CN114156421A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114156421A CN114156421A CN202111476767.8A CN202111476767A CN114156421A CN 114156421 A CN114156421 A CN 114156421A CN 202111476767 A CN202111476767 A CN 202111476767A CN 114156421 A CN114156421 A CN 114156421A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- opening
- display panel
- pixel defining
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 224
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请提供一种显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,用于解决对阴极层进行刻蚀形成透光孔时,存在透光孔的边缘翻起而导致后续封装困难及良率低的技术问题,该显示面板包括依次设置的层叠结构、像素定义层以及阴极层;像素定义层设置有多个像素开口,且相邻的像素开口之间的像素定义层设置有至少一个第一开口,第一开口的内侧面相对层叠结构与像素定义层接触的表面倾斜设置,层叠结构包括掩膜层,掩膜层设置有至少一个第二开口,第二开口的边界在像素定义层的投影位于形成第一开口的内侧面上;第二开口供刻蚀激光穿过并照射在阴极层上,阴极层与第二开口重合区域形成透光孔。本申请提供的显示面板及显示装置用于显示。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
在显示产品中,为了提高屏占比,通常将前置摄像头放置在显示面板的背侧,并在显示面板的阴极层设置有透光孔,以便于光线穿过显示面板进入摄像头,提高摄像头的拍照效果。
相关技术中,通常采用激光刻蚀的方式去除部分阴极层,以在阴极层中形成透光孔。具体地,在带有阳极层的阵列基板上形成像素定义层和阴极层后,以阵列基板中的金属层或阳极层为掩膜,激光从阵列基板的背侧射入,从而实现对位于像素定义层顶部上方的阴极层进行刻蚀,形成具有透光孔的阴极层。然而,在上述刻蚀过程中,阴极层被刻蚀区域的边缘容易沿激光的传输方向翻起,导致后续封装困难和良率低。
发明内容
鉴于上述问题,本申请实施例提供一种显示面板及显示装置,其能够降低阴极层被刻蚀区域的边缘向上翻起的可能性,以便于后续封装以及提升封装效果。
为了实现上述目的,本申请实施例提供如下技术方案:
本申请实施例的第一方面提供一种显示面板,其包括层叠结构、设置于所述层叠结构上的像素定义层以及设置于所述像素定义层上的阴极层;所述像素定义层设置有多个像素开口,且相邻的所述像素开口之间的所述像素定义层设置有至少一个第一开口,所述第一开口的内侧面相对所述层叠结构与所述像素定义层接触的表面倾斜设置,且形成的倾斜角为钝角;所述层叠结构包括掩膜层,所述掩膜层设置有至少一个第二开口,所述第二开口与所述第一开口一一对应;所述第二开口的边界在所述像素定义层的投影位于形成所述第一开口的内侧面上;所述第二开口供刻蚀激光穿过并照射在所述阴极层上,所述阴极层与所述第二开口重合区域形成透光孔。
在一种可能的实现方式中,所述掩膜层包括第一子掩膜层和/或第二子掩膜层;所述第二开口形成在所述第一子掩膜层或所述第二子掩膜层上;或者所述第一子掩膜层、所述第二子掩膜层共同形成所述第二开口。
在一种可能的实现方式中,所述层叠结构包括阳极层;所述阳极层为所述第一子掩膜层,所述阳极层包括多个阳极块,相邻所述阳极块靠近所述第一开口的两端形成所述第二开口。
在一种可能的实现方式中,所述层叠结构还包括平坦层;所述平坦层位于所述阳极层背离所述像素定义层的一侧,所述平坦层内设置有金属层,且所述金属层为所述第二子掩膜层;所述金属层包括多个金属块,相邻所述金属块靠近所述第一开口的两端形成所述第二开口。
在一种可能的实现方式中,所述阳极块靠近所述第一开口的一端与所述金属块靠近所述第一开口的一端形成所述第二开口。
在一种可能的实现方式中,所述第一开口横截面形状为倒梯形,所述第一开口的小口端靠近所述层叠结构设置。
在一种可能的实现方式中,所述像素开口的横截面形状与所述第一开口的横截面形状相同。
在一种可能的实现方式中,所述第一开口的内侧面与所述层叠结构与所述像素定义层接触的表面之间的倾斜的角度范围为110°至130°。
在一种可能的实现方式中,所述显示面板还包括多个发光单元;多个所述发光单元分别设置于多个所述像素开口内,所述阴极层覆盖所述发光单元以及所述像素定义层。
本申请实施例第二方面提供了一种显示装置,包括摄像头及第一方面所述的显示面板;所述摄像头设置在所述显示面板远离所述阴极层的一侧,且所述摄像头与所述透光孔相对设置。
与相关技术相比,本申请实施例提供的显示面板及显示装置具有以下优点;
本申请实施例提供的显示面板及显示装置,其中显示面板包括依次设置的层叠结构、像素定义层以及阴极层,像素定义层设置有多个像素开口,位于相邻两个像素开口之间的像素定义层设置有第一开口,第一开口的内侧面倾斜设置,且倾斜角为钝角。
层叠结构中的掩膜层设置有与第一开口相对的第二开口,且第二开口在像素定义层上的投影位于第一开口的内侧面上;刻蚀激光可从第二开口穿过并照射在阴极层上,以使位于第一开口内的部分阴极被激光刻蚀,从而在阴极层与第二开口的重合区域形成透光孔,以增加显示面板的透光率。
