CN113129931B - 磁盘装置以及记录容量的设定方法 - Google Patents

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Abstract

实施方式提供能够高效地写入数据的磁盘装置以及记录容量的设定方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有第1区域和第2区域，所述第2区域供暂时性地写入向所述第1区域写入之前的数据；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其对通常记录和瓦记录进行选择来加以执行，相应于能够以所述瓦记录向所述第1区域写入的数据的第1写入容量来对能够向所述第2区域写入的数据的高速缓存数据容量进行变更，所述通常记录是在所述盘的半径方向上空开间隔来进行磁道的写入的记录，所述瓦记录是在所述半径方向上重叠地进行磁道的写入的记录。

Description

磁盘装置以及记录容量的设定方法
本申请享受以日本专利申请2020－4290号(申请日：2020年1月15日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁盘装置以及记录容量的设定方法。
背景技术
近年来，开发了具有实现高记录密度的技术的磁盘装置。作为实现高记录密度的磁盘装置，具有在盘的半径方向上进行多个磁道的重叠写入的瓦记录型式(Shingledwrite Magnetic Recording：SMR，或者Shingled Write Recording：SWR)的磁盘装置。另外，也具有能够对通常记录型式和瓦记录型式进行选择来加以执行的磁盘装置，通常记录型式在盘的半径方向上空开间隔地进行多个磁道的写入。能够对通常记录型式和瓦记录型式进行选择来加以执行的磁盘装置为了实现以瓦记录型式向盘写入数据时的暂时性的数据的保持、刷新写入，需要容量比以通常记录型式向盘写入数据时所需要的容量大的媒体(media，介质)高速缓存。
发明内容
本发明的实施方式提供能够高效地写入数据的磁盘装置以及记录容量的设定方法。
本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有第1区域和第2区域，所述第2区域供暂时性地写入向所述第1区域写入之前的数据；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其对通常记录和瓦记录进行选择来加以执行，根据能够以所述瓦记录向所述第1区域写入的数据的第1写入容量来对能够向所述第2区域写入的数据的高速缓存数据容量进行变更，所述通常记录是在所述盘的半径方向上空开间隔来进行磁道的写入的记录，所述瓦记录是在所述半径方向上重叠地进行磁道的写入的记录。
附图说明
图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。
图2是表示第1实施方式涉及的头相对于盘的配置的一个例子的示意图。
图3是表示通常记录处理的一个例子的示意图。
图4是表示瓦记录处理的一个例子的示意图。
图5是表示通常记录区域和瓦记录区域的一个例子的示意图。
图6是表示第1实施方式涉及的盘的状态的一个例子的示意图。
图7是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域的数量的变化和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域的数量的变化的一个例子的示意图。
图8是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域的数量的变化和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域的数量的变化的一个例子的示意图。
图9是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域的数量的变化的一个例子的示意图。
图10是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域的数量的变化和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域的数量的变化的一个例子的示意图。
图11是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域的数量的变化的一个例子的示意图。
图12是表示第1实施方式涉及的盘的记录容量的设定方法的一个例子的流程图。
图13是表示变形例1涉及的盘的状态的一个例子的示意图。
图14是表示变形例1涉及的盘的状态的一个例子的示意图。
图15是表示变形例1涉及的盘的状态的一个例子的示意图。
图16是表示变形例1涉及的盘的状态的一个例子的示意图。
图17是表示变形例1涉及的盘的状态的一个例子的示意图。
图18是表示变形例1涉及的盘的状态的一个例子的示意图。
图19是表示变形例1涉及的盘的记录区域的设定方法的一个例子的流程图。
图20是表示变形例2涉及的盘的状态的一个例子的示意图。
图21是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域的数量的变化和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域的数量的变化的一个例子的示意图。
图22是表示第2实施方式涉及的媒体高速缓存的设定方法的一个例子的流程图。
图23是表示变形例4涉及的媒体高速缓存的设定方法的一个例子的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一个例子，并不限定发明的范围。
(第1实施方式)
图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。
磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下记载为头放大器IC或者预放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓存)90以及作为单芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100连接。
HDA具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、搭载头15的臂13、音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM12，通过SPM12的驱动进行旋转。臂13和VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。盘10和头15也可以设置有两个以上的数量。
盘10在其能写入数据的区域分配有能由用户利用的用户数据区域10a、在将从主机等传送来的数据(或者命令)写入到用户数据区域10a的预定区域之前对其暂时性地进行保持的媒体高速缓存(或者有时也称为媒体高速缓存区域)10b、以及写入系统管理所需要的信息的系统区10c。以下，将从盘10的内周朝向外周的方向、或者从盘10的外周朝向内周的方向称为半径方向。在半径方向上，将从内周朝向外周的方向称为外方向(外侧)，将从内周朝向外周的方向称为内方向(内侧)。将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。圆周方向相当于沿着盘10的圆周的方向。另外，有时也将盘10的半径方向上的预定位置称为半径位置，将盘10的圆周方向上的预定位置称为圆周位置。有时也将半径位置和圆周位置一并简称为位置。盘10按半径方向的预定范围来划分为多个区域(以下有时也称为分区(zone))。分区能够按半径方向的预定范围来划分为多个区域(以下有时也称为带区域)。在带区域能够写入多个磁道。磁道包含多个扇区。另外，有时也将对盘10在半径方向上进行划分而得到的区域称为半径区域。半径区域包含分区、带区域以及磁道等。此外，“磁道”以在盘10的半径方向上划分而得到的多个区域中的一个区域、预定的半径位置处的头15的路径、在盘10的圆周方向上延伸的数据、在预定的半径位置的磁道所写入的1周的量的数据、在磁道所写入的数据、其他各种含义来使用。“扇区”以将磁道在圆周方向上划分而得到的多个区域中的一个区域、在盘10的预定位置所写入的数据、在扇区所写入的数据、其他各种含义来使用。有时也将“在盘10进行了写入的磁道”称为“写入磁道”，将“从盘10读取的磁道”称为“读取磁道”。既有时将“写入磁道”简称为“磁道”，也有时将“读取磁道”简称为“磁道”，还有时将“写入磁道”和“读取磁道”一并称为“磁道”。有时也将“磁道的半径方向上的宽度”称为“磁道宽度”。有时也将“写入磁道的半径方向上的宽度”称为“写入磁道宽度”，将“读取磁道的半径方向上的宽度”称为“读取磁道宽度”。有时也将“写入磁道宽度和读取磁道宽度”一并简称为“磁道宽度”。将“在预定磁道中的磁道宽度的中心位置通过的路径”称为“磁道中央”。有时也将“在预定的写入磁道中的写入磁道宽度的中心位置通过的路径”称为“写入磁道中央”，将“在读取磁道的读取磁道宽度的中心位置通过的路径”称为“读取磁道中央”。有时也将“写入磁道中央和读取磁道中央”一并简称为“磁道中央”。“用户数据区域”这一用语既有时以“用户数据区域的一部分”这一含义来使用，也有时以“多个用户数据区域中的一个用户数据区域”这一含义来使用，还有时以“多个用户数据区域中的几个用户数据区域”这一含义来使用，又有时以“盘10的全部用户数据区域”这一含义来使用。“媒体高速缓存”这一用语既有时以“媒体高速缓存的一部分”这一含义来使用，也有时以“多个媒体高速缓存中的一个媒体高速缓存”这一含义来使用，还有时以“多个媒体高速缓存中的几个媒体高速缓存”这一含义来使用，又有时以“盘10的全部媒体高速缓存”这一含义来使用。
头15将滑块作为主体，具备安装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W向盘10写入数据。读取头15R对在盘10所写入的数据进行读取。此外，既有时也将“写入头15W”简称为“头15”，也有时将“读取头15R”简称为“头15”，还有时将“写入头15W和读取头15R”一并称为“头15”。有时也将“头15的中心部”称为“头15”，将“写入头15W的中心部”称为“写入头15W”，将“读取头15R的中心部”称为“读取头15R”。既有时将“写入头15W的中心部”简称为“头15”，也有时将“读取头15R的中心部”简称为“头15”。也有时以“将头15定位于预定磁道”、“将头15配置在预定磁道”或者“使头15位于预定磁道”等来表现“将头15的中心部定位于预定磁道的磁道中央”这一情况。
图2是表示本实施方式涉及的头15相对于盘10的配置的一个例子的示意图。如图2所示，在圆周方向上，将盘10所旋转的方向称为旋转方向。此外，在图2所示的例子中，旋转方向以逆时针方向来表示，但也可以是相反方向(顺时针方向)。在图2中，盘10被划分为位于内方向的内周区域IR、位于外方向的外周区域OR、和位于内周区域IR与外周区域OR之间的中周区域MR。在图2中示出媒体高速缓存10b。在图2中，媒体高速缓存10b和系统区10c位于外周区域OR。在图2所示的例子中，系统区10c位于盘10的最外周。媒体高速缓存10b与系统区10c在内方向上相邻地配置。在此，“相邻”当然包含数据、物体、区域以及空间等相接地排列，也包含空开预定的间隔来排列。此外，媒体高速缓存10b也可以位于内周区域IR或者中周区域MR。另外，媒体高速缓存10b也可以分散地位于外周区域OR、中周区域MR以及内周区域IR。在图2中示出半径位置RP。在图2所示的例中，半径位置RP包含于中周区域MR。在图2中示出磁道中央TRC。磁道中央TRC例如位于与盘10呈同心圆状的位置。例如，磁道中央TRC位于呈正圆状的位置。此外，磁道中央TRC既可以不位于呈圆状的位置，也可以位于呈在半径方向上变动的同时沿着圆周方向延伸的波状的位置。在图2中，半径位置RP相当于磁道中央TRC。
头15被定位于半径位置RP，通过写入头15W沿着磁道中央TRC向预定的磁道写入数据，或者通过读取头15R沿着磁道中央TRC对在预定的磁道所写入的数据进行读取。
驱动器IC20按照系统控制器130(详细而言为后述的MPU60)的控制，对SPM12和VCM14的驱动进行控制。
头放大器IC(预放大器)30具备读取放大器和写入驱动器等。读取放大器对从盘10读取的读取信号进行放大，并输出至系统控制器130(详细而言为后述的读/写(R/W)通道50)。写入驱动器向头15输出与从R/W通道50输出的信号相应的写入电流。
易失性存储器70是当电力供给被切断时、所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的各部的处理所需要的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器)或者SDRAM(SynchronousDynamic Random Access Memory，同步动态随机访问存储器)。
非易失性存储器80是即使电力供给被切断、也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如是NOR型或者NAND型的闪速ROM(Flash Read Only Memory(闪速只读存储器)：FROM)。
缓冲存储器90是暂时性地记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器90也可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器90例如是DRAM、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机访问存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory，铁电随机访问存储器)或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻随机访问存储器)等。
系统控制器(控制器)130例如可使用多个元件集成于单一芯片的被称为片上系统(System on a Chip(SoC))的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括硬盘控制器(HDC)40、读/写(R/W)通道50、和微处理器或者微处理单元(MPU)60。HDC40、R/W通道50以及MPU60分别相互电连接。系统控制器130例如与驱动器IC20、头放大器IC30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90以及主机系统100等电连接。
HDC40相应于来自后述的MPU60的指示，对主机100与R/W通道50之间的数据传送进行控制。HDC40例如与易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等电连接。
R/W通道50相应于来自MPU60的指示，执行读取数据以及写入数据的信号处理。R/W通道50具有对写入数据进行调制的电路或者功能。另外，R/W通道50具有对读取数据的信号品质进行测定的电路或者功能。R/W通道50例如与头放大器IC30等电连接。
MPU60是对磁盘装置1的各部进行控制的主控制器。MPU60经由驱动器IC20对VCM14进行控制，执行头15的定位。MPU60对于向盘10写入数据的写入动作进行控制，并且，对从主机100传送的写入数据的保存目的地进行选择。另外，MPU60对从盘10读取数据的读取动作进行控制，并且，对从盘10传送至主机100的读取数据的处理进行控制。另外，MPU60对记录数据的区域进行管理。MPU60与磁盘装置1的各部连接。MPU60例如与驱动器IC20、HDC40以及R/W通道50等电连接。
MPU60具备读/写控制部610和记录区域管理部620。MPU60在固件上执行各部、例如读/写控制部610和记录区域管理部620等的处理。此外，MPU60也可以作为电路来具备各部、例如读/写控制部610和记录区域管理部620等。
读/写控制部610按照来自主机100的命令等，对数据的读取处理和写入处理进行控制。读/写控制部610经由驱动器IC20对VCM14进行控制，将头15定位于盘10上的预定的半径位置，执行读取处理或者写入处理。
例如，读/写控制部610以通常记录(Conventional Magnetic Recording：CMR)型式执行写入处理，通常记录型式是对从预定磁道在半径方向上空开预定间隔(间隙)地与该预定磁道在半径方向上相邻的其他磁道(以下有时也称为相邻磁道)写入数据的记录型式。“相邻磁道”包括“与预定磁道在外方向上相邻的磁道”、“与预定磁道在内方向上相邻的磁道”以及“与预定磁道在外方向和内方向上相邻的多个磁道”。以下，有时也将“以通常记录型式写入数据”称为“进行通常记录”、“执行通常记录处理”或者简称为“进行写入”。另外，读/写控制部610以瓦记录(Shingled write Magnetic Recording：SMR，或者ShingledWrite Recording：SWR)型式执行写入处理，瓦记录型式是与预定磁道(以下有时也称为前一磁道)的半径方向上的一部分重叠地进行接下来要写入的磁道(以下有时也称为接下来的磁道)的写入的记录型式。以下，有时也将“以瓦记录型式写入数据”称为“进行瓦记录”或者“执行瓦记录处理”。读/写控制部610按照来自主机100的命令等，执行通常记录处理或者瓦记录处理。换言之，读/写控制部610按照来自主机100的命令等，选择性地执行通常记录处理和瓦记录处理。此外，读/写控制部610既可以仅执行通常记录处理，也可以仅执行瓦记录处理。另外，有时也将不是瓦记录处理的写入处理称为通常记录处理。
图3是表示通常记录处理的一个例子的示意图。在图3中示出磁道TR1、TR2以及TR3。在图3中示出磁道TR1的磁道中央TRC1、磁道TR2的磁道中央TRC2以及磁道TR2的磁道中央TRC3。在通常记录中，磁道TR1和TR2的磁道间距TRP1相当于磁道中央TRC1和TRC2的距离，磁道TR2和TR3的磁道间距TRP2相当于磁道中央TRC2和TRC3的距离。磁道TR1和磁道TR2按间隙GP1相分离。磁道TR2和磁道TR3按间隙GP2相分离。在图3中，为了便于说明，将各磁道表示为以预定的磁道宽度在圆周方向上延伸的长方形状，但实际上是沿着圆周方向弯曲。另外，各磁道也可以是在半径方向上变动的同时在圆周方向上延伸的波状。
在图3所示的例子中，在盘10的预定区域、例如用户数据区域10a中，读/写控制部610将头15定位于磁道中央TRC1，对磁道TR1或者磁道TR1的预定扇区进行通常记录。在用户数据区域10a中，读/写控制部610将头15定位于与磁道TR1的磁道中央TRC1在外方向上相距磁道间距TRP1的磁道中央TRC2，对磁道TR2或者磁道TR2的预定扇区进行通常记录。在用户数据区域10a中，读/写控制部610将头15定位于与磁道TR2的磁道中央TRC2在外方向上相距磁道间距TRP2的磁道中央TRC3，对磁道TR3或者磁道TR3的预定扇区进行通常记录。读/写控制部610在盘10的预定区域、例如用户数据区域10a中，既可以顺序地对磁道TR1、TR2以及TR3进行通常记录，也可以随机地对磁道TR1的预定扇区、磁道TR2的预定扇区以及磁道TR3的预定扇区进行通常记录。
图4是表示瓦记录处理的一个例子的示意图。在图4中示出在半径方向上沿着一个方向连续地被进行了重叠写入的多个磁道(磁道组或者带)。在瓦记录中，将通过写入头15W写入了数据的区域称为写入磁道，将预定的写入磁道的除了进行了其他的写入磁道的重叠写入的区域以外的剩余的区域称为读取磁道。在图4中，为了便于说明，将各磁道表示为以预定的磁道宽度在圆周方向上延伸的长方形状，但实际上是沿着圆周方向弯曲。另外，各磁道也可以是在半径方向上变动的同时在圆周方向上延伸的波状。
在图4中，向外方向顺序地进行写入磁道宽度WTW1的写入磁道WT1、写入磁道宽度WTW2的写入磁道WT2以及写入磁道宽度WTW3的写入磁道WT3的瓦记录。换言之，写入磁道WT1、写入磁道WT2以及写入磁道WT3被按记载的顺序在外方向上进行重叠写入。写入磁道WT2在写入磁道WT1的外方向上进行重叠写入。写入磁道WT2的磁道中央WTC2位于与写入磁道WT1的磁道中央WTC1在外方向上相距磁道间距WTP1的位置。读取磁道RT1相当于写入磁道WT1中的除了进行了写入磁道WT2的重叠写入的区域以外的剩余的区域。读取磁道RT1的读取磁道宽度RTW1相当于磁道间距WTP1。写入磁道WT3在写入磁道WT2的外方向上进行重叠写入。写入磁道WT3的磁道中央WTC3位于与写入磁道WT2的磁道中央WTC2在外方向上相距磁道间距WTP2的位置。读取磁道RT2相当于写入磁道WT2中的除了进行了写入磁道WT3的重叠写入的区域以外的剩余的区域。读取磁道RT2的读取磁道宽度RTW2相当于磁道间距WTP2。读取磁道RT3相当于写入磁道WT3。读取磁道RT3的读取磁道宽度RTW3相当于写入磁道宽度WTW3。此外，在图4中，进行了3条磁道的重叠写入，但也可以进行小于3条或者多于3条的磁道的重叠写入。
记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示来对盘10的记录区域(以下有时也简称为盘10)进行管理。记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示例如数据的容量(以下称为数据容量)、预定区域的半径方向上的范围(以下有时也称为半径范围)、预定区域的面积、记录型式以及通过预定的记录型式写入数据的区域的半径范围等的指示，设定或者变更盘10中的用户数据区域10a的半径范围(或者面积)和媒体高速缓存10b的半径范围(或者面积)。换言之，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，对盘10中的用户数据区域10a的面积和媒体高速缓存10b的面积的比例进行调整。也即是，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，对在盘10中能够向用户数据区域10a写入的数据容量(以下有时也称为用户数据容量)和在盘10中能够向媒体高速缓存10b写入的数据容量(以下有时也称为媒体高速缓存容量)进行设定或者变更。此外，“半径范围”包括“从预定的半径位置到其他的半径位置为止的区域”、“从预定的半径位置到其他的半径位置为止的距离”、“从预定磁道到其他磁道为止的区域”、“在半径方向上排列的磁道的数量”以及“预定的半径位置”等的含义。既有时也将“用户数据区域的半径范围”或者“用户数据区域的面积”简称为“用户数据区域”，也有时将“媒体高速缓存的半径范围”或者“媒体高速缓存的面积”简称为“媒体高速缓存”。用户数据容量例如相当于能够向预定的用户数据区域10a写入的数据容量的上限值。媒体高速缓存容量例如相当于能够向预定的媒体高速缓存10b写入的数据容量的上限值。“用户数据区域的半径范围”、“用户数据区域的面积”或者“用户数据区域”这些用语既有时以“用户数据区域的一部分的半径范围或者面积”这一含义来使用，也有时以“多个用户数据区域中的一个用户数据区域的半径范围或者面积”这一含义来使用，还有时以“多个用户数据区域中的几个用户数据区域的半径范围或者面积之和”这一含义来使用，又有时以“盘10的全部用户数据区域的半径范围或者面积之和”这一含义来使用。“用户数据容量”这一用语既有时以“能够向多个用户数据区域中的一个用户数据区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用，也有时以“能够向多个用户数据区域中的几个用户数据区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用，还有时以“能够向盘10的全部用户数据区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用。“媒体高速缓存的面积”或者“媒体高速缓存”这一用语既有时以“媒体高速缓存的一部分的面积”这一含义来使用，也有时以“多个媒体高速缓存中的一个媒体高速缓存的面积”这一含义来使用，还有时以“多个媒体高速缓存中的几个媒体高速缓存的面积之和”这一含义来使用，又有时以“盘10的全部媒体高速缓存的面积之和”这一含义来使用，还有时以“媒体高速缓存所包含的磁道”这一含义来使用，又有时以“媒体高速缓存所包含的几个磁道”这一含义来使用，又还有时以“媒体高速缓存所包含的磁道的数量”这一含义来使用。“媒体高速缓存容量”这一用语既有时以“能够向多个媒体高速缓存中的一个媒体高速缓存写入的数据容量的上限值”这一含义来使用，也有时以“能够向多个媒体高速缓存中的几个媒体高速缓存写入的数据容量的上限值”这一含义来使用，还有时以“能够向盘10的全部媒体高速缓存写入的数据容量的上限值”这一含义来使用。另外，记录区域管理部620也可以将用户数据区域10a、媒体高速缓存10b以及系统区10c在盘10中的划分作为表来保持在预定的记录区域、例如盘10的系统区10c或者非易失性存储器80等中。例如，记录区域管理部620通过对记录于该表的用户数据区域10a、媒体高速缓存10b以及系统区10c的值进行重写，对盘10设定用户数据区域10a、媒体高速缓存10b以及系统区10c。
记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，将盘10的预定的记录区域设定或者变更为以通常记录型式写入数据的用户数据区域10a(以下称为通常记录区域)。换言之，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，对盘10中的通常记录区域的半径范围(或者面积)进行设定或者变更。也即是，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，对在盘10中能够以通常记录型式写入的数据容量(以下有时也称为通常记录区域的容量或者通常记录容量)进行设定或者变更。通常记录容量例如相当于能够以通常记录型式向盘10写入的数据容量的上限值。“通常记录容量”这一用语既有时以“能够向多个通常记录区域中的一个通常记录区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用，也有时以“能够向多个通常记录区域中的几个通常记录区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用，还有时以“能够向盘10的全部通常记录区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用。例如，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的瓦记录区域中的预定区域变更为通常记录区域。例如，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的瓦记录区域中的预定区域变更为通常记录区域，使盘10中的通常记录区域的面积增加，使盘10中的瓦记录区域的面积减少。以下，既有时将“通常记录区域的半径范围”或者“通常记录区域的面积”简称为“通常记录区域”，也有时将“瓦记录区域的半径范围”或者“瓦记录区域的面积”简称为“瓦记录区域”。“通常记录区域”这一用语既有时以“通常记录区域的一部分”这一含义来使用，还有时以“多个通常记录区域中的一个通常记录区域”这一含义来使用，也有时以“多个通常记录区域中的几个通常记录区域”这一含义来使用，又有时以“盘10的全部通常记录区域”这一含义来使用。“通常记录区域的半径范围”、“通常记录区域的面积”以及“通常记录区域”这些用语既有时以“通常记录区域的一部分的半径范围或者面积”这一含义来使用，也有时以“多个通常记录区域中的一个通常记录区域的半径范围或者面积”这一含义来使用，还有时以“多个通常记录区域中的几个通常记录区域的半径范围或者面积之和”这一含义来使用，又有时以“盘10的全部通常记录区域的半径范围或者面积之和”这一含义来使用。“瓦记录区域”这一用语既有时以“瓦记录区域的一部分”这一含义来使用，也有时以“多个瓦记录区域中的一个瓦记录区域”这一含义来使用，还有时以“多个瓦记录区域中的几个瓦记录区域”这一含义来使用，又有时以“盘10的全部瓦记录区域”这一含义来使用。“瓦记录区域的半径范围”、“瓦记录区域的面积”以及“瓦记录区域”这些用语既有时以“瓦记录区域的一部分的半径范围或者面积”这一含义来使用，也有时以“多个瓦记录区域中的一个瓦记录区域的半径范围或者面积”这一含义来使用，还有时以“多个瓦记录区域中的几个瓦记录区域的半径范围或者面积之和”这一含义来使用，又有时以“盘10的全部瓦记录区域的半径范围或者面积之和”这一含义来使用。例如，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，将媒体高速缓存10b中的预定区域变更为通常记录区域。例如，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，将媒体高速缓存10b中的预定区域变更为通常记录区域，使盘10中的通常记录区域的面积增加，使盘10中的媒体高速缓存10b减少。在一个例子中，记录区域管理部620按特定面积(或者特定的半径范围)的区域或者能够写入数据直到特定的数据容量为止的区域(以下有时也称为通常记录带区域)来对通常记录区域进行管理。通常记录带区域可以包括通过通常记录进行写入的多个磁道。例如，记录区域管理部620在盘10中按通常记录带区域来设定通常记录区域。另外，例如记录区域管理部620按通常记录带区域来将通常记录区域变更为瓦记录区域。此外，记录区域管理部620既可以按通常记录带区域来设定通常记录区域，也可以相应于主机100等的指示，将盘10的任意的半径范围(或者面积)的区域设定为通常记录区域。
记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，将盘10的预定的记录区域设定或者变更为以瓦记录型式写入数据的用户数据区域10a(以下称为瓦记录区域)。换言之，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，对盘10中的瓦记录区域的半径范围(或者面积)进行设定或者变更。也即是，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，对在盘10中能够以瓦记录型式进行写入的数据容量(以下有时也称为瓦记录区域的容量或者瓦记录容量)进行设定或者变更。瓦记录容量例如相当于能够以瓦记录型式进行写入的数据容量的上限值。“瓦记录容量”这一用语既有时以“能够向多个瓦记录区域中的一个瓦记录区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用，也有时以“能够向多个瓦记录区域中的几个瓦记录区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用，还有时以“能够向盘10的全部瓦记录区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用。例如，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的通常记录区域中的预定区域变更为瓦记录区域。例如，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的通常记录区域中的预定区域变更为瓦记录区域，使盘10中的瓦记录区域增加，使盘10中的通常记录区域减少。也即是，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，对用户数据区域10a的通常记录区域和瓦记录区域的比例进行调整。例如，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，将媒体高速缓存10b中的预定区域变更为瓦记录区域。换言之，记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示，将媒体高速缓存10b中的预定区域变更为瓦记录区域，使盘10中的瓦记录区域增加，使盘10中的媒体高速缓存10b减少。在一个例子中，记录区域管理部620按特定面积(或者特定的半径范围)的区域或者能够写入数据直到特定的数据容量为止的区域(以下有时也称为瓦记录带区域)来对瓦记录区域进行管理。瓦记录带区域可以包含通过瓦记录进行写入的多个磁道。例如，记录区域管理部620在盘10中按瓦记录带区域来设定瓦记录区域。另外，例如记录区域管理部620按瓦记录带区域将瓦记录区域变更为通常记录区域。此外，记录区域管理部620既可以不按瓦记录带区域来设定瓦记录区域，也可以相应于主机100等的指示来将盘10的任意的半径范围(或者面积)的区域设定为瓦记录区域。另外，记录区域管理部620也可以将通常记录区域和瓦记录区域在用户数据区域10a中的划分作为表来保持于预定的记录区域、例如盘10的系统区10c或者非易失性存储器80等。例如，记录区域管理部620通过对记录于该表的通常记录区域和瓦记录区域的值进行重写，从而对用户数据区域10a设定通常记录区域和瓦记录区域。
通常记录带区域的半径范围(以下有时也称为通常记录带范围)和瓦记录带区域的半径范围(以下有时也称为瓦记录带范围)不同。换言之，通常记录带区域的面积和瓦记录带区域的面积不同。以下，有时也将“通常记录带范围”或者“通常记录带区域的面积”简称为“通常记录带区域”，将“瓦记录带区域范围”或者“瓦记录带区域的面积”简称为“瓦记录带区域”。例如，通常记录带范围大于瓦记录带范围。换言之，通常记录带区域大于瓦记录带区域。此外，通常记录带范围和瓦记录带范围也可以相同。换言之，通常记录带区域和瓦记录带区域也可以相同。“相同”和“一致”等的用语当然包含“完全相同”以及“完全一致”这一含义，也包含“按实质上可视为相同的程度有偏差”以及“按实质上可视为一致的程度有偏差”这一含义。另外，通常记录带范围也可以小于瓦记录带范围。例如，能向一个通常记录带区域写入的数据容量(以下有时也称为通常记录带容量)和能向一个瓦记录带区域写入的数据容量(以下有时也称为瓦记录带容量)相同。通常记录带容量例如相当于能向一个通常记录带区域写入的数据容量的上限值。另外，瓦记录数据容量例如相当于能向一个瓦记录带区域写入的数据容量的上限值。此外，通常记录带容量和瓦记录带容量也可以不同。“通常记录带区域”这一用语既有时以“通常记录带区域的一部分”这一含义来使用，也有时以“多个通常记录带区域中的一个通常记录带区域”这一含义来使用，还有时以“多个通常记录带区域中的几个通常记录带区域”这一含义来使用，又有时以“盘10的全部通常记录带区域”这一含义来使用。“通常记录带区域的半径范围”、“通常记录带区域的面积”以及“通常记录带区域”这些用语既有时以“通常记录带区域的一部分的半径范围或者面积”这一含义来使用，也有时以“多个通常记录带区域中的一个通常记录带区域的半径范围或者面积”这一含义来使用，还有时以“多个通常记录带区域中的几个通常记录带区域的半径范围或者面积之和”这一含义来使用，又有时以“盘10的全部通常记录带区域的半径范围或者面积之和”这一含义来使用。“通常记录带容量”这一用语既有时以“能向多个通常记录带区域中的一个通常记录带区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用，也有时以“能向多个通常记录带区域中的几个通常记录带区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用，还有时以“能向盘10的全部通常记录带区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用。“瓦记录带区域”这一用语既有时以“瓦记录带区域的一部分”这一含义来使用，也有时以“多个瓦记录带区域中的一个瓦记录带区域”这一含义来使用，还有时以“多个瓦记录带区域中的几个瓦记录带区域”这一含义来使用，又有时以“盘10的全部瓦记录带区域”这一含义来使用。“瓦记录带区域的半径范围”、“瓦记录带区域的面积”以及“瓦记录带区域”这些用语既有时以“瓦记录带区域的一部分的半径范围或者面积”这一含义来使用，也有时以“多个瓦记录带区域中的一个瓦记录带区域的半径范围或者面积”这一含义来使用，还有时以“多个瓦记录带区域中的几个瓦记录带区域的半径范围或者面积之和”这一含义来使用，又有时以“盘10的全部瓦记录带区域的半径范围或者面积之和”这一含义来使用。“瓦记录带容量”这一用语既有时以“能向多个瓦记录带区域中的一个瓦记录带区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用，也有时以“能向多个瓦记录带区域中的几个瓦记录带区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用，还有时以“能向盘10的全部瓦记录带区域写入的数据容量的上限值”这一含义来使用。
记录区域管理部620相应于瓦记录容量(瓦记录区域的面积或者瓦记录区域的半径范围)，对媒体高速缓存10b(或者媒体高速缓存容量)进行设定或者变更。换言之，记录区域管理部620相应于瓦记录容量(瓦记录区域的面积或者瓦记录区域的半径范围)，对媒体高速缓存容量进行设定或者变更。例如，记录区域管理部620在瓦记录容量增加了的情况下使媒体高速缓存10b(或者媒体高速缓存容量)增加。另外，记录区域管理部620在瓦记录容量减少了的情况下使媒体高速缓存10b(媒体高速缓存10b的半径范围或者媒体高速缓存容量)减少。在一个例子中，在盘10的用户数据区域10a全部为通常记录区域的情况下，媒体高速缓存容量为几MB(Megabyte，兆字节)～几百MB，例如为256MB。在一个例子中，在盘10的用户数据区域10a全部为瓦记录区域的情况下，媒体高速缓存容量为几GB(Gigabyte，千兆字节)～几十GB，例如16GB。此外，记录区域管理部620也可以相应于通常记录容量(通常记录区域的面积或者通常记录区域的半径范围)，对媒体高速缓存10b(或者媒体高速缓存容量)进行设定或者变更。另外，记录区域管理部620也可以不相应于瓦记录容量(瓦记录区域的面积或者瓦记录区域的半径范围)来对媒体高速缓存10b(或者媒体高速缓存容量)进行设定或者变更。
