CN114114767A - 阵列基板和显示面板 - Google Patents

阵列基板和显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN114114767A
CN114114767A CN202111445605.8A CN202111445605A CN114114767A CN 114114767 A CN114114767 A CN 114114767A CN 202111445605 A CN202111445605 A CN 202111445605A CN 114114767 A CN114114767 A CN 114114767A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead
material layer
array substrate
layer
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202111445605.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114114767B (zh
Inventor
唐榕
康报虹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HKC Co Ltd
Mianyang HKC Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
HKC Co Ltd
Mianyang HKC Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HKC Co Ltd, Mianyang HKC Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical HKC Co Ltd
Priority to CN202111445605.8A priority Critical patent/CN114114767B/zh
Publication of CN114114767A publication Critical patent/CN114114767A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114114767B publication Critical patent/CN114114767B/zh
Priority to US17/994,207 priority patent/US11880110B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133397Constructional arrangements; Manufacturing methods for suppressing after-image or image-sticking
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136218Shield electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259Repairing; Defects
    • G02F1/136272Auxiliary lines
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer

Abstract

本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板和显示面板。阵列基板包括衬底和设于衬底上非显示区域的第一引线和第二引线,第一引线电性连接像素电极,第二引线电性连接公共电极或对地电极,阵列基板还包括电致动元器件,电致动元器件包括至少一导电层;其中,电致动元器件由通电状态变成断电状态后,电致动元器件的导电层发生形变,与至少部分第一引线和至少部分第二引线接触。电致动元器件的导电层与第一引线和第二引线接触后,可以短接像素电极和公共电极或对地电极,这样会使像素电极上因关机留下的残留电荷得到快速释放,从而可以改善显示面板的关机残影现象,提高显示效果。