与相关技术中对位于相邻两个像素开口之间的像素定义层的顶面的阴极层进行刻蚀,而形成透光孔相比,本申请实施例中透光孔形成在位于第一开口内的阴极层上,并且阴极层被刻蚀区域的边缘位于第一开口的内侧面上,由于内侧面为斜面,其能够降低激光动能对边缘的冲击,从而有效抑制阴极层被刻蚀区域的边缘沿着激光传输方向翻起,能够提升阴极层被刻蚀区域边缘的平整性,以便于后续封装及提升封装效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例一提供的显示面板的结构示意图;
图2为本申请实施例一提供的形成第二开口的示意图一;
图3位本申请实施例一提供的形成第二开口的示意图二;
图4为本申请实施例一提供的形成第二开口的示意图三。
附图标记说明:
10-平坦层;
21-第一阳极块;22-第二阳极块;
30-发光单元;
40-像素定义层;
41-像素开口;42-第一区域;43-第一开口;431-内侧面;
50-阴极层;
51-透光孔;
60-第二开口;
71-第一金属块;72-第二金属块。
具体实施方式
正如背景技术所述,相关技术中在利用激光从阵列基板的背侧对阴极层进行刻蚀而形成透光孔时,存在阴极层被刻蚀区域的边缘翻起而导致后续封装困难及良率低的问题;经申请人研究发现,出现这种问题的原因在于,显示面板包括依次设置的阵列基板、阳极层、像素定义层及阴极层,像素定义层设置多个像素开口,像素开口内设置有发光单元,阴极层覆盖各发光单元和位于各像素开口之间的像素定义层。
激光从阵列基板背侧射入并利用阵列基板中的金属层或者阳极作为掩膜板,对设置在相邻像素开口之间的像素定义层的顶面上的阴极层进行刻蚀,从而在阴极层形成上述透光孔。阴极层的刻蚀区域的边界位于像素定义层的顶面上,此顶面为平面;然而在激光动能的冲击下,阴极层被刻蚀区域的边缘容易沿着激光传输方向翻起,使得阴极层的透光孔处平整性较差,从而导致后续封装困难及良率低。
针对上述技术问题,本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置,其中显示面板包括依次设置的层叠结构、像素定义层及阴极层,像素定义层设置有多个像素开口,位于相邻像素开口之间的像素定义层设置有第一开口,第一开口的内侧面倾斜设置。层叠结构设置有掩膜层,掩膜层设置有与第一开口相对的第二开口,第二开口在像素定义层上的投影位于第一开口的内侧面上。
当对阴极层进行刻蚀时,刻蚀激光可从阵列基板背侧射入,并从第二开口穿过照射在阴极层上,以使位于第一开口内的部分阴极层被激光刻蚀,从而在阴极层与第二开口的重合区域形成透光孔。如此设置,阴极层的被刻蚀区域的边缘位于第一开口的内侧面上,由于内侧面为斜面,能够降低激光动能对边缘的冲击,从而有效抑制刻蚀区域的边缘沿着激光传输方向翻起,提升阴极层的透光孔处的平整性,以便于后续封装及提升封装效果。
为了使本申请实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,均属于本申请保护的范围。
实施例一
如图1和图2所示,本申请实施例提供了一种显示面板包括层叠结构、像素定义层40和阴极层50,其中,层叠结构包括阵列基板和设置在阵列基板上方的阳极层,阵列基板包括衬底、设置在衬底上的多个功能层以及位于功能层上的平坦层10,即阳极层位于平坦层10上方,或者说,阳极层位于平坦层10与像素定义层40之间。
本申请实施例中的阳极层包括多个呈阵列布置的阳极块,即多个阳极块可呈阵列布置在平坦层10上。像素定义层40设置有多个像素开口41,每个像素开口41可与每个阳极块一一对应设置,阳极块的中间部分暴露在像素开口41内,阳极块的两端分别被像素定义层40所覆盖;每像素开口41内均设置有一个发光单元30,发光单元30与暴露在像素开口41内的阳极块的中间部分电连接。
阴极层50覆盖各发光单元30及像素定义层40;即部分阴极层50覆盖各发光单元30的上方,部分阴极层50覆盖在相邻像素开口41之间的区域。为便于描述本实施例可将位于相邻像素开口41之间的部分像素定义层40定义为第一区域42,用于形成像素开口41的区域定义为第二区域,即阴极层50包括连续的两部分,其中一部分阴极层50覆盖第一区域42,另一部分阴极层50覆盖设置在像素开口41内的发光单元,并与发光单元30电连接。
进一步地,在本申请实施例中第一区域42设置有第一开口43,以使部分阴极层50形成在第一开口43内。例如,可在多个相邻像素开口41之间的第一区域42分别设置有第一开口43,即相邻的像素开口41之间的像素定义层40设置有至少一个第一开口43。第一开口43包括内侧面431,阴极层50覆盖在内侧面431上。内侧面431相对于层叠结构与像素定义层40的接触的表面倾斜,且两者之间的倾斜的角度范围为110°至130°之间,即内侧面431为斜面,相对于平坦层10倾斜设置,且两者之间的倾斜角为钝角,其角度范围可以是110°至130°之间。
例如,沿垂直于平坦层10方向,第一开口43的横截面形状可以是倒梯形,第一开口43的小口端靠近层叠结构设置;第一开口43的横截面形状可以是等腰梯形,此梯形包括上底、下底及位于上底、下底之间的侧边,其中侧边是内侧面431在其横截面上的投影,梯形的上底宽度大于下底宽度,且下底与平坦层10接触。如此设置,可使形成在第一开口内的阴极层50与像素定义层40的表面贴合可靠,保证阴极层50的连续性,避免阴极层50出现断裂的现象。
需要说明的是,上述第一开口43的截面形状不限于倒梯形,也可以是三角形,或者内凹的弧形,弧形的切线相对与平坦层10的表面倾斜;本实施例对此不加以限制,仅需保证第一开口43具有相对层叠结构的顶面具有倾斜或者近似倾斜的内侧面431即可。
本申请实施例中层叠结构包括掩膜层,掩膜层设置有至少一个第二开口60,第二开口60可与第一开口43一一对应,并且第二开口60的边界在像素定义层40的投影位于第一开口43的内侧面431上。
当需要在阴极层50上设置透光孔51,以增加阴极层50的透光率时,激光可从阵列基板的背侧射入,并沿方向A向上传输,激光经过掩膜层的第二开口60照射在位于第一开口43内的阴极层50上,第二开口60作为刻蚀通道,位于第一开口43内的阴极层50与第二开口60重合的区域被激光刻蚀去除,从而在阴极层50上形成透光孔51,透光孔51的边缘位于内侧面431上。
本申请实施例提供的显示面板,在层叠结构中设置掩膜层,掩膜层中的第二开口60与第一开口43相对,第二开口60的边界相对像素定义层40的投影位于第一开口43的内侧面431上;由于内侧面431为斜面,能够降低激光动能对刻蚀区域的边缘的冲击,从而有效抑制刻蚀区域的边缘向上翻起,能够提升刻蚀区域边缘的平整性,以便于后续封装及提升封装效果。
在上述实施例的基础上,本申请实施例中的掩膜层可包括至少一个子掩膜层,各子掩膜层中可分别具有第二开口60,或者各子掩膜层相互配合形成第二开口60等。子掩膜层可以为阵列基板中的各功能层中金属层或者阳极层;本实施例中掩膜层可包括多个子掩膜层,例如掩膜层可包括两个子掩膜层,两个子掩膜层可分别为阳极层及平坦层中的金属层,本实施例以阳极层、平坦层中的金属层为例进行说明。
本实施例中掩膜层包括第一子掩膜层和第二子掩膜层,第一子掩膜层可以是阳极层,第二子掩膜层可以是设置在平坦层10中的金属层。根据各子掩膜层的设置位置不同,本实施例对掩膜层中的第二开口60形成方式分别进行介绍。
参阅图2,在一种实施例中,阳极层作为第一子掩膜层,且第二开口60可形成在阳极层中。示例性地,阳极层设置在平坦层10及像素定义层40之间,阳极层包括多个阵列布置的阳极块,在两个相邻的阳极块之间形成第二开口60,即在两个相邻的阳极块中,其中一个阳极块靠近第一开口43设置并被像素定义层40所覆盖;另一个阳极块靠近第一开口43设置并被像素定义层40所覆盖;两个阳极块靠近第一开口43的端部之间形成第二开口60。
例如,阳极层包括相邻的第一阳极块21和第二阳极块22,第一阳极块21和第二阳极块22分别与对应的两个相邻的像素开口41配合设置。其中第一阳极块21的中间部分暴露在其对应像素开口41内,第一阳极块21的两端分别被像素定义层40的第一区域42所覆盖;且第一阳极块21的端部与像素定义层40之间的形成第一边界,第一边界相对像素定义层40的投影位于第一开口43的斜面上。
同样的,第二阳极块22间隔设置在第一阳极块21的一侧,第二阳极块22的中间部分暴露在其对应的像素开口41内,第二阳极块22的两端分别被像素定义层40的第一区域42所覆盖;且第二阳极块22的端部与像素定义层40之间的形成第二边界,第二边界相对像素定义层40的投影位于第一开口43的斜面上;即第一阳极块21的第一边界与第二阳极块22的第二边界之间形成第二开口60,第二开口60相对于像素定义层40的投影位于第一开口43的内侧面431上。
需要说明的是,上述多个阳极块呈阵列布置在平坦层10上,多个阳极块呈数行数列布置,因此位于同一行的相邻两个阳极块之间可形成第二开口60,或者位于同一列的相邻两个阳极块之间形成第二开口60,本实施例对此不加以限制。
如图3所示,在另一种实施例中,第二子掩膜层为设置在平坦层10内的金属层,第二开口60形成在金属层中。示例性地,平坦层10设置在阳极层与阵列基板之间,即平坦层10位于阳极层背离像素定义层40的一侧。平坦层10内设置有金属层,金属层包括多个金属块;本实施例中可对金属层进行图案化处理,以形成的多个呈阵列布置的金属块,多个金属块的阵列布置方式可参照阳极块阵列排布,此处不再赘述。
在相邻两个金属块中,两个金属块靠近第一开口43的两端之间形成第二开口60。例如,金属层中的两个金属块分别定义为第一金属块71和第二金属块72,第一金属块71和第二金属块72同层设置。其中,第一金属块71的一端靠近第一开口43设置,第二金属块72的一端靠近第一开口43设置,第一金属块71与第二金属块72之间的部分形成第二开口60,第二开口60在像素定义层40上的投影可位于第一开口43的内侧面431上。
如此设置,靠近第一开口43设置的第一阳极块21和第二阳极块22,两者分别与像素定义层40的边界可远离第一开口43设置,以使通过第二开口60的刻蚀光线照射不被阳极块阻挡,能够照射在第一开口43内的阴极层50上。
如图4所示,在一种实施例中,第一子掩膜层与第二子掩膜层可配合形成第二开口60。示例性地,阳极层中的第一阳极块21与像素定义层40形成的第一边界,第一边界在像素定义层40上的投影位于第一开口43的内侧面431上;金属层的第一金属块71靠近第一开口43的端部在像素定义层40上的投影位于第一开口43的内侧面431上,即第一阳极块21的端部与第一金属块71的端部之间形成第二开口60,第二开口60的边界在像素定义层40上的投影位于第一开口43的内侧面431上。
在上述实施例的基础上,为节省制作成本,上述像素开口41和第一开口43的横截面的形状可以相同,均为倒梯形;即在像素定义层40上可间隔布置多个相同的开口,部分开口作为像素开口41,部分开口用于形成透光孔51。
进一步地,第一开口43的横截面形状可以是等腰梯形,内侧面431的在横截面上的投影为一侧边,等腰梯形的下底靠近平坦层10,且倒置的等腰梯形的底角角度为110°至130°之间。如此设置,若内侧面431的坡度(倾斜程度)较小,抑制阴极层50被刻蚀区域的边缘向上翻起的效果不好,若内侧面431的坡度较大(倾斜程度)较大,则内侧面431垂直投影区域较小,为使像素定义层40可覆盖阳极块,对阳极块的位置要求较高,本实施例优选的将内侧面431相对层叠结构的倾斜角度范围设定为110°至130°之间,即能够降低阳极块的制作精度,而且能够抑制阴极层50被刻蚀区域的边缘向上翻起。