图5是表示通常记录区域CR和瓦记录区域SR的一个例子的示意图。
记录区域管理部620对用户数据区域10a设定通常记录区域CR和瓦记录区域SR。通常记录区域CR至少包含一个带区域BA(通常记录带区域CBA)。在图5所示的例子中，通常记录区域CR包含两个通常记录带区域CBA。瓦记录区域SR至少包含一个带区域BA(瓦记录带区域SBA)。在图5所示的例子中，瓦记录区域SR包含两个瓦记录带区域SBA。通常记录带区域CBA的通常记录带容量和瓦记录带区域SBA的瓦记录带容量相同。另外，通常记录带范围BW1大于瓦记录带范围BW2。能向一个带区域BA写入的数据容量(以下有时也称为带容量)为几MB～几GB，例如256MB。换言之，通常记录带容量和瓦记录带容量为几MB～几GB，例如256MB。
图6是表示本实施方式涉及的盘10的状态的一个例子的示意图。在图6中示出盘10的状态6A、盘10的状态6B以及盘10的状态6C。在状态6A～状态6C中示出盘10的一部分区域。在状态6A～状态6C中，为了便于说明，将盘10的一部分区域表示为在半径方向上延伸的长方形状，但实际上是如图1和图2所示那样在圆周方向上弯曲。状态6A表示将全部用户数据区域10a设定为通常记录区域CR的盘10的状态。例如，状态6A的瓦记录容量为0(零)Byte(字节)。在状态6A中示出从盘10的最内周到最外周的半径范围(以下有时也简称为盘10的半径范围或者盘10的半径)RDW、用户数据区域10a的半径范围UW1、媒体高速缓存10b的半径范围MW1以及系统区10c的半径范围SW。用户数据区域10a的半径范围UW1大于媒体高速缓存10b的半径范围MW1。状态6B表示在用户数据区域10a中混合存在通常记录区域CR和瓦记录区域SR的盘10的状态。状态6B的瓦记录容量大于状态6A的瓦记录容量。在状态6B中示出盘10的半径范围RDW、用户数据区域10a的半径范围UW2、媒体高速缓存10b的半径范围MW2以及系统区10c的半径范围SW。用户数据区域10a的半径范围UW2大于媒体高速缓存10b的半径范围MW2。状态6B的用户数据区域10a的半径范围UW2小于状态6A的用户数据区域10a的半径范围UW1。状态6B的媒体高速缓存10b的半径范围MW2大于状态6A的媒体高速缓存10b的半径范围MW1。也即是，状态6B的媒体高速缓存容量大于状态6A的媒体高速缓存容量。状态6C表示将全部用户数据区域10a设定为瓦记录区域SR的盘10的状态。状态6C的瓦记录容量大于状态6B的瓦记录容量。在状态6C中示出盘10的半径范围RDW、用户数据区域10a的半径范围UW3、媒体高速缓存10b的半径范围MW3以及系统区10c的半径范围SW。用户数据区域10a的半径范围UW3大于媒体高速缓存10b的半径范围MW3。状态6C的用户数据区域10a的半径范围UW3小于状态6B的用户数据区域10a的半径范围UW2。状态6C的媒体高速缓存10b的半径范围MW3大于状态6B的媒体高速缓存10b的半径范围MW2。也即是，状态6C的媒体高速缓存容量大于状态6B的媒体高速缓存容量。
记录区域管理部620相应于来自主机100等的指示来设定媒体高速缓存10b。在图6所示的例子中，记录区域管理部620在从主机100等接收到设定为状态6A的瓦记录区域SR的全部半径范围(或者面积)所对应的瓦记录区域容量(＝0)的指示的情况下，设定为媒体高速缓存10b的半径范围MW1。记录区域管理部620将除了系统区10c和媒体高速缓存10b之外的盘10的区域设定为用户数据区域10a。在图6所示的例子中，记录区域管理部620将除了系统区10c的半径范围SW和媒体高速缓存10b的半径范围MW1之外的盘10的半径范围RDW的剩余的半径范围UW1设定为用户数据区域10a。记录区域管理部620相应于由主机100等指示的状态6A的瓦记录区域SR的全部半径范围(或者面积)所对应的瓦记录容量，将用户数据区域10a的全部区域设定为通常记录区域CR。
记录区域管理部620在从主机100等接收到从状态6A的瓦记录区域SR的半径范围(或者面积)所对应的瓦记录容量变更为状态6B的多个瓦记录区域SR的半径范围(或者面积)之和所对应的瓦记录容量的指示的情况下，从状态6A的媒体高速缓存10b变更为状态6B的媒体高速缓存10b。在图6所示的例子中，记录区域管理部620在从主机100等接收到从状态6A的瓦记录区域SR的半径范围(或者面积)所对应的瓦记录容量变更为状态6B的多个瓦记录区域SR的半径范围(或者面积)之和所对应的瓦记录容量的指示的情况下，从媒体高速缓存10b的半径范围MW1变更为媒体高速缓存10b的半径范围MW2。记录区域管理部620将除了系统区10c和媒体高速缓存10b之外的盘10的区域设定为用户数据区域10a。在图6所示的例子中，记录区域管理部620将除了系统区10c的半径范围SW和媒体高速缓存10b的半径范围MW2之外的盘10的半径范围RDW的剩余的半径范围UW2设定为用户数据区域10a。记录区域管理部620相应于由主机100等指示的状态6B的多个瓦记录区域SR的半径范围(或者面积)之和所对应的瓦记录容量，将用户数据区域10a中的预定的通常记录区域CR变更为瓦记录区域SR。
记录区域管理部620在从主机100等接收到从状态6B的多个瓦记录区域SR的半径范围(或者面积)之和所对应的瓦记录容量变更为状态6C的瓦记录区域SR的半径范围(或者面积)所对应的瓦记录容量的指示的情况下，从状态6B的媒体高速缓存10b变更为状态6C的媒体高速缓存10b。在图6所示的例子中，记录区域管理部620在从主机100等接收到从状态6B的多个瓦记录区域SR的半径范围(或者面积)之和所对应的瓦记录容量变更为状态6C的瓦记录区域SR的半径范围(或者面积)所对应的瓦记录容量的指示的情况下，从媒体高速缓存10b的半径范围MW2变更为媒体高速缓存10b的半径范围MW3。记录区域管理部620将除了系统区10c和媒体高速缓存10b之外的盘10的区域设定为用户数据区域10a。在图6所示的例子中，记录区域管理部620将除了系统区10c的半径范围SW和媒体高速缓存10b的半径范围MW3之外的盘10的半径范围RDW的剩余的半径范围UW3设定为用户数据区域10a。记录区域管理部620相应于由主机100等指示的状态6C的瓦记录区域SR的半径范围(或者面积)所对应的瓦记录容量，将用户数据区域10a中的全部通常记录区域CR变更为瓦记录区域SR。
此外，在图6中，对从状态6A变更为状态6B、从状态6B变更为状态6C的情况进行了说明，但既可以从状态6A变更为状态6C，也可以从状态6B变更为状态6A，还可以从状态6C变更为状态6A或者状态6B。也可以将状态6A的媒体高速缓存容量(媒体高速缓存10b的面积或者媒体高速缓存10b的半径范围)固定，将通常记录区域CR变更为瓦记录区域SR。既可以将状态6B的媒体高速缓存容量(媒体高速缓存10b的面积或者媒体高速缓存10b的半径范围)固定，将通常记录区域CR变更为瓦记录区域SR，也可以将瓦记录区域SR变更为通常记录区域CR。另外，也可以将状态6C的媒体高速缓存容量(媒体高速缓存10b的面积或者媒体高速缓存10b的半径范围)固定，将瓦记录区域SR变更为通常记录区域CR。
以下，参照图7、图8、图9、图10以及图11，对与瓦记录容量或者瓦记录带区域的数量相应的媒体高速缓存容量的设定方法的一个例子进行表示。
图7是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化SCL和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化MCL1的一个例子的示意图。在图7中，纵轴表示瓦记录容量和媒体高速缓存容量，横轴表示瓦记录带区域SBA的数量。瓦记录带区域SBA的数量例如相当于瓦记录区域SR的面积或者瓦记录区域SR的半径范围。在图7中，瓦记录容量和媒体高速缓存容量随着向纵轴的箭头的前端侧前进而变大。在图7的纵轴示出能够保持从主机100等发送来的特定容量(或者数量)的数据(或者命令)的容量(以下有时也称为规定容量)MAC。规定容量例如相当于足够在将用户数据区域10a全部设定为了瓦记录区域SR的情况下执行写入处理、重写数据的刷新处理的媒体高速缓存容量。规定容量基于将用户数据区域10a全部设定为了瓦记录区域SR的情况下所允许的写入命令数量、将用户数据区域10a全部设定为了瓦记录区域SR的情况下所设想的刷新写入的频度以及将用户数据区域10a全部设定为了瓦记录区域SR的情况下所容许的写入性能的劣化的程度等来设定。此外，规定容量既可以对全部的磁盘装置设定相同的值，也可以按磁盘装置设定不同的值。规定容量例如相当于能够保存几条命令～几百条命令的从主机100等发送来的命令的容量。在一个例子中，规定容量相当于能够保存100条命令的从主机100等发送来的命令的容量。规定容量为十几～几十GB，例如在带容量为256MB的情况下为16GB。在图7中，瓦记录带区域SBA的数量随着向横轴的箭头的前端侧前进而变大。在图7的横轴示出瓦区域容量达到规定容量MAC的瓦记录带区域的数量(以下有时也称为规定数量)SV。规定数量SV为几～几十，例如在带容量为256MB、且规定容量为16GB的情况下为62或者63。在图7中示出媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化(以下有时也称为媒体高速缓存容量的变化)MCL1、和瓦记录容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化(以下有时也称为瓦记录容量的变化)SCL。在图7所示的例子中，媒体高速缓存容量的变化MCL1是一定的。另外，瓦记录容量的变化SCL与瓦记录带区域SBA的数量以直线状成比例。例如，图7所示的媒体高速缓存容量的变化MCL1和瓦记录容量的变化SCL表示：在图6的状态6C中使媒体高速缓存10b为一定、使用户数据区域10a从通常记录区域CR变化为瓦记录区域SR、或者使用户数据区域10a从瓦记录区域SR变化为通常记录区域CR的状态。
记录区域管理部620不相应于瓦记录容量来使媒体高速缓存容量变化。换言之，记录区域管理部620不相应于瓦记录带区域的数量使媒体高速缓存容量变化。在图7所示的例子中，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录容量增加的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL1，使媒体高速缓存容量维持为一定。换言之，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量(瓦记录区域SR的面积或者瓦记录区域SR的半径范围)增加的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL1，使媒体高速缓存10b的面积(或者媒体高速缓存10b的半径范围)维持为一定。例如，记录区域管理部620按照瓦记录容量的变化SCL，使瓦记录带区域SBA的数量(瓦记录区域SR的面积或者瓦记录区域SR的半径范围)增加，使盘10中的通常记录带区域CBA的数量减少，按照媒体高速缓存容量的变化MCL1，将媒体高速缓存10b的面积(或者媒体高速缓存10b的半径范围)维持为一定，将用户数据区域10a的面积(或者用户数据区域10a的半径范围)维持为一定。通常记录带区域CBA的数量例如相当于通常记录区域CR的面积或者通常记录区域CR的半径范围。
在图7所示的例子中，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录容量减少的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL1，将媒体高速缓存容量维持为一定。换言之，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量减少的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL1，将媒体高速缓存10b的面积(或者媒体高速缓存10b的半径范围)维持为一定。例如，记录区域管理部620按照瓦记录容量的变化SCL，使瓦记录带区域SBA的数量减少，使盘10中的通常记录带区域CBA的数量增加，按照媒体高速缓存容量的变化MCL1，将媒体高速缓存10b的面积(或者媒体高速缓存10b的半径范围)维持为一定，将用户数据区域10a的面积(或者用户数据区域10a的半径范围)维持为一定。
图8是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化SCL和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化MCL2的一个例子的示意图。在图8中，纵轴表示瓦记录容量和媒体高速缓存容量，横轴表示瓦记录带区域SBA的数量。在图8中，瓦记录容量和媒体高速缓存容量随着向纵轴的箭头的前端侧前进而变大。在图8的纵轴示出规定容量MAC和最小的媒体高速缓存容量(以下有时也称为最小容量)MIC。最小容量MIC相当于将用户数据区域10a全部设定为了通常记录区域CR的情况下的媒体高速缓存容量。在一个例子中，最小容量MIC为几MB～几百MB，例如在带容量为256MB的情况下为256MB。在图8中，瓦记录带区域SBA的数量随着向横轴的箭头的前端侧前进而变大。在图8的横轴示出规定数量SV。在图8中示出媒体高速缓存容量的变化MCL1以及MCL2和瓦记录容量的变化SCL。在瓦记录带区域SBA的数量为0(零)、也即是用户数据区域10a全部为通常记录带区域CBA的情况下，媒体高速缓存容量的变化MCL2为最小容量MIC。在瓦记录带区域SBA的数量为0(零)～规定数量SV的范围内，媒体高速缓存容量的变化MCL2与瓦记录带区域SBA的数量以直线状成比例。在规定数量SV以上的范围内，媒体高速缓存容量的变化MCL2为规定容量MAC。
记录区域管理部620相应于瓦记录容量使媒体高速缓存容量变化。换言之，记录区域管理部620相应于瓦记录带区域的数量使媒体高速缓存容量变化。在图8所示的例子中，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录容量增加的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL2，使媒体高速缓存容量增加。换言之，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量(瓦记录区域SR的面积或者瓦记录区域SR的半径范围)增加的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL2，使媒体高速缓存10b的面积增加。例如，记录区域管理部620按照瓦记录容量的变化SCL，使瓦记录带区域SBA的数量增加，使盘10中的通常记录带区域CBA的数量减少，按照媒体高速缓存容量的变化MCL2，使媒体高速缓存10b的面积增加，与媒体高速缓存10b的面积的增加相应地使用户数据区域10a的面积减少。
另外，在图8所示的例子中，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录容量减少的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL2使媒体高速缓存容量减少。换言之，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量减少的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL2使媒体高速缓存10b的面积减少。例如，记录区域管理部620按照瓦记录容量的变化SCL，使瓦记录带区域SBA的数量减少，使盘10中的通常记录带区域CBA的数量增加，按照媒体高速缓存容量的变化MCL2，使媒体高速缓存10b的面积减少，与媒体高速缓存10b的面积的减少相应地使用户数据区域10a的面积增加。
图9是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化SCL和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化MCL3的一个例子的示意图。在图9中，纵轴表示瓦记录容量和媒体高速缓存容量，横轴表示瓦记录带区域SBA的数量。在图9中，瓦记录容量和媒体高速缓存容量随着向纵轴的箭头的前端侧前进而变大。在图9的纵轴示出规定容量MAC和最小容量MIC。在图9中，瓦记录带区域SBA的数量随着向横轴的箭头的前端侧前进而变大。在图9的横轴示出瓦记录带区域SBA的数量N1和规定数量SV。瓦记录带区域SBA的数量N1大于0(零)，小于规定数量SV。在图9中示出媒体高速缓存容量的变化MCL1以及MCL3和瓦记录容量的变化SCL。在瓦记录带区域SBA的数量为0(零)、也即是用户数据区域10a全部为通常记录带区域CBA的情况下，媒体高速缓存容量的变化MCL3为最小容量MIC。在瓦记录带区域SBA的数量为0(零)～瓦记录带区域SBA的数量N1的范围内，媒体高速缓存容量的变化MCL3与瓦记录带区域SBA的数量成比例。例如，在瓦记录带区域SBA的数量为0(零)～瓦记录带区域SBA的数量N1的范围内，媒体高速缓存容量的变化MCL3的增加量为瓦记录容量的变化SCL的增加量的2倍。在瓦记录带区域SBA的数量N1以上的范围内，媒体高速缓存容量的变化MCL2为规定容量MAC。
在图9所示的例子中，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录容量增加的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL3使媒体高速缓存容量增加。换言之，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量增加的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL3使媒体高速缓存10b的面积增加。例如，记录区域管理部620按照瓦记录容量的变化SCL，使瓦记录带区域SBA的数量增加，使盘10中的通常记录带区域CBA的数量减少，按照媒体高速缓存容量的变化MCL3，使媒体高速缓存10b的面积增加，相应于媒体高速缓存10b的面积的增加，使用户数据区域10a的面积减少。如图9所示，通过使媒体高速缓存容量以相对于瓦记录容量的增加量为2倍的增加量来进行增加，即使是在从主机100等发布了设想以上的写入命令、刷新命令的情况下，也能够确保足以执行写入处理、刷新处理的媒体高速缓存容量。
另外，在图9所示的例子中，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录容量减少的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL3使媒体高速缓存容量减少。换言之，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量减少的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL3使媒体高速缓存10b的面积减少。例如，记录区域管理部620按照瓦记录容量的变化SCL，使瓦记录带区域SBA的数量减少，使盘10中的通常记录带区域CBA的数量增加，按照媒体高速缓存容量的变化MCL3，使媒体高速缓存10b的面积减少，与媒体高速缓存10b的面积的减少相应地使用户数据区域10a的面积增加。
图10是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化SCL和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化MCL4的一个例子的示意图。在图10中，纵轴表示瓦记录容量和媒体高速缓存容量，横轴表示瓦记录带区域SBA的数量。在图10中，瓦记录容量和媒体高速缓存容量随着向纵轴的箭头的前端侧前进而变大。在图10的纵轴示出规定容量MAC和最小容量MIC。在图10中，瓦记录带区域SBA的数量随着向横轴的箭头的前端侧前进而变大。在图10的横轴示出瓦记录带区域SBA的数量N2和规定数量SV。瓦记录带区域SBA的数量N2大于0(零)，小于规定数量SV。在图10中示出媒体高速缓存容量的变化MCL1以及MCL4和瓦记录容量的变化SCL。在瓦记录带区域的数量为0(零)、也即是用户数据区域10a全部为通常记录带区域CBA的情况下，媒体高速缓存容量的变化MCL4为最小容量MIC。在瓦记录带区域SBA的数量为0(零)～瓦记录带区域的数量N2的范围内，媒体高速缓存容量的变化MCL4与瓦记录带区域SBA的数量以指数函数状成比例。在瓦记录带区域SBA的数量N2以上的范围内，媒体高速缓存容量的变化MCL2为规定容量MAC。
在图10所示的例子中，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录容量增加的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL4使媒体高速缓存容量增加。换言之，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量增加的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL4使媒体高速缓存10b的面积增加。例如，记录区域管理部620按照瓦记录容量的变化SCL，使瓦记录带区域SBA的数量增加，使盘10中的通常记录带区域CBA的数量减少，按照媒体高速缓存容量的变化MCL4，使媒体高速缓存10b的面积增加，与媒体高速缓存10b的面积的增加相应地使用户数据区域10a的面积减少。如图10所示，通过使媒体高速缓存容量相对于瓦记录容量呈非线性形状进行增加，即使是在写入性能低的情况下、受到服务器振动等的影响的情况下等，也能够确保足以执行写入处理、刷新处理的媒体高速缓存容量。
另外，在图10所示的例子中，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录容量减少的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL4使媒体高速缓存容量减少。换言之，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量减少的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL4使媒体高速缓存10b的面积减少。例如，记录区域管理部620按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量减少，使盘10中的通常记录带区域CBA的数量增加，按照媒体高速缓存容量的变化MCL4使媒体高速缓存10b的面积减少，与媒体高速缓存10b的面积的减少相应地使用户数据区域10a的面积减少。
图11是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化SCL和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化MCL5的一个例子的示意图。在图11中，纵轴表示瓦记录容量和媒体高速缓存容量，横轴表示瓦记录带区域SBA的数量。在图11中，瓦记录容量和媒体高速缓存容量随着向纵轴的箭头的前端侧前进而变大。在图11的纵轴示出规定容量MAC、媒体高速缓存容量C1以及最小容量MIC。媒体高速缓存容量C1大于最小容量MIC，小于规定容量MAC。在图11中，瓦记录带区域SBA的数量随着向横轴的箭头的前端侧前进而变大。在图11的横轴示出瓦记录带区域SBA的数量N3和规定数量SV。瓦记录带区域的数量N3大于0(零)，小于规定数量SV。在图11中示出媒体高速缓存容量的变化MCL1以及MCL5和瓦记录容量的变化SCL。在瓦记录带区域的数量为0(零)、也即是用户数据区域10a全部为通常记录带区域CBA的情况下，媒体高速缓存容量的变化MCL5为媒体高速缓存容量C1。在瓦记录带区域SBA的数量为0(零)～瓦记录带区域的数量N3的范围内，媒体高速缓存容量的变化MCL4与瓦记录带区域SBA的数量成比例。在瓦记录带区域SBA的数量N3以上的范围内，媒体高速缓存容量的变化MCL2为规定容量MAC。
在图11所示的例子中，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录容量增加的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL5使媒体高速缓存容量增加。换言之，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量增加的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL5使媒体高速缓存10b的面积增加。例如，记录区域管理部620按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量增加，使盘10中的通常记录带区域CBA的数量减少，按照媒体高速缓存容量的变化MCL5使媒体高速缓存10b的面积增加，与媒体高速缓存10b的面积的增加相应地使用户数据区域10a的面积减少。如图11所示，通过在瓦记录带区域的数量为0(零)的情况下设定为成为媒体高速缓存容量C1，即使在使用了通常记录区域CR的大部分时将未被使用的少量的通常记录区域CR变更为了瓦记录区域SR的情况下等，也能够确保足以执行写入处理、刷新处理的媒体高速缓存容量。
另外，在图11所示的例子中，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录容量减少的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL5使媒体高速缓存容量减少。换言之，记录区域管理部620在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量减少的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL5使媒体高速缓存10b的减少增加。例如，记录区域管理部620按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量减少，使盘10中的通常记录带区域CBA的数量增加，按照媒体高速缓存容量的变化MCL5使媒体高速缓存10b的面积减少，与媒体高速缓存10b的面积的减少相应地使用户数据区域10a的面积增加。
图12是表示本实施方式涉及的盘10的记录容量的设定方法的一个例子的流程图。
MPU60判定是否对媒体高速缓存容量进行变更(B1201)。在判定为不对媒体高速缓存容量进行变更的情况下(B1201：否)，MPU60结束处理。在判定为对媒体高速缓存容量进行变更的情况下(B1201：是)，MPU60判定是否使瓦记录容量增加(B1202)。在判定为使瓦记录容量增加的情况下(B1202：是)，MPU60使瓦记录容量增加(B1203)。换言之，在判定为使瓦记录区域SR增加的情况下，MPU60使瓦记录区域SR增加。例如，在判定为使瓦记录区域SR增加的情况下，MPU60使瓦记录区域SR增加，与瓦记录区域SR的增加相应地使通常记录区域CR减少。MPU60判定是否使媒体高速缓存容量增加(B1204)。在判定为不使媒体高速缓存容量增加的情况下(B1204：否)，MPU60结束处理。在判定为使媒体高速缓存容量增加的情况下(B1204：是)，MPU60使媒体高速缓存容量增加(B1205)，结束处理。换言之，在判定为使媒体高速缓存10b增加的情况下，MPU60使媒体高速缓存10b增加。例如，在判定为使媒体高速缓存10b增加的情况下，MPU60使盘10的媒体高速缓存10b增加，使用户数据区域10a减少，结束处理。
在判定为不使瓦记录容量增加的情况下(B1202：否)，MPU60使瓦记录容量减少(B1206)。换言之，在判定为使瓦记录区域SR减少的情况下，MPU60使瓦记录区域SR减少。例如，在判定为不使瓦记录区域SR增加的情况下，MPU60使瓦记录区域SR减少，与瓦记录区域SR的减少相应地使通常记录区域CR增加。MPU60判定是否使媒体高速缓存容量减少(B1207)。在判定为不使媒体高速缓存容量减少的情况下(B1207：否)，MPU60结束处理。在判定为使媒体高速缓存容量减少的情况下(B1207：是)，MPU60使媒体高速缓存容量减少(B1208)，结束处理。换言之，在判定为使媒体高速缓存10b减少的情况下，MPU60使媒体高速缓存10b减少。例如，在判定为使媒体高速缓存10b减少的情况下，MPU60使盘10的媒体高速缓存10b减少，使用户数据区域10a增加，结束处理。
根据第1实施方式，磁盘装置1相应于瓦记录容量(瓦记录区域SR的半径范围或者瓦记录区域SR的面积)，对媒体高速缓存10b(或者媒体高速缓存容量)进行设定或者变更。换言之，磁盘装置1相应于瓦记录容量，对盘10的用户数据区域10a和媒体高速缓存10b进行设定或者变更。由于能够设定或者变更用户数据区域10a和媒体高速缓存10b，因此，磁盘装置1能够提高格式效率。因此，磁盘装置1能够高效地向盘10写入数据。
接着，对其他实施方式和其他变形例涉及的磁盘装置进行说明。在其他实施方式和其他变形例中，对与前述的实施方式相同的部分标记同一参照标号，省略其详细的说明。
(变形例1)
变形例1的磁盘装置1的用户数据区域10a的设定方法与前述的第1实施方式的磁盘装置1不同。
MPU60相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的能写入预定的数据容量的通常记录区域CR变更为能够写入与能向该通常记录区域CR写入的数据容量相同的数据容量的瓦记录区域SR，将与该通常记录区域CR和该瓦记录区域SR的差量相当的区域(以下有时也称为剩余区域)设定或者变更为媒体高速缓存10b和瓦记录区域SR中的至少一方。例如，MPU60相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的通常记录带区域CBA变更为瓦记录带区域SBA，将从通常记录带区域CBA除去瓦记录带区域SBA后的剩余区域设定或者变更为媒体高速缓存10b和瓦记录带区域SBA中的至少一方。
图13是表示变形例1涉及的盘10的状态的一个例子的示意图。在图13中示出盘10的状态13A和盘10的状态13B。在状态13A和状态13B中示出盘10的一部分区域。在状态13A和状态13B中，为了便于说明，将盘10的一部分区域表示为在半径方向上延伸的长方形状，但实际上是如图1和图2所示那样在圆周方向上弯曲。状态13A表示用户数据区域10a中的预定的通常记录带区域CBA的状态。在状态13A中示出通常记录带区域CBA的半径范围CBW。状态13B表示用户数据区域10a中的预定的瓦记录带区域SBA和预定的媒体高速缓存10b的状态。例如，状态13A的通常记录带区域CBA的通常记录带容量和状态13B的瓦记录带区域SBA的瓦记录带容量相同。在状态13B中示出状态13A的通常记录带区域CBA的半径范围CBW、瓦记录带区域SBA的半径范围SBW1以及媒体高速缓存10b的半径范围MW131。通常记录带区域CBA的半径范围CBW相当于媒体高速缓存10b的半径范围MW131与瓦记录带区域SBA的半径范围SBW1之和。也即是，瓦记录带区域SBA的半径范围SBW1小于通常记录带区域CBA的半径范围CBW。
在图13所示的例子中，MPU60相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的通常记录带区域CBA的一部分变更为瓦记录带区域SBA，将从通常记录带区域CBA除去瓦记录带区域SBA后的剩余区域变更为媒体高速缓存10b。此外，在图13中，对从状态13A变更为状态13B的情况进行了说明，但MPU60也可以从状态13B变更为状态13A。
图14是表示变形例1涉及的盘10的状态的一个例子的示意图。在图14中示出盘10的状态14A和盘10的状态14B。在状态14A和状态14B中示出盘10的一部分区域。在状态14A和状态14B中，为了便于说明，将盘10的一部分区域表示为在半径方向上延伸的长方形状，但实际上是如图1和图2所示那样在圆周方向上弯曲。状态14A表示用户数据区域10a中的预定的通常记录带区域CBA的状态。在状态14A中示出通常记录带区域CBA的半径范围CBW。状态14B表示用户数据区域10a中的预定的瓦记录带区域SBA(SBA1)、预定的瓦记录带区域SBA的一部分(以下有时也称为部分瓦记录带区域)PSA以及预定的媒体高速缓存10b的状态。例如，状态14A的通常记录带区域CBA的通常记录带容量和状态14B的瓦记录带区域SBA的瓦记录带容量相同。另外，瓦记录带容量大于能向部分瓦记录带区域PSA写入的数据容量(以下有时也称为部分瓦记录带容量)。在状态14B中示出状态14A的通常记录带区域CBA的半径范围CBW、瓦记录带区域SBA的半径范围SBW1、媒体高速缓存10b的半径范围MW141以及部分瓦记录带区域PSA的半径范围SBW2。通常记录带区域CBA的半径范围CBW相当于媒体高速缓存10b的半径范围MW141、瓦记录带区域SBA(SBA1)的半径范围SBW1以及部分瓦记录带区域PSA的半径范围SBW2之和。瓦记录带区域SBA(SBA1)的半径范围SBW1大于部分瓦记录带区域PSA的半径范围SBW2。
在图14所示的例子中，MPU60相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的通常记录带区域CBA的一部分变更为瓦记录带区域SBA(SBA1)。MPU60将从通常记录带区域CBA除去瓦记录带区域SBA(SBA1)后的剩余区域的一部分变更为媒体高速缓存10b，将剩余区域的除去媒体高速缓存10b以外的区域变更为部分瓦记录带区域PSA，部分瓦记录带区域PSA相当于与瓦记录带区域SBA(SBA1)不同的其他瓦记录带区域SBA的一部分。此外，在图14中，对从状态14A变更为状态14B的情况进行了说明，但MPU60也可以从状态14B变更为状态14A。
图15是表示变形例1涉及的盘10的状态的一个例子的示意图。在图15中示出盘10的状态15A和盘10的状态15B。在状态15A和状态15B中示出盘10的一部分区域。在状态15A和状态15B中，为了便于说明，将盘10的一部分区域表示为在半径方向上延伸的长方形状，但实际上是如图1和图2所示那样在圆周方向上弯曲。状态15A表示用户数据区域10a中的预定的通常记录带区域CBA的状态。在状态15A中示出通常记录带区域CBA的半径范围CBW。状态15B表示用户数据区域10a中的预定的瓦记录带区域SBA(SBA1)和预定的部分瓦记录带区域PSA的状态。例如，状态15A的通常记录带区域CBA的通常记录带容量和状态15B的瓦记录带区域SBA的瓦记录带容量相同。另外，状态15B的瓦记录带容量大于状态15B的部分瓦记录带容量。在状态15B中示出状态15A的通常记录带区域CBA的半径范围CBW、瓦记录带区域SBA的半径范围SBW1以及部分瓦记录带区域PSA的半径范围SBW3。通常记录带区域CBA的半径范围CBW相当于瓦记录带区域SBA(SBA1)的半径范围SBW1与部分瓦记录带区域PSA的半径范围SBW3之和。瓦记录带区域SBA(SBA1)的半径范围SBW1大于部分瓦记录带区域PSA的半径范围SBW3。
在图15所示的例子中，MPU60相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的通常记录带区域CBA的一部分变更为瓦记录带区域SBA1。MPU60将从通常记录带区域CBA除去瓦记录带区域SBA1后的剩余区域变更为部分瓦记录带区域PSA，部分瓦记录带区域PSA相当于与瓦记录带区域SBA1不同的其他瓦记录带区域SBA的一部分。此外，在图15中，对从状态15A变更为状态15B的情况进行了说明，但MPU60也可以从状态15B变更为状态15A。
图16是表示变形例1涉及的盘10的状态的一个例子的示意图。在图16中示出盘10的状态16A和盘10的状态16B。在状态16A和状态16B中示出盘10的一部分区域。在状态16A和状态16B中，为了便于说明，将盘10的一部分区域表示为在半径方向上延伸的长方形状，但实际上是如图1和图2所示那样在圆周方向上弯曲。状态16A表示用户数据区域10a中的在半径方向上相邻的两个通常记录带区域CBA(CBA1和CBA2)的状态。在状态16A中示出通常记录带区域CBA1和CBA2的半径范围CBW。状态16B表示用户数据区域10a中的预定的瓦记录带区域SBA(SBA1)和预定的媒体高速缓存10b的状态。例如，状态16A的通常记录带区域CBA的通常记录带容量和状态16B的瓦记录带区域SBA的瓦记录带容量相同。在状态16B中示出状态16A的通常记录带区域CBA1和CBA2的半径范围CBW、瓦记录带区域SBA(SBA1)的半径范围SBW1、媒体高速缓存10b的半径范围MW131以及媒体高速缓存10b的半径范围MW161。通常记录带区域CBA1的半径范围CBW相当于媒体高速缓存10b的半径范围MW131与瓦记录带区域SBA的半径范围SBW1之和。通常记录带区域CBA2的半径范围CBW相当于媒体高速缓存10b的半径范围MW161。也即是，通常记录带区域CBA2的半径范围CBW和媒体高速缓存10b的半径范围MW161相同。
在图16所示的例子中，MPU60相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的通常记录带区域CBA1的一部分变更为瓦记录带区域SBA1，将从通常记录带区域CBA1除去瓦记录带区域SBA1后的剩余区域变更为媒体高速缓存10b。
在图16所示的例子中，MPU60相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的通常记录带区域CBA2变更为媒体高速缓存10b。例如，MPU60将与通常记录带区域CBA1对应的媒体高速缓存10b、和与通常记录带区域CBA2对应的媒体高速缓存10b配置在与通常记录带区域CBA1和CBA2对应的区域以使得在半径方向上相邻。此外，在图16中，对从状态16A变更为状态16B的情况进行了说明，但MPU60也可以从状态16B变更为状态16A。
图17是表示变形例1涉及的盘10的状态的一个例子的示意图。在图17中示出盘10的状态17A和盘10的状态17B。在状态17A和状态17B中示出盘10的一部分区域。在状态17A和状态17B中，为了便于说明，将盘10的一部分区域表示为在半径方向上延伸的长方形状，但实际上是如图1和图2所示那样在圆周方向上弯曲。状态17A表示用户数据区域10a中的在半径方向上相邻的两个通常记录带区域CBA(CBA1和CBA2)的状态。在状态17A中示出通常记录带区域CBA1和CBA2的半径范围CBW。状态17B表示用户数据区域10a中的预定的瓦记录带区域SBA(SBA1和SBA2)以及预定的媒体高速缓存10b的状态。例如，状态17A的通常记录带区域CBA的通常记录带容量和状态17B的瓦记录带区域SBA的瓦记录带容量相同。在状态17B中示出状态17A的通常记录带区域CBA1和CBA2的半径范围CBW、瓦记录带区域SBA1和SBA2的半径范围SBW1以及媒体高速缓存10b的半径范围MW131。通常记录带区域CBA1的半径范围CBW相当于媒体高速缓存10b的半径范围MW131与瓦记录带区域SBA1的半径范围SBW1之和。通常记录带区域CBA2的半径范围CBW相当于媒体高速缓存10b的半径范围MW131与瓦记录带区域SBA2的半径范围SBW1之和。
在图17所示的例子中，MPU60相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的通常记录带区域CBA1的一部分变更为瓦记录带区域SBA1，将从通常记录带区域CBA1除去瓦记录带区域SBA1后的剩余区域变更为媒体高速缓存10b。
在图17所示的例子中，MPU60相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的通常记录带区域CBA2的一部分变更为瓦记录带区域SBA2，将从通常记录带区域CBA2除去瓦记录带区域SBA2后的剩余区域变更为媒体高速缓存10b。例如，MPU60将与通常记录带区域CBA1对应的媒体高速缓存10b和与通常记录带区域CBA2对应的媒体高速缓存10b配置在与通常记录带区域CBA1和CBA2对应的区域以使得在半径方向上相邻。此外，在图17中，对从状态17A变更为状态17B的情况进行了说明，但MPU60也可以从状态17B变更为状态17A。
图18是表示变形例1涉及的盘10的状态的一个例子的示意图。在图18中示出盘10的状态18A和盘10的状态18B。在状态18A和状态18B中示出盘10的一部分区域。在状态18A和状态18B中，为了便于说明，将盘10的一部分区域表示为在半径方向上延伸的长方形状，但实际上是如图1和图2所示那样在圆周方向上弯曲。状态18A表示用户数据区域10a中的在半径方向上相邻的两个通常记录带区域CBA(CBA1和CBA2)的状态。在状态18A中示出通常记录带区域CBA1和CBA2的半径范围CBW。状态18B表示用户数据区域10a的瓦记录带区域SBA(SBA1和SBA2)以及部分瓦记录带区域PSA的状态。例如，状态18A的通常记录带区域CBA的通常记录带容量和状态18B的瓦记录带区域SBA的瓦记录带容量相同。在状态18B中示出状态18A的通常记录带区域CBA1和CBA2的半径范围之和2CBW、瓦记录带区域SBA1和SBA2的半径范围SBW1以及部分瓦记录带区域PSA的半径范围SBW4。通常记录带区域CBA1和CBA2的半径范围之和2CBW相当于瓦记录带区域SBA1的半径范围SBW1、瓦记录带区域SBA2的半径范围SBW1以及部分瓦记录带区域PSA的半径范围SBW4之和。瓦记录带区域SBA1和SBA2的半径范围SBW1大于部分瓦记录带区域PSA的半径范围SBW4。
在图18所示的例子中，MPU60相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的通常记录带区域CBA1变更为瓦记录带区域SBA1。MPU60相应于来自主机100等的指示，将用户数据区域10a的通常记录带区域CBA2变更为瓦记录带区域SBA2。MPU60将从与通常记录带区域CBA1和CBA2对应的区域除去瓦记录带区域SBA1和SBA2后的剩余区域变更为部分瓦记录带区域PSA，部分瓦记录带区域PSA相当于与瓦记录带区域SBA1和SBA2不同的瓦记录带区域SBA的一部分。例如，MPU60将瓦记录带区域SBA1和瓦记录带区域SBA2配置在与通常记录带区域CBA1和CBA2对应的区域以使得在半径方向上相邻。另外，MPU60将瓦记录带区域SBA2和部分瓦记录带区域PSA配置在与通常记录带区域CBA1和CBA2对应的区域以使得在半径方向上相邻。此外，在图18中，对从状态18A变更为状态18B的情况进行了说明，但MPU60也可以从状态18B变更为状态18A。
图19是表示变形例1涉及的盘10的记录区域的设定方法的一个例子的流程图。
MPU60判定是否将通常记录带区域CBA变更(或者设定)为瓦记录带区域SBA(B1901)。在判定为不将通常记录带区域CBA变更为瓦记录带区域SBA的情况下(B1901：否)，MPU60结束处理。在判定为将通常记录带区域CBA变更为瓦记录带区域SBA的情况下(B1901：是)，MPU60判定是否将从通常记录带区域CBA除去瓦记录带区域SBA后的剩余区域的全部区域变更为瓦记录带区域SBA(B1902)。在判定为将剩余区域的全部区域变更为瓦记录带区域SBA的情况下(B1902：是)，MPU60将剩余区域的全部区域变更为瓦记录带区域SBA(B1903)，结束处理。在判定为不将剩余区域的全部区域变更为瓦记录带区域SBA的情况下(B1902：否)，MPU60判定是否将剩余区域的全部区域变更为媒体高速缓存10b(B1904)。在判定为将剩余区域的全部区域变更为媒体高速缓存10b的情况下(B1904：是)，MPU60将剩余区域的全部区域变更为媒体高速缓存10b(B1905)，结束处理。在判定为不将剩余区域的全部区域变更为媒体高速缓存10b的情况下(B1904：否)，MPU60将剩余区域的一部分区域变更为瓦记录带区域SBA(B1906)。MPU60将从剩余区域除去瓦记录带区域SBA后的区域变更为媒体高速缓存10b(B1907)，结束处理。
根据变形例1，磁盘装置1在将通常记录带区域CBA变更为了瓦记录带区域SBA的情况下，将从通常记录带区域CBA除去瓦记录带区域SBA后的剩余区域变更或者设定为媒体高速缓存10b和瓦记录带区域SBA中的至少一方。因此，磁盘装置1能够高效地向盘10写入数据。
(变形例2)
变形例2的磁盘装置1具有在盘10中在半径方向上空开间隔来配置的多个媒体高速缓存10b，这一点与前述的第1实施方式以及变形例1的磁盘装置1不同。
MPU60具有在盘10中在半径方向上空开间隔来配置的多个媒体高速缓存10b。换言之，MPU60具有在盘10中在半径方向上空开间隔来配置的多个用户数据区域10a、和在盘10中在半径方向上空开间隔来配置的多个媒体高速缓存10b。MPU60在不执行命令处理等的处理、或者命令处理等的处理少时、例如空闲(idle)时，将在盘10中在半径方向上空开间隔来配置的多个媒体高速缓存10b汇集(或者集中)于一个区域。例如，MPU60将在盘10中在半径方向上空开间隔来配置的多个媒体高速缓存10b汇集到与位于盘10的最外周的系统区10c相邻的区域。也即是，MPU60在进行命令处理等的处理的情况下，在盘10中使多个用户数据区域10a和多个媒体高速缓存10b混合存在。换言之，MPU60在执行命令处理等的处理的情况下，在盘10中在多个用户数据区域10a之间设定有至少一个媒体高速缓存10b。
图20是表示变形例2涉及的盘10的状态的一个例子的示意图。在图20中示出盘10的状态6A、盘10的状态20A、盘10的状态20B以及盘10的状态6C。在状态20A和状态20B中示出盘10的一部分区域。在状态20A和状态20B中，为了便于说明，将盘10的一部分区域表示为在半径方向上延伸的长方形状，但实际上是如图1和图2所示那样在圆周方向上弯曲。状态20A表示具有在半径方向上空开间隔来配置的多个媒体高速缓存10b的盘10的状态。在状态20A中示出盘10的半径范围RDW、多个媒体高速缓存10b中的位于最外方向的位置的媒体高速缓存(以下有时也称为最外媒体高速缓存)10b的半径范围MW1和系统区10c的半径范围SW。状态20B表示将状态20A所示的多个媒体高速缓存10b的一部分汇集后的盘10的状态。在状态20B中示出盘10的半径范围RDW、最外媒体高速缓存10b的半径范围MW4以及系统区10c的半径范围SW。状态20B的最外媒体高速缓存10b的半径范围MW4大于状态20A的最外媒体高速缓存10b的半径范围MW1。另外，状态6C的媒体高速缓存10b的半径范围MW3大于状态20B的最外媒体高速缓存10b的半径范围MW4。
MPU60在从主机100等接收到从与状态6A对应的瓦记录容量变更为与状态20A对应的瓦记录容量的指示的情况下，将状态6A的通常记录区域CR中的几个通常记录带区域CBA变更为瓦记录区域SR(瓦记录带区域SBA)。在图20所示的例子中，MPU60在从主机100等接收到从与状态6A的瓦记录区域SR的半径范围(或者面积)对应的瓦记录容量变更为与状态20A的瓦记录区域SR的半径范围(或者面积)对应的瓦记录容量的指示的情况下，将状态6A的通常记录区域CR中的多个通常记录带区域CBA分别变更为多个瓦记录区域SR(瓦记录带区域SBA)，将分别与多个瓦记录区域SR(瓦记录带区域SBA)对应的多个剩余区域分别变更为多个媒体高速缓存10b。换言之，MPU60在从主机100等接收到从与状态6A的瓦记录区域SR的半径范围(或者面积)对应的瓦记录容量变更为与状态20A的瓦记录区域SR的半径范围(或者面积)对应的瓦记录容量的指示的情况下，将状态6A的通常记录区域CR中的多个通常记录带区域CBA分别变更为多个瓦记录区域SR(瓦记录带区域SBA)，设定或者配置与多个瓦记录区域SR(瓦记录带区域SBA)在半径方向上分别相邻的多个媒体高速缓存10b。
MPU60在不执行命令处理等的处理或者命令处理等的处理少时、例如空闲时，将如状态20A所示那样的在半径方向上空开间隔来配置的多个媒体高速缓存10b中的几个媒体高速缓存10b如状态20B所示那样汇集到最外媒体高速缓存10b。换言之，MPU60在执行命令处理等的处理时，配置与盘10的在半径方向上空开间隔来配置的多个瓦记录区域SR在半径方向上分别相邻的多个媒体高速缓存10b。
进一步，MPU60在不执行其他处理或者其他处理少时、例如空闲时，将如状态20B所示那样的在半径方向上空开间隔来配置的多个媒体高速缓存10b如状态6C所示那样汇集到最外媒体高速缓存10b。
根据变形例2，磁盘装置1具有在盘10中在半径方向上空开间隔来配置的多个媒体高速缓存10b。MPU60在不执行其他处理或者其他处理少时、例如空闲时，将在盘10中在半径方向上空开间隔来配置的多个媒体高速缓存10b汇集到盘10的一个区域。因此，磁盘装置1能够高效地向盘10写入数据。
(变形例3)
变形例3的磁盘装置1的媒体高速缓存容量的设定方法与前述的第1实施方式、变形例1以及变形例2的磁盘装置1不同。
MPU60能够相应于瓦记录容量来使媒体高速缓存容量比规定容量大地进行变化。
图21是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化SCL和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化MCL6的一个例子的示意图。在图21中，纵轴表示瓦记录容量和媒体高速缓存容量，横轴表示瓦记录带区域SBA的数量。在图21中，瓦记录容量和媒体高速缓存容量随着向纵轴的箭头的前端侧前进而变大。在图21的纵轴示出媒体高速缓存容量C2、规定容量MAC以及最小容量MIC。媒体高速缓存容量C2大于规定容量MAC。在图21中，瓦记录带区域SBA的数量随着向横轴的箭头的前端侧前进而变大。在图21的横轴示出规定数量SV和瓦记录带区域SBA的数量N4。瓦记录带区域SBA的数量N4大于规定数量SV。在图21中示出媒体高速缓存容量的变化MCL1以及MCL6和瓦记录容量的变化SCL。在瓦记录带区域SBA的数量为0(零)、也即是用户数据区域10a全部为通常记录带区域CBA的情况下，媒体高速缓存容量的变化MCL6为最小容量MIC。在瓦记录带区域SBA的数量为0(零)～瓦记录带区域的数量N4的范围内，媒体高速缓存容量的变化MCL6与瓦记录带区域SBA的数量呈直线状地成比例。在规定数量SV以上的范围内，媒体高速缓存容量的变化MCL6为媒体高速缓存容量C2。
在图21所示的例子中，MPU60在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录容量增加的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL6使媒体高速缓存容量增加。换言之，MPU60在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量增加的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL6使媒体高速缓存10b的面积增加。例如，MPU60按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量增加，使盘10中的通常记录带区域CBA的数量减少，按照媒体高速缓存容量的变化MCL6使媒体高速缓存10b的面积增加，与媒体高速缓存10b的面积的增加相应地使用户数据区域10a的面积减少。
另外，在图21所示的例子中，MPU60在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录容量减少的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL6使媒体高速缓存容量减少。换言之，MPU60在按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量减少的情况下，按照媒体高速缓存容量的变化MCL6使媒体高速缓存10b的面积减少。例如，MPU60按照瓦记录容量的变化SCL使瓦记录带区域SBA的数量减少，使盘10中的通常记录带区域CBA的数量增加，按照媒体高速缓存容量的变化MCL6使媒体高速缓存10b的面积减少，与媒体高速缓存10b的面积的增加相应地使用户数据区域10a的面积增加。
根据变形例3，磁盘装置1能够相应于瓦记录容量来使媒体高速缓存容量比规定容量大地进行变化。因此，磁盘装置1能够高效地向盘10写入数据。
(第2实施方式)
第2实施方式的磁盘装置1的媒体高速缓存10b的设定方法与前述的第1实施方式、变形例1～变形例3的磁盘装置1不同。
MPU60在使瓦记录容量增加、将用户数据区域10a中的预定区域(以下有时也称为对象用户数据区域)设定(或者变更)为媒体高速缓存10b的情况下，判定是否能够将对象用户数据区域设定(或者变更)为媒体高速缓存10b。在判定为能够将对象用户数据区域设定(或者变更)为媒体高速缓存10b的情况下，MPU60将对象用户数据区域设定(或者变更)为媒体高速缓存10b。例如，MPU60在写入到了对象用户数据区域的数据是也可以擦除的数据的情况下，判定为能够将对象用户数据区域设定(或者变更)为媒体高速缓存10b。另外，例如，MPU60在写入到了对象用户数据区域的数据是不可以擦除的数据的情况下，判定为不能将对象用户数据区域设定(或者变更)为媒体高速缓存10b。
图22是表示第2实施方式涉及的媒体高速缓存10b的设定方法的一个例子的流程图。
MPU60使瓦记录区域增加(B2201)，判定对象用户数据区域是否能够变更(或者设定)为媒体高速缓存10b(B2202)。在判定为对象用户数据区域不能变更(或者设定)为媒体高速缓存10b的情况下(B2202：否)，MPU60结束处理。在判定为对象用户数据区域能够变更(或者设定)为媒体高速缓存10b的情况下(B2202：是)，MPU60将对象用户数据区域变更(或者设定)为媒体高速缓存10b(B2203)，结束处理。
第2实施方式涉及的磁盘装置1在使瓦记录容量增加、将对象用户数据区域设定或者变更为媒体高速缓存10b的情况下，判定是否能够将对象用户数据区域设定(或者变更)为媒体高速缓存10b。在判定为能够将对象用户数据区域变更为媒体高速缓存10b的情况下，磁盘装置1将对象用户数据区域设定或者变更为媒体高速缓存10b。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。
(变形例4)
变形例4的磁盘装置1的媒体高速缓存10b的设定方法与前述的第1实施方式、第2实施方式、变形例1～变形例3的磁盘装置1不同。
MPU60在使瓦记录容量减少、将媒体高速缓存10b中的预定区域(以下有时也称为对象媒体高速缓存区域)设定(或者变更)为用户数据区域10a的情况下，判定是否能够将对象媒体高速缓存区域设定(或者变更)为用户数据区域10a。在判定为能够将对象媒体高速缓存区域设定(或者变更)为用户数据区域10a的情况下，MPU60将对象媒体高速缓存区域设定(或者变更)为用户数据区域10a。例如，MPU60在写入到了对象媒体高速缓存区域的数据为也可以擦除的数据的情况下，判定为能够将对象媒体高速缓存区域设定(或者变更)为用户数据区域10a。另外，例如，MPU60在写入到了对象媒体高速缓存区域的数据是不可以擦除的数据的情况下，判定为不能将对象媒体高速缓存区域设定(或者变更)为用户数据区域10a。
图23是表示变形例4涉及的媒体高速缓存10b的设定方法的一个例子的流程图。
MPU60使瓦记录区域减少(B2301)，判定对象媒体高速缓存区域是否能够变更(或者设定)为用户数据区域10a(B2202)。在判定为对象媒体高速缓存区域不能变更(或者设定)为用户数据区域10a的情况下(B2302：否)，MPU60结束处理。在判定为对象媒体高速缓存区域能够变更(或者设定)为用户数据区域10a的情况下(B2302：是)，MPU60将对象媒体高速缓存区域变更(或者设定)为用户数据区域10a(B2303)，结束处理。
变形例4涉及的磁盘装置1在使瓦记录容量增加、将对象媒体高速缓存区域设定或者变更为用户数据区域10a的情况下，判定是否能够将对象媒体高速缓存区域设定或者变更为用户数据区域10a。在判定为能够将对象媒体高速缓存区域变更或者设定为用户数据区域10a的情况下，磁盘装置1将对象媒体高速缓存区域设定或者变更为用户数据区域10a。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。
以上对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。

Claims (10)

1.一种磁盘装置，具备：
盘，其具有第1区域和第2区域，所述第2区域供暂时性地写入向所述第1区域写入之前的数据；
头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及
控制器，其对通常记录和瓦记录进行选择来加以执行，相应于能够以所述瓦记录向所述第1区域写入的数据的第1写入容量，来对能够向所述第2区域写入的数据的高速缓存数据容量进行变更，所述通常记录是在所述盘的半径方向上空开间隔来进行磁道的写入的记录，所述瓦记录是在所述半径方向上重叠地进行磁道的写入的记录，
所述控制器在使所述第1写入容量增加的情况下，使所述高速缓存数据容量增加，
所述控制器在使所述第1写入容量减少的情况下，使所述高速缓存数据容量减少。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器相应于所述第1写入容量，来对所述第1区域的第1面积和所述第2区域的第2面积进行变更。
3.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器在使所述第1写入容量增加的情况下，使能够以所述通常记录向所述第1区域写入的数据的第2写入容量减少。
4.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1写入容量为阈值以上的情况下，使所述高速缓存数据容量为一定。
5.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器在使所述第1写入容量减少的情况下，使能够以所述通常记录向所述第1区域写入的数据的第2写入容量增加。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1写入容量为0的情况下，将所述高速缓存数据容量设定为比0大的第1值。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的磁盘装置，
所述第2区域包含在所述半径方向上空开间隔而分离的多个第3区域。
8.根据权利要求7所述的磁盘装置，
所述控制器将所述多个第3区域汇集到位于所述盘的外周侧的外周区域。
9.一种磁盘装置，具备：
盘，其具有第1区域和第2区域，所述第2区域供暂时性地写入向所述第1区域写入之前的数据；
头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及
控制器，其对通常记录和瓦记录进行选择来加以执行，相应于能够以所述瓦记录向所述第1区域写入的第1写入容量，来对所述第2区域的第1面积进行变更，所述通常记录是在所述盘的半径方向上空开间隔来进行磁道的写入的记录，所述瓦记录是在所述半径方向上重叠地进行磁道的写入的记录，
所述控制器在使所述第1写入容量增加的情况下，使所述第2区域的第1面积增加，
所述控制器在使所述第1写入容量减少的情况下，使所述第2区域的第1面积减少。
10.一种记录容量的设定方法，应用于磁盘装置，所述磁盘装置具备盘和头，所述盘具有第1区域和第2区域，所述第2区域供暂时性地写入向所述第1区域写入之前的数据，所述头对所述盘写入数据，从所述盘读取数据，所述记录容量的设定方法包括：
对通常记录和瓦记录进行选择来加以执行，所述通常记录是在所述盘的半径方向上空开间隔来进行磁道的写入的记录，所述瓦记录是在所述半径方向上重叠地进行磁道的写入的记录；
相应于能够以所述瓦记录向所述第1区域写入的数据的第1写入容量，来对能够向所述第2区域写入的数据的高速缓存数据容量进行变更，
在使所述第1写入容量增加的情况下，使所述高速缓存数据容量增加，
在使所述第1写入容量减少的情况下，使所述高速缓存数据容量减少。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5955877A (en) * 1994-04-18 1999-09-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for automatically positioning electronic dice within component packages
CN104049907A (zh) * 2013-03-13 2014-09-17 希捷科技有限公司 动态存储设备自动配置
CN104700853A (zh) * 2013-12-09 2015-06-10 Hgst荷兰公司 冷存储或混合模式驱动器中的主动写入的保护带

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003150445A (ja) * 2001-11-13 2003-05-23 Fujitsu Ltd 外部記憶装置を有するコンピュータシステム
JP2005011463A (ja) 2003-06-20 2005-01-13 Canon Inc リムーバブル記録媒体記録再生装置及びリムーバブル記録媒体記録再生方法
US9728206B2 (en) * 2014-11-24 2017-08-08 Seagate Technology Llc Interlaced magnetic recording
US10318173B2 (en) 2016-09-30 2019-06-11 Seagate Technology Llc Multi-speed data storage device with media cache for high speed writes
US10510374B2 (en) * 2017-07-05 2019-12-17 Seagate Technology Llc Self-healing in a storage system
JP6699905B2 (ja) * 2017-08-31 2020-05-27 株式会社東芝 磁気ディスク装置及び記録領域の設定方法
JP2019053800A (ja) * 2017-09-14 2019-04-04 株式会社東芝 磁気ディスク装置、および、制御方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5955877A (en) * 1994-04-18 1999-09-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for automatically positioning electronic dice within component packages
CN104049907A (zh) * 2013-03-13 2014-09-17 希捷科技有限公司 动态存储设备自动配置
CN104700853A (zh) * 2013-12-09 2015-06-10 Hgst荷兰公司 冷存储或混合模式驱动器中的主动写入的保护带

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