CN114121714A - 清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 - Google Patents

清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 Download PDF

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Abstract

本申请涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高处理容器内的清洁效果。具有通过将包含下述工序的循环在第1温度下进行规定次数从而将附着于处理容器内的物质除去的工序：(a)向进行针对衬底的处理后的处理容器内供给含氮及氢气体和含氟气体中的一种气体的工序；和(b)向残留有一种气体的状态的处理容器内供给含氮及氢气体和含氟气体中的与一种气体不同的另一种气体的工序。

Description

清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
技术领域
本发明涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
背景技术
作为半导体器件的制造工序的一个工序，存在对进行针对衬底的处理后的处理容器内进行清洁的工序的情况(例如参见专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-134781号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于提高处理容器内的清洁效果。
用于解决课题的手段
本发明的一方案提供通过将包含下述工序的循环在第1温度下进行规定次数从而将附着于所述处理容器内的物质除去的技术：
(a)向进行针对衬底的处理后的处理容器内供给含氮及氢气体和含氟气体中的一种气体的工序；和
(b)向残留有所述一种气体的状态的所述处理容器内供给所述含氮及氢气体和所述含氟气体中的与所述一种气体不同的另一种气体的工序。
发明效果
根据本发明，能够提高处理容器内的清洁效果。
附图说明
图1是本发明一方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以纵剖视图示出处理炉202部分的图。
图2是本发明一方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以图1的A-A线剖视图示出处理炉202部分的图。
图3是本发明一方式中优选使用的衬底处理装置的控制器121的概略构成图，是以框图示出控制器121的控制系统的图。
图4是示出本发明一方式的衬底处理中的气体供给定时的图。
图5是分别示出本发明一方式的清洁处理中的气体供给定时、处理室内的设定压力及设定温度的图。
具体实施方式
＜本发明的一个方式＞
以下，主要参照图1～图5说明本发明的一个方式。需要说明的是，以下的说明中使用的附图均为示意性，附图中的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与实际一致。另外，在多个附图相互之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。
(1)衬底处理装置的构成
如图1所示，处理炉202具有作为温度调节部(加热部)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过支承于保持板而垂直安装。加热器207也作为利用热量使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥功能。
在加热器207的内侧以与加热器207呈同心圆状配置有反应管203。反应管203由例如石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成为上端封闭而下端开口的圆筒形状。在反应管203的下方以与反应管203呈同心圆状配置有歧管209。歧管209由例如不锈钢(SUS)等金属材料构成，形成为上端及下端开口的圆筒形状。歧管209的上端部构成为，与反应管203的下端部卡合并支承反应管203。在歧管209与反应管203之间设有作为密封构件的O型圈220a。反应管203与加热器207同样地垂直安装。主要由反应管203和歧管209构成处理容器(反应容器)。在处理容器的筒中空部形成有处理室201。处理室201构成为能够收容作为衬底的晶片200。在该处理室201内进行针对晶片200的处理。
在处理室201内以贯通歧管209的侧壁的方式分别设有作为第1～第3供给部的喷嘴249a～249c。也将喷嘴249a～249c分别称为第1～第3喷嘴。喷嘴249a～249c由例如石英或SiC等耐热性材料构成。在喷嘴249a～249c上分别连接有气体供给管232a～232c。喷嘴249a～249c为彼此不同的喷嘴，喷嘴249a、249c分别与喷嘴249b邻接设置。
在气体供给管232a～232c上，从气流的上游侧起依次设有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)241a～241c及作为开闭阀的阀243a～243c。在气体供给管232a的与阀243a相比的下游侧分别连接有气体供给管232d、232f。在气体供给管232b的与阀243b相比的下游侧分别连接有气体供给管232e、232g。在气体供给管232c的与阀243c相比的下游侧连接有气体供给管232h。在气体供给管232d～232h上，分别从气流的上游侧起依次设有MFC241d～241h及阀243d～243h。气体供给管232a～232h例如由SUS等金属材料构成。
如图2所示，喷嘴249a～249c在反应管203的内壁与晶片200之间的俯视观察呈圆环状的空间中，分别在反应管203的内壁的从下部到上部以朝向晶片200的排列方向上方立起的方式设置。即，喷嘴249a～249c在供晶片200排列的晶片排列区域的侧方并水平包围晶片排列区域的区域中，分别以沿着晶片排列区域的方式设置。在俯视观察时，喷嘴249b以夹着搬入处理室201内的晶片200的中心而与后述的排气口231a在一条直线上相对的方式配置。喷嘴249a、249c以沿着反应管203的内壁(晶片200的外周部)将通过喷嘴249b和排气口231a的中心的直线L从两侧夹入的方式配置。直线L也为通过喷嘴249b和晶片200的中心的直线。即，喷嘴249c也能够夹着直线L设置在喷嘴249a的相反侧。喷嘴249a、249c以直线L为对称轴线对称地配置。在喷嘴249a～249c的侧面分别设有供给气体的气体供给孔250a～250c。气体供给孔250a～250c分别以在俯视观察时与排气口231a相对(面对)的方式开口，能够向晶片200供给气体。气体供给孔250a～250c在反应管203的从下部到上部的范围内设有多个。
作为处理气体，例如，从气体供给管232a经由MFC241a、阀243a、喷嘴249a向处理室201内供给原料(原料气体)，具体来说，是包含作为构成在晶片200上形成的膜的主元素即硅(Si)的硅烷类气体。作为硅烷类气体，例如，能够使用包含Si及卤素的气体、即卤代硅烷类气体。卤素包含氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)、碘(I)等。作为卤代硅烷类气体，例如能够使用包含Si及Cl的氯硅烷类气体。
作为清洁气体，例如，从气体供给管232b经由MFC241b、阀243b、喷嘴249b向处理室201内供给含氮(N)及氢(H)气体。就含N及H气体而言，其单独无法获得实用性的清洁作用，在本方式中，通过在特定的条件下与后述的含F气体混合而发挥提高清洁处理的效率的作用。因此，可考虑将含N及H气体与含F气体同样地包含在清洁气体中。
作为处理气体，例如，从气体供给管232c经由MFC241c、阀243c、喷嘴249c向处理室201内供给作为氧化气体(氧化剂)的含氧(O)气体。
作为清洁气体，例如，从气体供给管232d经由MFC241d、阀243d、气体供给管232a、喷嘴249a向处理室201内供给含F气体。
作为处理气体，例如，从气体供给管232e经由MFC241e、阀243e、气体供给管232b、喷嘴249b向处理室201内供给作为还原气体(还原剂)的含H气体。就含H气体而言，其单独无法获得氧化作用，但通过在特定的条件下与含O气体反应，从而生成原子状氧(atomicoxygen、O)等氧化种，发挥提高氧化处理效率的作用。因此，可考虑将含H气体与含O气体同样地包含在氧化气体中。
从气体供给管232f～232h分别经由MFC241f～241h、阀243f～243h、气体供给管232a～232c、喷嘴249a～249c向处理室201内供给的非活性气体。非活性气体作为吹扫气体、载气、稀释气体等发挥作用。
主要由气体供给管232a、MFC241a、阀243a构成硅烷类气体供给系统。主要由气体供给管232b、MFC241b、阀243b构成含N及H气体供给系统。主要由气体供给管232c、MFC241c、阀243c构成含O气体供给系统。主要由气体供给管232d、MFC241d、阀243d构成含F气体供给系统。主要由气体供给管232e、MFC241e、阀243e构成含H气体供给系统。主要由气体供给管232f～232h、MFC241f～241h、阀243f～243h构成非活性气体供给系统。
需要说明的是，也将硅烷类气体、含O气体、含H气体各自或全部称为成膜气体(处理气体)，也将硅烷类气体供给系统、含O气体供给系统、含H气体供给系统各自或全部称为成膜气体供给系统(处理气体供给系统)。另外，也将硅烷类气体供给系统称为原料气体供给系统，也将含O气体供给系统、含H气体供给系统称为氧化气体供给系统(氧化剂供给系统)。另外，也将含N及H气体供给系统、含F气体供给系统各自或全部称为清洁气体供给系统。
上述各种气体供给系统中的任一者或全部的气体供给系统也可以构成为由阀243a～243h、MFC241a～241h等集成而成的集成型气体供给系统248。集成型气体供给系统248分别与气体供给管232a～232h连接，构成为由后述的控制器121对各种气体向气体供给管232a～232h内的供给动作、即，阀243a～243h的开闭动作、由MFC241a～241h进行的流量调节动作等进行控制。集成型气体供给系统248采用一体型或分体型的集成单元构成，构成为能够相对于气体供给管232a～232h等以集成单元单位进行装拆，能够以集成单元单位进行集成型气体供给系统248的维护、更换、增设等。
在反应管203的侧壁下方设有对处理室201内的气氛进行排气的排气口231a。如图2所示，在俯视观察时，排气口231a夹着晶片200设置在与喷嘴249a～249c(气体供给孔250a～250c)相对(面对)的位置。排气口231a也可以在反应管203的侧壁的从下部到上部、即沿着晶片排列区域设置。在排气口231a上连接有排气管231。在排气管231上，经由对处理室201内的压力进行检测的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器245及作为压力调节器(压力调节部)的APC(Auto Pressure Controller：自动压力控制器)阀244连接有作为真空排气装置的真空泵246。APC阀244构成为，通过在使真空泵246工作的状态下使阀开闭，从而能够进行处理室201内的真空排气及真空排气停止，此外，通过在使真空泵246工作的状态下，基于通过压力传感器245检测到的压力信息对阀开度进行调节，从而能够对处理室201内的压力进行调节。主要由排气管231、APC阀244、压力传感器245构成排气系统。也可以考虑将真空泵246包含在排气系统中。
在歧管209的下方设有能够气密地封堵歧管209的下端开口的作为炉口盖体的密封盖219。密封盖219由例如SUS等金属材料构成，并形成为圆盘状。在密封盖219的上表面设有与歧管209的下端抵接的作为密封构件的O型圈220b。在密封盖219的下方设有使后述晶舟217旋转的旋转机构267。旋转机构267的旋转轴255以贯通密封盖219的方式与晶舟217连接。旋转机构267构成为通过使晶舟217旋转而使晶片200旋转。密封盖219构成为通过设置在反应管203的外部的作为升降机构的晶舟升降机115而在垂直方向上升降。晶舟升降机115构成为通过使密封盖219升降而将晶片200向处理室201内外搬入及搬出(搬送)的搬送装置(搬送机构)。
在歧管209的下方设有作为炉口盖体的闸板219s，该闸板219s能够在使密封盖219下降并将晶舟217从处理室201内搬出的状态下气密地封堵歧管209的下端开口。闸板219s由例如SUS等金属材料构成，并形成为圆盘状。在闸板219s的上表面设有与歧管209的下端抵接的作为密封构件的O型圈220c。闸板219s的开闭动作(升降动作、转动动作等)由闸板开闭机构115s控制。
作为衬底支承件的晶舟217构成为将多张例如25～200张晶片200以水平姿态且使中心相互对齐的状态沿垂直方向排列并分多段支承、即，隔开间隔排列。晶舟217由例如石英、SiC等耐热性材料构成。在晶舟217的下部分多段支承有由例如石英、SiC等耐热性材料构成的隔热板218。
在反应管203内设有作为温度检测器的温度传感器263。基于通过温度传感器263检测到的温度信息对加热器207的通电状况进行调节，从而处理室201内的温度成为希望的温度分布。温度传感器263沿着反应管203的内壁设置。
如图3所示，作为控制部(控制机构)的控制器121以具备CPU(Central ProcessingUnit：中央处理器单元)121a、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)121b、存储装置121c、I/O端口121d的计算机的形式构成。RAM121b、存储装置121c、I/O端口121d构成为能够经由内部总线121e与CPU121a进行数据交换。在控制器121上连接有以例如触摸面板等形式构成的输入输出装置122。
存储装置121c由例如闪存、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)、SSD(SolidState Drive：固态驱动器)等构成。在存储装置121c内以能够读取的方式保存有对衬底处理装置的动作进行控制的控制程序、记载有后述的衬底处理的步骤、条件等的工艺制程、记载有后述的清洁处理的步骤、条件等的清洁制程等。工艺制程是将后述的衬底处理中的各步骤以使控制器121执行并能够获得规定的结果的方式组合得到的，作为程序发挥功能。清洁制程是将后述的清洁处理中的各步骤以使控制器121执行并能够获得规定的结果的方式组合得到的，作为程序发挥功能。以下，也将工艺制程、清洁制程、控制程序等一并简称为程序。另外，也将工艺制程、清洁制程简称为制程。在本说明书中，使用程序这一用语的情况存在仅包含制程的情况、仅包含控制程序的情况或包含制程和控制程序这二者的情况。RAM121b构成为暂时保持由CPU121a读取的程序、数据等的存储器区域(工作区域)。
I/O端口121d与上述MFC241a～241h、阀243a～243h、压力传感器245、APC阀244、真空泵246、温度传感器263、加热器207、旋转机构267、晶舟升降机115、闸板开闭机构115s等连接。
CPU121a构成为从存储装置121c读取控制程序并执行，并且，对应于从输入输出装置122的操作命令的输入等从存储装置121c读取制程。CPU121a构成为，能够按照所读取的制程的内容，对由MFC241a～241h进行的各种气体的流量调节动作、阀243a～243h的开闭动作、APC阀244的开闭动作及基于压力传感器245并由APC阀244进行的压力调节动作、真空泵246的起动及停止、基于温度传感器263的加热器207的温度调节动作、由旋转机构267进行的晶舟217的旋转及旋转速度调节动作、由晶舟升降机115进行的晶舟217的升降动作、由闸板开闭机构115s进行的闸板219s的开闭动作等进行控制。
控制器121能够通过将外部存储装置123中保存的上述程序安装于计算机来构成。外部存储装置123例如包含HDD等磁盘、CD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器、SSD等半导体存储器等。存储装置121c、外部存储装置123以计算机可读取的记录介质的形式构成。以下，也将其一并简称为记录介质。在本说明书中，使用记录介质这一用语的情况存在仅包含存储装置121c情况、仅包含外部存储装置123的情况或包含存储装置121c和外部存储装置123这二者的情况。需要说明的是，程序向计算机的提供也可以不使用外部存储装置123而使用互联网、专用线路等通信机构来进行。
(2)衬底处理
主要使用图4说明下述时序例：使用上述衬底处理装置，作为半导体器件的制造工序的一个工序，针对作为衬底的晶片200进行处理的时序例、即，在晶片200上形成膜的成膜时序例。在以下的说明中，构成衬底处理装置的各部的动作由控制器121控制。
在本方式的成膜时序中，通过将非同时进行下述步骤的循环进行规定次数(n次、n为1以上的整数)，从而作为包含Si及O的膜在晶片200的表面上形成硅氧化膜(SiO膜)：
作为原料气体，向处理室201内的晶片200供给氯硅烷类气体的步骤1；
对处理室201内进行吹扫以将残留气体从处理室201内除去的步骤2；
作为氧化气体，向处理室201内的晶片200供给含O气体及含H气体的步骤3；和
对处理室201内进行吹扫以将残留气体从处理室201内除去的步骤4。
在本说明书中，方便起见，也存在将上述成膜时序如下示出的情况。在以下的变形例、其他方式的说明中也使用相同的表述。
Figure BDA0003110401420000091
在本说明书中，使用“晶片”这一用语的情况存在表示晶片本身的情况、表示晶片和其表面上形成的规定层、膜的层叠体的情况。在本说明书中，使用“晶片的表面”这一用语的情况存在表示晶片本身的表面的情况、表示在晶片上形成的规定层等的表面的情况。在本说明书中，记载为“在晶片上形成规定的层”的情况存在表示在晶片本身的表面直接形成规定的层的情况、表示在形成于晶片上的层等上形成规定的层的情况。在本说明书中，使用“衬底”这一用语的情况也与使用“晶片”这一用语的情况含义相同。
(晶片填充及晶舟装载)
在多张晶片200填充于晶舟217(晶片填充)后，通过闸板开闭机构115s使闸板219s移动，歧管209的下端开口开放(闸板开放)。之后，如图1所示，支承有多张晶片200的晶舟217被晶舟升降机115提起并向处理室201内搬入(晶舟装载)。在该状态下，密封盖219成为借助O型圈220b使歧管209的下端密封的状态。
(压力调节及温度调节)
在晶舟装载结束后，通过真空泵246进行真空排气(减压排气)，以使得处理室201内、即，晶片200所在的空间达到希望的压力(真空度)。此时，处理室201内的压力由压力传感器245测定，并基于该测定到的压力信息对APC阀244进行反馈控制(压力调节)。另外，通过加热器207进行加热，以使得处理室201内的晶片200达到希望的处理温度。此时，通过基于温度传感器263检测到的温度信息对加热器207的通电状况进行反馈控制，以使得处理室201内达到希望的温度分布(温度调节)。另外，使由旋转机构267进行的晶片200的旋转开始。处理室201内的排气、晶片200的加热及旋转均至少在直到针对晶片200的处理结束的期间持续进行。
(成膜)
之后，依次执行以下的步骤1～4。
[步骤1]
在本步骤中，向处理室201内的晶片200供给氯硅烷类气体。
具体来说，将阀243a打开，使氯硅烷类气体流向气体供给管232a内。氯硅烷类气体通过MFC241a进行流量调节，经由喷嘴249a向处理室201内供给，并从排气口231a排气。此时，向晶片200供给氯硅烷类气体(氯硅烷类气体供给)。此时，也可以将阀243f～243h打开，分别经由喷嘴249a～249c向处理室201内供给非活性气体。
作为本步骤中的处理条件，可例示如下：
氯硅烷类气体供给流量：0.005～2slm、优选0.05～1slm
氯硅烷类气体供给时间：1～120秒、优选1～60秒
处理温度：250～800℃、优选400～700℃
处理压力：1～2666Pa、优选67～1333Pa。
需要说明的是，本说明书中的“1～2666Pa”这样的数值范围的表述表示下限值及上限值包含在其范围内。由此，例如，“1～2666Pa”表示“1Pa以上且为2666Pa以下”。其他数值范围也相同。
通过在上述条件下向晶片200供给氯硅烷类气体，从而在作为基底的晶片200的最外表面上形成包含Cl的含Si层(第1层)。包含Cl的含Si层通过氯硅烷类气体的分子向晶片200的最外表面的物理吸附、化学吸附、氯硅烷类气体的一部分分解得到的物质的分子的化学吸附、由氯硅烷类气体的热分解引起的Si的堆积等而形成。包含Cl的含Si层既可以是氯硅烷类气体的分子、氯硅烷类气体的一部分分解得到的物质的分子的吸附层(物理吸附层、化学吸附层)，也可以是包含Cl的Si的堆积层。在本说明书中，也将包含Cl的含Si层简称为含Si层。
作为氯硅烷类气体，能够使用单氯硅烷(SiH3Cl、简称：MCS)气体、二氯硅烷(SiH2Cl2、简称：DCS)气体、三氯硅烷(SiHCl3、简称：TCS)气体、四氯硅烷(SiCl4、简称：STC)气体、六氯乙硅烷气体(Si2Cl6、简称：HCDS)气体、八氯三硅烷(Si3Cl8、简称：OCTS)气体等。也能够取代氯硅烷类气体而使用四氟化硅(SiF4)气体等氟硅烷类气体、四溴化硅(SiBr4)气体等溴硅烷类气体、四碘化硅(SiI4)气体等碘硅烷类气体。另外，也能够取代氯硅烷类气体而使用四(二甲基氨基)硅烷(Si[N(CH3)2]4、简称：4DMAS)气体、三(二甲基氨基)硅烷(Si[N(CH3)2]3H、简称：3DMAS)气体、双(二乙基氨基)硅烷(Si[N(C2H5)2]2H2、简称：BDEAS)气体、双(叔丁基氨基)硅烷(SiH2[NH(C4H9)]2、简称：BTBAS)气体、(二异丙基氨基)硅烷(SiH3[N(C3H7)2]、简称：DIPAS)气体等氨基硅烷类气体。
作为非活性气体，能够使用氮(N2)气体、氩(Ar)气体、氦(He)气体、氖(Ne)气体、氙(Xe)气体等稀有气体。这一点在后述的各步骤中也相同。
[步骤2]
在晶片200上形成含Si层后，将阀243a关闭，使向处理室201内的氯硅烷类气体的供给停止。然后，对处理室201内进行真空排气，将残留在处理室201内的气体等从处理室201内排除。此时，也可以将阀243f～243h打开，作为吹扫气体向处理室201内供给非活性气体，使用非活性气体对处理室201内进行吹扫(purge)。
作为本步骤中的处理条件，可例示如下：
非活性气体供给流量：0.1～20slm
非活性气体供给时间：1～120秒、优选1～60秒。
其他处理条件为与步骤1中的处理条件相同的处理条件。
[步骤3]
在处理室201内的吹扫结束后，向处理室201内的晶片200、即，在晶片200上形成的含Si层供给含O气体及含H气体。
具体来说，将阀243c、243e打开，使含O气体、含H气体分别流向气体供给管232c、232e内。含O气体、含H气体分别由MFC241c、241e进行流量调节，经由喷嘴249c、249b向处理室201内供给，并从排气口231a排气。此时，同时且一并向晶片200供给含O气体和含H气体(含O气体及含H气体供给)。此时，也可以将阀243f～243h打开，分别经由喷嘴249a～249c向处理室201内供给非活性气体。
作为本步骤中的处理条件，可例示如下：
含O气体供给流量：0.1～10slm
含H气体供给流量：0.1～10slm
各气体供给时间：1～120秒、优选1～60秒
处理压力：13.3～1333Pa、优选13.3～399Pa。
其他处理条件为与步骤1中的处理条件同样的处理条件。
通过同时且一并向处理室201内供给含O气体及含H气体，从而这些气体在加热后的减压气氛下、在非等离子体的气氛下被热活化(激发)并反应，由此生成原子状氧(O)等包含氧而不含水分(H2O)的氧化种。并且，主要使用该氧化种对在步骤1中在晶片200上形成的含Si层进行氧化处理。该氧化种所具有的能量比含Si层中包含的Si-Cl键等的键能高，因此，通过将该氧化种的能量赋予至含Si层，从而含Si层中包含的Si-Cl键等被切断。与Si的键合被切断的Cl等被从层中除去，以Cl2、HCl等的形式排出。另外，与Cl等的键合被切断而剩下的Si的键合位与氧化种中包含的O结合，形成Si-O键。由此，含Si层转化(改性)为包含Si及O而Cl等杂质的含量少的层、即，高纯度的SiO层(第2层)。根据该氧化处理，与单独供给含O气体的情况、单独供给H2O气体(水蒸气)单独供给的情况相比，能够大幅提高氧化力。即，通过在减压气氛下向含O气体中添加含H气体，从而与单独供给含O气体的情况、单独供给H2O气体的情况相比，能够获得大幅的氧化力提高效果。
作为含O气体，能够使用氧(O2)气体、一氧化二氮(N2O)气体、一氧化氮(NO)气体、二氧化氮(NO2)气体、臭氧(O3)气体、H2O气体、一氧化碳(CO)气体、二氧化碳(CO2)气体等。
作为含H气体，能够使用氢(H2)气体、重氢(D2)气体等。
需要说明的是，在步骤1中，在取代氯硅烷类气体而使用氨基硅烷类气体的情况下，在本步骤(步骤3)中，也可以不供给含H气体，而单独供给O3气体等氧化气体(氧化剂)作为含O气体。
[步骤4]
在使在晶片200上形成的含Si层转化为SiO层后，将阀243c、243e关闭，分别使向处理室201内的含O气体、含H气体的供给停止。然后，通过与步骤2中的处理步骤、处理条件相同的处理步骤、处理条件将残留在处理室201内的气体等从处理室201内排除，使用非活性气体对处理室201内进行吹扫(purge)。
[实施规定次数]
通过将非同时、即，非同步地进行上述步骤1～4的循环进行规定次数(n次、n为1以上的整数)，从而能够在晶片200上形成希望膜厚的SiO膜。优选上述循环重复进行多次。即，优选使每1循环中形成的SiO层的厚度小于希望的膜厚，并将上述循环重复进行多次，以使得将SiO层层叠而形成的SiO膜的膜厚达到希望的膜厚。
(后吹扫及大气压恢复)
在成膜结束后，分别从喷嘴249a～249c向处理室201内供给非活性气体，并从排气口231a排气。由此，处理室201内被吹扫，残留在处理室201内的气体、副产物等被从处理室201内除去(后吹扫)。之后，处理室201内的气氛被置换为非活性气体(非活性气体置换)，处理室201内的压力恢复为常压(大气压恢复)。
(晶舟卸载及晶片取出)
之后，通过晶舟升降机115使密封盖219下降，歧管209的下端打开开口。并且，处理完的晶片200以支承于晶舟217的状态被从歧管209的下端搬出到反应管203的外部(晶舟卸载)。在晶舟卸载后，使得闸板219s移动，歧管209的下端开口借助O型圈220c由闸板219s密封(闸板关闭)。处理完的晶片200在被搬出到反应管203的外部后，被从晶舟217取出(晶片取出)。
(3)清洁处理
在进行上述衬底处理、即，针对晶片200的处理时，包含Si和O的物质、例如SiO膜等包含硅氧化物的堆积物附着在处理容器内的构件的表面、例如反应管203的内壁面、晶舟217的表面等。因而，使用上述衬底处理装置，在作为半导体器件的制造工序的一个工序将针对晶片200的上述处理执行规定次数(1次以上)后，进行将附着于处理容器内的包含Si和O的物质(以下，附着物质)除去的清洁处理。以下，主要使用图5说明对进行针对晶片200的处理后的处理容器内进行清洁的时序例。在以下的说明中，构成衬底处理装置的各部的动作也由控制器121控制。
本方式的清洁时序中，通过将包含下述步骤a和下述步骤b的循环在第1温度下进行规定次数(m次、m为1以上的整数)，从而进行将附着于处理容器内的物质除去的步骤(蚀刻)：
步骤a，其中，向进行针对晶片200的处理后的处理容器内供给含N及H气体和含F气体中的一种气体；和
步骤b，其中，向残留有上述一种气体的状态的处理容器内供给含N及H气体和含F气体中的与该一种气体不同的另一种气体。
需要说明的是，在本方式中，作为一例，说明在步骤a中作为一种气体供给含N及H气体、在步骤b中作为另一种气体供给含F气体的情况。
另外，在本方式中，作为一例，说明在步骤a中使含N及H气体充满处理容器内，并在步骤b中向在处理容器内充满的含N及H气体中混合含F气体的情况。另外，在本方式中，作为一例，说明在步骤b中，在使向处理容器内的含N及H气体的供给停止后，开始向处理容器内供给含F气体的情况。另外，在本方式中，作为一例，说明在步骤b中进行下述步骤b1和下述步骤b2的情况：步骤b1，其中，在使处理容器内的排气停止的状态下，向处理容器内供给含F气体；步骤b2，其中，在实施了处理容器内的排气的状态下，向处理容器内供给含F气体。
另外，在本方式中，作为一例，说明：在步骤a中，在实施处理容器内的排气的状态下，向处理容器内供给含N及H气体的情况。
另外，在本方式中，作为一例，说明上述循环中还进行下述步骤c的情况：在该步骤c中，在使向处理容器内的含N及H气体及含F气体的供给停止的状态下，对处理容器内进行排气。另外，在本方式中，作为一例，说明在步骤c中，向处理室201内供给非活性气体以使用非活性气体对处理室201内进行吹扫的情况。
另外，在本方式中，作为一例，说明还进行下述步骤d(升华)的情况：在该步骤d中，在进行上述蚀刻后，在第1温度以上的第2温度下对处理容器内进行加热并排气，使进行上述蚀刻时生成的副产物中的、进行上述蚀刻后残留在处理容器内的副产物升华。
在本说明书中，方便起见，也存在将上述清洁时序如下示出的情况。在以下的变形例、其他方式的说明中也使用相同的表述。
(含N及H气体→含F气体→吹扫)×m→升华
(晶舟装载)
通过闸板开闭机构115s使闸板219s移动，歧管209的下端开口开放(闸板开放)。之后，表面附着有包含Si和O的物质的空的晶舟217、即，未保持晶片200的晶舟217被晶舟升降机115提起，并被搬入表面附着有包含Si和O的物质的处理容器内、即处理室201内。在该状态下，密封盖219成为借助O型圈220b使歧管209的下端密封的状态。
(压力调节及温度调节)
在晶舟装载结束后，通过真空泵246进行真空排气(减压排气)，以使得处理室201内达到希望的压力(真空度)。此时，处理室201内的压力由压力传感器245测定，并基于该测定到的压力信息对APC阀244进行反馈控制(压力调节)。另外，通过加热器207进行加热，以使得处理室201内达到希望的处理温度。此时，通过基于温度传感器263检测到的温度信息对加热器207的通电状况进行反馈控制，以使得处理室201内达到希望的温度分布(温度调节)。另外，使由旋转机构267进行的晶舟217的旋转开始。真空泵246的运行、处理室201内的加热、晶舟217的旋转均至少在直到清洁处理结束的期间持续进行。需要说明的是，晶舟217也可以不旋转。
(蚀刻)
之后，依次执行接下来的步骤a～c。
[步骤a]
在步骤a中，在对处理室201内实施排气的状态下，向处理室201内供给含N及H气体。
具体来说，在使APC阀244成为打开的状态并对处理室201内实施排气的状态下，将阀243b打开，使含N及H气体流向气体供给管232b内。含N及H气体通过MFC241b进行流量调节，经由喷嘴249b向处理室201内供给，并从排气口231a排气(含N及H气体供给)。此时，也可以将阀243f～243h打开，分别经由喷嘴249a～249c向处理室201内供给非活性气体。
作为本步骤中的处理条件，可例示如下：
含N及H气体供给流量：0.1～20slm、优选1～10slm
非活性气体供给流量：0～50slm、优选0～10slm
各气体供给时间：1秒～60分钟、优选10秒～30分钟
处理压力(第1压力)：1～39900Pa、优选1～13300Pa
处理温度(第1温度)：20～400℃、优选50～150℃。
需要说明的是，图5所示的压力及温度分别是出于简便目的例示设定压力及设定温度、即控制的目标值的压力及温度。处理室201内的实际压力、温度不限于成为图5所示的固定值的情况，各自也存在经时变化以达到上述目标值的情况。
通过在上述处理步骤、处理条件下进行本步骤，从而使处理室201内充满含N及H气体，能够使含N及H气体分散至处理室201内的全部范围。
在经过规定时间后，使处理室201内的含N及H气体的供给停止。
作为含N及H气体，能够使用氨(NH3)气体、二氮烯(N2H2)气体、肼(N2H4)气体及N3H8气体等氮化氢类气体。
[步骤b1]
在步骤a结束后，在使处理室201内的排气停止的状态下，向残留有含N及H气体的状态的处理室201内供给含F气体。
具体来说，使APC阀244成为全闭(全关闭)的状态，使处理室201内的排气停止。然后，将阀243d打开，使含F气体流向气体供给管232d内。含F气体通过MFC241d进行流量调节，经由喷嘴249a向处理室201内供给(含F气体供给)。此时，也可以将阀243f～243h打开，分别经由喷嘴249a～249c向处理室201内供给非活性气体。
作为本步骤中的处理条件，可例示如下：
含F气体供给流量：0.1～10slm、优选1～3slm
非活性气体供给流量：0～50slm、优选0～10slm
各气体供给时间：1秒～60分钟、优选10秒～10分钟
处理压力(第2压力)：为高于第1压力的压力，且例如为5～39900Pa、优选5～26600Pa。
其他处理条件为与步骤a中的处理条件同样的处理条件。
通过在上述处理步骤、处理条件下进行本步骤，从而能够通过进行步骤a而向在处理室201内充满的含N及H气体中混合含F气体。另外，能够使处理室201内的压力上升为比第1压力高的第2压力。由此，能够使含N及H气体和含F气体的混合气体与处理室201内的附着物质反应，进行附着物质的蚀刻。需要说明的是，与蚀刻的进行相伴，存在在处理室201内通过含N及H气体和含F气体的混合气体与处理室201内的附着物质的反应而生成H2O等含H及O物质的情况。该H2O等含H及O物质具有促进蚀刻反应的作用。另外，与蚀刻的进行相伴，存在在处理室201内生成包含四氟化硅(SiF4)、六氟硅酸(H2SiF6)、六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)等气体状副产物的情况。这些副产物可能导致处理室201内的附着物的蚀刻效率降低。
作为含F气体，能够使用氟(F2)气体、三氟化氯(ClF3)气体、一氟化氯(ClF)气体、三氟化氮(NF3)气体及氟化氢(HF)气体等。
[步骤b2]
在步骤b1结束后、对处理室201内实施排气的状态下，向残留有含N及H气体和含F气体的混合气体、及气体状的副产物的状态的处理室201内供给含F气体。
具体来说，将APC阀244打开至规定的开度，使处理室201内的排气开始。并且，使阀243d保持打开的状态，持续向气体供给管232d内供给含F气体。含F气体通过MFC241d进行流量调节，持续经由喷嘴249a向处理室201内供给，并与在处理室201内充满的各种气体、气体状的副产物一并从排气口231a排气(含F气体供给)。此时，也可以将阀243f～243h打开，分别经由喷嘴249a～249c向处理室201内供给非活性气体。
作为本步骤中的处理条件，可例示如下：
各气体供给时间：1秒～5分钟、优选10秒～1分钟
处理压力(第3压力)：为第2压力以上的压力，且例如为10～39900Pa、优选10～26600Pa。
其他处理条件为与步骤a中的处理条件同样的处理条件。
通过在上述处理步骤、处理条件下进行本步骤，从而能够进一步促进含N及H气体和含F气体的混合气体与处理室201内的附着物质的反应，进一步进行附着物质的蚀刻。另外，能够将与附着物质的蚀刻的进行相伴而产生的气体状的副产物从处理室201内排出(除去)。
在经过规定时间后，将阀243d关闭，使向处理室201内的含F气体的供给停止。
[步骤c]
在步骤b2结束后，在使向处理室201内的含N及H气体及含F气体的供给停止的状态下，对处理室201内进行排气，进一步向处理室201内供给非活性气体。
具体来说，使APC阀244为全开(full open)的状态，持续进行处理室201内的排气。然后，将阀243f～243h打开，作为吹扫气体，使非活性气体流向气体供给管232f～231h内。非活性气体通过MFC241f～241h进行流量调节，经由喷嘴249a～249c向处理室201内供给，并与残留在处理室201内的各种气体、气体状的副产物一并从排气口231a排气(吹扫气体供给)。
作为本步骤中的处理条件，可例示如下：
非活性气体供给流量：0.1～50slm、优选1～20slm
气体供给时间：1秒～30分钟、优选5秒～5分钟
处理压力(第4压力)：为比第3压力低的压力、优选比第2压力低的压力、进一步优选比第1压力低的压力，且例如为0.1～26600Pa、优选0.1～13300Pa。
其他处理条件为与步骤a中的处理条件同样的处理条件。
通过在上述处理步骤、处理条件下进行本步骤，从而能够将残留在处理室201内的含N及H气体、含F气体、与附着物质的蚀刻的进行相伴而产生的气体状的副产物等从处理室201内除去。
[实施规定次数]
通过将非同时、即非同步地进行上述步骤a～c、即步骤a、b1、b2、c的循环进行规定次数(m次、m为1以上的整数)，从而能够将处理室201内的附着物质除去。
(升华)
如上所述，通过将包含步骤b2、步骤c的循环进行规定次数，从而与蚀刻的进行相伴而产生的气体状的副产物的至少一部分被从处理室201内除去。但是，存在该气体状的副产物的一部分附着并固化在处理室201内的构件的表面等而残留在处理室201内的情况。因而，为了将残留在处理室201内的固体状的副产物(例如，SiF4等氟化物)除去，在蚀刻结束后，进行在第1温度以上的第2温度下对处理室201内进行加热以使副产物升华的处理。
具体来说，对加热器207的输出进行调节，以使处理室201内的温度变更为蚀刻中的处理室201内的温度(第1温度)以上的温度。并且，使APC阀244成为全开的状态，对处理室201内进行排气。此时，也可以将阀243f～243h打开，作为吹扫气体，使非活性气体流向气体供给管232f～231h内。非活性气体通过MFC241f～241h进行流量调节，经由喷嘴249a～249c向处理室201内供给，并与通过升华而成为气体状的副产物一并从排气口231a排气(吹扫气体供给)。
作为本步骤中的处理条件，可例示如下：
非活性气体供给时间：1秒～300分钟、优选5～60分钟
处理压力(第5压力)：为比第3压力低的压力、优选比第2压力低的压力、进一步优选比第1压力低的压力，且例如为0.1～26600Pa、优选0.1～13300Pa
处理温度(第2温度)：为第1温度以上的温度、优选比第1温度高的温度，且例如为100～800℃、优选300～500℃。
通过在上述处理步骤、处理条件下进行本步骤，从而能够使吸附并固化于处理室201内的构件的表面等而残留在处理室201内的副产物升华，并从处理室201内除去。
(后吹扫及大气压恢复)
在升华结束后，分别从喷嘴249a～249c向处理室201内供给非活性气体，并从排气口231a排气。由此，处理室201内被吹扫，升华后残留在处理室201内的气体、副产物等被从处理室201内除去(后吹扫)。之后，处理室201内的气氛被置换为非活性气体(非活性气体置换)，处理室201内的压力恢复为常压(大气压恢复)。
(晶舟卸载)
之后，通过晶舟升降机115使密封盖219下降，歧管209的下端开口(晶舟卸载)。在晶舟卸载后，使得闸板219s移动，歧管209的下端开口借助O型圈220c由闸板219s密封(闸板关闭)。然后，上述衬底处理重新开始。
(4)本方式的效果
根据本方式，能够获得以下所示的1个或多个效果。
(a)通过将包含下述步骤a和下述步骤b的循环在第1温度下进行规定次数，从而与单独向处理容器内供给含F气体的情况相比，能够高效地对处理容器内的附着物质进行蚀刻：在步骤a中，向进行针对晶片200的处理后的处理容器内供给含N及H气体；在步骤b中，向残留有含N及H气体的状态的处理容器内供给含F气体。由此，能够缩短处理容器内的清洁时间，能够缩短衬底处理装置的停机时间，并提高衬底处理的生产率。另外，通过对循环次数进行调节等，从而能够提高附着物质的除去量(蚀刻量)的控制性。另外，通过提高蚀刻效率，从而能够减少处理容器内的附着物质的蚀刻中所使用的清洁气体的量。
(b)通过在步骤a中使处理容器内充满含N及H气体，在步骤b中向充满在处理容器内的含N及H气体混合含F气体，从而能够高效地对处理容器内的附着物质进行蚀刻，缩短清洁时间。另外，能够对整个处理容器内包括角落在内均匀地进行清洁。
(c)在步骤b中，通过在使向处理容器内的含N及H气体的供给停止后开始向处理容器内供给含F气体，从而与使向处理容器内的含N及H气体的供给与含F气体的供给重叠(overlap)的情况相比，能够提高处理容器内的附着物质的蚀刻量的控制性。
(d)在步骤b1中，通过在使处理容器内的排气停止的状态下向处理容器内供给含F气体，从而能够减少处理容器内的附着物质的蚀刻使用的清洁气体的量。另外，能够使处理容器内的压力快速上升，作为结果，能够缩短清洁时间。另外，能够对整个处理容器内包括角落在内均匀地进行清洁。
(e)在步骤b2中，通过在实施处理容器内的排气的状态下向处理容器内供给含F气体，从而能够将与附着物质的蚀刻的进行相伴产生的气体状的副产物从处理容器内除去，抑制由副产物的影响导致的附着物质的蚀刻效率降低。
(f)在步骤a中，通过在实施处理容器内的排气的状态下向处理容器内供给含N及H气体，从而能够使用含N及H气体使处理容器内清洁化。另外，根据步骤a中的处理条件，也存在能够使处理容器内的附着物质的至少一部分氮化的情况。其结果，能够高效地对附着物质进行蚀刻。
(g)在步骤c中，通过在使向处理容器内的含N及H气体及含F气体的供给停止的状态下对处理容器内进行排气，从而能够将与处理容器内的附着物质的蚀刻的进行相伴产生的气体状的副产物从处理容器内除去，抑制由副产物的影响导致的附着物质的蚀刻效率降低。
(h)通过在进行蚀刻后进行在第1温度以上的第2温度下对处理容器内进行加热的步骤d，从而能够使处理容器内残留的副产物升华。由此，能够促进副产物从处理容器内的除去，抑制由副产物的影响导致的附着物质的蚀刻效率降低。
需要说明的是，在步骤d中，通过使处理容器内为比第1温度高的第2温度，从而能够进一步提高此处说明的效果。
另外，在步骤d中，通过使用非活性气体对处理容器内进行吹扫，从而能够高效地将升华后的副产物从处理容器内除去，进一步提高此处说明的效果。
(i)通过使步骤a中的处理压力为第1压力，使步骤b1中的处理压力为比第1压力高的第2压力，使步骤b2中的处理压力为第2压力以上的第3压力，从而能够提高附着物质的蚀刻效率。另外，通过使步骤b2中的处理压力为第2压力以上的第3压力，从而能够抑制被蚀刻的附着物质在处理容器内的再附着。其结果，能够缩短清洁时间。
(j)通过在将第1～第3压力按照上述各种方式设定的同时，使步骤c中的处理压力为比第3压力低的第4压力，从而能够提高附着物质的蚀刻效率。即，能够提高将与附着物质的蚀刻的进行相伴产生的气体状的副产物从处理容器内除去的除去效率，抑制该物质向处理容器内的附着，由此，能够较高地维持附着物质的蚀刻效率。作为结果，能够缩短清洁时间。需要说明的是，通过使第4压力低于第3压力，从而能够充分获得此处说明的效果。另外，通过使第4压力低于第2压力，从而能够进一步提高此处说明的效果。另外，通过使第4压力低于第1压力，从而能够进一步提高此处说明的效果。
(k)通过在将第1～第4压力按照上述各种方式设定的同时，使步骤d中的处理压力为比第3压力低的第5压力，从而能够提高附着物质的蚀刻效率。即，能够提高将与附着物质的蚀刻的进行相伴产生的气体状的副产物从处理容器内除去的除去效率，抑制该物质向处理容器内的附着，由此，能够维持附着物质的蚀刻效率高。作为结果，能够缩短清洁时间。需要说明的是，通过使第5压力低于第3压力，从而能够充分获得此处说明的效果。另外，通过使第5压力低于第2压力，从而能够进一步提高此处说明的效果。另外，通过使第5压力低于第1压力，从而能够进一步提高此处说明的效果。
(l)通过使步骤a中的含N及H气体的供给流量大于步骤b中的含F气体的供给流量，从而能够高效地对处理容器内的附着物质进行蚀刻，缩短清洁时间。
(m)通过使步骤a中的含N及H气体的供给时间比步骤b中的含F气体的供给时间长，从而能够高效地对处理容器内的附着物质进行蚀刻，缩短清洁时间。
(n)在蚀刻中，通过作为一种气体使用含N及H气体，作为另一种气体使用含F气体，从而能够显著地获得上述1个或多个效果。
(o)在蚀刻中，通过作为一种气体使用NH3气体、N2H2气体、N2H4气体及N3H8气体中的至少任一种气体，作为另一种气体使用F2气体、ClF3气体、ClF气体、NF3气体及HF气体中的至少任一种气体，从而能够更显著地获得上述1个或多个效果。
(p)在蚀刻中，通过作为一种气体使用NH3气体、作为另一种气体使用HF气体，从而能够显著地获得上述1个或多个效果。特别是，在作为另一种气体使用HF气体的情况下，在步骤b1、b2中进行蚀刻反应时，能够使处理容器内产生水分(H2O)，能够使用该水分促进处理容器内的附着物质的蚀刻。在该情况下，上述第1温度优选为所产生的水分不易被从处理容器内除去的低温的温度条件。
(q)上述1个或多个效果在通过进行针对晶片200的处理而附着于处理容器的物质为包含硅氧化物(SiO膜)等包含Si和O的物质的情况下，能够尤为显著地获得。
(r)本方式的蚀刻由于在非等离子体的气氛下进行，因此能够提高处理容器内的附着物质的蚀刻量的控制性。另外，本方式的升华由于在非等离子体的气氛下进行，因此还能够避免处理容器内的构件的等离子体损伤。
(s)上述效果在衬底处理中使用上述各种硅烷类气体、上述含O气体、含H气体的情况下、在清洁处理中使用上述含N及H气体、上述含F气体的情况下、在以上各处理中使用上述各种非活性气体的情况下也能够同样地获得。
(5)变形例
本方式的清洁处理时序能够按照以下所示的变形例的方式变更。这些变形例能够任意组合。只要没有特别说明，各变形例的各步骤中的处理步骤、处理条件能够与上述清洁处理的各步骤中的处理步骤、处理条件相同。
(变形例1)
也可以如以下所述的清洁时序所示，在步骤a中，作为含N及H气体和含F气体中的一种气体供给含F气体，在步骤b中，作为含N及H气体和含F气体中的与一种气体不同的另一种气体供给含N及H气体。在这些情况下也能够获得上述方式中说明的效果中的至少一部分效果。
(含F气体→含N及H气体→吹扫)×m→升华
(变形例2)
也可以如以下所述的清洁时序所示，在各循环中不实施步骤c。在这些情况下也能够获得上述方式中说明的效果中的至少一部分效果。
(含N及H气体→含F气体)×m→升华
(含F气体→含N及H气体)×m→升华
(变形例3)
如以下所述的清洁时序所示，也可以在各循环中在步骤a与步骤b(步骤b1)之间的定时进行处理容器内的吹扫。在步骤a、b间的定时进行的吹扫能够在与上述步骤c中的处理步骤、处理条件同样的处理步骤、处理条件下进行。在这些情况下也能够获得上述方式中说明的效果中的至少一部分效果。需要说明的是，在本变形例中，由于使含N及H气体和含F气体的混合量减少，因此能够抑制以上反应，能够以微细量进行蚀刻。由此，本变形例在处理容器内的附着物质的厚度薄的情况下尤其有效。
(含N及H气体→吹扫→含F气体)×m→升华
(含F气体→吹扫→含N及H气体)×m→升华
(含N及H气体→吹扫→含F气体→吹扫)×m→升华
(含F气体→吹扫→含N及H气体→吹扫)×m→升华
(变形例4)
如以下所述的清洁时序所示，也可以重复进行蚀刻和升华(以下，m为1以上的整数，p为2以上的整数)。在该情况下也能够获得上述方式中说明的效果中的至少一部分的效果。需要说明的是，本变形例在处理容器内的附着物质的厚度厚的情况下尤其有效。
〔(含N及H气体→含F气体→吹扫)×m→升华〕×p
〔(含F气体→含N及H气体→吹扫)×m→升华〕×p
＜本发明的其他方式＞
以上对本发明的方式进行了具体说明。但本发明并非限定于上述方式，能够在不脱离其要旨的范围内实施多种变更。
在上述方式中，以在清洁处理中在进行蚀刻后进行升华的情况为例进行说明，但本发明不限定于此，也可以不实施升华、即不实施步骤d。在该情况下也能够获得上述方式中说明的效果中的至少一部分的效果。特别是，根据上述方式，由于在各循环中进行步骤c，因此根据步骤c中的处理条件，即使不进行升华处理这样的追加工序，也能够在各循环中进行的步骤c中，将与蚀刻的进行相伴产生的副产物从处理容器内充分地除去。
在上述方式中，以下述情况为例进行说明(但本发明不限定于此)：在步骤a中供给含N及H气体后，在步骤b1中，在使处理容器内的排气停止的状态下供给含F气体，在步骤b2中，在实施处理容器内的排气的状态下供给含F气体。例如，在执行步骤a后，也可以不执行步骤b1而执行步骤b2。在该情况下也能够获得上述方式中说明的效果中的至少一部分的效果。
在上述方式中，以在步骤b中使向处理容器内的含N及H气体的供给停止后，使向处理容器内的含F气体的供给开始的情况为例进行说明，但本发明不限定于此。例如，也可以使步骤a中的含N及H气体的供给与步骤b中的含F气体的供给的至少一部分重叠。在该情况下也能够获得上述方式中说明的效果中的至少一部分的效果。需要说明的是，在该情况下，能够进一步提高蚀刻速率，能够提高蚀刻效率。作为结果，还能够进一步缩短清洁时间。
另外，在上述方式中，对在衬底处理中在晶片200上形成SiO膜的例子进行了说明。但本发明不限定于此。例如，也能够将上述清洁处理优选应用于在衬底处理中在晶片200上形成硅氧碳化膜(SiOC膜)、硅氧碳氮化膜(SiOCN膜)、硅氧氮化膜(SiON膜)等Si类氧化膜的情况。另外，也能够将上述清洁处理优选应用于在晶片200上形成氧化钛膜(TiO膜)、氧化铝膜(AlO膜)、氧化铪膜(HfO膜)、氧化锆膜(ZrO膜)等金属类氧化膜的情况。在这些情况下也能够获得上述方式中说明的效果中的至少一部分效果。
优选各处理中使用的制程对应于处理内容单独准备，并经由电气通信线路、外部存储装置123预先保存在存储装置121c内。并且，优选在使各处理开始时，由CPU121a对应于处理内容从存储装置121c内保存的多个制程中适当选择适当的制程。由此，能够再现性良好地使用1台衬底处理装置形成多个膜种、组成比、膜质、膜厚的膜。另外，能够在减轻操作者的负担、避免操作失误的同时，使各处理迅速开始。
上述制程不限于新制备的情况，例如，也可以通过对已安装于衬底处理装置的现有制程进行变更来准备。在对制程进行变更的情况下，也可以将变更后的制程经由电气通信线路、记录有该制程的记录介质安装于衬底处理装置。另外，也可以对现有衬底处理装置具备的输入输出装置122进行操作，直接对已安装于衬底处理装置的现有制程进行变更。
在上述方式中，对于使用一次处理多张衬底的批量式衬底处理装置形成膜的例子进行了说明。本发明不限定于上述方式，例如，也能够优选应用于使用一次处理1张或几张衬底的单片式衬底处理装置形成膜的情况。另外，在上述方式中，对使用具有热壁型处理炉的衬底处理装置形成膜的例子进行了说明。本发明不限定于上述方式，也能够优选应用于使用具有冷壁型处理炉的衬底处理装置形成膜的情况。
在使用以上衬底处理装置的情况下，也能够在与上述方式中的处理步骤、处理条件相同的处理步骤、处理条件下进行各处理，能够获得与上述方式相同的效果。
上述方式能够适当组合使用。此时的处理步骤、处理条件例如能够与上述方式中的处理步骤、处理条件相同。
实施例
作为实施例，使用图1所示的衬底处理装置，通过与上述方式中的衬底处理同样的处理步骤、处理条件在处理容器内的晶片上形成SiO膜。之后，通过与上述方式中的清洁处理相同的处理步骤、处理条件将处理容器内的附着物质除去。需要说明的是，在步骤a中，作为含N及H气体使用NH3气体，在步骤b中，作为含F气体使用HF气体。
作为比较例，使用图1所示的衬底处理装置，通过与上述方式中的衬底处理相同的处理步骤、处理条件在处理容器内的晶片上形成SiO膜。处理步骤、处理条件与实施例中的处理步骤、处理条件相同。之后，为了将处理容器内的附着物质除去，向处理容器内单独供给HF气体。供给HF气体时的处理步骤、处理条件与实施例的步骤b1中的处理步骤、处理条件相同。
之后，分别针对实施例及比较例，对处理容器内的附着物质的蚀刻量进行测定。其结果，比较例中的附着物质的蚀刻量为
Figure BDA0003110401420000281
与此相对，实施例中的附着物质的蚀刻量为
Figure BDA0003110401420000282
像这样，确认到实施例的清洁处理中的蚀刻速率增加至比较例的清洁处理中的蚀刻速率的83倍以上。

Claims (23)

1.清洁方法，其为处理容器内的清洁方法，具有通过将包含下述工序的循环在第1温度下进行规定次数从而将附着于所述处理容器内的物质除去的工序：
(a)向进行针对衬底的处理后的所述处理容器内供给含氮及氢气体和含氟气体中的一种气体的工序；和
(b)向残留有所述一种气体的状态的所述处理容器内供给所述含氮及氢气体和所述含氟气体中的与所述一种气体不同的另一种气体的工序。
2.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，
在(a)中，向所述处理容器内充满所述一种气体，
在(b)中，将所述另一种气体混合于在所述处理容器内充满的所述一种气体。
3.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，
在(b)中，在停止向所述处理容器内供给所述一种气体后，开始向所述处理容器内供给所述另一种气体。
4.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，(b)具有下述工序：
(b1)在使所述处理容器内的排气停止的状态下，向所述处理容器内供给所述另一种气体的工序；和
(b2)在对所述处理容器内实施排气的状态下，向所述处理容器内供给所述另一种气体的工序。
5.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，在(a)中，在对所述处理容器内实施排气的状态下，向所述处理容器内供给所述一种气体。
6.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，所述循环还包含(c)在停止向所述处理容器内供给所述含氮及氢气体和所述含氟气体的状态下，对所述处理容器内进行排气的工序。
7.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，还具有(d)在第2温度下对所述处理容器内进行加热并排气的工序，所述第2温度为第1温度以上的温度。
8.根据权利要求4所述的清洁方法，其中，使(a)中的所述处理容器内的压力为第1压力，
使(b1)中的所述处理容器内的压力为比所述第1压力高的第2压力，
使(b2)中的所述处理容器内的压力为所述第2压力以上的第3压力。
9.根据权利要求4所述的清洁方法，其中，所述循环还包含(c)在停止向所述处理容器内供给所述含氮及氢气体和所述含氟气体的状态下，对所述处理容器内进行排气的工序，
使(a)中的所述处理容器内的压力为第1压力，
使(b1)中的所述处理容器内的压力为比所述第1压力高的第2压力，
使(b2)中的所述处理容器内的压力为所述第2压力以上的第3压力，
使(c)中的所述处理容器内的压力为比所述第3压力低的第4压力。
10.根据权利要求4所述的清洁方法，其中，所述循环还包含(c)在停止向所述处理容器内供给所述含氮及氢气体和所述含氟气体的状态下，对所述处理容器内进行排气的工序，
所述清洁方法还具有(d)在第2温度下对所述处理容器内进行加热并排气的工序，所述第2温度为所述第1温度以上的温度，
使(a)中的所述处理容器内的压力为第1压力，
使(b1)中的所述处理容器内的压力为比所述第1压力高的第2压力，
使(b2)中的所述处理容器内的压力为所述第2压力以上的第3压力，
使(c)中的所述处理容器内的压力为比所述第3压力低的第4压力，
使(d)中的所述处理容器内的压力为比所述第3压力低的第5压力。
11.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，使(a)中的所述一种气体的供给流量大于(b)中的所述另一种气体的供给流量。
12.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，使(b)中的所述另一种气体的供给时间比(a)中的所述一种气体的供给时间长。
13.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，通过将所述循环进行规定次数，从而将附着于所述处理容器内的所述物质的至少一部分除去，并将此时生成的副产物的一部分除去。
14.根据权利要求7所述的清洁方法，其中，通过将所述循环进行规定次数，从而将附着于所述处理容器内的所述物质的至少一部分除去，并将此时生成的副产物的一部分除去，
在(d)中，使所述处理容器内残留的所述副产物升华。
15.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，所述一种气体为所述含氮及氢气体，所述另一种气体为所述含氟气体。
16.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，所述含氮及氢气体包含NH3气体、N2H2气体、N2H4气体及N3H8气体中的至少任一者，
所述含氟气体包含F2气体、ClF3气体、ClF气体、NF3气体及HF气体中的至少任一者。
17.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，所述含氮及氢气体包含NH3气体，所述含氟气体包含HF气体。
18.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，附着于所述处理容器内的所述物质包含硅和氧。
19.根据权利要求7所述的清洁方法，其中，重复进行将附着于所述处理容器内的物质除去的工序和(d)。
20.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，在非等离子体的气氛下进行将附着于所述处理容器内的物质除去的工序。
21.半导体器件的制造方法，其具有：
向处理容器内的衬底供给处理气体，进行针对所述衬底的处理的工序；和
对进行针对所述衬底的处理后的所述处理容器内进行清洁的工序，
对所述处理容器内进行清洁的工序具有通过将包含下述工序的循环在第1温度下进行规定次数从而将附着于所述处理容器内的物质除去的工序：
(a)向进行针对所述衬底的处理后的所述处理容器内供给含氮及氢气体和含氟气体中的一种气体的工序；和
(b)向残留有所述一种气体的状态的所述处理容器内供给所述含氮及氢气体和所述含氟气体中的与所述一种气体不同的另一种气体的工序。
22.衬底处理装置，其具有：
处理容器，其进行针对衬底的处理；
含氮及氢气体供给系统，其向所述处理容器内供给含氮及氢气体；
含氟气体供给系统，其向所述处理容器内供给含氟气体；
温度调节部，其对所述处理容器内的温度进行调节；和
控制部，其构成为能够对所述含氮及氢气体供给系统、所述含氟气体供给系统及所述温度调节部进行控制以进行通过将包含下述处理的循环在第1温度下进行规定次数从而将附着于所述处理容器内的物质除去的处理：(a)向进行针对衬底的处理后的所述处理容器内供给所述含氮及氢气体和所述含氟气体中的一种气体的处理；和(b)向残留有所述一种气体的状态的所述处理容器内供给所述含氮及氢气体和所述含氟气体中的与所述一种气体不同的另一种气体的处理。
23.计算机可读取的记录介质，其记录有程序，所述程序通过计算机使衬底处理装置执行通过将包含下述步骤的循环在第1温度下进行规定次数从而将附着于所述衬底处理装置的处理容器内的物质除去的步骤：
(a)向进行针对衬底的处理后的所述处理容器内供给含氮及氢气体和含氟气体中的一种气体的步骤；和
(b)向残留有所述一种气体的状态的所述处理容器内供给所述含氮及氢气体和所述含氟气体中的与所述一种气体不同的另一种气体的步骤。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060213539A1 (en) * 2003-03-25 2006-09-28 Kazuhide Hasebe Method for cleaning thin-film forming apparatus
US20060257243A1 (en) * 2005-03-02 2006-11-16 Tokyo Electron Limited Reflecting device, communicating pipe, exhausting pump, exhaust system, method for cleaning the system, storage medium storing program for implementing the method, substrate processing apparatus, and particle capturing component
JP2008010662A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
WO2009119177A1 (ja) * 2008-03-28 2009-10-01 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置および記憶媒体
US20150099373A1 (en) * 2012-03-22 2015-04-09 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrate, substrate processing device and recording medium
JP2016154209A (ja) * 2015-02-16 2016-08-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
CN111326449A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、表面处理方法、衬底处理装置及记录介质

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5197554B2 (ja) * 2003-03-25 2013-05-15 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法
JP4325473B2 (ja) 2003-04-22 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置のクリーニング方法
JP2011134781A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP5751895B2 (ja) * 2010-06-08 2015-07-22 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置
JP6177601B2 (ja) 2013-06-25 2017-08-09 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び基板処理装置
CN107004624B (zh) * 2014-11-25 2020-06-16 应用材料公司 具有基板载体和净化腔室环境控制的基板处理系统、设备和方法
JP6826558B2 (ja) * 2018-06-04 2021-02-03 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP7113681B2 (ja) * 2018-06-28 2022-08-05 株式会社日立ハイテク エッチング処理方法およびエッチング処理装置
JP7138529B2 (ja) * 2018-09-28 2022-09-16 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060213539A1 (en) * 2003-03-25 2006-09-28 Kazuhide Hasebe Method for cleaning thin-film forming apparatus
US20060257243A1 (en) * 2005-03-02 2006-11-16 Tokyo Electron Limited Reflecting device, communicating pipe, exhausting pump, exhaust system, method for cleaning the system, storage medium storing program for implementing the method, substrate processing apparatus, and particle capturing component
JP2008010662A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
WO2009119177A1 (ja) * 2008-03-28 2009-10-01 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置および記憶媒体
US20150099373A1 (en) * 2012-03-22 2015-04-09 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrate, substrate processing device and recording medium
JP2016154209A (ja) * 2015-02-16 2016-08-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
CN111326449A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、表面处理方法、衬底处理装置及记录介质

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