CN1142540C - 带有电屏蔽的磁记录换能器 - Google Patents

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Abstract

本发明是用于向磁性媒体写入信息并从磁性媒体读出信息的读出/写入磁头。它包括用于向磁性媒体写入信息的写入磁头元件、从磁性媒体读出信息的读出磁头元件和设置在写入磁头元件与读出磁头元件之间的电磁场屏蔽元件。屏蔽用来使读出磁头屏蔽掉写入磁头元件产生的电磁场能量。改进的第二实施例包括靠近读出磁头元件设置的电路元件，用来在读出磁头元件处产生电磁场，该电磁场与写入磁头元件产生的电磁场相反地取向。

Description

带有电屏蔽的磁记录换能器
技术领域
本发明一般涉及读出/写入磁头组件，并且尤其涉及用于屏蔽和抵消这种磁头内的不需要的电磁场的装置。
背景技术
在利用所谓的MR磁头作为记录换能器的传统的硬盘驱动器(HDD)中，记录磁头典型地使用磁头上的不同的元件来执行写入和读出操作。在硬盘上的写入典型地应用感应写入磁头元件来执行，并且从硬盘的读回典型地应用具有磁致电阻(MR)元件的读出磁头来执行。感应写入磁头元件和MR元件是读出/写入磁头上的特制的结构，由特殊沉积的薄膜层构成。MR元件层典型地首先沉积在衬底上，在MR元件沉积后沉积感应元件层。显然，由于写入信号产生的电磁场与读回信号之间的干扰，写入磁头元件和读出磁头元件不能同时操作。在另一个已有技术装置中，感应元件层首先沉积，在此之后沉积MR元件层。但是，写入信号与读回信号之间的干扰仍然存在，并且这些装置也不能同时向盘写入和从盘读出。
在工业上具有同时向盘写入数据和从盘读出数据的能力的读出/写入磁头有重要的应用。但是，由于上述的写入信号电磁场干扰，已有技术的读出/写入磁头不能执行这项任务。因此，需要一种其中写入功能和读出功能可同时被执行的读出/写入磁头。
发明内容
本发明是用于向磁性媒体写入信息并从磁性媒体读出信息的读出/写入磁头。它包括用于向磁性媒体写入信息的写入磁头元件、从磁性媒体读出信息的读出磁头元件和设置在写入磁头元件与读出磁头元件之间的电磁场屏蔽元件。电磁场屏蔽用来使读出磁头屏蔽掉写入磁头元件产生的电磁场能量，以降低在写入操作期间读出磁头元件所遭受的总的电磁场。改进的第二实施例包括靠近读出磁头元件设置的电路元件，用来在读出磁头元件处产生电磁场，该电磁场与写入磁头元件产生的电磁场相反地取向。用于操作硬盘驱动器中的读出/写入磁头的方法，包括把数据写在硬盘上并与数据写入同时从硬盘读出数据的步骤。这是通过应用设置在写入磁头元件与所述的读出磁头元件之间的电磁场屏蔽元件使读出磁头屏蔽掉在数据写入期间产生的电磁场能量来实现的。第二实施例的电路元件优选与写入磁头电路互相连接。
根据本发明的一个方面，提供一种用于向磁性媒体写入信息并从磁性媒体读出信息的读出/写入磁头，包括：一个用于向磁性媒体写入信息的写入磁头；一个用于从所述磁性媒体读出信息的读出磁头，所述读出磁头包括第一磁屏蔽、第二磁屏蔽和设置在其间的磁致电阻元件；一个设置在所述写入磁头与所述读出磁头之间的并用来使所述读出磁头屏蔽掉所述写入磁头产生的电磁场能量的电磁场屏蔽；其中，所述写入磁头被设置在滑动器表面上，一个第一绝缘层被设置在所述写入磁头上，所述电磁场屏蔽被设置在所述第一绝缘层上，一个第二绝缘层被设置在所述电磁场屏蔽上，并且所述读出磁头被设置在所述第二绝缘层上。
