CN114141930A - 发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板。所述发光二极管的转移方法包括以下步骤：提供目标基板和转移基板，目标基板包括目标衬底和设置在目标衬底上的多个焊盘组，转移基板包括转移衬底和设置在转移衬底上的蓝膜，蓝膜上连接有多个待转移的发光二极管；将待转移的发光二极管与焊盘组对位连接；对多个待转移的发光二极管通电，以分离蓝膜与待转移的发光二极管；移除转移基板。

Description

发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板。
背景技术
迷你型发光二极管(Mini Light-Emitting Diode,MiniLED)和微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode,Micro LED)被广泛认为是液晶显示器之后的下一代显示技术，但目前却遇到了一些难以突破的技术瓶颈，例如驱动电路的稳定性较差、巨量转移难度大以及转移良率低等。
在LED的巨量转移工艺中，针对将LED从外延生长衬底上转移至蓝膜，并在蓝膜上按照RGB像素排布方案进行排片，然后再转移至目标基板上的巨量转移技术路线，目前有多种转移技术。其中，对于激光转移技术，以目前主流的8K显示器为例，由于显示器中子像素的数量以亿为单位，即使是目前最高效的红外激光转移技术，一小时也只能转移一千万颗左右的LED，因而该技术的转移速率较低；此外，由于LED在激光转移过程中会受到高能激光的照射，因此，LED存在性能衰减的风险。对于利用传统固晶机以及刺针固晶机转移的技术，由于转移精度和速率的限制，无法满足LED的巨量转移需求。另外，印章转移法则存在聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)耗材昂贵，排片成本高的缺点。
因此，提出一种新的具有可行性的LED巨量转移方案具有重大意义。
发明内容
本申请实施例提供一种新型的发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板。
本申请实施例提供一种发光二极管的转移方法，其包括以下步骤：
提供目标基板和转移基板，所述目标基板包括目标衬底和设置在所述目标衬底上的多个焊盘组，所述转移基板包括转移衬底和设置在所述转移衬底上的蓝膜，所述蓝膜上连接有多个待转移的发光二极管；
将所述待转移的发光二极管与所述焊盘组对位连接；
对多个所述待转移的发光二极管通电，以分离所述蓝膜与所述待转移的发光二极管；
移除所述转移基板。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述目标基板还包括设置在所述目标衬底上的导电线路，所述导电线路与所述焊盘组连接；所述对多个所述待转移的发光二极管通电的步骤，包括：
对所述导电线路施加电压，以使所述发光二极管发光。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述导电线路包括测试焊盘和测试走线，所述测试焊盘位于所述目标衬底的外围区，所述焊盘组通过所述测试走线与所述测试焊盘连接；所述对所述导电线路施加电压的步骤，包括：对所述测试焊盘施加电压。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述待转移的发光二极管包括待转移的红光发光二极管、待转移的绿光发光二极管以及待转移的蓝光发光二极管；所述焊盘组包括第一焊盘组、第二焊盘组以及第三焊盘组，所述测试焊盘包括第一测试焊盘、第二测试焊盘以及第三测试焊盘，所述测试走线包括第一测试走线、第二测试走线以及第三测试走线，所述第一焊盘组通过所述第一测试走线与所述第一测试焊盘连接，所述第二焊盘组通过第二测试走线与所述第二测试焊盘连接，所述第三焊盘组通过所述第三测试走线与所述第三测试焊盘连接；
所述将所述待转移的发光二极管与所述焊盘组对位连接的步骤，包括：将所述待转移的红光发光二极管与所述第一焊盘组对位连接、所述待转移的绿光发光二极管与所述第二焊盘组对位连接、所述待转移的蓝光发光二极管与所述第三焊盘组对位连接；
