CN117711448A - 磁盘装置及刷新处理方法 - Google Patents

Abstract

提供能够高效地进行数据重写的磁盘装置以及刷新处理方法。磁盘装置(1)具备盘(DK)、头(HD)以及控制部。上述控制部具备能够对作为第1权重系数的k1进行调整的调整部(64)、对第1写入次数进行上述k1次的计数的计数器(62)、判断上述第1写入次数的第1累计是否超过了第1写入次数阈值的判断部(65)以及在上述第1累计超过了上述第1写入次数阈值时对盘(DK)的第1对象扇区进行刷新的刷新处理部(63)。调整部(64)在第1期间中将上述k1调整为第1范围内的数值，在第2期间中将上述k1调整为第2范围内的数值。上述第2范围内的数值的上限比上述第1范围内的数值的下限小。

Description

磁盘装置及刷新处理方法

本申请享受以日本特许申请2022-146348号(申请日：2022年9月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及磁盘装置及刷新处理方法。

背景技术

作为磁盘装置，已知在盘的半径方向上空开间隔来进行多个磁道的写入的通常记录(Conventional Magnetic Recording：CMR)型式(或者以往记录型式)的磁盘装置、在盘的半径方向上进行多个磁道的重叠写入的瓦记录(Shingled write Magnetic Recording：SMR或者Shingled Write Recording：SWR)型式的磁盘装置、以及对通常记录型式和瓦记录型式进行选择来加以执行的混合记录型式的磁盘装置。

发明内容

本实施方式提供能够高效地进行数据重写的磁盘装置及刷新处理方法。

一个实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其在第1记录层具有包含第1对象扇区的第1对象磁道、和包含在半径方向上与所述第1对象扇区相邻的第1相邻扇区的第1相邻磁道；第1头，其对所述盘的所述第1记录层写入数据，从所述第1记录层读取数据；以及控制部，所述控制部具备：调整部，其能够对作为第1权重系数的k1进行调整；计数器，其每当对所述第1相邻扇区进行数据的第1写入时，对第1写入次数进行所述k1次的计数；判断部，其判断由所述计数器所计数的所述第1写入次数的第1累计是否超过了第1写入次数阈值；以及刷新处理部，其在所述第1累计超过了所述第1写入次数阈值时，读取所述第1对象扇区的第1对象数据，将所述第1对象数据重写到所述第1对象扇区，对所述第1对象扇区进行刷新，对由所述计数器所计数的所述第1写入次数进行复位，所述调整部，在作为从对所述控制部最初接入电源的定时起的特定期间的第1期间，将所述k1调整为第1范围内的数值，在经过了所述第1期间之后的第2期间，将所述k1调整为第2范围内的数值，所述第2范围内的数值的上限比所述第1范围内的数值的下限小。

另外，一个实施方式涉及的刷新处理方法是应用于具备盘、第1头以及控制部的磁盘装置的刷新处理方法，所述盘在第1记录层具有包含第1对象扇区的第1对象磁道、和包含在半径方向上与所述第1对象扇区相邻的第1相邻扇区的第1相邻磁道，所述第1头对所述盘的所述第1记录层写入数据，从所述第1记录层读取数据，所述刷新处理方法包括：在将第1权重系数设为了k1的情况下，每当对所述第1相邻扇区进行数据的第1写入时，对第1写入次数进行所述k1次的计数，判断所述第1写入次数的第1累计是否超过了第1写入次数阈值，在所述控制部的控制下，在所述第1累计超过了所述第1写入次数阈值时，读取所述第1对象扇区的第1对象数据，将所述第1对象数据重写到所述第1对象扇区，对所述第1对象扇区进行刷新，对所述第1写入次数进行复位，在判断所述第1累计是否超过了所述第1写入次数阈值时，在作为从对所述控制部最初接入电源的定时起的特定期间的第1期间，将所述k1调整为第1范围内的数值，在经过了所述第1期间之后的第2期间，将所述k1调整为第2范围内的数值，所述第2范围内的数值的上限比所述第1范围内的数值的下限小。

附图说明

图1是表示一个实施方式涉及的磁盘装置的分解立体图。

图2是表示上述磁盘装置的基体的背面侧和控制电路基板的分解立体图。

图3是表示上述磁盘装置的构成的框图。

图4是表示上述磁盘装置的一部分的立体图，是表示多片盘和多个头的图。

图5是表示进行通常记录处理的多个磁道的一部分的示意图。

图6是用坐标图表示上述磁盘装置的环境的绝对湿度相对于环境温度的变化的图。

图7是用坐标图表示上述磁盘装置的内部的湿度相对于上述磁盘装置的初始的使用时间的变化的图。

图8是用坐标图表示上述磁盘装置的头悬浮的降低量相对于内部的湿度的变化的图。

图9是表示上述磁盘装置中的在半径方向上排列的3个扇区的概略图，是用于对头的悬浮量为通常的情况下的ATI影响进行说明的图。

图10是表示上述磁盘装置中的在半径方向上排列的3个扇区的概略图，是用于对头的悬浮量比通常低的情况下的ATI影响进行说明的图。

图11是用表来表示从对上述磁盘装置的控制部最初接入电源的定时起的经过时间与权重系数的对应关系的图。

图12是表示第1变形例涉及的磁盘装置的盘的多个分区(zone)的配置的一个例子的概略图。

图13是表示第4变形例涉及的磁盘装置中的在半径方向上排列的3个扇区的概略图，是表示图10所示的3个扇区的相反侧的图。

标号说明

1磁盘装置；60MPU；61读/写处理部；62计数器；63刷新处理部；64调整部；65判断部；70易失性存储器；80缓冲存储器；90非易失性存储器；100主机；110系统控制器；120驱动器IC；130头放大器IC；140R/W通道；150HDC；DK、DK1、DK2、DKi盘；L、La、La1、La2、Lai、Lb、Lb1、Lb2、Lbi记录层；Z、Z1、Z2、Z3分区；T磁道；Tam、Taq、Tbm对象磁道；Ta(m-1)、Ta(m+1)、Ta(q-1)、Ta(q+1)、Tb(m-1)、Tb(m+1)相邻磁道；SC扇区；Scam、SCaq、SCbm对象扇区；SCa(m-1)、SCa(m+1)、SCa(q-1)、SCa(q+1)、SCb(m-1)、SCb(m+1)相邻扇区；HD、HD1、HD2、HD3、HD4、HD(j-1)、HDj头；N、N1、N2、N3写入次数；k、k1、k2、k3权重系数；d1半径方向；d2行进方向；d3旋转方向。

具体实施方式

以下，参照附图对一个实施方式以及各变形例进行说明。

(一个实施方式)

首先，对一个实施方式涉及的磁盘装置1以及刷新处理方法进行详细的说明。首先，对磁盘装置1的构成进行说明。图1是表示本实施方式涉及的磁盘装置1的分解立体图。在本实施方式中，磁盘装置1是通常记录型式的磁盘装置。

如图1所示，磁盘装置1具备大致矩形形状的壳体10。壳体10具有上表面开口的矩形箱状的基体12和通过多个螺钉13固定于基体12且将基体12的上端开口封闭的顶盖14。

基体12具有与顶盖14空开间隙相对向的矩形形状的底壁12a和沿着底壁12a的周缘立起设置的侧壁12b，例如由铝一体地成形。侧壁12b包括相互相对向的一对长边壁和相互相对向的一对短边壁。在侧壁12b的上端面突出设置有大致矩形框状的固定肋12c。

顶盖14例如由不锈钢形成为矩形板状。顶盖14没有焊接于基体12。在壳体10内存在空气。

在壳体10内设置有作为记录介质的多个、例如1～6片盘(磁盘)DK、和作为支承多片盘DK并使之旋转的驱动马达的主轴马达(SPM)20。各盘DK例如形成为直径95mm(3.5英寸)，在其两面具有记录层(磁记录层)。

