CN114141964A - 显示装置和制造显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。所述显示装置包括：基底，包括开口区域、围绕开口区域的显示区域以及在开口区域与显示区域之间的非显示区域；第一绝缘层，在基底上，第一绝缘层包括与非显示区域叠置的第一凹陷或第一开口；第二绝缘层，在第一绝缘层上，第二绝缘层包括第二开口，第二开口使在第一凹陷或第一开口与开口区域之间的第一绝缘层的第一上表面暴露；导电图案，在第一绝缘层和第二绝缘层之间，导电图案包括第一层和第二层；以及显示元件，在第二绝缘层上并与显示区域叠置，显示元件包括第一电极、发射层及第二电极。

Description

显示装置和制造显示装置的方法
本申请要求于2020年9月4日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2020-0113214号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及其中通过激光剥离工艺去除在开口周围的有机材料的显示装置以及制造该显示装置的方法。
背景技术
近来，显示装置的使用已经多样化。此外，显示装置已经变得更薄更轻，因此，显示装置的使用已经扩大。
在显示装置中由显示区域所占据的面积增大时，各种功能已经联系或关联到显示装置。为了增大面积并增加各种功能，已经对在显示区域中具有开口的显示装置进行了研究。
发明内容
在显示装置具有开口的情况下，诸如湿气的异物可能渗透到开口的侧面中而损坏显示元件。一个或更多个实施例的方面涉及具有能够防止湿气渗透穿过开口的结构的显示装置以及制造该显示装置的方法。然而，这仅仅是示例，并且公开的范围不限于此。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地通过该描述将是明显的，或者可以通过公开的给出的实施例而获知。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基底，包括开口区域、围绕开口区域的显示区域以及在开口区域与显示区域之间的非显示区域；第一绝缘层，在基底上，第一绝缘层包括与非显示区域叠置的第一凹陷或第一开口；第二绝缘层，在第一绝缘层上，第二绝缘层包括使在第一凹陷或第一开口与开口区域之间的第一绝缘层的第一上表面暴露的第二开口；导电图案，在第一绝缘层与第二绝缘层之间，导电图案包括第一层和第二层；以及显示元件，在第二绝缘层上并与显示区域叠置，显示元件包括第一电极、在第一电极上的发射层和在发射层上的第二电极。
根据实施例，显示装置还可以包括在第一绝缘层与第二绝缘层之间的中间绝缘层以及在第一绝缘层与中间绝缘层之间的栅电极，其中，导电图案在中间绝缘层与第二绝缘层之间。
根据实施例，中间绝缘层可以包括连接到第一凹陷或第一开口的中间开口，并且在第一绝缘层的第一上表面上的中间绝缘层的第二上表面可以被第二开口暴露。
根据实施例，第一绝缘层可以包括缓冲层和栅极绝缘层，并且显示装置还可以包括在缓冲层与栅极绝缘层之间的半导体层以及在第一绝缘层与第二绝缘层之间的中间绝缘层，并且导电图案可以在栅极绝缘层与中间绝缘层之间。
根据实施例，中间绝缘层可以包括连接到第一凹陷或第一开口的中间开口，并且中间开口可以使第一绝缘层的第一上表面暴露。
根据实施例，第一层可以包括钛或添加有掺杂剂的非晶硅。
根据实施例，显示装置还可以包括在第一绝缘层的第一上表面上的下图案层，其中，下图案层可以包括添加有掺杂剂的非晶硅。
根据实施例，第一凹陷或第一开口可以包括多个第一凹陷或多个第一开口，并且显示装置还可以包括在多个第一凹陷之间或在多个第一开口之间的中间导电图案。
根据实施例，显示元件还可以包括在第一电极与发射层之间的第一功能层和在发射层与第二电极之间的第二功能层中的至少一个，并且第一功能层和第二功能层中的至少一个以及第二电极可以从显示区域延伸到第一凹陷或第一开口以与第一凹陷或第一开口叠置，并且可以分别包括使第一绝缘层的第一上表面暴露的第一透射孔和第二透射孔。
根据实施例，显示装置还可以包括覆盖显示元件的封装层，封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，其中，第一无机封装层和第二无机封装层可以从显示区域延伸到第一绝缘层的第一上表面，以与第一透射孔和第二透射孔叠置。
根据一个或更多个实施例，一种制造显示装置的方法包括：准备显示基底，显示基底包括基底和在基底上的第一绝缘层，基底包括非显示区域和显示区域；在第一绝缘层上形成包括第一层和第二层的导电图案；在非显示区域中形成包括下图案层和上图案层的图案层；在图案层和显示区域上形成导电层；对导电层进行图案化以形成第一电极；以及去除上图案层，其中，下图案层和第一层包括相同的材料，并且上图案层和第二层包括相同的材料。
根据实施例，所述方法还可以包括：在下图案层和第一电极上形成第一功能层和第二功能层中的至少一个以及第二电极，以及去除在下图案层上的第一功能层和第二功能层中的至少一个以及第二电极。
根据实施例，去除第一功能层和第二功能层中的至少一个以及第二电极可以包括：在第一功能层和第二功能层中的至少一个中形成使第一绝缘层的上表面的一部分暴露的第一透射孔；以及在第二电极中形成使第一绝缘层的上表面的所述一部分暴露的第二透射孔。
根据实施例，去除第一功能层和第二功能层中的至少一个以及第二电极可以包括：将激光照射在下图案层上；以及去除所述下图案层。
根据实施例，去除第一功能层和第二功能层中的至少一个以及第二电极可以包括：将激光照射在下图案层上；以及使下图案层的上表面暴露。
根据实施例，所述方法还可以包括：在第一绝缘层上形成与非显示区域叠置的中间导电图案；在中间导电图案上形成第一功能层和第二功能层中的至少一个以及第二电极；以及去除在中间导电图案上的第二电极以使第一功能层和第二功能层中的至少一个的上表面暴露，其中，中间导电图案和下图案层可以包括相同的材料。
根据实施例，所述方法还可以包括：形成覆盖导电图案和图案层的第二绝缘层；在第二绝缘层中形成使图案层暴露的第二开口；以及在第一绝缘层中形成连接到第二开口的第一凹陷或第一开口。
根据实施例，所述方法还可以包括：在第一绝缘层上形成中间绝缘层，其中，图案层和导电图案可以形成在中间绝缘层上，并且形成第二开口可以包括在中间绝缘层中形成中间开口。
根据实施例，所述方法还可以包括在第一绝缘层上形成中间绝缘层，其中，形成第二开口可以包括：在中间绝缘层中形成中间开口；以及通过中间开口使图案层暴露。
根据实施例，基底还可以包括弯曲区域，并且所述方法还可以包括：形成覆盖第二开口的光致抗蚀剂层，光致抗蚀剂层包括使弯曲区域暴露的光致抗蚀剂开口；以及对与光致抗蚀剂开口叠置的第一绝缘层和第二绝缘层进行蚀刻。
附图说明
通过以下结合附图的描述，公开的某些实施例的上述和其它方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图；
图2是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；
图3是根据实施例的显示面板的示意性平面图；
图4是显示面板的像素的示意性等效电路图；
图5是根据实施例的显示面板的一部分的示意性平面图；
图6是根据实施例的显示面板的一部分的平面图；
图7A和图7B是根据实施例的沿图6的线VII-VII’截取的显示面板的示意性剖视图；
图8是根据实施例的沿图3的线VIII-VIII’截取的显示面板的示意性剖视图；
图9A至图9K是示出根据实施例的制造显示装置的方法的剖视图；
图10是根据另一实施例的沿图6的线VII-VII’截取的显示面板的示意性剖视图；
图11A和图11B是示出根据另一实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图；
图12是根据另一实施例的显示面板的示意性剖视图；
图13A至图13C是示出根据另一实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图；
图14是根据另一实施例的沿图6的线VII-VII’截取的显示面板的示意性剖视图；
图15A至图15C是示出根据另一实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图；
图16是根据另一实施例的沿图6的线VII-VII’截取的显示面板的示意性剖视图；以及
图17A至图17E是示出根据另一实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将详细参照在附图中示出了其示例的实施例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，给出的实施例可以具有不同的形式，而不应被解释为限于在此所阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释给出的描述的多个方面。如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c全部或它们的变型。
由于给出的描述允许各种合适的改变和许多实施例，因此将在附图中示出并在书面描述中描述某些实施例。将参照下面参照附图更详细描述的实施例来阐明公开的效果和特征以及实现它们的方法。然而，公开不限于以下实施例，并且可以以各种合适的形式实施。
下面将参照附图更详细地描述公开的一个或更多个实施例。无论附图编号如何，相同或彼此对应的那些组件都被赋予相同的附图标记，并且可以不重复冗余的说明。
将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
除非上下文另有明确说明，否则如在此使用的单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”旨在也包括复数形式。
还将理解的是，在此使用的术语“包括”、“包含”及其变型说明存在所陈述的特征或元件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或元件。
此外，在描述本公开的实施例时使用“可以”指“本公开的一个或更多个实施例”。
在附图中，为了清楚起见，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。为了便于描述，在此可以使用诸如“在……下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”、“底(部)”、“顶(部)”等的空间相对术语，由此来描述如附图中示出的一个元件或特性与另外的元件或特性的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”或“上”。因此，术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(旋转90度或在其它方位处)，并相应地解释在此使用的空间相对描述语。
如在此所用，术语“基本”、“大约(约)”和类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且旨在解释将由本领域普通技术人员意识到的测量值或计算值的固有偏差。
还将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接地在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。
为了便于解释，可以夸大或缩小附图中的元件的尺寸。例如，因为为了便于解释而任意地示出附图中的元件的尺寸和厚度，所以公开不限于此。
当可以不同地实施某个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
在以下实施例中，将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接到”或“结合到”另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接或间接地连接或结合到所述另一层、区域或组件。也就是说，例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。例如，当层、区域、组件等被称为“电连接”时，该层、区域或组件可以直接地电连接，或者该层、区域或组件可以间接地电连接并且可以存在中间部分。
除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在此明确地如此定义。
显示装置显示图像，并且可以包括游戏控制台、多媒体装置或诸如超小型个人计算机(PC)的便携式移动装置。显示装置可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、量子点显示器、等离子体显示器和/或阴极射线管显示器等。在下文中，作为根据实施例的显示装置的示例，描述了有机发光显示装置，但在实施例中可以使用上述各种类型的显示装置。
图1是根据实施例的显示装置1的示意性透视图。图2是根据实施例的显示装置1的示意性剖视图。
参照图1和图2，显示装置1可以包括显示区域DA、非显示区域NDA和开口区域OA。显示区域DA可以发光。多个像素可以布置在显示区域DA中，并且显示装置1可以通过利用从像素发射的光来提供特定图像。非显示区域NDA不发光。非显示区域NDA可以与显示区域DA相邻布置。
开口区域OA可以至少部分地被显示区域DA围绕。根据实施例，开口区域OA可以被显示区域DA完全围绕。
显示装置1可以包括显示面板10、覆盖窗20、显示驱动器30、显示电路板40、触摸传感器驱动器50和组件60。显示面板10可以显示图像。显示面板10可以包括布置在显示区域DA中的像素。像素可以包括显示元件以及与显示元件连接的像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管、无机发光二极管或量子点发光二极管。在下文中，将重点给出其中显示元件包括有机发光二极管的情况的详细描述。
显示面板10可以包括基底100和在基底100之上的多个层。在这种情况下，显示区域DA、非显示区域NDA和开口区域OA可以被限定在基底100和/或所述多个层中。例如，基底100可以包括显示区域DA、非显示区域NDA和开口区域OA。在下文中，将重点给出其中显示区域DA、非显示区域NDA和开口区域OA被限定在基底100中的情况的详细描述。
非显示区域NDA可以包括第一非显示区域NDA1、第二非显示区域NDA2、第三非显示区域NDA3和第四非显示区域NDA4。第一非显示区域NDA1可以围绕开口区域OA。第二非显示区域NDA2可以至少部分地围绕显示区域DA。根据实施例，第一非显示区域NDA1可以完全围绕开口区域OA。显示区域DA可以完全围绕第一非显示区域NDA1。第二非显示区域NDA2可以完全围绕显示区域DA。第三非显示区域NDA3可以连接到第二非显示区域NDA2和第四非显示区域NDA4。第三非显示区域NDA3可以是弯曲区域，并且基底100可以在第三非显示区域NDA3中弯曲。在这种情况下，基底100的下表面的至少一些部分可以彼此面对。第四非显示区域NDA4可以是其中布置有显示驱动器30和/或显示电路板40的垫(pad，或称为“焊盘”或“焊垫”)区域。
根据实施例，显示面板10可以包括基底100、显示层DSL、封装层ENL、触摸传感器层TSL和光学功能层OFL。基底100可以包括玻璃或聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素。根据实施例，基底100可以具有多层结构，该多层结构包括包含上述聚合物树脂的基体层和阻挡层。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。
显示层DSL可以在基底100上。显示层DSL可以包括包含多个像素电路的像素电路层和包含多个显示元件的显示元件层。在这种情况下，像素电路可以分别连接到显示元件。像素电路可以包括薄膜晶体管和存储电容器。此外，显示层DSL还可以包括绝缘层。
封装层ENL可以在显示层DSL上。封装层ENL可以在显示元件上并且可以覆盖显示元件。根据实施例，封装层ENL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。所述至少一个无机封装层可以包括从氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中选择的至少一种无机材料。所述至少一个有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯等。根据实施例，所述至少一个有机封装层可以包括丙烯酸酯。
触摸传感器层TSL可以在封装层ENL上。触摸传感器层TSL可以根据外部输入(例如，触摸事件)来感测坐标信息。触摸传感器层TSL可以包括传感器电极和连接到传感器电极的触摸线。触摸传感器层TSL可以通过使用自电容方式或互电容方式来感测外部输入。
触摸传感器层TSL可以形成在封装层ENL上。可选地，触摸传感器层TSL可以单独地形成在触摸基底上，然后通过诸如光学透明粘合剂的粘合层结合到封装层ENL。根据实施例，触摸传感器层TSL可以直接形成在封装层ENL上。在这种情况下，粘合层可以不在触摸传感器层TSL与封装层ENL之间。
光学功能层OFL可以在触摸传感器层TSL上。光学功能层OFL可以降低从外部入射在显示装置1(例如，显示装置1的光学功能层OFL)上的光(外部光)的反射率，并且/或者可以改善从显示装置1发射的光的色纯度。根据实施例，光学功能层OFL可以包括延迟器和/或偏振器。延迟器可以是膜型延迟器或液晶涂覆型延迟器，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型偏振器或液晶涂覆型偏振器。膜型偏振器可以包括拉伸的合成树脂膜，液晶涂覆型偏振器可以包括以特定阵列布置的液晶。延迟器和偏振器中的每者还可以包括保护膜。
根据另一实施例，光学功能层OFL可以包括黑矩阵和滤色器。可以考虑从显示装置1的每个像素发射的光的颜色来布置滤色器。每个滤色器可以包括红色、绿色或蓝色的颜料或染料。可选地，除了颜料或染料之外，每个滤色器还可以包括量子点。可选地，一些滤色器可以不包括颜料或染料，并且可以包括诸如氧化钛的散射颗粒。
根据另一实施例，光学功能层OFL可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉。因此，可以降低外部光的反射率。
显示面板10也可以包括开口10H。根据实施例，基底100可以包括开口区域OA，并且显示层DSL、封装层ENL、触摸传感器层TSL和光学功能层OFL中的每者可以分别包括第一开口至第四开口(即，第一开口、第二开口、第三开口和第四开口)。开口区域OA与第一开口至第四开口可以彼此叠置以形成显示面板10的开口10H。换言之，开口10H可以包括第一开口至第四开口。根据另一实施例，基底100、显示层DSL、封装层ENL、触摸传感器层TSL和光学功能层OFL中的至少一者可以不包括开口。例如，基底100、显示层DSL、封装层ENL、触摸传感器层TSL和光学功能层OFL中的一者或两者可以不包括开口。
覆盖窗20可以在显示面板10上。覆盖窗20可以保护显示面板10。覆盖窗20可以包括玻璃、蓝宝石和塑料中的至少一种。覆盖窗20可以包括例如超薄玻璃(UTG)或无色聚酰亚胺(CPI)。
显示驱动器30可以布置在第四非显示区域NDA4中。显示驱动器30可以接收控制信号和电源电压，并且产生并输出用于驱动显示面板10的信号和电压。显示驱动器30可以包括集成电路(IC)。
显示电路板40可以电连接到显示面板10。例如，显示电路板40可以通过各向异性导电膜电连接到基底100的第四非显示区域NDA4。显示电路板40可以包括可弯曲的柔性印刷电路板(FPCB)或刚性而因此不容易被弯曲的刚性PCB。可选地，在一些情况下，显示电路板40可以包括包含刚性PCB和FPCB两者的复合PCB。
触摸传感器驱动器50可以在显示电路板40上。触摸传感器驱动器50也可以包括IC。触摸传感器驱动器50可以结合到显示电路板40。触摸传感器驱动器50可以通过显示电路板40电连接到显示面板10的触摸传感器层TSL的传感器电极。
组件60可以与开口区域OA叠置。组件60可以在显示面板10的开口10H处，如图2中的实线所示，或者可以在显示面板10下方，如虚线所示。
组件60可以包括电子元件。组件60可以包括使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括被构造为接收并使用光的传感器(例如，红外传感器)、被构造为接收光并捕获图像的相机、被构造为输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、被构造为输出光的小灯和/或被构造为输出声音的扬声器等。当组件60是使用光的电子元件时，组件60可以使用各种合适波长带的光，诸如可见光、红外光和紫外光。在一些实施例中，显示面板10的开口10H可以被理解为通过其可以透射从组件60输出到外部或从外部朝向电子元件行进的光和/或声音的透射部。
根据另一实施例，当显示装置1用作智能手表或车辆的仪表盘时，组件60可以是包括时钟指针或指示特定信息(例如，车辆速度等)的指针的构件。当显示装置1包括时钟指针或指示特定信息(例如，车辆速度等)的指针时，组件60可以通过覆盖窗20暴露于外部，并且覆盖窗20可以包括与显示面板10的开口10H叠置的开口。
组件60可以包括与显示面板10的如上所述的功能相关的组件，或者可以包括诸如增加显示面板10的美感(即，美学吸引力)的附件的组件。
图3是根据实施例的显示面板10的示意性平面图，图4是显示面板10的像素P的示意性等效电路图。
参照图3，显示面板10可以包括显示区域DA、非显示区域NDA和开口区域OA。在这种情况下，显示区域DA、非显示区域NDA和开口区域OA可以被限定在显示面板10的基底100中。也就是说，基底100可以包括显示区域DA、非显示区域NDA和开口区域OA。非显示区域NDA可以包括第一非显示区域NDA1、第二非显示区域NDA2、第三非显示区域NDA3和第四非显示区域NDA4。
显示面板10可以包括布置在显示区域DA中的多个像素P。如图4中所示，每个像素P可以包括像素电路PC和连接到像素电路PC的作为显示元件的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素P可以从有机发光二极管OLED发射红光、绿光、蓝光或白光。
开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以被构造为根据从扫描线SL输入的开关电压或开关信号将从数据线DL输入的数据电压或数据信号传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2传输的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以被构造为根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。
有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有特定亮度的光。有机发光二极管OLED的第二电极可以被构造为接收第二电源电压ELVSS。
尽管图4示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而以合适的方式进行各种改变。
再次参照图3，第一非显示区域NDA1可以围绕开口区域OA。第一非显示区域NDA1是其中没有布置诸如被构造为发光的有机发光二极管的显示元件的区域。被构造为向布置在开口区域OA周围的像素P提供信号的信号线可以穿过第一非显示区域NDA1。
第二非显示区域NDA2可以至少部分地围绕显示区域DA。被构造为向像素P提供扫描信号的扫描驱动器、被构造为向像素P提供数据信号的数据驱动器和/或被构造为提供第一电源电压和/或第二电源电压的主电力线等可以布置在第二非显示区域NDA2中。
第三非显示区域NDA3是弯曲区域，并且图3示出显示面板10的非弯曲(即，未弯曲)形状。第三非显示区域NDA3可以连接到第二非显示区域NDA2。根据实施例，第三非显示区域NDA3可以在第二非显示区域NDA2与第四非显示区域NDA4之间。
第四非显示区域NDA4是垫区域，并且可以连接到第三非显示区域NDA3。显示驱动器(例如，见图2中所示的实施例的显示驱动器30)和/或显示电路板(例如，见图2中所示的实施例的显示电路板40)可以布置在第四非显示区域NDA4中。
图5是根据实施例的显示面板的一部分的示意性平面图。图5示意性地示出了布置在第一非显示区域NDA1中的信号线。
参照图5，像素P可以布置在显示区域DA中。每个像素P可以连接到扫描线SL和数据线DL。第一非显示区域NDA1可以在开口区域OA与显示区域DA之间。
像素P可以在开口区域OA周围彼此分开或间隔开。像素P可以在开口区域OA周围彼此竖直地分开或竖直地间隔开。像素P可以在开口区域OA周围彼此水平地分开或水平地间隔开。
被构造为向像素P供应信号的信号线之中的与开口区域OA相邻的信号线可以绕过开口区域OA。穿过显示区域DA的一些数据线DL可以在y方向上延伸，以向布置在上方和下方且其间具有开口区域OA的像素P提供数据信号，并且可以在第一非显示区域NDA1中沿开口区域OA的边缘绕行。穿过显示区域DA的一些扫描线SL可以在x方向上延伸，以向布置在左侧和右侧且其间具有开口区域OA的像素P提供扫描信号，并且可以在第一非显示区域NDA1中沿开口区域OA的边缘绕行。
图6是根据实施例的显示面板的一部分的平面图。图6示出了布置在第一非显示区域NDA1中的透射孔TAH和坝部DP。此外，图6示出了布置在第一非显示区域NDA1和显示区域DA中的第二电极213。
参照图6，至少一个坝部DP可以在基底上的开口区域OA与显示区域DA之间。在本说明书中，坝部DP指相对于参考表面突出的构造。此外，凹陷可以被限定，并且凹陷指相对于参考表面凹入的构造。参考表面可为基底上的一个绝缘层的上表面。
在开口区域OA与坝部DP之间，第二电极213以及包括有机材料的第一功能层和第二功能层可以被去除。因此，能够防止或减少诸如湿气的外部空气穿过开口区域OA的渗透。也就是说，第一功能层、第二功能层和第二电极213中的每者可以包括透射孔TAH，透射孔TAH暴露开口区域OA和第一非显示区域NDA1的在开口区域OA周围的部分。透射孔TAH可以在坝部DP和开口区域OA之间暴露第一非显示区域NDA1。例如，透射孔TAH可以暴露与开口区域OA相邻的第一绝缘层的第一上表面ILUS1。根据实施例，与开口区域OA相邻的第一绝缘层可以围绕或环绕开口区域OA。
根据实施例，设置在第一绝缘层中的第一凹陷或第一开口可以在透射孔TAH与坝部DP之间。透射孔TAH可以通过激光剥离工艺部分地去除第一功能层、第二功能层和第二电极213来形成，并且可以引入第一凹陷或第一开口以通过激光剥离工艺形成透射孔TAH。
根据实施例，坝部DP可以在第一非显示区域NDA1中具有完全围绕或环绕开口区域OA的环形形状。坝部DP的直径可以大于开口区域OA的直径。
图7A和图7B是根据实施例的沿图6的线VII-VII’截取的显示面板10的示意性剖视图。
参照图7A和图7B，显示面板10可以包括基底100、显示层DSL和封装层ENL。显示层DSL可以包括像素电路层PCL和显示元件层DEL。像素电路层PCL可以包括第一绝缘层IL1、中间绝缘层MIL、第二绝缘层IL2、第一有机绝缘层115、第二有机绝缘层116、像素电路PC以及数据线DL。显示元件层DEL可以包括有机发光二极管OLED、像素限定层118、间隔件119和盖层215。
基底100可以包括显示区域DA、第一非显示区域NDA1和开口区域OA。第一非显示区域NDA1可以(例如，在x方向上)在显示区域DA与开口区域OA之间。
基底100可以包括第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d。根据实施例，第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d可以堆叠(例如，顺序地堆叠)。根据实施例，第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d可以连续地布置。例如，第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d可以在从显示区域DA到开口区域OA的方向上连续地布置。根据实施例，第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d可以在显示区域DA和第一非显示区域NDA1中连续地延伸。
第一基体层100a和第二基体层100c中的至少一个可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素。
第一阻挡层100b和第二阻挡层100d中的每个是用于防止或减少外部异物的渗透的阻挡层。第一阻挡层100b和第二阻挡层100d中的每个可以是包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料的单层或多层。
包括像素电路层PCL和显示元件层DEL的显示层DSL可以在基底100上。像素电路层PCL的第一绝缘层IL1可以包括缓冲层111和栅极绝缘层112。第一绝缘层IL1可以布置在显示区域DA和第一非显示区域NDA1中。像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。
缓冲层111可以在基底100上。缓冲层111可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)和氧化硅(SiO2)，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act，并且半导体层Act可以在缓冲层111上。半导体层Act可以包括多晶硅。可选地，半导体层Act可以包括非晶硅、半导体氧化物或有机半导体。半导体层Act可以包括沟道区以及在沟道区的两侧上(或在沟道区的两侧处)的漏区和源区。栅电极GE可以与沟道区叠置(例如，在z方向上叠置)。
栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
半导体层Act与栅电极GE之间的栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)。
中间绝缘层MIL可以(例如，在z方向上)在第一绝缘层IL1与第二绝缘层IL2之间。根据实施例，中间绝缘层MIL可以覆盖栅电极GE。中间绝缘层MIL可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)。
第二绝缘层IL2可以在第一绝缘层IL1上。根据实施例，第二绝缘层IL2可以在中间绝缘层MIL上。第二绝缘层IL2可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)。第二绝缘层IL2可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
导电图案CP可以在第一绝缘层IL1与第二绝缘层IL2之间。根据实施例，导电图案CP可以在中间绝缘层MIL与第二绝缘层IL2之间。导电图案CP可以包括第一层L1和在第一层L1上的第二层L2。根据本实施例，导电图案CP包括第一层L1和第二层L2，以通过激光剥离工艺在第一非显示区域NDA1中形成透射孔TAH。例如，可以通过激光剥离工艺去除与导电图案CP同步(例如，同时)形成在第一非显示区域NDA1中的图案层PTL(见图9A)，以形成透射孔TAH，如下面将更详细描述的。
根据实施例，第一层L1可以包括钛(Ti)。根据另一实施例，第一层L1可以包括添加有掺杂剂的非晶硅。添加到非晶硅(a-Si)的掺杂剂可以包括从硼(B)、磷(P)、氮(N)、镍(Ni)、钴(Co)和氟(F)中选择的一种。
第二层L2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。
根据实施例，导电图案CP可以用作存储电容器Cst的上电极CE2。例如，导电图案CP可以与其下方的栅电极GE叠置。在这种情况下，彼此叠置且其间具有中间绝缘层MIL的栅电极GE和导电图案CP可以形成存储电容器Cst。也就是说，栅电极GE可以用作存储电容器Cst的下电极CE1。
根据实施例，存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置(例如，在z方向上叠置)。根据另一实施例，存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT不叠置(例如，在z方向上不叠置)。
漏电极DE和源电极SE可以位于第二绝缘层IL2上。漏电极DE和源电极SE可以穿过设置在栅极绝缘层112、中间绝缘层MIL和第二绝缘层IL2中的第一接触孔CNT1连接到半导体层Act。漏电极DE和源电极SE中的每个可以包括具有良好导电性的材料。漏电极DE和源电极SE中的每个可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。根据实施例，漏电极DE和源电极SE中的每个可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第一有机绝缘层115可以布置为覆盖漏电极DE和源电极SE。第一有机绝缘层115可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)等)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和它们的任何共混物。
连接电极CM可以在第一有机绝缘层115上。在这种情况下，连接电极CM可以穿过第一有机绝缘层115的接触孔连接到漏电极DE或源电极SE。连接电极CM可以包括具有良好导电性的材料。连接电极CM可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。根据实施例，连接电极CM可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第二有机绝缘层116可以布置为覆盖连接电极CM。第二有机绝缘层116可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)等)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和它们的任何共混物。
有机发光二极管OLED可以在第二有机绝缘层116上。有机发光二极管OLED可以发射红光、绿光或蓝光，或者可以发射红光、绿光、蓝光或白光。有机发光二极管OLED可以包括第一电极211、中间层212和第二电极213。第一电极211可以是有机发光二极管OLED的像素电极，第二电极213可以是有机发光二极管OLED的对电极。
第一电极211可以在第二有机绝缘层116上。第一电极211可以穿过第二有机绝缘层116的接触孔电连接到连接电极CM。第一电极211可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。根据另一实施例，第一电极211可以包括反射层，该反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的任何化合物。根据另一实施例，第一电极211还可以包括在反射层上方和/或下方的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。例如，第一电极211可以具有ITO/Ag/ITO的多层结构。
具有暴露第一电极211的中心部分的开口118OP的像素限定层118可以在第一电极211上。像素限定层118可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。像素限定层118的开口118OP可以限定其中光从有机发光二极管OLED发射的发射区域。例如，开口118OP的宽度可以对应于发射区域的宽度。
间隔件119可以在像素限定层118上。间隔件119可以包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺。可选地，间隔件119可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
根据实施例，间隔件119可以包括与像素限定层118的材料不同的材料。可选地，根据另一实施例，间隔件119和像素限定层118可以包括相同的材料。在这种情况下，像素限定层118和间隔件119可以在使用半色调掩模等的掩模工艺中一起形成。根据实施例，像素限定层118和间隔件119可以一体地形成(即，形成整体的结构)。
中间层212可以在像素限定层118上。中间层212可以包括布置在像素限定层118的开口118OP中的发射层212b。发射层212b可以包括发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。
中间层212还可以包括在第一电极211与发射层212b之间的第一功能层212a和在发射层212b与第二电极213之间的第二功能层212c中的至少一个。例如，第一功能层212a可以在第一电极211与发射层212b之间，并且可以在发射层212b与第二电极213之间省略第二功能层212c。作为另一示例，可以在第一电极211与发射层212b之间省略第一功能层212a，并且第二功能层212c可以在发射层212b与第二电极213之间。作为另一示例，第一功能层212a可以在第一电极211与发射层212b之间，并且第二功能层212c可以在发射层212b与第二电极213之间。在下文中，将重点给出其中布置有第一功能层212a和第二功能层212c的情况的详细描述。
例如，第一功能层212a可以包括空穴传输层(HTL)，或者可以包括HTL和空穴注入层(HIL)。第二功能层212c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第一功能层212a和/或第二功能层212c可以是覆盖整个基底100的公共层，如将在下面更详细描述的第二电极213一样。
第二电极213可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，第二电极213可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的任何合金。可选地，第二电极213还可以包括在包括上述材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
根据实施例，盖层215可以进一步在第二电极213上。盖层215可以包括LiF、无机材料和/或有机材料。
第一非显示区域NDA1可以包括第一子非显示区域SNDA1和第二子非显示区域SNDA2。第一子非显示区域SNDA1可以比第二子非显示区域SNDA2远离开口区域OA。也就是说，第二子非显示区域SNDA2可以在第一子非显示区域SNDA1与开口区域OA之间。根据实施例，第一子非显示区域SNDA1可以在第二子非显示区域SNDA2与显示区域DA之间。
根据实施例，第二有机绝缘层116可以覆盖第一有机绝缘层115的侧表面。根据另一实施例，第二有机绝缘层116可以暴露第一有机绝缘层115的侧表面。在下文中，将重点给出其中第二有机绝缘层116覆盖第一有机绝缘层115的侧表面的情况的详细描述，如图7A和图7B中所示。
根据实施例，像素限定层118可以覆盖第二有机绝缘层116的侧表面。根据另一实施例，像素限定层118可以暴露第二有机绝缘层116的侧表面。在下文中，将重点给出其中像素限定层118覆盖第二有机绝缘层116的侧表面的情况的详细描述，如图7A和图7B中所示。
信号线(例如，上面参照图5描述的数据线DL)可以在第一子非显示区域SNDA1上。根据实施例，数据线DL可以在第二绝缘层IL2与第一有机绝缘层115之间和/或在第一有机绝缘层115与第二有机绝缘层116之间。当数据线DL在彼此不同的层上或在彼此不同的层处时，可以减小第一非显示区域NDA1的宽度。尽管图7A和图7B示出了仅数据线DL布置在第一子非显示区域SNDA1中，但上面已经参照图5描述的绕过开口区域OA的扫描线SL也可以布置在第一子非显示区域SNDA1中。
坝部DP可以通过堆叠多个层来设置。根据实施例，坝部DP可以从第二绝缘层IL2的上表面突出。根据实施例，坝部DP可以包括有机图案层116A、第一上有机图案层118A和第二上有机图案层119A。有机图案层116A可以与第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116分开或间隔开。根据实施例，有机图案层116A和第二有机绝缘层116可以包括相同的材料。根据另一实施例，有机图案层116A和第一有机绝缘层115可以包括相同的材料。根据另一实施例，有机图案层116A可以包括第一有机图案层和在第一有机图案层上的第二有机图案层。在这种情况下，第一有机图案层和第一有机绝缘层115可以包括相同的材料。第二有机图案层和第二有机绝缘层116可以包括相同的材料。
第一上有机图案层118A可以在有机图案层116A上。根据实施例，第一上有机图案层118A可以在有机图案层116A的上表面上。第一上有机图案层118A可以与像素限定层118分开或间隔开。第一上有机图案层118A和像素限定层118可以包括相同的材料。
第二上有机图案层119A可以在第一上有机图案层118A上。第二上有机图案层119A可以与间隔件119分开或间隔开。第二上有机图案层119A和间隔件119可以包括相同的材料。
第一绝缘层IL1可以包括与第一非显示区域NDA1叠置的第一凹陷R1或第一开口OP1。参照图7A，第一开口OP1可以穿透第一绝缘层IL1的上表面和第一绝缘层IL1的下表面。根据实施例，第一开口OP1可以与缓冲层111的开口和栅极绝缘层112的开口叠置。参照图7B，第一绝缘层IL1可以在深度或厚度方向上凹陷以限定第一凹陷R1。根据实施例，第一凹陷R1可以由缓冲层111的上表面和栅极绝缘层112的开口限定。根据另一实施例，栅极绝缘层112可以在深度或厚度方向上凹陷以限定第一凹陷R1。根据另一实施例，第一凹陷R1可以由缓冲层111在深度或厚度方向上的凹陷和栅极绝缘层112的开口限定。第一凹陷R1可以布置为比坝部DP靠近开口区域OA。也就是说，第一凹陷R1可以在开口区域OA与坝部DP之间。在下文中，将重点给出其中第一绝缘层IL1包括第一开口OP1的情况的详细描述。
第一开口OP1可以布置为比坝部DP靠近开口区域OA。也就是说，第一开口OP1可以在开口区域OA与坝部DP之间。根据实施例，第一绝缘层IL1可以包括至少一个第一开口OP1。例如，第一绝缘层IL1可以包括一个第一开口OP1。作为另一示例，第一绝缘层IL1可以包括多个第一开口OP1。
中间绝缘层MIL可以包括连接到第一凹陷R1或第一开口OP1的中间开口MILOP。中间开口MILOP可以穿透中间绝缘层MIL的上表面和下表面。中间开口MILOP可以连接到第一凹陷R1或第一开口OP1。
根据实施例，中间绝缘层MIL可以在第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1上。例如，第一绝缘层IL1(例如，第一绝缘层IL1的一部分)可以在第一凹陷R1或第一开口OP1与开口区域OA之间，并且布置在第一凹陷R1或第一开口OP1与开口区域OA之间的第一绝缘层IL1的上表面(例如，第一绝缘层IL1的所述一部分的上表面)可以限定为或称为第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1。在这种情况下，中间绝缘层MIL(例如，中间绝缘层MIL的一部分)可以在第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1上。中间绝缘层MIL的所述一部分可以在中间开口MILOP与开口区域OA之间。
第二绝缘层IL2可以包括第二开口OP2。第二开口OP2可以穿透第二绝缘层IL2的上表面和下表面。第二开口OP2可以连接到中间开口MILOP。
第二开口OP2可以暴露第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1。根据实施例，第二开口OP2可以暴露中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS。中间绝缘层MIL(例如，中间绝缘层MIL的一部分)可以在中间开口MILOP与开口区域OA之间，并且布置在中间开口MILOP与开口区域OA之间的中间绝缘层MIL的上表面(例如，中间绝缘层MIL的所述一部分的上表面)可以限定为或称为中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS。可选地，第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1上的中间绝缘层MIL的上表面可以限定为或称为中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS。
根据实施例，第二绝缘层IL2可以包括(例如，在x方向上)在有机图案层116A与第一有机绝缘层115之间的凹槽。凹槽可以通过对第二绝缘层IL2进行过蚀刻来形成。换言之，凹槽可以形成在第二绝缘层IL2中。根据一些实施例，可以不设置凹槽。
第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以从显示区域DA延伸到第一非显示区域NDA1。根据实施例，第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以覆盖坝部DP，并且可以延伸到第一开口OP1或第一凹陷R1。因此，第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以在第一开口OP1或第一凹陷R1内，并且可以与第一凹陷R1或第一开口OP1叠置。
第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以自第一非显示区域NDA1断开。根据实施例，第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215中的每者可以包括暴露第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1的透射孔TAH。具体地，第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以包括暴露第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1的第一透射孔TAH1。第二电极213可以包括暴露第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1的第二透射孔TAH2。盖层215可以包括暴露第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1的第三透射孔TAH3。此外，根据实施例，第一透射孔TAH1、第二透射孔TAH2和第三透射孔TAH3中的每个可以暴露中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS。
透射孔TAH的面积可以大于开口区域OA的面积。当均包括有机材料的第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个完全形成在第一非显示区域NDA1中并延伸到开口区域OA时，由于有机材料层的特性，湿气可能穿过第一功能层212a和第二功能层212c朝向布置在显示区域DA中的有机发光二极管OLED渗透。根据本实施例，第一功能层212a和第二功能层212c可以布置在第一凹陷R1或第一开口OP1中，并且可以形成暴露第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1的第一透射孔TAH1。因此，根据本实施例，可以能够通过第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个来防止或减少异物或湿气渗透到有机发光二极管OLED中。
封装层ENL可以覆盖有机发光二极管OLED。封装层ENL可以在第二电极213和/或盖层215上。根据实施例，封装层ENL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。图7A和图7B示出了封装层ENL包括堆叠(例如，顺序地堆叠)的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以从显示区域DA延伸到第一非显示区域NDA1。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在第一非显示区域NDA1中完全且连续地布置。根据实施例，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在显示区域DA和第一非显示区域NDA1中连续地延伸。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以延伸到坝部DP，并且可以在坝部DP的上表面上彼此接触。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以覆盖第一凹陷R1或第一开口OP1，并且可以延伸到开口区域OA。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以与透射孔TAH叠置。具体地，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以与第一透射孔TAH1、第二透射孔TAH2和第三透射孔TAH3叠置。在这种情况下，第一无机封装层310可以与第一凹陷R1或第一开口OP1叠置，并且可以同与开口区域OA相邻的中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS接触。根据实施例，第一无机封装层310可以接触第二无机封装层330，并且可以在第二无机封装层330和中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS之间。因此，因为有机材料层不在中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS上，所以能够防止或减少湿气朝向布置在显示区域DA中的有机发光二极管OLED渗透。
有机封装层320可以通过施用并固化单体来形成。单体的流动可以由坝部DP控制。也就是说，有机封装层320的端部可以位于坝部DP的一侧处。
图8是根据实施例的沿图3的线VIII-VIII’截取的显示面板10的示意性剖视图。在图8中，与图7A中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且可以不重复其冗余描述。
参照图8，显示面板10可以包括基底100、第一绝缘层IL1、中间绝缘层MIL、第二绝缘层IL2、连接线CL以及弯曲有机层115B、116B、118B和119B。
基底100可以包括第二非显示区域NDA2、第三非显示区域NDA3和第四非显示区域NDA4。第三非显示区域NDA3可以是弯曲区域，第四非显示区域NDA4可以是垫区域。第三非显示区域NDA3可以在第四非显示区域NDA4与第二非显示区域NDA2之间。
第一绝缘层IL1、中间绝缘层MIL和第二绝缘层IL2可以布置在第二非显示区域NDA2和第四非显示区域NDA4中。第一绝缘层IL1、中间绝缘层MIL和第二绝缘层IL2中的每者可以包括暴露基底100的第三非显示区域NDA3的弯曲开口BOP。也就是说，第一绝缘层IL1的一部分、中间绝缘层MIL的一部分和第二绝缘层IL2的一部分可以基于第三非显示区域NDA3分别与第一绝缘层IL1的另一部分、中间绝缘层MIL的另一部分和第二绝缘层IL2的另一部分分开或间隔开。因此，显示面板10可以弯曲，同时防止或基本防止在作为弯曲区域的第三非显示区域NDA3中施加过大的拉伸应力。
弯曲开口BOP可以通过将与第三非显示区域NDA3叠置的第一绝缘层IL1的开口、中间绝缘层MIL的开口和第二绝缘层IL2的开口叠置来形成。换言之，弯曲开口BOP可以包括第一绝缘层IL1的开口、中间绝缘层MIL的开口和第二绝缘层IL2的开口。在这种情况下，图8示出了第一绝缘层IL1的开口的内表面、中间绝缘层MIL的开口的内表面和第二绝缘层IL2的开口的内表面彼此重合，但根据另一实施例，第一绝缘层IL1的开口的内表面、中间绝缘层MIL的开口的内表面和第二绝缘层IL2的开口的内表面可以彼此不重合。在这种情况下，弯曲开口BOP可以具有台阶。
根据实施例，弯曲开口BOP的宽度可以大于第三非显示区域NDA3的宽度。在这种情况下，根据实施例，弯曲开口BOP的宽度可以限定为或表示缓冲层111的限定弯曲开口BOP的面对的表面(facing surfaces)之间的最短距离。
第一弯曲有机层115B可以布置在弯曲开口BOP中。在这种情况下，第一弯曲有机层115B可以填充弯曲开口BOP。因此，第一弯曲有机层115B可以与弯曲开口BOP叠置。根据实施例，第一弯曲有机层115B和第一有机绝缘层(例如，见图7A中所示的实施例的第一有机绝缘层115)可以包括相同的材料。
连接线CL可以与第三非显示区域NDA3叠置，并且连接线CL可以从第二非显示区域NDA2延伸到第四非显示区域NDA4。根据实施例，连接线CL可以在第二绝缘层IL2的上表面和第一弯曲有机层115B的上表面上。根据实施例，连接线CL和图7A的连接电极CM可以包括相同的材料。连接线CL可以被构造为向布置在显示区域中的像素传输从布置在作为垫区域的第四非显示区域NDA4中的显示驱动器或显示电路板传输的信号。
第二弯曲有机层116B、第三弯曲有机层118B和第四弯曲有机层119B可以与第三非显示区域NDA3叠置，并且可以堆叠(例如，顺序地堆叠)。根据实施例，第二弯曲有机层116B和第二有机绝缘层(例如，见图7A中所示的实施例的第二有机绝缘层116)可以包括相同的材料。第三弯曲有机层118B和像素限定层(例如，见图7A中所示的实施例的像素限定层118)可以包括相同的材料。第四弯曲有机层119B和间隔件(例如，见图7A中所示的实施例的间隔件119)可以包括相同的材料。当显示面板10弯曲时，第一弯曲有机层115B、第二弯曲有机层116B、第三弯曲有机层118B和第四弯曲有机层119B可以防止或减少由于拉伸应力对连接线CL的损坏。
图9A至图9K是示出根据实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
参照图9A，可以准备显示基底DS。显示基底DS可以包括基底100和第一绝缘层IL1。第一绝缘层IL1可以在显示区域DA和第一非显示区域NDA1上。
显示基底DS可以包括半导体层Act和栅电极GE。半导体层Act可以在缓冲层111与栅极绝缘层112之间。栅电极GE可以在栅极绝缘层112上。
可以在第一绝缘层IL1上形成中间绝缘层MIL。中间绝缘层MIL可以布置在显示区域DA和第一非显示区域NDA1中，并且可以覆盖栅电极GE。
可以在第一绝缘层IL1上形成导电图案CP。根据实施例，在形成中间绝缘层MIL之后，可以在中间绝缘层MIL上形成导电图案CP。导电图案CP可以包括第一层L1和在第一层L1上的第二层L2。根据实施例，第一层L1的厚度可以小于第二层L2的厚度。
根据实施例，第一层L1可以包括钛(Ti)。根据另一实施例，第一层L1可以包括添加有掺杂剂的非晶硅。第二层L2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。
可以在第一非显示区域NDA1上形成图案层PTL。根据实施例，可以在第一绝缘层IL1上形成图案层PTL。根据实施例，在形成中间绝缘层MIL之后，可以在中间绝缘层MIL上形成图案层PTL。根据实施例，图案层PTL可以包括下图案层PTL1和在下图案层PTL1上的上图案层PTL2。根据实施例，下图案层PTL1的厚度可以小于上图案层PTL2的厚度。
下图案层PTL1和导电图案CP的第一层L1可以包括相同的材料。上图案层PTL2和导电图案CP的第二层L2可以包括相同的材料。
图案层PTL可以与导电图案CP同步(例如，同时)形成。具体地，可以在中间绝缘层MIL上连续地形成导电层，然后进行图案化以形成图案层PTL和导电图案CP。
参照图9B，可以形成第二绝缘层IL2。可以在显示区域DA和第一非显示区域NDA1中形成第二绝缘层IL2。可以在中间绝缘层MIL上形成第二绝缘层IL2。第二绝缘层IL2可以覆盖导电图案CP和图案层PTL。
参照图9C，可以部分地去除第一绝缘层IL1、中间绝缘层MIL和第二绝缘层IL2。根据实施例，可以部分地蚀刻第一绝缘层IL1、中间绝缘层MIL和第二绝缘层IL2。
可以部分地去除第一绝缘层IL1、中间绝缘层MIL和第二绝缘层IL2以形成第一接触孔CNT1。第一接触孔CNT1可以暴露半导体层Act的一部分。
可以在第二绝缘层IL2中形成第二开口OP2。第二开口OP2可以暴露图案层PTL。第二开口OP2可以暴露上图案层PTL2的上表面LUS2。根据实施例，第二开口OP2的宽度可以大于图案层PTL的宽度。
可以在中间绝缘层MIL中形成中间开口MILOP。可以围绕图案层PTL或与图案层PTL相邻地形成中间开口MILOP。根据实施例，可以在图案层PTL周围形成多个中间开口MILOP。图案层PTL可以防止或基本防止在图案层PTL下方或被图案层PTL覆盖的中间绝缘层MIL(例如，中间绝缘层MIL的所述一部分)被蚀刻。根据实施例，可以在形成第二绝缘层IL2的第二开口OP2时形成中间开口MILOP。
可以在第一绝缘层IL1中形成第一凹陷R1-1。可以在图案层PTL周围形成第一凹陷R1-1。根据实施例，可以在中间开口MILOP周围形成多个第一凹陷R1-1。图案层PTL可以防止或基本防止在图案层PTL下方的第一绝缘层IL1被蚀刻。第一凹陷R1-1可以由栅极绝缘层112的开口和缓冲层111的凹部限定。
第一凹陷R1-1可以连接到中间绝缘层MIL的中间开口MILOP。根据实施例，当设置多个第一凹陷R1-1和多个中间开口MILOP时，第一凹陷R1-1可以分别连接到中间开口MILOP。
根据实施例，暴露半导体层Act的第一接触孔CNT1和暴露图案层PTL的第二开口OP2可以在同一工艺中形成。因此，可以暴露图案层PTL而不需要附加的掩模工艺。
参照图9D，可以形成源电极SE、漏电极DE和数据线DL。源电极SE和漏电极DE形成在中间绝缘层MIL上，并且可以通过第一接触孔CNT1连接到半导体层Act。在一个或更多个实施例中，源电极SE和漏电极DE形成在第二绝缘层IL2上，并且可以通过延伸穿过第二绝缘层IL2、中间绝缘层MIL和栅极绝缘层112的第一接触孔CNT1连接到半导体层Act。数据线DL可以形成在中间绝缘层MIL上。例如，数据线DL可以形成在中间绝缘层MIL上且其间具有第二绝缘层IL2。
可以形成包括光致抗蚀剂开口PRLOP的光致抗蚀剂层PRL。可以将光致抗蚀剂溶液施用(apply，或称为涂覆)到显示基底DS上。光致抗蚀剂溶液可以覆盖第一凹陷R1-1、中间开口MILOP、第二开口OP2、图案层PTL、数据线DL、源电极SE、漏电极DE和第二绝缘层IL2。光致抗蚀剂溶液可以形成为正型或负型。在正型光致抗蚀剂溶液的情况下，可以在随后的显影工艺中去除(例如，蚀刻)正型光致抗蚀剂溶液的暴露于光的部分。在负型光致抗蚀剂溶液的情况下，可以在随后的显影工艺中去除(例如，蚀刻)负型光致抗蚀剂溶液的除了负型光致抗蚀剂溶液的暴露于光的部分之外的部分。在下文中，将重点给出其中光致抗蚀剂溶液是正型的情况的详细描述。
可以通过诸如旋涂、狭缝涂覆、喷涂或浸渍的各种合适的方法施用光致抗蚀剂溶液。
可以对光致抗蚀剂层PRL进行曝光。在这种情况下，可以对光致抗蚀剂层PRL的至少一部分进行曝光。例如，当使用光掩模时，可以对光致抗蚀剂层PRL的与光掩模的开口叠置的区域进行曝光。根据实施例，可以将光掩模的开口布置为与第三非显示区域NDA3叠置，并且可以对布置在第三非显示区域NDA3中的光致抗蚀剂层PRL进行曝光。
可以通过显影工艺去除光致抗蚀剂层PRL的一部分。因此，可以形成与第三非显示区域NDA3叠置的光致抗蚀剂开口PRLOP。根据实施例，光致抗蚀剂开口PRLOP可以形成为与第三非显示区域NDA3、第二非显示区域NDA2的一部分和第四非显示区域NDA4的一部分叠置。
参照图9E，可以对与光致抗蚀剂开口PRLOP叠置的第一绝缘层IL1、中间绝缘层MIL和第二绝缘层IL2进行蚀刻。因此，可以形成与第三非显示区域NDA3叠置的弯曲开口BOP。在这种情况下，因为光致抗蚀剂层PRL布置在显示区域DA和第一非显示区域NDA1中，所以能够防止或基本防止光致抗蚀剂层PRL下方的绝缘层被蚀刻。
可以通过显影工艺去除或剥离光致抗蚀剂层PRL。因此，可以从显示基底DS去除或剥离光致抗蚀剂层PRL。
参照图9F，可以形成第一有机绝缘层115。可以通过将有机材料施用到整个显示基底DS上并对其执行光固化工艺和图案化工艺来形成第一有机绝缘层115。
可以形成连接电极CM，并且可以形成第二有机绝缘层116和有机图案层116A。可以通过将有机材料施用在整个显示基底DS上并对其执行光固化工艺和图案化工艺来形成第二有机绝缘层116和有机图案层116A。在这种情况下，第二有机绝缘层116和有机图案层116A可以包括相同的材料，并且可以同时形成。根据一些实施例，可以当形成第一有机绝缘层115时同步(例如，同时)形成有机图案层116A。
可以在图案层PTL和显示区域DA上形成导电层211L。导电层211L可以形成为覆盖上图案层PTL2。导电层211L可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。根据另一实施例，导电层211L可以包括反射层，该反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的任何化合物。根据另一实施例，导电层211L还可以包括在反射层上方和/或下方的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。例如，导电层211L可以具有ITO/Ag/ITO的多层结构。
参照图9G，可以对导电层211L进行图案化以形成第一电极211。此外，根据实施例，可以去除上图案层PTL2。根据实施例，在对导电层211L进行蚀刻之后，可以对上图案层PTL2进行蚀刻。因此，可以去除导电层211L和上图案层PTL2以暴露下图案层PTL1。在这种情况下，下图案层PTL1的上表面LUS1可以暴露于外部。不是所有图案层PTL都可以适合用作用于激光剥离工艺的牺牲层。根据本实施例，可以去除上图案层PTL2，而仅留下下图案层PTL1，以优化激光剥离工艺。
根据实施例，当去除导电层211L和上图案层PTL2时，可以形成第一开口OP1。当去除导电层211L和上图案层PTL2时，可以通过对第一绝缘层IL1进行过蚀刻来形成第一开口OP1。根据另一实施例，当去除导电层211L和上图案层PTL2时，可以对缓冲层111进行过蚀刻。在这种情况下，第一凹陷R1-1的深度可以变深。
根据实施例，当去除导电层211L和上图案层PTL2时，可以对第二绝缘层IL2的一部分进行过蚀刻。例如，当去除导电层211L和上图案层PTL2时，可以对(例如，在x方向上)在有机图案层116A与第一有机绝缘层115之间的第二绝缘层IL2进行过蚀刻。在这种情况下，可以在有机图案层116A和第一有机绝缘层115之间形成凹槽(例如，在第二绝缘层IL2中形成凹槽)。根据一些实施例，可以不在有机图案层116A与第一有机绝缘层115之间形成凹槽(例如，不在第二绝缘层IL2中形成凹槽)。
参照图9H，可以在第一电极211上形成具有暴露第一电极211的中心部分的开口118OP的像素限定层118，并且可以在像素限定层118上形成间隔件119。
可以在有机图案层116A上形成第一上有机图案层118A和第二上有机图案层119A。根据实施例，第一上有机图案层118A可以与像素限定层118同步(例如，同时)形成。根据实施例，当第一上有机图案层118A和像素限定层118包括有机材料时，可以通过将有机材料施用到整个基底100上并对其执行光固化工艺和图案化工艺来形成第一上有机图案层118A和像素限定层118。在这种情况下，第一上有机图案层118A和像素限定层118可以包括相同的材料。根据实施例，第二上有机图案层119A可以与间隔件119同步(例如，同时)形成。当第二上有机图案层119A和间隔件119包括有机材料时，可以通过将有机材料施用到整个基底100上并对其执行光固化工艺和图案化工艺来形成第二上有机图案层119A和间隔件119。在这种情况下，第二上有机图案层119A和间隔件119可以包括相同的材料。
可以形成第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个以及第二电极213。具体地，可以在整个显示基底DS上顺序地形成第一功能层212a、发射层212b、第二功能层212c、第二电极213和盖层215。发射层212b可以与第一电极211叠置。第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以堆叠(例如，顺序地堆叠)在下图案层PTL1上。
可以去除下图案层PTL1上的第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个以及第二电极213。根据实施例，可以将激光照射在下图案层PTL1上。具体地，激光可以从基底100的下表面在基底100的厚度方向上行进，并且可以照射在下图案层PTL1的下表面上。激光可以具有红外波长。当激光是红外光时，激光相对于基底100、第一绝缘层IL1和中间绝缘层MIL的透射率为大约80％至大约90％或者更大，激光可以有效地到达下图案层PTL1。
因为下图案层PTL1包括不透明金属，所以下图案层PTL1可以吸收激光。根据实施例，下图案层PTL1的至少一部分可以热膨胀并从中间绝缘层MIL剥离。
参照图9I，当下图案层PTL1包括钛(Ti)时，可以将第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215与下图案层PTL1一起剥离。因此，可以在第一功能层212a和第二功能层212c中形成使中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS暴露的第一透射孔TAH1。可以在第二电极213中形成使中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS暴露的第二透射孔TAH2。可以在盖层215中形成使中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS暴露的第三透射孔TAH3。此外，第一透射孔TAH1、第二透射孔TAH2和第三透射孔TAH3可以暴露第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1。
形成下图案层PTL1的材料的熔点可以高于形成第二电极213的材料的熔点。作为对比示例，当下图案层PTL1包括银(Ag)时，可以在下图案层PTL1上的第二电极213熔化之前，将下图案层PTL1剥离，第二电极213的银(Ag)与其结合。这可以当作异物。异物可以围绕下图案层PTL1布置，例如，在坝部DP中。在这种情况下，异物可能损坏封装层，并且可能形成针对湿气等的流入通道。因此，有机发光二极管OLED可能被损坏。
根据本实施例，下图案层PTL1可以包括熔点高于第二电极213的熔点的材料。可以首先熔化第二电极213，可以将下图案层PTL1剥离。因此，不会产生例如银(Ag)颗粒的异物。
此外，根据本实施例，因为下图案层PTL1可以与导电图案CP同步(例如，同时)形成，所以可以缩短工艺时间，并且可以不添加掩模工艺。
参照图9J和图9K，可以形成封装层ENL。封装层ENL可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以从显示区域DA延伸到透射孔TAH以与透射孔TAH叠置。因此，第一无机封装层310可以与中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS接触。
可以通过沿切割线CUL去除基底100和其上的第一绝缘层IL1形成开口区域OA。根据本实施例，因为第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215在开口区域OA上不暴露于外部，所以能够防止或减少湿气通过第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个渗透。
图10是根据另一实施例的沿图6的线VII-VII’截取的显示面板10的示意性剖视图。在图10中，与图7A中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且可以不重复其冗余描述。图10中所示的显示面板10与图7A中所示的实施例的不同之处在于，显示面板10还包括下图案层PTL1-1。
参照图10，显示面板10可以包括基底100、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、导电图案CP-1、作为显示元件的有机发光二极管OLED和下图案层PTL1-1。基底100可以包括开口区域OA、围绕开口区域OA的显示区域DA以及在开口区域OA与显示区域DA之间的第一非显示区域NDA1。
第一绝缘层IL1可以包括与第一非显示区域NDA1叠置的第一凹陷或第一开口OP1，并且可以在基底100上。
第二绝缘层IL2可以包括使第一凹陷或第一开口OP1与开口区域OA之间的第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1暴露的第二开口OP2，且可以在第一绝缘层IL1上。
导电图案CP-1可以在第一绝缘层IL1与第二绝缘层IL2之间，并且可以包括第一层L1-1和第二层L2。第一层L1-1可以包括添加有掺杂剂的非晶硅。添加到非晶硅(a-Si)的掺杂剂可以包括从硼(B)、磷(P)、氮(N)、镍(Ni)、钴(Co)和氟(F)中选择的一种。第二层L2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。
有机发光二极管OLED可以在第二绝缘层IL2上布置为与显示区域DA叠置，并且可以包括第一电极211、在第一电极211上的发射层212b和在发射层212b上的第二电极213。
根据实施例，下图案层PTL1-1可以在第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1上。根据实施例，下图案层PTL1-1可以在中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS上。下图案层PTL1-1可以包括添加有掺杂剂的非晶硅。在这种情况下，下图案层PTL1-1和导电图案CP-1的第一层L1-1可以包括相同的材料。
当制造显示面板10时，可以去除形成在下图案层PTL1-1上的第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215。具体地，当激光照射在其中布置有下图案层PTL1-1的区域上时，可以去除形成在下图案层PTL1-1上的第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215。因此，可以形成暴露下图案层PTL1-1的透射孔TAH，并且布置在透射孔TAH中的第一无机封装层310和下图案层PTL1-1可以彼此接触，从而防止或减少异物或湿气渗透到有机发光二极管OLED中。
图11A和图11B是示出根据另一实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图。在图11A和图11B中，与图9H、图9I和图9J中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且可以不重复其冗余描述。
参照图11A，可以准备具有包括第一非显示区域NDA1和显示区域DA的基底100以及在基底100上的第一绝缘层IL1的显示基底DS。可以形成包括第一层L1-1和第二层L2的导电图案CP-1。
图案层可以包括下图案层PTL1-1和上图案层，并且可以形成在第一非显示区域NDA1上。根据实施例，图案层可以形成在中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS上。下图案层PTL1-1可以包括添加有掺杂剂的非晶硅。
可以在图案层和显示区域DA上形成导电层，并且可以将导电层图案化以形成第一电极211。在这种情况下，可以去除上图案层。
可以在下图案层PTL1-1和第一电极211上形成第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个、第二电极213和盖层215。可以去除在下图案层PTL1-1上的第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个、第二电极213和盖层215。
可以将激光照射在下图案层PTL1-1上以去除第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个、第二电极213和盖层215。在这种情况下，下图案层PTL1-1的上表面LUS1-1可以通过透射孔TAH暴露。也就是说，可以从下图案层PTL1-1剥离第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215。当下图案层PTL1-1包括添加有掺杂剂的非晶硅时的下图案层PTL1-1的熔点可以高于当下图案层PTL1-1包括钛(Ti)时的下图案层PTL1-1的熔点。因此，当下图案层PTL1-1包括添加有掺杂剂的非晶硅时，可以不从中间绝缘层MIL或第一绝缘层IL1剥离下图案层PTL1-1。
参照图11B，可以形成封装层ENL。封装层ENL可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以从显示区域DA延伸到透射孔TAH以与透射孔TAH叠置。因此，第一无机封装层310可以与下图案层PTL1-1的上表面LUS1-1接触。
图12是根据另一实施例的显示面板的示意性剖视图。在图12中，与图7A中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且可以不重复其冗余描述。
参照图12，显示面板可以包括基底100、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、导电图案、作为显示元件的有机发光二极管和中间导电图案MCP。基底100可以包括开口区域OA和第一非显示区域NDA1。
第一绝缘层IL1可以包括与第一非显示区域NDA1叠置的第一凹陷或第一开口OP1，并且可以在基底100上。在下文中，将重点给出其中第一绝缘层IL1包括第一开口OP1的情况的详细描述。
根据实施例，可以提供多个第一开口OP1。第一开口OP1可以在第一非显示区域NDA1中彼此分开或间隔开。
第二绝缘层IL2可以包括使第一凹陷或第一开口OP1与开口区域OA之间的第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1暴露的第二开口OP2，且可以在第一绝缘层IL1上。
中间绝缘层MIL可以在第一绝缘层IL1与第二绝缘层IL2之间。中间绝缘层MIL可以包括连接到第一开口OP1的中间开口MILOP。可以在第一非显示区域NDA1中设置多个中间开口MILOP。根据实施例，中间开口MILOP可以分别连接到第一开口OP1。
中间导电图案MCP可以在第一开口OP1之间。当第一绝缘层IL1包括多个第一凹陷时，中间导电图案MCP可以在第一凹陷之间。中间导电图案MCP和导电图案的第一层可以包括相同的材料。例如，中间导电图案MCP可以包括钛(Ti)。作为另一示例，中间导电图案MCP可以包括添加有掺杂剂的非晶硅。
有机发光二极管可以在第二绝缘层IL2上以与显示区域叠置，并且可以包括第一电极211、在第一电极211上的发射层和在发射层上的第二电极213。盖层215可以进一步布置在第二电极213上。有机发光二极管还可以包括在第一电极211与发射层之间的第一功能层212a和/或在发射层与第二电极213之间的第二功能层212c。根据实施例，第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个、第二电极213和盖层215可以从显示区域延伸到第一非显示区域NDA1。
第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以延伸到第一开口OP1，并且可以在第一开口OP1内。此外，第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以覆盖中间导电图案MCP。第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以包括使第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1和/或中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS暴露的第一透射孔TAH1。
第二电极213可以包括使第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1和/或中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS暴露的第二透射孔TAH2。盖层215可以包括使第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1和/或中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS暴露的第三透射孔TAH3。根据实施例，第二透射孔TAH2和第三透射孔TAH3可以暴露中间导电图案MCP。
第一透射孔TAH1的面积可以小于第二透射孔TAH2的面积和/或第三透射孔TAH3的面积。也就是说，第一功能层212a和第二功能层212c的至少一个端部可以比第二电极213和盖层215的端部靠近开口区域OA。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以覆盖第一开口OP1，并且可以在从第一非显示区域NDA1到开口区域OA的方向上延伸。在这种情况下，第一无机封装层310可以与中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS接触。
在这种情况下，异物或湿气穿过第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个渗透到有机发光二极管中所经的通道可以形成得长。因此，能够防止或减少异物或湿气渗透到有机发光二极管中。
图13A至图13C是示出根据另一实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图。在图13A至图13C中，与图12中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且可以不重复其冗余描述。
参照图13A，可以在第一绝缘层IL1上形成与第一非显示区域NDA1叠置的中间导电图案MCP。可以类似于上面参照图9A至图9G描述的下图案层PTL1来形成中间导电图案MCP。例如，可以形成中间导电图案MCP，并且可以在中间导电图案MCP上形成上导电图案。可以在上导电图案上形成导电层。当将导电层图案化为第一电极211时，可以去除上导电图案。根据实施例，中间导电图案MCP和下图案层PTL1可以包括相同的材料。此外，中间导电图案MCP和导电图案的第一层可以包括相同的材料。
可以在中间导电图案MCP上形成第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个以及第二电极213。根据实施例，可以在第二电极213上进一步形成盖层215。可以在第一非显示区域NDA1中连续地形成第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个、第二电极213和盖层215。因此，第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个、第二电极213以及盖层215可以覆盖坝部DP、第一开口OP1、中间开口MILOP、第二开口OP2、下图案层PTL1和中间导电图案MCP。
可以去除中间导电图案MCP上的第二电极213和盖层215。根据实施例，可以将第一能量密度(J/cm2)的激光照射在第一非显示区域NDA1上。第一能量密度的激光可以剥离第二电极213和盖层215，但可以不剥离第一功能层212a、第二功能层212c和中间导电图案MCP。
参照图13B，可以在第二电极213中形成使第二功能层212c的一部分暴露的第二透射孔TAH2。可以在盖层215中形成使第二功能层212c的一部分暴露的第三透射孔TAH3。因此，可以暴露中间导电图案MCP上的第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个的上表面212US。
可以去除下图案层PTL1上的第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个。根据实施例，可以将第二能量密度(J/cm2)的激光照射在下图案层PTL1上。第二能量密度可以大于第一能量密度。因此，第二能量密度的激光可以剥离下图案层PTL1。在这种情况下，可以从中间绝缘层MIL剥离下图案层PTL1以及在下图案层PTL1上的第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个。
参照图13C，可以在第一功能层212a和第二功能层212c中形成使中间绝缘层MIL的第二上表面MILUS暴露的第一透射孔TAH1。
根据实施例，第二透射孔TAH2和/或第三透射孔TAH3的面积可以大于第一透射孔TAH1的面积。因此，异物或湿气穿过第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个渗透到有机发光二极管中所经的通道可以形成得长。
图14是根据另一实施例的沿图6的线VII-VII’截取的显示面板10的示意性剖视图。在图14中，与图7A中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且可以不重复其冗余描述。图14中所示的显示面板10与图7A中所示的实施例的不同之处在于，导电图案CP在栅极绝缘层112与中间绝缘层MIL之间。
参照图14，显示面板10可以包括基底100、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、导电图案CP和作为显示元件的有机发光二极管OLED。基底100可以包括开口区域OA、围绕开口区域OA的显示区域DA以及在开口区域OA与显示区域DA之间的第一非显示区域NDA1。
第一绝缘层IL1可以包括与第一非显示区域NDA1叠置的第一凹陷或第一开口OP1，并且可以在基底100上。
第二绝缘层IL2可以包括使第一凹陷或第一开口OP1与开口区域OA之间的第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1暴露的第二开口OP2，并且可以在第一绝缘层IL1上。
中间绝缘层MIL可以在第一绝缘层IL1与第二绝缘层IL2之间。中间绝缘层MIL可以包括连接到第一凹陷或第一开口OP1的中间开口MILOP。中间开口MILOP可以穿透中间绝缘层MIL的上表面和下表面。根据实施例，中间开口MILOP可以暴露第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1。也就是说，中间绝缘层MIL可以不在第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1上。
导电图案CP可以在栅极绝缘层112与中间绝缘层MIL之间，并且可以包括第一层L1和第二层L2。根据实施例，第一层L1可以包括钛(Ti)。根据另一实施例，第一层L1可以包括添加有掺杂剂的非晶硅。添加到非晶硅(a-Si)的掺杂剂可以包括从硼(B)、磷(P)、氮(N)、镍(Ni)、钴(Co)和氟(F)中选择的一种。
导电图案CP可以用作存储电容器Cst的下电极CE1。例如，导电图案CP可以与其上的存储电容器Cst的上电极CE2叠置。根据实施例，导电图案CP可以用作栅电极GE。因此，导电图案CP可以与其下方的半导体层Act叠置。
上电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
有机发光二极管OLED可以布置为在第二绝缘层IL2上与显示区域DA叠置，并且可以包括第一电极211、在第一电极211上的发射层212b和在发射层212b上的第二电极213。
第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以自第一非显示区域NDA1断开。根据实施例，第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215中的每个可以包括使第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1暴露的透射孔TAH。
封装层ENL可以覆盖有机发光二极管OLED。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以从显示区域DA延伸到第一非显示区域NDA1。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以与透射孔TAH叠置。具体地，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以与第一透射孔TAH1、第二透射孔TAH2和第三透射孔TAH3叠置。在这种情况下，第一无机封装层310可以与第一凹陷或第一开口OP1叠置，并且可以同与开口区域OA相邻的第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1接触。根据实施例，第一无机封装层310可以接触第二无机封装层330，并且可以在第二无机封装层330与第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1之间。因此，因为有机材料层不在第一绝缘层IL1的第一上表面ILUS1上，所以能够防止或减少湿气朝向布置在显示区域DA中的有机发光二极管OLED渗透。
图15A至图15C是示出根据另一实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图。在图15A至图15C中，与图14中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且可以不重复其冗余描述。图15A至图15C中所示的实施例与图9A至图9K中所示的实施例的不同之处在于，在形成导电图案CP和图案层PTL之后形成中间绝缘层MIL。
参照图15A，可以准备显示基底DS。显示基底DS可以包括基底100和第一绝缘层IL1。第一绝缘层IL1可以在显示区域DA和第一非显示区域NDA1上。
可以在第一绝缘层IL1上形成导电图案CP。导电图案CP可以包括第一层L1和在第一层L1上的第二层L2。根据实施例，导电图案CP可以用作栅电极GE。在这种情况下，导电图案CP可以与半导体层Act叠置。
可以在第一非显示区域NDA1上形成图案层PTL。根据实施例，可以在第一绝缘层IL1上形成图案层PTL。图案层PTL可以包括下图案层PTL1和在下图案层PTL1上的上图案层PTL2。图案层PTL可以与导电图案CP同步(例如，同时)形成。
参照图15B，可以在第一绝缘层IL1上形成中间绝缘层MIL。中间绝缘层MIL可以覆盖图案层PTL和导电图案CP。因此，导电图案CP和图案层PTL可以在第一绝缘层IL1与中间绝缘层MIL之间。
可以形成存储电容器Cst的上电极CE2，并且可以形成第二绝缘层IL2。
参照图15C，可以部分地去除第一绝缘层IL1(例如，第一绝缘层IL1的栅极绝缘层112)、中间绝缘层MIL和第二绝缘层IL2。根据实施例，可以部分地蚀刻第一绝缘层IL1(例如，第一绝缘层IL1的栅极绝缘层112)、中间绝缘层MIL和第二绝缘层IL2。
可以在第二绝缘层IL2中形成第二开口OP2。第二开口OP2可以使图案层PTL暴露。第二开口OP2可以使上图案层PTL2的上表面LUS2暴露。根据实施例，第二开口OP2的宽度可以大于图案层PTL的宽度。例如，如图15C中所示，第二开口OP2在x方向上的宽度可以大于图案层PTL在x方向上的宽度。
可以在中间绝缘层MIL中形成中间开口MILOP。中间开口MILOP可以连接到第二开口OP2。此外，中间开口MILOP可以使图案层PTL暴露。也就是说，中间开口MILOP可以使上图案层PTL2的上表面LUS2暴露。根据实施例，中间开口MILOP的宽度可以大于图案层PTL的宽度。例如，如图15C中所示，中间开口MILOP在x方向上的宽度可以大于图案层PTL在x方向上的宽度。
图16是根据另一实施例的沿图6的线VII-VII’截取的显示面板10的示意性剖视图。在图16中，与图7A中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且可以不重复其冗余描述。
参照图16，显示面板10可以包括基底100、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和作为显示元件的有机发光二极管OLED。基底100可以包括开口区域OA、围绕开口区域OA的显示区域DA以及在开口区域OA与显示区域DA之间的第一非显示区域NDA1。
上电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
第二绝缘层IL2可以包括在第二子非显示区域SNDA2上在第二绝缘层IL2的深度或厚度方向(例如，与z方向相反的方向)上凹入的凹陷R。凹陷R可以由彼此连接的底表面、第一侧壁RW1和第二侧壁RW2限定。根据实施例，凹陷R的底表面、第一侧壁RW1和第二侧壁RW2可以是第二绝缘层IL2的多个部分。凹陷R的底表面可以是布置在第二绝缘层IL2的上表面(例如，最上表面)下方的表面。第一侧壁RW1和第二侧壁RW2可以连接底表面(例如，凹陷R的底表面或布置在第二绝缘层IL2的上表面下方的表面)和第二绝缘层IL2的上表面。第一侧壁RW1和第二侧壁RW2可以是第二绝缘层IL2的彼此面对(例如，在x方向上彼此面对)的表面。第一侧壁RW1可以比第二侧壁RW2靠近显示区域DA。
根据实施例，凹陷R可以在第一有机绝缘层115和开口区域OA之间。根据实施例，凹陷R的第一侧壁RW1可以与第一有机绝缘层115的侧表面115AS交汇。例如，凹陷R的第一侧壁RW1和第一有机绝缘层115的侧表面115AS可以连续地布置。根据实施例，凹陷R的第一侧壁RW1和第一有机绝缘层115的侧表面115AS可以彼此相交，或者可以在同一平面上。根据实施例，凹陷R的第一侧壁RW1和第一有机绝缘层115的侧表面115AS可以对准。
根据实施例，第二绝缘层IL2可以包括至少一个凹陷R。例如，第二绝缘层IL2可以包括一个凹陷R。作为另一示例，第二绝缘层IL2可以包括多个凹陷R。
坝部DP可以在凹陷R内。坝部DP可以在凹陷R的底表面上，并且坝部DP可以包括有机图案层116A。有机图案层116A的侧壁116AW(例如，侧壁116AW的一部分)可以面对凹陷R的第二侧壁RW2。
根据实施例，凹陷R的第二侧壁RW2、凹陷R的底表面的至少一部分和有机图案层116A的侧壁116AW可以限定凹部CVP。凹部CVP可以被限定(例如，在x方向上)在开口区域OA与坝部DP之间。
第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以从显示区域DA延伸到第一非显示区域NDA1。根据实施例，第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以覆盖坝部DP，并且可以延伸到凹部CVP。
第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以自凹陷R的第二侧壁RW2断开。根据实施例，第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215中的每个可以包括使第二绝缘层IL2的第二上表面ILUS2暴露的透射孔TAH。第二绝缘层IL2的第二上表面ILUS2可以是第二绝缘层IL2的在开口区域OA与凹部CVP之间的上表面。
第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以包括使第二绝缘层IL2的第二上表面ILUS2暴露的第一透射孔TAH1。第二电极213可以包括使第二绝缘层IL2的第二上表面ILUS2暴露的第二透射孔TAH2。盖层215可以包括使第二绝缘层IL2的第二上表面ILUS2暴露的第三透射孔TAH3。
透射孔TAH的面积可以大于开口区域OA的面积。透射孔TAH的端部可以布置在凹部CVP的其处未布置坝部DP的端部处。根据实施例，通过基于凹部CVP形成第一透射孔TAH1，可以能够防止或减少异物或湿气通过第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个渗透到有机发光二极管OLED中。
封装层ENL可以覆盖有机发光二极管OLED。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以从显示区域DA延伸到第一非显示区域NDA1。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以与透射孔TAH叠置。具体地，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以与第一透射孔TAH1、第二透射孔TAH2和第三透射孔TAH3叠置。在这种情况下，第一无机封装层310可以与凹部CVP叠置，并且可以同与开口区域OA相邻的第二绝缘层IL2的第二上表面ILUS2接触。根据实施例，第一无机封装层310可以接触第二无机封装层330，并且可以在第二无机封装层330与第二绝缘层IL2的第二上表面ILUS2之间。因此，因为有机材料层不在第二绝缘层IL2的第二上表面ILUS2上，所以能够防止或减少湿气朝向布置在显示区域DA中的有机发光二极管OLED渗透。
图17A至图17E是示出根据另一实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图。图17A至图17C中所示的实施例与图9A至图9K中所示的实施例的不同之处在于，在同一工艺中形成图案层PTL-1和连接电极CM。
参照图17A，可以准备显示基底DS。显示基底DS可以包括基底100、第一绝缘层IL1、中间绝缘层MIL、第二绝缘层IL2、像素电路PC、一部分数据线DL和第一有机绝缘层115。根据实施例，第一绝缘层IL1、中间绝缘层MIL和第二绝缘层IL2可以在显示区域DA和第一非显示区域NDA1中连续地布置。
可以在显示基底DS上形成连接导电层CML。可以在第一非显示区域NDA1和显示区域DA中连续地形成连接导电层CML。连接导电层CML可以穿过设置在第一有机绝缘层115中的接触孔连接到漏电极DE或源电极SE。
参照图17B，可以对连接导电层CML进行图案化以形成连接电极CM和其它部分数据线DL以及图案层PTL-1。在这种情况下，可以同步(例如，同时)形成图案层PTL-1和连接电极CM，并且图案层PTL-1和连接电极CM可以包括相同的材料。图案层PTL-1可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)等的导电材料，并且可以形成为包括上述材料的单层或多层。根据实施例，图案层PTL-1可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。当形成图案层PTL-1和连接电极CM时，第二绝缘层IL2被过蚀刻以形成凹陷R。
凹陷R可以被形成为在第二绝缘层IL2的深度或厚度方向上凹入。凹陷R可以形成在图案层PTL-1与第一有机绝缘层115之间。凹陷R可以由底表面、第一侧壁RW1和第二侧壁RW2限定。凹陷R的第一侧壁RW1可以与第一有机绝缘层115的侧表面115AS交汇。根据实施例，凹陷R的第一侧壁RW1和第一有机绝缘层115的侧表面115AS可以对准。凹陷R的第二侧壁RW2可以与图案层PTL-1的侧壁交汇。凹陷R可以被构造为有助于有机材料层的断开，这将在下面更详细地描述。
参照图17C，可以形成有机图案层116A和第二有机绝缘层116。可以在凹陷R内形成有机图案层116A。可以通过将有机材料施用到整个所得结构上并对其执行光固化工艺和图案化工艺来形成有机图案层116A和第二有机绝缘层116。
凹陷R的第二侧壁RW2、凹陷R的底表面的至少一部分和有机图案层116A的侧壁116AW可以限定凹部CVP。有机图案层116A的侧壁116AW可以面对凹陷R的第二侧壁RW2。凹部CVP可以被限定在图案层PTL-1与有机图案层116A之间。凹部CVP可以被构造成有助于有机材料层的断开，这将在下面更详细地描述。
可以在第二有机绝缘层116上形成第一电极211。可以通过在整个显示基底DS上形成导电层并对导电层图进行案化来形成第一电极211。
参照图17D，可以在第一电极211上形成包括使第一电极211的中心部分暴露的开口118OP的像素限定层118，并且可以在像素限定层118上形成间隔件119。
可以在有机图案层116A上形成第一上有机图案层118A和第二上有机图案层119A。根据实施例，第一上有机图案层118A可以与像素限定层118同步(例如，同时)形成。根据实施例，第二上有机图案层119A可以与间隔件119同步(例如，同时)形成。
可以形成第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个以及第二电极213。具体地，可以在整个基底100上顺序地形成第一功能层212a、发射层212b、第二功能层212c、第二电极213和盖层215。发射层212b可以与第一电极211叠置。第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以堆叠(例如，顺序地堆叠)在图案层PTL-1上。
可以去除图案层PTL-1上的第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个以及第二电极213。根据实施例，可以将激光照射在图案层PTL-1上。具体地，可以将激光从基底100下方照射在图案层PTL-1上。
因为图案层PTL-1包括不透明金属，所以图案层PTL-1可以吸收激光。根据实施例，图案层PTL-1的至少一部分可以热膨胀并从第二绝缘层IL2剥离。
参照图17E，可以将第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215与图案层PTL-1一起剥离。因此，可以在第一功能层212a和第二功能层212c中形成使第二绝缘层IL2的第二上表面ILUS2暴露的第一透射孔TAH1。可以在第二电极213中形成使第二绝缘层IL2的第二上表面ILUS2暴露的第二透射孔TAH2。可以在盖层215中形成使第二绝缘层IL2的第二上表面ILUS2暴露的第三透射孔TAH3。
如上所述，根据实施例，因为可以通过激光剥离工艺去除在开口周围的有机材料层，所以能够防止或基本防止显示元件被异物或外部湿气损坏。
应理解的是，在此描述的实施例应仅以描述性的含义考虑而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括开口区域、围绕所述开口区域的显示区域以及在所述开口区域与所述显示区域之间的非显示区域；
第一绝缘层，在所述基底上，所述第一绝缘层包括与所述非显示区域叠置的第一凹陷或第一开口；
第二绝缘层，在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层包括第二开口，所述第二开口使在所述第一凹陷或所述第一开口与所述开口区域之间的所述第一绝缘层的第一上表面暴露；
导电图案，在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，所述导电图案包括第一层和第二层；以及
显示元件，在所述第二绝缘层上并与所述显示区域叠置，所述显示元件包括第一电极、在所述第一电极上的发射层和在所述发射层上的第二电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
中间绝缘层，在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间；以及
栅电极，在所述第一绝缘层与所述中间绝缘层之间，
其中，所述导电图案在所述中间绝缘层与所述第二绝缘层之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述中间绝缘层包括连接到所述第一凹陷或所述第一开口的中间开口，并且
其中，在所述第一绝缘层的所述第一上表面上的所述中间绝缘层的第二上表面被所述第二开口暴露。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层包括缓冲层和栅极绝缘层，并且
其中，所述显示装置还包括：
半导体层，在所述缓冲层与所述栅极绝缘层之间；以及
中间绝缘层，在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，并且
其中，所述导电图案在所述栅极绝缘层与所述中间绝缘层之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述中间绝缘层包括连接到所述第一凹陷或所述第一开口的中间开口，并且
其中，所述中间开口使所述第一绝缘层的所述第一上表面暴露。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一层包括钛或添加有掺杂剂的非晶硅。
7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述第一绝缘层的所述第一上表面上的下图案层，
其中，所述下图案层包括添加有掺杂剂的非晶硅。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一凹陷或所述第一开口包括多个第一凹陷或多个第一开口，并且
其中，所述显示装置还包括在所述多个第一凹陷之间或在所述多个第一开口之间的中间导电图案。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示元件还包括第一功能层和第二功能层中的至少一个，
所述第一功能层在所述第一电极与所述发射层之间，
所述第二功能层在所述发射层与所述第二电极之间，并且
其中，所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个以及所述第二电极从所述显示区域延伸到所述第一凹陷或所述第一开口以与所述第一凹陷或所述第一开口叠置，并且分别包括使所述第一绝缘层的所述第一上表面暴露的第二透射孔和第一透射孔。
10.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括覆盖所述显示元件的封装层，所述封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，
其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层从所述显示区域延伸到所述第一绝缘层的所述第一上表面，以与所述第一透射孔和所述第二透射孔叠置。
11.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
准备显示基底，所述显示基底包括基底和在所述基底上的第一绝缘层，所述基底包括非显示区域和显示区域；
在所述第一绝缘层上形成包括第一层和第二层的导电图案；
在所述非显示区域中形成包括下图案层和上图案层的图案层；
在所述图案层和所述显示区域上形成导电层；
对所述导电层进行图案化以形成第一电极；以及
去除所述上图案层，
其中，所述下图案层和所述第一层包括相同的材料，并且
其中，所述上图案层和所述第二层包括相同的材料。
12.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
在所述下图案层和所述第一电极上形成第一功能层和第二功能层中的至少一个以及第二电极；以及
去除在所述下图案层上的所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个以及所述第二电极。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，去除所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个以及所述第二电极的步骤包括以下步骤：
在所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个中形成使所述第一绝缘层的上表面的一部分暴露的第一透射孔；以及
在所述第二电极中形成使所述第一绝缘层的所述上表面的所述一部分暴露的第二透射孔。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，去除所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个以及所述第二电极的步骤包括以下步骤：
将激光照射在所述下图案层上；以及
去除所述下图案层。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，去除所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个以及所述第二电极的步骤包括以下步骤：
将激光照射在所述下图案层上；以及
使所述下图案层的上表面暴露。
16.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
在所述第一绝缘层上形成与所述非显示区域叠置的中间导电图案；
在所述中间导电图案上形成第一功能层和第二功能层中的至少一个以及第二电极；以及
去除在所述中间导电图案上的所述第二电极以使所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个的上表面暴露，
其中，所述中间导电图案和所述下图案层包括相同的材料。
17.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
形成覆盖所述导电图案和所述图案层的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层中形成使所述图案层暴露的第二开口；以及
在所述第一绝缘层中形成连接到所述第二开口的第一凹陷或第一开口。
18.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在所述第一绝缘层上形成中间绝缘层，
其中，所述图案层和所述导电图案形成在所述中间绝缘层上，并且
其中，形成所述第二开口的步骤包括在所述中间绝缘层中形成中间开口。
19.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在所述第一绝缘层上形成中间绝缘层，
其中，形成所述第二开口的步骤包括：
在所述中间绝缘层中形成中间开口；以及
通过所述中间开口使所述图案层暴露。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述基底还包括弯曲区域，并且
所述方法还包括以下步骤：
形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层具有使所述弯曲区域暴露的光致抗蚀剂开口，所述光致抗蚀剂层覆盖所述第二开口；以及
对与所述光致抗蚀剂开口叠置的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层进行蚀刻。
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