JP2020140752A - 磁気ディスク装置及びライト処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 記録密度を向上することが可能な磁気ディスク装置及びライト処理方法を提供することである。【解決手段】 本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、前記ディスクの半径方向の第１端部と前記第１端部と反対側の第２端部とを有する主磁極と、前記主磁極と間隔を空けて対向しているライトシールドと、前記主磁極とライトシールドと間の前記間隔で前記第１端部からの第１距離と前記第２端部からの第２距離とが異なる位置に設けられたアシスト素子とを有するヘッドと、第１トラックに第２トラックを重ね書きするライト方向に応じて前記アシスト素子に電圧を印加するコントローラと、を備える。【選択図】 図１

Description

本発明の実施形態は、磁気ディスク装置及びライト処理方法に関する。
磁気ディスク装置の高記録密度化及び高記録容量化を実現するために、高周波アシスト記録型式や瓦記録型式（Shingled write Magnetic Recording（ＳＭＲ）、またはShingled Write Recording（ＳＷＲ））が開発されている。高周波アシスト記録型式は、記録電流が印加されることで励磁されて記録磁界を発生する記録磁極（主磁極）と高周波発振子とを有する磁気ヘッドを使用し、高周波発振子に通電することで発生する高周波磁界をディスクに印加することによって、高周波磁界を印加したディスクの部分の保磁力を低下させる技術である。主磁極からディスクに印加される記録磁界に対して高周波発振子からディスクに印加される高周波磁界がずれる可能性がある。
一方、瓦記録型式は、磁気ディスクへデータをライトする際に、所定のトラックの一部に次のトラックを重ね書きする技術である。瓦記録型式では、トラックのトラック幅方向の端部のデータの品質が、ディスクの記録密度へ大きく影響し得る。
米国特許第１００３７７６９号明細書 米国特許出願公開第２０１２／２５０１７４号明細書 米国特許第７４８６４６０号明細書 特開２０１８−１４７５４０号公報
本発明の実施形態が解決しようとする課題は、記録密度を向上することが可能な磁気ディスク装置及びライト処理方法を提供することである。
本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、前記ディスクの半径方向の第１端部と前記第１端部と反対側の第２端部とを有する主磁極と、前記主磁極と間隔を空けて対向しているライトシールドと、前記主磁極とライトシールドと間の前記間隔で前記第１端部からの第１距離と前記第２端部からの第２距離とが異なる位置に設けられたアシスト素子とを有するヘッドと、第１トラックに第２トラックを重ね書きするライト方向に応じて前記アシスト素子に電圧を印加するコントローラと、を備える。
本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、主磁極と、前記主磁極と間隔を空けて対向しているライトシールドと、前記主磁極とライトシールドと間の前記間隔に設けられたアシスト素子とを有するヘッドと、第１トラックの前記ディスクの半径方向の第１方向に第２トラックをライトした第１領域の第１記録密度よりも前記第１トラックの前記第１方向と反対方向の第２方向に前記第２トラックをライトした前記第１領域の第２記録密度が大きい場合、前記第１領域において前記第１トラックの前記第２方向に前記第２トラックを重ね書きする。
本実施形態に係るライト処理方法は、ディスクと、主磁極と、前記主磁極と間隔を空けて対向しているライトシールドと、前記主磁極とライトシールドと間の前記間隔に設けられたアシスト素子とを有するヘッドと、を備える磁気ディスク装置に適用されるライト処理方法であって、第１トラックの前記ディスクの半径方向の第１方向に第２トラックをライトした第１領域の第１記録密度よりも前記第１トラックの前記第１方向と反対方向の第２方向に前記第２トラックをライトした前記第１領域の第２記録密度が大きい場合、前記第１領域において前記第１トラックの前記第２方向に前記第２トラックを重ね書きする。
図１は、実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。 図２は、本実施形態に係るディスクに対するヘッドの配置の一例を示す模式図である。 図３は、本実施形態に係るディスク及びヘッドの一例を示す拡大断面図である。 図４Ａは、外方向を瓦記録方向としてライトしたトラック群を含むバンド領域ＢＡ１の一例を示す模式図である。 図４Ｂは、内方向を瓦記録方向としてライトしたトラック群を含むバンド領域ＢＡ２の一例を示す模式図である。 図５は、瓦記録方向によって所定の記録領域におけるアシスト／瓦記録密度が異なる要因の一例を示す概要図である。 図６は、所定の半径領域毎のアシスト電圧に対するアシスト／瓦記録密度の変化の一例を示す図である。 図７は、本実施形態に係るライト処理の一例を示すフローチャートである。
以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図面は、一例であって、発明の範囲を限定するものではない。
（実施形態）
図１は、実施形態に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。
磁気ディスク装置１は、後述するヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）と、ドライバＩＣ２０と、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ、又はプリアンプ）３０と、揮発性メモリ７０と、不揮発性メモリ８０と、バッファメモリ（バッファ）９０と、１チップの集積回路であるシステムコントローラ１３０とを備える。また、磁気ディスク装置１は、ホストシステム（以下、単に、ホストと称する）１００と接続される。
ＨＤＡは、磁気ディスク（以下、ディスクと称する）１０と、スピンドルモータ（以下、ＳＰＭと称する）１２と、ヘッド１５を搭載しているアーム１３と、ボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭと称する）１４とを有する。ディスク１０は、ＳＰＭ１２に取り付けられ、ＳＰＭ１２の駆動により回転する。アーム１３及びＶＣＭ１４は、アクチュエータを構成している。アクチュエータは、ＶＣＭ１４の駆動により、アーム１３に搭載されているヘッド１５をディスク１０の所定の位置まで移動制御する。ディスク１０およびヘッド１５は、２つ以上の数が設けられてもよい。
図２は、本実施形態に係るディスク１０に対するヘッド１５の配置の一例を示す模式図であり、図３は、本実施形態に係るディスク１０及びヘッド１５の一例を示す拡大断面図である。以下、ディスク１０の半径方向に直交する方向を円周方向と称する。図２に示すように、半径方向においてディスク１０の外周に向かう方向を外方向（外側）と称し、外方向と反対方向を内方向（内側）と称する。また、図２に示すように、円周方向において、ディスク１０の回転する方向を回転方向と称する。なお、図２に示した例では、回転方向は、時計回りで示しているが、逆向き（反時計回り）であってもよい。図３において、ディスク１０の回転方向Ｂと空気流Ｃの方向とは一致している。以下、ヘッド１５からディスク１０へ向かう方向を下方向と称し、ディスク１０からヘッド１５へ向かう方向を上方向と称する。
ディスク１０は、データ領域に、瓦記録（Shingled Magnetic Recording：ＳＭＲ）領域１０ｓと、メディアキャッシュ（media cache）領域１０ｍと、が割り当てられている。瓦記録領域１０ｓは、ホスト１００からライト要求されたユーザデータ等が記録される。メディアキャッシュ領域１０ｍは、瓦記録領域１０ｓのキャッシュとして利用され得る。瓦記録領域１０ｓでは、トラックの一部に次にライトするトラックが重ね書きされる。そのため、瓦記録領域１０ｓのトラック密度（Track Per Inch：ＴＰＩ）は、重ね書きされていない記録領域、例えば、通常の記録（Conventional Magnetic Recording:ＣＭＲ）型式でライトされた記録領域のトラック密度よりも高くなる。瓦記録領域１０ｓでは、半径方向において一方向に連続的に重ね書きされた複数のトラックをそれぞれ含む複数のトラック群が互いに間隔（ギャップ）を空けて配置される。以下で、半径方向において一方向に連続的に重ね書きされたトラック群（バンド）がライトされた記録領域をバンド領域と称する。バンド領域は、一部に半径方向に隣接するトラック（以下、隣接トラックと称する）が重ね書きされた少なくとも１つのトラックと、最後に重ね書きされたトラック（最終トラック）とを含む。最終トラックは、一部に他のトラックが重ね書きされていないため、一部に重ね書きされているトラックよりもトラック幅が広い。バンド領域において、ライトされたトラックをライトトラックと称し、隣接トラックが重ね書きされた領域を除いた残りのライトトラックの部分をリードトラックと称する。また、ライトトラックを単にトラックと称する場合もあるし、リードトラックを単にトラックと称する場合もあるし、ライトトラック及びリードトラックをまとめて単にトラックと称する場合もある。トラックは、複数のセクタを含んでいる。なお、“トラック”は、ディスク１０の半径方向に区分した複数の領域の内の１つの領域、ディスク１０の円周方向に延長するデータ、トラックにライトされたデータや、その他の種々の意味で用いる。“セクタ”は、トラックを円周方向に区分した複数の領域の内の１つの領域、ディスク１０の所定の位置にライトされたデータ、セクタにライトされたデータや、その他の種々の意味で用いる。また、ライトトラックの半径方向の幅をライトトラック幅と称し、リードトラックの半径方向の幅をリードトラック幅と称する場合もある。ライトトラック幅及びリードトラック幅をまとめてトラック幅と称する場合もある。また、トラック幅の中心位置をトラックセンタと称する。
ヘッド１５は、スライダを本体として、当該スライダに実装されているライトヘッド１５Ｗとリードヘッド１５Ｒとを備える。ライトヘッド１５Ｗは、ディスク１０上にデータをライトする。リードヘッド１５Ｒは、ディスク１０上のトラックに記録されているデータをリードする。なお、ライトヘッド１５Ｗを単にヘッド１５と称する場合もあるし、リードヘッド１５Ｒを単にヘッド１５と称する場合もあるし、ライトヘッド１５Ｗ及びリードヘッド１５Ｒをまとめてヘッド１５と称する場合もある。ヘッド１５の中心部をヘッド１５と称し、ライトヘッド１５Ｗの中心部をライトヘッド１５Ｗと称し、リードヘッド１５Ｒの中心部をリードヘッド１５Ｒと称する場合もある。
図２に示した例では、瓦記録領域１０ｓを、半径方向において、内方向に位置する内周領域ＩＲと、外方向に位置する外周領域ＯＲと、内周領域ＩＲと外周領域ＯＲとの間に位置する中周領域ＭＲとに区分している。さらに、図２では、瓦記録領域１０ｓを幾つかの半径方向に所定の幅を有する記録領域（以下、半径領域と称する）、例えば、バンド領域、又はゾーン等に区分している。図２には、瓦記録領域１０ｓの幾つかの半径領域の内のゾーンＺＮＯ、ＺＮＭ、及びＺＮＩを示している。ゾーンＺＮＯは、外周領域ＯＲに位置し、ゾーンＺＮＭは、中周領域ＭＲに位置し、ゾーンＺＮＩは、内周領域ＩＲに位置している。図２には、半径位置ＩＲＰ、半径位置ＭＲＰ、及び半径位置ＯＲＰを示している。半径位置ＩＲＰは、半径位置ＭＲＰよりも内方向の位置であり、半径位置ＯＲＰは、半径位置ＭＲＰよりも外方向の位置である。図２に示した例では、半径位置ＭＲＰは、中周領域ＭＲのゾーンＺＮＭに含まれ、半径位置ＯＲＰは、外周領域ＯＲのゾーンＺＮＯに含まれ、半径位置ＩＲＰは、内周領域ＩＲのゾーンＺＮＩに含まれている。図２において、半径位置ＩＲＰは、ゾーンＺＮＩの所定のトラックのトラックセンタＩＩＬに相当し、半径位置ＲＰ０は、ゾーンＺＮＭの所定のトラックのトラックセンタＭＩＬに相当し、半径位置ＯＲＰは、ゾーンＺＮＯの所定のトラックのトラックセンタＯＩＬに相当する。トラックセンタＩＩＬは、所定のトラック、例えば、ゾーンＺＮＩの所定のトラックにおけるヘッド１５の目標とする軌跡又は経路（以下、目標軌跡又は目標経路と称する場合もある）に相当する。トラックセンタＭＩＬは、所定のトラック、例えば、ゾーンＺＮＭの所定のトラックにおけるヘッド１５の目標経路に相当する。トラックセンタＯＩＬは、所定のトラック、例えば、ゾーンＺＮＯの所定のトラックにおけるヘッド１５の目標経路に相当する。トラックセンタＩＩＬ、ＭＩＬ、及びＯＩＬは、ディスク１０に対して同心円状に位置している。例えば、トラックセンタＩＩＬ、ＭＩＬ、及びＯＩＬは、真円状に位置している。なお、トラックセンタＩＩＬ、ＭＩＬ、及びＯＩＬは、円状でなくてもよく、ディスク１０の半径方向に変動する波状に位置していてもよい。
ディスク１０は、複数のサーボパターンＳＶを有している。以下、サーボパターンＳＶをサーボセクタやサーボ領域と称する場合もある。複数のサーボパターンＳＶは、ディスク１０の半径方向に放射状に延出して円周方向に所定の間隔を空けて離散的に配置されている。サーボパターンＳＶは、ヘッド１５をディスク１０の所定の半径位置に位置決めするためのサーボデータなどを含んでいる。瓦記録領域１０ｓにおいて、サーボセクタＳＶ以外の瓦記録領域１０ｓにはユーザデータがライトされ得る。
図３に示した例では、ディスク１０は、基板１１１と、軟磁性層１１２と、磁気記録層１１３と、保護膜層１１４とが順に積層されている。基板１１１は、円板状の非磁性体で形成されている。軟磁性層１１２は、基板１１１の上方に軟磁気特性を示す材料で形成されている。磁気記録層１１３は、軟磁性層１１２の上方に形成され、ディスク１０の表面（磁気記録層１１３の表面又は保護膜層１１４の表面）に対して垂直方向に磁気異方性を有する。保護膜層１１４は、磁気記録層１１３の上方に形成されている。
図示した例では、ヘッド１５は、スライダ１５０を備えている。スライダ１５０は、例えば、アルミナとチタンカーバイドの焼結体（アルチック）とで形成されている。スライダ１５０は、ディスク１０の表面に対向するディスク対向面（エア・ベアリング・サーフェイス（ＡＢＳ））１５１と、空気流Ｃの流出側に位置するトレーリング端１５３とを有している。リードヘッド１５Ｒおよびライトヘッド１５Ｗの一部は、ディスク対向面１５１に露出している。
リードヘッド１５Ｒは、磁性膜１６１と、シールド膜１６２と、シールド膜１６３とで構成されている。磁性膜１６１は、シールド膜１６２とシールド膜１６３との間に位置し、磁気抵抗効果を生じる。シールド膜１６２は、磁性膜１６１に対してトレーリング端１５３側に位置する。シールド膜１６３は、シールド膜１６２と対向している。磁性膜１６１、シールド膜１６２、及びシールド膜１６３の下端は、ディスク対向面１５１に露出している。
ライトヘッド１５Ｗは、リードヘッド１５Ｒに対して、スライダ１５０のトレーリング端１５３側に設けられている。ライトヘッド１５Ｗは、主磁極１７１と、トレーリングシールド（ライトシールド）１７２と、絶縁体１７３と、主磁極１７１に磁束を流すために主磁極１７１およびライトシールド１７２を含む磁気回路に巻きつくように配置された記録コイル１８０と、磁束制御部（アシスト素子）、例えば、スピントルク発振子（spin torque osillator：ＳＴＯ）２００と、を備えている。
主磁極１７１は、高飽和磁束密度を有する軟磁性体からなる。主磁極１７１は、ディスク１０の磁気記録層１１３を磁化させるために、ディスク１０の表面に対して垂直方向の記録磁界を発生させる。図示した例では、主磁極１７１は、ディスク対向面１５１に対してほぼ垂直に延出している。主磁極１７１のディスク対向面１５１側の先端部１７１ａの下面は、ディスク対向面１５１に露出している。主磁極１７１の先端部１７１ａは、ディスク対向面１５１に向かって先細に絞り込まれ、他の部分に対して幅の狭い柱状に形成されている。主磁極１７１の先端部１７１ａのクロストラック方向の幅は、ライトトラックのトラック幅にほぼ対応している。クロストラック方向は、例えば、半径方向に沿った方向である。
ライトシールド１７２は、高飽和磁束密度を有する軟磁性体からなる。ライトシールド１７２は、主磁極１７１直下の軟磁性層１１２を介して効率的に磁路を閉じるために設けられている。ライトシールド１７２は、主磁極１７１に対してトレーリング端１５３側に位置している。ライトシールド１７２は、絶縁体１７３を介して主磁極１７１に連結している。主磁極１７１とライトシールド１７２とは、電気的に絶縁され、且つ磁気回路を形成している。ライトシールド１７２は、略Ｌ字形状に形成され、ディスク対向面１５１側に主磁極１７１の先端部１７１ａにライトギャップを置いて対向する先端部１７２ａを有している。先端部１７２ａの下面は、スライダ１５０のディスク対向面１５１に露出している。
記録コイル１８０は、主磁極１７１に磁束を流すために主磁極１７１およびライトシールド１７２を含む磁気回路に巻きつくように設けられている。記録コイル１８０は、例えば、主磁極１７１とライトシールド１７２との間に設けられている。記録コイル１８０に所定の大きさの電流（ライト電流、又は記録電流と称する）が供給されることで、主磁極１７１及びライトシールド１７２に記録磁界が励起される。そのため、主磁極１７１及びライトシールドが磁化される。この磁化された主磁極１７１及びライトシールド１７２を流れる磁束によりディスク１０の磁気記録層１１３の記録ビットの磁化方向を変化させることで、ディスク１０に記録電流に応じた磁化パターンを記録する。
スピントルク発振子２００は、主磁極１７１の先端部１７１ａ及びライトシールド１７２の先端部１７２ａの間に設けられている。言い換えると、スピントルク発振子２００は、ライトギャップに設けられている。スピントルク発振子２００は、例えば、非磁性導電層からなる下地層と、スピン注入層と、中間層と、発振層と、非磁性導電層からなるギャップ層とを主磁極１７１の先端部１７１ａ側からライトシールド１７２の先端部１７２ａ側に順に積層された構造を有する。スピントルク発振子２００は、所定の電圧（駆動電圧）又は所定の電流（駆動電流）が印加されることで、ライトギャップ内に発生したギャップ磁界により、磁化が一様に回転し（スピンの歳差運動）、ディスク１０に向かって記録信号の周波数と比較して十分に周波数の高い高周波磁界（マイクロ波）を発生させる。スピントルク発振子２００は、ディスク１０の磁気記録層１１３に高周波磁界を印加することで、磁気記録層１１３の保磁力を低減する。スピントルク発振子２００でスピンの歳差運動が大きく発生している場合、スピントルク発振子２００の透磁率は、空気の透磁率と同等まで低い状態になる。そのため、主磁極１７１からの磁束は、ライトギャップ（スピントルク発振子２００）よりもディスク１０の方へ流れ易くなる。一方、スピントルク発振子２００でスピンの歳差運動が発生していない、又は通常よりも小さく発生している場合、スピントルク発振子２００の透磁率は、空気の透磁率よりも高い状態になる。そのため、主磁極１７１からの磁束は、ディスク１０よりもライトギャップ（スピントルク発振子２００）の方へ流れ易くなる。以下、スピントルク発振子２００に駆動電圧又は駆動電流を印加してデータをライトするライト処理をアシスト記録又は高周波アシスト記録と称する場合もある。以下、スピントルク発振子２００に印加する電圧又は電流をアシスト電圧又はアシスト電流と称する場合もある。また、ディスク１０へのライト処理を補助する効果をアシスト効果と称する場合もある。
ドライバＩＣ２０は、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するＭＰＵ６０）の制御に従って、ＳＰＭ１２およびＶＣＭ１４の駆動を制御する。
ヘッドアンプＩＣ（プリアンプ）３０は、図示しないリードアンプ、ライトドライバ、例えば、記録電流制御回路３１０、及びＳＴＯ電圧制御回路３２０等を備えている。リードアンプは、ディスク１０からリードしたリード信号を増幅して、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するリード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル５０）に出力する。記録電流制御回路３１０は、記録コイル１８０に電気的に接続され、Ｒ／Ｗチャネル５０から出力されるライトデータに応じた記録電流を記録コイル１８０に供給する。例えば、記録電流制御回路３１０は、システムコントローラ１３０（ＭＰＵ６０）の制御に応じて記録電流を記録コイル１８０に供給する。ＳＴＯ電圧制御回路３２０は、スピントルク発振子２００に電気的に接続され、システムコントローラ１３０、例えば、ＭＰＵ６０の制御に応じてスピントルク発振子２００に所定のアシスト電圧又はアシスト電流を印加する。
揮発性メモリ７０は、電力供給が断たれると保存しているデータが失われる半導体メモリである。揮発性メモリ７０は、磁気ディスク装置１の各部での処理に必要なデータ等を格納する。揮発性メモリ７０は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、又はＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）である。
不揮発性メモリ８０は、電力供給が断たれても保存しているデータを記録する半導体メモリである。不揮発性メモリ８０は、例えば、ＮＯＲ型またはＮＡＮＤ型のフラッシュＲＯＭ（Flash Read Only Memory :ＦＲＯＭ）である。
バッファメモリ９０は、磁気ディスク装置１とホスト１００との間で送受信されるデータ等を一時的に記録する半導体メモリである。なお、バッファメモリ９０は、揮発性メモリ７０と一体に構成されていてもよい。バッファメモリ９０は、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＳＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access memory）、又はＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）等である。
システムコントローラ（コントローラ）１３０は、例えば、複数の素子が単一チップに集積されたSystem-on-a-Chip(ＳｏＣ)と称される大規模集積回路（ＬＳＩ）を用いて実現される。システムコントローラ１３０は、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）４０と、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル５０と、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）６０と、を含む。ＨＤＣ４０、Ｒ／Ｗチャネル５０、及びＭＰＵ６０は、それぞれ、互いに電気的に接続されている。システムコントローラ１３０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ヘッドアンプＩＣ６０、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、バッファメモリ９０、及びホストシステム１００等に電気的に接続されている。
ＨＤＣ４０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ホスト１００とＲ／Ｗチャネル５０との間のデータ転送を制御する。ＨＤＣ４０は、例えば、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、及びバッファメモリ９０等に電気的に接続されている。
Ｒ／Ｗチャネル５０は、ＭＰＵ６０からの指示に応じて、リードデータ及びライトデータの信号処理を実行する。Ｒ／Ｗチャネル５０は、例えば、ヘッドアンプＩＣ３０等に電気的に接続されている。Ｒ／Ｗチャネル５０は、ライトデータを変調する回路、又は機能を有している。また、Ｒ／Ｗチャネル５０は、リードデータの信号品質を測定する回路、又は機能を有している。
ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部を制御するメインコントローラである。ＭＰＵ６０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５の位置決めを実行する。ＭＰＵ６０は、ディスク１０へのデータのライト動作を制御すると共に、ホスト１００から転送されるライトデータの保存先を選択する。また、ＭＰＵ６０は、ディスク１０からのデータのリード動作を制御すると共に、ディスク１０からホスト１００に転送されるリードデータの処理を制御する。ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部に接続されている。ＭＰＵ６０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ＨＤＣ４０、及びＲ／Ｗチャネル５０等に電気的に接続されている。
ＭＰＵ６０は、リード／ライト制御部６１０及び電流電圧制御部６２０を備えている。ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１０及び電流電圧制御部６２０等の処理をファームウェア上で実行する。なお、ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１０及び電流電圧制御部６２０等を回路として備えていてもよい。
リード／ライト制御部６１０は、ホスト１００からのコマンドに従って、データのリード処理及びライト処理を制御する。リード／ライト制御部６１０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５をディスク１０上の所定の半径位置に位置決めし、リード処理又はライト処理を実行する。例えば、リード／ライト制御部６１０は、アシスト記録によりディスク１０の所定のバンド領域にデータをシーケンシャルに重ね書きする。（瓦記録）する。
リード／ライト制御部６１０は、駆動電圧（又は駆動電流）以上のアシスト電圧（又はアシスト電流）をスピントルク発振子２００に印加するアシスト記録によりデータを半径方向における瓦書きする方向（以下、瓦記録方向又はライト方向と称する）に瓦記録した所定の半径領域、例えば、バンド領域、又はゾーン等の記録密度、例えば、線記録密度（Bit Per Inch：BPI)に基づいて、その半径領域にデータをライトする。以下、説明の便宜上、“駆動電圧（又は駆動電流）以上のアシスト電圧（又はアシスト電流）をスピントルク発振子２００に印加するアシスト記録によりデータを瓦記録する“ことを”アシスト／瓦記録する“と称し、”アシスト／瓦記録した所定の半径領域の記録密度”を“アシスト／瓦記録密度”と称する場合もある。例えば、リード／ライト制御部６１０は、瓦記録領域１０ｓを半径方向に幾つかに区分した半径領域毎に測定したアシスト／瓦記録密度と瓦記録方向との関係を示す情報に基づいて、瓦記録方向によって所定の半径領域におけるアシスト／瓦記録密度が同じであるか異なるかを判定する。瓦記録方向によってアシスト／瓦記録密度が同じであると判定した場合、リード／ライト制御部６１０は、所定の半径領域において、内方向及び外方向のいずれかの方向を瓦記録方向としてデータをアシスト／瓦記録する。瓦記録方向によってアシスト／瓦記録密度が異なると判定した場合、リード／ライト制御部６１０は、所定の半径領域において、内方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度と外方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度との内の高いアシスト／瓦記録密度に対応する方向（以下、高密度方向と称する場合もある）を瓦記録方向としてデータをアシスト／瓦記録する。なお、瓦記録方向によってアシスト／瓦記録密度が異なると判定した場合、リード／ライト制御部６１０は、内方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度と外方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度との内の低いアシスト／瓦記録密度に対応する方向（以下、低密度方向と称する場合もある）を瓦記録方向としてデータをアシスト／瓦記録してもよい。
図４Ａは、外方向を瓦記録方向としてライトしたトラック群を含むバンド領域ＢＡ１の一例を示す模式図である。図４Ａにおいて、瓦記録方向は外方向に相当する。
図４Ａには、瓦記録領域１０ｓのバンド領域ＢＡ１にライトされたライトトラックＷｔ１、Ｗｔ２、及びＷｔ３を示している。図４Ａには、ライトトラックＷｔ１の重ね書きされていない残りのリードトラックＲｔ１と、ライトトラックＷｔ２の重ね書きされていない残りのリードトラックＲｔ２と、リードトラックＲｔ３とを示している。図４Ａでは、説明の便宜上、各トラックをあるトラック幅で円周方向に沿って延出する直線で示しているが、実際には円周方向に沿った曲線であり、円周方向に対して半径方向に変動していてもよい。なお、図４Ａにおいて、バンド領域ＢＡ１には、３つのトラックがライトされているが、３つ未満、又は３つよりも多くのトラックがライトされていてもよい。
図４Ａに示した例では、リード／ライト制御部６１０は、バンド領域ＢＡ１において、内方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度よりも外方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度が高いと判定し、外方向を瓦記録方向としてライトトラックＷｔ１をバンド領域ＢＡ１にライトし、ライトトラックＷｔ１の外方向の一部にライトトラックＷｔ２を重ね書きし、ライトトラックＷｔ２の外方向の一部にライトトラックＷｔ３を重ね書きする。なお、リード／ライト制御部６１０は、バンド領域ＢＡ１において、内方向を瓦記録方向として複数のライトトラックをアシスト／瓦記録してもよい。
図４Ｂは、内方向を瓦記録方向としてライトしたトラック群を含むバンド領域ＢＡ２の一例を示す模式図である。図４Ａにおいて、瓦記録方向は外方向に相当する。
図４Ｂには、瓦記録領域１０ｓのバンド領域ＢＡ２にライトされたライトトラックＷｔ１１、Ｗｔ１２、及びＷｔ１３を示している。図４Ｂには、ライトトラックＷｔ１１の重ね書きされていない残りのリードトラックＲｔ１１と、ライトトラックＷｔ１２の重ね書きされていない残りのリードトラックＲｔ１２と、リードトラックＲｔ１３とを示している。図４Ｂでは、説明の便宜上、各トラックをあるトラック幅で円周方向に沿って延出する直線で示しているが、実際には円周方向に沿った曲線であり、円周方向に対して半径方向に変動していてもよい。なお、図４Ｂにおいて、バンド領域ＢＡ２には、３つのトラックがライトされているが、３つ未満、又は３つよりも多くのトラックがライトされていてもよい。
図４Ｂに示した例では、リード／ライト制御部６１０は、バンド領域ＢＡ２において、外方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度よりも内方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度が高いと判定し、内方向を瓦記録方向としてライトトラックＷｔ１１をバンド領域ＢＡ２にライトし、ライトトラックＷｔ１１の内方向の一部にライトトラックＷｔ１２を重ね書きし、ライトトラックＷｔ１２の内方向の一部にライトトラックＷｔ１３を重ね書きする。なお、リード／ライト制御部６１０は、バンド領域ＢＡ２において、外方向を瓦記録方向として複数のライトトラックをアシスト／瓦記録密度してもよい。
前述したような、瓦記録方向によって所定の記録領域におけるアシスト／瓦記録密度が異なる要因としては、スライダ１５０の取り付け交差、やスピントルク発振子２００のずれ等によるヘッド１５の半径方向の両端部における磁界強度や磁界傾度のばらつきが考えられる。
図５は、瓦記録方向によって所定の記録領域におけるアシスト／瓦記録密度が異なる要因の一例を示す概要図である。図５は、ディスク対向面１５１側から観察したヘッド１５の下面の一構成例を模式的に示している。図５において、ヘッド１５は、例えば、中周領域ＭＲの所定のゾーンＺＮＭの所定のトラックに位置決めされている。
図５において、主磁極１７１の先端部１７１ａの半径方向の中心１７１ｃに対してスピントルク発振子２００の半径方向の中心２００ｃが外方向にずれている。スピントルク発振子２００は、主磁極１７１の先端部１７１ａの外方向の端部１７１ｅ１側に位置している。言い換えると、スピントルク発振子２００と端部１７１ｅ１との距離Ｄ１とスピントルク発振子２００と端部１７１ｅ２との距離Ｄ２とは異なる。図５に示した例では、距離Ｄ１は、距離Ｄ２よりも小さい。そのため、所定のトラック、例えば、中周領域ＭＲの所定の半径位置にヘッド１５を位置決めして所定のトラックをライトした場合、このトラックにおいて、トラックセンタに対して外方向の瓦記録の記録密度よりもトラックセンタに対して内方向の瓦記録の記録密度が高くなり得る。例えば、リード／ライト制御部６１０は、距離Ｄ１及び距離Ｄ２に基づいて、所定の半径領域で所定の瓦記録方向にデータをアシスト／瓦記録する。図５に示した例では、リード／ライト制御部６１０は、所定の半径領域、例えば、中周領域ＭＲの所定のゾーンＺＮＭおいて、距離Ｄ１よりも距離Ｄ２の方が大きいために外方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度よりも内方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度が高いと判定し、内方向を瓦記録方向としてデータをアシスト／瓦記録する。なお、リード／ライト制御部６１０は、所定の半径領域、例えば、中周領域ＭＲの所定のゾーンＺＮＭおいて、内方向を瓦記録方向としてデータをアシスト／瓦記録してもよい。また、リード／ライト制御部６１０は、距離Ｄ１及び距離Ｄ２の差分に基づいて、所定の半径領域で所定の瓦記録方向にデータをアシスト／瓦記録してもよい。
主磁極１７１の先端部１７１ａの半径方向の中心１７１ｃに対してスピントルク発振子２００の半径方向の中心２００ｃが内方向にずれていてもよい。スピントルク発振子２００が主磁極１７１の先端部１７１ａの内方向の端部１７１ｅ２側に位置していてもよい。例えば、距離Ｄ１は、距離Ｄ２よりも大きい。所定のトラック、例えば、中周領域ＭＲの所定の半径位置にヘッド１５を位置決めして所定のトラックをライトした場合、この所定のトラックにおいて、トラックセンタに対し内外方向の領域の記録密度よりもトラックセンタに対して外方向の領域の記録密度が高くなり得る。スピントルク発振子２００が主磁極１７１の先端部１７１ａの内方向の端部１７１ｅ２側に位置する場合、リード／ライト制御部６１０は、所定の半径領域、例えば、中周領域ＭＲの所定のゾーンＺＮＭにおいて、距離Ｄ２よりも距離Ｄ１の方が大きくなり得るために内方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度よりも外方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度が高いと判定し、外方向を瓦記録方向としてデータをアシスト／瓦記録してもよい。なお、リード／ライト制御部６１０は、所定の半径領域、例えば、中周領域ＭＲの所定のゾーンＺＮＭおいて、外方向を瓦記録方向としてデータをアシスト／瓦記録してもよい。
電流電圧制御部６２０は、電流や電圧、例えば、記録電流やアシスト電圧（又はアシスト電流）を制御（調整）する。電流電圧制御部６２０は、例えば、所定の半径領域で所定の瓦記録方向にアシスト／瓦記録を実行する場合、所定の瓦記録方向にアシスト／瓦記録することにより所定の電圧（又は電流）の範囲（以下、電圧（電流）範囲と称する）内の所定の半径領域のアシスト／瓦記録密度が飽和するアシスト電圧（以下、飽和アシスト電圧と称する場合もある）又はアシスト電流（以下、飽和アシスト電流と称する場合もある）をスピントルク発振子２００に印加する。例えば、電流電圧制御部６２０は、所定の半径領域で所定の瓦記録方向にアシスト／瓦記録を実行する場合、瓦記録領域１０ｓを半径方向に幾つかに区分した半径領域毎に測定したアシスト電圧又はアシスト電流とアシスト／瓦記録密度との関係を示す情報に基づいて、電圧範囲内の飽和アシスト電圧又は飽和アシスト電流をスピントルク発振子２００に印加する。電流電圧制御部６２０は、所定の半径領域において所定の瓦記録方向にアシスト／瓦記録する際に電圧範囲内に複数の飽和アシスト電圧がある場合、複数の飽和アシスト電圧の内の最も電圧の小さい飽和アシスト電圧をスピントルク発振子２００に印加する。電流電圧制御部６２０は、所定の半径領域において所定の瓦記録方向にアシスト／瓦記録する際に電圧範囲内の複数のアシスト電圧に飽和アシスト電圧がない場合、複数のアシスト電圧の内の最もアシスト／瓦記録密度が大きくなるアシスト電圧、例えば、電圧範囲内の最大のアシスト電圧（以下、最大アシスト電圧と称する場合もある）をスピントルク発振子２００に印加する。言い換えると、電流電圧制御部６２０は、所定の半径領域において所定の瓦記録方向にアシスト／瓦記録する際に電圧範囲内の複数のアシスト電圧が飽和アシスト電圧より小さい場合、飽和アシスト電圧より小さい複数のアシスト電圧の内の最もアシスト／瓦記録密度が大きくなるアシスト電圧、例えば、電圧範囲内の最大のアシスト電圧（以下、最大アシスト電圧と称する場合もある）をスピントルク発振子２００に印加する。電流電圧制御部６２０は、半径領域や瓦記録方向に応じてアシスト電圧（又はアシスト電流）を調整（制御）した場合、記録コイル１８０に印加する記録電流を調整してもよい。なお、電流電圧制御部６２０は、所定の半径領域において低密度方向にデータをアシスト／瓦記録する場合、所定の半径領域において高密度方向にデータをアシスト／瓦記録する際のアシスト電圧よりも高いアシスト電圧をスピントルク発振子２００に印加してもよい。また、電流電圧制御部６２０は、所定の半径領域において瓦記録方向に応じて異なるアシスト電圧（又はアシスト電流）をスピントルク発振子２００に印加してもよい。
図６は、所定の半径領域毎のアシスト電圧に対するアシスト／瓦記録密度の変化の一例を示す図である。図６において、横軸は、アシスト電圧（ｄａｃ）を示し、縦軸は、アシスト／瓦記録密度（ｂｐｓｉ：ｂｉｔ ｐｅｒ ｓｑｕａｒｅ ｉｎｃｈ）を示している。図６の縦軸において、アシスト／瓦記録密度は、大の矢印の方向に進むに従って大きくなり、小の矢印の方向に進むに従って小さくなる。図６の横軸において、アシスト電圧は、大の矢印の方向に進むに従って大きくなり、小の矢印の方向に進むに従って小さくなる。図６の横軸は、外周領域ＯＲのゾーンＺＮＯに対応する領域ＯＺＲと、中周領域ＭＲのゾーンＺＮＭに対応する領域ＭＺＲと、内周領域ＩＲに対応する領域ＩＺＲとに区分されている。図６の横軸において、領域ＯＺＲ、ＭＺＲ、およびＩＺＲのそれぞれにアシスト電圧ＶＬ１、ＶＬ２、及びＶＬ３を示している。アシスト電圧ＶＬ２は、アシスト電圧ＶＬ１よりも大きく、アシスト電圧ＶＬ３は、アシスト電圧ＶＬ２よりも大きい。図６の横軸を区分した各領域ＯＺＲ、ＺＮＭ、及びＺＮＩにおいて、電圧範囲は、アシスト電圧ＶＬ１からアシスト電圧ＶＬ３までの範囲に相当する。つまり、図６において、アシスト電圧ＶＬ３は最大アシスト電圧に相当する。
領域ＯＺＲには、ゾーンＺＮＯにおいて内方向にアシスト／瓦記録した場合のアシスト電圧に対するアシスト／瓦記録密度の変化ＯＯＩと、ゾーンＺＮＯにおいて外方向にアシスト／瓦記録した場合のアシスト電圧に対するアシスト／瓦記録密度の変化ＯＩＯとを示している。アシスト／瓦記録密度の変化ＯＯＩは、アシスト／瓦記録密度の変化ＯＩＯよりも大きい。つまり、ゾーンＺＮＯでは、内方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度の方が外方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度よりも大きい。領域ＯＺＲには、アシスト電圧ＶＬ２に対するアシスト／瓦記録密度ＢＰ１１と、アシスト電圧ＶＬ３に対応するアシスト／瓦記録密度ＢＰ１２とを示している。アシスト／瓦記録密度ＢＰ１１及びＢＰ１２は同じである。言い換えると、アシスト／瓦記録密度はアシスト電圧（飽和アシスト電圧）ＶＬ２で飽和し、ＶＬ２よりも高いアシスト電圧（飽和アシスト電圧）ＶＬ３を印加したとしても、アシスト／瓦記録密度はＢＰ１１とＢＰ１２で変化しない。領域ＭＺＲには、ゾーンＺＮＭにおいて内方向にアシスト／瓦記録した場合のアシスト電圧に対するアシスト／瓦記録密度の変化ＭＯＩと、ゾーンＺＮＭにおいて外方向にアシスト／瓦記録した場合のアシスト電圧に対するアシスト／瓦記録密度の変化ＭＩＯとを示している。アシスト／瓦記録密度の変化ＭＯＩは、アシスト／瓦記録密度の変化ＭＩＯよりも大きい。つまり、ゾーンＺＮＭでは、内方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度の方が外方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度よりも大きい。領域ＭＺＲには、アシスト電圧ＶＬ２に対するアシスト／瓦記録密度ＢＰ２１と、アシスト電圧ＶＬ３に対応するアシスト／瓦記録密度ＢＰ２２とを示している。アシスト／瓦記録密度ＢＰ２１及びＢＰ２２は同じである。言い換えると、アシスト／瓦記録密度はアシスト電圧（飽和アシスト電圧）ＶＬ２で飽和し、ＶＬ２よりも高いアシスト電圧（飽和アシスト電圧）ＶＬ３を印加したとしても、アシスト／瓦記録密度はＢＰ２１とＢＰ２２で変化しない。領域ＯＺＩには、ゾーンＺＮＩにおいて内方向にアシスト／瓦記録した場合のアシスト電圧に対するアシスト／瓦記録密度の変化ＩＯＩと、ゾーンＺＮＩにおいて外方向にアシスト／瓦記録した場合のアシスト電圧に対するアシスト／瓦記録密度の変化ＩＩＯとを示している。アシスト／瓦記録密度の変化ＩＩＯは、アシスト／瓦記録密度の変化ＩＯＩよりも大きい。つまり、ゾーンＺＮＩでは、外方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度の方が内方向にアシスト／瓦記録したアシスト／瓦記録密度よりも大きい。領域ＩＺＲには、アシスト電圧ＶＬ３に対応するアシスト／瓦記録密度ＢＰ３１を示している。
図６に示した例では、ＭＰＵ６０は、領域ＯＺＲに示すアシスト／瓦記録密度の変化ＯＯＩとアシスト／瓦記録密度の変化ＯＩＯとに基づいて、ゾーンＺＮＯにおいて内方向にデータをアシスト／瓦記録する。ＭＰＵ６０は、ゾーンＺＮＯにおいて内方向にデータをアシスト／瓦記録する場合、電圧範囲内のアシスト電圧ＶＬ２及びＶＬ３でアシスト／瓦記録密度ＢＰ１１及びＢＰ１２が飽和しているため、アシスト電圧ＶＬ２及びＶＬ３の内の最も小さいアシスト電圧ＶＬ２を飽和アシスト電圧としてスピントルク発振子２００に印加してアシスト／瓦記録を実行する。なお、ＭＰＵ６０は、ゾーンＺＮＯにおいて外方向にデータをアシスト／瓦記録する場合、アシスト／瓦記録密度の変化ＯＩＯより電圧範囲内のアシスト電圧ではアシスト／瓦記録密度が飽和していないため、アシスト電圧ＶＬ３をスピントルク発振子２００に印加してアシスト／瓦記録を実行する。
図６に示した例では、ＭＰＵ６０は、領域ＭＺＲに示すアシスト／瓦記録密度の変化ＭＯＩとアシスト／瓦記録密度の変化ＭＩＯとに基づいて、ゾーンＺＮＭにおいて内方向にデータをアシスト／瓦記録する。ＭＰＵ６０は、ゾーンＺＮＭにおいて内方向にデータをアシスト／瓦記録する場合、電圧範囲内のアシスト電圧ＶＬ２及びＶＬ３でアシスト／瓦記録密度ＢＰ２１及びＢＰ２２が飽和しているため、アシスト電圧ＶＬ２及びＶＬ３の内の最も小さいアシスト電圧ＶＬ２を飽和アシスト電圧としてスピントルク発振子２００に印加してアシスト／瓦記録を実行する。なお、ＭＰＵ６０は、ゾーンＺＮＭにおいて外方向にデータをアシスト／瓦記録する場合、アシスト／瓦記録密度の変化ＭＩＯより電圧範囲内のアシスト電圧ではアシスト／瓦記録密度が飽和していないため、アシスト電圧ＶＬ３をスピントルク発振子２００に印加してアシスト／瓦記録を実行する。
図６に示した例では、ＭＰＵ６０は、領域ＩＺＲに示すアシスト／瓦記録密度の変化ＩＩＯとアシスト／瓦記録密度の変化ＩＯＩとに基づいて、ゾーンＺＮＩにおいて外方向にデータをアシスト／瓦記録する。ＭＰＵ６０は、ゾーンＺＮＩにおいて外方向にデータをアシスト／瓦記録する場合、電圧範囲内の最大アシスト電圧ＶＬ３でアシスト／瓦記録密度ＢＰ３１が飽和していないため、最大アシスト電圧ＶＬ３をスピントルク発振子２００に印加してアシスト／瓦記録を実行する。なお、ＭＰＵ６０は、ゾーンＺＮＩにおいて内方向にデータをアシスト／瓦記録する場合、アシスト／瓦記録密度の変化ＩＯＩより電圧範囲内のアシスト電圧ではアシスト／瓦記録密度が飽和していないため、アシスト電圧ＶＬ３をスピントルク発振子２００に印加してアシスト／瓦記録を実行する。また、ＭＰＵ６０は、所定のゾーン、例えば、中周領域ＭＲの所定のゾーンで、外方向にアシスト／瓦記録した場合のアシスト電圧に対するアシスト／瓦記録密度の変化と内方向にアシスト／瓦記録した場合のアシスト電圧に対するアシスト／瓦記録密度の変化とが交差する場合、アシスト／瓦記録密度が大きくなるように電圧範囲内でアシスト電圧を大きくする、又はアシスト電圧を小さくしてアシスト／瓦記録を実行してもよい。言い換えると、ＭＰＵ６０は、所定のゾーンで、外方向にアシスト／瓦記録した場合のアシスト電圧に対するアシスト／瓦記録密度の大きさと内方向にアシスト／瓦記録した場合のアシスト電圧に対するアシスト／瓦記録密度の大きさとが逆転する場合、アシスト／瓦記録密度が最大になる電圧範囲内の最大アシスト電圧をスピントルク発振子２００に印加してアシスト／瓦記録を実行する。
図７は、本実施形態に係るライト処理の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、ライト処理を開始し、ディスク１０の各半径領域でアシスト電圧を振りながら両方向（外方向及び内方向）で瓦記録密度を評価する（Ｂ７０１）。ＭＰＵ６０は、所定の半径領域で最大記録密度が瓦記録方向によって異なるか同じかを判定する（Ｂ７０２）。所定の半径領域で最大記録密度が瓦記録方向によって異なると判定した場合（Ｂ７０２のＹｅｓ）、ＭＰＵ６０は、所定の半径領域において高密度方向でアシスト／瓦記録を実行するアシスト電圧を算出する（Ｂ７０３）。ＭＰＵ６０は、所定の半径領域で高密度方向にアシスト／瓦記録を実行する場合に電圧範囲内に飽和アシスト電圧があるかないかを判定する（Ｂ７０４）。電圧範囲内に飽和アシスト電圧がないと判定した場合（Ｂ７０４のＮｏ）、ＭＰＵ６０は、スピントルク発振子２００に電圧範囲内の最大アシスト電圧を印加し（Ｂ７０５）、処理を終了する。電圧範囲内に飽和アシスト電圧があると判定した場合（Ｂ７０４のＹｅｓ）、ＭＰＵ６０は、電圧範囲内に複数の飽和アシスト電圧があるかないかを判定する（Ｂ７０６）。電圧範囲内に複数の飽和アシスト電圧がないと判定した場合（Ｂ７０６のＮｏ）、ＭＰＵ６０は、電圧範囲内の飽和アシスト電圧をスピントルク発振子２００に印加し（Ｂ７０７）、処理を終了する。電圧範囲内に複数の飽和アシスト電圧があると判定した場合（Ｂ７０６のＹｅｓ）、ＭＰＵ６０は、複数の飽和アシスト電圧の内の最も小さい飽和アシスト電圧をスピントルク発振子２００に印加し（Ｂ７０８）、処理を終了する。所定の半径領域で最大記録密度が瓦記録方向によって同じであると判定した場合（Ｂ７０２のＮｏ）、ＭＰＵ６０は、所定の半径領域において両方向（低密度方向及び高密度方向）でアシスト／瓦記録を実行するアシスト電圧を算出し（Ｂ７０９）、Ｂ７０４乃至Ｂ７０８の処理を実行し、設定するアシスト電圧の低い瓦記録方向を採用し（Ｂ７１０）、処理を終了する。
本実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、主磁極１７１と、主磁極１７１とライトギャップを空けて対向しているライトシールドと、主磁極１７１及びライトシールド１７２を含む磁気回路に記録磁界を励起する記録コイル１８０と、ライトギャップに設けられているスピントルク発振子２００とを備えている。磁気ディスク装置１は、瓦記録方向によって所定の半径領域におけるアシスト瓦記録密度が異なる場合、所定の半径領域で高密度方向にアシスト／瓦記録を実行する。電圧範囲内に飽和アシスト電圧がない所定の半径領域で所定の瓦記録方向にアシスト／瓦記録を実行する場合、磁気ディスク装置１は、電圧範囲内の最大アシスト電圧をスピントルク発振子２００に印加する。電圧範囲内に飽和アシスト電圧がある所定の半径領域で所定の瓦記録方向にアシスト／瓦記録を実行する場合、磁気ディスク装置１は、電圧範囲内の飽和アシスト電圧をスピントルク発振子２００に印加する。電圧範囲内に複数の飽和アシスト電圧がある所定の半径領域で所定の記録方向にアシスト／瓦記録を実行する場合、磁気ディスク装置１は、電圧範囲内の複数の飽和アシスト電圧の内の最も小さい飽和アシスト電圧をスピントルク発振子２００に印加する。そのため、磁気ディスク装置１は、記録密度を向上することができる。
また、磁気ディスク装置１は、スピントルク発振子２００に印加するアシスト電圧を調整することでアシスト効果の強度を調整するとともに、スピントルク発振子２００への負荷を抑制することができる。そのため、磁気ディスク装置１は、スピントルク発振子２００の寿命を向上することができる。
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１…磁気ディスク装置、１０…磁気ディスク、１０ｓ…瓦記録領域、１０ｍ…メディアキャッシュ領域、１２…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、１３…アーム、１４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１５…ヘッド、１５Ｗ…ライトヘッド、１５Ｒ…リードヘッド、２０…ドライバＩＣ、３０…ヘッドアンプＩＣ、４０…ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）、５０…リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル、６０…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、７０…揮発性メモリ、８０…不揮発性メモリ、９０…バッファメモリ、１００…ホストシステム（ホスト）、１３０…システムコントローラ。

Claims (11)

  1. ディスクと、
    前記ディスクの半径方向の第１端部と前記第１端部と反対側の第２端部とを有する主磁極と、前記主磁極と間隔を空けて対向しているライトシールドと、前記主磁極とライトシールドと間の前記間隔で前記第１端部からの第１距離と前記第２端部からの第２距離とが異なる位置に設けられたアシスト素子とを有するヘッドと、
    第１トラックに第２トラックを重ね書きするライト方向に応じて前記アシスト素子に電圧を印加するコントローラと、を備える磁気ディスク装置。
  2. 前記コントローラは、前記ライト方向に前記第１トラックに前記第２トラックを重ね書きする際に記録密度が飽和する第１電圧を前記アシスト素子に印加する、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
  3. 前記コントローラは、前記ライト方向に前記第１トラックに前記第２トラックを重ね書きする際に記録密度が飽和する複数の第１電圧の内の最も小さい第２電圧を前記アシスト素子に印加する、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
  4. 前記コントローラは、前記ライト方向に前記第１トラックに前記第２トラックを重ね書きする際に記録密度が飽和する第１電圧よりも小さい複数の第２電圧の内の最も大きい第３電圧を前記アシスト素子に印加する、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
  5. 前記コントローラは、前記第１トラックの前記ライト方向の内の第１ライト方向に前記第２トラックを重ね書きした第１領域の第１記録密度よりも前記第１トラックの前記第１ライト方向と反対方向の第２方向に前記第２トラックを重ね書きした前記第１領域の第２記録密度が大きい場合、前記第１領域において前記第１トラックの前記第２方向に前記第２トラックを重ね書きする、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
  6. ディスクと、
    主磁極と、前記主磁極と間隔を空けて対向しているライトシールドと、前記主磁極とライトシールドと間の前記間隔に設けられたアシスト素子とを有するヘッドと、
    第１トラックの前記ディスクの半径方向の第１方向に第２トラックをライトした第１領域の第１記録密度よりも前記第１トラックの前記第１方向と反対方向の第２方向に前記第２トラックをライトした前記第１領域の第２記録密度が大きい場合、前記第１領域において前記第１トラックの前記第２方向に前記第２トラックを重ね書きする、コントローラとを備える磁気ディスク装置。
  7. 前記コントローラは、前記第２記録密度が飽和する第１電圧を前記アシスト素子に印加する、請求項６に記載の磁気ディスク装置。
  8. 前記コントローラは、前記第２記録密度が飽和する複数の第１電圧の内の最も小さい第２電圧を前記アシスト素子に印加する、請求項６に記載の磁気ディスク装置。
  9. 前記コントローラは、前記第２記録密度が飽和する第１電圧よりも小さい複数の第２電圧の内の最も大きい第３電圧を前記アシスト素子に印加する、請求項６に記載の磁気ディスク装置。
  10. 前記主磁極及び前記アシスト素子は、互いにずれている、請求項６乃至９のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
  11. ディスクと、主磁極と、前記主磁極と間隔を空けて対向しているライトシールドと、前記主磁極とライトシールドと間の前記間隔に設けられたアシスト素子とを有するヘッドと、を備える磁気ディスク装置に適用されるライト処理方法であって、
    第１トラックの前記ディスクの半径方向の第１方向に第２トラックをライトした第１領域の第１記録密度よりも前記第１トラックの前記第１方向と反対方向の第２方向に前記第２トラックをライトした前記第１領域の第２記録密度が大きい場合、前記第１領域において前記第１トラックの前記第２方向に前記第２トラックを重ね書きする、ライト処理方法。
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