实施例二
本申请实施例中提供了一种显示装置,其包括摄像头和实施例一所涉及的显示面板。显示面板包括出光侧和背光侧,摄像头设置在显示面板的背光侧,且摄像头与显示面板中的阴极层50上的透光孔51相对设置,阴极层50上设置有透光孔51,可提升显示面板的透光率,从而提升摄像头的摄像质量。
本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。
应当指出,在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“一些实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性,但未必每个实施例都包括该特定特征、结构或特性。此外,这样的短语未必是指同一实施例。此外,在结合实施例描述特定特征、结构或特性时,结合明确或未明确描述的其他实施例实现这样的特征、结构或特性处于本领域技术人员的知识范围之内。
一般而言,应当至少部分地由语境下的使用来理解术语。例如,至少部分地根据语境,文中使用的术语“一个或多个”可以用于描述单数的意义的任何特征、结构或特性,或者可以用于描述复数的意义的特征、结构或特性的组合。类似地,至少部分地根据语境,还可以将诸如“一”或“所述”的术语理解为传达单数用法或者传达复数用法。
此外,文中为了便于说明可以使用空间相对术语,例如,“下面”、“以下”、“下方”、“以上”、“上方”等,以描述一个元件或特征相对于其他元件或特征的如图所示的关系。空间相对术语意在包含除了附图所示的取向之外的处于使用或操作中的器件的不同取向。装置可以具有其他取向(旋转90度或者处于其他取向上),并且文中使用的空间相对描述词可以同样被相应地解释。
文中使用的术语“衬底”是指在其上添加后续材料层的材料。衬底本身可以被图案化。添加到衬底顶上的材料可以被图案化,或者可以保持不被图案化。此外,衬底可以包括宽范围内的一系列材料,例如,硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地,衬底可以由非导电材料(例如,玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等)制成。
文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸,或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外,层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域,其厚度小于该连续结构的厚度。例如,层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。衬底可以是层,可以在其中包括一个或多个层,和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如,互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括层叠结构、设置于所述层叠结构上的像素定义层以及设置于所述像素定义层上的阴极层;
所述像素定义层设置有多个像素开口,且相邻的所述像素开口之间的所述像素定义层设置有至少一个第一开口,所述第一开口的内侧面相对所述层叠结构与所述像素定义层接触的表面倾斜设置,且形成的倾斜角为钝角;
所述层叠结构包括掩膜层,所述掩膜层设置有至少一个第二开口,所述第二开口与所述第一开口一一对应;所述第二开口的边界在所述像素定义层的投影位于形成所述第一开口的内侧面上;所述第二开口供刻蚀激光穿过并照射在所述阴极层上,所述阴极层与所述第二开口重合区域形成透光孔。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述掩膜层包括第一子掩膜层和/或第二子掩膜层;
所述第二开口形成在所述第一子掩膜层或所述第二子掩膜层上;或者
所述第一子掩膜层、所述第二子掩膜层共同形成所述第二开口。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述层叠结构包括阳极层;
所述阳极层为所述第一子掩膜层,所述阳极层包括多个阳极块,相邻所述阳极块靠近所述第一开口的两端形成所述第二开口。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述层叠结构还包括平坦层;
所述平坦层位于所述阳极层背离所述像素定义层的一侧,所述平坦层内设置有金属层,且所述金属层为所述第二子掩膜层;
所述金属层包括多个金属块,相邻所述金属块靠近所述第一开口的两端形成所述第二开口。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述阳极块靠近所述第一开口的一端与所述金属块靠近所述第一开口的一端形成所述第二开口。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一开口横截面形状为倒梯形,所述第一开口的小口端靠近所述层叠结构设置。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述像素开口的横截面形状与所述第一开口的横截面形状相同。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一开口的内侧面与所述层叠结构与所述像素定义层接触的表面之间的倾斜的角度范围为110°至130°。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括多个发光单元;
多个所述发光单元分别设置于多个所述像素开口内,所述阴极层覆盖所述发光单元以及所述像素定义层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括摄像头及权利要求1至9中任一项所述的显示面板;
所述摄像头设置在所述显示面板远离所述阴极层的一侧,且所述摄像头与所述透光孔相对设置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111476767.8A CN114156421B (zh) | 2021-12-02 | 2021-12-02 | 显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111476767.8A CN114156421B (zh) | 2021-12-02 | 2021-12-02 | 显示面板及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114156421A true CN114156421A (zh) | 2022-03-08 |
CN114156421B CN114156421B (zh) | 2024-02-13 |
Family
ID=80452885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111476767.8A Active CN114156421B (zh) | 2021-12-02 | 2021-12-02 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114156421B (zh) |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101656263A (zh) * | 2008-07-08 | 2010-02-24 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示器、制造有机发光显示器的方法及显示设备 |
KR20100024871A (ko) * | 2008-08-26 | 2010-03-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 |
CN109004005A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-12-14 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN109148525A (zh) * | 2018-08-13 | 2019-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制作方法 |
CN110767736A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN111584737A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-08-25 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN111584762A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、封装方法及显示装置 |
CN111653685A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板、显示面板和显示装置 |
CN111755484A (zh) * | 2019-03-27 | 2020-10-09 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
WO2020253649A1 (zh) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
CN113299859A (zh) * | 2021-05-24 | 2021-08-24 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板、显示面板制备方法及显示装置 |
CN113488605A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-10-08 | 合肥维信诺科技有限公司 | 形成oled图案化阴极的方法和显示面板 |
-
2021
- 2021-12-02 CN CN202111476767.8A patent/CN114156421B/zh active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101656263A (zh) * | 2008-07-08 | 2010-02-24 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示器、制造有机发光显示器的方法及显示设备 |
KR20100024871A (ko) * | 2008-08-26 | 2010-03-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 |
CN109004005A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-12-14 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN109148525A (zh) * | 2018-08-13 | 2019-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制作方法 |
CN111755484A (zh) * | 2019-03-27 | 2020-10-09 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
WO2020253649A1 (zh) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
CN110767736A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN111584737A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-08-25 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN111584762A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、封装方法及显示装置 |
CN111653685A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板、显示面板和显示装置 |
CN113299859A (zh) * | 2021-05-24 | 2021-08-24 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板、显示面板制备方法及显示装置 |
CN113488605A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-10-08 | 合肥维信诺科技有限公司 | 形成oled图案化阴极的方法和显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114156421B (zh) | 2024-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110224006B (zh) | Oled显示面板及其制备方法 | |
CN106941113B (zh) | 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN110112317B (zh) | 显示装置、柔性显示面板及其制造方法 | |
US11043651B2 (en) | OLED display panel and manufacturing method thereof | |
CN111554715A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
WO2019127760A1 (zh) | 柔性显示面板的边缘区结构、柔性显示面板 | |
KR20190044016A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 | |
US20230133139A1 (en) | Drive backboard, preparation method thereof, display panel, and display device | |
CN108346685B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
CN112614958B (zh) | 显示面板、切割面板及显示装置 | |
CN109061963B (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
JPH0518274B2 (zh) | ||
CN116914061B (zh) | MicroLED显示组件及其制备方法 | |
EP4141949A1 (en) | Display panel, display device, and method for manufacturing display panel | |
CN114300482A (zh) | 显示面板及显示模组、移动终端 | |
CN114156421A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN113991030A (zh) | 一种像素结构及其制作方法、显示面板、电子设备 | |
CN115275044A (zh) | 显示面板 | |
CN111740013B (zh) | 掩模板、显示面板及显示面板的制作方法 | |
KR20070065097A (ko) | 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
CN112310327A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN111725279A (zh) | 阵列基板及oled显示面板 | |
JP2021132144A (ja) | 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法ならびに画像表示装置 | |
CN220984552U (zh) | MicroLED显示组件 | |
US20240339487A1 (en) | Display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |