CN114303087A - 扫描光学系统的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是扫描光学系统的制造方法,能够在不改变入射光学系统以及包含扫描透镜的成像光学系统的情况下,通过仅改变多面反射镜来获得有效扫描宽度不同的扫描光学系统,其中,该扫描光学系统的制造方法包含以下步骤:使用与第1值的有效扫描宽度对应的第1多面反射镜(1101)来设计第1扫描光学系统;将偏转基准点定在该第1扫描光学系统的偏转基准点(O(0,0))的位置来设计第2光学系统,该第2光学系统具有与比该第1值小的第2值的有效扫描宽度对应的第2多面反射镜(1102),其中,该第1扫描光学系统的偏转基准点的位置是偏转角为0的情况下的光线在该第1多面反射镜(1101)的反射面上的反射点;以及调整该扫描透镜的形状和位置,以调整副扫描方向截面中的该成像光学系统的横向倍率。
Description
技术领域
本发明涉及扫描光学系统的制造方法。
背景技术
为了应对打印机及复合机的小型化和低成本化的要求,开发了使用一片扫描透镜的扫描光学系统(例如,专利文献1)。此外,关于使用一片扫描透镜的扫描光学系统,如果能够使用同一入射光学系统和成像光学系统,通过仅变更多面反射镜来制造有效扫描宽度不同的多个扫描光学系统,则能够在有效扫描宽度不同的多个扫描光学系统中使用同一扫描透镜,因此在制造成本上是有利的。因此,对如下的扫描光学系统的制造方法存在需求:能够使用同一入射光学系统和成像光学系统,通过仅变更多面反射镜来制造有效扫描宽度不同的多个扫描光学系统。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平10-10445号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明的课题在于提供如下的扫描光学系统的制造方法:能够使用同一入射光学系统和成像光学系统,通过仅变更多面反射镜来制造有效扫描宽度不同的多个扫描光学系统。
用于解决课题的手段
本发明的扫描光学系统的制造方法能够在不改变入射光学系统以及包含扫描透镜的成像光学系统的情况下,通过仅改变多面反射镜来获得有效扫描宽度不同的扫描光学系统,其中,该扫描光学系统的制造方法包含以下步骤:使用与第1值的有效扫描宽度对应的第1多面反射镜来设计第1扫描光学系统;将偏转基准点定在该第1扫描光学系统的偏转基准点的位置来设计第2光学系统,该第2光学系统具有与比该第1值小的第2值的有效扫描宽度对应的第2多面反射镜,其中,该第1扫描光学系统的偏转基准点的位置是偏转角为0的情况下的光线在该第1多面反射镜的反射面上的反射点;以及调整该扫描透镜的形状和位置,以调整副扫描方向截面中的该成像光学系统的横向倍率。
根据本发明的扫描光学系统的制造方法,能够使用同一入射光学系统和成像光学系统,通过仅变更多面反射镜来制造有效扫描宽度不同的多个扫描光学系统。
在本发明的第1实施方式的扫描光学系统的制造方法中,在设计该第2光学系统的步骤中,使得该第2多面反射镜的中心点位于与偏转角为0的情况下的该第1多面反射镜的反射面垂直并且通过该第1多面反射镜的中心点的直线上。
根据本实施方式,能够唯一地决定第2多面反射镜的中心点的位置。
在本发明的第2实施方式的扫描光学系统的制造方法中,将系统焦距设为f,将该第1值设为W1,将该第2值设为W2,将该第1多面反射镜的内切圆的半径设为Φ1,将第2多面反射镜的内切圆的半径设为Φ2,将副扫描方向截面中的该成像光学系统的横向倍率设为β,