所述对所述测试焊盘施加电压的步骤，包括：对所述第一测试焊盘、所述第二测试焊盘以及所述第三测试焊盘施加同一电压，以分离所述蓝膜与所述待转移的红光发光二极管、所述蓝膜与所述待转移的绿光发光二极管、所述蓝膜与所述待转移的蓝光发光二极管。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述待转移的发光二极管包括待转移的红光发光二极管、待转移的绿光发光二极管以及待转移的蓝光发光二极管；所述焊盘组包括第一焊盘组、第二焊盘组以及第三焊盘组，所述测试焊盘包括第一测试焊盘、第二测试焊盘以及第三测试焊盘，所述测试走线包括第一测试走线、第二测试走线以及第三测试走线，所述第一焊盘组通过所述第一测试走线与所述第一测试焊盘连接，所述第二焊盘组通过第二测试走线与所述第二测试焊盘连接，所述第三焊盘组通过所述第三测试走线与所述第三测试焊盘连接；
所述将所述待转移的发光二极管与所述焊盘组对位连接的步骤，包括：将所述待转移的红光发光二极管与所述第一焊盘组对位连接、所述待转移的绿光发光二极管与所述第二焊盘组对位连接、所述待转移的蓝光发光二极管与所述第三焊盘组对位连接；
所述对所述测试焊盘施加电压的步骤，包括：对所述第一测试焊盘施加第一电压V1、对所述第二测试焊盘施加第二电压V2、对所述第三测试焊盘施加第三电压V3，V1<V2<V3。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述移除所述转移基板的步骤，包括：沿垂直于所述目标基板所在平面的方向移动所述转移基板。
可选的，在本申请的一些实施例中，在对多个所述待转移的发光二极管通电之后，发光的所述待转移的发光二极管与所述蓝膜分离；
所述移除所述转移基板的步骤，包括：移除包括所述转移衬底和所述蓝膜的所述转移基板。
可选的，在本申请的一些实施例中，在对多个所述待转移的发光二极管通电之后，发光的所述待转移的发光二极管与所述蓝膜分离，不发光的所述待转移的发光二极管与所述蓝膜连接；
所述移除所述转移基板的步骤，包括：移除包括所述转移衬底、所述蓝膜和不发光的所述待转移的发光二极管的所述转移基板。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述提供转移基板和目标基板的步骤中，所述待转移的发光二极管上连接有导电触点；
在所述移除所述转移基板的步骤之后，还包括：对所述导电触点和对应的所述焊盘组进行焊接。
本申请实施例提供一种发光基板，其包括：
目标基板，所述目标基板包括目标衬底和设置在所述目标衬底上的多个焊盘组；以及
多个发光二极管，多个所述发光二极管与多个所述焊盘组一一对应连接；其中，所述发光二极管由前述任一实施例所述的发光二极管的转移方法转移得到。
本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括发光基板和设置在所述发光基板上的封装层，所述发光基板为前述实施例所述的发光基板。
在本申请的发光二极管的转移方法中，在将待转移的发光二极管与焊盘组对位连接之后，通过对待转移的发光二极管进行通电，由于发光二极管在通电状态下会发光，且在发光状态下伴随着热效应，当热效应传导至蓝膜上时，蓝膜与待转移的发光二极管接触位置处的温度上升，在持续的发热作用下，蓝膜与待转移的发光二极管接触位置处的温度会继续上升，直至蓝膜中的胶材变性而失去粘性，此时，待转移的发光二极管与蓝膜之间的作用力会消除而发生分离，进而在移除转移基板之后，待转移的发光二极管直接从蓝膜上脱离，从而完成发光二极管的转移。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的发光二极管的转移方法的流程示意图。
图2A至图2E是图1所示的发光二极管的转移方法中各步骤对应的结构示意图。
图3是图1所示的发光二极管的转移方法的步骤B1中的目标基板的俯视示意图。
图4是图1所示的发光二极管的转移方法的步骤B3中的目标基板的俯视示意图。
图5A和图5B是图1所示的发光二极管的转移方法中当存在不发光的发光二极管时的流程结构示意图。
图6是本申请提供的发光基板的结构示意图。
图7是本申请提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请提供一种发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参照图1，本申请提供一种发光二极管的转移方法，其包括以下步骤：
B1：提供目标基板和转移基板，目标基板包括目标衬底和设置在目标衬底上的多个焊盘组，转移基板包括转移衬底和设置在转移衬底上的蓝膜，蓝膜上连接有多个待转移的发光二极管；
B2：将待转移的发光二极管与焊盘组对位连接；
B3：对多个待转移的发光二极管通电，以分离蓝膜与待转移的发光二极管；
B4：移除转移基板。
在本申请的发光二极管的转移方法中，在将待转移的发光二极管与焊盘组对位连接之后，通过对待转移的发光二极管进行通电，由于发光二极管在通电状态下会发光，且在发光状态下伴随着热效应，当热效应传导至蓝膜上时，蓝膜与待转移的发光二极管接触位置处的温度上升，在持续的发热作用下，蓝膜与待转移的发光二极管接触位置处的温度会继续上升，直至蓝膜中的胶材变性而失去粘性，此时，待转移的发光二极管与蓝膜之间的作用力会消除而发生分离，进而在移除转移基板之后，待转移的发光二极管直接从蓝膜上脱离，从而完成发光二极管的转移。
下面通过具体实施例对本申请提供的发光二极管的转移方法进行详细的阐述。
请一并参照图1、图2A至图2E、图3以及图4，本申请第一实施例提供一种发光二极管的转移方法，其包括以下步骤：
B1：提供目标基板10和转移基板20，目标基板10包括目标衬底11和设置在目标衬底11上的多个焊盘组12，转移基板20包括转移衬底21和设置在转移衬底21上的蓝膜22，蓝膜22上连接有多个待转移的发光二极管23，如图2A所示。
其中，目标衬底11可以为驱动基板，所述驱动基板包括用于驱动发光二极管23发光的薄膜晶体管(图中未示出)，相关技术均为现有技术，在此不再赘述。
焊盘组12在目标衬底11的制备工艺中形成。每一焊盘组12均包括正极性焊盘和负极性焊盘(图中未标识)，正极性焊盘用于与发光二极管23的正极连接，负极性焊盘用于与发光二极管23的负极连接。在本实施例中，焊盘组12包括第一焊盘组121、第二焊盘组122以及第三焊盘组123。
转移基板20为发光二极管23转移过程中的中间载体。其中，转移衬底21可以为蓝宝石衬底、砷化镓衬底、硅基衬底或者石英玻璃。
待转移的发光二极管23可以为Mini LED或Micro LED。其中，待转移的发光二极管23包括待转移的红光发光二极管231、待转移的绿光发光二极管232以及待转移的蓝光发光二极管233。待转移的红光发光二极管231对应于第一焊盘组121。待转移的绿光发光二极管232对应于第二焊盘组122。待转移的蓝光发光二极管233对应于第三焊盘组123。
待转移的发光二极管23上连接有导电触点24。导电触点24的材料可以包括低熔点的金属，如锡、铟、铅和铋中的一种或多种。其中，导电触点24包括第一导电触点241、第二导电触点242以及第三导电触点243。第一导电触点241连接在待转移的红光发光二极管231上。第二导电触点242连接在待转移的绿光发光二极管232上。第三导电触点243连接在待转移的蓝光发光二极管233上。
在本实施例中，目标基板10还包括设置在目标衬底11上的导电线路13。导电线路13与焊盘组12连接。其中，导电线路13用于接入外接电源，以向焊盘组12输入电压。其中，导电线路13与外接电源断开设置。
结合图2A和图3，在本实施例中，导电线路13包括测试焊盘131和测试走线132。测试焊盘131位于目标衬底11的外围区111。焊盘组12通过测试走线132与测试焊盘131连接。
其中，测试焊盘131和测试走线132可以是目标基板10中原有的测试电路，也可以是为了便于在后续转移过程中向待转移的发光二极管23通电而额外增加的导电电路。在本实施例中，测试焊盘131和测试走线132为目标基板10中原有的测试电路，由此可以避免增加新的工艺制程，使得在原有工艺基础上即可形成本实施例所需的导电线路13，进而能够节省工艺成本。
具体的，测试焊盘131包括第一测试焊盘1311、第二测试焊盘1312以及第三测试焊盘1313。测试走线132包括第一测试走线1321、第二测试走线1322以及第三测试走线1323。第一焊盘组121通过第一测试走线1321与第一测试焊盘1311连接。第二焊盘组122通过第二测试走线1322与第二测试焊盘1312连接。第三焊盘组123通过第三测试走线1323与第三测试焊盘1313连接。
其中，目标衬底11上具有多条第一测试走线1321、多条第二测试走线1322以及多条第三测试走线1323。多条第一测试走线1321连接于一个第一测试焊盘1311。多条第二测试走线1322连接于一个第二测试焊盘1312。多条第三测试走线1323连接于一个第三测试焊盘1313。
B2：将待转移的发光二极管23与焊盘组12对位连接。
其中，移动目标基板10或转移基板20中的至少一者，以使待转移的发光二极管23与对应的焊盘组12对位连接。其中，待转移的发光二极管23与对应的焊盘组12之间的连接是指通过使待转移的发光二极管23与焊盘组12接触而实现两者的导通。
请继续参照图2A，具体的，将待转移的红光发光二极管231与第一焊盘组121对位连接、待转移的绿光发光二极管232与第二焊盘组122对位连接、待转移的蓝光发光二极管233与第三焊盘组123对位连接。
B3：对多个待转移的发光二极管23通电，以分离蓝膜22与待转移的发光二极管23。
其中，通过外接电源对导电线路13施加电压，导电线路13中的电压传输至焊盘组12中，以使发光二极管23发光。由于发光二极管23在发光状态下会伴随着热效应，因此，当热效应传导至蓝膜22上时，蓝膜22与待转移的发光二极管23接触位置M处的温度会上升，如图2B所示。持续对导电线路13施加电压，在持续的发热作用下，蓝膜22与发光的待转移的发光二极管23接触位置M处的温度会继续上升，直至蓝膜22中的胶材变性而失去粘性，如图2C所示。此时，待转移的发光二极管23与蓝膜22之间的作用力消除，蓝膜22与待转移的发光二极管23接触的部分221失去粘性，因而与待转移的发光二极管23处于分离状态。
其中，对导电线路13施加电压的步骤，包括：对测试焊盘131施加电压。
结合图2C和图4，在本实施例中，对第一测试焊盘1311、第二测试焊盘1312以及第三测试焊盘1313施加同一电压，以分离蓝膜22与待转移的红光发光二极管231、蓝膜22与待转移的绿光发光二极管232、蓝膜22与待转移的蓝光发光二极管233。
具体的，通过一外接电源对第一测试焊盘1311、第二测试焊盘1312以及第三测试焊盘1313施加同一电压，待转移的红光发光二极管231、待转移的绿光发光二极管232以及待转移的蓝光发光二极管233在通电状态下会发光。由于在发光状态下三者均会伴随着热效应，因此，当热效应传导至蓝膜22上时，蓝膜22与待转移的红光发光二极管231、待转移的绿光发光二极管232以及待转移的蓝光发光二极管233接触位置M处的温度均会上升；持续对测试焊盘131施加电压，在持续的发热作用下，蓝膜22与待转移的红光发光二极管231、待转移的绿光发光二极管232以及待转移的蓝光发光二极管233接触位置M处的温度会继续上升，直至蓝膜22中的胶材变性而失去粘性，由此使得待转移的红光发光二极管231、待转移的绿光发光二极管232以及待转移的蓝光发光二极管233与蓝膜22之间的作用力消除而发生分离。
需要说明的是，本实施例中附图3和附图4中待转移的发光二极管23与焊盘组12的俯视结构仅为示意，用以方便描述本实施例，但并不能理解为对本申请的限制。
B4：移除转移基板20，如图2D所示。
具体的，移除包括转移衬底21和蓝膜22的转移基板20。
在本实施例中，沿垂直于目标基板10所在平面的方向Y移动转移基板20，以避免待转移的发光二极管23在脱落过程中与焊盘组12之间出现对位偏差，进而能够提高发光二极管23的对位准确性。
需要说明的是，在一些实施例中，也可以沿着其他方向移动转移基板20，如可以沿着与目标基板10所在平面相交的方向或平行于转移基板20的方向移动转移基板20，在此不再赘述。
在移除转移基板20的步骤之后，还包括：对导电触点24和对应的焊盘组12进行焊接，并去除导电线路13，以得到转移有发光二极管23的目标基板10，如图2E所示。
其中，采用回流焊工艺使导电触点24熔化，以使导电触点24与对应的焊盘组12粘结。在本实施例中，在回流焊工艺之后，第一导电触点241与第一焊盘组121粘结，第二导电触点242与第二焊盘组122粘结，第三导电触点243与第三焊盘组123粘结，以完成红光发光二极管231、绿光发光二极管232以及蓝光发光二极管233的转移。
可以理解的是，当待转移的发光二极管23本身接触不良或者存在破损，即为失效的发光二极管时，在通电状态下，待转移的发光二极管23无法被导通，因而不会发光，更不会产生发热现象。
请参照图5A，当存在不发光的待转移的发光二极管23B时，在步骤B3中，对多个待转移的发光二极管23通电之后，发光的待转移的发光二极管23A会与蓝膜22分离，不发光的待转移的发光二极管23B仍与蓝膜22连接。此时，蓝膜22与发光的待转移的发光二极管23A接触位置M处的温度上升，直至蓝膜22与发光的待转移的发光二极管23A接触的部分221失去粘性而分离；而由于蓝膜22与不发光的待转移的发光二极管23B接触位置N处的温度未发生变化，因此，蓝膜22与不发光的待转移的发光二极管23B仍然处于连接状态。
请参照图5B，在步骤B4中，移除包括转移衬底21、蓝膜22和不发光的待转移的发光二极管23B的转移基板20。具体的，沿垂直于目标基板10所在平面的方向Y移动转移基板20之后，发光的待转移的发光二极管23A转移至目标基板10上，不发光的待转移的发光二极管23B随蓝膜22移除。
由此，在本实施例中，通过判断转移至目标基板10上的发光二极管23的发光状态，可以识别出不发光的发光二极管23B(失效发光二极管)，且在移除转移基板20的过程中，失效发光二极管能够随着蓝膜22直接移除，进而不需要额外增加失效发光二极管的分离设备，能够降低技术难度，节省工艺成本。另外，相较于传统工艺中转移发光二极管之后再进行失效发光二极管的识别与分离步骤，由于本实施例中失效发光二极管的识别和分离能够在发光二极管23的转移过程中实现，因此，能够大大提高发光二极管23的转移效率。
进一步的，在移除转移基板20的过程中，由于转移至目标基板10上的发光二极管23处于点灯状态，也即，此时目标基板10上均为能够正常发光的发光二极管23，所有能够正常发光的发光二极管23在目标基板上10构成一发光图案，此时，目标基板10上的失效位置(失效发光二极管所对应的位置)便可以直接通过发光图案进行锁定。由此，在后续需要填补新的发光二极管时，能够直接通过点对点的方式在上述失效位置转移新的发光二极管，进而不再需要专门的程序对失效位置进行定位，从而能够大大降低技术难度并节省工艺成本。
综上，在本实施例的发光二极管23的转移过程中，通过利用发光二极管23发光时产生的热效应来使蓝膜22失去粘性，进而与发光二极管23分离，以实现发光二极管23的转移。本实施例提供的发光二极管23的转移方法具有以下优势：
1、相较于传统的激光转移技术，由于本实施例省去了激光照射，因此能够降低发光二极管23在激光照射下出现性能衰减的风险；另外，相较于激光烧蚀蓝膜22使发光二极管23脱附而进行转移的方式，由于本实施例利用发光二极管23自身的热效应来实现转移，因而并不会对发光二极管23造成损伤。
2、相较于传统的固晶机以及刺针固晶机转移的技术，一方面，由于本实施例在移除转移基板20时，发光二极管23能够直接从蓝膜22上脱离，发光二极管23在脱离过程中不会存在对位偏差，因而也不会存在转移精度差的问题，通过前期待转移的发光二极管23和焊盘组12之间的对位操作即可保证较佳的转移精度；另一方面，由于蓝膜22上所有的发光二极管23能够同时从蓝膜22上脱离，因此，本实施例能够一次性完成所有发光二极管23的转移，从而能够大大提高转移速率。故而，本实施例的发光二极管23的转移方法具有较高的转移精度和转移速率，能够满足发光二极管23的巨量转移需求。
3、相较于传统的印章转移法，本实施例仅利用目标基板10上原有的测试焊盘131及测试走线132即可实现发光二极管23的转移，无需额外的仪器设备，因而能够大大节省工艺成本。
4、根据发光二极管23在通电状态下的发光状态，本实施例能够在发光二极管23的转移过程中识别并分离失效发光二极管，由于不需要额外增加失效发光二极管的分离设备，进而不仅能够降低技术难度，还可以节省工艺成本。
5、对于目标基板10上失效发光二极管所在的失效位置的定位，当需要填补新的发光二极管23时，本实施例通过目标基板10上发光二极管23的发光图案，能够直接锁定失效位置，因而不需要额外的仪器设备对失效位置进行定位。因此，本实施例在发光二极管23的转移过程中即可实现失效位置的定位，由于根据发光图案能够很容易地锁定失效位置，因此，不仅能够节省工艺成本，还可以降低失效位置的定位难度。
本申请第二实施例提供一种发光二极管的转移方法，第二实施例提供的发光二极管的转移方法与第一实施例的不同之处在于：在步骤B3中，对测试焊盘131施加电压的步骤，包括：对第一测试焊盘1311施加第一电压V1、对第二测试焊盘1312施加第二电压V2、对第三测试焊盘1313施加第三电压V3，V1<V2<V3。
由于红光发光二极管231、绿光发光二极管232以及蓝光发光二极管233的发热效率不同，也即，红光发光二极管231、绿光发光二极管232以及蓝光发光二极管233发光时对电流的需求不同，故而，三者发光时需要施加的电压也不相同。具体来说，红光发光二极管231、绿光发光二极管232以及蓝光发光二极管233的发热效率依次减小。
本实施例通过对红光发光二极管231施加第一电压V1，对绿光发光二极管232施加第二电压V2、对蓝光发光二极管233施加第三电压V3，V1<V2<V3，进而可以在同一时间段内使红光发光二极管231、绿光发光二极管232以及蓝光发光二极管233发光，避免因三者发热效率不同而产生与蓝膜22分离速率不同的现象，从而能够进一步提高发光二极管23的转移速率。
请参照图6，本申请还提供一种发光基板100。发光基板100包括目标基板10和多个发光二极管23。目标基板10包括目标衬底11和设置在目标衬底11上的多个焊盘组12。多个发光二极管23与多个焊盘组12一一对应连接。发光二极管23与焊盘组12之间连接有导电触点24。
焊盘组12包括第一焊盘组121、第二焊盘组122以及第三焊盘组123。发光二极管23包括红光发光二极管231、绿光发光二极管232以及蓝光发光二极管233。导电触点24包括第一导电触点241、第二导电触点242以及第三导电触点243。红光发光二极管231通过第一导电触点241与第一焊盘组121连接。绿光发光二极管232通过第二导电触点242与第二焊盘组122连接。蓝光发光二极管233通过第三导电触点243与第三焊盘组123连接。
其中，发光二极管23可以由前述任一实施例所述的发光二极管23的转移方法转移得到，相关转移方法可以参照前述实施例的描述，在此不再赘述。
请参照图7，本申请实施例还提供一种显示面板1000。显示面板1000包括发光基板100和设置在发光基板100上的封装层200。其中，发光基板100可以为前述实施例所述的发光基板100，发光基板100的具体结构可以参照前述实施例的描述，在此不再赘述。
以上对本申请实施例所提供的一种发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (11)

1.一种发光二极管的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供目标基板和转移基板，所述目标基板包括目标衬底和设置在所述目标衬底上的多个焊盘组，所述转移基板包括转移衬底和设置在所述转移衬底上的蓝膜，所述蓝膜上连接有多个待转移的发光二极管；
将所述待转移的发光二极管与所述焊盘组对位连接；
对多个所述待转移的发光二极管通电，以分离所述蓝膜与所述待转移的发光二极管；
移除所述转移基板。
2.根据权利要求1所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述目标基板还包括设置在所述目标衬底上的导电线路，所述导电线路与所述焊盘组连接；所述对多个所述待转移的发光二极管通电的步骤，包括：
对所述导电线路施加电压，以使所述发光二极管发光。
3.根据权利要求2所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述导电线路包括测试焊盘和测试走线，所述测试焊盘位于所述目标衬底的外围区，所述焊盘组通过所述测试走线与所述测试焊盘连接；所述对所述导电线路施加电压的步骤，包括：对所述测试焊盘施加电压。
4.根据权利要求3所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述待转移的发光二极管包括待转移的红光发光二极管、待转移的绿光发光二极管以及待转移的蓝光发光二极管；所述焊盘组包括第一焊盘组、第二焊盘组以及第三焊盘组，所述测试焊盘包括第一测试焊盘、第二测试焊盘以及第三测试焊盘，所述测试走线包括第一测试走线、第二测试走线以及第三测试走线，所述第一焊盘组通过所述第一测试走线与所述第一测试焊盘连接，所述第二焊盘组通过第二测试走线与所述第二测试焊盘连接，所述第三焊盘组通过所述第三测试走线与所述第三测试焊盘连接；
所述将所述待转移的发光二极管与所述焊盘组对位连接的步骤，包括：将所述待转移的红光发光二极管与所述第一焊盘组对位连接、所述待转移的绿光发光二极管与所述第二焊盘组对位连接、所述待转移的蓝光发光二极管与所述第三焊盘组对位连接；
所述对所述测试焊盘施加电压的步骤，包括：对所述第一测试焊盘、所述第二测试焊盘以及所述第三测试焊盘施加同一电压，以分离所述蓝膜与所述待转移的红光发光二极管、所述蓝膜与所述待转移的绿光发光二极管、所述蓝膜与所述待转移的蓝光发光二极管。
5.根据权利要求3所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述待转移的发光二极管包括待转移的红光发光二极管、待转移的绿光发光二极管以及待转移的蓝光发光二极管；所述焊盘组包括第一焊盘组、第二焊盘组以及第三焊盘组，所述测试焊盘包括第一测试焊盘、第二测试焊盘以及第三测试焊盘，所述测试走线包括第一测试走线、第二测试走线以及第三测试走线，所述第一焊盘组通过所述第一测试走线与所述第一测试焊盘连接，所述第二焊盘组通过第二测试走线与所述第二测试焊盘连接，所述第三焊盘组通过所述第三测试走线与所述第三测试焊盘连接；
所述将所述待转移的发光二极管与所述焊盘组对位连接的步骤，包括：将所述待转移的红光发光二极管与所述第一焊盘组对位连接、所述待转移的绿光发光二极管与所述第二焊盘组对位连接、所述待转移的蓝光发光二极管与所述第三焊盘组对位连接；
所述对所述测试焊盘施加电压的步骤，包括：对所述第一测试焊盘施加第一电压V1、对所述第二测试焊盘施加第二电压V2、对所述第三测试焊盘施加第三电压V3，V1<V2<V3。
6.根据权利要求1至5任一项所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述移除所述转移基板的步骤，包括：沿垂直于所述目标基板所在平面的方向移动所述转移基板。
7.根据权利要求1所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，在对多个所述待转移的发光二极管通电之后，发光的所述待转移的发光二极管与所述蓝膜分离；
所述移除所述转移基板的步骤，包括：移除包括所述转移衬底和所述蓝膜的所述转移基板。
8.根据权利要求1所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，在对多个所述待转移的发光二极管通电之后，发光的所述待转移的发光二极管与所述蓝膜分离，不发光的所述待转移的发光二极管与所述蓝膜连接；
所述移除所述转移基板的步骤，包括：移除包括所述转移衬底、所述蓝膜和不发光的所述待转移的发光二极管的所述转移基板。
9.根据权利要求1所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述提供转移基板和目标基板的步骤中，所述待转移的发光二极管上连接有导电触点；
在所述移除所述转移基板的步骤之后，还包括：对所述导电触点和对应的所述焊盘组进行焊接。
10.一种发光基板，其特征在于，包括：
目标基板，所述目标基板包括目标衬底和设置在所述目标衬底上的多个焊盘组；以及
多个发光二极管，多个所述发光二极管与多个所述焊盘组一一对应连接；其中，所述发光二极管由权利要求1至9任一项所述的发光二极管的转移方法转移得到。
11.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括发光基板和设置在所述发光基板上的封装层，所述发光基板为权利要求10所述的发光基板。
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