中形成孔图案HP'的牺牲层。第三导电图案CP3'可为与透射区域TA对应的板状图案。第三导电图案CP3'可通过使用掩模(诸如FMM)的沉积工艺形成。在示例性实施方式中，第三导电图案CP3'可包括镱(Yb)。第三导电图案CP3'的厚度可为约50埃
至约200埃
另外，可在衬底100的整个表面之上形成有机功能层122e、相对电极123和上层150以覆盖像素电极121和第三导电图案CP3'。接着，可在衬底100的与对应于透射区域TA的上表面相对的下表面上照射激光。
参照图15C，可使用激光剥离来去除有机功能层122e、相对电极123和上层150的形成在第三导电图案CP3'上的各部分。在这种情况下，第三导电图案CP3'可保留在透射区域TA中。在透射区域TA的未形成有第三导电图案CP3'的区域中，可仅去除相对电极123和上层150，并且有机功能层122e可被保留而未被去除。
在上述示例性实施方式中，缓冲层111可连续地布置成对应于透射区域TA。
图16和图17是示意性地示出根据示例性实施方式的显示装置1的透射区域TA的剖面视图。
参照图16，根据所示的示例性实施方式的缓冲层111可包括第一缓冲层111a和第二缓冲层111b，并且底部金属层BML可设置在第一缓冲层111a与第二缓冲层111b之间。此外，第二缓冲层111b的与无机绝缘层IIL的第一孔H1重叠的孔111H可形成为在透射区域TA中暴露第一缓冲层111a的上表面。用作牺牲层的第一导电图案CP1和第一导电图案CP1'以及第三导电图案CP3和第三导电图案CP3'可形成在透射区域TA中的第一缓冲层111a的上表面上。在另一示例性实施方式中，可在第一缓冲层111a中形成孔以与无机绝缘层IIL的第一孔H1和第二缓冲层111b的孔111H重叠，并且因此，可在透射区域TA中暴露衬底100的第二阻挡层104的上表面。
参照图17，当根据所示的示例性实施方式的无机绝缘层IIL的第一孔H1形成时，缓冲层111和第二阻挡层104的至少一部分可一起被蚀刻以在透射区域TA中暴露第二阻挡层104的上表面。用作牺牲层的第一导电图案CP1和第一导电图案CP1'以及第三导电图案CP3和第三导电图案CP3'可形成在透射区域TA中的第二阻挡层104的上表面上。
根据一个或多个示例性实施方式，布置在透射区域TA中的有机层(例如，有机功能层122e)可具有孔图案HP和孔图案HP'，从而阻挡从布置在该有机层上方和/或下方的有机绝缘层(例如，第二基础层103，有机封装层132等)到该有机层的湿气可渗透传播路径。
根据上述示例性实施方式中的一个或多个，可实现包括在显示区域中布置有各种部件的部件区域的显示装置以及制造该显示装置的方法。
虽然已在本文中描述了某些示例性实施方式和实现方式，但是其它实施方式和修改将通过本描述而显而易见。相应地，本发明概念不限于这些实施方式，而是限于随附的权利要求书的较宽范围以及如对于本领域普通技术人员显而易见的各种明显的修改和等同布置。
Claims (10)
1.一种显示装置，包括：
衬底，所述衬底包括主显示区域、具有透射区域的部件区域和在所述主显示区域外部的外围区域；
第一薄膜晶体管和第一显示元件，所述第一薄膜晶体管和所述第一显示元件设置在所述主显示区域中；
第二薄膜晶体管和第二显示元件，所述第二薄膜晶体管和所述第二显示元件设置在所述部件区域中；
底部金属层，所述底部金属层设置在所述部件区域中的所述衬底与所述第二薄膜晶体管之间并且包括与所述透射区域对应的孔；以及
有机层，所述有机层设置在所述透射区域中并且具有沿所述底部金属层的所述孔的边缘限定的孔图案。
2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第一导电图案，所述第一导电图案位于所述有机层的所述孔图案中，
其中，所述第一导电图案包括镱，并且
其中，所述第一导电图案的厚度为50埃至200埃。
3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第二导电图案，所述第二导电图案设置在所述第二薄膜晶体管的源电极和漏电极的各自的上表面上，
其中，所述第二导电图案包括钛，并且
其中，所述第二导电图案包括与所述源电极和所述漏电极的各自的最上层相同的材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层包括第一功能层和第二功能层中的至少一个，所述第一功能层设置在所述第一显示元件和所述第二显示元件的各自的发射层下，并且所述第二功能层设置在所述发射层上。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层的所述孔图案具有沿所述底部金属层的所述孔的所述边缘连续地或不连续地延伸的线形状。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层的所述孔图案包括沿所述底部金属层的所述孔的所述边缘的彼此间隔开的多个岛型孔图案。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层的所述孔图案具有所述底部金属层的所述孔的形状。
8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
无机层，所述无机层设置在所述透射区域中的所述衬底与所述有机层之间，
其中，所述衬底包括：
第一基础层，所述第一基础层包括有机材料；
第一阻挡层，所述第一阻挡层包括无机材料并且设置在所述第一基础层上；
第二基础层，所述第二基础层包括有机材料并且设置在所述第一阻挡层上；以及
第二阻挡层，所述第二阻挡层包括无机材料并且设置在所述第二基础层上，
其中，所述有机层设置在所述第二阻挡层上，并且
其中，所述底部金属层包括：
第一金属层，所述第一金属层具有自所述衬底的上表面起的第一厚度；以及
第二金属层，所述第二金属层具有自所述第一金属层的上表面起的第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
9.一种显示装置，包括：
衬底，所述衬底包括主显示区域、具有透射区域的部件区域和在所述主显示区域外部的外围区域；
底部金属层，所述底部金属层设置在所述衬底的所述部件区域中并且包括与所述透射区域对应的孔；
至少一个绝缘层，所述至少一个绝缘层设置在所述底部金属层上并且包括与所述透射区域对应的孔；
像素电极，所述像素电极设置在所述至少一个绝缘层上；
发射层，所述发射层设置在所述像素电极上；
有机层，所述有机层包括第一功能层和第二功能层，所述第一功能层设置在所述发射层下并且位于所述透射区域中，并且所述第二功能层设置在所述发射层上并且位于所述透射区域中；以及
相对电极，所述相对电极面对所述像素电极并且设置在所述有机层上，
其中，所述透射区域中的所述有机层具有沿所述底部金属层的所述孔的边缘限定的孔图案。
10.根据权利要求9所述的显示装置，还包括：
第一导电图案，所述第一导电图案位于所述有机层的所述孔图案中，
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述底部金属层与所述像素电极之间并且包括源电极和漏电极；以及
第二导电图案，所述第二导电图案与所述底部金属层重叠并且设置在所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极的各自的上表面上，
其中，所述第一导电图案包括镱，
其中，所述第二导电图案包括钛，
其中，所述有机层的所述孔图案具有线形状或者所述底部金属层的所述孔的形状，并且
其中，所述有机层的所述孔图案沿所述底部金属层的所述孔的所述边缘连续地或不连续地延伸。
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