CN114242611A - 基板处理方法和基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够对每个产品基板掌握液处理的结果是否良好。本公开的一个方式的基板处理方法包括进行液处理的工序、进行检测的工序、进行生成的工序以及进行判定的工序。在进行液处理的工序中，使用处理单元对基板进行液处理。在进行检测的工序中，使用设置于处理单元的多个传感器，来分别检测液处理中的基板的中心部的温度和基板的端部的温度。在进行生成的工序中，基于规定液处理的处理条件的一个或多个参数值、通过进行检测的工序检测出的基板的中心部的温度以及基板的端部的温度，来生成表示液处理中的基板的面内温度分布的温度分布信息。在进行判定的工序中，基于温度分布信息来判定液处理的结果是否良好。

Description

基板处理方法和基板处理装置
技术领域
本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
背景技术
以往，已知一种通过一边使半导体晶圆等基板旋转一边对旋转的基板供给处理液来对基板进行处理的基板处理装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-92387号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够对每个产品基板适当地掌握针对产品基板进行的液处理的结果是否良好的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的基板处理方法包括进行液处理的工序、进行检测的工序、进行生成的工序以及进行判定的工序。在进行液处理的工序中，使用处理单元来对基板进行液处理，所述处理单元具备将基板水平地保持的基板保持机构、以及朝向被基板保持机构保持的基板喷出处理液的处理液供给部。在进行检测的工序中，使用设置于处理单元的多个传感器，来分别检测液处理中的基板的中心部的温度和基板的端部的温度。在进行生成的工序中，基于规定液处理的处理条件的一个或多个参数值、通过进行检测的工序检测出的基板的中心部的温度以及基板的端部的温度，来生成表示液处理中的基板的面内温度分布的温度分布信息。在进行判定的工序中，基于温度分布信息来判定液处理的结果是否良好。
发明的效果
根据本公开，能够对每个产品基板适当地掌握针对产品基板的液处理的结果是否良好。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。
图2是表示实施方式所涉及的处理单元的结构的图。
图3是表示实施方式所涉及的温度传感器的配置例的图。
图4是表示实施方式所涉及的置换液供给单元的结构的图。
图5是表示实施方式所涉及的控制装置的结构的框图。
图6是表示实施方式所涉及的处理单元执行的液处理的过程的流程图。
图7是表示实施方式所涉及的收集信息的例子的图。
图8是表示实施方式所涉及的温度分布信息的例子的图。
图9是表示蚀刻速率换算处理的例子的图。
图10是表示判定有无晶圆间差异的例子的图。
图11是表示判定有无处理单元间差异的例子的图。
图12是表示判定有无基板组间差异的例子的图。
图13是表示实施方式所涉及的监视处理的过程的流程图。
图14是表示图13所示的步骤S103的判定处理的第一例的流程图。
图15是表示图13所示的步骤S103的判定处理的第二例的流程图。
图16是表示图13所示的步骤S103的判定处理的第三例的流程图。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明本申请所公开的基板处理方法和基板处理装置的实施方式。此外，并不通过以下所示的实施方式来限定所公开的基板处理方法和基板处理装置。
在对半导体晶圆等基板(以下记载为“晶圆”。)供给处理液来对晶圆进行处理的液处理工艺中，液处理中的晶圆温度是对工艺结果产生影响的重要因素之一。因而，期望适当地掌握液处理中的晶圆温度，以更准确地掌握工艺结果是否良好。
以往，作为测定晶圆温度的方法，已知如下的方法：与产品晶圆相同的工艺对内置有传感器的测试晶圆进行液处理，并根据由此得到的温度数据来估计液处理中的产品晶圆的温度。然而，在该方法中，无法对每个产品晶圆单独地掌握液处理中的产品晶圆的温度。
因而，期待一种通过对每个产品晶圆掌握液处理中的产品晶圆的温度来适当地掌握针对产品晶圆的液处理的结果是否良好的技术。
实施方式所涉及的基板处理系统使用设置于处理单元的一个或多个温度传感器来检测液处理中的产品晶圆的局部温度(例如中心部的温度、端部的温度等)。另外，实施方式所涉及的基板处理系统基于检测出的温度、以及规定液处理的处理条件的一个或多个参数值，来生成表示液处理中的产品晶圆的面内温度分布的温度分布信息。
而且，实施方式所涉及的基板处理系统基于生成的温度分布信息来判定液处理的结果是否良好。
具体地说，实施方式所涉及的基板处理系统基于生成的温度分布信息，针对每个产品晶圆判定一系列的液处理中包括的各处理(例如蚀刻处理、干燥处理等)的结果是否良好。并且，实施方式所涉及的基板处理系统还能够判定有无作为液处理的结果的晶圆间差异、处理单元间差异以及基板组间差异。
像这样，在实施方式所涉及的基板处理系统中，通过对每个产品晶圆掌握液处理中的产品晶圆的面内温度分布，能够对每个产品晶圆掌握液处理的结果是否良好。因而，根据实施方式所涉及的基板处理系统，能够尽早发现液处理的结果的异常以及各种差异的产生等，从而能够减少不良晶圆的产生。
<基板处理系统的概要>
参照图1来说明实施方式所涉及的基板处理系统1(基板处理装置的一例)的概要结构。图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统1的概要结构的图。下面，为了使位置关系明确，规定彼此正交的X轴、Y轴以及Z轴，并将Z轴正方向设为铅垂向上方向。
如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2和处理站3相邻地设置。
搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置多个承载件C，在所述多个承载件C中将多张基板、在实施方式中为半导体晶圆W(以下称作晶圆W。)以水平状态收容。
搬送部12与承载件载置部11相邻地设置，该搬送部12在内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够沿水平方向和铅垂方向移动自如，并且能够以铅垂轴为中心转动，基板搬送装置13使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间搬送晶圆W。
处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15以及多个处理单元16。多个处理单元16以排列在搬送部15的两侧的方式设置。
搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置17能够沿水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴为中心转动，基板搬送装置17使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间搬送晶圆W。
处理单元16对通过基板搬送装置17搬送的晶圆W进行基板处理。处理单元16保持被搬送来的晶圆，并对所保持的晶圆进行基板处理。处理单元16向所保持的晶圆供给处理液来进行基板处理。
处理液例如为蚀刻液。关于蚀刻液并无特别限定，例如能够使用HF(氢氟酸)、HCl(盐酸)以及TMAH(四甲基氢氧化氨)等。另外，处理液可以为SC1(氨、过氧化氢以及水的混合液)和DHF(稀氢氟酸)等清洗液。另外，处理液也可以为DIW(脱离子水)等冲洗液，也可以为IPA(异丙醇)等置换液。
另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如为计算机，具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存用于控制在基板处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读出并执行存储部19中存储的程序来控制基板处理系统1的动作。
此外，该程序可以被记录在可由计算机读取的存储介质中，并从该存储介质中安装至控制装置4的存储部19中。作为可由计算机读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送装置13将产品晶圆W(以下简单地记载为“晶圆W”。)从被载置于承载件载置部11的承载件C取出并载置于交接部14。通过处理站3的基板搬送装置17将被载置于交接部14的晶圆W从交接部14取出并搬入处理单元16。
在通过处理单元16对被搬入处理单元16的晶圆W进行基板处理后，通过基板搬送装置17将该晶圆W从处理单元16搬出并载置于交接部14。然后，通过基板搬送装置13使被载置于交接部14的处理完毕的晶圆W返回承载件载置部11的承载件C。
<处理单元的概要>
接着，参照图2来说明处理单元16的结构。图2是表示实施方式所涉及的处理单元16的结构的图。
如图2所示，处理单元16具备腔室20、基板保持机构30、处理液供给部40、回收杯50以及背面供给部60。
腔室20收容基板保持机构30、处理液供给部40、回收杯50以及背面供给部60。在腔室20的顶部设置FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)21。FFU 21经由供给线路21a而与清洁气体供给源21b连接，通过FFU 21使从清洁气体供给源21b供给来的清洁气体从腔室20的顶部朝向下方喷出，由此在腔室20内形成下降流。作为清洁气体，例如能够使用干燥空气。另外，作为清洁气体，能够使用N2(氮)气体和氩等非活性气体。此外，设为从清洁气体供给源21b供给来的清洁气体已被调整为预先规定的温度和湿度。
在供给线路21a设置有阀21c、温度调整部21d以及湿度调整部21e。阀21c用于将供给线路21a进行开闭。温度调整部21d调整在供给线路21a中流动的清洁气体的温度。湿度调整部21e调整在供给线路21a中流动的清洁气体的湿度。针对每个处理单元16设置这些阀21c、温度调整部21d和湿度调整部21e。因而，实施方式所涉及的基板处理系统1能够针对每个处理单元16单独地调整从FFU向腔室20内供给的清洁气体的温度和湿度。
基板保持机构30具备保持部31、支柱部32以及驱动部33。保持部31将晶圆W水平地保持。具体地说，保持部31具备多个把持部31a，使用多个把持部31a来把持晶圆W的端部。支柱部32沿铅垂方向延伸，该支柱部32的基端部以通过驱动部33能够旋转的方式被支承，在该支柱部32的前端部将保持部31水平地支承。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。该基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转来使被支柱部32支承的保持部31旋转，由此使被保持部31保持的晶圆W旋转。
处理液供给部40对晶圆W供给各种处理液。处理液供给部40具备配置于晶圆W的上方的喷嘴41、支承喷嘴41的臂42、以及使臂42移动的移动机构43。
喷嘴41经由供给线路44a而与后述的药液供给单元70连接，将从药液供给单元70供给来的药液喷出至晶圆W的表面。在实施方式中，药液为蚀刻液。
另外，喷嘴41经由供给线路44b而与后述的冲洗液供给源80连接，将从冲洗液供给源80供给来的冲洗液喷出至晶圆W的表面。在实施方式中，冲洗液为DIW。
另外，喷嘴41经由供给线路44c而与后述的置换液供给单元90连接，将从置换液供给单元90供给来的置换液喷出至晶圆W的表面(上表面)。在实施方式中，置换液为IPA。
在供给线路44a上设置阀45a和温度调整部46a。阀45a用于将供给线路44a进行开闭。温度调整部46a例如使用帕尔贴元件或调温水等来调整在供给线路44a中流动的蚀刻液的温度。同样地，在供给线路44c上设置阀45c和温度调整部46c。阀45c用于将供给线路44c进行开闭。温度调整部46c调整在供给线路44c中流动的IPA的温度。
针对每个处理单元16设置阀45a和温度调整部46a。因而，实施方式所涉及的基板处理系统1能够针对每个处理单元16调整从药液供给单元70供给来的蚀刻液的温度。同样，针对每个处理单元16设置阀45c和温度调整部46c。因而，实施方式所涉及的基板处理系统1能够针对每个处理单元16调整从置换液供给单元90供给来的IPA的温度。此外，在供给线路44b上设置用于将供给线路44b进行开闭的阀45b。
回收杯50以包围保持部31的方式配置，用于收集通过保持部31的旋转从晶圆W飞散出的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，通过回收杯50收集到的处理液从该排液口51被排出至处理单元16的外部。另外，在回收杯50的底部形成用于将从FFU 21供给来的气体向处理单元16的外部排出的排气口52。
背面供给部60例如配置于在上下方向上贯通保持部31和支柱部32的中空部中。在背面供给部60的内部形成沿上下方向延伸的流路61。流路61的上端为朝向晶圆W的背面开口的喷出口62。
背面供给部60的流路61经由供给线路61a而与调温液供给源61b连接。背面供给部60从喷出口62朝向晶圆W的背面喷出从调温液供给源61b供给来的调温液。在实施方式中，调温液为HDIW(Hot DIW：热脱离子水)，即被加热至规定的温度的DIW。
在供给线路61a上设置阀61c和温度调整部61d。阀61c用于将供给线路61a进行开闭。温度调整部61d调整在供给线路61a中流动的调温液的温度。针对每个处理单元16设置这些阀61c和温度调整部61d。因而，实施方式所涉及的基板处理系统1能够针对每个处理单元16单独地调整从背面供给部60向晶圆W的背面供给的调温液的温度。
<温度传感器的配置例>
参照图3来说明检测液处理中的晶圆W的局部温度的温度传感器的配置例。图3是表示实施方式所涉及的温度传感器的配置例的图。
如图3所示，处理单元16具备第一温度传感器110和多个第二温度传感器120。第一温度传感器110设置于喷嘴41，用于检测喷嘴41内的处理液的温度。从喷嘴41喷出的处理液被喷出至晶圆W的中央部。因而，能够将通过第一温度传感器110检测的处理液的温度视作液处理中的晶圆W的中央部的温度。此外，第一温度传感器110在处理液供给部40中设置于温度调整部46a、46c的下游侧即可，不是必须设置于喷嘴41。
第二温度传感器120设置于基板保持机构30(参照图2)所具备的把持部31a，用于检测把持部31a的前端部(与晶圆W接触的接触部)的温度。在图3中，示出基板保持机构30具备三个把持部31a，并且在各把持部31a各设置一个第二温度传感器120的例子。把持部31a与晶圆W的端部接触。因而，能够将通过第二温度传感器120检测的把持部31a的温度视作液处理中的晶圆W的端部的温度。
此外，处理单元16具备至少一个第二温度传感器120即可。即，第二温度传感器120设置于多个把持部31a中的至少一个把持部31a即可。另外，第二温度传感器120设置于与晶圆W的端部接触的构件即可，不是必须设置于把持部31a。
<置换液供给单元的概要>
接着，参照图4来说明置换液供给单元90。图4是表示实施方式所涉及的置换液供给单元90的结构的图。在图4中，示出置换液供给单元90与两个处理单元16连接的情况的例子，但与一个置换液供给单元90连接的处理单元16的数量并不限定于本例。此外，对处理单元16供给蚀刻液的药液供给单元70的结构也可以与置换液供给单元90相同。
置换液供给单元90具备罐91、补充部92、排液线路93、循环线路94、供给线路95以及返回线路96。
罐91用于贮存IPA。补充部92向罐91供给新的IPA。例如，在更换罐91的IPA的情况下、罐91的IPA比规定的量少的情况下，补充部92向罐91供给新的IPA。在更换罐91的IPA的情况下，排液线路93从罐91向外部排出IPA。
循环线路94的两端与罐91连接，使从罐91输送的IPA返回罐91。循环线路94以使IPA流动至罐91的外部并且再次返回罐91的方式设置。
在循环线路94上设置泵81、加热器82、过滤器83、流量计84、温度传感器85以及背压阀86。在以罐91为基准的IPA的流动方向上，泵81、加热器82、过滤器83、流量计84、温度传感器85以及背压阀86从上游侧起按所记载的顺序设置。
泵81用于将IPA在循环线路94中进行加压输送。被加压输送来的IPA在循环线路94中循环，并返回罐91。
加热器82设置于循环线路94，用于调整IPA的温度。具体地说，加热器82将IPA进行加热。加热器82基于来自控制装置4的信号来控制IPA的加热量，调整IPA的温度。例如，基于通过温度传感器85检测的IPA的温度来调整加热器82对IPA的加热量。
例如控制装置4控制加热器82，将IPA的温度调整为规定的温度。规定的温度使是在进行供给时从处理液供给部40的喷嘴喷出至晶圆W的IPA的温度成为预先设定的处理温度的温度。规定的温度为基于设置于供给线路95等的过滤器73的热容量等设定的温度。
过滤器83去除在循环线路94中流动的IPA中包含的微粒等污染物质即异物。流量计84测量在循环线路94中流动的IPA的流量。温度传感器85检测在循环线路94中流动的IPA的温度。温度传感器85设置于比连接供给线路95的部位更靠上游侧的循环线路94。
在背压阀86的上游侧的IPA的压力比规定的压力大的情况下，增大背压阀86的阀开度。在背压阀86的上游侧的IPA的压力比规定的压力小的情况下，减小背压阀86的阀开度。背压阀86具有将上游侧的处理液的压力保持为规定的压力的功能。规定的压力为预先设定的压力。背压阀86的阀开度由控制装置4进行控制。
通过控制背压阀86的阀开度，能够调整循环线路94中的IPA的流量。即，背压阀86设置于循环线路94，用于调整通过循环线路94返回罐91的IPA的流量。此外，可以通过控制泵81的喷出压力来调整循环线路94中的IPA的流量。基于由流量计84检测的IPA的流量来进行控制循环线路94的IPA的流量。
供给线路95与循环线路94连接。供给线路95被连接到比温度传感器85更靠下游侧且比背压阀86更靠上游侧的循环线路94。与多个处理液供给部40对应地设置有多个供给线路95。供给线路95以从循环线路94分支出且能够向处理液供给部40供给IPA的方式设置。此外，在此，分为置换液供给单元90的供给线路95和处理单元16的供给线路44c进行了说明，但以上这些供给线路也可以为一个供给线路。
在供给线路95上设置流量计71、定压阀72以及过滤器73。在从循环线路94向处理液供给部40流动的IPA的流动方向上，流量计71、定压阀72以及过滤器73从上游侧起按所记载的顺序进行设置。
流量计71测量在供给线路95中流动的IPA的流量。定压阀72调整比定压阀72更靠下游侧的IPA的压力。例如，定压阀72调整IPA的压力，以使从处理液供给部40的喷嘴喷出的IPA的喷出量成为规定的喷出量。即，定压阀72调整从处理液供给部40的喷嘴喷出的IPA的流量。规定的喷出量为预先设定的量，是根据晶圆W的处理条件进行设定的。定压阀72基于来自控制装置4的信号来调整IPA的压力。
过滤器73设置于比返回线路96与供给线路95的连接部位更靠上游侧的供给线路95。过滤器73设置于比定压阀72更靠下游侧的供给线路95。过滤器73用于去除在供给线路95中流动的IPA中包含的微粒等污染杂质即异物。
返回线路96与供给线路95连接，用于使IPA从供给线路95返回罐91。返回线路96在设置于过滤器73与阀45c之间的连接部位连接于供给线路95。与多个处理液供给部40对应地设置有多个返回线路96。在返回线路96上设置阀74。
阀74用于将返回线路96中在有无IPA的流动之间切换。通过打开阀74，IPA从供给线路95向返回线路96流动。在返回线路96中流动的IPA返回罐91。通过关闭阀74，IPA不向返回线路96流动。基于来自控制装置4的信号使阀74进行开闭。
在IPA在返回线路96中流动的流动方向上，多个返回线路96在比阀74更靠下游侧的位置处合流，并与罐91连接。在比多个返回线路96进行合流的部位更靠下游侧的返回线路96上设置温度传感器75。温度传感器75检测从返回线路96向罐91返回的IPA的温度。此外，返回线路96也可以与比背压阀86更靠下游侧的循环线路94连接。
控制装置4在从处理液供给部40向晶圆W供给IPA的供给时，设置于返回线路96的阀74关闭，并将设置于处理单元16的阀45c打开。由此，IPA不流入返回线路96，从处理液供给部40的喷嘴被喷出。另一方面，在不从处理液供给部40向晶圆W供给IPA的待机时，控制装置4将设置于处理单元16的阀45c关闭，并将设置于返回线路96的阀74打开。由此，IPA不从处理液供给部40的喷嘴被喷出，经由返回线路96返回罐91。
像这样，在实施方式所涉及的基板处理系统1中，能够将使用置换液供给单元90被调整为规定的温度的IPA供给至多个处理单元16。并且，在实施方式所涉及的基板处理系统1中，能够使用设置于各处理单元16的温度调整部46c在各处理单元16中单独地调整IPA的温度。
<控制装置的结构>
接着，参照图5来说明实施方式所涉及的控制装置4的结构。图5是表示实施方式所涉及的控制装置4的结构的框图。
如图5所示，实施方式所涉及的控制装置4具备控制部18和存储部19。
存储部19例如由RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、闪存(FlashMemory)等半导体存储器元件或者硬盘、光盘等存储装置实现。存储部19存储制程信息191、收集信息192、模型公式193、温度分布信息194以及指定信息195。
控制部18例如通过由CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、MPU(MicroProcessing Unit：微处理单元)等以RAM为工作区域来执行控制装置4内部的存储部(例如存储部19等)中存储的各种程序实现。另外，控制部18例如由ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit：专用集成电路)、FPGA(Field Programmable Gate Array：现场可编程门阵列)等集成电路实现。
控制部18具备动作控制部181、收集部182、监视部183、判定部184以及异常应对处理部185，用于实现或执行以下说明的处理的功能、作用。此外，控制部18的内部结构不限于图5所示的结构，也可以为能够执行后述的基板处理等的其它结构。另外，控制部18具有的各处理部的连接关系不限于图5所示的连接关系，也可以为其它连接关系。
动作控制部181通过基于存储部19中存储的制程信息191来控制处理单元16，由此使处理单元16对晶圆W的执行一系列的液处理。
制程信息191为表示使处理单元16执行的液处理的内容和顺序的信息，包括规定液处理的处理条件的多个参数值。例如，制程信息191包括处理时间、晶圆W的转速、处理液的种类、处理液的喷出流量、处理液的喷出温度等参数值。针对一系列的液处理中包括的每个处理规定这些参数值。
在此，参照图6来说明按照动作控制部181的控制执行的液处理的例子。图6是表示实施方式所涉及的处理单元16执行的液处理的过程的流程图。按照制程信息191来执行图6所示的一系列的液处理。
首先，处理单元16使用基板保持机构30的保持部31来保持通过基板搬送装置17(参照图1)被搬入腔室20内的晶圆W。具体地说，处理单元16使用多个把持部31a来把持晶圆W的端部。之后，处理单元16通过使用驱动部33使保持部31绕铅垂轴旋转，由此使晶圆W旋转。
接下来，处理单元16进行蚀刻处理(步骤S01)。在蚀刻处理中，首先，使用处理液供给部40的移动机构43来使喷嘴41位于晶圆W的中央上方。之后，处理单元16通过打开阀45a来从喷嘴41向旋转的晶圆W的表面供给蚀刻液。伴随晶圆W的旋转，被供给至晶圆W的中央的蚀刻液在晶圆W的整面上扩散。由此，对晶圆W的表面进行蚀刻处理。之后，处理单元16通过关闭阀45a来停止向晶圆W供给蚀刻液。
接着，处理单元16进行冲洗处理(步骤S02)。在冲洗处理中，通过打开阀45b来从喷嘴41向旋转的晶圆W的表面供给DIW。伴随晶圆W的旋转，被供给至晶圆W的中央的DIW在晶圆W的整面上扩散。由此，残留于晶圆W的表面的蚀刻液通过DIW被冲掉。之后，处理单元16通过关闭阀45b来停止向晶圆W供给DIW。
接下来，处理单元16进行置换处理(步骤S03)。在置换处理中，通过打开阀45c来从喷嘴41向旋转的晶圆W的表面供给IPA。伴随晶圆W的旋转，被供给至晶圆W的中央的IPA在晶圆W的整面上扩散。由此，残留于晶圆W的表面的DIW被置换为IPA。之后，处理单元16通过关闭阀45c来停止向晶圆W供给IPA。
接下来，处理单元16进行干燥处理(步骤S04)。在干燥处理中，使用驱动部33来使晶圆W以比步骤S01～S03中的转速更快的高速进行旋转，由此使晶圆W干燥。之后，通过基板搬送装置17将晶圆W从腔室20搬出。由此，针对一张晶圆W的一系列的液处理完成。
返回图5。在液处理中，收集部182从处理单元16的第一温度传感器110获取温度数据，并使获取到的温度数据作为收集信息192中的“中心温度”项目存储于存储部19中。例如，收集部182针对一系列的液处理中包括的各个处理(蚀刻处理、冲洗处理、置换处理以及干燥处理)计算在各处理中通过第一温度传感器110检测到的温度的平均值，并使计算出的平均值作为各处理中的晶圆W的“中心温度”存储于存储部19中。
另外，在液处理中，收集部182从处理单元16的多个第二温度传感器120获取温度数据，并将获取到的温度数据作为收集信息192中的“边缘温度”项目存储于存储部19中。例如，收集部182针对一系列的液处理中包括的各个处理计算在各处理中通过第二温度传感器120检测到的温度的平均值，并使计算出的平均值作为各处理中的晶圆W的“边缘温度”存储于存储部19中。
收集部182还收集上述中心温度和边缘温度以外的信息。例如，收集部182收集腔室20内的温度，并使该腔室20内的温度作为收集信息192中的“空间温度”项目存储于存储部19中。关于腔室20内的温度，例如可以通过设置于腔室20的内部的未图示的温度传感器来获取，也可以根据清洁气体供给源21b的清洁气体的设定温度来获取。
另外，收集部182收集腔室20内的湿度，并使该腔室20内的湿度作为收集信息192中的“空间湿度”项目存储于存储部19中。关于腔室20内的湿度，例如可以通过设置于腔室20的内部的未图示的湿度传感器来获取，也可以根据清洁气体供给源21b的清洁气体的设定湿度来获取。
另外，收集部182从制程信息191收集喷出流量和转速的信息，并使该喷出流量和转速的信息分别作为收集信息192中的“喷出流量”项目和“转速”项目存储于存储部19中。此外，收集部182例如从设置于供给线路44a～44c的未图示的流量计收集流量的检测结果，并使该流量的检测结果作为“喷出流量”项目存储于存储部19中。另外，收集部182例如也可以从用于检测支柱部32的转速的旋转编码器等未图示的转速传感器收集转速的检测结果，并使该转速的检测结果作为“转速”项目存储于存储部19中。
此外，收集部182例如收集腔室20的排气流量、处理液的密度和处理液的热容量等信息，并将这些信息作为收集信息192存储于存储部19中。
图7是表示实施方式所涉及的收集信息192的例子的图。如图7所示，收集信息192为将“晶圆ID”、“基板组ID”、“单元ID”、“处理内容”、“中心温度”、“边缘温度”、“空间温度”、“空间湿度”、“喷出流量”以及“转速”的各项目等彼此关联起来的信息。
在“晶圆ID”项目中保存晶圆W的识别信息。在“基板组ID”项目中保存晶圆W所属的基板组的识别信息。基板组为产品晶圆的制造单位。例如，有时将25张单位的晶圆W称作一个基板组。在“单元ID”项目中保存对晶圆W进行了处理的处理单元16的识别信息。在“处理内容”项目中保存用于识别一系列的液处理中包括的各处理的内容的信息。此外，在图7中，“S101”为蚀刻处理的识别信息的一例，“S102”为冲洗处理的识别信息的一例，“S103”为置换处理的识别信息的一例，“S104”为干燥处理的识别信息的一例。
“中心温度”为液处理中的晶圆W的中心部的温度。在“中心温度”项目中保存基于通过第一温度传感器110检测出的温度数据的信息(例如在处理中检测出的温度数据的平均值)。“边缘温度”为液处理中的晶圆W的端部的温度。在该“边缘温度”项目中保存基于通过多个第二温度传感器120检测出的温度数据的信息(例如在处理中检测出的温度数据的平均值)。
“空间温度”为腔室20内的温度，“空间湿度”为腔室20内的湿度。在“空间温度”项目和“空间湿度”项目中例如保存通过设置于腔室20的内部的未图示的温度传感器和湿度传感器检测出的温度和湿度。
“喷出流量”为处理液的喷出流量，“转速”为晶圆W的转速。在“喷出流量”项目和“转速”项目中例如保存从制程信息191收集到的喷出流量和转速的信息。
监视部183监视液处理中的晶圆W的面内温度分布。具体地说，监视部183使用存储部19中存储的收集信息192和模型公式193，来生成表示该晶圆W的液处理中的面内温度分布的温度分布信息194，并将该生成的温度分布信息194保存于存储部19中。
在此，模型公式193为用于估计液处理中的晶圆W的面内温度分布的模型公式。具体地说，模型公式193为根据通过第一温度传感器110和第二温度传感器120检测的晶圆W的局部温度、使用已知的参数值来估计晶圆W的面内整体的温度分布的模型公式。另外，基于其它观点，模型公式193为基于实际测量值(传感器值)来校正根据已知的处理条件(参数值)导出的晶圆W的面内温度分布的理论值的模型公式。
当针对晶圆W的一系列的液处理完成时，监视部183从存储部19获取关于完成了液处理的晶圆W的收集信息192。而且，监视部183通过将获取到的收集信息192中包括的参数值和传感器值代入模型公式193，来生成表示液处理中的晶圆W的面内温度分布的温度分布信息194。
具体地说，通过模型公式193得到从晶圆W的中心部到端部之间的多个点处的温度。监视部183例如使用回归分析(曲线拟合)等方法来估计上述多个点中的相邻的点间的温度，由此生成温度分布信息194，并将生成的温度分布信息194保存于存储部19中。监视部183针对一系列的液处理中包括的各处理生成温度分布信息194。
图8是表示实施方式所涉及的温度分布信息194的例子的图。在图8中示出直径300mm的晶圆W的温度分布信息194的例子。图8所示的曲线图的横轴即晶圆位置表示以晶圆W的中心部为基准(0mm)时的距中心部的距离。
如图8所示，温度分布信息194为表示沿着晶圆W的径向的各位置(晶圆位置)处的处理中的温度(晶圆温度)的信息。例如，在图8中，黑圆为根据模型公式193得到的数据，将黑圆之间连结的线为通过回归分析等进行插值所得到的数据。此外，在图8中，为了容易理解而例示出曲线图形式的温度分布信息194，但温度分布信息194不是必须为曲线图形式。
判定部184基于存储部19中存储的温度分布信息194，来判定对晶圆W进行的液处理的结果是否良好。判定部184针对一系列的液处理中包括的每个处理(蚀刻处理、冲洗处理、置换处理以及干燥处理)判定处理结果是否良好。
在此，参照图9～图12来说明蚀刻处理的良品判定的例子。图9是表示蚀刻速率换算处理的例子的图。图10是表示判定有无晶圆W间差异的例子的图。图11是表示判定有无处理单元16间差异的例子的图。图12是表示判定有无基板组间差异的例子的图。
如图9所示，判定部184使用表示温度与蚀刻速率之间的关系的灵敏度数据，来将温度分布信息194转换为蚀刻速率分布信息。蚀刻速率分布信息为表示沿着晶圆W的径向的各位置(晶圆位置)处的蚀刻速率
Figure BDA0003243121620000161
的信息。蚀刻速率分布信息例如与晶圆ID、基板组ID以及单元ID等相关联地保存于存储部19中。
接着，判定部184根据蚀刻速率分布信息来判定蚀刻处理是否良好。例如，判定部184使用蚀刻速率分布信息来计算晶圆W的整个面内的蚀刻速率的平均值。而且，判定部184判定计算出的平均值是否超过了预先设定的阈值。判定部184在计算出的平均值超过阈值的情况下，判定为蚀刻处理的结果正常，在该平均值为阈值以下的情况下，判定为蚀刻处理的结果异常。
另外，判定部184参照蚀刻速率分布信息来计算蚀刻速率的最大值和最小值的偏差率。例如，判定部184计算最大值与最小值的差相对于最大值的比例(％)来作为偏差率。判定部184判定计算出的偏差率是否低于预先设定的阈值。而且，判定部184在计算出的偏差率低于阈值的情况下，判定为蚀刻处理的面内均匀性正常。另一方面，判定部184在计算出的偏差率为阈值以上的情况下，判定为蚀刻处理的面内均匀性异常。
像这样，判定部184能够针对每个晶圆W基于该晶圆W的温度分布信息194来判定针对晶圆W的蚀刻处理是否良好。
另外，判定部184也可以判定有无蚀刻处理的晶圆W间差异。例如，在图10中示出关于晶圆ID“W1”、“W2”、“W3”以及“W4”这四个晶圆W的蚀刻平均值和蚀刻均匀性的结果的例子。图10中的蚀刻平均值为上述的蚀刻速率的平均值，蚀刻均匀性为上述的蚀刻速率的偏差率。设为图10所示的四个晶圆W的蚀刻平均值和蚀刻均匀性均为使判定为正常的值。
如图10所示，设为晶圆ID为“W4”的晶圆W的蚀刻平均值和蚀刻均匀性偏离其余三个晶圆W的蚀刻平均值和蚀刻均匀性。在这样的情况下，判定部184判定为晶圆ID为“W4”的晶圆W产生了蚀刻处理(蚀刻平均值和蚀刻均匀性)的晶圆W间差异。
作为一例，判定部184蓄积在过去进行了液处理的晶圆W的蚀刻平均值和蚀刻均匀性的信息，并根据所蓄积的这些信息来计算蚀刻平均值和蚀刻均匀性的基准值(例如平均值)。而且，判定部184针对每个晶圆W计算相对于蚀刻平均值和蚀刻均匀性的基准值的偏差，在计算出的偏差超过预先设定的阈值的情况下，判定为产生了晶圆W间差异。
另外，判定部184也可以判定有无蚀刻处理的处理单元16间差异。例如，在图11中关于单元ID“U1”、“U2”、“U3”以及“U4”这四个处理单元16示出通过各处理单元16进行了处理的多个晶圆W的蚀刻平均值和蚀刻均匀性的平均值。下面，将通过某个处理单元16进行了处理的多个晶圆W的蚀刻平均值和蚀刻均匀性的平均值记载为该处理单元16的蚀刻平均值和蚀刻均匀性。
如图11所示，设为单元ID为“U4”的处理单元16的蚀刻平均值和蚀刻均匀性偏离其余三个处理单元16的蚀刻平均值和蚀刻均匀性。在这样的情况下，判定部184判定为在单元ID为“U4”的处理单元16中产生了蚀刻平均值和蚀刻均匀性的处理单元16间差异。
作为一例，判定部184针对每个处理单元16蓄积在过去进行了液处理的晶圆W的蚀刻平均值和蚀刻均匀性的信息，根据所蓄积的信息计算每个处理单元16的蚀刻平均值和蚀刻均匀性的平均值。另外，判定部184通过计算针对每个处理单元16计算出的上述平均值的平均值，来得到蚀刻平均值和蚀刻均匀性的基准值。而且，判定部184针对每个处理单元16计算相对于蚀刻平均值和蚀刻均匀性的基准值的偏差，在计算出的偏差超过了预先设定的阈值的情况下，判定为产生了处理单元16间差异。
另外，判定部18也4可以判定有无蚀刻处理的基板组间差异。例如，在图12中关于基板组ID“L1”、“L2”、“L3”以及“L4”这四个基板组示出各基板组包括的多个晶圆W的蚀刻平均值和蚀刻均匀性的平均值。下面，将某个基板组中包括的多个晶圆W的蚀刻平均值和蚀刻均匀性的平均值记载为该基板组的蚀刻平均值和蚀刻均匀性。
如图12所示，设为基板组ID为“L4”的基板组的蚀刻平均值和蚀刻均匀性偏离其余三个基板组的蚀刻平均值和蚀刻均匀性。在这样的情况下，判定部184判定为在基板组ID为“L4”的基板组中产生了蚀刻平均值和蚀刻均匀性的基板组间差异。
作为一例，判定部184针对每个基板组蓄积该基板组中包括的多个晶圆W的蚀刻平均值和蚀刻均匀性的信息。另外，判定部184根据所蓄积的蚀刻平均值和蚀刻均匀性的信息，针对每个基板组计算蚀刻平均值和蚀刻均匀性的平均值。另外，判定部184通过计算针对每个基板组计算出的上述平均值的平均值，来得到蚀刻平均值和蚀刻均匀性的基准值。而且，判定部184针对每个基板组计算相对于蚀刻平均值和蚀刻均匀性的基准值的偏差，在计算出的偏差超过预先设定的值的情况下，判定为产生了基板组间差异。
另外，判定部184还判定干燥处理的结果是否良好。具体地说，判定部184基于温度分布信息194来判定在干燥处理中晶圆W有无结露。关于该点，在后文中进行叙述。
在通过判定部184判定出液处理的异常的情况下，异常应对处理部185执行规定的异常应对处理。
例如，异常应对处理部185也可以进行变更液处理的处理条件的处理来作为异常应对处理。
在此，在存储部19中存储有表示可变更的处理条件的指定信息195。例如，能够由基板处理系统1的用户适当地变更指定信息195。异常应对处理部185可以变更通过指定信息195指定出的处理条件，以使下次及之后的液处理的结果处于正常范围内。
例如，设为判定为在某个处理单元16中产生了处理单元16间差异。在该情况下，异常应对处理部185可以单独地变更产生了处理单元16间差异的处理单元16中的蚀刻液的喷出温度。这例如能够通过变更用于规定通过温度调整部46a进行加热的加热温度的参数值来实现。具体地说，异常应对处理部185利用温度调整部46a来单独地调整蚀刻液的喷出温度，以使相对于该处理单元16的蚀刻平均值和蚀刻均匀性的基准值的偏差收敛于正常范围。此外，异常应对处理部185例如使用模型公式193进行逆运算，由此能够决定用于规定通过温度调整部46a进行加热的加热温度的参数值的变更后的值。
另外，异常应对处理部185可以通过变更用于规定通过药液供给单元70的加热器82对蚀刻液的加热温度的参数值来变更蚀刻液的喷出温度。例如，设为针对某个晶圆W判定为蚀刻平均值或蚀刻均匀性异常。在该情况下，异常应对处理部185可以控制药液供给单元70，来变更针对在下次及之后被进行液处理的晶圆W喷出的蚀刻液的喷出温度。
另外，异常应对处理部185可以变更处理条件以从背面供给部60供给调温液，由此使液处理中的晶圆W的面内温度分布变化。这例如能够通过变更用于规定温度调整部61d对调温液的加热温度的参数值、用于规定阀61c的开闭的参数值、用于规定调温液供给源61b对调温液的加热温度的参数值等来实现。
另外，异常应对处理部185可以通过变更腔室20内的温度来使液处理中的晶圆W的面内温度分布变化。这例如能够通过变更用于规定温度调整部21d的加热温度的参数值来实现。
此外，也可以是，例如在判定为蚀刻平均值存在异常的情况下，异常应对处理部185变更用于规定蚀刻液的喷出时间的参数值，以使蚀刻平均值处于正常范围内。
另外，也可以是，在上述判定部184进行的判定处理中判定为在干燥处理中可能发生了结露的情况下，异常应对处理部185控制温度调整部21d来使腔室20内的温度变化，由此以使露点温度变化。另外，异常应对处理部185也可以控制湿度调整部21e来使腔室20内的湿度变化，由此使露点温度变化。另外，异常应对处理部185也可以控制温度调整部46c、置换液供给单元90以及背面供给部60中的至少一方，来使置换处理中的晶圆W的温度变化。
另外，异常应对处理部185也可以执行向经由因特网等网络而与控制装置4连接的外部装置5输出将表示异常的内容的信息与晶圆ID等关联起来得到的异常信息的处理来作为异常应对处理。
<关于监视处理的过程>
接着，参照图13来说明通过控制部18执行的监视处理的过程。图13是表示实施方式所涉及的监视处理的过程的流程图。
如图13所示，控制部18的收集部182收集用于规定液处理的处理条件的多个参数值、包括第一温度传感器110和第二温度传感器120的各种传感器的传感器值(步骤S101)。接着，控制部18的监视部183使用收集信息192和模型公式193来生成温度分布信息194(步骤S102)。
接着，控制部18的判定部184基于生成的温度分布信息194来判定液处理的结果是否正常(步骤S103)。此外，在后文中叙述具体的判定例。
在步骤S103中判定为液处理的结果不正常、即液处理的结果存在异常的情况下(步骤S103，“否”)，控制部18的异常应对处理部185进行异常应对处理(步骤S104)。在结束了步骤S104的处理的情况下或者在步骤S103中判定为液处理的结果正常的情况下(步骤S103，“是”)，控制部18结束监视处理。
<判定处理的第一例：温度分布信息与阈值的比较>
图14是表示图13所示的步骤S103的判定处理的第一例的流程图。
如图14所示，控制部18的判定部184通过将温度分布信息194与预先设定的阈值进行比较，来判定是否存在低于阈值的温度区域(步骤S201)。然后，如果不存在低于阈值的温度区域(步骤S201，“否”)，则判定部184判定为液处理(例如蚀刻处理)的处理结果正常(步骤S202)。另一方面，在存在低于阈值的温度区域的情况下(步骤S201，“是”)，判定部184判定为液处理的处理结果异常(步骤S203)。
例如，在预先设定的阈值为50℃的情况下，基于温度分布信息194来判定在晶圆W的面内是否存在低于50℃的区域。而且，在存在低于50℃的区域的情况下，判定部184判定为液处理(例如蚀刻处理)的处理结果异常。
此外，在此示出了使用下限的阈值来进行判定处理的情况的例子，但判定部184也可以使用上限的阈值来进行判定处理。另外，判定部184也可以使用具有上限和下限的阈值范围来进行判定处理。
<判定处理的第二例：蚀刻速率分布信息与阈值的比较>
图15是表示图13所示的步骤S103的判定处理的第二例的流程图。
如图15所示，判定部184将温度分布信息194转换为蚀刻速率分布信息(步骤S301)，基于蚀刻速率分布信息来计算蚀刻速率平均值和蚀刻速率均匀性(步骤S302)。
接着，判定部184判定蚀刻平均值是否超过阈值(步骤S303)，在不超过阈值的情况下(步骤S303，“否”)，判定为蚀刻处理的结果异常(步骤S306)。
另一方面，在步骤S303中，在蚀刻平均值超过阈值的情况下(步骤S303，“是”)，判定部184判定蚀刻均匀性是否低于阈值(步骤S304)。在该处理中，在蚀刻均匀性不低于阈值的情况下(步骤S304，“否”)，判定部184判定为蚀刻处理的结果异常(步骤S306)。另一方面，在蚀刻均匀性低于阈值的情况下(步骤S303，“是”)，判定部184判定为蚀刻处理的结果正常(步骤S305)。
<判定处理的第三例：关于干燥处理是否良好>
图16是表示图13所示的步骤S103的判定处理的第三例的流程图。
如图16所示，判定部184首先计算露点温度(步骤S401)。例如，判定部184使用收集信息192中包括的空间温度和空间湿度来计算液处理时的腔室20内的露点温度。
接着，判定部184通过将温度分布信息194与露点温度进行比较，来判定是否存在低于露点温度的温度区域(步骤S402)。而且，如果不存在低于露点的温度区域(步骤S401，“否”)，则判定部184判定为干燥处理的结果正常、即在干燥处理中不存在晶圆W产生结露的风险(步骤S403)。另一方面，在存在低于露点温度的温度区域的情况下(步骤S402，“是”)，判定部184判定为干燥处理的结果异常、即在干燥处理中存在晶圆W产生结露的风险(步骤S404)。
此外，判定部184不是必须进行步骤S401的处理。例如，判定部184可以使用预先设定的露点温度来进行步骤S402的判定。另外，用于计算露点温度的温度和湿度不是必须为腔室20内的温度和湿度，例如也可以为设置基板处理系统1的工厂内的温度和湿度。
如上述那样，实施方式所涉及的基板处理方法包括进行液处理的工序、进行检测的工序、进行生成的工序以及进行判定的工序。在进行液处理的工序中，使用处理单元(作为一例为处理单元16)来对基板进行液处理，所述处理单元具备将基板(作为一例为晶圆W)水平地保持的基板保持机构(作为一例为基板保持机构30)、以及朝向被基板保持机构保持的基板喷出处理液(作为一例为蚀刻液、冲洗液、置换液)的处理液供给部(作为一例为处理液供给部40)。在进行检测的工序中，使用设置于处理单元的多个传感器(作为一例为第一温度传感器110和第二温度传感器120等)，来分别检测液处理中的基板的中心部的温度和基板的端部的温度。在进行生成的工序中，基于规定液处理的处理条件的一个或多个参数值、通过进行检测的工序检测出的基板的中心部的温度以及基板的端部的温度，来生成表示液处理中的基板的面内温度分布的温度分布信息(作为一例为温度分布信息194)。在进行判定的工序中，基于温度分布信息来判定液处理的结果是否良好。
因而，根据实施方式所涉及的基板处理方法，能够对每个产品基板适当地掌握针对产品基板的液处理的结果是否良好。
处理液供给部具备喷出处理液的喷嘴(作为一例为喷嘴41)、与喷嘴连接且用于向喷嘴供给处理液的供给线路(作为一例为供给线路44a～44c)。另外，在进行液处理的工序中，从喷嘴朝向基板的中心部喷出处理液。另外，在进行检测的工序中，将由设置于喷嘴或供给线路的温度传感器(作为一例为第一温度传感器110)检测的温度检测为基板的中心部的温度。由此，能够容易地掌握基板的中心部的温度。
基板保持机构具备用于把持基板的端部的多个把持部(作为一例为把持部31a)。另外，在进行检测的工序中，将由设置于多个把持部的至少一个把持部的温度传感器(作为一例为第二温度传感器120)检测出的温度检测为基板的端部的温度。由此，能够容易地掌握基板的端部的温度。