满足
0.75≤f/W1≤0.85 (1)
0.75≤f/W2≤0.85 (2)
0.7≤φ2/φ1≤0.8 (3)
2.4≤β≤3.2 (4)。
关于式(1)和式(2),如果系统焦距与有效扫描宽度之比小于0.75,则无法获得高速打印性能。另外,如果系统焦距与有效扫描宽度之比超过0.85,则成像性能对扫描透镜的副扫描方向截面的形状的灵敏度变高,无法期待稳定的制造。
关于式(3),如果第2多面反射镜的内切圆与第1多面反射镜的内切圆之比小于0.7,则第2多面反射镜的反射点相对于第1多面反射镜的反射点的位置偏移变大,难以抑制像场弯曲的变化。
关于式(4),如果副扫描方向截面中的成像光学系统的横向倍率小于2.4,则需要增大从入射光学系统的会聚点至扫描的距离,扫描透镜的尺寸变大,因此制造成本增加。如果副扫描方向截面中的成像光学系统的横向倍率超过3.2,则第1扫描光学系统的像场弯曲与第2扫描光学系统的像场弯曲之差变大,无法抑制第2扫描光学系统的像场弯曲量。
在本发明的第3实施方式的扫描光学系统的制造方法中,在调整副扫描方向截面中的该成像光学系统的横向倍率的步骤中,将该第1扫描光学系统的副扫描方向截面中的像场弯曲量与该第2扫描光学系统的副扫描方向截面中的像场弯曲量之差的绝对值的最大值设为ΔD,
以满足
0≤|ΔD|≤4.35mm (5)
的方式调整该横向倍率。
根据本实施方式,能够将第2扫描光学系统的像场弯曲量抑制在能够满足实用的范围。
在本发明的第3实施方式的扫描光学系统的制造方法中,
满足
300mm≤W2 (6)。
根据本实施方式,能够制造A3尺寸用的扫描光学系统。
附图说明
图1是示出本发明的一个实施方式的制造方法的扫描光学系统的图。
图2是用于对本发明的一个实施方式的扫描光学系统的制造方法进行说明的流程图。
图3是用于对第1多面反射镜与第2多面反射镜之间的位置关系进行说明的图。
图4是示出偏转角为非0的θ的情况下的第1多面反射镜以及第2多面反射镜的反射面和反射点的位置的图。
图5是示出第1和第2扫描光学系统的成像光学系统的副扫描方向截面的图。
图6是示出实施例1-3的像高与副扫描方向截面的像场弯曲变化量之间的关系的图。
图7是示出实施例1-3的副扫描方向截面的像场弯曲变化量的绝对值的最大值和扫描透镜的主扫描方向的长度的图。
具体实施方式
图1是示出本发明的一个实施方式的制造方法的扫描光学系统100的图。在图1中,规定了主扫描方向的y轴、副扫描方向的x轴以及与主扫描方向和副扫描方向垂直的z轴。图1示出与y轴和z轴所形成的平面平行的截面。未图示的x轴是与纸面垂直的方向。xyz坐标系以在后面说明的偏转基准点作为原点。扫描光学系统100由入射光学系统、偏转器以及成像光学系统构成。入射光学系统包含光源101、准直器103、光圈105以及柱面透镜107。偏转器是多面反射镜110。成像光学系统由一片扫描透镜120构成。在本实施方式中,光源101是半导体激光器。从光源101射出的光束借助准直器103而成为平行光束,通过光圈105从而光束直径被控制。之后,光束通过仅在x轴方向上具有屈光力的柱面透镜107,从而在多面反射镜110的反射面的附近,在与y轴和z轴所形成的平面平行的平面内会聚为直线状。进而,利用多面反射镜110的反射面使光束发生偏转,并利用扫描透镜120使其会聚在扫描面130上。当多面反射镜110旋转时,在扫描面130上实施y轴方向的主扫描。在图1中,W表示有效扫描宽度,点O表示偏转基准点。偏转基准点是指被多面反射镜110偏转后的光束会垂直入射到扫描面130的情况下的多面反射镜110的反射面上的反射点的位置。在该情况下,被多面反射镜110偏转后的光束沿z轴方向行进。通常,将被多面反射镜110偏转后的光束的方向与z轴所成的角度(锐角)称为偏转角。在被多面反射镜110偏转后的光束到达扫描面130上的y坐标为正的区域的情况下,偏转角的符号为正,在到达y坐标为负的区域的情况下,偏转角的符号为负。在被多面反射镜110偏转后的光束垂直入射到扫描面130的情况下,偏转角为0。在用θ表示偏转角,用Y表示扫描面13上的会聚位置的y坐标的情况下,Y=fθ的关系成立。其中,f是常量。将该常量f称为系统焦距。
图2是用于对本发明的一个实施方式的扫描光学系统的制造方法进行说明的流程图。
在图2的步骤S1010中,使用与第1值的有效扫描宽度对应的第1多面反射镜来设计第1扫描光学系统。这里,在第1扫描光学系统中,使得在有效扫描宽度的范围内的偏转角的情况下光斑直径最小的点距扫描面的距离为0.5毫米以下。即,在第1扫描光学系统中,使得实质上能够忽略像场弯曲。
在图2的步骤S1020中,将偏转基准点定在第1扫描光学系统的偏转基准点的位置来设计第2光学系统,该第2光学系统具有与比该第1值小的第2值的有效扫描宽度对应的第2多面反射镜。
图3是用于对第1多面反射镜与第2多面反射镜之间的位置关系进行说明的图。在图3中示出了与第1值的有效扫描宽度对应的第1多面反射镜1101和与比第1值小的第2值的有效扫描对应的第2多面反射镜1102。第1和第2扫描光学系统的偏转基准点的位置相同,第1多面反射镜1101的旋转中心O1和第2多面反射镜1102的旋转中心O2位于直线S上,该直线S与偏转角为0的情况下的多面反射镜的反射面垂直并且距变更基准点O的距离为E。
图4是示出偏转角为非0的θ的情况下的第1多面反射镜1101及第2多面反射镜1102的反射面和反射点的位置的图。用RS0表示偏转角为0的情况下的反射面的位置,用O表示偏转基准点。分别用RS1和RS2表示偏转角为非0的θ的情况下的第1多面反射镜1101和第2多面反射镜1102的反射面,分别用R1和R2表示RS1和RS2上的反射点,用ΔL表示点R1与点R2之间的距离。在本说明书中,将ΔL称为路径长度差。在偏转角为非0的θ的情况下,对于从柱面透镜107至反射点为止的光线的路径长度,第1扫描光学系统的路径长度比第2扫描光学系统的路径长度短ΔL。另外,在偏转角为非0的θ的情况下,第1和第2扫描光学系统的从柱面透镜107至反射点为止的光线的路径长度比从柱面透镜107至偏转基准点O为止的光线的路径长度短。由于柱面透镜107被设计为在偏转角为0的情况下使光束在偏转基准点处在副扫描方向上会聚,因此在偏转角为非0的θ的情况下,在第1和第2扫描光学系统的光学路径中,入射光学系统的会聚点位于比反射面靠近扫描面130的位置,第1扫描光学系统的入射光学系统的会聚点位于比第2扫描光学系统的入射光学系统的会聚点靠近扫描面130的位置。
图5是示出第1和第2扫描光学系统的成像光学系统的副扫描方向截面的图。在图5中,分别用C1’和C2’表示第1和第2扫描光学系统的入射光学系统的会聚点,分别用C1和C2表示第1和第2扫描光学系统的成像光学系统的会聚点。会聚点C1’和会聚点C1以及会聚点C2’和会聚点C2分别为共轭关系。如上所述,第1扫描光学系统被设计为在有效扫描宽度的范围内的偏转角的情况下能够忽略像场弯曲。因此,在图5中,第1扫描光学系统的成像光学系统的会聚点C1大致位于扫描面130上。如上所述,第1扫描光学系统的入射光学系统的会聚点C1’位于比第2扫描光学系统的入射光学系统的会聚点C2’靠近扫描面130的位置,因此第2扫描光学系统的成像光学系统的会聚点C2位于比第1扫描光学系统的成像光学系统的会聚点C1靠近入射光学系统侧的位置。
这里,将偏转角为非0的θ的情况下的沿着第2成像光学系统的光线路径的从会聚位置C2至扫描面130为止的距离设为ΔLs。ΔLs相当于副扫描方向截面中的第2扫描光学系统的像场弯曲量与第1扫描光学系统的能够忽略的像场弯曲量之差。在本说明书中,将ΔLs称为像场弯曲变化量。根据图4,偏转角为非0的θ的情况下的沿着光线路径的入射光学系统的会聚点C1’与C2’之间的距离在偏转角θ为正的情况下是(ΔL×2),在偏转角θ为负的情况下是ΔL。因此,以下的关系成立。
在偏转角θ为正的情况下
[数学式1]
ΔLs=(ΔL×2)×β2 (7)
在偏转角θ为负的情况下
[数学式2]
ΔLs=ΔL×β2 (8)
其中,β是副扫描方向截面中的扫描透镜120的横向倍率。
根据式(7)和式(8),像场弯曲变化量ΔLs与路径长度差ΔL以及横向倍率β的平方成正比。
在上述实施方式中,第1和第2扫描光学系统的偏转基准点的位置相同,第1多面反射镜1101的旋转中心O1和第2多面反射镜1102的旋转中心O2位于直线S上,该直线S与偏转角为0的情况下的第1多面反射镜1101的反射面垂直并且距变更基准点O的距离为E。通常,如果第1和第2扫描光学系统的偏转基准点的位置相同,则即使第1多面反射镜1101的旋转中心O1和第2多面反射镜1102的旋转中心O2不位于直线S上,式(7)和式(8)的关系也成立。
在主扫描方向截面中,光源101的发光点与成像光学系统的会聚位置为共轭关系。因此,与副扫描方向截面的情况相比,能够忽略主扫描方向截面中的由第1扫描光学系统的光线路径长度与第2扫描光学系统的光线路径长度之差所引起的成像光学系统的会聚位置的变化量。
在图2的步骤S1030中,调整扫描透镜120的形状和位置,以调整副扫描方向截面中的成像光学系统的横向倍率β。如上所述,副扫描方向截面的像场弯曲变化量ΔLs依赖于第1扫描光学系统与第2扫描光学系统的路径长度差ΔL以及副扫描方向截面中的成像光学系统的横向倍率β。另外,第1扫描光学系统被设计为能够忽略像场弯曲。因此,通过减小副扫描方向截面中的成像光学系统的横向倍率β以使像场弯曲变化量ΔLs为规定的值以下,能够使第2扫描光学系统的副扫描方向截面的像场弯曲为规定的值以下。要想调整副扫描方向截面中的成像光学系统的横向倍率β,调整扫描透镜120的形状和位置。在要减小副扫描方向截面中的成像光学系统的横向倍率β的情况下,需要使扫描透镜120远离入射光学系统的会聚点。因此,需要增大扫描透镜在y轴方向(主扫描方向)上的长度。
以下,对本发明的扫描光学系统的实施例进行说明。实施例的扫描透镜120的入射面和出射面的形状由以下的式子表示。
[数学式3]
[数学式4]
其中,式子的变量和常量的符号如下。
y:主扫描方向坐标
x:副扫描方向坐标
z:表面轮廓(原点为透镜面的顶点)
k:圆锥系数
Ry:主扫描方向截面曲率半径
rx(y):副扫描方向截面的主扫描方向坐标y处的曲率半径
rx(0):副扫描方向截面的光轴上的曲率半径
Ai:主扫描方向断面的非球面系数(i=1,2,3,4...)
Bi:决定副扫描方向截面曲率半径的系数(i=1,2,3,4...)
光源101是半导体激光器。在以下的表中,θ⊥和θ//分别表示与半导体激光器的接合垂直和平行的方向的放射角度。扫描透镜120的材料是聚环烯烃系树脂,折射率为1.503。
实施例1
表1是示出实施例1的扫描光学系统的光学配置以及光学元件的规格、扫描透镜的面形状的表。第1扫描光学系统和第2扫描光学系统仅有效扫描宽度以及多面反射镜的尺寸和配置不同。
[表1]
实施例2
表2是示出实施例2的扫描光学系统的光学配置以及光学元件的规格、扫描透镜的面形状的表。第1扫描光学系统和第2扫描光学系统仅有效扫描宽度以及多面反射镜的尺寸和配置不同。
[表2]
实施例3
表3是示出实施例3的扫描光学系统的光学配置以及光学元件的规格、扫描透镜的面形状的表。第1扫描光学系统和第2扫描光学系统仅有效扫描宽度以及多面反射镜的尺寸和配置不同。
[表3]
实施例的总结
表4是示出实施例1-3的特征的表。在表4中,f表示系统焦距,W1和W2分别表示第1和第2扫描光学系统的有效扫描宽度,Φ1和Φ2表示第1和第2多面反射镜的内切圆的直径,β表示副扫描方向截面中的成像光学系统的横向倍率,ΔD表示像场弯曲变化量的绝对值的最大值。另外,表1-3中的多面反射镜的直径为30毫米的外接圆与直径为25.98毫米的内切圆相当。
[表4]
实施例1 | 实施例2实施例3 |
f/W10.79 | 0.790.79 |
f/W20.84 | 0.840.84 |
Φ2/Φ10.72 | 0.720.72 |
β3.07 | 2.662.40 |
ΔD(mm)3.63 | 2.742.06 |
W2(mm)300 | 300300 |
根据表4,在实施例1-3中满足式(1)-(6)。
图6是示出实施例1-3的像高与副扫描方向截面的像场弯曲变化量之间的关系的图。图6的横轴表示像高,图6的纵轴表示副扫描方向截面的像场弯曲变化量。横轴和纵轴的单位是毫米。如图5所示,会聚点C2位于比会聚点C1靠近入射光学系统的位置,因此在图6中,用负值表示像场弯曲变化量。
图7是示出实施例1-3的副扫描方向截面的像场弯曲变化量的绝对值在有效扫描宽度为310毫米的范围内的最大值和扫描透镜的主扫描方向的长度的图。如上所述,当减小副扫描方向截面中的成像光学系统的横向倍率β时,能够减小副扫描方向截面的像场弯曲变化量的绝对值的最大值,但由于需要减小从多面反射镜至扫描透镜的距离,因此扫描透镜的主扫描方向的长度变大。因此,比较考虑由于减小横向倍率β所引起的像场弯曲变化量的绝对值的减少和由于扫描透镜的尺寸变大所引起的制造成本的增加来决定横向倍率β。
Claims (5)
1.一种扫描光学系统的制造方法,能够在不改变入射光学系统以及包含扫描透镜的成像光学系统的情况下,通过仅改变多面反射镜来获得有效扫描宽度不同的扫描光学系统,其中,
该扫描光学系统的制造方法包含以下步骤:
使用与第1值的有效扫描宽度对应的第1多面反射镜来设计第1扫描光学系统;
将偏转基准点定在该第1扫描光学系统的偏转基准点的位置来设计第2光学系统,该第2光学系统具有与比该第1值小的第2值的有效扫描宽度对应的第2多面反射镜,其中,该第1扫描光学系统的偏转基准点的位置是偏转角为0的情况下的光线在该第1多面反射镜的反射面上的反射点;以及
调整该扫描透镜的形状和位置,以调整副扫描方向截面中的该成像光学系统的横向倍率。
2.根据权利要求1所述的扫描光学系统的制造方法,其中,
在设计该第2光学系统的步骤中,使得该第2多面反射镜的中心点位于与偏转角为0的情况下的该第1多面反射镜的反射面垂直并且通过该第1多面反射镜的中心点的直线上。
3.根据权利要求1或2所述的扫描光学系统的制造方法,其中,
将系统焦距设为f,将该第1值设为W1,将该第2值设为W2,将该第1多面反射镜的内切圆的半径设为Φ1,将第2多面反射镜的内切圆的半径设为Φ2,将副扫描方向截面中的该成像光学系统的横向倍率设为β,
满足
0.75≤f/W1≤0.85 (1)
0.75≤f/W2≤0.85 (2)
0.7≤Φ2/Φ1≤0.8 (3)
2.4≤β≤3.2 (4)。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的扫描光学系统的制造方法,其中,
在调整副扫描方向截面中的该成像光学系统的横向倍率的步骤中,将该第1扫描光学系统的副扫描方向截面中的像场弯曲量与该第2扫描光学系统的副扫描方向截面中的像场弯曲量之差的绝对值的最大值设为ΔD,
以满足
0≤|ΔD|≤4.34mm (5)
的方式调整该横向倍率。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的扫描光学系统的制造方法,其中,
满足
300mm≤W2 (6)。
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