根据本发明的另一个方面，提供一种用于硬盘驱动器的滑动器装置，包括：一个适合于在硬盘表面上飞移的滑动器本体；形成在所述滑动器本体的表面上的一个读出/写入磁头，所述读出/写入磁头包括：一个用于向磁性媒体写入信息的写入磁头；一个用于从所述磁性媒体读出信息的读出磁头，所述读出磁头包括第一磁屏蔽、第二磁屏蔽和设置在其间的磁致电阻元件；一个设置在所述写入磁头与所述读出磁头之间的并用来使所述读出磁头屏蔽掉所述写入磁头产生的电磁场能量的电磁场屏蔽；其中，所述写入磁头被设置在所述滑动器本体表面上，一个第一绝缘层被设置在所述写入磁头上，所述电磁场屏蔽被设置在所述第一绝缘层上，一个第二绝缘层被设置在所述电磁场屏蔽上，并且所述读出磁头被设置在所述第二绝缘层上。
根据本发明的另一个方面，提供一种硬盘驱动器，包括：至少一个适合于旋转运动的硬盘；至少一个具有滑动器本体部分并适合于在所述硬盘上飞移的滑动器装置；一个形成在所述滑动器本体的表面上的读出/写入磁头，所述读出/写入磁头包括：一个用于向磁性媒体写入信息的写入磁头；一个用于从所述磁性媒体读出信息的读出磁头，所述读出磁头包括第一磁屏蔽、第二磁屏蔽和设置在其间的磁致电阻元件；一个设置在所述写入磁头与所述读出磁头之间的并用来使所述读出磁头屏蔽掉所述写入磁头产生的电磁场能量的电磁场屏蔽；其中，所述写入磁头被设置在所述滑动器本体表面上，一个第一绝缘层被设置在所述写入磁头上，所述电磁场屏蔽被设置在所述第一绝缘层上，一个第二绝缘层被设置在所述电磁场屏蔽上，并且所述读出磁头被设置在所述第二绝缘层上。
根据本发明的另一个方面，提供一种用于操作硬盘驱动器的读出/写入磁头的方法，包括步骤：利用一个写入磁头向硬盘的磁性媒体写入数据；利用一个读出磁头从所述硬盘的所述磁性媒体读出数据，所述读出数据的步骤与所述写入数据的步骤同时进行；利用一个设置在所述写入磁头与所述读出磁头之间的电磁场屏蔽使所述读出磁头屏蔽掉所述写入磁头产生的电磁场能量。其中所述读出/写入磁头被制造在硬盘驱动器滑动器元件上，并且其中所述写入磁头被制造在所述滑动器元件表面上，一个第一绝缘层被制造在所述写入磁头上，所述电磁场屏蔽被制造在所述第一绝缘层上，一个第二绝缘层被制造在所述电磁场屏蔽上，并且所述读出磁头被制造在所述第二绝缘层上。
本发明的一个优点是可同时执行写入数据和读出数据的功能。
本发明的另一个优点是电磁场屏蔽元件使读出磁头屏蔽掉写入磁头元件产生的电磁场，从而读出磁头元件的信号干扰被最大程度减小。
本发明的又一个优点是干扰降低电路元件可被靠近读出磁头元件来设置以产生与写入磁头元件的电磁场相干扰的电磁场。
本发明还有一个优点是改进的读出/写入磁头已经利用现有的制造工艺被开发出来。
本发明的又一个优点是具有设置其上的改进的读出/写入磁头的改进的滑动器和改进的硬盘驱动器可能通过利用本发明来实现。
本发明的这些和其它特征与优点在一读完下面的参考附图中的几个附图的对优选实施例的具体描述后将得到充分的理解。
附图说明
图1是具有设置在其后表面上的本发明的读出/写入磁头的典型的硬盘驱动器滑动器的立体图。
图2是沿图1的2-2线看去，根据本发明的第一实施例的读出/写入磁头的横截面图。
图3是图1中描述的具有切除部分的读出/写入磁头的升高的视图。
图4是图3中描述的带有更好体现本发明的进一步切除部分的读出/写入磁头的立体图。
图5是根据本发明的第二实施例的与图2所描述的视图类似的读出/写入磁头的侧截面图。
图6是图5中描述的带有切除部分的并且与图3所描述的视图类似的读出/写入磁头的实施例的升高的视图。
图7是图6中描述的带有更好体现本发明的进一步切除部分的并与图4所描述的视图类似的读出/写入磁头的立体图。
具体实施方式
在本发明中，描述了带有新颖、有利结构特征的磁记录磁头。第一个重要特征是首先把感应写入磁头沉积在衬底上，在感应元件沉积后沉积MR读出磁头。当这种类型的磁头被用在硬盘驱动器中时，硬盘的被写入区在从写入磁头下面通过后立刻在读出磁头的下方通过，从而促使在写入后的几乎是立刻的读出。这种写入后的立刻读出在磁记录系统中可提供明显的优点。其次，在感应写入磁头沉积后并且在MR读出磁头沉积之前沉积写入/读出电磁场屏蔽层。用这个屏蔽层，记录写入磁头可向硬盘写入并且MR读出磁头可同时从硬盘读回。这个同时的写入/读出性能在磁记录期间是非常有用的。第三，为进一步降低写入磁头与读出磁头之间的干扰，干扰降低电路元件可在读出磁头沉积完成后被沉积在读出磁头的顶部。当写入电流也通过干扰降低元件时，从写入磁头和干扰降低元件产生的净电磁场在读出磁头的MR元件处被明显降低。感应写入磁头结构和MR读出磁头结构，以及这两种结构的制造过程与读出/写入磁头的传统的制造过程类似。下面将讨论本发明的具体特征。
如图1所描述的那样，本发明的读出/写入磁头10被设置在典型的滑动器18的后表面14上。如已有技术中熟知的那样，这种滑动器18典型地被设置来在硬盘22的表面上方飞移，硬盘22以箭头26的方向从滑动器18的前沿表面30向后表面14旋转。飞移高度随记录密度提高的要求而趋向于降低，因此，正研究近接触和接触记录以将来应用盘驱动器。由于获得的益处不依赖于飞移高度，本发明可有利地被用于使用近接触和接触记录的驱动器中。接着将联系图2、3和4进行讨论，得到对本发明的新颖性特征的最好理解。
图2是沿图1的2-2线看去的读出/写入磁头10的侧截面图，图3是具有切除部分以描述其内部组件的读出/写入磁头10的升高的视图，图4是具有更好描述本发明的组件的切除部分的读出/写入磁头10的立体图。如图2、3和4所示，读出/写入磁头10通常包括形成在滑动器18的后表面14上的感应写入磁头40、形成在写入磁头40的外侧上的电磁场屏蔽44和形成在电磁场屏蔽44的外侧上的磁致电阻(MR)读出磁头48。在下面将具体讨论各个元件。
写入磁头40包括形成在滑动器18的后表面14上的第一磁极件60。读出/写入磁头10的各种元件利用半导体处理工业中熟知的薄膜沉积工艺来制造，绝缘材料66被沉积在写入磁头40、屏蔽层44与读出磁头48的的各种有源组件之间，这对熟悉本领域的人员是公知的。写入磁头40的第一磁极件60用扩宽的上面部分72形成，该上面部分72向较窄的下面部分76以锥度延伸并且在下面端部以相对窄的极尖80终止。磁极连接元件86把第一磁极件60的上面端部72与第二磁极件94的上面端部90连接起来。第二磁极件94通常用与第一磁极件60相同的形状形成；即其具有扩宽的上面端部90和变窄的下面端部96，该下面端部96以具有宽度100的窄极尖98终止。第二极尖98的宽度100不必要与第一极尖80的宽度相同。写入间隙104通过形成在第一磁极件60的极尖80上的间隙形成件108形成在第一磁极件的下面极尖80和第二磁极件的下面极尖98之间。间隙形成件108的宽度(W)确定数据写入磁道的宽度。
感应线圈120被用来产生由磁极件60和94聚焦的磁场。感应线圈120具有通常的环形、螺旋形形状并用通过磁极件60和94之间的下部线圈部分124和通过磁极件60和94外侧的上部线圈部分128形成。为向感应线圈120提供电能，第一电引线134与线圈120的外端138接触，第二电引线144与线圈120的内端148接触。形成引线144的薄膜沉积处理工艺可包括形成通路152以把引线144引出感应线圈120的平面并引向外部电连接终端156。
已有技术中已知的感应写入磁头具有不同于这里描述的实施例的形状和尺寸，并且本发明并不被限制于这里描述的写入磁头40的优选
实施例的特征。