多个参数值包括处理单元内的空间温度以及空间湿度、处理液的喷出流量以及基板的转速中的至少一方。由此，能够提高温度分布信息的精度。
在进行判定的工序中，基于通过进行生成的工序而生成的多个温度分布信息，针对每个基板判定该基板与其它多个基板之间有无液处理的结果的偏差(作为一例为晶圆W间差)。由此，能够容易地监视有无晶圆间差异。
在进行液处理的工序中，使用多个处理单元来对多个基板进行液处理。另外，在进行判定的工序中，针对通过进行生成的工序而生成的多个温度分布信息，针对每个处理单元判定该处理单元与其它多个处理单元间有无液处理的结果的偏差(作为一例为处理单元16间差异)。由此，能够容易地监视有无处理单元间差异。
在进行判定的工序中，基于通过进行生成的工序而生成的多个温度分布信息，针对作为基板的制造单位的基板组判定每个基板组与其它多个基板组之间有无液处理的结果的偏差(作为一例为基板组间差异)。由此，能够容易地监视有无基板组间差异。
实施方式所涉及的基板处理方法包括获取处理单元内的露点温度的工序。另外，在进行判定的工序中，基于温度分布信息和露点温度来判定在液处理(作为一例为干燥处理)中基板有无结露。由此，能够容易地确定例如存在产生水印的风险的基板。
实施方式所涉及的基板处理方法包括以下工序：基于温度分布信息来控制设置于供给线路的温度调整部(作为一例为温度调整部46a、46c)，来校正从处理液供给部喷出的处理液的温度。由此，能够减少被判定为液处理的结果异常的基板的数量。
实施方式所涉及的基板处理方法包括以下工序：基于温度分布信息，来校正多个参数值中的至少一个参数值。由此，能够减少被判定为液处理的结果异常的基板的数量。
此外，应当认为本次公开的实施方式在全部方面均为例示，而非限制性的。实际上，上述的实施方式能够以多种方式具体实现。另外，上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下能够以各种方式进行省略、置换以及变更。

Claims (11)

1.一种基板处理方法，包括以下工序：
使用处理单元来对基板进行液处理，所述处理单元具备将所述基板水平地保持的基板保持机构、以及朝向被所述基板保持机构保持的所述基板喷出处理液的处理液供给部；
使用设置于所述处理单元的多个传感器，来分别检测所述液处理中的所述基板的中心部的温度和所述基板的端部的温度；
基于规定所述液处理的处理条件的一个或多个参数值、通过进行所述检测的工序检测出的所述基板的中心部的温度以及所述基板的端部的温度，来生成表示所述液处理中的所述基板的面内温度分布的温度分布信息；以及
基于所述温度分布信息来判定所述液处理的结果是否良好。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述处理液供给部具备喷出所述处理液的喷嘴、以及与所述喷嘴连接且用于向所述喷嘴供给所述处理液的供给线路，
在进行所述液处理的工序中，从所述喷嘴朝向所述基板的中心部喷出所述处理液，
在进行所述检测的工序中，将由设置于所述喷嘴或所述供给线路的温度传感器检测的温度检测为所述基板的中心部的温度。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板保持机构具备用于把持所述基板的端部的多个把持部，
在进行所述检测的工序中，将由设置于所述多个把持部中的至少一个把持部的温度传感器检测的温度检测为所述基板的端部的温度。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述多个参数值包括所述处理单元内的空间温度及空间湿度、所述处理液的喷出流量以及所述基板的转速中的至少一方。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在进行所述判定的工序中，基于通过进行所述生成的工序而生成的多个所述温度分布信息，针对每个所述基板判定该基板与其它多个所述基板之间有无所述液处理的结果的偏差。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在进行所述液处理的工序中，使用多个所述处理单元来对多个所述基板进行所述液处理，
在进行所述判定的工序中，基于通过进行所述生成的工序而生成的多个所述温度分布信息，针对每个所述处理单元判定该处理单元与其它多个所述处理单元之间有无所述液处理的结果的偏差。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在进行所述判定的工序中，基于通过进行所述生成的工序而生成的多个所述温度分布信息，针对作为所述基板的制造单位的基板组判定每个基板组与其它多个基板组之间有无所述液处理的结果的偏差。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括获取所述处理单元内的露点温度的工序，
在进行所述判定的工序中，基于所述温度分布信息和所述露点温度，来判定在所述液处理中所述基板有无结露。
9.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，还包括以下工序：
基于所述温度分布信息来控制设置于所述供给线路的温度调整部，来校正从所述处理液供给部喷出的所述处理液的温度。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，还包括以下工序：
基于所述温度分布信息，来校正所述多个参数值中的至少一个参数值。
11.一种基板处理装置，具备：
基板保持机构，其将基板水平地保持；
处理液供给部，其朝向被所述基板保持机构保持的所述基板喷出处理液；
第一温度传感器，其检测被所述基板保持机构保持的所述基板的中心部的温度；
第二温度传感器，其检测被所述基板保持机构保持的所述基板的端部的温度；以及
控制部，
其中，所述控制部使各部执行包括以下工序的基板处理方法：
在使用所述基板保持机构将所述基板水平地保持的状态下，从所述处理液供给部朝向所述基板喷出所述处理液，由此对所述基板进行液处理；
使用所述第一温度传感器和所述第二温度传感器，分别检测所述液处理中的所述基板的中心部的温度和所述基板的端部的温度；
基于规定所述液处理的处理条件的一个或多个参数值、通过进行所述检测的工序检测出的所述基板的中心部的温度以及所述基板的端部的温度，来生成表示所述液处理中的所述基板的面内温度分布的温度分布信息；以及
基于所述温度分布信息来判定所述液处理的结果是否良好。
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