CN114114826A - 目标图案的修正方法和掩膜版的制作方法 - Google Patents

目标图案的修正方法和掩膜版的制作方法 Download PDF

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舒强
张迎春
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Abstract

一种目标图案的修正方法及掩膜版的制作方法，其中目标图案的修正方法包括：提供目标图案；提供分割目标图案的窗口；将所述目标图案分割成多个子图案；形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型；根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，形成目标图案的蚀刻偏差补偿机制；对所述子图案进行修正。根据所述修正准确性较好的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，分别对具有不同图形密度的子图案，进行相应的蚀刻偏差值的修正，从而较好地解决了图形密度对蚀刻的影响，从而提高了目标图案最终修正的准确性。

Description

目标图案的修正方法和掩膜版的制作方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种目标图案的修正方法和掩膜版的制作方法。
背景技术
光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤，曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
在具有复杂掩膜图案或具有急剧变化的尺寸和线宽的图案的制造设计中，用于将设计转印至半导体晶圆的平板印刷工艺，可受到邻近图案中的光的衍射的影响。由此导致转印的图案的布局与设计的版图不同。这种现象称为光学邻近效应(OPE：OpticalProximity Effect)。为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(OPC：OpticalProximity Correction)。
然而，现有技术中经过光学邻近校正后的图形效果仍有待提升。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种目标图案的修正方法和掩膜版的制作方法，以提高目标图案修正结果的准确性。
为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种目标图案的修正方法，包括：提供目标图案；提供分割目标图案的窗口；将所述目标图案分割成多个子图案；形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型；根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，形成目标图案的蚀刻偏差补偿机制；对所述子图案进行修正。
可选的，形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型的方法包括：提供模拟图形；提供若干不同的模拟分割窗口尺寸；根据若干模拟分割窗口尺寸，获取所述模拟图形的若干模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型，且每个模拟分割窗口尺寸对应一个模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型；根据若干模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型，获取各模拟分割窗口尺寸对应的若干拟合值；根据若干拟合值，获取子图案的密度与蚀刻偏差关系模型。
可选的，每次根据一个模拟分割窗口尺寸，获取一个模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型的方法包括：根据所述模拟图形，获取若干模拟位点；获取若干模拟位点的若干蚀刻偏差值，且一个模拟位点对应一个蚀刻偏差值；根据若干模拟位点，获取若干模拟图形密度，且一个模拟位点对应一个模拟图形密度；对若干蚀刻偏差值和对应的若干模拟图形密度进行模拟，获取一个模拟分割窗口尺寸对应的模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型。
可选的，根据若干模拟位点，获取若干模拟图形密度的方法包括：分别对若干模拟位点进行一次模拟图形密度计算，获取若干模拟图形密度，每次模拟图形密度计算的方法包括：以一个模拟位点为中心，根据一个模拟分割窗口尺寸，获取一个模拟分割窗口；根据所述模拟分割窗口，获取所述模拟分割窗口内的模拟图形面积；根据所述模拟分割窗口内的模拟图形面积和模拟分割窗口面积，获取一个模拟位点对应的模拟图形密度。
可选的，对若干蚀刻偏差值和对应的若干模拟图形密度进行模拟的方法包括：采用最小二乘法，对若干组蚀刻偏差值和模拟图形密度进行拟合，获取多项式方程。
可选的，所述模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型的拟合值为所述多项式方程的R2值。
可选的，根据所述模拟图形，获取若干模拟位点的方法包括：选取模拟图形的边缘作为起始边缘；设定预设步长；根据起始边缘上的若干位点和预设步长，获取若干模拟位点。
可选的，所述模拟分割窗口尺寸的获取方法包括：获取若干模拟位点的蚀刻偏差值；当蚀刻偏差值的变化在第一预设范围内时，将所述模拟位点与起始边缘的距离作为初始距离；根据所述初始距离，将模拟分割窗口尺寸设置为所述初始距离的2倍。
可选的，所述模拟分割窗口尺寸的获取方法还包括：根据所述初始距离，获取若干变化距离，所述变化距离与初始距离的比值在第二预设范围内；根据所述变化距离，将模拟分割窗口尺寸设置为所述变化距离的2倍。
可选的，获取若干模拟位点的蚀刻偏差值的方法包括：对所述模拟图形进行刻蚀，获取蚀刻图形；根据模拟图形，在所述蚀刻图形上获取各个模拟位点对应的蚀刻位点；根据模拟位点和蚀刻位点，获取蚀刻偏差值。
可选的，提供分割目标图案的窗口包括：提供窗口尺寸；所述将所述目标图案分割成多个子图案的方法包括：根据所述窗口尺寸，形成分割目标图案的窗口；根据所述窗口，将所述目标图案分割成若干子图案，且每个所述子图案的最长的尺寸小于或者等于所述窗口尺寸。
可选的，根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型形成所述目标图案的蚀刻偏差补偿机制的方法包括：根据所述窗口获取子图案的密度；根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，获取各子图案的蚀刻偏差值，每个子图案对应一个蚀刻偏差值。
可选的，对所述子图案进行修正的方法包括：根据各所述蚀刻偏差值，分别对子图案进行修正。
可选的，根据所述窗口获取子图案的密度的方法包括：根据所述窗口内的子图案的面积和所述窗口的面积的比值，获取子图案的密度。
可选的，所述子图案的中心为窗口的中心。
可选的，所述窗口的图形包括：圆形或者正方形。
可选的，当所述窗口的图形为正方形时，所述窗口的边长为所述窗口尺寸。
可选的，所述窗口的图形为圆形时，所述窗口的直径为所述窗口尺寸。
相应的，本发明技术方案还提供一种掩膜版的制作方法，包括：提供目标图案；提供分割目标图案的窗口；将所述目标图案分割成多个子图案；形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型；根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，形成目标图案的蚀刻偏差补偿机制；对所述子图案进行修正，获取修正图形；根据所述修正图形，制作掩膜版
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的目标图案的修正方法中，提供分割目标图案的窗口，根据所述窗口将所述目标图案分割成多个子图案；形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，通过合理地选择窗口，获取对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型是根据不同的图形密度，具有不同的蚀刻偏差值建立的，且所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型的拟合值较高，能够有效提高目标图案的修正的准确性。进而，根据所述修正准确性较好的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，分别对具有不同图形密度的子图案，进行相应的蚀刻偏差值的修正，从而较好地解决了不同图形密度对蚀刻的影响，从而提高了目标图案最终修正的准确性。
附图说明
图1是一种目标图案修正方法的流程示意图；
图2是本发明一实施例中的目标图案的修正方法各步骤的流程示意图；
图3至图10是本发明一实施例中的目标图案的修正方法各步骤的结构示意图。
具体实施方式
首先，对现有目标图案修正准确性较差的原因结合附图进行详细说明，图1是一种目标图案修正方法的流程示意图。
请参考图1，一种目标图案的修正方法包括：
步骤S1：提供目标图案；
步骤S2：获取目标图案的尺寸和相邻目标图案之间的间距；
步骤S3：通过表1的蚀刻修正表，获取目标图案的蚀刻偏差值；
步骤S4：根据所述蚀刻偏差值，对所述目标图案进行修正。
Figure BDA0002653665480000051
表1
所述表1为蚀刻修正表，从表1中可以知道，不同的图形的尺寸L(line)和相邻所述图形之间间距的尺寸S(space)，具有不同的蚀刻偏差值。
然而，从表1中可以看到，所述蚀刻修正表的使用具有局限性，例如，所述蚀刻修正表中，并没有对待修正目标图案尺寸L和间距的尺寸S相同时，提供相应的蚀刻偏差值，导致采用所述蚀刻偏差值表进行修正的准确性较差。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种目标图案的修正方法，包括：提供目标图案；获取分割窗口和图形密度和蚀刻偏差关系模型；根据分割窗口，将所述目标图案进行分割，获取若干子目标图案；根据图形密度和蚀刻偏差关系模型，对各子目标图案进行修正，根据所述修正准确性较好的图形密度和蚀刻偏差关系模型，分别对具有不同图形密度的子目标图案，进行相应的蚀刻偏差值的修正，从而较好地解决了图形密度对蚀刻的影响，从而提高了目标图案最终修正的准确性。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图2是本发明一实施例中的目标图案的修正方法各步骤的流程示意图，包括：
步骤S01，提供目标图案；
步骤S02，提供分割目标图案的窗口；
步骤S03，将所述目标图案分割成多个子图案；
步骤S04，形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型；
步骤S05，根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，形成目标图案的蚀刻偏差补偿机制。
步骤S06，对所述子图案进行修正。
上述方法中，提供分割目标图案的窗口；将所述目标图案分割成多个子图案；形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，通过合理地选择窗口，获取对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型。由于所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型是根据不同的图形密度，具有不同的蚀刻偏差值建立的，且所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型的拟合值较高，能够有效提高目标图案的修正的准确性。进而，根据所述修正准确性较好的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，分别对具有不同图形密度的子图案，进行相应的蚀刻偏差值的修正，从而较好地解决了不同图形密度对蚀刻的影响，从而提高了目标图案最终修正的准确性。
以下结合附图对所述目标图案的修正方法各步骤进行详细说明。
图3至图10是本发明一实施例中的目标图案的修正方法各步骤的结构示意图。
请参考图3，提供目标图案200。
所述目标图案200为待刻蚀材料层设计的刻蚀图形。
在本实施例中，所述目标图案200是为形成栅极结构的光刻胶层设计的图形。
在本实施例中，所述目标图案200呈长条状。
在其他实施例中，所述目标图案还可以为若干不同形状构成的图形。
请参考图4，提供分割目标图案200的窗口220。
需要说明的是，所述窗口220为若干个，且若干所述窗口220相同。
在本实施例中，提供分割目标图案200的窗口220包括：提供窗口尺寸CY。
请继续参考图4，将所述目标图案200分割成多个子图案210。
具体的，根据所述窗口尺寸CY获取窗口220；根据所述窗口220，将所述目标图案200分割成若干子图案210，且每个所述子图案220的最长的尺寸小于或者等于所述窗口尺寸CY。
在本实施例中，根据所述窗口尺寸CY，将所述目标图形200分割成3个子目标图形210，且每个子目标图形210的最长的尺寸均等于所述窗口尺寸CY。
在另一实施例中，根据所述窗口尺寸CY，将所述目标图形分割成3个子目标图形，其中，2个子目标图形的最长的尺寸等于窗口尺寸CY，1个子目标图形的最长的尺寸小于所述优化分割窗口尺寸CY。
所述子图案210的中心为窗口220的中心。
所述窗口220的图形包括：圆形或者正方形。
在本实施例中，所述窗口220的图形为正方形，所述窗口220的边长为所述窗口尺寸CY。
在其他实施例中，所述窗口的图形为圆形时，所述窗口的直径为所述窗口尺寸。
在另一实施例中，所述窗口的图形还可以为其他图形。
接着，形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型。
形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型的方法包括：提供模拟图形；提供若干不同的模拟分割窗口尺寸；根据若干模拟分割窗口尺寸，获取所述模拟图形的若干模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型，且每个模拟分割窗口尺寸对应一个模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型；根据若干模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型，获取各模拟分割窗口尺寸对应的若干拟合值；根据若干拟合值，获取子图案的密度与蚀刻偏差关系模型。
具体每次根据一个模拟分割窗口尺寸，获取一个模拟图形密度和蚀刻偏差值模型的过程请参考图5至图8。
请参考图5，提供模拟图形300。
在本实施例中，所述模拟图形300和目标图案200一样。
具体的，所述模拟图形300包括若干子模拟图形310，每个子模拟图形310的尺寸相同，相邻子模拟图形310之间的间距相同。
在其他实施例中，所述模拟图形和目标图案不一样。
请参考图6，根据所述模拟图形300，获取若干模拟位点320。
根据所述模拟图形300，获取若干模拟位点320的方法包括：选取模拟图形300的边缘作为起始边缘321；设定预设步长W1；根据起始边缘321上的若干位点和预设步长W1，获取若干模拟位点320。
在本实施例中，所述预设步长W1为5微米。
在其他实施例中，所述预设步长W1还可以是其他数值，本发明对此不作限定。
获取若干模拟位点320之后，获取若干模拟位点320的若干蚀刻偏差值，且一个模拟位点320对应一个蚀刻偏差值。
获取若干模拟位点320的蚀刻偏差值的方法包括：对所述模拟图形300进行刻蚀，获取蚀刻图形；根据模拟图形300，在所述蚀刻图形上获取各个模拟位点320对应的蚀刻位点；根据模拟位点320和蚀刻位点，获取蚀刻偏差值。
请参考图7，根据若干模拟位点320，获取若干模拟图形密度，且一个模拟位点320对应一个模拟图形密度。
具体的，根据若干模拟位点320，获取若干模拟图形密度的方法包括：分别对若干模拟位点320进行一次模拟图形密度计算，获取若干模拟图形密度。
每次模拟图形密度计算的方法包括：以一个模拟位点320为中心，根据一个模拟分割窗口CL尺寸，获取一个模拟分割窗口340；根据所述模拟分割窗口340，获取所述模拟分割窗口340内的模拟图形面积S300；根据所述模拟分割窗口340内的模拟图形面积S300和模拟分割窗口面积S340，获取一个模拟位点320对应的模拟图形密度。
具体的，在本实施例中，根据所述模拟分割窗口340内的模拟图形面积S300和模拟分割窗口面积S340面积的比值，获取一个模拟位点320对应的模拟图形密度。
由于在所述模拟图形300上获取了若干模拟位点320，通过进行若干次所述模拟图形密度计算过程，每次对一个模拟位点320进行一次模拟图形密度计算，则获取到若干各模拟图形密度，且模拟位点320和模拟图形密度一一对应。
在本实施例中，所述模拟分割窗口尺寸CL的获取方法包括：获取若干模拟位点320的蚀刻偏差值；当蚀刻偏差值的变化在第一预设范围内时，将所述模拟位点320与起始边缘321的距离作为初始距离r；根据所述初始距离r，将模拟分割窗口尺寸CL设置为所述初始距离r的2倍。
通过将蚀刻偏差值变化较稳定时对应的初始距离r，作为模拟分割窗口尺寸CL参考，有利于较快地获取到拟合值较高的模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型，并且提高了后续获取模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型的准确度。
所述模拟分割窗口尺寸CL的获取方法还包括：根据所述初始距离r，获取若干变化距离R，所述变化距离R与初始距离r的比值在第二预设范围内；根据所述变化距离R，将模拟分割窗口尺寸CL设置为所述变化距离R的2倍。
在其他实施例中，还可以任意设定不同的模拟分割窗口尺寸CL。
请参考图8，对若干蚀刻偏差值和对应的若干模拟图形密度进行模拟，获取一个模拟分割窗口尺寸CL对应的模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型。
对若干蚀刻偏差值和对应的若干模拟图形密度进行模拟的方法包括：采用最小二乘法，对若干组蚀刻偏差值和模拟图形密度进行拟合，获取多项式方程。
所述模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型的拟合值为所述多项式方程的R2值。
具体的，当模拟分割窗口尺寸为15微米，对模拟图形300上的若干模拟位点320的蚀刻偏差值和对应的若干模拟图形密度进行拟合，获取到的模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型为二次二元方程式，y＝16.143x2-1.3242x+2.1825，其中，x模拟图形密度，y代表蚀刻偏差值代表，所述多项式方程的拟合值R2为0.9131。
请参考图9，根据若干模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型，获取各模拟分割窗口尺寸CL对应的若干拟合值；根据若干拟合值，获取子图案的密度与蚀刻偏差关系模型。
通过对比若干模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型对应的拟合值R2，当模拟分割窗口尺寸CL为15微米或者20微米时，模型的拟合值R2较高。
根据若干拟合值，获取子图案的密度与蚀刻偏差关系模型指的是，将拟合值R2较高对应的模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型，作为子图案的密度与蚀刻偏差关系模型。
接着，根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，形成目标图案的蚀刻偏差补偿机制。
根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型形成所述目标图案的蚀刻偏差补偿机制的方法包括：根据所述窗口220获取子图案210的密度；根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，获取各子图案210的蚀刻偏差值，每个子图案210对应一个蚀刻偏差值。
接着，对各子目标图案210进行修正。
请参考图10，对所述子图案210进行修正。
对所述子图案210进行修正的方法包括：根据各所述蚀刻偏差值，分别对子图案210进行修正。
具体的，根据获取的每个子图案210对应的蚀刻偏差值，将子图案210的边缘进行偏移，从而完成修正过程。
相应的，本发明技术方案还提供一种掩膜版的制作方法，包括：提供目标图案；提供分割目标图案的窗口；将所述目标图案分割成多个子图案；形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型；根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，形成目标图案的蚀刻偏差补偿机制；对所述子图案进行修正，获取修正图形；根据所述修正图形，制作掩膜版。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (19)

1.一种目标图案的修正方法，其特征在于，包括：
提供目标图案；
提供分割目标图案的窗口；
将所述目标图案分割成多个子图案；
形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型；
根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，形成目标图案的蚀刻偏差补偿机制；
对所述子图案进行修正。
2.如权利要求1所述的目标图案的修正方法，其特征在于，形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型的方法包括：提供模拟图形；提供若干不同的模拟分割窗口尺寸；根据若干模拟分割窗口尺寸，获取所述模拟图形的若干模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型，且每个模拟分割窗口尺寸对应一个模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型；根据若干模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型，获取各模拟分割窗口尺寸对应的若干拟合值；根据若干拟合值，获取子图案的密度与蚀刻偏差关系模型。
3.如权利要求2所述的目标图案的修正方法，其特征在于，每次根据一个模拟分割窗口尺寸，获取一个模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型的方法包括：根据所述模拟图形，获取若干模拟位点；获取若干模拟位点的若干蚀刻偏差值，且一个模拟位点对应一个蚀刻偏差值；根据若干模拟位点，获取若干模拟图形密度，且一个模拟位点对应一个模拟图形密度；对若干蚀刻偏差值和对应的若干模拟图形密度进行模拟，获取一个模拟分割窗口尺寸对应的模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型。
4.如权利要求3所述的目标图案的修正方法，其特征在于，根据若干模拟位点，获取若干模拟图形密度的方法包括：分别对若干模拟位点进行一次模拟图形密度计算，获取若干模拟图形密度，每次模拟图形密度计算的方法包括：以一个模拟位点为中心，根据一个模拟分割窗口尺寸，获取一个模拟分割窗口；根据所述模拟分割窗口，获取所述模拟分割窗口内的模拟图形面积；根据所述模拟分割窗口内的模拟图形面积和模拟分割窗口面积，获取一个模拟位点对应的模拟图形密度。
5.如权利要求3所述的目标图案的修正方法，其特征在于，对若干蚀刻偏差值和对应的若干模拟图形密度进行模拟的方法包括：采用最小二乘法，对若干组蚀刻偏差值和模拟图形密度进行拟合，获取多项式方程。
6.如权利要求5所述的目标图案的修正方法，其特征在于，所述模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型的拟合值为所述多项式方程的R2值。
7.如权利要求3所述的目标图案的修正方法，其特征在于，根据所述模拟图形，获取若干模拟位点的方法包括：选取模拟图形的边缘作为起始边缘；设定预设步长；根据起始边缘上的若干位点和预设步长，获取若干模拟位点。
8.如权利要求7所述的目标图案的修正方法，其特征在于，所述模拟分割窗口尺寸的获取方法包括：获取若干模拟位点的蚀刻偏差值；当蚀刻偏差值的变化在第一预设范围内时，将所述模拟位点与起始边缘的距离作为初始距离；根据所述初始距离，将模拟分割窗口尺寸设置为所述初始距离的2倍。
9.如权利要求8所述的目标图案的修正方法，其特征在于，所述模拟分割窗口尺寸的获取方法还包括：根据所述初始距离，获取若干变化距离，所述变化距离与初始距离的比值在第二预设范围内；根据所述变化距离，将模拟分割窗口尺寸设置为所述变化距离的2倍。
10.如权利要求3所述的目标图案的修正方法，其特征在于，获取若干模拟位点的蚀刻偏差值的方法包括：对所述模拟图形进行刻蚀，获取蚀刻图形；根据模拟图形，在所述蚀刻图形上获取各个模拟位点对应的蚀刻位点；根据模拟位点和蚀刻位点，获取蚀刻偏差值。
11.如权利要求1所述的目标图案的修正方法，其特征在于，提供分割目标图案的窗口包括：提供窗口尺寸；所述将所述目标图案分割成多个子图案的方法包括：根据所述窗口尺寸，形成分割目标图案的窗口；根据所述窗口，将所述目标图案分割成若干子图案，且每个所述子图案的最长的尺寸小于或者等于所述窗口尺寸。
12.如权利要求11所述的目标图案的修正方法，其特征在于，根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型形成所述目标图案的蚀刻偏差补偿机制的方法包括：根据所述窗口获取子图案的密度；根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，获取各子图案的蚀刻偏差值，每个子图案对应一个蚀刻偏差值。
13.如权利要求12所述的目标图案的修正方法，其特征在于，对所述子图案进行修正的方法包括：根据各所述蚀刻偏差值，分别对子图案进行修正。
14.如权利要求12所述的目标图案的修正方法，其特征在于，根据所述窗口获取子图案的密度的方法包括：根据所述窗口内的子图案的面积和所述窗口的面积的比值，获取子图案的密度。
15.如权利要求11所述的目标图案的修正方法，其特征在于，所述子图案的中心为窗口的中心。
16.如权利要求15所述的目标图案的修正方法，其特征在于，所述窗口的图形包括：圆形或者正方形。
17.如权利要求16所述的目标图案的修正方法，其特征在于，当所述窗口的图形为正方形时，所述窗口的边长为所述窗口尺寸。
18.如权利要求16所述的目标图案的修正方法，其特征在于，所述窗口的图形为圆形时，所述窗口的直径为所述窗口尺寸。
19.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：
提供目标图案；
提供分割目标图案的窗口；
将所述目标图案分割成多个子图案；
形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型；
根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，形成目标图案的蚀刻偏差补偿机制；
对所述子图案进行修正，获取修正图形；
根据所述修正图形，制作掩膜版。
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