在绝缘层157沉积后，电磁场屏蔽元件44接着在写入磁头40的外侧沉积。屏蔽44在形状上通常是环形的以提供对整个环形、螺旋形感应线圈120的屏蔽，并且屏蔽44的直径通常至少与感应线圈120的直径一样大。屏蔽44被沉积在线圈120与MR读出磁头48之间，从而MR读出磁头48从感应线圈120的电磁场被屏蔽开。可以想象，屏蔽直径可小于感应线圈的直径而依然保持有效屏蔽；而且，感应线圈的形状可以是通常的环形之外的形状，屏蔽可有利地，尽管不必要，采用与感应线圈相同的形状。基本上，屏蔽44的形状对于向读出磁头48提供有效的电磁场屏蔽的主要作用而言是次要的考虑因素。
屏蔽44的下面部分158优选在写入磁头极尖98与MR读出磁头之间延伸，以把MR读出磁头从写入磁头间隙104处的强电磁场屏蔽开。电磁场屏蔽44优选由非磁性导电材料构成，如铜或金，尽管其它材料可证明同样适合。为避免腐蚀问题，尤其是在屏蔽由铜构成的情况下，跨过屏蔽44的下面端部166形成足够厚度的绝缘材料160。屏蔽44不需要任何电连接来执行它的屏蔽功能。本领域的技术人员容易理解，屏蔽44的厚度优选至少是趋肤深度。趋肤深度指的是足够来吸收与它发生作用的电磁场的导电材料的厚度，并且趋肤深度与构成屏蔽44的导磁率和导电率相关，也与与它发生作用的电磁能的操作频率相关。确定趋肤深度的公式对本领域的技术人员是公知的。在本发明的优选实施例中，屏蔽44由具有从大约0.5微米到大约25微米的范围的厚度的铜构成，优选是大约10微米的厚度。
在屏蔽元件44形成后，沉积绝缘层并接着沉积读出磁头48的组件；其组件对本领域的技术人员是公知的。基本上，读出磁头48包括第一磁屏蔽180和第二磁屏蔽188及沉积在而这之间的磁致电阻(MR)元件。MR元件192的宽度194优选明显小于写入磁头40的间隙形成件108的宽度(W)，从而读出磁头48甚至在读出/写入磁头10被设置在与磁道方向的最大斜交角时也被设置在写入磁头40所在的相同的盘磁道上部，这对本领域的技术人员是容易理解的。在优选的实施例中，MR元件192的宽度194从大约间隙形成件108的宽度(W)到大约间隙形成件108的宽度(W)的1/10。写入磁头40与读出磁头48之间的距离根据电磁场屏蔽44、绝缘层和MR元件第一磁屏蔽180的厚度从大约1.5微米到大约35微米之间变化。
如上所述，读出/写入磁头10的制造过程包括对本领域技术人员公知的薄膜处理工艺。对可操作的装置的生成尤其关心的是MR磁头48的元件被平面沉积并且彼此平行。为实现这一点，本发明的制造方法优选包括至少一个平面化步骤。尤其如图2所示，平面化层196(以剖视图表示)可在感应线圈120和磁极件108沉积后形成。诸如化学机械抛光的处理可用来形成平面化层196。
电磁场屏蔽44是本发明的一个明显特征，因为它允许写入磁头40和读出磁头48同时工作。即，本发明的读出/写入磁头10可被用来向磁道上写入数据同时从同一磁道读出数据，因为电磁场屏蔽44基本上消除写入磁头电磁场与搜索来检测通过下面的媒体的磁场的读出磁头之间的电磁干扰。从而，尽管已有技术的装置已经包括沉积在读出磁头前面的写入磁头，因为写入磁头的电磁场引起对读出磁头的干扰，这种装置的两个磁头40不能有效地同时工作。因此，本发明的读出/写入磁头10可被用来写入数据并且几乎在这之后立刻读出数据以证实它处于正行进的过程中，从而写入磁头和读出磁头可同时操作。
根据本发明的第二实施例的写入/读出磁头200在图5、6和7中表示，其中图5是类似于图2中的描述的视图的写入/读出磁头200的侧截面视图，图6是类似于图3中的描述的视图的平面视图，图7是类似于图4中的描述的视图的立体图。从下面的描述可以理解，第二实施例的写入/读出磁头200拥有与第一实施例的读出/写入磁头10中所找到的许多相同元件，并且相同的序号表示相同的结构元件。第二实施例的写入/读出磁头200的新颖的附加特征包括在读出磁头48后面放置电学上导电的线路元件204以提供干扰并降低读出磁头MR元件192处的由写入磁头引起的并且不被电磁场屏蔽44吸收的电磁场的电磁场，这一点下面说明。
如图5、6和7所述，写入/读出磁头200包括靠近滑动器18的后表面14设置的感应写入磁头40。电磁场屏蔽44被设置在写入磁头40后面并且读出磁头48设置在屏蔽44后面。电学上导电的线路元件204被设置在读出磁头48后面从而一层绝缘层把导电的线路元件204与读出磁头48的第二磁屏蔽188分开。导电的线路元件204靠近MR元件192设置，并且足够厚度的绝缘材料208可被设置在元件204下面以防止腐蚀问题，尤其是在元件204由铜构成的情况下。
元件204的电能通过感应线圈电路提供。即，感应线圈的内端的电线路144经电学上导电的线路元件204被路由，特征上写入/读出磁头实施例10中的它的路由最好如图4所示的那样。尤其，如图7中所示的那样最好，电引线144经通路152绕屏蔽44来提供并且向外到达包括电学上导电的线路元件204的衬底层。电引线144通过电学上导电的线路元件204并从而向内向上到达它的外部终端连接156。写入/读出磁头200的一个重要的特征是不需要新的电连接或附加的读出/写入磁头终端来获得电路元件204提供的性能增强。这是由于感应线圈120的电引线144经导电的线路元件204被路由并且从而到达终端156。
由此可以理解通过感应线圈120以对写入磁头产生电磁场的电流也通过导电的线路元件204，从而它可通过经导电的线路元件204的通路产生小的电磁场。而且，本领域技术人员容易理解，由于经过导电的线路元件204的电流的方向，导电的线路元件204产生的电磁场与写入磁头产生的电磁场反向地被取向。即，特别是参考MR元件192的位置，写入磁头40(根据右手法则)在MR元件192处产生通常是向下的电磁场，导电的线路元件204产生通常是向上的电磁场；从而导电的线路元件204的电磁场用来干扰并抵消写入磁头40产生的电磁场的效果。这样，如果电磁场屏蔽44不完全地阻挡写入磁头40产生的电磁场，导电的线路元件204产生干扰电磁场，该场用来抵消MR元件192上的写入磁头电磁场。因此读出/写入磁头实施例200中的导电的线路元件204增强写入磁头40和读出磁头48的能力，以同时发生作用，并带有降低的干扰，从而读出/写入磁头200能同时写入和读出。
尽管本发明参考特定的优选实施例进行了表示和描述，熟悉本领域的技术人员一读完前面的公开内容就可以理解在形式和细节上的某些改变和修改是包括在其中的。因此本发明人旨在由下面的权利要求涵盖所有的这些改变和修改，并且这些改变和修改都包括本发明的真正精神和实质。

Claims (38)

1.一种用于向磁性媒体写入信息并从磁性媒体读出信息的读出/写入磁头，包括：
一个用于向磁性媒体写入信息的写入磁头；
一个用于从所述磁性媒体读出信息的读出磁头，所述读出磁头包括第一磁屏蔽、第二磁屏蔽和设置在其间的磁致电阻元件；
一个设置在所述写入磁头与所述读出磁头之间的并用来使所述读出磁头屏蔽掉所述写入磁头产生的电磁场能量的电磁场屏蔽；
其中，所述写入磁头被设置在滑动器表面上，一个第一绝缘层被设置在所述写入磁头上，所述电磁场屏蔽被设置在所述第一绝缘层上，一个第二绝缘层被设置在所述电磁场屏蔽上，并且所述读出磁头被设置在所述第二绝缘层上。
2.如权利要求1所述的读出/写入磁头，其中所述写入磁头包括第一磁极和第二磁极，以及设置在所述第一和第二磁极之间的感应线圈，其中所述电磁场屏蔽用相应于所述感应线圈的平面形状的形状形成。
3.如权利要求2所述的读出/写入磁头，其中所述感应线圈是环形的并具有线圈直径，其中所述电磁场屏蔽是环形的并具有至少与所述线圈直径一样大的屏蔽直径。
4.如权利要求1所述的读出/写入磁头，其中所述电磁场屏蔽由导电材料构成。
5.如权利要求4所述的读出/写入磁头，其中所述电磁场屏蔽具有大于趋肤深度的厚度。
6.如权利要求5所述的读出/写入磁头，其中所述电磁场屏蔽由铜构成，并具有0.5微米到25微米的范围的厚度。
7.如权利要求5所述的读出/写入磁头，其中所述电磁场屏蔽由铜构成，并具有10微米的厚度。
8.如权利要求1所述的读出/写入磁头，还包括一个靠近所述读出磁头设置的并用来在所述读出磁头处产生与所述写入磁头在所述读出磁头处产生的电磁场方向相反的电磁场的电磁场干扰装置。
9.如权利要求1所述的读出/写入磁头，还包括一个连接于所述写入磁头的导电线路，其中所述导电线路经过所述读出磁头时靠近所述读出磁头设置，从而在所述导电线路中流过的电流将在所述读出磁头处产生与所述写入磁头在所述读出磁头处产生的电磁场方向相反的电磁场。
10.如权利要求9所述的读出/写入磁头，其中所述读出磁头设置在所述写入磁头和所述导电线路之间，并且其中所述电流也通过所述写入磁头的感应线圈。
11.如权利要求1所述的读出/写入磁头，其中所述读出磁头包括所述磁致电阻元件，其中所述写入磁头形成有具有极尖宽度W的写入磁头极尖，并且其中所述磁致电阻元件具有从W到W的1/10的宽度。
12.一种用于硬盘驱动器的滑动器装置，包括：
一个适合于在硬盘表面上飞移的滑动器本体；
形成在所述滑动器本体的表面上的一个读出/写入磁头，所述读出/写入磁头包括：
一个用于向磁性媒体写入信息的写入磁头；
一个用于从所述磁性媒体读出信息的读出磁头，所述读出磁头包括第一磁屏蔽、第二磁屏蔽和设置在其间的磁致电阻元件；
一个设置在所述写入磁头与所述读出磁头之间的并用来使所述读出磁头屏蔽掉所述写入磁头产生的电磁场能量的电磁场屏蔽；
其中，所述写入磁头被设置在所述滑动器本体表面上，一个第一绝缘层被设置在所述写入磁头上，所述电磁场屏蔽被设置在所述第一绝缘层上，一个第二绝缘层被设置在所述电磁场屏蔽上，并且所述读出磁头被设置在所述第二绝缘层上。
13.如权利要求12所述的滑动器装置，其中所述写入磁头包括第一磁极和第二磁极，以及设置在所述第一和第二磁极之间的感应线圈，其中所述电磁场屏蔽用相应于所述感应线圈的平面形状的形状形成。
14.如权利要求13所述的滑动器装置，其中所述感应线圈是环形的并具有线圈直径，其中所述电磁场屏蔽是环形的并具有至少与所述线圈直径一样大的屏蔽直径。
15.如权利要求12所述的滑动器装置，其中所述电磁场屏蔽由导电材料构成。
16.如权利要求15所述的滑动器装置，其中所述电磁场屏蔽具有大于趋肤深度的厚度。
17.如权利要求16所述的滑动器装置，其中所述电磁场屏蔽由铜构成，并具有0.5微米到25微米的范围的厚度。
18.如权利要求16所述的滑动器装置，其中所述电磁场屏蔽由铜构成，并具有10微米的厚度。
19.如权利要求12所述的滑动器装置，还包括一个靠近所述读出磁头元件设置的并用来在所述读出磁头处产生与所述写入磁头产生的电磁场方向相反的电磁场的电磁场干扰装置。
20.如权利要求12所述的滑动器装置，还包括一个连接于所述写入磁头的导电线路，其中所述导电线路经过所述读出磁头时靠近所述读出磁头设置，从而在所述导电线路中流过的电流将在所述读出磁头处产生与所述写入磁头在所述读出磁头处产生的电磁场方向相反的电磁场。
21.如权利要求20所述的滑动器装置，其中所述读出磁头设置在所述写入磁头和所述导电线路之间，并且其中所述电流也通过所述写入磁头的感应线圈。
22.如权利要求12所述的滑动器装置，其中所述读出磁头包括所述磁致电阻元件，其中所述写入磁头形成有具有极尖宽度W的写入磁头极尖，并且其中所述磁致电阻元件具有从W到W的1/10的宽度。
23.一种硬盘驱动器，包括：
至少一个适合于旋转运动的硬盘；
至少一个具有滑动器本体部分并适合于在所述硬盘上飞移的滑动器装置；
一个形成在所述滑动器本体的表面上的读出/写入磁头，所述读出/写入磁头包括：
一个用于向磁性媒体写入信息的写入磁头；
一个用于从所述磁性媒体读出信息的读出磁头，所述读出磁头包括第一磁屏蔽、第二磁屏蔽和设置在其间的磁致电阻元件；
一个设置在所述写入磁头与所述读出磁头之间的并用来使所述读出磁头屏蔽掉所述写入磁头产生的电磁场能量的电磁场屏蔽；
其中，所述写入磁头被设置在所述滑动器本体表面上，一个第一绝缘层被设置在所述写入磁头上，所述电磁场屏蔽被设置在所述第一绝缘层上，一个第二绝缘层被设置在所述电磁场屏蔽上，并且所述读出磁头被设置在所述第二绝缘层上。
24.如权利要求23所述的硬盘驱动器，其中所述写入磁头包括第一磁极和第二磁极，以及设置在所述第一和第二磁极之间的感应线圈，其中所述电磁场屏蔽用相应于所述感应线圈的平面形状的形状形成。
25.如权利要求24所述的硬盘驱动器，其中所述感应线圈是环形的并具有线圈直径，其中所述电磁场屏蔽是环形的并具有至少与所述线圈直径一样大的屏蔽直径。
26.如权利要求25所述的硬盘驱动器，其中所述电磁场屏蔽由导电材料构成。
27.如权利要求26所述的硬盘驱动器，其中所述电磁场屏蔽具有大于趋肤深度的厚度。
28.如权利要求27所述的硬盘驱动器，其中所述电磁场屏蔽由铜构成，并具有0.5微米到25微米的范围的厚度。
29.如权利要求27所述的硬盘驱动器，其中所述电磁场屏蔽由铜构成，并具有10微米的厚度。
30.如权利要求23所述的硬盘驱动器，还包括一个靠近所述读出磁头元件设置的并用来在所述读出磁头元件处产生与所述写入磁头元件在所述读出磁头处产生的电磁场方向相反的电磁场的电磁场干扰装置。
31.如权利要求23所述的硬盘驱动器，还包括一个连接于所述写入磁头的导电线路，其中所述导电线路经过所述读出磁头时靠近所述读出磁头设置，从而在所述导电线路中流过的电流将在所述读出磁头处产生与所述写入磁头在所述读出磁头处产生的电磁场方向相反的电磁场。
32.如权利要求31所述的硬盘驱动器，其中所述读出磁头设置在所述写入磁头和所述导电线路之间，并且其中所述电流也通过所述写入磁头的感应线圈。
33.如权利要求23所述的硬盘驱动器，其中所述读出磁头包括所述磁致电阻元件，其中所述写入磁头形成有具有极尖宽度W的写入磁头极尖，并且其中所述磁致电阻元件具有从W到W的1/10的宽度。
34.一种用于操作硬盘驱动器的读出/写入磁头的方法，包括步骤：
利用一个写入磁头向硬盘的磁性媒体写入数据；
利用一个读出磁头从所述硬盘的所述磁性媒体读出数据，所述读出数据的步骤与所述写入数据的步骤同时进行；
利用一个设置在所述写入磁头与所述读出磁头之间的电磁场屏蔽使所述读出磁头屏蔽掉所述写入磁头产生的电磁场能量。
其中所述读出/写入磁头被制造在硬盘驱动器滑动器元件上，并且其中所述写入磁头被制造在所述滑动器元件表面上，一个第一绝缘层被制造在所述写入磁头上，所述电磁场屏蔽被制造在所述第一绝缘层上，一个第二绝缘层被制造在所述电磁场屏蔽上，并且所述读出磁头被制造在所述第二绝缘层上。
35.如权利要求34所述的方法，还包括在所述读出磁头处产生干扰电磁场的步骤，所述干扰电磁场与所述写入磁头在所述读出磁头处产生的电磁场方向相反。
36.如权利要求35所述的方法，还包括与所述写入数据步骤同时产生所述干扰电磁场的步骤。
37.如权利要求35所述的方法，还包括向所述写入磁头提供电流，并同时把电流提供来产生所述干扰电磁场的步骤。
38.如权利要求37所述的方法，其中提供给所述写入磁头的所述电流还被利用来产生所述干扰电磁场。
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