此外，在本实施方式中，在壳体10内容纳有1～6片盘DK，但盘DK的片数不限于此。另外，也可以在壳体10内容纳有单一的盘DK。

在壳体10内容纳有对盘DK进行信息的记录、再现的多个头(磁头)HD、以及将这些头HD以能相对于盘DK自由移动的方式进行了支承的头堆叠组件(致动器)22。另外，在壳体10内容纳有音圈马达(以下称为VCM)24、以及斜坡加载机构25等。

头堆叠组件22具有能自由旋转的轴承单元28、从轴承单元28延伸出来的多个臂30以及从各臂30延伸出来的悬架34。在各悬架34的前端部支承有头HD。

图2是表示磁盘装置1的基体的背面侧和控制电路基板的分解立体图。

如图2所示，控制电路基板54位于壳体10的外侧，安装于壳体10。控制电路基板54通过螺钉固定于基体12的底壁12a的外表面。

在基体12的底壁12a中，在一方的短边侧的端部形成有例如矩形形状的第1透孔(贯通孔)58。第1透孔58由环状的密封部件(connector packing)和板状的盖部59封闭。此外，盖部59和底壁12a夹着包围了第1透孔58的上述密封部件。上述密封部件由树脂等弹性体形成，作为上述树脂，可以举出橡胶、弹性体等。

图3是表示本实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。

如图3所示，磁盘装置1具备头堆叠组件22、驱动器IC120、头放大器集成电路(以下记载为头放大器IC或者前置放大器)130、易失性存储器70、缓冲存储器(缓冲器)80、非易失性存储器90以及作为一个芯片的集成电路的系统控制器110。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100连接。

头堆叠组件22通过VCM24的驱动，将搭载于臂30的头HD移动控制到盘DK上的目标位置。

盘DK对其能写入数据的区域分配有能够由用户利用的用户数据区域U和写入系统管理所需要的信息的系统区域S。在此，将盘DK的多个磁道中的任意磁道作为对象磁道，将在盘DK的半径方向上与对象磁道相邻的磁道作为相邻磁道。在对象磁道中，将在盘DK的圆周方向上排列的多个扇区中的任意扇区作为对象扇区。在相邻磁道中，将在盘DK的圆周方向上排列的多个扇区中的在盘DK的半径方向上与对象扇区相邻的扇区作为相邻扇区。

头HD将滑块作为主体，具备安装于滑块的写入头WHD和读取头RHD。写入头WHD在盘DK上写入数据。读取头RHD读取记录于盘DK上的数据磁道的数据。

驱动器IC120按照系统控制器110(详细而言为后述的MPU60)的控制，对SPM20和VCM24的驱动进行控制。

头放大器IC130具备读取放大器和写入驱动器。读取放大器对从盘DK读取到的读取信号进行放大，并输出至系统控制器110(详细而言为后述的读/写(R/W)通道140)。写入驱动器对头HD输出与从R/W通道140输出的信号相应的写入电流。

易失性存储器70是电力供给被断开时所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的各部中的处理所需要的数据等。易失性存储器70例如为DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器)或者SDRAM(SynchronousDynamic Random Access Memory，同步动态随机访问存储器)。

缓冲存储器80是暂时性地记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器80也可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器80例如为DRAM、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机访问存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory，铁电随机访问存储器)或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻随机访问存储器)等。

非易失性存储器90是即使电力供给断开、也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器90例如为NOR型或者NAND型的闪速ROM(Flash Read Only Memory(闪速只读存储器)：FROM)。

系统控制器(控制器)110例如使用在单一芯片集成了多个元件的被称为片上系统(System-on-a-Chip(SoC))的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器110包括读/写(R/W)通道140、硬盘控制器(HDC)150以及微处理器(MPU)60。系统控制器110与驱动器IC120、头放大器IC130、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90以及主机100电连接。

R/W通道140根据来自后述的MPU60的指示，执行从盘DK向主机100传送的读取数据以及从主机100传送的写入数据的信号处理。R/W通道140具有对写入数据进行调制的电路或者功能。另外，R/W通道140具有对读取数据的信号品质进行测定的电路或者功能。R/W通道140例如与头放大器IC130、HDC150、MPU60等电连接。

HDC150根据来自后述的MPU60的指示，对主机100与R/W通道140之间的数据传送进行控制。HDC150例如与R/W通道140、MPU60、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90等电连接。

MPU60是对磁盘装置1的各部进行控制的控制部，是主控制器。MPU60经由驱动器IC120对VCM24进行控制，执行进行头HD的定位的伺服控制。MPU60对向盘DK写入数据的写入动作进行控制，并且，选择从主机100传送的写入数据的保存目的地。另外，MPU60对从盘DK读取数据的读取动作进行控制，并且，对从盘DK传送至主机100的读取数据的处理进行控制。MPU60连接于磁盘装置1的各部。MPU60例如与驱动器IC120、R/W通道140、HDC150等电连接。

MPU60具备读/写处理部61、计数器62、刷新处理部63、调整部64以及判断部65。MPU60在固件上执行这些各部、例如读/写处理部61、计数器62、刷新处理部63、调整部64、判断部65等的处理。此外，MPU60也可以将这些各部作为电路来具备。

读/写处理部61按照来自主机100的命令，对数据的读取处理和写入处理进行控制。读/写处理部61经由驱动器IC120对VCM24进行控制，将头HD定位在盘DK上的目标位置(预定的半径位置)，执行读取处理或者写入处理。

调整部64能够对作为权重系数的k(k1、k2以及k3)进行调整。

计数器62能够每当按盘DK的扇区来写入数据时，对写入的次数(也称为写入次数)N进行k次的计数。例如，计数器62能够将写入次数N存储于非易失性存储器90，用非易失性存储器90对写入次数N进行管理。此外，计数器62存储写入次数N的记录部并不限定于非易失性存储器90，为磁盘装置1内的记录部即可，例如也可以是系统区域S。

判断部65具有写入次数阈值。判断部65能够判断写入次数N的累计是否超过了写入次数阈值。例如，判断部65判断在上述相邻扇区中写入次数N的累计是否超过了写入次数阈值。

刷新处理部63能够根据判断部65的判断结果，对数据的读取处理和写入处理进行控制。例如，在判断部65判断为在相邻扇区中写入次数N的累计超过了写入次数阈值时，判断部65向刷新处理部63输出用于执行刷新处理的信号(也称为刷新信号)，刷新处理部63读取上述对象扇区的对象数据，将上述对象数据重写(rewrite)到对象扇区，对对象扇区进行刷新，对对象扇区中的写入次数N进行复位。例如，刷新处理部63将存储于非易失性存储器90的写入次数N复位为0次。

图4是表示磁盘装置1的一部分的立体图，是表示多片盘DK和多个头HD的图。

如图4所示，在圆周方向上，将盘DK旋转的方向称为旋转方向d3。此外，在图4所示的例子中，旋转方向由逆时针方向表示，但也可以是相反方向(顺时针方向)。另外，头HD相对于盘DK的行进方向d2与旋转方向d3相反。

磁盘装置1具备盘DK1～盘DKi的i片盘和头HD1～头HDj的j个头。在本实施方式中，头HD的个数为盘DK的片数的2倍(j＝2·i)。

盘DK1～DKi以同轴的方式设置，相互空开间隔而重叠。盘DK1～DKi的直径相同。在此，“相同”、“同一”、“一致”、“同等”等的术语当然包括完全相同这一含义，但也包括在可视为实质上相同的程度上不同这一含义。此外，盘DK1～DKi的直径也可以互不相同。

各个盘DK在两侧具有记录层L。例如，盘DK1具有第1记录层La1和第1记录层La1的相反侧的第2记录层Lb1。盘DK2具有第1记录层La2和第1记录层La2的相反侧的第2记录层Lb2。盘DKi具有第1记录层Lai和第1记录层Lai的相反侧的第2记录层Lbi。各个第1记录层La有时也被称为表面或者记录面。各个第2记录层Lb有时也被称为背面或者记录面。

如上所述，本实施方式的磁盘装置1为通常记录型式的磁盘装置。因此，各个记录层L的用户数据区域U为通常记录区域。在通常记录型式的磁盘装置中，允许在用户数据区域U内以随机的方式写入数据，也即是允许通常记录。

各个记录层L具有用户数据区域U和系统区域S。第1记录层La1具有用户数据区域Ua1和系统区域Sa1。第2记录层Lb1具有用户数据区域Ub1和系统区域Sb1。第1记录层La2具有用户数据区域Ua2和系统区域Sa2。第2记录层Lb2具有用户数据区域Ub2和系统区域Sb2。第1记录层Lai具有用户数据区域Uai和系统区域Sai。第2记录层Lbi具有用户数据区域Ubi和系统区域Sbi。

将用户数据区域Ua1(第1记录层La1)中的、图中用双重虚线夹着的磁道作为磁道Ta1。将用户数据区域Ub1(第2记录层Lb1)中的位于磁道Ta1的相反侧的磁道作为磁道Tb1。

将用户数据区域Ua2(第1记录层La2)中的、图中由双重虚线夹着的磁道作为磁道Tc1。将用户数据区域Ub2(第2记录层Lb2)中的、位于磁道Tc1的相反侧的磁道作为磁道Td1。

将用户数据区域Uai(第1记录层Lai)中的、图中由双重虚线夹着的磁道作为磁道Te1。将用户数据区域Ubi(第2记录层Lbi)中的、位于磁道Te1的相反侧的磁道作为磁道Tf1。

在本实施方式中，磁道Ta1、Tb1、Tc1、Td1、Te1、Tf1位于同一柱面。

头HD与盘DK相对向。在本实施方式中，一个头HD与盘DK的各记录层L相对向。例如，头HD1与盘DK1的第1记录层La1相对向，向第1记录层La1写入数据，从第1记录层La1读取数据。头HD2与盘DK1的第2记录层Lb1相对向，向第2记录层Lb1写入数据，从第2记录层Lb1读取数据。头HD3与盘DK2的第1记录层La2相对向，向第1记录层La2写入数据，从第1记录层La2读取数据。头HD4与盘DK2的第2记录层Lb2相对向，向第2记录层Lb2写入数据，从第2记录层Lb2读取数据。头HDj-1与盘DKi的第1记录层Lai相对向，向第1记录层Lai写入数据，从第1记录层Lai读取数据。头HDj与盘DKi的第2记录层Lbi相对向，向第2记录层Lbi写入数据，从第2记录层Lbi读取数据。

图5是表示进行通常记录处理的多个磁道的一部分的示意图。

如图5所示，盘DK1的第1记录层La1具有在半径方向d1上排列的磁道Ta1、磁道Ta2、磁道Ta3、……、磁道Ta(m-1)、磁道Tam、磁道Ta(m+1)等。图中，磁道Ta1位于盘DK1的最外周OD侧，磁道Ta(m+1)位于盘DK1的最内周ID侧。

磁道Ta1在半径方向d1上具有磁道宽度W1，在半径方向d1的中心具有磁道中央C1。与磁道Ta1同样地，磁道Ta2具有磁道宽度W2和磁道中央C2，磁道Ta3具有磁道宽度W3和磁道中央C3，磁道Ta(m-1)具有磁道宽度W(m-1)和磁道中央C(m-1)，磁道Tam具有磁道宽度Wm和磁道中央Cm，磁道Ta(m+1)具有磁道宽度W(m+1)和磁道中央C(m+1)。磁道宽度W1～W(m+1)是相同的。但是，磁道宽度W1～W(m+1)也可以互不相同。

磁道Ta1～Ta(m+1)在半径方向d1上以间距(通常记录磁道间距)Pt来配置。例如，磁道中央C1和磁道中央C2在半径方向d1上以间距Pt分离，磁道中央C2和磁道中央C3在半径方向d1上以间距Pt分离。另外，磁道中央C(m-1)和磁道中央Cm在半径方向d1上以间距Pt分离，磁道中央Cm和磁道中央C(m+1)在半径方向d1上以间距Pt分离。此外，磁道Ta1～Ta(m+1)也可以分别在半径方向d1上以不同的间距来配置。

在通常记录型式的磁盘装置中，通过为了使存储容量增大而将间距Pt设计为窄，从而能够实现高密度化。

另外，在图5所示的例子中，磁道Ta1～Ta(m+1)分别在半径方向d1上空开间隙g来配置。例如，磁道Ta1和磁道Ta2在半径方向d1上以间隙g分离，磁道Ta2和磁道Ta3在半径方向d1上以间隙g分离。另外，磁道Ta(m-1)和磁道Tam在半径方向d1上以间隙g分离，磁道Tam和磁道Ta(m+1)在半径方向d1上以间隙g分离。此外，磁道Ta1～Ta(m+1)也可以空开互不相同的间隙来配置。

在图5中，为了便于说明，将各磁道Ta表示为长方形状，但实际上，各磁道Ta沿着圆周方向弯曲。另外，各磁道也可以是一边在半径方向d1上变动、一边在圆周方向上延伸的波状。

在执行写入处理时，读/写处理部61(或者刷新处理部63)将头HD1定位于磁道中央C1来向磁道Ta1写入数据，将头HD1定位于磁道中央C2来向磁道Ta2写入数据，将头HD1定位于磁道中央C3来向磁道Ta3写入数据，将头HD1定位于磁道中央C(m-1)来向磁道Ta(m-1)写入数据，将头HD1定位于磁道中央Cm来向磁道Tam写入数据，将头HD1定位于磁道中央C(m+1)来向磁道Ta(m+1)写入数据。

在图5所示的例子中，读/写处理部61既可以按顺序对磁道Ta1～Ta(m+1)执行写入处理，也可以以随机的方式对磁道Ta1～Ta(m+1)各自的预定扇区执行写入处理。

本实施方式的磁盘装置1如上述那样构成。

接着，使用图6～图10对ATI(相邻磁道干涉)的影响进行说明。图6是用坐标图表示磁盘装置1的环境的绝对湿度相对于环境温度(environmental temperature)的变化的图。

如图6所示，关于环境湿度(environmental humidity)，由最高湿球(maximum wetbulb)温度规定，如根据坐标图的直线可知那样，随着温度变为比最高湿球温度Tw高，绝对湿度变小。在上述温度Tw以下设为了相对湿度100％的情况下，如根据坐标图的曲线可知那样，随着温度变高，绝对湿度变高。环境的绝对湿度成为坐标图的值。例如在相对湿度不是100％、而是80％的情况下，环境的绝对湿度成为坐标图以下的值。

此外，上述环境意味着磁盘装置1的外部、磁盘装置1的周围等。上述环境温度是磁盘装置1的外部气氛的温度。上述环境湿度是磁盘装置1的外部气氛的湿度。

有时磁盘装置1会被在上述温度Tw、且高湿的环境(保管环境)下放置一段时间，然后，有时会在环境温度为比上述温度Tw高的温度Th下使用磁盘装置1。

将环境温度提高为了温度Th的情况下的磁盘装置1的内部湿度(绝对湿度)描绘为了点PL。如根据点PL和坐标图可知那样，磁盘装置1的内部的绝对湿度与环境的绝对湿度之差DI变大。认为由于磁盘装置1的内部部件(例如活性炭)所吸收了的水分，磁盘装置1的内部湿度会极端地变高。

图7是用坐标图表示磁盘装置1的内部湿度相对于磁盘装置1的初始使用时间的变化的图。

如图7所示，磁盘装置1的内部湿气虽会释放到磁盘装置1的外部，但并不是适时地释放。磁盘装置1的内部湿气随着使用时间的经过而减少，磁盘装置1的内部湿度会随着使用时间的经过而接近环境湿度。可知磁盘装置1的内部湿度从环境湿度背离的期间仅为从将磁盘装置1从保管环境移动至使用环境起的一定期间。

图8是用坐标图表示磁盘装置1的头HD悬浮的降低量相对于内部湿度的变化的图。此外，在图8中将磁盘装置1的内部温度设为了一定。

如图8所示，磁盘装置1一般具有如下特性：当内部湿度高时，头HD悬浮的降低量变多。当湿度高时，头HD不会充分地悬浮。

图9是表示磁盘装置1中的在半径方向d1上排列的3个扇区SCa(m-1)、Scam、SCa(m+1)的概略图，是用于对头HD1的悬浮量为通常的情况下的ATI影响进行说明的图。图10是表示上述3个扇区SCa(m-1)、Scam、SCa(m+1)的概略图，是用于对头HD1的悬浮量比通常低的情况下的ATI影响进行说明的图。

在图9和图10中，对进行了将扇区Scam作为对象的数据写入处理的区域添加了斜线，对进行了将扇区SCa(m-1)作为对象的数据写入处理的区域和进行了将扇区SCa(m+1)作为对象的数据写入处理的区域添加了点图案。

如图9和图10所示，磁道Tam具有扇区SCam。磁道Ta(m-1)具有在半径方向d1上与扇区SCam相邻的扇区SCa(m-1)。磁道Ta(m+1)具有在半径方向d1上与扇区SCam相邻的扇区SCa(m+1)。

以下，将磁道Tam称为第1对象磁道Tam，将磁道Ta(m-1)称为第1相邻磁道Ta(m-1)，将磁道Ta(m+1)称为第1相邻磁道Ta(m+1)。第1相邻磁道Ta(m+1)是位于比第1对象磁道Tam靠内侧的位置的第1内侧相邻磁道。第1相邻磁道Ta(m-1)是位于比第1对象磁道Tam靠外侧的位置的第1外侧相邻磁道。

另外，将扇区Scam称为第1对象扇区Scam，将扇区SCa(m-1)称为第1相邻扇区SCa(m-1)，将扇区SCa(m+1)称为第1相邻扇区SCa(m+1)。第1相邻扇区SCa(m+1)是在半径方向d1上与第1对象扇区SCam相邻的第1内侧相邻扇区。第1相邻扇区SCa(m-1)是在半径方向d1上与第1对象扇区SCam相邻的第1外侧相邻扇区。

如图9所示，在头HD1的悬浮量为通常的情况下，即使进行将第1相邻扇区SCa(m-1)作为对象的数据写入处理、进行将第1相邻扇区SCa(m+1)作为对象的数据写入处理，对第1对象扇区Scam的数据的ATI影响也小。

如图10所示，然而，在头HD1的悬浮量比通常低的情况下，对盘DK1的写入特性会提高。从头HD1对盘DK1的磁影响变强，因此，当进行将第1相邻扇区SCa(m-1)作为对象的数据写入处理、或者进行将第1相邻扇区SCa(m+1)作为对象的数据写入处理时，对第1对象扇区Scam的数据或者其附近的区域的ATI影响变大。

进一步，在对第1相邻扇区SCa(m-1)、SCa(m+1)多次进行数据写入的情况下，每次也会对第1对象扇区Scam中的与第1相邻扇区SCa(m-1)、SCa(m+1)的边界附近写入(重叠写入)数据。当对第1相邻扇区SCa(m-1)、SCa(m+1)的写入次数变多时，有可能无法读取第1对象扇区Scam的原本的对象数据。

根据上面的描述，磁盘装置1考虑ATI影响，在对第1相邻扇区SCa(m-1)、SCa(m+1)的写入次数超过了写入次数阈值的情况下实施了被称为ATI刷新动作的刷新处理。刷新处理是如下处理：读取第1对象扇区Scam的数据，将所读取到的数据重写到第1对象扇区Scam，对第1对象扇区Scam进行刷新。由此，能够事先避免因ATI影响而无法读取第1对象扇区Scam的原本的对象数据的事态。

上述刷新处理存在问题。例如在磁盘装置1(壳体10)的内部湿度极端高的状态下，ATI刷新来不及而第1对象扇区Scam的数据读取时出错的风险会提高。要使得即使是在磁盘装置1的内部湿度极端高的状态下，ATI刷新也来得及，认为要降低上述写入次数阈值。

然而，当降低写入次数阈值时，磁盘装置1有可能性能恶化，磁盘装置1会无法长期高效地重写数据。于是，本实施方式解决上述问题，获得能够高效地进行数据重写的磁盘装置1以及刷新处理方法。本实施方式例如在图7所示的第1期间和第2期间改变条件来进行ATI刷新处理。详细而言，为了极力减小磁盘装置1的性能恶化，磁盘装置1具备在第1期间(开始使用后的一定期间)将ATI刷新的定时提前的功能。

接着，对于本实施方式涉及的刷新处理方法，与磁盘装置1的动作一并进行说明。在此，对在盘DK1的第1记录层La1的第1对象扇区Scam应用了刷新处理的情况进行说明(图10)。调整部64能够对作为第1权重系数的k1进行调整(图3)。

如图3、图4以及图10所示，当开始刷新处理方法时，首先，计数器62每当向第1相邻扇区SCa(m-1)、SCa(m+1)进行数据的第1写入时，对第1写入次数N1进行k1次的计数。

接着，判断部65判断第1写入次数N1的第1累计是否超过了第1写入次数阈值。

在MPU60的控制下，在判断部65判断为第1累计超过第1写入次数阈值时，刷新处理部63读取第1对象扇区Scam的第1对象数据，将第1对象数据重写到第1对象扇区Scam，对第1对象扇区Scam进行刷新，对第1写入次数N1进行复位。

在判断第1累计是否超过了第1写入次数阈值时，在作为从最初对MPU60接入电源的定时起的特定期间的第1期间中，调整部64将第1权重系数k1调整为第1范围内的数值。例如，从第1期间切换为第2期间的定时是磁盘装置1的内部湿度实质上与环境湿度成为相同的定时。在经过了第1期间之后的第2期间中，调整部64将第1权重系数k1调整为第2范围内的数值。上述第2范围内的数值的上限比上述第1范围内的数值的下限小。

在本实施方式中，调整部64在第1期间中将第1权重系数k1调整为超过1的数值，在第2期间中将第1权重系数k1固定为1。第1范围内的数值为超过1的数值，第2范围内的数值为1以下的数值。但是，调整部64也可以在第2期间中多次调整第1权重系数k1等的权重系数k，或者固定为1以外的数值。或者，调整部64也可以在第1期间中利用第1权重系数k1等的权重系数k，在第2期间中利用其它权重系数。

由此，与第2期间相比，第1期间的第1累计容易超过第1写入次数阈值。能够在第1期间中避免由ATI影响导致的第1对象扇区Scam的数据读取错误的同时，在第2期间中将由ATI刷新的发动导致的性能恶化保持为最小限度。

此外，对第1写入次数N1进行复位的定时并不限定于对第1对象扇区Scam进行ATI刷新的定时。例如在第1累计超过第1写入次数阈值之前对第1对象扇区Scam写入了数据的情况下，刷新处理部63对用计数器62所计数的第1写入次数N1进行复位。

另外，第1权重系数k1也可以根据使用磁盘装置1的期间的长度而变化。图11是用表来表示从最初对磁盘装置1的MPU60接入电源的定时起的经过时间与第1权重系数k1的对应关系的一个例子的图。

如图3和图11所示，通过磁盘装置1存储如图11所示的表来作为参数，调整部64能够参照上述表来调整第1权重系数k1。

调整部64能够在第1期间中的第1期，将第1权重系数k1调整为k1a(k1a＝2.0)。调整部64能够在第1期间中的接着第1期的第2期，将第1权重系数k1调整为k1b(k1b＝1.8)。调整部64能够在第1期间中的接着第2期的第3期，将第1权重系数k1调整为k1c(k1c＝1.6)。调整部64能够在第1期间中的接着第3期的第4期，将第1权重系数k1调整为k1d(k1d＝1.4)。调整部64能够在第1期间中的接着第4期的第5期，将第1权重系数k1调整为k1e(k1e＝1.2)。调整部64能够在第2期间中将第1权重系数k1调整为k1x(k1x＝1.0)。在本实施方式中为k1a＞k1b＞k1c＞k1d＞k1e＞k1x。

例如每当在第2期间中对第1相邻扇区SCa(m-1)、SCa(m+1)进行数据的第1写入时，对第1写入次数N1进行1.0次的计数。每当在第1期对第1相邻扇区SCa(m-1)、SCa(m+1)进行数据的第1写入时，对第1写入次数N1进行2.0次的计数。每当在第2期对第1相邻扇区SCa(m-1)、SCa(m+1)进行数据的第1写入时，对第1写入次数N1进行1.8次的计数。此外，第1写入次数阈值是相对于非覆盖极限BER(位错误率)具有余裕的值，例如为1万次。第1写入次数阈值和第1权重系数k1考虑磁盘装置1的使用环境和包括磁盘装置1的个体差异的各种偏差来进行设计。

随着磁盘装置1的使用的经过，磁盘装置1的内部湿度逐渐接近环境湿度，头HD1的悬浮量逐渐接近通常时的悬浮量，因此，调整部64也可以阶段性地降低第1权重系数k1。由此，磁盘装置1能够更高效地进行数据重写。

根据如上述那样构成的一个实施方式涉及的磁盘装置1以及刷新处理方法，调整部64能够在作为从最初使用磁盘装置1的定时起的特定期间的第1期间中，将第1权重系数k1调整为第1范围内的数值。调整部64能够在经过了第1期间之后的第2期间中，将第1权重系数k1调整为第2范围内的数值。

能够获得能比总是将第1权重系数k1固定为特定数值(例如“1”)的情况高效地进行数据重写的磁盘装置1以及刷新处理方法。

(第1变形例)

接着，对第1变形例进行说明。磁盘装置1在本第1变形例中说明的构成以外，与上述实施方式同样地构成。刷新处理方法在本第1变形例中说明的步骤以外，与上述实施方式是同样的。图12是表示第1变形例涉及的磁盘装置1的盘DK1的多个分区Z的配置的一个例子的概略图。

如图12所示，盘DK1在第1记录层La1具有第1分区Z1、位于比第1分区Z1靠内侧的位置的第2分区Z2以及位于比第2分区Z2靠内侧的位置的第3分区Z3。第1分区Z1m也被称为分区0，第2分区Z2也被称为分区1，第3分区Z3也被称为分区2。

第1分区Z1具有包含第1对象扇区Scam的第1对象磁道Tam、包含第1相邻扇区SCa(m-1)的第1相邻磁道Ta(m-1)、包含第1相邻扇区SCa(m+1)的第1相邻磁道Ta(m+1)等的多个磁道T。

第2分区Z2具有包含第2对象扇区SCaq的第2对象磁道Taq、包含第2相邻扇区SCa(q-1)的第2相邻磁道Ta(q-1)、包含第2相邻扇区SCa(q+1)的第2相邻磁道Ta(q+1)等的多个磁道T。

第2相邻磁道Ta(q+1)是位于比第2对象磁道Taq靠内侧的位置的第2内侧相邻磁道，第2相邻扇区SCa(q+1)是在半径方向d1上与第2对象扇区SCaq相邻的第2内侧相邻扇区。第2相邻磁道Ta(q-1)是位于比第2对象磁道Taq靠外侧的位置的第2外侧相邻磁道，第2相邻扇区SCa(q-1)是在半径方向d1上与第2对象扇区SCaq相邻的第2外侧相邻扇区。

本第1变形例的盘DK1如上述那样构成。

接着，对于本第1变形例涉及的刷新处理方法，与磁盘装置1的动作一并进行说明。在此，对在盘DK1的第1记录层La1的第2对象扇区SCaq应用了刷新处理的情况进行说明。在本第1变形例中，调整部64将第1权重系数k1应用于第1分区Z1、第2分区Z2以及第3分区Z3。

如图3、图4以及图12所示，当开始刷新处理方法时，计数器62每当对第2相邻扇区SCa(q-1)、SCa(q+1)进行数据的第2写入时，对第2写入次数N2进行k1次的计数。

判断部65将第2写入次数阈值应用于第2分区Z2。此外，判断部65将第1写入次数阈值应用于第1分区Z1。接着，判断部65判断用计数器62所计数的第2写入次数N2的第2累计是否超过了第2写入次数阈值。

在MPU60的控制下，在判断部65判断为第2累计超过了第2写入次数阈值时，刷新处理部63读取第2对象扇区SCaq的第2对象数据，将第2对象数据重写到第2对象扇区SCaq，对第2对象扇区SCaq进行刷新，对第2写入次数N2进行复位。在判断第2累计是否超过了第2写入次数阈值时，调整部64在第1期间中将第1权重系数k1调整为第1范围内的数值，在第2期间中将第1权重系数k1调整为第2范围内的数值(例如固定为1)。

根据上面的描述，本第1变形例能够获得与上述实施方式同样的效果。

第1权重系数k1共用于第1分区Z1、第2分区Z2以及第3分区Z3，因此，在分别对第1写入次数N1和第2写入次数N2进行计数时，第1权重系数k1被同样地进行应用。但是，能够按分区Z设定写入次数阈值。在本第1变形例中，能够按分区Z而改变条件来进行ATI刷新处理。因此，第1写入次数阈值与第2写入次数阈值也可以互不相同。例如在第1分区Z1的ATI影响比第2分区Z2的ATI影响大的情况下，将第1写入次数阈值设定为比第2写入次数阈值小即可。由此，磁盘装置1能够更高效地进行数据重写。

(第2变形例)

接着，对第2变形例进行说明。磁盘装置1除了在本第2变形例中说明的构成以外，与上述第1变形例同样地构成。刷新处理方法除了在本第2变形例中说明的步骤以外，与上述实施方式是同样的。

对于本第2变形例涉及的刷新处理方法，与磁盘装置1的动作一并进行说明。在此，对在盘DK1的第1记录层La1的第2对象扇区SCaq应用了刷新处理的情况进行说明。在本第2变形例中，判断部65将第1写入次数阈值应用于第1分区Z1、第2分区Z2以及第3分区Z3。

如图3、图4以及图12所示，调整部64能够按分区Z而调整权重系数。例如，调整部64能够对作为应用于第2分区Z2的第2权重系数的k2进行调整。当开始刷新处理方法时，调整部64在第1期间中将第2权重系数k2调整为第1范围内的数值，在第2期间中将第2权重系数k2调整为第2范围内的数值。

计数器62每当对第2相邻扇区SCa(q-1)、SCa(q+1)进行数据的第2写入时，对第2写入次数N2进行k2次的计数。

判断部65将第1写入次数阈值应用于第1分区Z1、第2分区Z2以及第3分区Z3。接着，判断部65判断用计数器62所计数的第2写入次数N2的第2累计是否超过了第1写入次数阈值。

在MPU60的控制下，在判断部65判断为第2累计超过了第1写入次数阈值时，刷新处理部63读取第2对象扇区SCaq的第2对象数据，将第2对象数据重写到第2对象扇区SCaq，对第2对象扇区SCaq进行刷新，对第2写入次数N2进行复位。

根据上面的描述，本第2变形例能够获得与上述第1变形例同样的效果。

第1写入次数阈值共用于第1分区Z1、第2分区Z2以及第3分区Z3，因此，在判断第1累计和第2累计时，第1写入次数阈值被同样地进行应用。但是，能够按分区Z来设定权重系数。在本第2变形例中，也能够按分区Z而改变条件来进行ATI刷新处理。因此，第1权重系数k1和第2权重系数k2也可以互不相同。例如在第1分区Z1的ATI影响比第2分区Z2的ATI影响大的情况下，将第1权重系数k1设定为比第2权重系数k2大即可。由此，磁盘装置1能够更高效地进行数据重写。

(第3变形例)

接着，对第3变形例进行说明。磁盘装置1除了在本第3变形例中说明的构成以外，与上述第1变形例和第2变形例同样地构成。刷新处理方法除了在本第3变形例中说明的步骤以外，与上述第1变形例和第2变形例是同样的。

对于本第3变形例涉及的刷新处理方法，与磁盘装置1的动作一并进行说明。在此，对在盘DK1的第1记录层La1的第2对象扇区SCaq应用了刷新处理的情况进行说明。

如图3、图4以及图12所示，调整部64能够按分区Z来调整权重系数。例如，调整部64能够对作为应用于第2分区Z2的第2权重系数的k2进行调整。当开始刷新处理方法时，调整部64在第1期间中将第2权重系数k2调整为第1范围内的数值，在第2期间中将第2权重系数k2调整为第2范围内的数值。

计数器62每当对第2相邻扇区SCa(q-1)、SCa(q+1)进行数据的第2写入时，对第2写入次数N2进行k2次的计数。

判断部65将第2写入次数阈值应用于第2分区Z2。此外，判断部65将第1写入次数阈值应用于第1分区Z1。接着，判断部65判断用计数器62所计数的第2写入次数N2的第2累计是否超过了第2写入次数阈值。

在MPU60的控制下，在判断部65判断为第2累计超过了第2写入次数阈值时，刷新处理部63读取第2对象扇区SCaq的第2对象数据，将第2对象数据重写到第2对象扇区SCaq，对第2对象扇区SCaq进行刷新，对第2写入次数N2进行复位。

根据上面的描述，本第3变形例能够获得与上述第1变形例和第2变形例同样的效果。

能够按分区Z来设定权重系数，并且，能够设定写入次数阈值。在本第3变形例中，也能够按分区Z而改变条件来进行ATI刷新处理。因此，第1权重系数k1和第2权重系数k2也可以互不相同。另外，第1写入次数阈值和第2写入次数阈值也可以互不相同。由此，能够获得能更高效地进行数据重写的磁盘装置1以及刷新处理方法。

(第4变形例)

接着，对第4变形例进行说明。磁盘装置1除了在本第4变形例中说明的构成以外，与上述实施方式同样地构成。刷新处理方法除了在本第4变形例中说明的步骤以外，与上述实施方式是同样的。图13是表示磁盘装置1中的在半径方向d1上排列的3个扇区SCb的概略图，是表示图10所示的3个扇区SCa(m-1)、Scam、SCa(m+1)的相反侧的图。

在图13中，对进行了将扇区SCbm作为对象的数据写入处理的区域添加了斜线，对进行了将扇区SCb(m-1)作为对象的数据写入处理的区域和进行了将扇区SCb(m+1)作为对象的数据写入处理的区域添加了点图案。

如图13所示，盘DK1在第1记录层La1的相反侧的第2记录层Lb1具有磁道Tb(m-1)、磁道Tbm以及磁道Tb(m+1)。磁道Tbm位于与第1对象磁道Tam相同的柱面，具有扇区SCbm。磁道Tb(m-1)位于与第1相邻磁道Ta(m-1)相同的柱面，具有在半径方向d1上与扇区SCbm相邻的扇区SCb(m-1)。磁道Tb(m+1)位于与第1相邻磁道Ta(m+1)相同的柱面，具有在半径方向d1上与扇区SCbm相邻的扇区SCb(m+1)。

磁道Tbm具有磁道中央Cm，磁道Tb(m-1)具有磁道中央C(m-1)，磁道Tb(m+1)具有磁道中央C(m+1)。

以下，将磁道Tbm称为第3对象磁道Tbm，将磁道Tb(m-1)称为第3相邻磁道Tb(m-1)，将磁道Tb(m+1)称为第3相邻磁道Tb(m+1)。第3相邻磁道Tb(m+1)是位于比第3对象磁道Tbm靠内侧的位置的第3内侧相邻磁道。第3相邻磁道Tb(m-1)是位于比第3对象磁道Tbm靠外侧的位置的第3外侧相邻磁道。

另外，将扇区SCbm称为第3对象扇区SCbm，将扇区SCb(m-1)称为第3相邻扇区SCb(m-1)，将扇区SCb(m+1)称为第3相邻扇区SCb(m+1)。第3相邻扇区SCb(m+1)是在半径方向d1上与第3对象扇区SCbm相邻的第3内侧相邻扇区。第3相邻扇区SCb(m-1)是在半径方向d1上与第3对象扇区SCbm相邻的第3外侧相邻扇区。

本第4变形例的盘DK1如上所述那样构成。

接着，对于本第4变形例涉及的刷新处理方法，与磁盘装置1的动作一并进行说明。在此，对在盘DK1的第2记录层Lb1的第3对象扇区SCbm应用了刷新处理的情况进行说明。在本第4变形例中，调整部64将第1权重系数k1应用于头HD1(第1记录层La1)和头HD2(第2记录层Lb1)。

如图3、图4以及图13所示，当开始刷新处理方法时，计数器62每当对第3相邻扇区SCb(m-1)、SCb(m+1)进行数据的第3写入时，对第3写入次数N3进行k1次的计数。

判断部65将第3写入次数阈值应用于头HD2(第2记录层Lb1)。此外，判断部65将第1写入次数阈值应用于头HD1(第1记录层La1)。接着，判断部65判断用计数器62所计数的第3写入次数N3的第3累计是否超过了第3写入次数阈值。

在MPU60的控制下，在判断部65判断为第3累计超过了第3写入次数阈值时，刷新处理部63读取第3对象扇区SCbm的第3对象数据，将第3对象数据重写到第3对象扇区SCbm，对第3对象扇区SCbm进行刷新，对第3写入次数N3进行复位。此外，在判断第3累计是否超过了第3写入次数阈值时，调整部64在第1期间中将第1权重系数k1调整为第1范围内的数值，在第2期间中将第1权重系数k1调整为第2范围内的数值。

根据上面的描述，本第4变形例能够获得与上述实施方式同样的效果。

第1权重系数k1共用于多个头HD，因此，在分别对第1写入次数N1和第3写入次数N3进行计数时，第1权重系数k1被同样地应用于各个头HD。但是，能够按头HD来设定写入次数阈值。在本第4变形例中，能够按头HD而改变条件来进行ATI刷新处理。因此，第1写入次数阈值和第3写入次数阈值也可以互不相同。例如在由头HD2导致的ATI影响比由头HD1导致的ATI影响大的情况下，将第3写入次数阈值设定为比第1写入次数阈值小即可。由此，磁盘装置1能够更高效地进行数据重写。

并且，能够在将位于同一柱面的第1记录层La1的磁道和第2记录层Lb1的磁道作为对象来进行ATI刷新处理时，改变条件来进行ATI刷新处理。

(第5变形例)

接着，对第5变形例进行说明。磁盘装置1除了在本第5变形例中说明的构成以外，与上述第4变形例同样地构成。刷新处理方法除了在本第5变形例中说明的步骤以外，与上述实施方式是同样的。

对于本第5变形例涉及的刷新处理方法，与磁盘装置1的动作一并进行说明。在此，对在盘DK1的第2记录层Lb1的第3对象扇区SCbm应用了刷新处理的情况进行说明。在本第5变形例中，判断部65将第1写入次数阈值应用于头HD1(第1记录层La1)和头HD2(第2记录层Lb1)。

如图3、图4以及图13所示，调整部64能够按头HD来调整权重系数。例如，调整部64能够对作为应用于头HD2(第2记录层Lb1)的第3权重系数的k3进行调整。当开始刷新处理方法时，调整部64在第1期间中将第3权重系数k3调整为第1范围内的数值，在第2期间中将第3权重系数k3调整为第2范围内的数值。

计数器62每当对第3相邻扇区SCb(m-1)、SCb(m+1)进行数据的第3写入时，对第3写入次数N3进行k3次的计数。

判断部65将第1写入次数阈值应用于头HD1(第1记录层La1)和头HD2(第2记录层Lb1)。接着，判断部65判断用计数器62所计数的第3写入次数N3的第3累计是否超过了第1写入次数阈值。

在MPU60的控制下，在判断部65判断为第3累计超过了第1写入次数阈值时，刷新处理部63读取第3对象扇区SCbm的第3对象数据，将第3对象数据重写到第3对象扇区SCbm，对第3对象扇区SCbm进行刷新，对第3写入次数N3进行复位。

根据上面的描述，本第5变形例能够获得与上述第4变形例同样的效果。

第1写入次数阈值共用于多个头HD，因此，在对第1累计和第3累计进行判断时，第1写入次数阈值被同样地进行应用。但是，能够按头HD来设定权重系数。在本第5变形例中，也能够按头HD而改变条件来进行ATI刷新处理。因此，第1权重系数k1和第3权重系数k3也可以互不相同。例如在由头HD2导致的ATI影响比由头HD1导致的ATI影响大的情况下，将第3权重系数k3设定为比第1权重系数k1大即可。由此，磁盘装置1能够更高效地进行数据重写。

(第6变形例)

接着，对第6变形例进行说明。磁盘装置1除了在本第6变形例中说明的构成以外，与上述第4变形例和第5变形例同样地构成。刷新处理方法除了在本第6变形例中说明的步骤以外，与上述第4变形例和第5变形例是同样的。

对于本第6变形例涉及的刷新处理方法，与磁盘装置1的动作一并进行说明。在此，对在盘DK1的第2记录层Lb1的第3对象扇区SCbm应用了刷新处理的情况进行说明。

如图3、图4以及图13所示，调整部64能够按头HD来调整权重系数。例如，调整部64能够对作为应用于头HD2的第3权重系数的k3进行调整。当开始刷新处理方法时，调整部64在第1期间中将第3权重系数k3调整为第1范围内的数值，在第2期间中将第3权重系数k3调整为第2范围内的数值。

计数器62每当对第3相邻扇区SCb(m-1)、SCb(m+1)进行数据的第3写入时，对第3写入次数N3进行k3次的计数。

判断部65将第3写入次数阈值应用于头HD2。此外，判断部65将第1写入次数阈值应用于头HD1。接着，判断部65判断用计数器62所计数的第3写入次数N3的第3累计是否超过了第3写入次数阈值。

在MPU60的控制下，在判断部65判断为第3累计超过了第3写入次数阈值时，刷新处理部63读取第3对象扇区SCbm的第3对象数据，将第3对象数据重写到第3对象扇区SCbm，对第3对象扇区SCbm进行刷新，对第3写入次数N3进行复位。

根据上面的描述，本第6变形例能够获得与上述第4变形例和第5变形例同样的效果。

能够按头HD来设定权重系数，并且，能够设定写入次数阈值。在本第6变形例中，也能够按头HD而改变条件来进行ATI刷新处理。因此，第1权重系数k1和第3权重系数k3也可以互不相同。另外，第1写入次数阈值和第3写入次数阈值也可以互不相同。由此，能够获得能更高效地进行数据重写的磁盘装置1以及刷新处理方法。

以上对本发明的实施方式进行了说明，但上述实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。上述新的实施方式能够以其它各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。上述实施方式和/或其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。也可以根据需要来对上述实施方式和上述多个变形例中的两个以上进行组合。

例如，上述技术也可以应用于瓦记录型式的磁盘装置和对通常记录型式以及瓦记录型式进行选择来加以执行的混合记录型式的磁盘装置。例如在混合记录型式中，记录层L的用户数据区域U在内周侧具有瓦记录区域，在比瓦记录区域靠外周侧的位置具有通常记录区域。该通常记录区域有时也被称为常规分区(Conventional Zone)，可以成为记录系统文件、元数据等的频繁地进行改写的数据的区域。

Claims (19)

1.一种磁盘装置，具备：

盘，其在第1记录层具有包含第1对象扇区的第1对象磁道、和包含在半径方向上与所述第1对象扇区相邻的第1相邻扇区的第1相邻磁道；

第1头，其对所述盘的所述第1记录层写入数据，从所述第1记录层读取数据；以及

控制部，

所述控制部具备：

调整部，其能够对作为第1权重系数的k1进行调整；

计数器，其每当对所述第1相邻扇区进行数据的第1写入时，对第1写入次数进行所述k1次的计数；

判断部，其判断由所述计数器所计数的所述第1写入次数的第1累计是否超过了第1写入次数阈值；以及

刷新处理部，其在所述第1累计超过了所述第1写入次数阈值时，读取所述第1对象扇区的第1对象数据，将所述第1对象数据重写到所述第1对象扇区，对所述第1对象扇区进行刷新，对由所述计数器所计数的所述第1写入次数进行复位，

所述调整部，

在作为从对所述控制部最初接入电源的定时起的特定期间的第1期间，将所述k1调整为第1范围内的数值，

在经过了所述第1期间之后的第2期间，将所述k1调整为第2范围内的数值，

所述第2范围内的数值的上限比所述第1范围内的数值的下限小。

2.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述第1相邻磁道具有：

第1内侧相邻磁道，其位于比所述第1对象磁道靠内侧的位置，包含在所述半径方向上与所述第1对象扇区相邻的第1内侧相邻扇区；和

第1外侧相邻磁道，其位于比所述第1对象磁道靠外侧的位置，包含在所述半径方向上与所述第1对象扇区相邻的第1外侧相邻扇区，

所述计数器每当对所述第1内侧相邻扇区和所述第1外侧相邻扇区进行数据的第1写入时，对所述第1写入次数进行所述k1次的计数。

3.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述调整部，

在所述第1期间中的第1期，将所述k1调整为k1a，

在所述第1期间中的接着所述第1期的第2期，将所述k1调整为k1b，

在所述第2期间，将所述k1调整为k1x，

k1a＞k1b＞k1x。

4.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述调整部，

在所述第1期间，将所述k1调整为超过1的数值，

在所述第2期间，将所述k1固定为1。

5.根据权利要求1所述的磁盘装置，

在所述第1累计超过所述第1写入次数阈值之前对所述第1对象扇区写入了数据的情况下，所述刷新处理部对用所述计数器所计数的所述第1写入次数进行复位。

6.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述盘在所述第1记录层还具有包含第2对象扇区的第2对象磁道、包含在所述半径方向上与所述第2对象扇区相邻的第2相邻扇区的第2相邻磁道、第1分区以及位于比所述第1分区靠内侧的位置的第2分区，

所述第1对象磁道位于所述第1分区，

所述第2对象磁道位于所述第2分区，

所述计数器每当对所述第2相邻扇区进行数据的第2写入时，对第2写入次数进行所述k1次的计数，

所述判断部将所述第1写入次数阈值应用于所述第1分区，将第2写入次数阈值应用于所述第2分区，判断由所述计数器所计数的所述第2写入次数的第2累计是否超过了所述第2写入次数阈值，

所述刷新处理部在所述第2累计超过了所述第2写入次数阈值时，读取所述第2对象扇区的第2对象数据，将所述第2对象数据重写到所述第2对象扇区，对所述第2对象扇区进行刷新，对由所述计数器所计数的所述第2写入次数进行复位。

7.根据权利要求6所述的磁盘装置，

所述第1写入次数阈值和所述第2写入次数阈值互不相同。

8.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述盘在所述第1记录层还具有包含第2对象扇区的第2对象磁道、包含在所述半径方向上与所述第2对象扇区相邻的第2相邻扇区的第2相邻磁道、第1分区以及位于比所述第1分区靠内侧的位置的第2分区，

所述第1对象磁道位于所述第1分区，

所述第2对象磁道位于所述第2分区，

所述调整部能够对作为第2权重系数的k2进行调整，在所述第1期间将所述k2调整为所述第1范围内的数值，在所述第2期间将所述k2调整为所述第2范围内的数值，

所述计数器每当对所述第2相邻扇区进行数据的第2写入时，对第2写入次数进行所述k2次的计数，

所述判断部将所述第1写入次数阈值应用于所述第1分区和所述第2分区，判断由所述计数器所计数的所述第2写入次数的第2累计是否超过了所述第1写入次数阈值，

所述刷新处理部在所述第2累计超过了所述第1写入次数阈值时，读取所述第2对象扇区的第2对象数据，将所述第2对象数据重写到所述第2对象扇区，对所述第2对象扇区进行刷新，对由所述计数器所计数的所述第2写入次数进行复位。

9.根据权利要求8所述的磁盘装置，

所述k1和所述k2互不相同。

10.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述盘在所述第1记录层还具有包含第2对象扇区的第2对象磁道、包含在所述半径方向上与所述第2对象扇区相邻的第2相邻扇区的第2相邻磁道、第1分区以及位于比所述第1分区靠内侧的位置的第2分区，

所述第1对象磁道位于所述第1分区，

所述第2对象磁道位于所述第2分区，

所述调整部能够对作为第2权重系数的k2进行调整，在所述第1期间将所述k2调整为所述第1范围内的数值，在所述第2期间将所述k2调整为所述第2范围内的数值，

所述计数器每当对所述第2相邻扇区进行数据的第2写入时，对第2写入次数进行所述k2次的计数，

所述判断部将所述第1写入次数阈值应用于所述第1分区，将第2写入次数阈值应用于所述第2分区，判断由所述计数器所计数的所述第2写入次数的第2累计是否超过了所述第2写入次数阈值，

所述刷新处理部在所述第2累计超过了所述第2写入次数阈值时，读取所述第2对象扇区的第2对象数据，将所述第2对象数据重写到所述第2对象扇区，对所述第2对象扇区进行刷新，对由所述计数器所计数的所述第2写入次数进行复位。

11.根据权利要求10所述的磁盘装置，

所述第1写入次数阈值和所述第2写入次数阈值互不相同。

12.根据权利要求10所述的磁盘装置，

所述k1和所述k2互不相同。

13.根据权利要求1所述的磁盘装置，

还具备第2头，

所述盘在所述第1记录层的相反侧的第2记录层具有包含第3对象扇区且位于与所述第1对象磁道相同的柱面的第3对象磁道、和包含在所述半径方向上与所述第3对象扇区相邻的第3相邻扇区的第3相邻磁道，

所述第2头对所述盘的所述第2记录层写入数据，从所述第2记录层读取数据，

所述计数器每当对所述第3相邻扇区进行数据的第3写入时，对第3写入次数进行所述k1次的计数，

所述判断部判断由所述计数器所计数的所述第3写入次数的第3累计是否超过了第3写入次数阈值，

所述刷新处理部在所述第3累计超过了所述第3写入次数阈值时，读取所述第3对象扇区的第3对象数据，将所述第3对象数据重写到所述第3对象扇区，对所述第3对象扇区进行刷新，对由所述计数器所计数的所述第3写入次数进行复位。

14.根据权利要求13所述的磁盘装置，

所述第1写入次数阈值和所述第3写入次数阈值互不相同。

15.根据权利要求1所述的磁盘装置，

还具备第2头，

所述盘在所述第1记录层的相反侧的第2记录层具有包含第3对象扇区且位于与所述第1对象磁道相同的柱面的第3对象磁道、和包含在所述半径方向上与所述第3对象扇区相邻的第3相邻扇区的第3相邻磁道，

所述第2头对所述盘的所述第2记录层写入数据，从所述第2记录层读取数据，

所述调整部能够对作为第3权重系数的k3进行调整，在所述第1期间将所述k3调整为所述第1范围内的数值，在所述第2期间将所述k3调整为所述第2范围内的数值，

所述计数器每当对所述第3相邻扇区进行数据的第3写入时，对第3写入次数进行所述k3次的计数，

所述判断部判断由所述计数器所计数的所述第3写入次数的第3累计是否超过了所述第1写入次数阈值，

所述刷新处理部在所述第3累计超过了所述第1写入次数阈值时，读取所述第3对象扇区的第3对象数据，将所述第3对象数据重写到所述第3对象扇区，对所述第3对象扇区进行刷新，对由所述计数器所计数的所述第3写入次数进行复位。

16.根据权利要求15所述的磁盘装置，

所述k1和所述k3互不相同。

17.根据权利要求1所述的磁盘装置，

还具备第2头，

所述盘在所述第1记录层的相反侧的第2记录层具有包含第3对象扇区且位于与所述第1对象磁道相同的柱面的第3对象磁道、和包含在所述半径方向上与所述第3对象扇区相邻的第3相邻扇区的第3相邻磁道，

所述第2头对所述盘的所述第2记录层写入数据，从所述第2记录层读取数据，

所述调整部能够对作为第3权重系数的k3进行调整，在所述第1期间将所述k3调整为所述第1范围内的数值，在所述第2期间将所述k3调整为所述第2范围内的数值，

所述计数器每当对所述第3相邻扇区进行数据的第3写入时，对第3写入次数进行所述k3的计数，

所述判断部判断由所述计数器所计数的所述第3写入次数的第3累计是否超过了第3写入次数阈值，

所述刷新处理部在所述第3累计超过了所述第3写入次数阈值时，读取所述第3对象扇区的第3对象数据，将所述第3对象数据重写到所述第3对象扇区，对所述第3对象扇区进行刷新，对由所述计数器所计数的所述第3写入次数进行复位。

18.根据权利要求1所述的磁盘装置，

还具备容纳所述盘和所述第1头且在内部存在空气的壳体。

19.一种刷新处理方法，应用于具备盘、第1头以及控制部的磁盘装置，所述盘在第1记录层具有包含第1对象扇区的第1对象磁道、和包含在半径方向上与所述第1对象扇区相邻的第1相邻扇区的第1相邻磁道，所述第1头对所述盘的所述第1记录层写入数据，从所述第1记录层读取数据，所述刷新处理方法包括：

在将第1权重系数设为了k1的情况下，

每当对所述第1相邻扇区进行数据的第1写入时，对第1写入次数进行所述k1次的计数，

判断所述第1写入次数的第1累计是否超过了第1写入次数阈值，

在所述控制部的控制下，在所述第1累计超过了所述第1写入次数阈值时，读取所述第1对象扇区的第1对象数据，将所述第1对象数据重写到所述第1对象扇区，对所述第1对象扇区进行刷新，对所述第1写入次数进行复位，

在判断所述第1累计是否超过了所述第1写入次数阈值时，

在作为从对所述控制部最初接入电源的定时起的特定期间的第1期间，将所述k1调整为第1范围内的数值，

在经过了所述第1期间之后的第2期间，将所述k1调整为第2范围内的数值，

所述第2范围内的数值的上限比所述第1范围内的数值的下限小。