CN114256434A - 发光二极管显示装置 - Google Patents

发光二极管显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114256434A
CN114256434A CN202110954509.XA CN202110954509A CN114256434A CN 114256434 A CN114256434 A CN 114256434A CN 202110954509 A CN202110954509 A CN 202110954509A CN 114256434 A CN114256434 A CN 114256434A
Authority
CN
China
Prior art keywords
anode
pixel
light emitting
voltage
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110954509.XA
Other languages
English (en)
Inventor
朴埈贤
姜章美
金玄俊
金慧玟
郑珉在
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114256434A publication Critical patent/CN114256434A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3258—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0251—Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种发光二极管显示装置包括：像素电路；连接到像素电路的用于传输数据电压的数据线；在像素电路和数据线上的阳极；在阳极上的发射层；以及在发射层上的阴极。阳极包括第一阳极和第二阳极，并且数据线穿过第一阳极和第二阳极之间延伸。

Description

发光二极管显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2020年9月25日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2020-0124979号的优先权和权益，其全部内容通过引用被合并于此。
技术领域
本公开的一个或多个实施例的方面涉及发光二极管显示装置。
背景技术
显示装置是显示屏幕的装置，并且包括液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器。显示装置用于各种合适的电子设备(例如，以移动电话、导航设备、数码相机、电子书、便携式游戏机以及各种终端为例)中。
与液晶显示器不同，有机发光二极管显示器具有自发光特性，并且不需要单独的光源，使得有机发光二极管显示器的厚度和重量可以减小。另外，由于有机发光二极管显示器表现出例如以低功耗、高亮度和快速响应等为例的高品质特性，因此有机发光二极管显示器作为下一代显示器而突出。另外，最近的显示装置通常被开发为具有高分辨率。
在该背景技术部分中公开的上述信息用于增强对本公开的背景的理解，并且因此其可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本公开的一个或多个实施例涉及可能够通过减小其中的寄生电容来高速驱动的发光二极管显示装置。
根据本公开的一个或多个实施例，发光二极管显示装置包括：像素电路；连接到像素电路的用于传输数据电压的数据线；在像素电路和数据线上的阳极；在阳极上的发射层；以及在发射层上的阴极。阳极包括第一阳极和第二阳极，并且数据线穿过第一阳极和第二阳极之间延伸。
在实施例中，数据线可以在平面图中与第一阳极和第二阳极不重叠。
在实施例中，第一阳极和第二阳极可以具有彼此不同的面积。
在实施例中，第一阳极和第二阳极可以通过阳极连接件彼此电连接；并且阳极连接件可以在平面图中与数据线重叠。
在实施例中，发光二极管显示装置可以进一步包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且像素电路可以包括多个像素电路，红色像素、绿色像素和蓝色像素中的每个包括多个像素电路当中对应的像素电路。阳极可以包括连接到红色像素的像素电路的红色像素阳极、连接到绿色像素的像素电路的绿色像素阳极以及连接到蓝色像素的像素电路的蓝色像素阳极。红色像素阳极、绿色像素阳极和蓝色像素阳极当中的一个阳极可以与数据线不重叠，并且可以具有红色像素阳极、绿色像素阳极和蓝色像素阳极的面积当中的最大面积。
在实施例中，与数据线不重叠的这一个阳极可以是蓝色像素阳极；并且与蓝色像素阳极不重叠的数据线可以连接到蓝色像素的像素电路。
在实施例中，发光二极管显示装置可以进一步包括具有暴露这一个阳极的开口的隔断墙，并且这一个阳极的一部分可以不被隔断墙的开口暴露。
在实施例中，这一个阳极的这一部分可以在与数据线的延伸方向交叉的方向上延伸。
根据本公开的一个或多个实施例，发光二极管显示装置包括：像素电路；连接到像素电路并且被配置为传输数据电压的数据线；连接到像素电路并且在与数据线的方向相同的方向上延伸的公共电压线；在数据线和公共电压线上的阳极；在阳极上的发射层；以及在发射层上的阴极。阳极与公共电压线不重叠。
在实施例中，公共电压线可以被配置为将电压施加到像素电路，并且可以包括偏置电压线、参考电压线、驱动电压线、驱动低电压线和初始化电压线当中的一条。
在实施例中，像素电路可以包括：被配置为将输出电流传输到阳极的驱动晶体管；输入电容器；以及连接到数据线并且被配置为将数据电压传输到输入电容器的第二晶体管。参考电压线可以被配置为将参考电压传输到输入电容器和第二晶体管彼此连接的节点；驱动电压线可以被配置为将驱动电压传输到驱动晶体管；偏置电压线可以被配置为将偏置电压传输到驱动晶体管；驱动低电压线可以被配置为将驱动低电压传输到阴极；并且初始化电压线可以被配置为将初始化电压传输到阳极。
在实施例中，公共电压线可以是初始化电压线。
在实施例中，公共电压线可以是驱动低电压线。
在实施例中，阳极可以包括第一阳极和第二阳极；并且数据线可以在平面图中在第一阳极与第二阳极之间延伸。
在实施例中，第一阳极和第二阳极可以具有彼此不同的面积。
在实施例中，第一阳极和第二阳极可以通过阳极连接件彼此电连接；并且阳极连接件可以在平面图中与数据线重叠。
在实施例中，发光二极管显示装置可以进一步包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且像素电路可以包括多个像素电路，红色像素、绿色像素和蓝色像素中的每个包括多个像素电路当中对应的像素电路。阳极可以包括连接到红色像素的像素电路的红色像素阳极、连接到绿色像素的像素电路的绿色像素阳极以及连接到蓝色像素的像素电路的蓝色像素阳极，并且红色像素阳极、绿色像素阳极和蓝色像素阳极当中的一个阳极可以与数据线不重叠，并且可以具有红色像素阳极、绿色像素阳极和蓝色像素阳极的面积当中的最大面积。
在实施例中，与数据线不重叠的这一个阳极可以是蓝色像素阳极；并且与蓝色像素阳极不重叠的数据线可以连接到蓝色像素的像素电路。
在实施例中，发光二极管显示装置可以进一步包括隔断墙，隔断墙包括暴露这一个阳极的开口，并且这一个阳极的一部分可以不被隔断墙的开口暴露。
在实施例中，这一个阳极的这一部分可以在与数据线的延伸方向交叉的方向上延伸。
根据本公开的一个或多个实施例，通过减小阳极与数据线之间的寄生电容，高速驱动可以是可能的。可以减小阳极与数据线(例如，特定数据线)之间的寄生电容(由于高寄生电容而可能难以以高速驱动)，并且因此，可以使整个显示装置的高速驱动成为可能。此外，根据本公开的一个或多个实施例，阳极与电压线之间的寄生电容也被减小，从而间接地减小了数据线的寄生电容。因此，显示装置的高速驱动可以是可能的。
附图说明
根据以下参考附图的示例实施例的详细描述，本公开的上面及其它方面和特征对于本领域技术人员来说将变得更加显而易见。
图1是示出根据实施例的发光二极管显示装置的像素中的元件的布置的示意图。
图2至图3是示出根据一个或多个实施例的像素中的元件的布置的示意图。
图4至图5是示出根据一个或多个实施例的像素中的元件的布置的示意图。
图6是根据实施例的像素的电路图。
图7是应用于图6的像素的波形图。
图8是根据实施例的像素的布局图。
图9是沿图8的线IX-IX截取的截面图。
图10是沿图8的线X-X截取的截面图。
图11是根据实施例的显示面板的截面图。
图12是示出根据另一实施例的像素中的阳极结构的视图。
图13是根据另一实施例的像素的布局图。
具体实施方式
下文中，将参考附图更详细描述示例实施例，其中相同的附图标记遍及全文指代相同的元件。然而，本公开可以以各种不同形式来体现，并且不应理解为仅限于本文中所示的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是全面和完整的，并且将向本领域技术人员完全传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员完全理解本公开的方面和特征并非必要的工艺、元件和技术。除非另被注明，否则在整个附图和书面描述中，相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，可以不再重复其描述。
在附图中，为了清楚起见，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。出于易于说明的目的，在本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“下”、“之下”、“上方”、“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征相对于另一(些)元件或特征的关系。应当理解，空间相对术语旨在包含除附图中描绘的方位之外的装置在使用中或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将随之被定向在其他元件或特征的“上方”。因此，示例术语“下方”和“之下”可以包含上方和下方两种方位，并且不一定是指基于重力方向被放置在对象部分的上侧。装置可以以其他方式定向(例如，旋转90度或以其他方位)，并且应当对本文使用的空间相对描述符进行相应的解释。
如说明书中所使用的，短语“在平面图中”是指从上方观察的对象部分的图，并且短语“在截面图中”是指当通过垂直切割对象部分截取截面时从侧面观察的对象部分的图。
将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分相区分。因此，下面描述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本公开的精神和范围。
将理解的是，当一元件或层被称为位于另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，该元件或层可直接位于另一元件或层上、直接连接到或耦接到另一元件或层，或者可存在一个或多个居间元件或层。另外，还将理解，当一元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，其可以是这两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个居间元件或层。
本文中使用的术语用于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本公开。如本文中使用的，单数形式的“一”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。将进一步理解，术语“包括”、“包含”、“具有”在本说明书中使用时指明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或附加。如本文中使用的，术语“和/或”包括所关联列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。例如，表述“A和/或B”表示A、B、或者A和B。诸如“中的至少一个”的表述，在位于一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰该列中的个别元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或它们的变体。
如本文中使用的术语“基本上”、“大约”以及类似术语被用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且旨在考虑会被本领域普通技术人员所认识到的测量或计算的值中的固有偏差。进一步，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或多个实施例”。如本文中使用的术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。此外，术语“示例性”意指示例或例示。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如那些在常用字典中限定的术语应该被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文中明确如此限定。
在下文中，参考图1描述根据本公开的实施例的发光二极管显示装置的示意性结构。
图1是示出根据实施例的发光二极管显示装置的像素中的元件的布置的示意图。
基于有机发光显示装置描述发光二极管显示装置的示例。有机发光显示装置包括多个像素，并且多个像素被划分为单位像素PXU。
单位像素PXU可以包括三原色的像素，并且作为示例，单位像素PXU在图1中被示出为包括红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B。
一个单位像素PXU包括像素电路单元(例如，像素电路)PXR、PXG和PXB以及电连接到相应像素电路单元PXR、PXG和PXB的发光元件单元(例如，发光元件)。
根据实施例的发光二极管显示装置可以包括：像素电路单元PXR、PXG和PXB；连接到像素电路单元PXR、PXG和PXB的用于传输数据电压的数据线171R、171G和171B；布置在数据线171R、171G和171B上的阳极；布置在阳极上的发射层；以及布置在发射层上的阴极。这里，阳极、发射层和阴极构成发光元件单元(例如，发光元件)。
像素电路单元PXR、PXG和PXB是用于基于从外部施加的信号将电流施加到发光元件单元的阳极AER、AEG和AEB的部件。发光元件单元被布置在像素电路单元PXR、PXG和PXB上，并且包括阳极AER、AEG和AEB、有机发射层以及阴极。
由像素电路单元输出的电流在有机发射层中流动，并且有机发射层发光的程度根据电流的大小而改变。有机发射层包括有机发光材料，并且当与水分结合时，有机发光材料可能具有低效率的缺点。因此，用封装层密封像素电路单元和发光元件单元的侧表面和顶表面，使得水分不从外部渗透。封装层可以具有包括多个层的结构，多个层包含一个或多个有机层以及一个或多个无机层，并且封装层可以包括例如包含无机层、有机层和无机层的三层结构。
在图1中，像素电路单元PXR、PXG和PXB由虚线示出，并且在平面图(例如，从垂直于或基本垂直于相关元件或层的表面(例如，顶表面)的方向的图)中，多个晶体管和电容器形成在对应的虚线区域中。
像素电路单元PXR、PXG和PXB中的每个连接到多条信号线，并且在图1中示出了多条信号线当中的数据线171R、171G和171B。
此外，在图1中，示出了发光元件单元当中的阳极AER、AEG和AEB。阳极AER、AEG和AEB的外部分与隔断墙(例如，参考图11的250)重叠，并且开口(例如，参考图11和图12的255)被布置在隔断墙的中央部分处。有机发射层被布置在隔断墙的对应开口中。如图11中所示，隔断墙250和有机发射层被阴极CE覆盖。
阳极AER、AEG和AEB包括红色像素阳极AER(或红色像素的阳极AER)、绿色像素阳极AEG(或绿色像素的阳极AEG)和蓝色像素阳极AEB(或蓝色像素的阳极AEB)。红色像素阳极AER和绿色像素阳极AEG形成在红色像素的像素电路单元PXR上。换句话说，在平面图中，红色像素的像素电路单元PXR与红色像素的红色像素阳极AER和绿色像素的绿色像素阳极AEG重叠。
另一方面，蓝色像素的蓝色像素阳极AEB被布置在绿色像素的像素电路单元PXG和蓝色像素的像素电路单元PXB上。结果，红色像素的发光元件单元或红色像素阳极AER的面积以及绿色像素的发光元件单元或绿色像素阳极AEG的面积小于蓝色像素的发光元件单元或蓝色像素阳极AEB的面积。此外，在图1的实施例中，红色像素的发光元件单元或阳极AER的面积可以大于(例如，可以稍微大于)绿色像素的发光元件单元或阳极AEG的面积。然而，本公开并不限于此，并且根据实施例，绿色像素的发光元件单元或阳极AEG的面积可以与红色像素的发光元件单元或阳极AER的面积相同或基本相同，或者可以大于(例如，稍微大于)红色像素的发光元件单元或阳极AER的面积。
发光二极管显示装置包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且红色像素、绿色像素和蓝色像素分别包括像素电路单元PXR、PXG和PXB。阳极包括连接到红色像素的像素电路单元PXR的红色像素的阳极AER、连接到绿色像素的像素电路单元PXG的绿色像素的阳极AEG以及连接到蓝色像素的像素电路单元PXB的蓝色像素的阳极AEB。在红色像素的阳极AER、绿色像素的阳极AEG和蓝色像素的阳极AEB当中，与数据线不重叠的阳极可以具有最大面积。另外，与具有最大面积的阳极不重叠的数据线可以是连接到与具有最大面积的阳极连接的像素电路单元的数据线。
根据图1的实施例，蓝色像素的阳极AEB被示出为具有最大面积，并且因此，与连接到蓝色像素的像素电路单元PXB的数据线171B不重叠。
蓝色像素的阳极AEB被划分为两部分(第一蓝色像素的阳极AEB1和第二蓝色像素的阳极AEB2)，并且在平面上(例如，在平面图中)与数据线171B不重叠。换句话说，第一蓝色像素的阳极AEB1和第二蓝色像素的阳极AEB2彼此间隔开(例如，分离)，并且在平面图中，数据线171B被布置在第一蓝色像素的阳极AEB1与第二蓝色像素的阳极AEB2之间。数据线171B在垂直方向(在下文中，被称为第二方向)上在第一蓝色像素的阳极AEB1与第二蓝色像素的阳极AEB2之间横切并延伸。根据实施例，可以进一步形成用于从蓝色像素的像素电路单元PXB接收电流的连接件(例如，连接线或连接电极)，并且连接件可以将电流提供到第一蓝色像素的阳极AEB1和第二蓝色像素的阳极AEB2。在此情况下，根据实施例，连接件可以与数据线171B重叠。
根据实施例，蓝色像素的阳极AEB的两个部分AEB1与AEB2之间的部分可以被理解为开口，并且当与图4的实施例中所示的蓝色像素的阳极AEB相比时，图1中所示的两个部分AEB1与AEB2之间的、没有形成蓝色像素的阳极AEB的部分可以被称为开口。蓝色像素的阳极AEB的开口可以平行于或基本平行于数据线171B，并且可以在平面图中与数据线171B重叠。
根据实施例，第一蓝色像素的阳极AEB1的一部分和数据线171B的一部分可以彼此重叠，并且第二蓝色像素的阳极AEB2的一部分和数据线171B的一部分也可以彼此重叠。
在图1中，示出了消除或减少第一蓝色像素的阳极AEB1和第二蓝色像素的阳极AEB2与数据线171B重叠的区域的特性。该特性可以减小可能在数据线171B中出现的寄生电容。
换句话说，在高分辨率显示面板中，像素的数量增加，因此可能期望在合适或期望的时间段内(例如，在预定时间段内)将数据电压写入更多像素。例如，一条扫描线施加导通电压的时段1H被缩短，并且为了相应地施加数据电压，可以执行其中改变数据电压的速度增加的高速驱动。在此情况下，数据线中可能出现RC延迟，并且RC延迟当中的电阻根据数据线的长度来确定，并且该电阻在显示装置的尺寸被确定时通常是固定值(例如，几乎是固定值)，并且因此，电阻的调整可能是困难的。因此，RC延迟可能受数据线中出现的寄生电容影响。如果在数据线中出现的RC延迟大，则高速驱动可能变得困难，并且因此，可以减小在数据线中产生的寄生电容以使高速驱动成为可能。可以减小在所有数据线中出现的寄生电容，但在一些实施例中，可以仅针对数据线当中的由于大寄生电容而具有大RC延迟的布线减小寄生电容，使得可以以高速驱动整个显示装置。
如图1中所示，由于蓝光的特性，单位像素PXU当中的蓝色发光二极管(LED)(或阳极)的尺寸可以大于另一颜色(例如，红色和/或绿色)的发光二极管(LED)(或阳极)的尺寸。在这样的像素结构中，在与数据线重叠的面积最大的蓝色像素的阳极AEB中，出现在数据线中的寄生电容可能是最大的。因此，为了减小或去除出现在数据线中的寄生电容，可以减小与最大面积重叠的蓝色像素的阳极AEB中的重叠面积。
然而，本公开并不限于此，并且根据实施例，例如，当由于红色像素的阳极AER和/或绿色像素的阳极AEG与数据线171R、171G和171B邻近或重叠而寄生电容大时，红色像素的阳极AER和/或绿色像素的阳极AEG也可以以与蓝色像素阳极AEB相同或基本相同的方式进行修改。
在下文中，参考图2和图3描述了单位像素PXU的修改结构。
图2和图3是示出根据一个或多个实施例的像素中的元件的布置的示意图。
首先参考图2，与图1中的不同，示出了第一蓝色像素的阳极AEB1和第二蓝色像素的阳极AEB2具有彼此不同的面积的实施例。
蓝色像素的阳极AEB被划分为两个部分AEB1和AEB2，并且在平面图中与数据线171B不重叠。换句话说，第一蓝色像素的阳极AEB1和第二蓝色像素的阳极AEB2彼此间隔开(例如，分离)，并且在平面图中，数据线171B被放置在第一蓝色像素的阳极AEB1与第二蓝色像素的阳极AEB2之间。在图2中所示的实施例中，第一蓝色像素的阳极AEB1具有比第二蓝色像素的阳极AEB2的面积小的面积，并且形成有较窄的宽度。然而，根据实施例，第一蓝色像素的阳极AEB1的长度可以短于第二蓝色像素的阳极AEB2的长度。根据实施例，放置在数据线171B的左侧的第一蓝色像素的阳极AEB1可以具有比放置在数据线171B的右侧的第二蓝色像素的阳极AEB2的面积大的面积。
根据实施例，可以形成用于从蓝色像素的像素电路单元PXB接收电流并将电流提供至第一蓝色像素的阳极AEB1和第二蓝色像素的阳极AEB2的连接件(例如，连接线或连接电极)，并且根据实施例，该连接件可以与数据线171B重叠。根据实施例，第一蓝色像素的阳极AEB1的一部分可以与数据线171B的一部分重叠，并且第二蓝色像素的阳极AEB2的一部分可以与数据线171B的一部分重叠。
如图2中所示，与图1中的相同，第一蓝色像素的阳极AEB1和第二蓝色像素的阳极AEB2与数据线171B重叠的区域可以被消除或减小，以减小在数据线171B中产生的寄生电容，从而使高速驱动成为可能。
然而，根据实施例，例如，当由于红色像素的阳极AER和/或绿色像素的阳极AEG与数据线171R、171G和171B邻近或重叠而导致寄生电容大时，红色像素的阳极AER和/或绿色像素的阳极AEG也可以以与蓝色像素的阳极AEB的方式相同或基本相同的方式进行修改。
参考图3，与图1和图2中的不同，蓝色像素的阳极AEB可以不被划分为彼此间隔开的两个部分，并且可以被形成为一个部分(例如，单体)。换句话说，蓝色像素的阳极AEB的两个部分AEB1和AEB2可以通过阳极连接件AEB3彼此连接。阳极连接件AEB3可以与数据线171B重叠，但可以与数据线171B的、在蓝色像素的阳极AEB的两个部分AEB1与AEB2之间的其中未放置阳极连接件AEB3的部分不重叠，使得数据线171B与蓝色像素的阳极AEB之间的寄生电容可以减小。
蓝色像素的阳极AEB可以具有部分地与数据线171B重叠并且部分地与数据线171B不重叠的结构。由于位于蓝色像素的阳极AEB的两个部分AEB1与AEB2之间的其中未放置阳极连接件AEB3的开口，蓝色像素的阳极AEB部分地与数据线171B不重叠，并且该开口与数据线171B重叠。在图3的实施例中，包含在蓝色像素的阳极AEB中的开口被布置在蓝色像素的阳极AEB下方(例如，下面)，并且连接到外部。然而，本公开并不限于此，并且根据实施例，开口可以位于上侧，或者两个阳极连接件AEB3可以被形成，并且开口可以位于两个阳极连接件AEB3之间以与外部分离。
甚至根据图3的结构，由于数据线171B与蓝色像素的阳极AEB之间的寄生电容可以减小，因此这样的结构仍然可以适于高速驱动。根据寄生电容要被减小的程度，阳极连接件AEB3的尺寸(和/或开口的尺寸)可以进行各种修改(例如，可以进行各种调整)。
图4和图5图示了在与数据线171B的方向相同或基本相同的方向上延伸的公共电压线CSL被布置并且与蓝色像素的阳极AEB不重叠以减小数据线171B的寄生电容的实施例。
图4和图5是示出根据一个或多个实施例的像素中的元件的布置的示意图。
在图4中，公共电压线CSL形成在与蓝色像素的阳极AEB不重叠的位置处。
根据图4的实施例的显示装置可以包括：像素电路单元PXR、PXG和PXB；连接到像素电路单元PXR、PXG和PXB的、用于传输数据电压的数据线171R、171G和171B；连接到像素电路单元PXR、PXG和PXB并且在与数据线171R、171G和171B的方向相同或基本相同的方向上延伸的公共电压线CSL；布置在数据线171R、171G和171B和公共电压线CSL上的阳极；布置在阳极上的发射层；以及布置在发射层上的阴极。这里，阳极、发射层和阴极构成发光元件单元。
公共电压线CSL是连接到每个像素电路单元PXR、PXG和PXB的多条信号线当中的除了数据线171R、171G和171B之外的线，并且是被形成为平行或基本平行于数据线171R、171G和171B的布线。此外，根据实施例，公共电压线CSL可以是其中电压通过一条布线被施加到所有三个像素电路单元PXR、PXG和PXB的布线。根据实施例，可以是用于将电压施加到像素电路单元的电压线的公共电压线CSL可以包括偏置电压线、参考电压线、驱动电压线、驱动低电压线和初始化电压线当中的一条。根据实施例，施加到公共电压线CSL的电压可以在一帧期间具有恒定或基本恒定的电压电平，或者可以具有变化的电压电平。
如图4中所示，通过将公共电压线CSL布置为与数据线171B相距Gap 1，即通过不使公共电压线CSL与蓝色像素的阳极AEB重叠，可以间接地减小在数据线171B中产生的寄生电容，以使高速驱动成为可能。换句话说，基于数据线171B，数据线171B与蓝色像素的阳极AEB形成寄生电容，并且随着蓝色像素的阳极AEB与其他部分的寄生电容越来越大，在数据线171B中产生的寄生电容增大。因此，可以通过减小蓝色像素的阳极AEB的电容来间接地减小在数据线171B中出现的寄生电容。图4是其中通过不使公共电压线CSL与蓝色像素的阳极AEB重叠来减小在公共电压线CSL与蓝色像素阳极AEB之间产生的寄生电容，从而减小在数据线171B中产生的寄生电容的实施例。
图4的实施例是其中由具有最大面积的蓝色像素的阳极AEB产生的寄生电容最大并且因此由蓝色像素的阳极AEB产生的寄生电容减小的实施例。由于每个部件的构成元件形成在每个彩色像素的像素电路单元PXR、PXG和PXB中的每个中，因此可能难以改变蓝色像素的阳极AEB的位置，但在公共电压线CSL公共地用于邻近的像素电路单元PXR、PXG和PXB中的每个的情况下，公共电压线CSL可以每隔若干个像素电路单元被放置，因此改变公共电压线CSL的位置可能存在较少困难。因此，图4图示了其中公共电压线CSL的位置被确定为使得其与蓝色像素的阳极AEB不重叠的实施例。
在图4的实施例中，与图1至图3的实施例不同，蓝色像素的阳极AEB不包括单独的开口。换句话说，可以通过公共电压线CSL的布置(例如，通过仅移动或重新布置公共电压线CSL)充分减小寄生电容，并且因此，高速驱动可能不存在问题。
然而，除了图4的实施例之外，根据一些实施例，例如，图5中所示的这些实施例中的一个，在可能期望额外减小寄生电容的情况下，类似于图1至图3中所示的情况，开口可以形成在蓝色像素的阳极AEB中，使得蓝色像素的阳极AEB和数据线171B至少在它们的一些区域处(例如，在它们的一些区域中或在它们的一些区域上)彼此不重叠。
图5示出了其中图4的实施例和图1的实施例彼此结合的实施例。
换句话说，类似于图1的实施例，蓝色像素的阳极AEB被划分为两个部分AEB1和AEB2，并且在平面图中与数据线171B不重叠。此外，类似于图4的实施例，公共电压线CSL可以被布置在与蓝色像素的阳极AEB不重叠的位置处。
结果，可以减小(例如，可以大大减小)在数据线171B中产生的寄生电容，并且信号延迟可以出现在特定标准以下，从而使高速驱动成为可能。
在图1至图5的实施例中，蓝色像素的阳极AEB被示出为大于其他不同的彩色像素的阳极AER和AEG。然而，由于根据发射层以及从其发射的光的特性，任何合适的彩色像素的阳极可以被形成为更大，因此根据一些实施例，其他不同的彩色像素的阳极可以被形成为更大。
在以上参考图1至图5的描述中，已经以一些构成元件(例如，单位像素PXU)为中心描述了本公开的一些实施例。
在下文中，参考图6至图11以一个特定像素为中心更详细地描述实际像素配置。
首先，参考图6描述了一个像素的电路结构。
图6是根据实施例的像素的电路图。
一个像素可以主要由像素电路单元和发光元件单元组成。像素电路单元可以包括：将输出电流传输到发光元件单元的阳极的驱动晶体管T1；输入电容器Cpr；以及连接到数据线171以将数据电压传输到输入电容器Cpr的第二晶体管T2。
根据图6的实施例的发光二极管显示装置的像素包括多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8、多个电容器Cst和Cpr以及发光二极管(LED)。像素连接到若干条信号线127、151、152、153、153-1、154、155、156、171、172、173和179。当一个像素被划分为像素电路单元PXR、PXG和PXB以及发光元件单元时，发光元件单元是发光二极管(LED)，并且其它晶体管和电容器配置像素电路单元PXR、PXG和PXB。发光二极管(LED)可以是有机发光二极管或无机发光二极管(LED)。
多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8包括用于产生要传输到发光二极管(LED)的输出电流的驱动晶体管T1(也可以被称为第一晶体管)、用于将施加到数据线171的数据电压VDATA传输到像素的第二晶体管T2、将驱动晶体管T1的输出电极和栅电极彼此连接的第三晶体管T3、用于将输入电容器Cpr的一个端子改变为参考电压VREF的第四晶体管T4、用于将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1的第五晶体管T5、用于将驱动晶体管T1的输出电流传输到发光二极管(LED)的第六晶体管T6、用于将发光二极管(LED)的阳极改变为初始化电压VINT的第七晶体管T7以及用于将偏置电压Vbias传输到驱动晶体管T1的第八晶体管T8。
多条信号线127、151、152、153、153-1、154、155、156、171、172、173和179可以包括第一扫描线151、第二扫描线152、第一初始化控制线153和第二初始化控制线153-1、第一发光控制线154和第二发光控制线155、偏置控制线156、数据线171、驱动电压线172、参考电压线173、偏置电压线179和初始化电压线127。第二初始化控制线153-1可以是与连接到下一行的像素的第一初始化控制线153的布线相同的布线。具有彼此不同的时序的信号可以被施加到第一发光控制线154和第二发光控制线155。
参考电压线173将参考电压VREF传输到与输入电容器Cpr和第二晶体管T2连接的节点N。驱动电压线172将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1，并且驱动低电压线741将驱动低电压ELVSS传输到阴极。初始化电压线127将初始化电压VINT传输到阳极，并且偏置电压线179将偏置电压Vbias传输到驱动晶体管T1。
多个电容器Cst和Cpr包括用于在一帧期间恒定地保持驱动晶体管T1的栅电极的电压的存储电容器Cst以及用于将通过第二晶体管T2传输的数据电压VDATA传输到驱动晶体管T1的一个电极的输入电容器Cpr。根据实施例，输入电容器Cpr可以被省略，并且由于不包括输入电容器Cpr，因此数据电压VDATA可以被直接传输到驱动晶体管T1的一个电极。
在下文中更详细地描述包含在像素中的元件之间的连接关系。
驱动晶体管T1根据施加到栅电极的数据电压VDATA调整输出的电流的大小，并且输出电流被施加到发光二极管(LED)的阳极。因此，发光二极管(LED)的亮度根据数据电压VDATA来调整。驱动晶体管T1的第一电极通过第五晶体管T5连接到驱动电压线172，以接收驱动电压ELVDD。另外，驱动晶体管T1的第一电极通过第八晶体管T8接收偏置电压Vbias，并且驱动晶体管T1的第一电极电压被保持或基本保持在期望电平(例如，在预定或特定电平)。同时，驱动晶体管T1的第二电极(例如，节点O)被布置成向发光二极管(LED)输出电流，并且通过第六晶体管T6连接到发光二极管(LED)的阳极。驱动晶体管T1的第二电极连接到输入电容器Cpr，以接收通过第二晶体管T2输入的数据电压VDATA。驱动晶体管T1的栅电极(例如，节点G)连接到存储电容器Cst。因此，驱动晶体管T1的栅电极的电压根据存储在存储电容器Cst中的电压而改变，并且相应地，由驱动晶体管T1输出的电流改变。驱动晶体管T1的栅电极和第二电极通过第三晶体管T3彼此连接。
第二晶体管T2接受数据电压VDATA到像素中(例如，到图6中的节点N中)。第二晶体管T2的栅电极连接到第一扫描线151，并且第二晶体管T2的第一电极连接到数据线171。第二晶体管T2的第二电极通过输入电容器Cpr连接到驱动晶体管T1的第二电极(例如，连接到节点O)。当第二晶体管T2根据通过第一扫描线151传输的第一扫描信号GW(n)而被导通时，通过数据线171传输的数据电压VDATA通过输入电容器Cpr被传输到驱动晶体管T1的第二电极。
第三晶体管T3被配置为允许数据电压VDATA被传送到驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器Cst，并补偿要存储在存储电容器Cst中的驱动晶体管T1的阈值电压。第三晶体管T3的栅电极连接到第二扫描线152，第三晶体管T3的第一电极连接到节点O以连接到驱动晶体管T1的第二电极以及输入电容器Cpr，并且第三晶体管T3的第二电极连接到节点G，以连接到驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器Cst。换句话说，当驱动晶体管T1被第三晶体管T3二极管连接，并且驱动晶体管T1利用施加到存储电容器Cst的电压而被导通时，存储在存储电容器Cst中的负电荷被放电，并且存储电容器Cst的电压增大。然后，在驱动晶体管T1的阈值电压下，驱动晶体管T1被截止，并且电压不再降低，使得存储在存储电容器Cst中的电压变成驱动晶体管T1的阈值电压的值。利用这种结构，即使当每个驱动晶体管T1具有不同的阈值电压时，驱动晶体管T1也可以在每个像素电路单元中被补偿和操作。
第四晶体管T4用于将输入电容器Cpr的第一电极的电压(或第二晶体管T2的第二电极的电压)初始化为参考电压VREF。第四晶体管T4的栅电极连接到第一初始化控制线153，第四晶体管T4的第一电极连接到参考电压线173，并且第四晶体管T4的第二电极连接到输入电容器Cpr的第一电极和第二晶体管T2的第二电极。
第五晶体管T5用于将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1。第五晶体管T5的栅电极连接到第一发光控制线154，第五晶体管T5的第一电极连接到驱动电压线172，并且第五晶体管T5的第二电极连接到驱动晶体管T1的第一电极。
第六晶体管T6用于将从驱动晶体管T1输出的输出电流传输到发光二极管(LED)。第六晶体管T6的栅电极连接到第二发光控制线155，第六晶体管T6的第一电极连接到驱动晶体管T1的第二电极，并且第六晶体管T6的第二电极连接到发光二极管(LED)的阳极。
第七晶体管T7用于将发光二极管(LED)的阳极初始化为初始化电压VINT。第七晶体管T7的栅电极连接到第二初始化控制线153-1，第七晶体管T7的第一电极连接到发光二极管(LED)的阳极(例如，节点A)，并且第七晶体管T7的第二电极连接到初始化电压线127。第二初始化控制线153-1可以是与连接到下一行中的像素的第一初始化控制线153的布线相同的布线。
第八晶体管T8用于将偏置电压Vbias施加到驱动晶体管T1的第一电极，使得驱动晶体管T1的第一电极的电压电平不超过合适的范围(例如，预定或特定范围)。第八晶体管T8的栅电极连接到偏置控制线156，第八晶体管T8的第一电极连接到偏置电压线179，并且第八晶体管T8的第二电极连接到驱动晶体管T1的第一电极。
存储电容器Cst的第一存储电极连接到驱动电压线172，并且存储电容器Cst的第二存储电极连接到节点G，或者换句话说，连接到驱动晶体管T1的栅电极和第三晶体管T3的第二电极。结果，第二存储电极具有与驱动晶体管T1的栅电极的电压相同或基本相同的电压，并且驱动晶体管T1的栅电极的电压在一帧内保持或基本保持为恒定或基本恒定。
输入电容器Cpr的第二电极连接到节点N，或者换句话说，连接到第二晶体管T2的第二电极和第四晶体管T4的第二电极，并且输入电容器Cpr的第一电极连接到驱动晶体管T1的第二电极(例如，节点O)。
另一方面，发光二极管(LED)的阳极(例如，节点A)连接到第六晶体管T6的第二电极和第七晶体管T7的第一电极，并且阴极接收驱动低电压ELVSS。
根据与图7中所示的波形相同或基本相同的波形的信号可以施加至具有图6中所示的电路结构的像素。
图7是应用于图6的像素的波形图。
为了说明，在图7中划分时段A、B、C、D、E、F、G和H，并且时段H被布置在时段A之前。
首先，更详细地描述时段H(在下文中被称为发光时段)。
在时段H中，分别施加到第五晶体管T5和第六晶体管T6的第一发光控制信号EM1和第二发光控制信号EM2被施加低电平导通电压，并且其他信号被施加高电平截止电压。结果，第五晶体管T5和第六晶体管T6被导通，并且被施加驱动电压ELVDD的驱动晶体管T1具有连接到发光二极管(LED)的结构。结果，输出电流根据驱动电压ELVDD和驱动晶体管T1的栅电极的电压(例如，节点G的电压)来产生，并且输出电流被传输到发光二极管(LED)。在发光二极管(LED)中，根据传输的输出电流的大小来显示亮度。
接下来，第一发光控制信号EM1被改变为高电平电压，并且进入时段A(例如，时段A开始)。此时，第一初始化控制信号EB1(n)和第二初始化控制信号EB1(n+1)被顺序地改变为低电平电压。第一初始化控制信号EB1(n)和第二初始化控制信号EB1(n+1)被改变为低电平电压的时间差可以是1H。在时段A中，驱动晶体管T1不产生输出电流，同时驱动电压ELVDD不被施加到驱动晶体管T1。此外，节点N(例如，第二晶体管T2的第二电极和第四晶体管T4的第二电极)的电压通过第四晶体管T4被初始化为参考电压VREF，并且节点A(例如，发光二极管(LED)的阳极)通过第七晶体管T7被初始化为初始化电压VINT。在时段A中，由于第六晶体管T6被导通，因此初始化电压VINT通过节点A被传送到节点O，并且节点O也被初始化。由于驱动晶体管T1的第二电极、第三晶体管T3的第一电极和输入电容器Cpr的第二电极连接到节点O，因此它们都被初始化为初始化电压VINT。
接下来，当进入时段B时，第二扫描信号GC(n)首先被改变为低电平电压，并且施加到节点O的初始化电压VINT被传输到节点G，使得节点G也被初始化为初始化电压VINT。连接到节点G的驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器Cst的第二存储电极也利用初始化电压VINT被初始化。
接下来，第二扫描信号GC(n)重复高电平电压和低电平电压多次(例如，若干次)，并且在数据写入时段(例如，时段E)中被施加低电平电压。第二扫描信号GC(n)在数据写入时段之后(例如，在时段E之后)保持或基本保持高电平电压。根据实施例，第二扫描信号GC(n)被改变为低电平电压的次数可以进行各种修改，只要第二扫描信号GC(n)在下一发光时段H之前被改变为低电平电压至少一次即可。
在第二发光控制信号EM2被改变为高电平电压之后，在第一发光控制信号EM1从高电平电压改变为低电平电压的同时进入时段C。
时段C被称为阈值电压补偿时段，并且第一发光控制信号EM1和第二扫描信号GC(n)在时段C中具有低电平电压，使得在驱动电压ELVDD被施加到驱动晶体管T1的同时，通过第三晶体管T3形成驱动晶体管T1的二极管连接结构。
此时，由于节点G的电压是初始化电压VINT，因此驱动晶体管T1被导通，同时存储在存储电容器Cst中的负电荷被放电，并且随着存储电容器Cst的电压增大，驱动晶体管T1在驱动晶体管T1的阈值电压处被截止。结果，在存储电容器Cst中，在节点G处存储比驱动电压ELVDD低了驱动晶体管T1的阈值电压Vth的电压值(VELVDD-Vth)。
另一方面，在时段C中，通过第一初始化控制信号EB1(n)和第二初始化控制信号EB1(n+1)，节点N和节点A连续地保持参考电压VREF和初始化电压VINT。
接下来，当第一发光控制信号EM1、第一初始化控制信号EB1(n)和第二初始化控制信号EB1(n+1)被改变为高电平电压时，进入时段D。此时，第二扫描信号GC(n)也可以被改变为高电平电压。在时段D中，补偿阈值电压的操作被终止，并且时段D是准备后续时段E(也被称为数据写入时段)的时段。
接下来，当在第二扫描信号GC(n)被改变为低电平电压的时段期间，第一扫描信号GW(n)被改变为低电平电压时，进入时段E。
在时段E中，第二晶体管T2被导通，并且数据电压VDATA穿过输入电容器Cpr，以被传送到节点O。此时，由于第三晶体管T3也被第二扫描信号GC(n)导通，因此数据电压VDATA被施加到节点G。传输到节点N的数据电压在被传输到节点O和节点G时，根据输入电容器Cpr的电容大小减小了部分比例(α)。当在如上所述减小了部分比例(α)的同时传输的数据电压为αVDATA，并且节点G的现有电压值为(VELVDD–Vth)时，节点G在时段E期间的最终电压可以具有(VELVDD-Vth+αVDATA)的值。
结果，在驱动晶体管T1的阈值电压被补偿的同时，数据电压也被包含在存储电容器Cst中。
之后，第一扫描信号GW(n)被改变为高电平电压，并且进入时段F。此时，第二扫描信号GC(n)也被改变为高电平电压，并且第二扫描信号GC(n)从时段F到下一帧的时段B保持或基本保持高电平。
在时段F中，第一初始化控制信号EB1(n)和第二初始化控制信号EB1(n+1)被改变为低电平电压，并且节点N和节点A被再次初始化。另外，偏置控制信号EB2(n)也被改变为低电平电压，以将偏置电压Vbias施加到驱动晶体管T1。偏置电压Vbias根据面板的特性被设置为恒定或基本恒定的电压，并且可以具有用于每个面板的各种合适的电压值。在一个面板上，偏置电压Vbias可以被设置为具有一个合适的电压值(例如，一个预定电压值)，使得驱动晶体管T1的第一电极的电压不会由于周围电压的改变而改变。
接下来，当偏置控制信号EB2(n)被改变为高电平电压时，进入时段G。在时段G中，第二发光控制信号EM2被施加低电平电压以准备进入发光时段H，并且第一初始化控制信号EB1(n)和第二初始化控制信号EB1(n+1)保持或基本保持低电平电压。
接下来，当第一初始化控制信号EB1(n)和第二初始化控制信号EB1(n+1)被改变为高电平电压，并且第一发光控制信号EM1被改变为低电平电压时，进入发光时段(例如，时段H)。
