CN114163145A - 带金属电极的石英基底的封接方法及其专用夹具 - Google Patents
带金属电极的石英基底的封接方法及其专用夹具 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114163145A CN114163145A CN202111283496.4A CN202111283496A CN114163145A CN 114163145 A CN114163145 A CN 114163145A CN 202111283496 A CN202111283496 A CN 202111283496A CN 114163145 A CN114163145 A CN 114163145A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pressure
- metal
- quartz
- quartz substrate
- metal electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 86
- 239000010453 quartz Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 67
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 77
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
- C03C27/06—Joining glass to glass by processes other than fusing
- C03C27/10—Joining glass to glass by processes other than fusing with the aid of adhesive specially adapted for that purpose
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种带金属电极的石英基底的封接方法,利用蒸镀法将玻璃焊料均匀镀在带金属电极的石英基底的电极层,并形成玻璃焊料层;将待封接的两块石英基底的玻璃焊料层接触,施加压力,使所述的玻璃焊料层紧密接触;保持压力,并置于高温焊接炉中进行高温焊接,直至焊接完成。以及实施该方法的专用夹具。本发明封接温度低,不仅避免了高温对金属电极的影响,而且玻璃焊料还对金属电极具有保护效果,同时保证了金属电极之间的相互绝缘。
Description
技术领域
本发明属于非金属焊接技术领域,具体是镀有金属电极的石英基底的封装方法及其专用夹具。
背景技术
石英是一种坚硬,耐磨,化学性能稳定的材料,尤其是其较低的热膨胀系数,使其广泛的应用在医疗器械装置、传感器、光电子器件等精密仪器当中,近年来,随着元器件不断小型化及人们对产品高密度、高可靠性要求的提高,带有电极的石英元件封接技术已成为重要环节之一。
在许多精密仪器内部石英元件不仅作为结构与光学元件,还是电路的载体,将电极蒸镀在石英基底上形成电路,不仅保证了电信号稳定的传输,同时可以减小体积实现设备的小型化。石英玻璃具有较低的热膨胀系数,高的耐温性,较好的化学稳定性,优良的电绝缘性等优点。正是由于较低的热膨胀系数和高的熔点,导致了石英的封接具有一定的难度,需要与热膨胀系数匹配的焊料,此外石英表面还镀有电极,焊料的绝缘性与焊接温度的限制又增加了石英基地的焊接难度。
传统的石英连接方式有粘接、阳极键合、钎焊、熔焊。粘合剂粘合是利用胶水等粘合剂将两个表面连接在一起的技术,该方法可能会释放气体,导致粘合剂的老化以及周围设备的污染;阳极键合技术由于金属膜具有导电性,因此该方法对于表面镀有金属膜石英基底并不适用;锡焊技术是一种通过熔化焊接料以实现两个样品之间连接的工艺,对于石英封接锡焊前需要对石英进行金属化处理,这同样会对金属电极产生影响。发明专利公告号CN100538979C,采用普通玻璃基底的封接,焊料采用与基底相匹配的玻璃焊料,但是低熔点玻璃作为焊料的熔焊方法,对于石英基底的封接并不适用,由于石英的热膨胀系数低,低熔点玻璃的热膨胀系数无法与其相匹配,熔融封接后界面会存在较大的内应力甚至开裂。而若使用石英熔焊,直接将母材熔化再退火焊接,由于石英的熔点较高(1750℃),高温会将石英基底上的电极破坏。
发明内容
本发明的目的在于提供一种带金属电极的石英基底的封接方法,该方法使用蒸镀的方法将玻璃焊料镀在石英基底,蒸镀的方法不会导致因热膨胀系数不匹配而导致的应力过大,再使用扩散焊接的方法使焊料相结合,而扩散焊接也是在低于玻璃焊料熔点的温度下完成焊接。较低温度的石英封接避免了焊接应力过大,同时避免了了金属电极被破坏,使用高温真空炉和特定的金属夹具提供焊接所需要的高温高压真空环境。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案如下:
一方面,本发明提供一种带金属电极的石英基底的封接方法,其特点在于,
利用蒸镀法将玻璃焊料均匀镀在带金属电极的石英基底的电极层,并形成玻璃焊料层;
将待封接的两块石英基底的玻璃焊料层接触,施加压力,使所述的玻璃焊料层紧密接触;
保持压力,并置于高温焊接炉中进行高温焊接,直至焊接完成。
优选的,所述的玻璃焊料是一种以氧化钠(Na2O)、氧化硼(B2O3)或二氧化硅(SIO2)为基本成份的玻璃。
优选的,所述的玻璃焊料的成分配比为硼:12.5~13.5%,硅:78~80%。
所述的蒸镀法为真空蒸镀,真空度在1.0×10-3pa—1.0×10-4pa之间,温度在150℃-250℃之间。
所述的高温焊接是指温度设置为600℃-700℃,真空度在1.0×10-3pa—1.0×10- 4pa之间。
另一方面,本发明还提供一种用于实施上述带金属电极的石英基底的封接方法的专用夹具,其特点在于,包括互相平行金属底板和金属顶板,以及连接在该金属底板和金属顶板之间的连接螺栓,使金属底板和金属顶板之间间距可调;
在所述的金属顶板中央设有供压力螺栓穿过的通孔;待封接的两块石英基底可置于所述的金属底板上,该待封接的两块石英基底上表面放置有压块,所述的压力螺栓穿过通孔提供压力挤压所述的压块,使压力传递到待封接的两块石英基底。
优选的,在所述的待封接的两块石英基底的上下表面还分别设置有柔性石墨垫片,即在石英基底与压块、石英基底与金属底板之间均垫有柔性石墨垫片,避免不锈钢夹损伤石英。
优选的,在所述的压块中心位置设有凹槽,供所述的压力螺栓顶入,从而使压块受力均匀。
优选的,使用的材料为不锈钢。
上述专用夹具的使用方法如下:
将两块待封接的石英基底的玻璃焊料层相接触的安装于上述专用夹具,通过连接螺栓相固定;旋转压力螺栓,顶住压块的凹槽,挤压,压块通过柔性石墨垫片将压力传递到上侧的石英基底上,从而使两块待封接的石英基底之间产生压力。
将紧固好的专用夹具,即夹具与两块待封接的石英基底一起置于真空高温炉中,封闭高温炉抽真空,再进行升温,达到额定温度保持焊接所需要的时间,在低于玻璃焊料软化点的情况下以一定的温度和压强进行封接。
最后进行自然冷却,从专用夹具上取下石英基底,焊接完成。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1)封接时使电极间相互绝缘,由于常规的熔焊玻璃焊料与石英基底的热膨胀系数不匹配会导致焊接开裂。且使用石英基底直接熔接的方法需要的温度过高,会破坏金属电极。因此,本发明使用蒸镀的方法将玻璃焊料与石英基底相结合,再使用扩散焊接的方法将玻璃焊料相结合,实现了低温焊接。
2)采用焊料蒸镀,避免了焊料与石英基底因膨胀系数差异过大而产生较大的内应力。
3)采用扩散焊接,降低需要的焊接温度,也避免了因高温对金属电极的影响。
4)利用低熔点焊料玻璃将金属电极覆盖,对金属电极起到了保护作用。同时,使用低熔点玻璃作为焊料,使各金属电极之间相互绝缘
5)设计专用夹具,受力均匀、从而使玻璃焊料长时间保持紧密接触。压块的采用,避免了多螺栓提供压力造成的压力不均匀。
附图说明
图1为本发明实施带金属电极的石英基底的封装方法的专用夹具的使用状态图。
图2为被焊石英基底焊接面截面图。
图3为被焊石英基底与专用夹具截面图。
图4为带金属电极的石英基底示意图。
图中:1-石英基底;2-金属电极;3-低熔点玻璃;4-金属底板;5-压块;6-连接螺栓;7-金属顶板;8-压力螺栓;9-柔性石墨垫片。
具体实施方式
下面结合具体附图对本发明作进一步详细阐述,但不应以此限制本发明的保护范围。
请参阅图1-图3,图1为本发明实施带金属电极的石英基底的封装方法的专用夹具的使用状态图,图2为被焊石英基底焊接面截面图,图3为被焊石英基底与专用夹具截面图。如图所示,一种带金属电极的石英基底的封接方法,利用蒸镀法将玻璃焊料均匀镀在带金属电极的石英基底1的电极层2,并形成玻璃焊料层3;将待封接的两块石英基底1的玻璃焊料层3接触,施加压力,使所述的玻璃焊料层3紧密接触;保持压力,并置于高温焊接炉中进行高温焊接,直至焊接完成。
一种用于实施上述带金属电极的石英基底的封接方法的专用夹具,包括互相平行金属底板4和金属顶板7,以及连接在该金属底板4和金属顶板7之间的连接螺栓6,使金属底板4和金属顶板7之间间距可调;在所述的金属顶板7中央设有供压力螺栓8穿过的通孔;待封接的两块石英基底1可置于所述的金属底板4上,该待封接的两块石英基底1上表面放置有压块5,所述的压力螺栓8穿过通孔提供压力挤压所述的压块5,使压力传递到待封接的两块石英基底1。在所述的待封接的两块石英基底的上下表面还分别设置有柔性石墨垫片。在所述的压块5中心位置设有凹槽,供所述的压力螺栓8顶入。住压块5中心位置的凹槽,
将镀电极石英元件固定在特定的镀膜模具上,置于镀膜机内,在需要被焊接的平面上均匀的蒸镀上低熔点玻璃焊料,低熔点玻璃焊料覆盖焊接面上的电极,蒸镀完成后自然冷却。
将两个需要被焊接的石英元件的放置在金属夹具上,在被焊石英元件与压块和金属底板之间垫上柔性石墨垫片,将两个被焊面上的低熔点玻璃焊料充分接触,旋转压力螺栓,顶住压块的凹槽,挤压上侧的被焊件,从而使两个被焊件之间产生压力。
将金属夹具连同需要被焊接的石英元件至于高温炉内,封闭高温炉进行抽真空,再进行升温,达到额定温度保持焊接所需要的时间,最后进行自然冷却,从金属夹具上取下被焊件,焊接完成。
Claims (8)
1.一种带金属电极的石英基底的封接方法,其特征在于,
利用蒸镀法将玻璃焊料均匀镀在带金属电极的石英基底(1)的电极层(2),并形成玻璃焊料层(3);
将待封接的两块石英基底(1)的玻璃焊料层(3)接触,施加压力,使所述的玻璃焊料层(3)紧密接触;
保持压力,并置于高温焊接炉中进行高温焊接,直至焊接完成。
2.根据权利要求1所述的带金属电极的石英基底的封接方法,其特征在于,所述的玻璃焊料是一种以氧化钠(Na2O)、氧化硼(B2O3)或二氧化硅(SIO2)为基本成份的玻璃。
3.根据权利要求2所述的带金属电极的石英基底的封接方法,其特征在于,所述的玻璃焊料的成分配比为硼:12.5~13.5%,硅:78~80%。
4.根据权利要求1所述的带金属电极的石英基底的封接方法,其特征在于,所述的蒸镀法为真空蒸镀,真空度在1.0×10-3pa—1.0×10-4pa之间,温度在150℃-250℃之间。
5.根据权利要求1所述的带金属电极的石英基底的封接方法,其特征在于,所述的高温焊接是指温度设置为600℃-700℃,真空度在1.0×10-3pa—1.0×10-4pa之间。
6.一种实施权利要求1-5任一所述的带金属电极的石英基底的封接方法的专用夹具,其特征在于,包括互相平行金属底板(4)和金属顶板(7),以及连接在该金属底板(4)和金属顶板(7)之间的连接螺栓(6),使金属底板(4)和金属顶板(7)之间间距可调;
在所述的金属顶板(7)中央设有供压力螺栓(8)穿过的通孔;待封接的两块石英基底(1)可置于所述的金属底板(4)上,该待封接的两块石英基底(1)上表面放置有压块(5),所述的压力螺栓(8)穿过通孔提供压力挤压所述的压块(5),使压力传递到待封接的两块石英基底(1)。
7.根据权利要求6所述的专用夹具,其特征在于,在所述的待封接的两块石英基底(1)的上下表面还分别设置有柔性石墨垫片(9)。
8.根据权利要求6或7所述的专用夹具,其特征在于,在所述的压块(5)中心位置设有凹槽,供所述的压力螺栓(8)顶入,住压块(5)中心位置的凹槽。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111283496.4A CN114163145B (zh) | 2021-11-01 | 2021-11-01 | 带金属电极的石英基底的封接方法及其专用夹具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111283496.4A CN114163145B (zh) | 2021-11-01 | 2021-11-01 | 带金属电极的石英基底的封接方法及其专用夹具 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114163145A true CN114163145A (zh) | 2022-03-11 |
CN114163145B CN114163145B (zh) | 2023-12-01 |
Family
ID=80477961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111283496.4A Active CN114163145B (zh) | 2021-11-01 | 2021-11-01 | 带金属电极的石英基底的封接方法及其专用夹具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114163145B (zh) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5738351A (en) * | 1980-08-11 | 1982-03-03 | Toshiba Corp | Glass connected structure |
CN1507023A (zh) * | 2002-11-14 | 2004-06-23 | ���ǵ�����ʽ���� | 倒装芯片半导体器件的侧面焊接方法 |
CN1838364A (zh) * | 2006-03-14 | 2006-09-27 | 西安交通大学 | 一种等离子体显示板及其制造方法 |
CN101261932A (zh) * | 2008-04-18 | 2008-09-10 | 华中科技大学 | 一种低温圆片键合方法 |
CN101386470A (zh) * | 2007-09-10 | 2009-03-18 | 东进世美肯株式会社 | 玻璃料和利用该玻璃料的电气元件密封方法 |
CN101497422A (zh) * | 2009-01-20 | 2009-08-05 | 东南大学 | 基于圆片级玻璃微腔的低温玻璃焊料键合封装方法 |
CN102947683A (zh) * | 2010-04-26 | 2013-02-27 | Hme有限公司 | 温度传感器及采用该温度传感器的辐射温度计、温度传感器的制造方法、采用光刻胶膜的多层薄膜热电堆及采用该热电堆的辐射温度计、以及多层薄膜热电堆的制造方法 |
CN105215889A (zh) * | 2015-11-02 | 2016-01-06 | 沈阳航天新光集团有限公司 | 冷却涡轮试验用一体化夹具 |
CN109415253A (zh) * | 2017-10-25 | 2019-03-01 | 深圳孔雀科技开发有限公司 | 一种平板真空玻璃的封接方法 |
CN112192085A (zh) * | 2020-10-14 | 2021-01-08 | 哈尔滨工业大学(深圳) | 一种复合焊料预成型片及其制备方法、及封装方法 |
-
2021
- 2021-11-01 CN CN202111283496.4A patent/CN114163145B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5738351A (en) * | 1980-08-11 | 1982-03-03 | Toshiba Corp | Glass connected structure |
CN1507023A (zh) * | 2002-11-14 | 2004-06-23 | ���ǵ�����ʽ���� | 倒装芯片半导体器件的侧面焊接方法 |
CN1838364A (zh) * | 2006-03-14 | 2006-09-27 | 西安交通大学 | 一种等离子体显示板及其制造方法 |
CN101386470A (zh) * | 2007-09-10 | 2009-03-18 | 东进世美肯株式会社 | 玻璃料和利用该玻璃料的电气元件密封方法 |
CN101261932A (zh) * | 2008-04-18 | 2008-09-10 | 华中科技大学 | 一种低温圆片键合方法 |
CN101497422A (zh) * | 2009-01-20 | 2009-08-05 | 东南大学 | 基于圆片级玻璃微腔的低温玻璃焊料键合封装方法 |
CN102947683A (zh) * | 2010-04-26 | 2013-02-27 | Hme有限公司 | 温度传感器及采用该温度传感器的辐射温度计、温度传感器的制造方法、采用光刻胶膜的多层薄膜热电堆及采用该热电堆的辐射温度计、以及多层薄膜热电堆的制造方法 |
CN105215889A (zh) * | 2015-11-02 | 2016-01-06 | 沈阳航天新光集团有限公司 | 冷却涡轮试验用一体化夹具 |
CN109415253A (zh) * | 2017-10-25 | 2019-03-01 | 深圳孔雀科技开发有限公司 | 一种平板真空玻璃的封接方法 |
CN112192085A (zh) * | 2020-10-14 | 2021-01-08 | 哈尔滨工业大学(深圳) | 一种复合焊料预成型片及其制备方法、及封装方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114163145B (zh) | 2023-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4891235B2 (ja) | 回路基板とその製造方法及びこれを用いた電子部品 | |
WO2010021268A1 (ja) | 電子部品装置およびその製造方法 | |
US20060279899A1 (en) | Electrostatic chuck | |
US20080283579A1 (en) | Method for bonding electronic components | |
JP2003142739A (ja) | 熱電装置 | |
JP2015220341A (ja) | 金属ベース基板、パワーモジュール、および金属ベース基板の製造方法 | |
KR20180037865A (ko) | 세라믹 기판 및 세라믹 기판 제조 방법 | |
KR20200038615A (ko) | 파워모듈 | |
US4507907A (en) | Expendable heater sealing process | |
KR20190019173A (ko) | 반도체 제조장치용 부품의 제조방법 및 반도체 제조장치용 부품 | |
US4571921A (en) | Expendable heater sealing process | |
JP2930186B2 (ja) | 半導体装置の実装方法および半導体装置の実装体 | |
CN114163145B (zh) | 带金属电极的石英基底的封接方法及其专用夹具 | |
US4795866A (en) | Vacuum tube switch which uses low temperature solder | |
KR100934827B1 (ko) | 처리 장치용 워크피스 지지체 및 이를 사용하는 처리 장치 | |
JP3555366B2 (ja) | 圧力センサの製造方法 | |
JP2020505773A (ja) | 凹形湾曲部を備えた底部プレートを有する半導体モジュール | |
US5201456A (en) | Process for assembly of a metal can on a substrate bearing an integrated circuit | |
JP4339982B2 (ja) | 気密端子 | |
JPH07130925A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS63287038A (ja) | パッケ−ジ構造 | |
JP2018098488A (ja) | 金属結合による光電素子パッケージ構造及びその製造方法 | |
US5133795A (en) | Method of making a silicon package for a power semiconductor device | |
JP2019029468A (ja) | パッケージ | |
JP2528941B2 (ja) | ファイバ導入型パッケ―ジとその気密封止方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |