CN114121043A - 磁盘装置以及重写处理方法 - Google Patents

Abstract

实施方式提供能提高写/读处理性能的磁盘装置和重写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有第1区域和第2区域，所述第1区域是对从位于半径方向的第1端部的第1初始磁道到位于在半径方向上与第1端部相反一侧的第1另一端部的第1最后磁道的多个磁道进行了写入的区域，所述第2区域位于在半径方向的第1方向上与第1区域隔开间隙的位置、且是沿着第1方向从位于半径方向的第2端部的第2初始磁道到位于半径方向的与第2端部相反一侧的第2另一端部的第2最后磁道对多个磁道进行了重叠写入的区域；头，其对盘写入数据，从盘读取数据；以及控制器，其对在第2区域进行了重叠写入的多个磁道的一部分，在作为与第1方向相反的方向的第2方向上偏置地进行重写。

Description

磁盘装置以及重写处理方法

本申请享受以日本特许申请2020-141690号(申请日：2020年8月25日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及磁盘装置以及重写处理方法。

背景技术

近年来，开发了具有实现高记录密度的技术的磁盘装置。作为实现高记录密度的磁盘装置，存在能够执行在盘的半径方向上对多个磁道进行重叠写入的叠瓦式记录型(Shingled write Magnetic Recording：SMR、或者Shingled Write Recording：SWR)的磁盘装置。另外，作为实现高记录密度的其他磁盘装置，也存在能够选择在盘的半径方向上隔开间隔来对多个磁道进行写入的通常记录型和叠瓦式记录型来加以执行的磁盘装置。

这些磁盘装置按包括预定数量的磁道的区域或者能够以叠瓦式记录的方式记录预定的数据容量的数据的区域(以下有时也称为带区域)来对数据进行叠瓦式记录。这些磁盘装置需要也以带区域为单位执行将在写入到预定的带区域的数据重新写入到相同的区域的处理(以下有时也称为刷新处理或者重写处理)、对预定的带区域的一部分区域进行数据的盖写的处理(以下有时也称为盖写处理)等。因此，在磁盘装置中，与对以通常记录型写入到了预定区域的数据进行刷新处理、盖写处理相比，对以叠瓦式记录型写入到了预定区域的数据进行刷新处理、盖写处理更需要时间，该通常记录型是对在盘的半径方向上连续地排列的多个磁道以隔开预定间隔的方式进行写入的型式。因此，能够执行叠瓦式记录型的磁盘装置的写/读的响应性可能低于仅以通常记录型写入数据的磁盘装置。

发明内容

本发明的实施方式提供能够提高写/读处理性能的磁盘装置以及重写处理方法。

本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有第1区域和第2区域，所述第1区域是对从位于半径方向的第1端部的第1初始磁道到位于在所述半径方向上与所述第1端部相反一侧的第1另一端部的第1最后磁道的多个磁道进行了写入的区域，所述第2区域位于在所述半径方向的第1方向上与所述第1区域隔开间隙的位置、且是沿着所述第1方向从位于所述半径方向的第2端部的第2初始磁道到位于所述半径方向的与所述第2端部相反一侧的第2另一端部的第2最后磁道对多个磁道进行了重叠写入的区域；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其对在所述第2区域进行了重叠写入的多个磁道的一部分，在第2方向上偏置地进行重写，所述第2方向是与所述第1方向相反的方向。

附图说明

图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。

图2是表示本实施方式涉及的盘的一个例子的示意图。

图3是表示叠瓦式记录处理的一个例子的示意图。

图4是表示叠瓦式记录带区域的配置的一个例子的示意图。

图5是表示写次数的表的一个例子的概要图。

图6是表示叠瓦式记录带区域的写处理的一个例子的示意图。

图7是表示第1实施方式涉及的重写处理的一个例子的示意图。

图8是表示第1实施方式涉及的重写处理方法的一个例子的流程图。

图9是表示变形例1涉及的读处理的一个例子的示意图。

图10是表示变形例1涉及的读方法的一个例子的流程图。

图11是表示变形例2涉及的重写处理的一个例子的示意图。

图12是表示变形例3涉及的读处理的一个例子的示意图。

图13是表示通常记录处理的一个例子的示意图。

图14是表示通常记录带区域和叠瓦式记录带区域的配置的一个例子的示意图。

图15是表示写次数的表的一个例子的概要图。

图16是表示通常记录带区域和叠瓦式记录带区域的写处理的一个例子的示意图。

图17是表示第2实施方式涉及的重写处理的一个例子的示意图。

图18是表示变形例4涉及的重写处理的一个例子的示意图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一个例子，并不限定发明的范围。

(第1实施方式)

图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。

磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下记载为头放大器IC或者前置放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓存)90以及作为一个芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100连接。

HDA具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、搭载了头15的臂13以及音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM12，通过SPM12的驱动进行旋转。臂13和VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动来将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。盘10和头15分别也可以设置有2个以上。

盘10对其能够写入数据的区域分配有能够由用户利用的用户数据区域10a、在将从主机等传送的数据(或者命令)写入到用户数据区域10a的预定区域之前暂时性地保持该数据(或者命令)的介质高速缓存(或者有时也称为介质高速缓存区域)10b以及写入系统管理所需要的信息的系统区10c。以下，将盘10的从内周朝向外周的方向、或者盘10的从外周朝向内周的方向称为半径方向。在半径方向上，将从内周朝向外周的方向称为外方向(外侧)，将从外周朝向内周的方向称为内方向(内侧)。将与盘10的半径方向交叉、例如正交的方向称为圆周方向。也即是，圆周方向相当于沿着盘10的圆周的方向。另外，有时也将盘10的半径方向上的预定位置称为半径位置，将盘10的圆周方向上的预定位置称为圆周位置。有时也将半径位置和圆周位置一并简称为位置。盘10按半径方向的预定范围被区分为多个区域(以下有时也称为分区(zone))。分区也可以按半径方向上的预定范围而包括多个区域(以下有时也称为带区域)。带区域包括多个磁道。例如，带区域相当于能够对预定数量的磁道进行写入的区域、或者能够写入预定的数据容量的数据的区域。磁道包括多个扇区。以下，有时也将分区、带区域以及磁道等分别称为半径区域。此外，“磁道”以在盘10的半径方向上区分而得到的多个区域中的一个区域、头15在预定的半径位置处的路径、在盘10的圆周方向上延长的数据、在预定的半径位置的磁道所写入的1周的量的数据、在盘10的预定磁道所写入的数据、在盘10的预定磁道所写入的数据的一部分、其他各种含义来使用。“扇区”以将盘10的预定磁道在圆周方向上区分而得到的多个区域中的一个区域、在盘10的预定的半径位置处的预定的圆周位置所写入的数据、在盘10的预定磁道的预定扇区所写入的数据、其他各种含义来使用。有时也将“对盘10进行了写入的磁道”称为“写磁道”，将“从盘10进行读取的磁道”称为“读磁道”。既有时将“写磁道”简称为“磁道”，也有时将“读磁道”简称为“磁道”，还有时将“写磁道”和“读磁道”一并称为“磁道”。有时也将“磁道的半径方向上的宽度”称为“磁道宽度”。有时也将“写磁道的半径方向上的宽度”称为“写磁道宽度”，将“读磁道的半径方向上的宽度”称为“读磁道宽度”。有时也将“写磁道宽度”简称为“磁道宽度”，将“读磁道宽度”简称为“磁道宽度”，将“写磁道宽度和读磁道宽度”一并简称为“磁道宽度”。将“通过预定磁道的磁道宽度的中心位置的路径”称为“磁道中央”。有时也将“通过预定的写磁道的写磁道宽度的中心位置的路径”称为“写磁道中央”，将“通过读磁道的读磁道宽度的中心位置的路径”称为“读磁道中央”。有时也将“写磁道中央”简称为“磁道中央”，将“读磁道中央”简称为“磁道中央”，将“写磁道中央和读磁道中央”一并简称为“磁道中央”。

头15将滑块作为主体，具备安装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W对盘10写入数据。读取头15R对在盘10所写入的数据进行读取。此外，既有时将“写入头15W”简称为“头15”，也有时将“读取头15R”简称为“头15”，还有时将“写入头15W和读取头15R”一并称为“头15”。有时也将“头15的中心部”称为“头15”，将“写入头15W的中心部”称为“写入头15W”，将“读取头15R的中心部”称为“读取头15R”。既有时将“写入头15W的中心部”简称为“头15”，也有时将“读取头15R的中心部”简称为“头15”。有时也用“将头15定位于预定磁道”、“将头15配置在预定磁道”或者“使头15位于预定磁道”等来表现“将头15的中心部定位于预定磁道的磁道中央”。

图2是表示本实施方式涉及的盘10的一个例子的示意图。如图2所示，在圆周方向上，将盘10进行旋转的方向称为旋转方向。此外，在图2所示的例子中，旋转方向以逆时针方向表示，但也可以是相反方向(顺时针方向)。在图2中，盘10被区分为位于内方向的内周区域IR、位于外方向的外周区域OR以及位于内周区域IR与外周区域OR之间的中周区域MR。

在图2所示的例子中，盘10包括用户数据区域10a、介质高速缓存10b以及系统区10c。在图2中，用户数据区域10a、介质高速缓存10b以及系统区10c朝向外方向按记载的顺序配置。在图2中，介质高速缓存10b在用户数据区域10a的外方向上相邻地配置。换言之，介质高速缓存10b配置在用户数据区域10a和系统区10c之间。在此，“相邻”当然包括数据、物体、区域以及空间等相接地排列，也包括隔开预定间隔来排列。在图2中，系统区10c在介质高速缓存10b的外方向上相邻地配置。此外，用户数据区域10a、介质高速缓存10b以及系统区10c的配置顺序并不限定为本图2的顺序，可以采取任意顺序。

在图2所示的例子中，用户数据区域10a在半径方向上从内周区域IR配置到外周区域OR。换言之，用户数据区域10a在半径方向上从盘10的最内周配置到外周区域OR的预定的半径位置。在图2所示的例子中，介质高速缓存10b在半径方向上配置在外周区域OR。此外，介质高速缓存10b也可以位于内周区域IR或者中周区域MR。另外，介质高速缓存10b也可以分散地位于外周区域OR、中周区域MR以及内周区域IR。在图2所示的例子中，系统区10c在半径方向上配置在外周区域OR。换言之，系统区10c从外周区域OR的预定位置配置到盘10的最外周。

在盘10的用户数据区域10a能够以叠瓦式记录(Shingled Write MagneticRecording:SMR或者Shingled Write Recording:SWR)型写入数据，该叠瓦式记录型是与预定磁道的半径方向上的一部分重叠来进行接下来要写入的磁道的写入的型式。以下，有时也将“以叠瓦式记录型写入数据”简称为“叠瓦式记录”或者“叠瓦式记录处理”。另外，有时也将“通常记录处理”以外的写处理称为“叠瓦式记录处理”。

在盘10的用户数据区域10a可以配置有包括通过叠瓦式记录进行了重叠写入的多个磁道的带区域。以下，有时也将“包括通过叠瓦式记录进行了重叠写入的多个磁道的带区域”称为“叠瓦式记录带区域”，将“叠瓦式记录带区域”简称为“带区域”。

在盘10的介质高速缓存10b和系统区10c能够以通常记录(ConventionalMagnetic Recording:CMR)型式写入数据，该通常记录型是以从预定磁道在半径方向上隔开预定间隔的方式对与该预定磁道在半径方向上相邻的磁道(以下有时也称为相邻磁道)进行写入的型式。以下，有时也将“以通常记录型写入数据”简称为“通常记录”或者“通常记录处理”。此外，在盘10的介质高速缓存10b和系统区10c也可以以通常记录型以外的记录型式、例如叠瓦式记录型写入数据。

如图2所示，头15相对于盘10通过VCM14的驱动来绕旋转轴进行旋转，从内方向朝向外方向移动而被配置在预定位置，或者从外方向朝向内方向移动而被配置在预定位置。

驱动器IC20按照系统控制器130(详细而言为后述的MPU60)的控制，对SPM12和VCM14的驱动进行控制。

头放大器IC(前置放大器)30具备读放大器和写驱动器等。读放大器对从盘10读取的读信号进行放大，并输出至系统控制器130(详细而言为后述的读/写(R/W)通道50)。写驱动器向头15输出与从R/W通道50输出的信号相应的写电流。

易失性存储器70是当电力供给被切断时、所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的各部的处理所需要的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器)或者SDRAM(SynchronousDynamic Random Access Memory，同步动态随机访问存储器)。

非易失性存储器80是即使电力供给被切断、也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如是NOR型或者NAND型的闪速ROM(Flash Read Only Memory：FROM)。

缓冲存储器90是暂时性地记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器90也可以与易失性存储器70构成为一体。缓冲存储器90例如是DRAM、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机访问存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory，铁电随机访问存储器)或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻随机访问存储器)等。

系统控制器(控制器)130例如可使用多个元件集成于单一芯片的被称为片上系统(System-on-a-Chip(SoC))的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括硬盘控制器(HDC)40、读/写(R/W)通道50、微处理器或者微型处理单元(MPU)60。HDC40、R/W通道50以及MPU60分别相互电连接。系统控制器130例如电连接于驱动器IC20、头放大器IC30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90以及主机系统100等。

HDC40根据来自后述的MPU60的指示，对主机100与R/W通道50之间的数据传送进行控制。HDC40例如电连接于易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等。

R/W通道50按照来自MPU60的指示，执行读数据和写数据的信号处理。R/W通道50具有对写数据进行调制的电路或者功能。另外，R/W通道50具有对读数据的信号品质进行测定的电路或者功能。R/W通道50例如电连接于头放大器IC30等。

MPU60是对磁盘装置1的各部进行控制的主控制器。MPU60经由驱动器IC20对VCM14进行控制，执行头15的定位。MPU60对向盘10写入数据的写动作进行控制，并且，选择从主机100传送的写数据的保存目的地。另外，MPU60对从盘10读取数据的读动作进行控制，并且，对从盘10传送至主机100的读数据的处理进行控制。另外，MPU60对记录数据的区域进行管理。MPU60连接于磁盘装置1的各部。MPU60例如电连接于驱动器IC20、HDC40以及R/W通道50等。

MPU60具备读/写控制部610、写计数部620以及重写(或者刷新)控制部630。MPU60在固件上执行各部、例如读/写控制部610、写计数部620以及重写控制部630等的处理。此外，MPU60也可以作为电路来具备各部、例如读/写控制部610、写计数部620以及重写(或者刷新)控制部630等。

读/写控制部610按照来自主机100的命令等，对数据的读处理和写处理进行控制。读/写控制部610经由驱动器IC20对VCM14进行控制，将头15定位在盘10上的预定位置，执行读处理或者写处理。

读/写控制部610以带区域、例如叠瓦式记录带区域为单位进行磁道(或者数据)的写入。读/写控制部610按照来自主机100的命令等，执行叠瓦式记录处理。换言之，读/写控制部610按照来自主机100的命令等，对预定的带区域(预定的叠瓦式记录带区域)进行数据的叠瓦式记录。以下，在叠瓦式记录带区域中，有时也将被进行了叠瓦式记录的一个关联的数据、例如被进行了叠瓦式记录的多个磁道中的在一端部初始被进行了叠瓦式记录的磁道称为初始叠瓦式记录磁道，将在与一端部相反侧的另一端部最后被进行叠瓦式记录且没有重叠其他磁道的磁道称为最后叠瓦式记录磁道。另外，读/写控制部610在预定的叠瓦式记录带区域中以顺序(sequential)的方式进行数据或者磁道的写入。此外，读/写控制部610也可以按照来自主机100的命令等，执行通常记录处理。换言之，读/写控制部610按照来自主机100的命令等，进行数据的通常记录。

图3是表示叠瓦式记录处理的一个例子的示意图。在图3中表示了叠瓦式记录带区域SBA。在图3所示的例子中，叠瓦式记录带区域SBA包括磁道STRe、STRe+1、STRe+2、……、STRe+(n－1)以及STRe+n。在叠瓦式记录带区域SBA中，磁道STRe～STRe+n在半径方向上连续地被进行重叠写入。在图3中表示了顺向。在半径方向上，有时也将对多个磁道连续地进行叠瓦式记录的方向或者顺序且连续地进行记录的方向称为顺向。也即是，顺向相当于在半径方向上从初始叠瓦式记录磁道朝向最后叠瓦式记录磁道的方向。在半径方向上，有时也将与顺向相反的方向称为逆向。也即是，逆向相当于在半径方向上从最后叠瓦式记录磁道朝向初始叠瓦式记录磁道的方向。在图3的半径方向上，顺向相当于内方向。以下，设为顺向相当于内方向来进行说明。此外，顺向也可以对应于与内方向不同的方向、例如外方向。在图3中，磁道STRe位于叠瓦式记录带区域SBA的逆向的最端部(端部或者一端部)SBEe1。也即是，在图3中，磁道STRe相当于初始叠瓦式记录磁道。在图3中，磁道STRe+n位于叠瓦式记录带区域SBA的顺向的最端部(端部或者另一端部)SBEe2。也即是，在图3中，磁道STRe+n相当于最后叠瓦式记录磁道。有时也将用写入头15W在盘10进行了写入的磁道STRe称为写磁道WTe，将用写入头15W在盘10进行了写入的磁道STRe+1称为写磁道WTe+1，将用写入头15W在盘10进行了写入的磁道STRe+2称为写磁道WTe+2，将用写入头15W在盘10进行了写入的磁道STRe+(n－1)称为写磁道WTe+(n－1)，将用写入头15W在盘10进行了写入的磁道STRe+n称为写磁道WTe+n。写磁道WTe～WTe+n为相同的写磁道宽度WTWa。以下，设为各写磁道的各写磁道宽度相同来进行说明。此外，写磁道WTe～WTe+n也可以是不同的写磁道宽度。“相同”、“同一”、“一致”以及“同等”等术语当然包括完全相同这一含义，也包括在可视为实质上相同的程度上不同这一含义。写磁道WTe(磁道STRe)～写磁道WTe+n(磁道STRe+n)分别在半径方向上以磁道间距WTPa进行写入。此外，写磁道WTe(磁道STRe)～写磁道WTe+n(磁道STRe+n)分别也可以在半径方向上以不同的磁道间距进行写入。磁道间距例如相当于相邻的两个磁道的磁道中央之间的半径方向上的距离。在图3所示的例子中，写磁道WTe的磁道中央WTCe和写磁道WTe+1的磁道中央WTCe+1在半径方向上相距磁道间距WTPa来进行写入。例如，写磁道WTe+1的磁道中央WTCe+1和写磁道WTe+2的磁道中央WTCe+2在半径方向上相距磁道间距WTPa来进行写入。另外，例如写磁道WTe+(n－1)的磁道中央WTCe+(n－1)和写磁道WTe+n的磁道中央WTCe+n在半径方向上相距磁道间距WTPa来进行写入。另外，写磁道WTe(磁道STRe)～写磁道WTe+n(磁道STRe+n)分别被与在顺向上按顺序地写入的各磁道的前一个进行了写入的磁道(以下有时也简称为之前的磁道)的半径方向上的一部分重叠地进行写入。在图3中，写磁道WTe(磁道STRe)～写磁道WTe+n(磁道STRe+n)分别以从之前的磁道的顺向上的端部起的半径方向上的长度或者范围(以下有时也称为半径范围或者半径区域)OW来被进行重叠写入。以下，有时也将预定磁道和与该磁道重叠地进行了写入的磁道的重叠的半径范围(或者半径区域)OW称为重叠范围OW。在图3中，写磁道WTe(磁道STRe)～写磁道WTe+n(磁道STRe+n)也可以分别以与重叠范围OW不同的重叠范围进行重叠写入。在图3中，写磁道WTe(磁道STRe)相当于初始叠瓦式记录磁道STRe，写磁道WTe+n(磁道STRe+n)相当于最后叠瓦式记录磁道STRe+n。

在各磁道中，有时也将没有重叠其他磁道的区域称为读磁道。在图3中，有时也将写磁道WTe的没有重叠写磁道WTe+1的区域称为读磁道RTe(磁道STRe)，将写磁道WTe+1的没有重叠写磁道WTe+2的区域称为读磁道RTe+1(磁道STRe+1)，将写磁道WTe+(n－1)的没有重叠写磁道WTe+n的区域称为读磁道RTe+(n－1)(磁道STRe+(n－1))。另外，有时也将最后叠瓦式记录磁道STRe+n(写磁道WTe+n)称为读磁道RTe+n。在图3中，读磁道RTe(磁道STRe)～RTe+(n－1)(磁道STRe+(n－1))为相同的读磁道宽度RTWa。以下，设为最后叠瓦式记录磁道以外的各读磁道的各读磁道宽度相同来进行说明。此外，读磁道RTe～RTe+(n－1)也可以为不同的读磁道宽度。另外，读磁道RTe+n(最后叠瓦式记录磁道STRe+n)是比其他读磁道RTe～RTe+(n－1)的读磁道宽度RTWa大的读磁道宽度RTWb。读磁道宽度RTWb相当于写磁道宽度WTWa。在图3所示的例子中，读磁道宽度RTWb与磁道STRe+(n－1)和磁道STRe+n的重叠范围OW的差分相当于半径方向上的宽度RTWa。在图3中，为了便于说明，将各磁道表示为以预定的磁道宽度在圆周方向上延伸的长方形状，但实际上是沿着圆周方向弯曲。另外，各磁道也可以是一边在半径方向上变动、一边在圆周方向上延伸的波状。

在图3所示的例子中，读/写控制部610在用户数据区域10a的叠瓦式记录带区域SBA中，对写磁道WTe、WTe+1、WTe+2、……、WTe+(n－1)以及WTe+n按记载的顺序朝向顺向以顺序的方式进行叠瓦式记录。换言之，读/写控制部610在用户数据区域10a的叠瓦式记录带区域SBA中，对磁道STRe(写磁道WTe)、磁道STRe+1(写磁道WTe+1)、磁道STRe+2(写磁道WTe+2)、……、磁道STRe+(n－1)(写磁道WTe+(n－1))以及磁道STRe+n(写磁道WTe+n)按记载的顺序沿着顺向进行重叠写入。

在图3所示的例子中，读/写控制部610在用户数据区域10a的叠瓦式记录带区域SBA中，将头15定位在磁道中央WTCe来对写磁道WTe进行写入。读/写控制部610在叠瓦式记录带区域SBA中将头15定位在从写磁道WTe的磁道中央WTCe沿着顺向离开了磁道间距WTPa的磁道中央WTCe+1来将写磁道WTe+1叠瓦式记录于写磁道WTe。读/写控制部610在叠瓦式记录带区域SBA中，将头15定位在从写磁道WTe+1的磁道中央WTCe+1沿着顺向离开了磁道间距WTPa的磁道中央WTCe+2来将写磁道WTe+2叠瓦式记录于写磁道WTe+1。读/写控制部610在叠瓦式记录带区域SBA中，将头15定位在从写磁道WTe+(n－1)的磁道中央WTCe+(n－1)沿着顺向离开了磁道间距WTPa的磁道中央WTCe+n来将写磁道WTe+n叠瓦式记录于写磁道WTe+(n－1)。

图4是表示叠瓦式记录带区域SBA1和SBA2的配置的一个例子的示意图。在图4中表示了在半径方向上相邻地排列的2个叠瓦式记录带区域SBA(SBA1和SBA2)。在图4中，叠瓦式记录带区域SBA1和SBA2为相同的半径方向上的宽度(以下有时也称为叠瓦式记录带宽度)SBWa。换言之，在图4中，叠瓦式记录带区域SBA1和SBA2的面积相同。此外，叠瓦式记录带区域SBA1和SBA2也可以为不同的叠瓦式记录带宽度。换言之，叠瓦式记录带区域SBA1和SBA2的面积也可以不同。在半径方向上相邻的2个带区域为了减轻对相互的带区域进行了数据的写入时所产生的写溢出、漏磁场等的影响而隔开预定间隔(以下有时也称为保护磁道或者保护间隙)来配置。在图4中，叠瓦式记录带区域SBA1和叠瓦式记录带区域SBA2隔开保护磁道(或者有时也称为保护间隙)的半径方向上的长度GTa来配置。以下，有时也将保护磁道(保护间隙或者间隙)的半径方向上的长度GTa简称为保护磁道(或者保护间隙)GTa。在图4中，为了便于说明，将叠瓦式记录带区域SBA(SBA1)和叠瓦式记录带区域SBA(SBA2)表示为在圆周方向上延伸的长方形状，但实际上是沿着圆周方向弯曲。

读/写控制部610按照主机100等的命令，在用户数据区域10a中，对叠瓦式记录带区域SBA1以顺序的方式进行多个磁道的写入。读/写控制部610按照主机100等的命令，在用户数据区域10a中，对从叠瓦式记录带区域SBA1在半径方向上离开了保护间隙GTa的叠瓦式记录带区域SBA2以顺序的方式进行多个磁道的写入。

写计数部620对进行了数据的写入的次数(以下有时也称为写次数)进行计数。写计数部620对将数据写入到了位于在半径方向上距作为对象的区域(以下有时也称为对象区域)为预定范围内的区域(以下有时也称为接近区域)的写次数(以下有时也称为接近区域写次数)进行计数。例如，写计数部620对将数据写入到了位于在顺向上距对象区域为预定范围内的接近区域(以下有时也称为顺向接近区域)的接近区域写次数(以下有时也称为顺向接近区域写次数)进行计数。另外，例如写计数部620对将数据写入到了位于在逆向上距对象区域为预定范围内的接近区域(以下有时也称为逆向接近区域)的接近区域写次数(以下有时也称为逆向接近区域写次数)进行计数。写计数部620也可以将写次数作为表保持于预定的记录区域、例如盘10的系统区10c、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90等。

写计数部620在对位于在半径方向上距对象区域为预定范围内的接近区域写入了数据的情况下，使接近区域写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部620在对位于在半径方向上距对象区域为预定范围内的接近区域写入了数据的情况下，使接近区域写次数增加(递增)1。写计数部620在对顺向接近区域写入了数据的情况下，使顺向接近区域写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部620在对顺向接近区域写入了数据的情况下，使顺向接近区域写次数增加(递增)1。写计数部620在对逆向接近区域写入了数据的情况下，使逆向接近区域写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部620在对逆向接近区域写入了数据的情况下，使逆向接近区域写次数增加(递增)1。

写计数部620对将数据写入到了在半径方向上与对象区域相邻的区域(以下有时也称为相邻区域)的写次数(以下有时也称为相邻区域写次数)进行计数。例如，写计数部620对将数据写入到了与对象区域在顺向上相邻的相邻区域(以下有时也称为顺向相邻区域)的相邻区域写次数(以下有时也称为顺向相邻区域写次数)进行计数。另外，例如写计数部620对将数据写入到了与对象区域在逆向上相邻的相邻区域(以下有时也称为逆向相邻区域)的相邻区域写次数(以下有时也称为逆向相邻区域写次数)进行计数。

写计数部620在对与对象区域在半径方向上相邻的相邻区域写入了数据的情况下，使相邻区域写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部620在对与对象区域在半径方向上相邻的相邻区域写入了数据的情况下，使相邻区域写次数增加(递增)1。写计数部620在对顺向相邻区域写入了数据的情况下，使顺向相邻区域写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部620在对顺向相邻区域写入了数据的情况下，使顺向相邻区域写次数增加(递增)1。写计数部620在对逆向相邻区域写入了数据的情况下，使逆向相邻区域写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部620在对逆向相邻区域写入了数据的情况下，使逆向相邻区域写次数增加(递增)1。

写计数部620对将数据写入到了与作为对象的带区域(以下有时也称为对象带区域)在半径方向上相邻的带区域(以下有时也称为相邻带区域)的写次数(以下有时也称为相邻带写次数)进行计数。换言之，写计数部620对将数据写入到了与作为对象的叠瓦式记录带区域(以下有时也称为对象带区域或者对象叠瓦式记录带区域)在半径方向上相邻的叠瓦式记录带区域(以下有时也称为相邻带区域或者相邻叠瓦式记录带区域)的写次数(以下有时也称为相邻带写次数或者相邻叠瓦式记录带写次数)进行计数。例如，写计数部620对将数据写入到了与对象带区域在顺向上相邻的相邻带区域(以下有时也称为顺向相邻带区域)的相邻带写次数(以下有时也称为顺向相邻带写次数)进行计数。换言之，写计数部620对将数据写入到了与对象叠瓦式记录带区域在顺向上相邻的相邻叠瓦式记录带区域(以下有时也称为顺向相邻带区域或者顺向相邻叠瓦式记录带区域)的相邻叠瓦式记录带写次数(以下有时也称为顺向相邻带写次数或者顺向相邻叠瓦式记录带写次数)进行计数。另外，例如写计数部620对将数据写入到了与对象带区域在逆向上相邻的相邻带区域(以下有时也称为逆向相邻带区域)的相邻带写次数(以下有时也称为逆向相邻带写次数)进行计数。换言之，写计数部620对将数据写入到了与对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的相邻叠瓦式记录带区域(以下有时也称为逆向相邻带区域或者逆向相邻叠瓦式记录带区域)的相邻叠瓦式记录带写次数(以下有时也称为相邻叠瓦式记录带写次数或者逆向相邻带写次数)进行计数。

写计数部620在对与对象带区域(对象叠瓦式记录带区域)在半径方向上相邻的相邻带区域(相邻叠瓦式记录带区域)写入了数据的情况下，使相邻带写次数(相邻叠瓦式记录带写次数)增加(递增)预定值。例如，写计数部620在将数据写入到了与对象带区域(对象叠瓦式记录带区域)在半径方向上相邻的相邻带区域(相邻叠瓦式记录带区域)的情况下，使相邻带写次数(相邻叠瓦式记录带写次数)增加(递增)1。写计数部620在对顺向相邻带区域(顺向相邻叠瓦式记录带区域)写入了数据的情况下，使顺向相邻带写次数(顺向相邻叠瓦式记录带写次数)增加(递增)预定值。例如，写计数部620在对顺向相邻带区域(顺向相邻叠瓦式记录带区域)写入了数据的情况下，使顺向相邻带写次数(顺向相邻叠瓦式记录带写次数)增加(递增)1。写计数部620在对逆向相邻带区域(逆向相邻叠瓦式记录带区域)写入了数据的情况下，使逆向相邻带写次数(逆向相邻叠瓦式记录带写次数)增加(递增)预定值。例如，写计数部620在对逆向相邻带区域(逆向相邻叠瓦式记录带区域)写入了数据的情况下，使逆向相邻带写次数(逆向相邻叠瓦式记录带写次数)增加(递增)1。

写计数部620对将数据写入到了位于在半径方向上距作为对象的磁道(以下有时也称为对象磁道)或者对象带区域(例如、对象叠瓦式记录带区域)为预定范围内的磁道(以下有时也称为接近磁道)的写次数(以下有时也称为接近磁道写次数)进行计数。例如，写计数部620对将数据写入到了位于距对象磁道或者对象带区域(例如对象叠瓦式记录带区域)为顺向上的预定范围内的接近磁道(以下有时也称为顺向接近磁道)的接近磁道写次数(以下有时也称为顺向接近磁道写次数)进行计数。另外，例如写计数部620对将数据写入到了位于距对象磁道或者对象带区域(例如对象叠瓦式记录带区域)为逆向上的预定范围内的接近磁道(以下有时也称为逆向接近磁道)的接近磁道写次数(以下有时也称为逆向接近磁道写次数)进行计数。此外，也可以通过制造阶段的测定来对写入了数据时给对象区域带来写溢出、漏磁场等的影响的磁道进行检测，将该检测到的磁道设定为接近磁道。另外，也可以在动作处理时对写入了数据时给对象区域带来写溢出、漏磁场等的影响的磁道进行检测，将该检测到的磁道设定为接近磁道。

写计数部620在将数据写入到了位于在半径方向上距对象磁道或者对象带区域(例如对象叠瓦式记录带区域)为预定范围内的接近磁道的情况下，使接近磁道写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部620在将数据写入到了位于在半径方向上距对象磁道或者对象带区域(例如对象叠瓦式记录带区域)为预定范围内的接近磁道的情况下，使接近磁道写次数增加(递增)1。写计数部620在对顺向接近磁道写入了数据的情况下，使顺向接近磁道写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部620在对顺向接近磁道写入了数据的情况下，使顺向接近磁道写次数增加(递增)1。写计数部620在对逆向接近磁道写入了数据的情况下，使逆向接近磁道写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部620在对逆向接近磁道写入了数据的情况下，使逆向接近磁道写次数增加(递增)1。

写计数部620对将数据写入到了与对象磁道或者对象带区域(例如对象叠瓦式记录带区域)在半径方向上相邻的磁道(以下有时也称为相邻磁道)的写次数(以下有时也称为相邻磁道写次数)进行计数。例如，写计数部620对将数据写入到了与对象磁道或者对象带区域(例如对象叠瓦式记录带区域)在顺向上相邻的相邻磁道(以下有时也称为顺向相邻磁道)的相邻磁道写次数(以下有时也称为顺向相邻磁道写次数)进行计数。另外，例如写计数部620对将数据写入到了与对象磁道或者对象带区域(例如对象叠瓦式记录带区域)在逆向上相邻的相邻磁道(以下有时也称为逆向相邻磁道)的相邻磁道写次数(以下有时也称为逆向相邻磁道写次数)进行计数。

写计数部620在对与对象磁道或者对象带区域(例如对象叠瓦式记录带区域)在半径方向上相邻的相邻磁道写入了数据的情况下，使相邻磁道写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部620在对与对象磁道或者对象带区域(例如对象叠瓦式记录带区域)在半径方向上相邻的相邻磁道写入了数据的情况下，使相邻磁道写次数增加(递增)1。写计数部620在对顺向相邻磁道写入了数据的情况下，使顺向相邻磁道写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部620在对顺向相邻磁道写入了数据的情况下，使顺向相邻磁道写次数增加(递增)1。写计数部620在对逆向相邻磁道写入了数据的情况下，使逆向相邻磁道写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部620在对逆向相邻磁道写入了数据的情况下，使逆向相邻磁道写次数增加(递增)1。

图5是表示写次数的表TB1的一个例子的概要图。图5所示的表TB1包括带区域和写次数。图5的表TB1的带区域包括叠瓦式记录带区域SBA1和叠瓦式记录带区域SBA2。如图4所示，图5所示的叠瓦式记录带区域SBA1和SBA2在半径方向上相互相邻地配置。例如如图4所示，叠瓦式记录带区域SBA2与叠瓦式记录带区域SBA1在顺向上相邻。图5的表TB1的写次数包括与叠瓦式记录带区域SBA1对应的逆向相邻带写次数WCO1以及顺向相邻带写次数WCI1、和与叠瓦式记录带区域SBA2对应的逆向相邻带写次数WCO2以及顺向相邻带写次数WCI2。此外，作为与叠瓦式记录带区域SBA1对应的写次数，也可以仅逆向相邻带写次数WCO1保持于表TB1。作为与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数，也可以仅逆向相邻带写次数WCO2保持于表TB1。与叠瓦式记录带区域SBA1对应的逆向相邻带写次数WCO1相当于对与叠瓦式记录带区域SBA1在逆向上相邻的带区域写入了数据的写次数。与叠瓦式记录带区域SBA1对应的顺向相邻带写次数WCI1相当于对叠瓦式记录带区域SBA2写入了数据的写次数。与叠瓦式记录带区域SBA2对应的逆向相邻带写次数WCO2相当于对叠瓦式记录带区域SBA1写入了数据的写次数。另外，与叠瓦式记录带区域SBA2对应的顺向相邻带写次数WCI2相当于对与叠瓦式记录带区域SBA2在顺向上相邻的带区域写入了数据的写次数。另外，图5的表TB1的写次数也可以包括与叠瓦式记录带区域SBA1对应的逆向相邻磁道写次数、与叠瓦式记录带区域SBA1对应的顺向相邻磁道写次数、与叠瓦式记录带区域SBA2对应的逆向相邻磁道写次数以及与叠瓦式记录带区域SBA2对应的顺向相邻磁道写次数。与叠瓦式记录带区域SBA1对应的逆向相邻磁道写次数例如相当于对与叠瓦式记录带区域SBA1在逆向上相邻的逆向相邻叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道写入了数据的写次数。与叠瓦式记录带区域SBA1对应的顺向相邻磁道写次数例如相当于对叠瓦式记录带区域SBA2的初始叠瓦式记录磁道写入了数据的写次数。与叠瓦式记录带区域SBA2对应的逆向相邻磁道写次数例如相当于对叠瓦式记录带区域SBA1的最后叠瓦式记录磁道写入了数据的写次数。另外，与叠瓦式记录带区域SBA2对应的顺向相邻磁道写次数例如相当于对与叠瓦式记录带区域SBA2在顺向上相邻的顺向相邻叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道写入了数据的写次数。

在图5所示的例子中，写计数部620在数据被写入到了叠瓦式记录带区域(逆向相邻叠瓦式记录带区域)SBA1的情况下，使逆向相邻带写次数WCO2增加(或者递增)1。换言之，写计数部620在数据被写入到了叠瓦式记录带区域SBA1的情况下，对逆向相邻带写次数WCO2加上1。

此外，写计数部620也可以在数据被写入到了叠瓦式记录带区域(逆向相邻叠瓦式记录带区域)SBA1的最后叠瓦式记录磁道的情况下，使逆向相邻磁道写次数增加(或者递增)1。换言之，写计数部620也可以在数据被写入到了叠瓦式记录带区域SBA1的最后叠瓦式记录磁道的情况下，对逆向相邻磁道写次数加上1。

在图5所示的例中，写计数部620在数据被写入到了与叠瓦式记录带区域SBA2在顺向上相邻的叠瓦式记录带区域(顺向相邻叠瓦式记录带区域)的情况下，使顺向相邻带写次数WCI2增加(或者递增)1。换言之，写计数部620在数据被写入到了与叠瓦式记录带区域SBA2在顺向上相邻的叠瓦式记录带区域的情况下，对顺向相邻带写次数WCI2加上1。

此外，写计数部620也可以在数据被写入到了与叠瓦式记录带区域SBA2在顺向上相邻的叠瓦式记录带区域(顺向相邻叠瓦式记录带区域)的初始叠瓦式记录磁道的情况下，使顺向相邻磁道写次数增加(或者递增)1。换言之，写计数部620也可以在数据被写入到了与叠瓦式记录带区域SBA2在顺向上相邻的叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道的情况下，对顺向相邻磁道写次数加上1。

在图5所示的例子中，写计数部620在数据被写入到了与叠瓦式记录带区域SBA1在逆向上相邻的叠瓦式记录带区域(逆向相邻叠瓦式记录带区域)的情况下，使逆向相邻带写次数WCO1增加(或者递增)1。换言之，写计数部620在数据被写入到了与叠瓦式记录带区域SBA1在逆向上相邻的叠瓦式记录带区域的情况下，对逆向相邻带写次数WCO1加上1。

此外，写计数部620也可以在数据被写入到了与叠瓦式记录带区域SBA1在逆向上相邻的叠瓦式记录带区域(逆向相邻叠瓦式记录带区域)的最后叠瓦式记录磁道的情况下，使逆向相邻磁道写次数增加(或者递增)1。换言之，写计数部620也可以在数据被写入到了与叠瓦式记录带区域SBA1在逆向上相邻的叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道的情况下，对逆向相邻磁道写次数加上1。

在图5所示的例子中，写计数部620在数据被写入到了叠瓦式记录带区域(顺向相邻叠瓦式记录带区域)SBA2的情况下，使顺向相邻带写次数WCI1增加(或者递增)1。换言之，写计数部620在数据被写入到了叠瓦式记录带区域SBA2的情况下，对顺向相邻带写次数WCI1加上1。

此外，写计数部620也可以在数据被写入到了叠瓦式记录带区域(顺向相邻叠瓦式记录带区域)SBA2的初始叠瓦式记录磁道的情况下，使顺向相邻磁道写次数增加(或者递增)1。换言之，写计数部620也可以在数据被写入到了叠瓦式记录带区域SBA2的初始叠瓦式记录磁道的情况下，对顺向相邻磁道写次数加上1。

重写控制部630执行将与在预定区域所写入的数据相同的数据重新写入到该区域的处理(以下有时也称为刷新处理)或者对预定区域进行数据的盖写或者改写的处理(以下有时也称为盖写处理或者改写处理)。以下，有时也将刷新处理和盖写处理(改写处理)一并称为重写或者重写处理。重写控制部630在判定为与预定区域对应的写次数超过了与该区域对应的写次数的阈值(以下有时也称为写次数阈值)的情况下，对该区域执行重写处理。重写控制部630在判定为与预定区域对应的写次数超过了与该区域对应的写次数阈值的情况下，对该区域的一部分进行重写。换言之，重写控制部630在判定为与预定区域对应的写次数超过了与该区域对应的写次数阈值的情况下，对该区域重写预先作为格式所设定的容量以下的数据。重写控制部630在对预定区域执行了重写处理的情况下，对该区域的写次数进行复位例如使之为0。

重写控制部630在判定为与对象区域对应的接近区域写次数(顺向接近区域写次数或者逆向接近区域写次数)超过了与该对象区域对应的接近区域写次数的写次数阈值(以下有时也称为接近区域写次数阈值)的情况下，对该对象区域执行重写处理。重写控制部630在判定为与对象区域对应的接近区域写次数超过了与该对象区域对应的接近区域写次数阈值的情况下，对该对象区域的一部分进行重写。换言之，重写控制部630在判定为与对象区域对应的接近区域写次数超过了与该对象区域对应的接近区域写次数阈值的情况下，对该对象区域重写预先作为格式所设定的容量以下的数据。

重写控制部630在判定为与对象区域对应的相邻区域写次数(顺向相邻区域写次数或者逆向相邻区域写次数)超过了与该对象区域对应的相邻区域写次数的写次数阈值(以下有时也称为相邻区域写次数阈值)的情况下，对该对象区域执行重写处理。重写控制部630在判定为与对象区域对应的相邻区域写次数超过了与该对象区域对应的相邻区域写次数阈值的情况下，对该对象区域的一部分进行重写。换言之，重写控制部630在判定为与对象区域对应的接近区域写次数超过了与该对象区域对应的接近区域写次数阈值的情况下，对该对象区域重写预先以格式所设定的容量以下的数据。

重写控制部630在判定为与对象带区域对应的相邻带写次数(顺向相邻带写次数或者逆向相邻带写次数)超过了与该对象带区域对应的相邻带写次数的写次数阈值(以下有时也称为相邻带写次数阈值)的情况下，对该对象带区域执行重写处理。重写控制部630在判定为与对象带区域对应的相邻带写次数超过了与该对象带区域对应的相邻带写次数阈值的情况下，对该对象带区域的一部分(扇区或者磁道)进行重写。换言之，重写控制部630在判定为与对象带区域对应的相邻带写次数超过了与该对象带区域对应的相邻带写次数阈值的情况下，对该对象带区域重写预先作为格式所设定的容量以下的数据。

例如，重写控制部630在判定为与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数(顺向相邻叠瓦式记录带写次数或者逆向相邻叠瓦式记录带写次数)超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的相邻带写次数的写次数阈值(以下有时也称为相邻叠瓦式记录带写次数阈值)的情况下，对该对象叠瓦式记录带区域执行重写处理。重写控制部630在判定为与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数阈值的情况下，对该对象叠瓦式记录带区域的一部分(扇区或者磁道)进行重写。换言之，重写控制部630在判定为与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数阈值的情况下，对该对象叠瓦式记录带区域重写预先以格式所设定的容量以下的数据。

例如，重写控制部630在判定为顺向相邻叠瓦式记录带写次数超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数阈值的情况下，在相同的位置对该对象叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道进行重写。

例如，重写控制部630在判定为逆向相邻带写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数阈值的情况下，在逆向上偏移(偏置)地对该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道进行重写。换言之，重写控制部630在判定为逆向相邻带写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数阈值的情况下，定位在从对该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道进行重写之前的写入时的目标位置(以下有时也称为原来的写位置)在逆向上偏置后的对该初始叠瓦式记录磁道进行了重写之后的写入时的目标位置(以下有时也称为重写位置)来对该初始叠瓦式记录磁道进行重写。例如，重写控制部630在判定为逆向相邻叠瓦式记录带写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数阈值的情况下，从原来的写位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道和与该初始叠瓦式记录磁道重叠地进行了写入的磁道的重叠范围的半径方向上的长度以上、且保护磁道以下地对该初始叠瓦式记录磁道进行重写。此外，重写控制部630也可以在判定为逆向相邻叠瓦式记录带写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数阈值的情况下，从原来的写位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道和与该初始叠瓦式记录磁道重叠地进行了写入的磁道的重叠范围(以下有时也称为初始重叠范围)以上、且该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围和保护磁道之和以下地对该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道进行重写。重写控制部630也可以在判定为逆向相邻叠瓦式记录带写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数阈值的情况下，从原来的写位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围以上、且该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围、保护磁道以及与该对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的叠瓦式记录带区域的最后重叠范围之和以下地对该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道进行重写。

重写控制部630在判定为与对象磁道或者对象带区域对应的接近磁道写次数(顺向接近磁道写次数或者逆向接近磁道写次数)超过了与该对象磁道或者该对象带区域对应的接近磁道写次数的写次数阈值(以下有时也称为接近磁道写次数阈值)的情况下，对该对象磁道或者该对象带区域执行重写处理。重写控制部630在判定为与对象磁道或者对象带区域对应的接近磁道写次数超过了与该对象磁道或者该对象带区域对应的接近磁道写次数阈值的情况下，对该对象磁道或者该对象带区域的一部分(扇区或者磁道)进行重写。换言之，重写控制部630在判定为与对象磁道或者对象带区域对应的接近磁道写次数超过了与该对象磁道或者该对象带区域对应的接近磁道写次数阈值的情况下，对该对象磁道或者该对象带区域重写预先作为格式所设定的容量以下的数据。

例如，重写控制部630在判定为顺向接近磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的接近磁道写次数阈值的情况下，在相同的位置对该对象叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道进行重写。

例如，重写控制部630在判定为逆向接近磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的接近磁道写次数阈值的情况下，在逆向上偏移(偏置)地对该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道进行重写。换言之，重写控制部630在判定为逆向接近磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的接近磁道写次数阈值的情况下，定位在从原来的写位置在逆向上偏置后的重写位置来对该初始叠瓦式记录磁道进行重写。例如，重写控制部630在判定为逆向接近磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的接近磁道写次数阈值的情况下，从原来的写位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道和与该初始叠瓦式记录磁道重叠地进行了写入的磁道的重叠范围的半径方向上的长度以上、且保护磁道以下地对该初始叠瓦式记录磁道进行重写。此外，重写控制部630也可以在判定为逆向接近磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的接近磁道写次数阈值的情况下，从原来的写位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围以上、且该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围和保护磁道之和以下地对该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道进行重写。重写控制部630也可以在判定为逆向接近磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的接近磁道写次数阈值的情况下，从原来的写位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围以上、且该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围、保护磁道以及与该对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的叠瓦式记录带区域的最后重叠范围之和以下地对该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道进行重写。

重写控制部630在判定为与对象磁道或者对象带区域对应的相邻磁道写次数(顺向相邻磁道写次数或者逆向相邻磁道写次数)超过了与该对象磁道或者该对象带区域对应的相邻磁道写次数的写次数阈值(以下有时也称为相邻磁道写次数阈值)的情况下，对该对象磁道或者该对象带区域执行重写处理。重写控制部630在判定为与对象磁道或者对象带区域对应的相邻磁道写次数超过了与该对象磁道或者该对象带区域对应的相邻磁道写次数阈值的情况下，对该对象磁道或者该对象带区域的一部分(扇区或者磁道)进行重写。换言之，重写控制部630在判定为与对象磁道或者对象带区域对应的相邻磁道写次数超过了与该对象磁道或者该对象带区域对应的相邻磁道写次数阈值的情况下，对该对象磁道或者该对象带区域重写预先作为格式所设定的容量以下的数据。

例如，重写控制部630在判定为顺向相邻磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻磁道写次数阈值的情况下，在相同的位置对该对象叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道进行重写。

例如，重写控制部630在判定为逆向相邻磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻磁道写次数阈值的情况下，在逆向上偏移(偏置)地对该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道进行重写。换言之，重写控制部630在判定为逆向相邻磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻磁道写次数阈值的情况下，定位在从原来的写位置在逆向上偏置后的重写位置来对该初始叠瓦式记录磁道进行重写。例如，重写控制部630在判定为逆向相邻磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻磁道写次数阈值的情况下，从原来的写位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道和与该初始叠瓦式记录磁道重叠地进行了写入的磁道的重叠范围的半径方向上的长度以上、且保护磁道以下地对该初始叠瓦式记录磁道进行重写。此外，重写控制部630也可以在判定为逆向相邻磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻磁道写次数阈值的情况下，从原来的写位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围以上、且该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围和保护磁道之和以下地对该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道进行重写。重写控制部630也可以在判定为逆向相邻磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻磁道写次数阈值的情况下，从原来的写位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围以上、且该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围、保护磁道以及与该对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的叠瓦式记录带区域的最后重叠范围之和以下地对该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道进行重写。

此外，重写控制部630例如也可以在对对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道进行重写的情况下，以该初始叠瓦式记录磁道的磁道宽度成为磁道间距的2倍以下的方式进行重写。

接近区域写次数阈值、相邻区域写次数阈值、相邻带写次数阈值、相邻叠瓦式记录带写次数阈值、接近磁道写次数阈值以及相邻磁道写次数阈值等既可以相同，也可以不同。另外，接近区域写次数阈值、相邻区域写次数阈值、相邻带写次数阈值、相邻叠瓦式记录带写次数阈值、接近磁道写次数阈值以及相邻磁道写次数阈值等分别既可以在与沿着顺向进行了写入的写次数对应的值和与沿着逆向进行了写入的写次数对应的值上是相同的，也可以是不同的。

图6是表示叠瓦式记录带区域SBA1和SBA2的写处理的一个例子的示意图。在图6中表示了在半径方向上相邻地排列的2个叠瓦式记录带区域SBA1和SBA2。图6所示的叠瓦式记录带区域SBA1和SBA2对应于图4所示的叠瓦式记录带区域SBA1和SBA2。在图6所示的例子中，叠瓦式记录带区域SBA1包括……、磁道STR1(n－2)、磁道STR1(n－1)以及磁道STR1n。在叠瓦式记录带区域SBA1中，……磁道STR1(n－2)～STR1n在半径方向上被连续地进行重叠写入。在图6所示的例子中，磁道STR1n相当于最后叠瓦式记录磁道。……磁道STR1(n－2)～STR1n分别在半径方向上以磁道间距WTPa被进行写入。此外，……磁道STR1(n－2)～STR1n也可以分别以在半径方向上不同的磁道间距被进行写入。在图6所示的例子中，磁道STR1(n－2)的磁道中央WTC1(n－2)和磁道STR1(n－1)的磁道中央WTC1(n－1)在半径方向上相距磁道间距WTPa来被进行写入。磁道STR1(n－1)的磁道中央WTC1(n－1)和磁道STR1n的磁道中央WTC1n在半径方向上相距磁道间距WTPa来被进行写入。另外，……磁道STR1(n－2)～STR1n分别被与之前的磁道的半径方向上一部分重叠地进行写入。在图6中，……磁道STR1(n－2)～STR1n分别被以重叠范围OW与之前的磁道重叠地进行写入。在图6中，叠瓦式记录带区域SBA1的顺向上的端部SBE12相当于最后叠瓦式记录磁道STR1n的顺向上的端部STE1n2。在图6所示的例子中，叠瓦式记录带区域SBA2包括磁道STR21、磁道STR22以及磁道STR23……。在叠瓦式记录带区域SBA2中，磁道STR21～STR23……在半径方向上被连续地进行重叠写入。在图6所示的例子中，磁道STR21相当于初始叠瓦式记录磁道。磁道STR21～STR23……分别在半径方向上以磁道间距WTPa被进行写入。此外，磁道STR21～STR23也可以分别以在半径方向上不同的磁道间距被进行写入。在图6所示的例子中，磁道STR21的磁道中央WTC21和磁道STR22的磁道中央WTC22在半径方向上相距磁道间距WTPa来被进行写入。磁道STR22的磁道中央WTC22和磁道STR23的磁道中央WTC23在半径方向上相距磁道间距WTPa来被进行写入。另外，磁道STR21～STR22……分别与之前的磁道的半径方向上的一部分重叠地被进行写入。在图6中，磁道STR21～STR22……分别被以重叠范围OW与之前的磁道重叠地进行写入。在图6中，叠瓦式记录带区域SBA2的逆向上的端部SBE21相当于初始叠瓦式记录磁道STR21的逆向上的端部STE211。在图6所示的例子中，叠瓦式记录带区域SBA1和SBA2隔开保护磁道GTa来配置。也即是，在图6中，最后叠瓦式记录磁道STR1n和初始叠瓦式记录磁道STR21隔开保护磁道GTa来配置。

在图6所示的例子中，MPU60在叠瓦式记录带区域SBA1中对初始叠瓦式记录磁道(未图示)、……、磁道STR1(n－2)、磁道STR1(n－1)以及最后叠瓦式记录磁道STR1n按记载的顺序在顺向上以顺序的方式进行叠瓦式记录。MPU60从叠瓦式记录带区域SBA1在顺向上隔开保护磁道GTa来对叠瓦式记录带区域SBA2的初始叠瓦式记录磁道STR21进行写入。MPU60在叠瓦式记录带区域SBA2中对初始叠瓦式记录磁道STR21、磁道STR22、磁道STR23、……、最后叠瓦式记录磁道(未图示)按记载的顺序在顺向上以顺序的方式进行叠瓦式记录。

在图6所示的例子中，MPU60在对叠瓦式记录带区域SBA1进行了至少一个磁道的叠瓦式记录的情况下，使与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数(逆向相邻带写次数)增加1。例如，MPU60在对配置在距叠瓦式记录带区域SBA2的逆向上的端部SBE21为逆向上的预定范围内的叠瓦式记录带区域SBA1的磁道STR1(n－2)～STR1n中的至少一个进行了写入的情况下，使与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数(逆向接近磁道写次数)增加1。另外，例如MPU60在对叠瓦式记录带区域SBA1的最后叠瓦式记录磁道STR1n进行了写入的情况下，使与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数(逆向相邻磁道写次数)增加1。

图7是表示本实施方式涉及的重写处理的一个例子的示意图。图7对应于图6。在图7中表示了对叠瓦式记录带区域SBA2的磁道STR21进行了重写的磁道STR21r。被写入到了磁道STR21r的数据对应于被写入到了磁道STR21的数据。磁道STR21r的磁道中央WTC21r相当于从磁道STR21的磁道中央WTC21在逆向上、例如向叠瓦式记录带区域SBA1侧偏移(偏置)了偏移量(或者偏置量)OFVa后的半径位置。换言之，磁道STR21r是使磁道STR21在逆向上以偏移量OFVa进行偏移来配置的。偏移量OFVa例如为磁道STR21和STR22的重叠范围OW以上、且磁道STR21和STR22的重叠范围OW+保护磁道GTa以下。另外，偏移量OFVa例如为磁道STR21和STR22的重叠范围OW以上、且磁道STR21和STR22的重叠范围OW+磁道STR1(n－1)和STR1n的重叠范围OW+保护磁道GTa以下。此外，对于偏移量OFVa，只要磁道STR22能够进行读取，也可以小于磁道STR21和STR22的重叠范围OW。另外，对于偏移量OFVa，只要磁道STR1n能够进行读取，既可以比磁道STR21和STR22的重叠范围OW+保护磁道GTa大，也可以比磁道STR21和STR22的重叠范围OW+磁道STR1(n－1)和STR1n的重叠范围OW+保护磁道GTa大。在图7所示的例子中，偏移量OFVa相当于磁道STR21和STR22的重叠范围OW。图7所示的叠瓦式记录带区域SBA2的叠瓦式记录带宽度SBWb比图6所示的叠瓦式记录带区域SBA2的叠瓦式记录带宽度SBWa大使初始叠瓦式记录磁道STR21在逆向上偏移了的量、例如偏移量OFVa。图7所示的保护磁道GTb比图6所示的保护磁道GTa小使初始叠瓦式记录磁道STR21在逆向上偏移了的量、例如偏移量OFVa。磁道STR21r的磁道宽度RTWb比被进行了磁道STR22的重叠写入的磁道STR21的磁道宽度RTWa大。在图7所示的例子中，磁道STR21r的磁道宽度RTWb比磁道STR21的磁道宽度RTWa大与磁道STR21和STR22的重叠范围OW相应的量。

MPU60在判定为对叠瓦式记录带区域SBA1写入了数据的写次数(逆向相邻叠瓦式记录带写次数)超过了与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数阈值(相邻叠瓦式记录带写次数阈值)的情况下，使叠瓦式记录带区域SBA2的初始叠瓦式记录磁道STR21在逆向上、例如向叠瓦式记录带区域SBA1侧以偏移量OFVa进行偏移来以通常记录型对初始叠瓦式记录磁道STR21r进行重写。

MPU60在判定为对叠瓦式记录带区域SBA2的磁道STR1(n－2)～STR1n中的至少一个磁道进行了写入的写次数(逆向接近磁道写次数)超过了与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数阈值(接近磁道写次数阈值)的情况下，使叠瓦式记录带区域SBA2的初始叠瓦式记录磁道STR21在逆向上、例如向叠瓦式记录带区域SBA1侧以偏移量OFVa进行偏移来以通常记录型对初始叠瓦式记录磁道STR21r进行重写。

MPU60在判定为对叠瓦式记录带区域SBA1的磁道STR1n进行了写入的写次数(逆向相邻磁道写次数)超过了与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数阈值(相邻磁道写次数阈值)的情况下，使叠瓦式记录带区域SBA2的初始叠瓦式记录磁道STR21在逆向上、例如向叠瓦式记录带区域SBA1侧以偏移量OFVa进行偏移来以通常记录型对初始叠瓦式记录磁道STR21r进行重写。

图8是表示本实施方式涉及的重写处理方法的一个例子的流程图。

MPU60对与对象带区域对应的写次数进行计数(B801)。例如，MPU60对将数据写入到了与对象叠瓦式记录带区域在半径方向上相邻的叠瓦式记录带区域(逆向相邻叠瓦式记录带区域以及顺向相邻叠瓦式记录带区域)的写次数(逆向相邻叠瓦式记录带写次数以及顺向相邻叠瓦式记录带写次数)进行计数。另外，例如MPU60对将数据写入到了与对象叠瓦式记录带区域在半径方向上相邻的相邻磁道(逆向相邻磁道以及顺向相邻磁道)的写次数(逆向相邻磁道写次数以及顺向相邻磁道写次数)进行计数。

MPU60判定与对象带区域对应的在逆向上进行了写入的写次数是超过了写次数阈值、还是为写次数阈值以下(B802)。例如，MPU60判定对与对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的叠瓦式记录带区域(逆向相邻叠瓦式记录带区域)写入了数据的写次数(逆向相邻叠瓦式记录带写次数)是超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的该写次数的写次数阈值(相邻叠瓦式记录带写次数阈值)、还是为该写次数阈值(相邻叠瓦式记录带写次数阈值)以下。例如，MPU60判定对与对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的相邻磁道(逆向相邻磁道)写入了数据的写次数(逆向相邻磁道写次数)是超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的该写次数的写次数阈值(相邻磁道写次数阈值)、还是为该写次数阈值(相邻磁道写次数阈值)以下。

在判定为与对象带区域对应的在逆向上进行了写入的写次数为写次数阈值以下的情况下(B802：否)，MPU60判定与对象带区域对应的在顺向上进行了写入的写次数是超过了写次数阈值、还是为写次数阈值以下(B803)。例如，MPU60判定对与对象叠瓦式记录带区域在顺向上相邻的叠瓦式记录带区域(逆向相邻叠瓦式记录带区域)写入了数据的写次数(顺向相邻叠瓦式记录带写次数)是超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的该写次数的写次数阈值(相邻叠瓦式记录带写次数阈值)、还是为该写次数阈值(相邻叠瓦式记录带写次数阈值)以下。例如，MPU60判定对与对象叠瓦式记录带区域在顺向上相邻的相邻磁道(顺向相邻磁道)写入了数据的写次数(顺向相邻磁道写次数)是超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的该写次数的写次数阈值(相邻磁道写次数阈值)、还是为该写次数阈值(相邻磁道写次数阈值)以下。

在判定为与对象带区域对应的在顺向上进行了写入的写次数为写次数阈值以下的情况下(B803：否)，MPU60进入到B801的处理。例如，在判定为对与对象叠瓦式记录带区域在顺向上相邻的叠瓦式记录带区域(顺向相邻叠瓦式记录带区域)写入了数据的写次数(顺向相邻叠瓦式记录带写次数)为与该对象叠瓦式记录带区域对应的该写次数的写次数阈值(相邻叠瓦式记录带写次数阈值)以下的情况下，MPU60进入到B801的处理。例如，在判定为对与对象叠瓦式记录带区域在顺向上相邻的相邻磁道(顺向相邻磁道)写入了数据的写次数(顺向相邻磁道写次数)为与该对象叠瓦式记录带区域对应的该写次数的写次数阈值(相邻磁道写次数阈值)以下的情况下，MPU60进入到B801的处理。

在判定为与对象带区域对应的在顺向上进行了写入的写次数超过了写次数阈值的情况下(B803：是)，MPU60对该对象带区域的一部分(扇区或者磁道)进行重写(B804)，并结束处理。例如，在判定为对与对象叠瓦式记录带区域在顺向上相邻的叠瓦式记录带区域(顺向相邻叠瓦式记录带区域)写入了数据的写次数(顺向相邻叠瓦式记录带写次数)超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的该写次数的写次数阈值(相邻叠瓦式记录带写次数阈值)的情况下，MPU60在相同的位置进行对象叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道的重写，并结束处理。例如，在判定为对与对象叠瓦式记录带区域在顺向上相邻的相邻磁道(顺向相邻磁道)写入了数据的写次数(顺向相邻磁道写次数)超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的该写次数的写次数阈值(相邻磁道写次数阈值)的情况下，MPU60在相同的位置进行对象叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道的重写，并结束处理。

在判定为与对象带区域对应的在逆向上进行了写入的写次数超过了写次数阈值的情况下(B802：是)，MPU60以偏置的方式对该对象带区域的一部分(扇区或者磁道)进行重写(B805)，并结束处理。例如，在判定为对与对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的叠瓦式记录带区域(逆向相邻叠瓦式记录带区域)写入了数据的写次数(逆向相邻叠瓦式记录带写次数)超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的该写次数的写阈值(相邻叠瓦式记录带写次数阈值)的情况下，MPU60以在逆向上偏置的方式进行对象叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道的重写，并结束处理。例如，在判定为对与对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的相邻磁道(顺向相邻磁道)写入了数据的写次数(顺向相邻磁道写次数)超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的该写次数的写次数阈值(相邻磁道写次数阈值)的情况下，MPU60在相同的位置进行对象叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道的重写，并结束处理。

根据本实施方式，磁盘装置1对将数据写入到了与对象叠瓦式记录带区域在半径方向上相邻的相邻带或者相邻磁道的写次数进行计数。在判定为对与对象叠瓦式记录带区域在顺向上相邻的叠瓦式记录带区域写入了数据的写次数超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的该写次数的写次数阈值的情况下，磁盘装置1在相同的位置进行对象叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道的重写。在判定为对与对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的叠瓦式记录带区域写入了数据的写次数超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的该写次数的写阈值的情况下，MPU60以在逆向上偏置的方式进行对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道的重写。因此，磁盘装置1能够通过对预定的带区域的一部分进行重写来维持数据品质。另外，磁盘装置1通过能够对预定的带区域的一部分进行重写，与对该带区域的全部进行重写相比，能够减少(或者缩短)重写处理所需要的时间。因此，磁盘装置能够提高写/读处理性能。

此外，在前述的第1实施方式中，对磁盘装置1根据向对象带区域的接近部的写次数来执行使至少一个磁道偏置地进行重新写入或者改写的重写处理这一情况进行了说明，但磁盘装置1也可以根据来自用户、主机100的进行对象带区域的初始磁道的一部分或者全部的重新写入或者改写的重写指示，执行使对象带区域的初始磁道偏置地进行重新写入或者改写的重写处理。另外，磁盘装置1也可以根据对在对象带区域的途中所配置的数据进行重新写入或者改写的重写指示，执行使从对象带区域的初始磁道到包括该数据的磁道或者包括该数据的最后部的磁道在顺向上连续地被进行写入的多个磁道偏置地进行重新写入或者改写的重写处理。这样，通过执行对来自用户或者主机100的对对象带区域的初始磁道的一部分或者全部、或者对象带区域的途中所配置的数据进行重新写入或者改写的重写处理，与对对象带区域的全部进行重新写入或者改写的重写处理相比，能够减少(或者缩短)重写处理所需要的时间。因此，磁盘装置1能够提高写/读处理性能。

接着，对变形例以及其他实施方式涉及的磁盘装置进行说明。在变形例以及其他实施方式中，对与前述的第1实施方式相同的部分标记同一参照标号而省略其详细的说明。

(变形例1)

变形例1涉及的磁盘装置1的读方法与前述的第1实施方式的磁盘装置1不同。

读/写控制部610在以偏置的方式对带区域的一部分进行了重写的情况下，以偏置(偏移)的方式对该带区域的一部分进行读取。例如，读/写控制部610在以沿着逆向偏置的方式进行了对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道的重写的情况下，在逆向上偏置地对该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道进行读取。换言之，读/写控制部610在以沿着逆向偏置的方式进行了对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道的重写的情况下，定位在从对该初始叠瓦式记录磁道进行重写之前的读取时的目标位置(以下有时也称为原来的读位置)在逆向上偏置后的对该初始叠瓦式记录磁道进行了重写之后的读取时的目标位置(以下有时也称为重写读位置)来对该初始叠瓦式记录磁道进行读取。

图9是表示变形例1涉及的读处理的一个例子的示意图。图9对应于图7。在图9中表示了与对磁道STR21进行读取时的目标位置相当的磁道STR21的读磁道中央RTC21、与对磁道STR21r进行读取时的目标位置相当的磁道STR21r的读磁道中央RTC21r、与对磁道STR22进行读取时的目标位置相当的磁道STR22的读磁道中央RTC22。读磁道中央RTC21相当于通过未进行磁道STR22的重叠写入的磁道STR21的磁道宽度RTWa的中心位置的路径。在图9中，读磁道中央RTC21相当于与磁道STR21r对应的原来的读位置。读磁道中央RTC21r相当于磁道中央WTC21r，相当于通过磁道STR21r的磁道宽度RTWb的中心位置的路径。在图9中，读磁道中央RTC21r相当于与磁道TR21r对应的重写读位置。读磁道中央RTC21r位于从读磁道中央RTC21在逆向上离开了偏移量OFVb后的位置。读磁道中央RTC22相当于通过未进行磁道STR23的重叠写入的磁道STR22的磁道宽度RTWa的中心位置的路径。

在图9所示的例子中，读/写控制部610将头15(读取头15R)定位在读磁道中央RTC21r(WTC21r)来对磁道STR21r进行读取。读/写控制部610将头15(读取头15R)定位在读磁道中央RTC22来对磁道STR22进行读取。

图10是表示变形例1涉及的读方法的一个例子的流程图。

MPU60判定对象带区域的一部分的区域是偏置地进行了写入、还是未偏置地进行写入(B1001)。例如，MPU60判定对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道是在逆向上偏置地进行了重写、还是未在逆向上偏置地进行重写。

在判定为对象带区域的一部分的区域未偏置地进行写入的情况下(B1001：否)，MPU60以原来的读位置进行对象带区域的一部分区域的读取(B1002)，并结束处理。例如，在判定为对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道未在逆向上偏置地进行重写的情况下，MPU60以原来的读位置进行对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道的读取。

在判定为对象带区域的一部分的区域偏置地进行了写入的情况下(B1001：是)，MPU60以偏置的方式进行对象带区域的一部分区域的读取(B1003)，并结束处理。例如，在判定为对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在逆向上偏置地进行了重写的情况下，MPU60定位在从原来的读位置在逆向上偏置后的重写读位置来进行对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道的读取。

根据变形例1，磁盘装置1在逆向上偏置地进行了对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道的重写的情况下，以在逆向上偏置的方式对该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道进行读取。因此，磁盘装置能够提高写/读处理性能。

(变形例2)

变形例2涉及的磁盘装置1的重写处理方法与前述的第1实施方式的磁盘装置1不同。

例如，重写控制部630在判定为顺向相邻叠瓦式记录带写次数超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数阈值的情况下，在相同的位置对从该对象叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道在逆向上连续地排列的几个磁道进行重写。

例如，重写控制部630在判定为逆向相邻带写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数阈值的情况下，在逆向上偏移(偏置)地对从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道进行重写。换言之，重写控制部630在判定为逆向相邻带写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数的情况下，将从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道定位在与这些磁道对应的各重写位置来对这些磁道进行重写。例如，重写控制部630在判定为逆向相邻叠瓦式记录带写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数阈值的情况下，对于从该初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道，从与这些磁道对应的各原来的位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道和与该初始叠瓦式记录磁道重叠地进行了写入的磁道的重叠范围的半径方向上的长度以上、且保护磁道以下地进行重写。此外，重写控制部630也可以在判定为逆向相邻叠瓦式记录带写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数阈值的情况下，对于从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道，从与这些磁道对应的各原来的位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道和与该初始叠瓦式记录磁道重叠地进行了写入的磁道的重叠范围(以下有时也称为初始重叠范围)以上、且该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围和保护磁道之和以下地进行重写。重写控制部630也可以在判定为逆向相邻叠瓦式记录带写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻叠瓦式记录带写次数阈值的情况下，对于从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道，从与这些磁道对应的各原来的位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围以上、且该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围、保护磁道以及与该对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的叠瓦式记录带区域的最后重叠范围之和以下地进行重写。

例如，重写控制部630在判定为顺向接近磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的接近磁道写次数阈值的情况下，在相同的位置对从该对象叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道在逆向上连续地排列的几个磁道进行重写。

例如，重写控制部630在判定为逆向接近磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的接近磁道写次数阈值的情况下，在逆向上偏移(偏置)地对从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道进行重写。换言之，重写控制部630在判定为逆向接近磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的接近磁道写次数阈值的情况下，将从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道定位在与这些磁道对应的各重写位置来对这些磁道进行重写。例如，重写控制部630在判定为逆向接近磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的接近磁道写次数阈值的情况下，对于从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道，从与这些磁道对应的各原来的位置在逆向上偏移(偏置)该初始叠瓦式记录磁道和与该初始叠瓦式记录磁道重叠地进行了写入的磁道的重叠范围的半径方向上的长度以上、且保护磁道以下地进行重写。此外，重写控制部630也可以在判定为逆向接近磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的接近磁道写次数阈值的情况下，对于从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道，从与这些磁道对应的各原来的位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围以上、且该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围和保护磁道之和以下地进行重写。重写控制部630也可以在判定为逆向接近磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的接近磁道写次数阈值的情况下，对于从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道，从与这些磁道对应的各原来的位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围以上、且该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围、保护磁道以及与该对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的叠瓦式记录带区域的最后重叠范围之和以下地进行重写。

例如，重写控制部630在判定为顺向相邻磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻磁道写次数阈值的情况下，在相同的位置对从该对象叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道在逆向上连续地排列的几个磁道进行重写。

例如，重写控制部630在判定为逆向相邻磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻磁道写次数阈值的情况下，在逆向上偏移(偏置)地对从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道进行重写。换言之，重写控制部630在判定为逆向相邻磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻磁道写次数阈值的情况下，将从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道定位在与这些磁道对应的各重写位置来对这些磁道进行重写。例如，重写控制部630在判定为逆向相邻磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻磁道写次数阈值的情况下，对于从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道，从与这些磁道对应的各原来的位置在逆向上偏移(偏置)该初始叠瓦式记录磁道和与该初始叠瓦式记录磁道重叠地进行了写入的磁道的重叠范围的半径方向上长度以上、且保护磁道以下地进行重写。此外，重写控制部630也可以在判定为逆向相邻磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻磁道写次数阈值的情况下，对于从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道，从与这些磁道对应的各原来的位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围以上、且该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围和保护磁道之和以下地进行重写。重写控制部630也可以在判定为逆向相邻磁道写次数超过了与对象叠瓦式记录带区域对应的相邻磁道写次数阈值的情况下，对于从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道，从与这些磁道对应的各原来的位置在逆向上偏移(偏置)该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围以上、且该对象叠瓦式记录带区域的初始重叠范围、保护磁道以及与该对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的叠瓦式记录带区域的最后重叠范围之和以下地进行重写。

此外，重写控制部630也可以在对从对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道进行重写的情况下，以这些磁道的磁道宽度成为磁道间距的2倍以下的方式进行重写。

图11是表示变形例2涉及的重写处理的一个例子的示意图。图11对应于图6和图7。在图11中表示了对叠瓦式记录带区域SBA2的磁道STR22进行了重写的磁道STR22r。被写入到磁道STR22r的数据对应于被写入到磁道STR22的数据。磁道STR22r的磁道中央WTC22r相当于从磁道STR22的磁道中央WTC22在逆向上、例如向叠瓦式记录带区域SBA2侧偏移(偏置)了偏移量(或者偏置量)OFVa后的半径位置。换言之，磁道STR22r是使磁道STR22在逆向上以偏移量OFVa进行偏移来配置的。此外，磁道STR22r也可以是使磁道STR22在逆向上以与偏移量OFVa不同的偏移量进行偏移来配置的。磁道STR22r的磁道宽度RTWb比进行了磁道STR23的重叠写入的磁道STR22的磁道宽度RTWa大。在图11所示的例子中，磁道STR22r的磁道宽度RTWb比磁道STR22的磁道宽度RTWa大与磁道STR22和STR23的重叠范围OW相应的量。

MPU60在判定为对叠瓦式记录带区域SBA1写入了数据的写次数(逆向相邻叠瓦式记录带写次数)超过了与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数阈值(相邻叠瓦式记录带写次数阈值)的情况下，使叠瓦式记录带区域SBA2的初始叠瓦式记录磁道STR21和STR22在逆向上、例如向叠瓦式记录带区域SBA1侧以偏移量OFVa进行偏移来以叠瓦式记录型对初始叠瓦式记录磁道STR21r和STR22r进行重写。

MPU60在判定为对叠瓦式记录带区域SBA2的磁道STR1(n－2)～STR1n中的至少一个磁道进行了写入的写次数(逆向接近磁道写次数)超过了与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数阈值(接近磁道写次数阈值)的情况下，使叠瓦式记录带区域SBA2的初始叠瓦式记录磁道STR21和STR22在逆向上、例如向叠瓦式记录带区域SBA1侧以偏移量OFVa进行偏移来以叠瓦式记录型对初始叠瓦式记录磁道STR21r和STR22r进行重写。

MPU60在判定为对叠瓦式记录带区域SBA1的磁道STR1n进行了写入的写次数(逆向相邻磁道写次数)超过了与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数阈值(相邻磁道写次数阈值)的情况下，使叠瓦式记录带区域SBA2的初始叠瓦式记录磁道STR21和STR22在逆向上、例如向叠瓦式记录带区域SBA1侧以偏移量OFVa进行偏移来以叠瓦式记录型对初始叠瓦式记录磁道STR21r和STR22r进行重写。

根据变形例2，磁盘装置1对将数据写入到了与对象叠瓦式记录带区域在半径方向上相邻的相邻带或者相邻磁道的写次数进行计数。在判定为对与对象叠瓦式记录带区域在顺向上相邻的叠瓦式记录带区域写入了数据的写次数超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的该写次数的写次数阈值(相邻叠瓦式记录带写次数阈值)的情况下，磁盘装置1在相同的位置对从对象叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道在逆向上连续地排列的几个磁道进行重写。在判定为对与对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的叠瓦式记录带区域写入了数据的写次数超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的该写次数的写阈值(相邻叠瓦式记录带写次数阈值)的情况下，MPU60在逆向上偏置地对从对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道进行重写。因此，磁盘装置能够提高写/读处理性能。

(变形例3)

变形例3涉及的磁盘装置1的读方法与前述的第1实施方式、变形例1以及变形例2的磁盘装置1不同。

例如，读/写控制部610在以沿着逆向偏置的方式对从对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道进行了重写的情况下，在逆向上偏置地对从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道进行读取。换言之，读/写控制部610在以沿着逆向偏置的方式对从对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道进行了重写的情况下，定位在从与这些磁道对应的各原来的读位置在逆向上偏置后的与这些磁道对应的各重写读位置来对这些磁道进行读取。

图12是表示变形例3涉及的读处理的一个例子的示意图。图12对应于图9和图11。在图12中表示了与对磁道STR21进行读取时的目标位置相当的磁道STR21的读磁道中央RTC21、与对磁道STR21r进行读取时的目标位置相当的磁道STR21r的读磁道中央RTC21r、与对磁道STR22进行读取时的目标位置相当的磁道STR22的读磁道中央RTC22、与对磁道STR22r进行读取时的目标位置相当的磁道STR22r的读磁道中央RTC22r。读磁道中央RTC21相当于通过未进行磁道STR22的重叠写入的磁道STR21的磁道宽度RTWa的中心位置的路径。在图12中，读磁道中央RTC21相当于与磁道STR21r对应的原来的读位置。读磁道中央RTC21r相当于通过未进行磁道STR22r的重叠写入的磁道STR21r的磁道宽度RTWa的中心位置的路径。在图12中，读磁道中央RTC21r相当于与磁道STR21r对应的重写读位置。读磁道中央RTC21r位于从读磁道中央RTC21在逆向上离开了偏移量OFVa的位置。此外，读磁道中央RTC21r也可以位于从读磁道中央RTC21在逆向上离开了偏移量OFVa以外的偏移量的位置。读磁道中央RTC22相当于通过未进行磁道STR23的重叠写入的磁道STR22的磁道宽度RTWa的中心位置的路径。在图12中，读磁道中央RTC22相当于与磁道STR22r对应的原来的读位置。读磁道中央RTC22r相当于磁道中央WTC22r，相当于通过磁道STR22r的磁道宽度RTWb的中心位置的路径。在图12中，读磁道中央RTC22r相当于与磁道STR22r对应的重写读位置。

在图12所示的例子中，读/写控制部610将头15(读取头15R)定位在读磁道中央RTC21r(WTC21r)来对磁道STR21r进行读取。读/写控制部610将头15(读取头15R)定位在读磁道中央RTC22来对磁道STR22进行读取。读磁道中央RTC22r位于从读磁道中央RTC22在逆向上离开了偏移量OFVb的位置。

在图12所示的例子中，读/写控制部610将头15(读取头15R)定位在读磁道中央RTC21r来对磁道STR21r进行读取。读/写控制部610将头15(读取头15R)定位在读磁道中央RTC22r来对磁道STR22r进行读取。

根据变形例3，磁盘装置1在以沿着逆向偏置的方式对从对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道进行了重写的情况下，在逆向上偏置地对从该对象叠瓦式记录带区域的初始叠瓦式记录磁道在顺向上连续地进行了叠瓦式记录的几个磁道进行读取。因此，磁盘装置能够提高写/读处理性能。

(第2实施方式)

第2实施方式涉及的磁盘装置1是能够对通常记录型和叠瓦式记录型进行选择来加以执行的磁盘装置，这一点与前述的第1实施方式、变形例1、变形例2以及变形例3的磁盘装置1不同。

MPU60按照来自主机100的命令等，对通常记录处理和叠瓦式记录处理进行选择来加以执行。此外，MPU60既可以仅执行通常记录处理，也可以仅执行叠瓦式记录处理。MPU60以随机或者顺序的方式对预定的带区域进行数据的通常记录。以下，将“包括通过通常记录进行了写入的至少一个磁道的带区域”称为“通常记录带区域”。MPU60对通常记录带区域进行数据的通常记录，对叠瓦式记录带区域进行数据的叠瓦式记录。此外，MPU60既可以对通常记录带区域的一部分进行数据的叠瓦式记录，也可以对叠瓦式记录带区域的一部分进行数据的通常记录。

图13是表示通常记录处理的一个例子的示意图。如图13所示，表示了通常记录带区域CBA。在图13所示的例子中，通常记录带区域CBA包括磁道CTRe、磁道CTRe+1、……、磁道CTRe+(n－1)以及磁道CTRe+n。以下，在通常记录带区域中，有时也将位于逆向上的最端部的磁道称为初始通常记录磁道，将位于顺向上的最端部的磁道称为最后通常记录磁道。另外，有时也将初始通常记录磁道和初始叠瓦式记录磁道一并称为初始磁道，将最后通常记录磁道和最后叠瓦式记录磁道一并称为最后磁道。在图13中表示了磁道CTRe的磁道中央TRCe、磁道CTRe+1的磁道中央TRCe+1、……、磁道CTRe+(n－1)的磁道中央TRCe+(n－1)以及磁道CTRe+n的磁道中央TRCe+n。在图13中，磁道CTRe位于通常记录带区域CBA的逆向上的最端部CBEe1。也即是，在图13中，磁道CTRe相当于初始通常记录磁道。在图13中，磁道CTRe+n位于通常记录带区域CBA的顺向上的最端部CBEe2。也即是，在图13中，磁道CTRe+n相当于最后通常记录磁道。磁道CTRe～CTRe+n分别在半径方向上以磁道间距TRP来配置。磁道CTRe的磁道中央TRCe和磁道CTRe+1的磁道中央TRCe+1在半径方向上相距磁道间距TRP。另外，磁道CTRe+(n－1)的磁道中央TRCe+(n－1)和磁道CTRe+n的磁道中央TRCe+n在半径方向上相距磁道间距TRP。此外，磁道CTRe～CTRe+n也可以分别在半径方向上以不同的磁道间距来配置。另外，磁道CTRe～CTRe+n分别在半径方向上隔开间隙CGP来配置。磁道CTRe和磁道CTRe+1以间隙CGP相分离，磁道CTRe+(n－1)和磁道CTRe+n以间隙CGP相分离。此外，磁道CTRe～CTRe+n也可以分别隔开不同的间隙来配置。在图13中，为了便于说明，将各磁道表示为以预定的磁道宽度在圆周方向上延伸的长方形状，但实际上是沿着圆周方向弯曲。另外，各磁道也可以是一边在半径方向上变动、一边在圆周方向上延伸的波状。

在图13所示的例子中，MPU60在用户数据区域10a的通常记录带区域CBA中，将头15定位在磁道中央TRCe来对磁道CTRe进行通常记录。MPU60在通常记录带区域CBA中，将头15定位在从磁道CTRe的磁道中央TRCe在内方向上离开了磁道间距TRP的磁道中央TRCe+1来对磁道CTRe+1进行通常记录。MPU60在用户数据区域10a的通常记录带区域CBA中，将头15定位在从磁道CTRe+(n－1)的磁道中央TRCe+(n－1)在内方向上离开了磁道间距TRP的磁道中央TRCe+n来对磁道CTRe+n进行通常记录。MPU60在用户数据区域10a的通常记录带区域CBA中，既可以以顺序的方式对磁道CTRe、CTRe+1、……、CTRe+(n－1)以及CTRe+n进行通常记录，也可以以随机的方式对磁道CTRe、CTRe+1、……、CTRe+(n－1)以及CTRe+n各自的预定扇区进行通常记录。

图14是表示通常记录带区域CBA1和叠瓦式记录带区域SBA2的配置的一个例子的示意图。在图14中表示了在半径方向上相邻地排列的通常记录带区域CBA(CBA1)和叠瓦式记录带区域SBA(SBA2)。在图14中表示了通常记录带区域CBA1的半径方向上的宽度(以下有时也称为通常记录带宽度)CBW。通常记录带宽度CBW也可以与叠瓦式记录带宽度SBWa相同。换言之，通常记录带区域CBA1的面积和叠瓦式记录带区域SBA2的面积也可以相同。此外，通常记录带宽度CBW也可以与叠瓦式记录带宽度SBWa不同。换言之，通常记录带区域CBA1的面积和叠瓦式记录带区域SBA2的面积也可以不同。在半径方向上相邻的通常记录带区域和叠瓦式记录带区域相互隔开保护磁道来配置。在图14中，通常记录带区域CBA1和叠瓦式记录带区域SBA2隔开保护磁道(或者有时也称为保护间隙)GTa来配置。在图14中，为了便于说明，将通常记录带区域CBA(CBA1)和叠瓦式记录带区域SBA(SBA2)表示为在圆周方向上延伸的长方形状，但实际上是沿着圆周方向弯曲。

MPU60按照主机100等的命令，在用户数据区域10a中，以顺序或者随机的方式对通常记录带区域CBA1进行多个磁道的写入。MPU60按照主机100等的命令，在用户数据区域10a中，对从通常记录带区域CBA1在半径方向上离开了保护间隙GTa的叠瓦式记录带区域SBA2以顺序的方式进行多个磁道的写入。

MPU60(写计数部620)对将数据写入到了与对象叠瓦式记录带区域在半径方向上相邻的通常记录带区域(以下有时也称为相邻通常记录带区域)的写次数(以下有时也称为相邻通常记录带写次数)进行计数。MPU60对将数据写入到了与对象通常记录带区域在顺向上相邻的相邻通常记录带区域(以下有时也称为顺向相邻通常记录带区域)的相邻通常记录带写次数(以下有时也称为顺向相邻通常记录带写次数)进行计数。另外，MPU60对将数据写入到了与对象通常记录带区域在逆向上相邻的相邻通常记录带区域(以下有时也称为逆向相邻通常记录带区域)的相邻通常记录带写次数(以下有时也称为逆向相邻通常记录带写次数)进行计数。

MPU60(写计数部620)在对与对象通常记录带区域在半径方向上相邻的相邻通常记录带区域写入了数据的情况下，使相邻通常记录带写次数增加(递增)预定值。例如，MPU60在对与对象通常记录带区域在半径方向上相邻的相邻通常记录带区域写入了数据的情况下，使相邻通常记录带写次数增加(递增)1。MPU60在对顺向相邻通常记录带区域写入了数据的情况下，使顺向相邻通常记录带写次数增加(递增)预定值。例如，MPU60在对顺向相邻通常记录带区域写入了数据的情况下，使顺向相邻通常记录带写次数增加(递增)1。MPU60在对逆向相邻通常记录带区域写入了数据的情况下，使逆向相邻通常记录带写次数增加(递增)预定值。例如，MPU60在对逆向相邻通常记录带区域写入了数据的情况下，使逆向相邻通常记录带写次数增加(递增)1。

图15是表示写次数的表TB2的一个例子的概要图。图15所示的表TB2包括带区域、磁道以及写次数。图15的表TB2的带区域包括通常记录带区域CBA1和叠瓦式记录带区域SBA2。如图14所示，图15所示的通常记录带区域CBA1和叠瓦式记录带区域SBA2在半径方向上相互相邻地配置。例如如图14所示，叠瓦式记录带区域SBA2与通常记录带区域CBA1在顺向上相邻。图15的表TB2的磁道包括与通常记录带区域CBA1对应的磁道CTR11、…、CTR1(n－1)以及CTR1n。在图15中，磁道CTR11相当于通常记录带区域CBA1的初始通常记录磁道，磁道CTR1n相当于通常记录带区域CBA1的最后通常记录磁道。

图15的表TB2的写次数包括与通常记录带区域CBA1的磁道CTR11对应的逆向相邻磁道写次数CTO11以及顺向相邻磁道写次数CTI11、……、与通常记录带区域CBA1的磁道CTR1(n－1)对应的逆向相邻磁道写次数CTO1(n－1)以及顺向相邻磁道写次数CTI1(n－1)、与通常记录带区域CBA1的磁道CTR1n对应的逆向相邻磁道写次数CTO1n以及顺向相邻磁道写次数CTI1n。此外，作为与通常记录带区域CBA1对应的写次数，也可以仅逆向相邻磁道写次数CTO11、……、CTO1(n－1)、CTO1n保持于表TB2。与磁道CTR11对应的逆向相邻磁道写次数CTO11相当于对与通常记录带区域CBA1在逆向上相邻的带区域的最后磁道写入了数据的写次数。与磁道CTR11对应的顺向相邻磁道写次数CT111相当于对与通常记录带区域CBA1的磁道CTR11在顺向上相邻的相邻磁道写入了数据的写次数。与磁道CTR1(n－1)对应的逆向相邻磁道写次数CTO1(n－1)相当于对与通常记录带区域CBA1的磁道CTR1(n－1)在逆向上相邻的相邻磁道写入了数据的写次数。与磁道CTR1(n－1)对应的顺向相邻磁道写次数CT11(n－1)相当于对磁道CTR1n写入了数据的写次数。与磁道CTR1n对应的逆向相邻磁道写次数CTO1n相当于对磁道CTR1(n－1)写入了数据的写次数。与磁道CTR1n对应的顺向相邻磁道写次数CT11n相当于对与通常记录带区域CBA1在顺向上相邻的带区域的初始磁道写入了数据的写次数。

图15的表TB2的写次数包括与叠瓦式记录带区域SBA2对应的逆向相邻磁道写次数STO以及顺向相邻磁道写次数STI。此外，作为与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数，也可以仅逆向相邻磁道写次数STO保持于表TB2。与叠瓦式记录带区域SBA2对应的逆向相邻磁道写次数STO相当于对通常记录带区域CBA1的最后通常记录磁道CTR1n写入了数据的写次数。与叠瓦式记录带区域SBA2对应的顺向相邻磁道写次数STI相当于对与叠瓦式记录带区域SBA2在顺向上相邻的带区域的初始磁道写入了数据的写次数。另外，图15的表TB2的写次数也可以包括与叠瓦式记录带区域SBA2对应的逆向接近磁道写次数以及顺向接近磁道写次数。与叠瓦式记录带区域SBA2对应的逆向接近磁道写次数例如相当于对通常记录带区域CBA1的磁道CTR1(n－1)和CTR1n写入了数据的写次数。与叠瓦式记录带区域SBA2对应的顺向接近磁道写次数例如相当于对与叠瓦式记录带区域SBA2在顺向上相邻的带区域的初始磁道和与初始磁道在顺向上相邻的磁道写入了数据的写次数。

在图15所示的例子中，MPU60在数据被写入到了通常记录带区域CBA1的最后通常记录磁道CTR1n的情况下，使逆向相邻磁道写次数STO增加(或者递增)1。换言之，MPU60在数据被写入到了通常记录带区域CBA1的最后通常记录磁道CTR1n的情况下，对逆向相邻磁道写次数STO加上1。

此外，MPU60也可以在数据被写入到了通常记录带区域CBA1的最后通常记录磁道CTR1n和磁道CTR1(n－1)的情况下，使逆向相邻磁道写次数STO增加(或者递增)1。换言之，MPU60也可以在数据被写入到了通常记录带区域CBA1的最后通常记录磁道CTR1n和磁道CTR1(n－1)的情况下，对逆向相邻磁道写次数STO加上1。

在图15所示的例子中，MPU60在数据被写入到了叠瓦式记录带区域SBA2的顺向上的带区域的初始磁道的情况下，使顺向相邻磁道写次数STI增加(或者递增)1。换言之，MPU60在数据被写入到了叠瓦式记录带区域SBA2的顺向上的带区域的初始磁道的情况下，对顺向相邻磁道写次数STI加上1。

此外，MPU60也可以在数据被写入到了叠瓦式记录带区域SBA2的顺向上的带区域的初始磁道和与该初始磁道在顺向上相邻的磁道的情况下，使顺向相邻磁道写次数STI增加(或者递增)1。换言之，MPU60也可以在数据被写入到了叠瓦式记录带区域SBA2的顺向上的带区域的初始磁道和与该初始磁道在顺向上相邻的磁道的情况下，对顺向相邻磁道写次数STI加上1。

图16是表示通常记录带区域CBA1和叠瓦式记录带区域SBA2的写处理的一个例子的示意图。在图16中表示了在半径方向上相邻地排列的通常记录带区域CBA1和叠瓦式记录带区域SBA2。图16所示的叠瓦式记录带区域SBA2对应于图6所示的叠瓦式记录带区域SBA2。在图16所示的例子中，通常记录带区域CBA1包括磁道CTR11、……、磁道CTR1(n－2)以及磁道CTR1n。在通常记录带区域CBA1中，磁道CTR11、……、磁道CTR1(n－1)以及磁道CTR1n分别从相邻磁道在半径方向上隔开间隙CGP来以磁道间距TRP被进行写入。此外，磁道CTR11、……、磁道CTR1(n－1)以及磁道CTR1n也可以分别在半径方向上以不同的磁道间距被进行写入。在图16所示的例子中，磁道CTR11相当于初始通常记录磁道，磁道CTR1n相当于最后通常记录磁道。在图16中，通常记录带区域CBA1的逆向上的端部CBE11相当于初始通常记录磁道CTR11的逆向上的端部CTE111。另外，在图16中，通常记录带区域CBA1的顺向上的端部CBE12相当于最后通常记录磁道CTR1n的顺向上的端部CTE1n2。在图16所示的例子中，通常记录带区域CBA1和叠瓦式记录带区域SBA2隔开保护磁道GTa来配置。也即是，在图16中，最后通常记录磁道CTR1n和初始叠瓦式记录磁道STR21隔开保护磁道GTa来配置。

在图16所示的例子中，MPU60在通常记录带区域CBA1中，对初始通常记录磁道CTR11、……、磁道CTR1(n－1)以及最后通常记录磁道CTR1n进行通常记录。MPU60从通常记录带区域CBA1在顺向上隔开保护磁道GTa来对叠瓦式记录带区域SBA2的初始叠瓦式记录磁道STR21进行写入。

在图16所示的例中，MPU60在对通常记录带区域CBA1的最后通常记录磁道CTR1n进行了写入的情况下，使与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数(逆向相邻带写次数)增加1。例如，MPU60也可以在对配置在距叠瓦式记录带区域SBA2的逆向上的端部SBE21为逆向上的预定范围内的通常记录带区域CBA1的磁道CTR1(n－1)和CTR1n中的至少一个进行了写入的情况下，使与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数(逆向接近磁道写次数)增加1。

图17是表示第2实施方式涉及的重写处理的一个例子的示意图。图17对应于图7和图16。

MPU60在判定为对通常记录带区域CBA1的磁道CTR1n写入了数据的写次数(逆向相邻磁道写次数)超过了与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数阈值(相邻磁道写次数阈值)的情况下，使叠瓦式记录带区域SBA2的初始叠瓦式记录磁道STR21在逆向上、例如向叠瓦式记录带区域SBA1侧以偏移量OFVa进行偏移来以通常记录型对初始叠瓦式记录磁道STR21r进行重写。

MPU60在判定为对通常记录带区域CBA1的磁道CTR1(n－1)和CTR1n中的至少一个磁道进行了写入的写次数(逆向接近磁道写次数)超过了与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数阈值(接近磁道写次数阈值)的情况下，使叠瓦式记录带区域SBA2的初始叠瓦式记录磁道STR21在逆向上、例如向叠瓦式记录带区域SBA1侧以偏移量OFVa进行偏移来以通常记录型对初始叠瓦式记录磁道STR21r进行重写。

根据第2实施方式，磁盘装置1对将数据写入到了与对象叠瓦式记录带区域在半径方向上相邻的通常记录带区域的初始磁道以及最后磁道的写次数进行计数。在判定为对与对象叠瓦式记录带区域在顺向上相邻的通常记录带区域的初始通常记录磁道写入了数据的写次数超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的写次数阈值(相邻磁道写次数阈值)的情况下，磁盘装置1在相同的位置进行对象叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道的重写。在判定为对与对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的通常记录带区域的最后通常记录磁道写入了数据的写次数超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的写阈值(相邻磁道写次数阈值)的情况下，磁盘装置1以在逆向上偏置的方式进行对象叠瓦式记录带区域的初始通常记录磁道的重写。因此，磁盘装置能够提高写/读处理性能。

(变形例4)

变形例4涉及的磁盘装置1的重写处理方法与前述的第2实施方式的磁盘装置1不同。

图18是表示变形例4涉及的重写处理的一个例子的示意图。图18对应于图7、图16以及图17。

MPU60在判定为对通常记录带区域CBA1的最后通常记录磁道CTR1n写入了数据的写次数(逆向相邻磁道写次数)超过了与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数阈值(相邻磁道写次数阈值)的情况下，使叠瓦式记录带区域SBA2的初始叠瓦式记录磁道STR21和STR22在逆向上、例如向通常记录带区域CBA1侧以偏移量OFVa进行偏移来以叠瓦式记录型对初始叠瓦式记录磁道STR21r和STR22r进行重写。

MPU60在判定为对通常记录带区域CBA1的磁道CTR1(n－1)和CTR1n中的至少一个磁道进行了写入的写次数(逆向接近磁道写次数)超过了与叠瓦式记录带区域SBA2对应的写次数阈值(接近磁道写次数阈值)的情况下，使叠瓦式记录带区域SBA2的初始叠瓦式记录磁道STR21和STR22在逆向上、例如向通常记录带区域CBA1侧以偏移量OFVa进行偏移来以叠瓦式记录型对初始叠瓦式记录磁道STR21r和STR22r进行重写。

根据变形例4，磁盘装置1对将数据写入到了与对象叠瓦式记录带区域在半径方向上相邻的通常记录带区域的初始磁道以及最后磁道的写次数进行计数。在判定为对与对象叠瓦式记录带区域在顺向上相邻的通常记录带区域的初始通常记录磁道写入了数据的写次数超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的写次数阈值(相邻磁道写次数阈值)的情况下，磁盘装置1在相同的位置对从对象叠瓦式记录带区域的最后叠瓦式记录磁道在逆向上连续地排列的几个磁道进行重写。在判定为对与对象叠瓦式记录带区域在逆向上相邻的通常记录带区域的最后通常记录磁道写入了数据的写次数超过了与该对象叠瓦式记录带区域对应的写阈值(相邻磁道写次数阈值)的情况下，磁盘装置1以在逆向上偏置的方式对从对象叠瓦式记录带区域的初始通常记录磁道在顺向上连续进行了叠瓦式记录的几个磁道进行重写。因此，磁盘装置能够提高写/读处理性能。

以上对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。

Claims (14)

1.一种磁盘装置，具备：

盘，其具有第1区域和第2区域，所述第1区域是对从位于半径方向的第1端部的第1初始磁道到位于在所述半径方向上与所述第1端部相反一侧的第1另一端部的第1最后磁道的多个磁道进行了写入的区域，所述第2区域位于在所述半径方向的第1方向上与所述第1区域隔开间隙的位置、且是沿着所述第1方向从位于所述半径方向的第2端部的第2初始磁道到位于所述半径方向的与所述第2端部相反一侧的第2另一端部的第2最后磁道对多个磁道进行了重叠写入的区域；

头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及

控制器，其对在所述第2区域进行了重叠写入的多个磁道的一部分，在第2方向上偏置地进行重写，所述第2方向是与所述第1方向相反的方向。

2.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述控制器在对所述第2初始磁道中的一部分或者全部数据进行重写时，将所述第2初始磁道从第1位置偏置到第2位置来进行重写，所述第2位置是在所述第2方向上从所述第1位置离开了第1间隔的位置。

3.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述控制器在对所述第2区域中的第1数据进行重写时，使从所述第2初始磁道到包括所述第1数据的第1磁道的在所述第1方向上连续地进行了重叠写入的多个磁道在所述第2方向上分别偏置第1间隔来进行重写。

4.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述控制器在对所述第1区域写入了数据的第1写次数超过了与所述第2区域对应的阈值的情况下，将所述第2初始磁道从第1位置偏置到第2位置来进行重写，所述第2位置是从所述第1位置在所述第2方向上离开了第1间隔的位置。

5.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述控制器在对所述第1区域的第1最后磁道写入了数据的第1写次数超过了与所述第2区域对应的阈值的情况下，将所述第2初始磁道从第1位置偏置到第2位置来进行重写，所述第2位置是从所述第1位置在所述第2方向上离开了第1间隔的位置。

6.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述控制器在对所述第1区域的第1最后磁道写入了数据的第1写次数超过了与所述第2区域对应的阈值的情况下，对从所述第2初始磁道起在所述第1方向上连续地进行了重叠写入的多个磁道，在所述第2方向上分别偏置第1间隔来进行重写。

7.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述控制器在对所述第1区域的第1最后磁道写入了数据的第1写次数超过了与所述第2区域对应的阈值的情况下，对从所述第2初始磁道起在所述第1方向上连续地进行了重叠写入的多个磁道，在所述第2方向上分别偏置第1间隔来进行重写。

8.根据权利要求2、4或者5所述的磁盘装置，

所述控制器在所述第2区域中定位在所述第2位置来对所述第2初始磁道进行读取。

9.根据权利要求3、6或者7所述的磁盘装置，

所述控制器对所述第2区域中从所述第2初始磁道起在所述第1方向上连续地进行了重叠写入的多个磁道，在所述第2方向上分别偏置所述第1间隔来进行读取。

10.根据权利要求2～7中任一项所述的磁盘装置，

所述第1间隔比所述间隙小。

11.根据权利要求10所述的磁盘装置，

所述第1间隔相当于所述第2区域中的所述第2初始磁道和与所述第2初始磁道重叠地被进行了写入的第1磁道重叠的区域的在所述半径方向上的长度。

12.根据权利要求1～7中任一项所述的磁盘装置，

所述第1区域中，对从所述第1初始磁道到所述第1最后磁道的多个磁道进行重叠写入。

13.根据权利要求1～7中任一项所述的磁盘装置，

所述第1区域中，从所述第1初始磁道到所述第1最后磁道的多个磁道分别隔开间隔地被进行写入。

14.一种重写处理方法，应用于磁盘装置，所述磁盘装置具备盘，所述盘具有第1区域和第2区域，所述第1区域是对从位于半径方向的第1端部的第1初始磁道到位于在所述半径方向上与所述第1端部相反一侧的第1另一端部的第1最后磁道的多个磁道进行了写入的区域，所述第2区域位于在所述半径方向的第1方向上与所述第1区域隔开间隙的位置、且是沿着所述第1方向从位于所述半径方向的第2端部的第2初始磁道到位于所述半径方向的与所述第2端部相反一侧的第2另一端部的第2最后磁道对多个磁道进行了重叠写入的区域，所述重写处理方法包括：

对在所述第2区域进行了重叠写入的多个磁道的一部分，在第2方向上偏置地进行重写，所述第2方向是与所述第1方向相反的方向。

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