在时段H中，驱动晶体管T1接收驱动电压ELVDD，以根据节点G的电压产生输出电流，并将输出电流传输至发光二极管(LED)，以发射具有期望亮度(例如，具有预定亮度)的光。
实现由如上所述的电路结构以及施加的信号操作的像素的实施例可以与图8至图11中所示的实施例相同或基本相同。
首先，参考图8至图10更详细地描述像素电路单元PXR、PXG和PXB的结构。
图8是根据实施例的像素的布局图，图9是沿图8的线IX-IX截取的截面图，并且图10是沿图8的线X-X截取的截面图。
首先，在图8中，基于图4的实施例，在垂直方向上延伸的第一初始化电压线127-1被示出为公共电压线CSL的示例。如图8中所示，第一初始化电压线127-1平行或基本平行于数据线171R、171G和171B，在垂直方向上延伸，并且被布置在红色像素电路单元PXR与绿色像素电路单元PXG之间，以更远离蓝色像素电路单元PXB。结果，如图4中所示，即使形成蓝色像素阳极AEB，蓝色像素阳极AEB和第一初始化电压线127-1也被配置为在平面图中彼此不重叠。
在图8中，像素电路单元PXR、PXG和PXB中的每个基于数据线171R、171G和171B被分类，并且从数据线中对应的一条到第一参考电压线173-1的区域可以与像素电路单元PXR、PXG和PXB当中的一个像素电路单元相对应。另外，仅一条第一参考电压线173-1与三个或更多个像素相对应地形成，并且可以被多个邻近像素共享。在本实施例中，流过公共电压线CSL的公共电压可以是参考电压VREF。
在下文中更详细地描述特定像素结构。
根据实施例的发光二极管显示装置包括各自主要在第一方向(在下文中，被称为水平方向)上延伸的第一扫描线151、第二扫描线152、第一初始化控制线153、第一发光控制线154和第二发光控制线155以及偏置控制线156。此外，形成在第一方向上延伸的电压线，并且包括第二驱动电压线172-2和第三驱动电压线172-3、第二参考电压线173-2以及第二初始化电压线127-2。第二初始化控制线153-1是连接到下一行中的像素的第一初始化控制线153。在图8的实施例中，还形成在第一方向上延伸的修复线129。修复线129包括在第一栅导电层中、在第二栅导电层中以及在第一数据导电层中在第一方向上延伸的图案，使得如果必要或期望，修复线129可以用于修复。修复线129可以被修复以共享传输到邻近像素的阳极的电流。
发光二极管显示装置进一步包括各自在与第一方向交叉的第二方向(例如，垂直方向)上延伸的用于传输数据电压VDATA的数据线171R、171G和171B以及用于传输驱动电压ELVDD的第一驱动电压线172-1。发光二极管显示装置进一步包括分别用于传输参考电压VREF和初始化电压VINT的第一参考电压线173-1和第一初始化电压线127-1。
驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和第八晶体管T8的每个沟道被布置在延伸、同时弯曲的两个半导体层131和132中。第二半导体层132包括驱动晶体管T1、第三晶体管T3、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和第八晶体管T8的沟道。第一半导体层131包括第二晶体管T2和第四晶体管T4的沟道。每个晶体管的沟道仅形成在半导体层131和132当中的与每个晶体管的栅电极重叠的位置处，并且在沟道的左侧和右侧处(例如，在沟道的左侧和右侧中或在沟道的左侧和右侧上)，布置与对应的晶体管的第一电极和第二电极相对应的具有导电特性的第一区域和第二区域。换句话说，半导体层131和132包括例如以多晶硅为例的多晶半导体，并且除了每个晶体管的沟道之外，半导体层131和132通过等离子体处理或掺杂而是导电的。被放置在沟道的相应侧处(例如沟道的相应侧中或沟道的相应侧上)的导电的第一区域和第二区域可以分别用作多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8的第一电极和第二电极。另外，半导体层131和132的一些区域是导电的，使得不同的晶体管可以彼此直接且电连接。
多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8的每个沟道与晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8的对应栅电极重叠，并且被布置在晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8的对应第一区域与第二区域之间。多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8可以具有彼此相同或基本相同的堆叠结构。在下文中，主要更详细地描述驱动晶体管T1，并且可以简要描述其他剩余的晶体管T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8，或者可以不重复其冗余描述。
参考图8和图10，驱动晶体管T1包括栅电极G1、形成在第二半导体层132的与栅电极G1重叠的位置处的沟道T1_C以及布置在沟道的相应侧(例如，相对侧)处(例如，沟道的相应侧中或沟道的相应侧上)的第一区域和第二区域。换句话说，驱动晶体管T1的沟道被布置在第一区域与第二区域之间，并且在平面图中与栅电极G1重叠。在图8中，驱动晶体管T1的沟道具有在第一方向上延伸的线形状。然而，根据实施例，驱动晶体管T1的沟道可以具有弯曲结构，并且作为示例，可以被形成为欧米茄(Ω)形状。在图9中，例如，第二晶体管T2的截面图被图示为具有第二晶体管T2的栅电极G2以及第二晶体管T2的位于第一半导体层131中的沟道T2_C。
包括沟道、第一区域和第二区域的第二半导体层132和第一半导体层131被布置在基板110上，并且半导体层131和132被第一栅绝缘层141覆盖。基板110可以是玻璃基板，并且根据实施例，可以是包括塑料或聚酰亚胺(PI)的柔性基板。在柔性基板的情况下，在基板110与半导体层131和132之间可以进一步包括无机绝缘层，例如，诸如缓冲层或阻挡层。第一栅绝缘层141可以包括无机绝缘材料，例如，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和/或氧氮化硅(SiOxNy)。
在第一栅绝缘层141上，包括栅电极G1的第一栅导电层被布置。第一栅导电层可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且可以具有上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。
其他晶体管T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8的每个栅电极G2、G3、G4、G5、G6、G7和G8也形成在第一栅导电层中。结果，晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8中的全部通过半导体层131和132以及第一栅导电层形成。另外，除了驱动晶体管T1的栅电极G1之外，其他晶体管T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8的栅电极G2、G3、G4、G5、G6、G7和G8都接收控制信号，并且具有其中它们电连接到被放置在第一数据导电层中的对应的信号线的结构，这将在下面更详细地描述。
另外，第一栅导电层还包括输入电容器Cpr的第一电极CprE1。
第二栅绝缘层142形成在第一栅导电层上。第二栅绝缘层142可以包括无机绝缘材料，例如，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和/或氧氮化硅(SiOxNy)。
第二栅导电层被放置在第二栅绝缘层142上。第二栅导电层包括存储电容器Cst的一个电极和输入电容器Cpr的一个电极。第二栅导电层可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且可以具有上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。
如图8和图10中所示，存储线126的延伸部分CstE被绝缘并被布置在栅电极G1上。存储线126在第一方向上延伸，在平面图中与第三驱动电压线172-3重叠，并且通过开口172-3C电连接到第三驱动电压线172-3。
存储线126的延伸部分CstE通过在平面图中经由第二栅绝缘层142与栅电极G1重叠来形成存储电容器Cst。存储线126的延伸部分CstE是存储电容器Cst的第一存储电极，并且栅电极G1是存储电容器Cst的第二存储电极。通过使用栅电极G1作为第二存储电极，可能够在由于占据像素内的大面积的驱动晶体管T1的沟道而变窄的空间中确保足够空间来形成存储电容器Cst。存储线126的延伸部分CstE具有开口OP1，以便将栅电极G1连接到第一连接构件176。
参考图8和图9，输入电容器Cpr的结构可以被确认。
输入电容器Cpr包括被放置在第一栅导电层中的第一电极CprE1以及被放置在第二栅导电层中同时在平面图中与第一电极CprE1重叠的第二电极CprE2。第二栅绝缘层142可以被放置在第一电极CprE1与第二电极CprE2之间，并且可以用作介电层。
输入电容器Cpr的第二电极CprE2具有开口OP2，使得第一电极CprE1可以连接到第二连接构件175。
第一层间绝缘层143形成在第二栅导电层上。第一层间绝缘层143可以包括无机绝缘材料，例如，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和/或氧氮化硅(SiOxNy)。
第一数据导电层被布置在第一层间绝缘层143上，并且第一数据导电层包括在第一方向上延伸的布线151、152、153、154、155、156、127-2、172-2、172-3、173-2和179以及多个连接构件174、175、176和177。第一数据导电层可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)等，并且可以具有上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。
参考图10，驱动晶体管T1和存储电容器Cst的上部被描述如下。
栅电极G1的上表面和第一连接构件176在存储线126的延伸部分CstE的开口OP1中通过开口176C1彼此电连接。此外，第一连接构件176通过开口176C2连接到第三晶体管T3的第二区域。结果，驱动晶体管T1的栅电极G1和第三晶体管T3的第二区域彼此电连接。
除了驱动晶体管T1的栅电极G1之外，其他晶体管T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8的栅电极G2、G3、G4、G5、G6、G7和G8电连接到被放置在第一数据导电层中的每条对应布线。
参考图8和图9，第二晶体管T2的栅电极G2通过开口OG2电连接到布置在第一数据导电层中的第一扫描线151。这里，第一扫描线151在第一方向(例如，横向方向)上延伸。
第三晶体管T3的栅电极G3被布置在第一数据导电层中，并且通过开口OG3电连接到在第一方向上延伸的第二扫描线152。第三晶体管T3的栅电极G3因为包括两个突出部分而具有与第二半导体层132重叠两次的结构。结果，第三晶体管T3具有两个晶体管的栅电极彼此连接并且一个晶体管的第一电极和另一晶体管的第二电极彼此连接的结构(在下文中，也被称为串联连接的晶体管结构)。
第四晶体管T4的栅电极G4被布置在第一数据导电层中，并且通过开口OG47电连接到在第一方向上延伸的第一初始化控制线153。
第四晶体管T4的栅电极G4延伸到上侧，并且构成前一行的像素的第七晶体管T7的栅电极G7。结果，第七晶体管T7的栅电极G7通过下一行的开口OG47电连接到第一初始化控制线153。
第五晶体管T5的栅电极G5被放置在第一数据导电层中，并且通过开口OG5电连接到在第一方向上延伸的第一发光控制线154。
第六晶体管T6的栅电极G6被放置在第一数据导电层中，并且通过开口OG6电连接到在第一方向上延伸的第二发光控制线155。
第八晶体管T8的栅电极G8被放置在第一数据导电层中，并且通过开口OG8电连接到在第一方向上延伸的偏置控制线156。另外，被放置在第一数据导电层中的偏置电压线179通过开口179C电连接到第二半导体层132的第八晶体管T8的第一区域。
如图8和图9中所示，输入电容器Cpr的上部结构如下。
在输入电容器Cpr的第二电极CprE2的开口OP2中，输入电容器Cpr的第一电极CprE1的上表面通过开口175C1电连接到第二连接构件175。另外，第二连接构件175通过开口175C2连接到驱动晶体管T1的第二区域、第三晶体管T3的第一区域和第六晶体管T6的第一区域。
另一方面，输入电容器Cpr的第二电极CprE2通过开口174C2电连接到第三连接部件174，并且第三连接构件174的另一侧通过开口174C1电连接到第一半导体层131当中的第二晶体管T2与第四晶体管T4之间的位置。结果，输入电容器Cpr的第二电极CprE2接收通过第二晶体管T2施加的数据电压VDATA或通过第四晶体管T4施加的参考电压VREF。
第一数据导电层进一步包括第四连接构件177、第二初始化电压线127-2、第二驱动电压线172-2和第三驱动电压线172-3以及第二参考电压线173-2。
第四连接构件177的一端通过开口177C电连接到第二半导体层132的第六晶体管T6与第七晶体管T7之间的位置，并且其另一端是连接到下面更详细描述的阳极连接构件CCR、CCG和CCB的部分。结果，驱动晶体管T1的输出电流通过第六晶体管T6被传输到阳极，或者初始化电压VINT通过第七晶体管T7被传输到阳极。
第二初始化电压线127-2、第二驱动电压线172-2和第三驱动电压线172-3以及第二参考电压线173-2在第一方向(例如，横向方向)上延伸。
第二初始化电压线127-2通过开口127C1电连接到第二半导体层132的第七晶体管T7的第二区域。
第二驱动电压线172-2具有延伸部分172-2B，并且延伸部分172-2B当中的一些区域通过开口172C3电连接到第二半导体层132的第五晶体管T5的第一区域。
在它们当中，第三驱动电压线172-3通过开口172-3C和突出部分172-3P电连接到存储线126。另外，第二参考电压线173-2通过开口173C1连接到第一半导体层131的第四晶体管T4的第一区域。
第一钝化层144形成在第一数据导电层上。第一钝化层144可以包括例如以通用聚合物(例如，诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物和/或硅氧烷类聚合物为例的有机绝缘材料。
第二数据导电层被布置在第一钝化层144上，并且第二数据导电层包括在第二方向(例如，垂直方向)上延伸的布线171、172-1、173-1和127-1。第二数据导电层可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)等，并且可以具有上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。
数据线171被示出为用附图标记171R、171G和171B划分，以区分与每种颜色的像素电路单元的连接。
数据线171R、171G和171B通过布置在第一数据导电层中的数据线连接件171_C电连接到第一半导体层131的第二晶体管T2的第一区域。换句话说，数据线连接件171_C的一端通过开口171C1电连接到数据线171R、171G和171B，并且数据线连接件171_C的另一端通过开口171C2电连接到第一半导体层131的第二晶体管T2的第一区域。结果，数据电压VDATA被传输到第二晶体管T2。
第一驱动电压线172-1通过开口172C1电连接到第二驱动电压线172-2，并且包括通过开口172C2电连接到第三驱动电压线172-3的突出部分172-3P的突出部分172-1C。存储线126通过开口172-3C电连接到第三驱动电压线172-3，因此驱动电压ELVDD也被施加到存储线126。
第一参考电压线173-1通过开口173C2电连接到第二参考电压线173-2，并且第一初始化电压线127-1通过开口127C2电连接到第二初始化电压线127-2。
如上所述，电压线(例如，诸如驱动电压线、参考电压线和初始化电压线)具有包括在第一方向上延伸的布线以及在第二方向上延伸的布线的网格结构，因此电压电平不会在宽显示面板当中的特定位置处下降。
另外，第二数据导电层进一步包括阳极连接构件CCR、CCG和CCB，并且阳极连接构件CCR、CCG和CCB的一端通过开口DCR、DCG和DCB连接到第四连接构件177。阳极连接构件CCR、CCG、CCB的另一端通过开口CTR、CTG、CTB连接到被放置在上部分处的阳极。
覆盖第二数据导电层的第二钝化层145被布置。第二钝化层145可以包括例如以通用聚合物(例如，诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物和/或硅氧烷类聚合物为例的有机绝缘材料。
在上面，已经更详细地描述了像素电路单元PXR、PXG和PXB。
参考图11更详细地描述发光元件单元的截面结构。
图11是根据实施例的显示面板的截面图。
参考图11，示出了蓝色像素的阳极AEB和阳极连接构件CCB的截面连接结构。
布置在第一层间绝缘层143上的第四连接构件177通过形成在第一钝化层144中的开口DCB被暴露。阳极连接构件CCB连接到被暴露的第四连接构件177。此外，阳极连接构件CCB的上表面被布置在第二钝化层145中的开口CTB暴露，并且阳极AEB电连接到被暴露的阳极连接构件CCB。
参考图8，阳极连接构件CCR、CCG和CCB具有相互不同的形状和长度，以随阳极的位置改变而连接到各种合适的位置。
再次参考图11，具有暴露阳极AEB的开口255的隔断墙250形成在阳极AEB上。隔断墙250的开口255沿阳极AEB的轮廓形成，并且开口255被放置在阳极AEB的轮廓的内部(例如，里面)，从而形成隔断墙250与阳极AEB的一部分重叠的结构。
发射层LEL被布置在隔断墙250的开口255中的阳极AEB上，并且覆盖隔断墙250和发射层LEL的阴极CE被布置。阳极AEB、发射层LEL和阴极CE结合以形成发光二极管LED。
封装层300可以进一步包含在阴极CE上，以防止或基本防止水分和/或空气从外部转移到发射层LEL。发射层LEL可以是无机发射层或有机发射层。在有机发射层的情况下，封装层300可能是重要的，因为有机发射层可能易受水分和/或空气的影响。根据实施例，封装层300可以包括无机层和有机层，并且无机层和有机层可以在彼此上交替地堆叠多次(例如，若干次)，或者可以包括无机层/有机层/无机层的三层结构。
参考上面的图8至图11，已经描述了一个或多个实施例，其中在第二方向(例如，垂直方向)上延伸的布线(诸如数据线)当中的第一初始化电压线127-1被用作公共电压线CSL。然而，本公开并不限于此，并且公共电压线CSL不限于此。
在下文中，参考图12描述另一修改的实施例。
图12是示出根据另一实施例的像素中的阳极结构的视图。
在图12的实施例中，蓝色像素的阳极AEB在不平行或基本不平行于与蓝色像素的阳极AEB相对应的数据线171B的方向上被划分。结果，也包括在与数据线171B不平行或基本不平行的第一方向(例如，横向方向)上延伸的开口。
此外，红色像素的阳极AER和绿色像素的阳极AEG沿第一方向(例如，横向方向)被划分。结果，在第一方向(例如，横向方向)上延伸的开口分别包含在红色像素的阳极AER和绿色像素的阳极AEG中。
阳极AER、AEG和AEB中的每个可以包括开口(具体地，在与数据线不平行或基本不平行的第一方向上形成的开口)，使得当放置在阳极AER、AEG和AEB下方的第二钝化层145通过使用有机材料来形成时，在气体由于烘烤工艺等被排出的情况下，气体可以被排到外部而不阻挡气体。
换句话说，形成包括暴露阳极AER、AEG和AEB中的每个的开口255的隔断墙250，并且在隔断墙250的开口255中，隔断墙250可以包括阳极AER、AEG和AEB未形成的部分。
这里，隔断墙250的其中未形成有阳极AER、AEG和AEB的部分可以在与数据线的延伸方向交叉的方向上延伸。
在下文中更详细地描述每个阳极的详细结构。
红色像素的阳极AER包括第一红色像素的阳极AER1、第二红色像素的阳极AER2以及将第一红色像素的阳极AER1和第二红色像素的阳极AER2彼此连接的阳极连接件AEER。此外，红色像素的阳极AER还包括接触部分AECR以及要连接到红色像素电路单元PXR的开口CTR。红色像素的阳极AER的接触部分AECR通过布置在第二钝化层145中的开口CTR连接到阳极连接构件CCR(例如，参考图8)。
红色像素的阳极AER包括第一红色像素的阳极AER1、第二红色像素的阳极AER2以及将第一红色像素的阳极AER1和第二红色像素的阳极AER2彼此连接的阳极连接件AEER，并且因此，存在红色像素的阳极AER未形成在一些区域上的部分。例如，如图12中所示，红色像素的阳极AER不被布置在红色像素的阳极AER当中的通过隔断墙250的开口255暴露的一部分处。气体可以通过未形成红色像素的阳极AER的部分被排出，并且未形成红色像素的阳极AER的部分可以不像数据线一样在垂直方向(例如，第二方向)上延伸。然而，根据实施例，在减小与红色像素的阳极AER重叠的数据线的寄生电容的情况下，未形成红色像素的阳极AER的部分可以与数据线平行或基本平行，并且与数据线不重叠。
绿色像素的阳极AEG包括第一绿色像素的阳极AEG1、第二绿色像素的阳极AEG2以及将第一绿色像素的阳极AEG1和第二绿色像素的阳极AEG2彼此连接的阳极连接件AEEG。此外，绿色像素的阳极AEG还包括接触部分AECG以及要连接到绿色像素电路单元PXG的开口CTG。绿色像素的阳极AEG的接触部分AECG通过布置在第二钝化层145中的开口CTG连接到阳极连接构件CCG(例如，参考图8)。
绿色像素的阳极AEG包括第一绿色像素的阳极AEG1、第二绿色像素的阳极AEG2以及将第一绿色像素的阳极AEG1和第二绿色像素的阳极AEG2彼此连接的阳极连接件AEEG，从而包括绿色像素的阳极AEG未形成在一些区域上的部分。例如，如图12中所示，绿色像素的阳极AEG不被布置在绿色像素的阳极AEG当中的通过隔断墙250的开口255暴露的一部分处。气体可以通过未形成绿色像素阳极AEG的部分被排出，并且未形成绿色像素阳极AEG的部分可以不像数据线一样在垂直方向(例如，第二方向)上延伸。然而，根据实施例，为了减小与绿色像素的阳极AEG重叠的数据线的寄生电容，未形成绿色像素的阳极AEG的部分可以与数据线平行或基本平行，并且可以与数据线不重叠。
蓝色像素阳极AEB包括在与数据线平行或基本平行的第二方向(例如，垂直方向)上未形成蓝色像素的阳极AEB的区域(例如，开口)，并且甚至在第一方向(例如，横向方向)上包括与红色像素的阳极AER和绿色像素的阳极AEG类似的不形成蓝色像素的阳极AEB的区域(例如，开口)。
例如，蓝色像素的阳极AEB包括第一至第四蓝色像素的阳极AEB11、AEB12、AEB21和AEB22、以及将它们彼此连接的阳极连接件AEEB11、AEEB12、AEEB21和AEEB22。此外，蓝色像素的阳极AEB包括要连接到蓝色像素电路单元PXB的开口CTB。换句话说，蓝色像素的阳极AEB通过被放置在第二钝化层145处的开口CTB连接至阳极连接构件CCB(例如，参考图8)。在图12的实施例中，蓝色像素的阳极AEB具有在第一蓝色像素的阳极AEB11处直接连接而不形成接触部分的结构。然而，根据实施例，它们可以通过接触部分彼此连接。
蓝色像素的阳极AEB具有将第一至第四蓝色像素的阳极AEB11、AEB12、AEB21和AEB22彼此连接的四个阳极连接件AEEB11、AEEB12、AEEB21和AEEB22，从而包括蓝色像素的阳极AEB未形成在一些区域上的部分。例如，如图12中所示，蓝色像素的阳极AEB不被布置在蓝色像素的阳极AEB当中的通过隔断墙250的开口255暴露的一部分处。气体可以通过未形成蓝色像素的阳极AEB的部分被排出，并且未形成蓝色像素的阳极AEB的部分中的一些像数据线一样在垂直方向(例如，第二方向)上延伸，并且可以在平面图中与数据线不重叠。这样，蓝色像素阳极AEB在平面图中与数据线不重叠，从而减小在数据线中出现的寄生电容，并且使高速驱动成为可能。
同样，与图4和图5的实施例一样，通过防止蓝色像素的阳极AEB和公共电压线CSL彼此重叠，在寄生电容大量产生的蓝色像素的阳极AEB中不出现附加寄生电容，使得相对小的寄生电容可以产生。结果，在数据线中间接产生小的寄生电容，使得可以以高速驱动整个显示装置。
这里，参考图8，公共电压线CSL是用于将电压施加到像素电路单元的电压线，并且可以是第一初始化电压线127-1，但本公开并不限于此，并且可以使用另一第一参考电压线173-1。例如，在另一实施例中，公共电压线CSL可以是第一驱动电压线172-1。此外，尽管图8的实施例示出了偏置电压线179在第一方向(例如，横向方向)上延伸，但根据实施例，偏置电压线179可以在与数据线的方向相同的第二方向(例如，垂直方向)上延伸。在此情况下，偏置电压线179也可以是公共电压线CSL，并且可以与蓝色像素的阳极AEB不重叠。
此外，根据实施例，驱动低电压线(其为在数据线的延伸方向(例如，垂直方向或第二方向)上延伸的另一布线)可以是公共电压线CSL。在图13中，图示了其中驱动低电压线是公共电压线CSL的实施例。
图13是根据另一实施例的像素的布局图。
图13图示了图8的修改的结构，其中在图13中驱动低电压线741形成在图8中的第一初始化电压线127-1的位置处。驱动低电压线741是被形成为将驱动低电压ELVSS传输到阴极CE的纵向布线，并且根据实施例可以进一步包括在水平方向上延伸的附加驱动低电压线。
驱动低电压线741通过开口741C电连接到向上布置的阴极CE。
与图4和图5的公共电压线CSL一样，驱动低电压线741可以形成于在平面图中与蓝色像素的阳极AEB不重叠的位置处。结果，在蓝色像素的阳极AEB上减小由于驱动低电压线741引起的寄生电容。因此，也可以减小数据线171B中出现的寄生电容当中由于蓝色像素的阳极AEB而引起的寄生电容。换句话说，由于蓝色像素的阳极AEB和作为公共电压线CSL的驱动低电压线741彼此不重叠，因此数据线171B的寄生电容间接地减小。结果，在数据线171B中产生的RC延迟值减小，并且使高速驱动成为可能。
在上面的描述中，尽管图8的结构和图13的结构已经被单独描述为不同的实施例，但根据实施例，图8的结构和图13的结构可以一起包含在同一实施例中。
换句话说，在一个显示装置的一个像素行中，图8的结构和图13的结构可以包含在一起，并且在六个邻近的像素电路单元中，一组邻近的三个像素电路单元PXR、PXG和PXB可以具有图8的结构，并且另一组邻近的三个像素电路单元PXR、PXG和PXB可以具有图13的结构。在此情况下，第一初始化电压线127-1将初始化电压VINT施加到邻近的六个像素电路单元，并且施加到邻近的六个像素电路单元的阴极CE的驱动低电压ELVSS可以由驱动低电压线741施加。在本实施例中，第一初始化电压线127-1和驱动低电压线741可以具有为每六个像素电路单元PXR、PXG和PXB布置并且在第二方向(例如，垂直方向)上延伸的结构。
然而，根据一个实施例，可以针对比六个邻近像素电路单元PXR、PXG和PXB更大数量的像素电路单元布置第一初始化电压线127-1或驱动低电压线741，使得可以形成至少三个连续的其中不包括第一初始化电压线127-1和驱动低电压线741的像素电路单元PXR、PXG和PXB。
尽管已经描述了一些示例实施例，但本领域的技术人员将容易理解，可以对示例实施例进行各种修改，而不脱离本公开的精神和范围。将理解，除非另有描述，否则每个实施例中特征或方面的描述应典型地被认为是可用于其它实施例中其它相似特征或方面。因此，如对本领域普通技术人员来说将是显而易见的，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者可以与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有明确说明。因此，要理解的是，以上是各种示例实施例的说明，而不应被解释为限于本文中公开的具体示例实施例，并且对所公开的示例实施例的各种修改以及其它示例实施例都意在被包括在所附权利要求及其等同方案限定的本公开的精神和范围内。
附图标记说明
AER、AEG、AEB：阳极 171、171R、171G、171B：数据线
PXR、PXG、PXB：像素电路单元 LED：发光二极管(LED)
CSL：公共电压线 PXU：单位像素
AECG、AECR、AECR：接触部分
VDATA：数据电压 VINT：初始化电压
VREF：参考电压 Vbias：偏置电压
LEL：发射层 CE：阴极
110：基板 126：存储线
127、127-1、127-2：初始化电压线 129：修复线
131、132：半导体层 141、142：第一栅绝缘层
143：第一层间绝缘层 144、145：第一钝化层
151、152：扫描线 153、153-1：初始化控制线
154、155：发光控制线 156：偏置控制线
172、172-1、172-2、172-3：驱动电压线
173、173-1、173-2：参考电压线 179：偏置电压线
741：驱动低电压线
174、175、176、177：连接构件
250：隔断墙 300：封装层
171_C：数据线连接件 172-1C：突出部分
172-2B：延伸部分 172-3P：突出部分
CCR、CCG、CCB：阳极连接构件
OP1、OP2：开口
Cpr：输入电容器 Cst：存储电容器
AEB3、AEER、AEEG、AEEB11、AEEB12、AEEB21、AEEB22：阳极连接件
G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7、G8：栅电极
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8：晶体管
127C1、127C2、171C1、171C2、172-3C、172C1、172C2、172C3：开口
173C1、173C2、174C1、174C2、175C1、175C2、176C1、176C2：开口
177C、179C、255、741C：开口
CTR、CTG、CTB、DCR、DCG、DCB：开口
OG2、OG3、OG47、OG5、OG6、OG8：开口

Claims (20)

1.一种发光二极管显示装置，包括：
像素电路；
连接到所述像素电路的用于传输数据电压的数据线；
在所述像素电路和所述数据线上的阳极；
在所述阳极上的发射层；以及
在所述发射层上的阴极，
其中所述阳极包括第一阳极和第二阳极，并且所述数据线穿过所述第一阳极和所述第二阳极之间延伸。
2.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其中，所述数据线在平面图中与所述第一阳极和所述第二阳极不重叠。
3.根据权利要求2所述的发光二极管显示装置，其中，所述第一阳极和所述第二阳极具有彼此不同的面积。
4.根据权利要求2所述的发光二极管显示装置，其中：
所述第一阳极和所述第二阳极通过阳极连接件而彼此电连接；并且
所述阳极连接件在所述平面图中与所述数据线重叠。
5.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，进一步包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，
其中所述像素电路包括多个像素电路，所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素中的每个包括所述多个像素电路当中对应的像素电路，
其中所述阳极包括连接到所述红色像素的所述像素电路的红色像素阳极、连接到所述绿色像素的所述像素电路的绿色像素阳极以及连接到所述蓝色像素的所述像素电路的蓝色像素阳极，并且
其中所述红色像素阳极、所述绿色像素阳极和所述蓝色像素阳极当中的一个阳极与所述数据线不重叠，并且具有所述红色像素阳极、所述绿色像素阳极和所述蓝色像素阳极的面积当中的最大面积。
6.根据权利要求5所述的发光二极管显示装置，其中：
与所述数据线不重叠的所述一个阳极是所述蓝色像素阳极；并且
与所述蓝色像素阳极不重叠的所述数据线连接到所述蓝色像素的所述像素电路。
7.根据权利要求5所述的发光二极管显示装置，进一步包括具有暴露所述一个阳极的开口的隔断墙，
其中所述一个阳极的一部分不被所述隔断墙的所述开口暴露。
8.根据权利要求7所述的发光二极管显示装置，其中，所述一个阳极的所述一部分在与所述数据线的延伸方向交叉的方向上延伸。
9.一种发光二极管显示装置，包括：
像素电路；
连接到所述像素电路并且被配置为传输数据电压的数据线；
连接到所述像素电路并且在与所述数据线的方向相同的方向上延伸的公共电压线；
在所述数据线和所述公共电压线上的阳极；
在所述阳极上的发射层；以及
在所述发射层上的阴极，
其中所述阳极与所述公共电压线不重叠。
10.根据权利要求9所述的发光二极管显示装置，其中，所述公共电压线被配置为将电压施加到所述像素电路，并且包括偏置电压线、参考电压线、驱动电压线、驱动低电压线和初始化电压线当中的一条。
11.根据权利要求10所述的发光二极管显示装置，其中，所述像素电路包括：
被配置为将输出电流传输到所述阳极的驱动晶体管；
输入电容器；以及
连接到所述数据线并且被配置为将所述数据电压传输到所述输入电容器的第二晶体管，
其中：
所述参考电压线被配置为将参考电压传输到所述输入电容器和所述第二晶体管彼此连接的节点；
所述驱动电压线被配置为将驱动电压传输到所述驱动晶体管；
所述偏置电压线被配置为将偏置电压传输到所述驱动晶体管；
所述驱动低电压线被配置为将驱动低电压传输到所述阴极；并且
所述初始化电压线被配置为将初始化电压传输到所述阳极。
12.根据权利要求11所述的发光二极管显示装置，其中，所述公共电压线是所述初始化电压线。
13.根据权利要求11所述的发光二极管显示装置，其中，所述公共电压线是所述驱动低电压线。
14.根据权利要求10所述的发光二极管显示装置，其中：
所述阳极包括第一阳极和第二阳极；并且
所述数据线在平面图中在所述第一阳极与所述第二阳极之间延伸。
15.根据权利要求14所述的发光二极管显示装置，其中，所述第一阳极和所述第二阳极具有彼此不同的面积。
16.根据权利要求14所述的发光二极管显示装置，其中：
所述第一阳极和所述第二阳极通过阳极连接件彼此电连接；并且
所述阳极连接件在所述平面图中与所述数据线重叠。
17.根据权利要求9所述的发光二极管显示装置，进一步包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，
其中所述像素电路包括多个像素电路，所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素中的每个包括所述多个像素电路当中对应的像素电路，
其中所述阳极包括连接到所述红色像素的所述像素电路的红色像素阳极、连接到所述绿色像素的所述像素电路的绿色像素阳极以及连接到所述蓝色像素的所述像素电路的蓝色像素阳极，并且
其中所述红色像素阳极、所述绿色像素阳极和所述蓝色像素阳极当中的一个阳极与所述数据线不重叠，并且具有所述红色像素阳极、所述绿色像素阳极和所述蓝色像素阳极的面积当中的最大面积。
18.根据权利要求17所述的发光二极管显示装置，其中：
与所述数据线不重叠的所述一个阳极是所述蓝色像素阳极；并且
与所述蓝色像素阳极不重叠的所述数据线连接到所述蓝色像素的所述像素电路。
19.根据权利要求17所述的发光二极管显示装置，进一步包括隔断墙，所述隔断墙包括暴露所述一个阳极的开口，
其中所述一个阳极的一部分不被所述隔断墙的所述开口暴露。
20.根据权利要求19所述的发光二极管显示装置，其中，所述一个阳极的所述一部分在与所述数据线的延伸方向交叉的方向上延伸。
CN202110954509.XA 2020-09-25 2021-08-19 发光二极管显示装置 Pending CN114256434A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200124979A KR20220042007A (ko) 2020-09-25 2020-09-25 발광 표시 장치
KR10-2020-0124979 2020-09-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114256434A true CN114256434A (zh) 2022-03-29

Family

ID=80791285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110954509.XA Pending CN114256434A (zh) 2020-09-25 2021-08-19 发光二极管显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11716883B2 (zh)
KR (1) KR20220042007A (zh)
CN (1) CN114256434A (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220014351A (ko) * 2020-07-23 2022-02-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220096188A (ko) * 2020-12-30 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220148345A (ko) * 2021-04-28 2022-11-07 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR20240021365A (ko) * 2022-08-09 2024-02-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20240023269A (ko) 2022-08-11 2024-02-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101820032B1 (ko) 2010-09-30 2018-01-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치 및 이들의 리페어 방법
KR102086404B1 (ko) 2013-09-04 2020-03-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 소자, 그 제조 방법 및 유기전계발광 표시장치
KR102375642B1 (ko) 2016-10-28 2022-03-18 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서 내장형 전계발광 표시장치
CN107025883B (zh) * 2017-04-28 2019-05-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、像素驱动电路及其驱动方法
KR102472310B1 (ko) * 2017-09-27 2022-11-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102519427B1 (ko) 2018-10-05 2023-04-10 삼성디스플레이 주식회사 구동 제어부, 표시 장치 및 이를 이용한 표시 패널의 구동 방법
KR20200040321A (ko) 2018-10-08 2020-04-20 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20200100893A (ko) * 2019-02-18 2020-08-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210077477A (ko) * 2019-12-17 2021-06-25 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US12048214B2 (en) 2024-07-23
KR20220042007A (ko) 2022-04-04
US20220102463A1 (en) 2022-03-31
US20240008327A1 (en) 2024-01-04
US11716883B2 (en) 2023-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11183112B2 (en) Display device
CN114256434A (zh) 发光二极管显示装置
KR100698697B1 (ko) 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR100604053B1 (ko) 발광 표시장치
EP3355358B1 (en) Display device including an emission layer
US8004480B2 (en) Organic light emitting display
KR100721943B1 (ko) 유기전계발광표시장치
KR101142996B1 (ko) 표시 장치 및 그 구동 방법
CN100446295C (zh) 有机电致发光显示板及其制造方法
CN107342040B (zh) 显示装置
US7834557B2 (en) Organic light emitting display and method of manufacturing the same
EP3588480B1 (en) Pixel driving circuit and driving method thereof, and layout structure of transistor
CN103943062A (zh) 显示器件的驱动方法
WO2021035414A1 (zh) 像素电路及驱动方法、显示基板及驱动方法、显示装置
US20210242292A1 (en) Light emitting apparatus, imaging apparatus, electronic apparatus, illumination apparatus, and mobile apparatus
TW201220278A (en) Organic light emitting diode displays
CN217361587U (zh) 显示装置
CN115101649A (zh) 发光二极管器件及其制备方法、显示基板和显示装置
CN115440766A (zh) 发光显示装置
CN115132113A (zh) 显示装置
KR100581809B1 (ko) 디멀티플렉싱 회로 및 이를 이용한 발광 표시장치
KR100635502B1 (ko) 유기전계발광표시장치
KR100583137B1 (ko) 유기 발광 표시장치
KR20240072412A (ko) 발광 표시 장치
KR100624128B1 (ko) 유기전계발광표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination