CN113299859A - 显示面板、显示面板制备方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置，显示面板包括第一显示区、至少部分围绕第一显示区设置的第二显示区以及设于第一显示区和第二显示区之间的过渡区。显示面板包括阵列基板和发光器件层，发光器件层设于阵列基板一侧，发光器件层包括沿发光器件层的发光方向层叠设置的阳极层、发光层和阴极层。阳极层包括多个间隔设置的阳极块，阴极层包括多个设置第一显示区的多个阴极块，各阴极块通过连接部电连接，各阴极块在阵列基板上的正投影和各阳极块在阵列基板上的正投影相重合。即可将阳极层作为掩膜版来刻蚀阴极层，其能够在保证刻蚀精度的条件下，增大阴极层的刻蚀面积并提高第一显示区的整体透光率，改善光学器件的成像效果。

Description

显示面板、显示面板制备方法及显示装置

技术领域

本发明属于电子产品技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置。

背景技术

随着智能显示设备朝着全面屏的方向快速发展，屏占比要求越来越高，为了有效提升屏占比且改善外观，目前的一些显示设备将前置摄像头设置于屏幕下方，以实现更大的屏占比。屏下摄像头需要保证屏体的高透光率，但是由于显示面板的屏体下各膜层的阻挡，导致屏体的整体透光率降低，其严重影响了屏下摄像头的成像质量，造成低亮度条件下拍照质量的明显下降。

因此，亟需一种新的显示面板、显示面板制备方法及显示装置。

发明内容

本发明实施例提供了一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置，通过阳极对阴极进行图形化，其能够在保证刻蚀精度的条件下，提高光学器件所在区域的整体光透过率，改善光学器件的成像效果。

本发明实施例一方面提供了一种显示面板，具有第一显示区、至少部分围绕所述第一显示区设置的第二显示区以及设于所述第一显示区和所述第二显示区之间的过渡区，所述显示面板包括：阵列基板；发光器件层，设于所述阵列基板一侧，所述发光器件层包括沿所述发光器件层的发光方向层叠设置的阳极层、发光层和阴极层，所述阳极层包括多个间隔设置的阳极块，所述阴极层包括设于所述第一显示区的多个阴极块，各所述阴极块通过连接部电连接，各所述阴极块在所述阵列基板上的正投影和各所述阳极块在所述阵列基板上的正投影相重合。优选的，所述第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率。优选的，所述过渡区的透光率介于第一显示区的透光率、第二显示区的透光率之间，且所述第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率。优选的，所述第一显示区为透明显示区，所述第二显示区为非透明显示区。

根据本发明的一个方面，所述阳极块沿第一方向、第二方向间隔阵列排布，所述第一方向和所述第二方向相交；所述阵列基板包括多个功能层，至少一个所述功能层为包括多个遮挡单元的图案化结构，各所述遮挡单元在所述阵列基板上的正投影落在所述阳极块在所述阵列基板上的正投影沿所述第一方向的间隔内。

根据本发明的一个方面，所述阳极块沿第一方向、第二方向间隔阵列排布，所述第一方向和所述第二方向相交；所述显示面板还包括像素界定层，所述像素界定层包括多个像素开口，所述阳极层和所述发光层设于所述像素开口内，在所述像素界定层背离所述阵列基板一侧设有多个支撑部，各所述支撑部在所述阵列基板上的正投影落在所述阳极块在所述阵列基板上的正投影沿所述第一方向的间隔内。

根据本发明的一个方面，还包括边界遮光层，所述边界遮光层和所述阳极层同层设置，且所述边界遮光层设于所述过渡区靠近所述第一显示区的边界处。

根据本发明的一个方面，所述阳极块在所述阵列基板上的正投影为多边形、至少一条边为弧线的曲边形中的至少一者。

根据本发明的一个方面，所述阳极层包括单层导电层或多层导电结构层；所述多层导电结构层包括氧化铟锡、钼金属层、银金属层、铝金属层中的至少一者。

根据本发明的一个方面，所述阴极层还包括设于所述过渡区和所述第二显示区的阴极主体部，各所述阴极块和所述阴极主体部电连接。

本发明实施例另一方面还提供了一种显示面板制备方法，所述显示面板具有第一显示区、至少部分围绕所述第一显示区设置的第二显示区以及设于所述第一显示区和所述第二显示区之间的过渡区，包括：提供阵列基板；形成图案化的阳极层于所述阵列基板一侧，所述阳极层包括多个间隔设置的阳极块；形成发光层于所述阳极层背离所述阵列基板一侧；形成阴极层于所述发光层背离所述阵列基板一侧；对所述阴极层进行激光刻蚀，由所述阵列基板背离所述阳极层一侧向所述阴极层发射激光，以将位于所述第一显示区、未被所述阳极块遮挡的部分所述阴极层刻蚀，在所述第一显示区形成多个阴极块，各所述阴极块通过连接部电连接。

根据本发明的一个方面，在所述形成图案化的阳极层于所述阵列基板一侧的步骤中：通过湿法刻蚀、干法刻蚀中的至少一种工艺形成图案化的阳极层于所述阵列基板一侧。

本发明实施例另一方面还提供了一种显示装置，包括上述实施例中的显示面板。

与现有技术相比，本发明实施例提供的显示面板，包括第一显示区、至少部分围绕第一显示区设置的第二显示区以及设于第一显示区和第二显示区之间的过渡区，光学器件设置于第一显示区。显示面板包括阵列基板和发光器件层，发光器件层设于阵列基板一侧，发光器件层包括沿发光器件层的发光方向层叠设置的阳极层、发光层和阴极层。为了提升第一显示区的光透过率，阳极层包括多个间隔设置的阳极块，阴极层包括多个设置第一显示区的多个阴极块，各阴极块通过连接部电连接，即通过将第一显示区内的阴极层图形化为间隔设置的阴极块，减少了阴极层的遮挡区域，从而提升第一显示区的光透过率。此外，为实现阴极层的图形化，各阴极块在阵列基板上的正投影和各阳极块在阵列基板上的正投影相重合，即可将阳极层作为掩膜版，激光受到阳极块的阻挡而将阴极层刻蚀成与阳极块图形相同的阴极块，其能够在保证刻蚀精度的条件下，增大阴极层的刻蚀面积并提高第一显示区的整体透光率，从而改善光学器件的成像效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图；

图2是图1中的一种显示面板沿B-B方向的剖视图；

图3是图1中的另一种显示面板沿B-B方向的剖视图；

图4是本发明实施例提供的一种显示面板的阳极层的局部放大图；

图5是本发明实施例提供的一种显示面板的阴极层的局部放大图；

图6是本发明实施例提供的一种显示面板制备方法的流程图。

附图中：

1-阵列基板；11-有源层；12-栅极金属层；13-源漏极金属层；2-发光器件层；21-阳极层；211-阳极块；22-发光层；23-阴极层；231-阴极块；232-连接部；233-阴极主体部；3-遮挡单元；4-像素界定层；41-像素开口；5-支撑部；6-边界遮光层；100-显示面板；T1-薄膜晶体管；AA1-第一显示区；AA2-第二显示区；PA-过渡区；X-第一方向；Y-第二方向。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

为了更好地理解本发明，下面结合图1至图6根据本发明实施例的显示面板、显示面板制备方法及显示装置进行详细描述。

请参阅图1至图5，本发明实施例提供了一种显示面板100，具有第一显示区AA1、至少部分围绕第一显示区AA1设置的第二显示区AA2以及设于第一显示区AA1和第二显示区AA2之间的过渡区PA，显示面板100包括：阵列基板1；发光器件层2，设于阵列基板1一侧，发光器件层2包括沿发光器件层2的发光方向层叠设置的阳极层21、发光层22和阴极层23，阳极层21包括多个间隔设置的阳极块211，阴极层23包括设于第一显示区AA1的多个阴极块231，各阴极块231通过连接部232电连接，各阴极块231在阵列基板1上的正投影和各阳极块211在阵列基板1上的正投影相重合。

本发明实施例提供的显示面板100，包括第一显示区AA1、至少部分围绕第一显示区AA1设置的第二显示区AA2以及设于第一显示区AA1和第二显示区AA2之间的过渡区PA，光学器件设置于第一显示区AA1。显示面板100包括阵列基板1和发光器件层2，发光器件层2设于阵列基板1一侧，发光器件层2包括沿发光器件层2的发光方向层叠设置的阳极层21、发光层22和阴极层23。为了提升第一显示区AA1的光透过率，阳极层21包括多个间隔设置的阳极块211，阴极23包括多个设置第一显示区AA1的多个阴极块231，各阴极块231通过连接部232电连接，即通过将第一显示区AA1内的阴极层23图形化为间隔设置的阴极块231，减少了阴极层23的遮挡区域，从而提升第一显示区AA1的光透过率。此外，为实现阴极层23的图形化，各阴极块231在阵列基板1上的正投影和各阳极块211在阵列基板1上的正投影相重合，即可将阳极层21作为掩膜版，激光受到阳极块211的阻挡而将阴极层23刻蚀成与阳极块211图形相同的阴极块231，其能够在保证刻蚀精度的条件下，增大阴极层23的刻蚀面积并提高第一显示区AA1的整体透光率，从而改善光学器件的成像效果。

可以理解的是，由于阵列基板1内具有多层不规则的金属线路，故当激光穿射阵列基板1时，这些金属线路间会存在狭缝衍射而导致存在很多杂散光，而会影响阴极层23的激光刻蚀质量。而由于阳极层21与阴极层23之间的距离更近，因此，当以阳极层21作为激光阻隔结构对阴极层23进行激光刻蚀时，其衍射最弱，使得激光刻蚀得到的阴极块231图形精度和边缘形态最为光滑，从而能够保证阴极层23的激光刻蚀精度。此外，在通过阳极层21对阴极层23进行刻蚀时，由于阴极块231与阳极块211的图形相同，两者的透光区也相重合，因此能够进一步提高第一显示区AA1的整体透光率，从而改善光学器件的成像效果。

需要说明的是，激光由阵列基板1背离阳极层21的一侧向阴极层23放射，即激光依次穿过阵列基板1和发光器件层2的各膜层后对阴极层23进行刻蚀，故阴极块231的图形化与各膜层的阻挡有关。为实现各阴极块231在阵列基板1上的正投影与各阳极块211在阵列基板1正投影相重合，一方面需要避免第一显示区AA1内阵列基板1上各膜层阻挡激光，另一方面需要保证各阳极块211能够阻挡激光。

请参阅图2，首先，由于阵列基板1包括多个薄膜晶体管T1以及与薄膜晶体管T1连接的数据线、扫描线、电源信号线等走线，部分走线在阵列基板1上的正投影位于第一显示区AA1，为了避免走线自身对光线的遮挡效果影响第一显示区AA1的透光率，造成激光阻挡，可将走线设置为透明走线，可选的，走线可以采用透明氧化铟锡等透明导电材料制作。其次，为了实现阳极块211的激光阻隔功能，阳极块211可采用耐激光刻蚀的不透光金属制备，使得阳极块211具有激光阻挡功能。从而使得由阵列基板1背离阳极层21的一侧向阴极层23放射的激光能够仅受到阳极块211的阻挡，而形成与阳极块211图形相同的阴极块。

请参阅图3和图4，本发明实施例中的阳极块211是间隔设置的，即阳极块211沿第一方向X、第二方向Y间隔阵列排布，第一方向X和第二方向Y相交，其中，多个阳极块211的间隔内设置为透光区。通过以该阳极层21为光学掩膜版，刻蚀得到的阴极层23也同样为间隔的多个阴极块231，同时各阳极块211的透光区与各阴极块231的透光区在阵列基板1上的正投影相重合，从而提高了发光器件层2整体的透光率。可选的，阳极块211沿第一方向X、第二方向Y等间隔设置，同理，各阳极块211所形成的透光区也沿第一方向X和第二方向Y等间隔连续设置，以提升第一显示区AA1的亮度均一性。

为了使刻蚀得到的多个阴极块231能够通过连接部232电连接，该连接部232可与刻蚀得到的多个阴极块231异层设置并通过跨桥实现电连接，或该连接部232可与多个阴极块231同步刻蚀形成。

请参阅图2，为使该连接部232与多个阴极块231同步刻蚀形成，本发明实施例中的阵列基板1包括多个功能层，至少一个功能层为包括多个遮挡单元3的图案化结构，各遮挡单元3在阵列基板1上的正投影落在阳极块211在阵列基板1上的正投影沿第一方向X的间隔内，即光遮挡单元3在阵列基板1上的正投影可以完全覆盖阳极块211在阵列基板1上的正投影沿第一方向X的间隔。通过在阵列基板1内设置遮挡单元3，使得由阵列基板1背离阳极层21的一侧向阴极层23放射的激光，会受到遮挡单元3和阳极层211的阻挡，而将阴极层23上刻蚀为特定的图案。由于各遮挡单元3在阵列基板1上的正投影可以完全覆盖阳极块211在阵列基板1上的正投影沿第一方向X的间隔，故激光在阳极层211和遮挡单元3的阻挡下能够分别在阴极层23上刻蚀出阴极块231以及位于各阴极块231沿第一方向X的间隔内的连接部232，从而通过连接部232实现多个阴极块231的电连接，以保证发光器件层2的功能实现。

可选的，遮挡单元3由耐激光刻蚀的不透光金属制备，该不透光金属可以是钼、铝、钛、铜、铬、镍、锰、钨、钽中至少一种。

具体的，阵列基板1的功能层包括有源层11、栅极金属层12和源漏极金属层13，栅极金属层12和源漏极金属层13之间设置有层间绝缘层，以使栅极金属层12和源漏极金属层13绝缘。其中，遮挡单元3可以与功能层同材质同层设置，即在制备功能层时，可在其上同步制备多个遮挡单元3，而无需额外增加一道工艺制程，减少了工艺流程，降低显示面板100的制作成本。同时，多个遮挡单元3可以设置在同一功能层上，也可以分设在不同的功能层上，其可根据遮挡单元3的数量和结构调整，在此不作具体限定。

在一些可选的实施例中，连接部232也可通过复用显示面板100在第一显示区AA1内的其他元件阻挡形成。

请参阅图5，显示面板100还包括像素界定层4，像素界定层4包括多个像素开口41，阳极层21和发光层22设于像素开口41内，在像素界定层4背离阵列基板1一侧设有多个支撑部5，各支撑部5在阵列基板1上的正投影落在阳极块211在阵列基板1上的正投影沿第一方向X的间隔内，即支撑部5在阵列基板1上的正投影可以完全覆盖阳极块211在阵列基板1上的正投影沿第一方向X的间隔。通过在像素界定层4背离阵列基板1一侧设有多个支撑部5，使得由阵列基板1背离阳极层21的方向向阴极层23放射的激光，会受到支撑部5和阳极层211的阻挡，而将阴极层23上刻蚀为特定的图案。由于各支撑部5在阵列基板1上的正投影可以完全覆盖阳极块211在阵列基板1上的正投影沿第一方向X的间隔，故激光在阳极层211和支撑部5的阻挡下能够分别在阴极层23上刻蚀出阴极块231以及位于各阴极块231沿第一方向X的间隔内的连接部232，从而通过连接部232实现多个阴极块231的电连接，以保证发光器件层2的功能实现。

具体的，像素界定层4具有多个暴露像素单元的阳极块211的像素开口41，部分阳极块211和发光层22设于像素开口41内。对于每个像素单元，通过在阳极层21和阴极层23上分别施加电压，使得电子和空穴在像素开口41的发光层22中复合发光，进而实现像素显示功能。其中，在像素界定层4背离阵列基板1一侧设置有多个用于支撑阴极层23的支撑部5，通过复用第一显示区AA1的支撑部5，并将支撑部5在阵列基板1上的正投影完全覆盖阳极块211在阵列基板1上的正投影沿第一方向X的间隔，即可保证在激光刻蚀阴极层23后，多个阴极块231彼此相连。可选的，支撑部5由耐激光刻蚀的不透光金属制备，该不透光金属可以是钼、铝、钛、铜、铬、镍、锰、钨、钽中至少一种。

可以理解的是，连接部232可以在投影于阳极块211间隔处的遮挡材料的遮挡下与各阴极部231同步刻蚀形成，也可在阴极部231刻蚀后通过蒸镀形成，此外，连接部232可以与各阴极部231同层设置，也可将连接部232与各阴极部231异层设置并通过跨桥实现连接部232和各阴极部231的电连接，即保证激光刻蚀后形成的各阴极部231能够通过连接部232电连接即可，其具体的制备步骤在此不作限定。

请参阅图2和图5，由于仅需要对第一显示区AA1的阴极层23进行刻蚀，为保证第一显示区AA1边缘阴极层23刻蚀的精度和边缘平滑度，显示面板100还包括边界遮光层6，边界遮光层6和阳极层21同层设置，且边界遮光层6设于过渡区PA靠近第一显示区AA1的边界处，以便于分隔过渡区PA和显示区AA1，避免激光对过渡区PA的阴极层23进行刻蚀，而影响第一显示区AA1与过渡区PA间阴极层23的电连接。可选的，边界遮光层6和阳极层21同层同材质设置，即边界遮光层6可以复用阳极层21，以在制备阳极层21时，可在过渡区PA靠近第一显示区AA1的边界处的位置同步制备边界遮光层6，而无需额外增加一道工艺制程，减少了工艺流程。

进一步的，为实现对第一显示区AA1的阴极层23刻蚀后，第一显示区AA1处阴极层23与过渡区PA处阴极层23的电连接，阴极层23还包括设于过渡区PA和第二显示区AA2的阴极主体部233，各阴极块231和阴极主体部233电连接，即第二显示区AA2和过渡区PA的阴极主体部233延伸至过渡区PA靠近第一显示区AA1的边界处，从而在对第一显示区AA1进行激光刻蚀后，各阴极块231能够通过连接部232与阴极主体部233电连接，从而保证阴极层23的电连接。

请参阅图3和图4，在一些实施例中，阳极块211在阵列基板1上的正投影为多边形、至少一条边为弧线的曲边形中的至少一者。通过将阳极块211设置为多边形或曲边形，使得阳极块211沿第一方向X和第二方向Y具有一定的间隙，以保证显示面板100在第一显示区AA1的透光率。可选的，阳极块211可设置为串珠结构或岛状结构，本实施例中阳极块211设置为串珠结构，沿第一方向X的相邻阳极块211之间设置有间隙，即保证了每个像素单元的阳极块211相互独立，以实现各像素单元的独立发光。此外，通过呈串珠结构的阳极块211刻蚀得到的阴极块231也为串珠结构，阳极层21和阴极层23沿第二方向Y设置有足够的透光区，从而保证了第一显示区AA1的透光率，以保证第一显示区AA1内光学器件的成像效果。

进一步的，阳极层21包括单层导电层或多层导电结构层，多层导电结构层包括氧化铟锡、钼金属层、银金属层、铝金属层中的至少一者。为保证阳极层21具有一定的导电性和不透光性，当阳极层21为单层导电层时，该导电层为不透光金属层，该不透光金属层为钼金属层、银金属层、铝金属层中的一者。为进一步提高阳极层21的导电性和不透光性，阳极层21也可以间隔设置多层不透光金属层和氧化铟锡层，即使得多层导电结构层包括氧化铟锡、钼金属层、银金属层、铝金属层中的至少一者。

请参阅图6，本发明实施例另一方面还提供了一种显示面板制备方法，显示面板100具有第一显示区AA1、至少部分围绕第一显示区AA1设置的第二显示区AA2以及设于第一显示区AA1和第二显示区AA2之间的过渡区PA，包括：

S110：提供阵列基板；

S120：形成图案化的阳极层于阵列基板一侧，阳极层包括多个间隔设置的阳极块；

S130：形成发光层于阳极层背离阵列基板一侧；

S140：形成阴极层于发光层背离阵列基板一侧；

S150：对阴极层进行激光刻蚀，由阵列基板背离阳极层一侧向阴极层发射激光，以将位于第一显示区、未被阳极块遮挡的部分阴极层刻蚀，在第一显示区形成多个阴极块，各阴极块通过连接部电连接。

具体的，在步骤S150中，对阴极层23进行激光刻蚀时，可以将具有激光阻挡功能的阳极块211用于激光刻蚀的掩膜版，采用自对准工艺将位于第一显示区AA1且未被阳极块211遮挡的部分阴极层23刻蚀，从而实现阴极层23的图形化。

其中，在步骤S150中，连接部232可在投影于阳极块211间隔处的遮挡材料的遮挡下与阴极层23同步刻蚀形成，即该遮挡材料可为阵列基板1内设置的多个光遮挡单元3，使各光遮挡单元3在阵列基板1的正投影可以完全覆盖阳极块21的间隔，该遮挡材料也可以复用显示面板100内的支撑部5，使各支撑部5在阵列基板1的正投影可以完全覆盖阳极块21的间隔。通过以阳极块211和遮挡材料作为掩模板，使激光受到掩膜版的阻挡而将阴极层23刻蚀成与阳极块211和阳极块211间的遮挡材料联合组成的图形相同的阴极块231和连接部232，从而实现阴极层23的图形化。

可以理解的是，在步骤S150中的连接部232除了可以与各阴极部231同步刻蚀形成，也可在阴极部231刻蚀后通过蒸镀形成，连接部232可以与各阴极部231同层设置，也可将连接部232与各阴极部231异层设置并通过跨桥实现连接部232和各阴极部231的电连接，连接部232的具体制备步骤在此不作限定。

进一步的，在步骤S120中，在形成图案化的阳极层23于阵列基板1一侧的步骤中：通过湿法刻蚀、干法刻蚀中的至少一种工艺形成图案化的阳极层于阵列基板一侧。其中，刻蚀包括干蚀和湿蚀，干蚀和湿蚀的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低。而干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。干法刻蚀优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。因此，在步骤S120中可通过湿法刻蚀、干法刻蚀中的至少一者工艺形成图案化的阳极层21。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例中的显示面板100，其中显示装置内的光学器件设置于显示面板100的第一显示区AA1，该光学器件可以为屏下摄像头，通过提高第一显示区AA1的透光率，能够提升屏下摄像头的成像质量，改善屏下拍照效果。

本发明实施例提供的显示装置具有上述任一实施例中显示面板的技术方案所具有的技术效果，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。本发明实施例提供的显示装置可以为手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。

以上，仅为本发明的具体实施方式，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的系统、模块和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。应理解，本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。

还需要说明的是，本发明中提及的示例性实施例，基于一系列的步骤或者装置描述一些方法或系统。但是，本发明不局限于上述步骤的顺序，也就是说，可以按照实施例中提及的顺序执行步骤，也可以不同于实施例中的顺序，或者若干步骤同时执行。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，具有第一显示区、至少部分围绕所述第一显示区设置的第二显示区以及设于所述第一显示区和所述第二显示区之间的过渡区，所述显示面板包括：

阵列基板；

发光器件层，设于所述阵列基板一侧，所述发光器件层包括沿所述发光器件层的发光方向层叠设置的阳极层、发光层和阴极层，所述阳极层包括多个间隔设置的阳极块，所述阴极层包括设于所述第一显示区的多个阴极块，各所述阴极块通过连接部电连接，各所述阴极块在所述阵列基板上的正投影和各所述阳极块在所述阵列基板上的正投影相重合。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阳极块沿第一方向、第二方向间隔阵列排布，所述第一方向和所述第二方向相交；

所述阵列基板包括多个功能层，至少一个所述功能层为包括多个光遮挡单元的图案化结构，各所述光遮挡单元在所述阵列基板上的正投影落在所述阳极块在所述阵列基板上的正投影沿所述第一方向的间隔内。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阳极块沿第一方向、第二方向间隔阵列排布，所述第一方向和所述第二方向相交；

所述显示面板还包括像素界定层，所述像素界定层包括多个像素开口，所述阳极层和所述发光层设于所述像素开口内，在所述像素界定层背离所述阵列基板一侧设有多个支撑部，各所述支撑部在所述阵列基板上的正投影落在所述阳极块在所述阵列基板上的正投影沿所述第一方向的间隔内。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括边界遮光层，所述边界遮光层和所述阳极层同层设置，且所述边界遮光层设于所述过渡区靠近所述第一显示区的边界处。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阳极块在所述阵列基板上的正投影为多边形、至少一条边为弧线的曲边形中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阳极层包括单层导电层或多层导电结构层；

所述多层导电结构层包括氧化铟锡、钼金属层、银金属层、铝金属层中的至少一者。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极层还包括设于所述过渡区和所述第二显示区的阴极主体部，各所述阴极块和所述阴极主体部电连接。

8.一种显示面板制备方法，其特征在于，所述显示面板具有第一显示区、至少部分围绕所述第一显示区设置的第二显示区以及设于所述第一显示区和所述第二显示区之间的过渡区，包括：

提供阵列基板；

形成图案化的阳极层于所述阵列基板一侧，所述阳极层包括多个间隔设置的阳极块；

形成发光层于所述阳极层背离所述阵列基板一侧；

形成阴极层于所述发光层背离所述阵列基板一侧；

对所述阴极层进行激光刻蚀，由所述阵列基板背离所述阳极层一侧向所述阴极层发射激光，以将位于所述第一显示区、未被所述阳极块遮挡的部分所述阴极层刻蚀，在所述第一显示区形成多个阴极块，各所述阴极块通过连接部电连接。

9.根据权利要求8所述的显示面板制备方法，其特征在于，在所述形成图案化的阳极层于所述阵列基板一侧的步骤中：

通过湿法刻蚀、干法刻蚀中的至少一种工艺形成图案化的阳极层于所述阵列基板一侧。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至7任一项所述的显示面板。

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