Description

阵列基板和显示面板
技术领域
本申请属于显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
一般来说,液晶显示器中的显示面板包括阵列基板(Thin Film TransistorArray,TFT)、彩膜基板(Color Filter,CF)和夹于两基板之间的一层液晶分子(LiquidCrystal,LC)。在阵列基板中,还会在非显示区设置引线,以使像素阵列与驱动芯片之间电性连接。
在液晶显示面板正常工作中,液晶显示面板内的像素电极上会积累一定量的电荷,在关机时,因为像素电极上的电荷不能快速消除,使得像素电极和公共电极之间存在一定压差,从而导致显示屏出现关机残像,这样会影响显示效果,从而影响产品品质。
发明内容
本申请的目的在于提供一种阵列基板和显示面板,旨在解决如何减少显示面板中像素电极残留电荷的技术问题。
为实现上述申请目的,本申请采用的技术方案如下:
第一方面,本申请提供一种阵列基板,包括衬底和设于所述衬底上非显示区域的第一引线和第二引线,所述第一引线电性连接像素电极,所述第二引线电性连接公共电极或对地电极,所述阵列基板还包括电致动元器件,所述电致动元器件包括至少一导电层;其中,所述电致动元器件由通电状态变成断电状态后,所述电致动元器件的导电层发生形变,与至少部分所述第一引线和至少部分所述第二引线接触。
在一个实施例中,所述第一引线的条数有多条,所述第一引线和所述第二引线排列成扇形结构;所述电致动元器件的导电层发生形变后,与总条数一半以上的所述第一引线接触。
在一个实施例中,所述电致动元器件的包括层叠的第一材料层和第二材料层,所述第一材料层位于所述衬底与所述第二材料层之间,所述第一材料层为所述导电层,所述第二材料层的热膨胀系数大于所述第一材料层的热膨胀系数。
在一个实施例中,所述第二材料层的热膨胀系数与所述第一材料层的热膨胀系数之比为2~60:1。
在一个实施例中,所述第二材料层的热膨胀系数为20~500ppm/℃,所述第一材料层的热膨胀系数为8~20ppm/℃;
和/或所述第二材料层的厚度为30~250μm,和/或所述第一材料层的厚度为2~25μm。
在一个实施例中,所述第一材料层的材料选自导电聚合物、石墨烯、碳纳米管、金属铁和金属镍中的至少一种;
和/或所述第二材料层由绝缘材料或导电材料组成。
在一个实施例中,所述第二材料层由绝缘材料组成,所述绝缘材料选自选自有机硅、壳聚糖、纤维素、聚四氟乙烯、聚乙烯吡咯烷酮和聚偏氟乙烯中的至少一种;
或者所述第二材料层由导电材料组成,所述导电材料选自金属铜。
在一个实施例中,所述电致动元器件设于所述第一引线和所述第二引线上方,所述电致动元器件的导电层在平面状态时,所述电致动元器件的导电层与所述第一引线的距离为1~6mm,所述电致动元器件的导电层与所述第二引线的距离1~6mm。
本申请提供的阵列基板设有特有的电致动元器件,该电致动元器件具有电致动变形效果,当该电致动元器件由通电状态变成断电状态后会使电致动元器件的导电层发生形变与至少部分第一引线和至少部分第二引线接触,因第一引线连接阵列基板上的像素电极,第二引线连接阵列基板上的公共电极或对地电极,因此,电致动元器件的导电层与第一引线和第二引线接触后,可以短接像素电极和公共电极或对地电极,这样会使像素电极上因关机留下的残留电荷得到快速释放,从而可以改善显示面板的关机残影现象,提高显示效果。
第二方面,本申请还提供一种显示面板,所述显示面板包括:本申请所述的阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板,以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
在一个实施例中,所述第一引线和所述第二引线还电性连接有驱动芯片。
本申请提供的显示面板包括本申请特有的阵列基板,因该阵列基板设有具有电致动变形效果的电致动元器件,该电致动元器件由通电状态变成断电状态后可以短接显示面板的像素电极和公共电极或对地电极,使像素电极上因关机留下的残留电荷得到快速释放;因此,本申请的显示面板可以改善面板的关机残影现象,提高显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请第一实施例提供的阵列基板中电致动元器件位置俯视图;
图2是本申请第一实施例提供的阵列基板中电致动元器件通电状态截面示意图;
图3是本申请第一实施例提供的阵列基板中电致动元器件断电状态截面示意图;
图4是本申请第二实施例提供的阵列基板中电致动元器件通电状态截面示意图;
图5是本申请第二实施例提供的阵列基板中电致动元器件断电状态截面示意图;
其中,图中各附图标记:
10-衬底;11-第一引线;12-第二引线;13-电致动元器件;131-第一材料层;132-第二材料层。
具体实施方式
为了使本申请要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
需要说明的是,当元件被称为“设有”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
需要理解的是,术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
本申请中,术语“和/或”,描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B的情况。其中A,B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本申请中,“至少一种”是指一种或者多种,“多种或多条”是指两种(条)或两种(条)以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达,是指的这些项中的任意组合,包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。
应理解,在本申请的各种实施例中,上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后,部分或全部步骤可以并行执行或先后执行,各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定,而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,用来将目的如物质彼此区分开,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。例如,在不脱离本申请实施例范围的情况下,第一XX也可以被称为第二XX,类似地,第二XX也可以被称为第一XX。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
第一实施例:
一种阵列基板,如图1-3所示,阵列基板包括衬底10和设于衬底10上非显示区域的第一引线11和第二引线12,第一引线11电性连接像素电极,第二引线12电性连接公共电极或对地电极,该阵列基板还包括电致动元器件13,电致动元器件13包括至少一导电层;其中,电致动元器件13由通电状态变成断电状态后,电致动元器件13的导电层发生形变,与至少部分第一引线11和至少部分第二引线12接触。
本实施例的阵列基板中设置特有的电致动元器件13,其具有电致动变形效果,当该电致动元器件13由通电状态变成断电状态后,电致动元器件13的导电层发生形变。因此,将电致动元器件13提前制备成弯曲状态,即在不通电状态下(即关机状态下),该电致动元器件13的导电层为弯曲状态,在通电状态下,电致动元器件13的导电层发生形变成为为平整状态;这样,当关机后电致动元器件13的导电层恢复成弯曲状态与第一引线11和第二引线12接触。该电致动元器件13可以包括一层或多层导电层,电致动元器件13由通电状态变成断电状态后,电致动元器件13的只要有一层导电层与第一引线11和第二引线12接触就可以达到短接像素电极和公共电极或对地电极的效果。
具体地,该电致动元器件13可以设置在阵列基板非显示区域的第一引线11和第二引线12上方,电致动元器件13的下表面为该导电层;如图2所示,在显示面板正常工作下,电致动元器件13处于通电状态,这样电致动元器件13的下表面保持平面状态,不与第一引线11和第二引线12接触;如图3所示,当关机断电后,电致动元器件13上的电能撤销,电致动元器件13因断电后发生形变,电致动元器件13的下表面由平面状态转变为弯曲状态,其导电的下表面可以接触第一引线11(连接显示面板的像素电极)与第二引线12(连接显示面板的公共电极或对地电极),从而达到短接像素电极和公共电极或对地电极的效果。因此,该阵列基板可以使显示面板的像素电极因关机留下的残留电荷得到快速释放,从而可以改善关机残影现象,提高显示效果。
具体地,第一引线11的条数有多条,第一引线11和第二引线12排列成扇形结构;电致动元器件13的下表面的导电层发生形变后,与总条数一半以上的第一引线11接触。扇形结构(fan-out的走线分布,可以让阵列基板上的引线更好地搭配驱动芯片的接点,第一引线11的条数有多条,每条连接阵列基板上的像素电极阵列,而第二引线12连接公共电极或对地电极,第二引线12也可以有多条。
需要说明的是,电致动元器件13的导电层发生形变与至少部分第一引线11和至少部分第二引线12接触,可以是指电致动元器件13的导电层由平面状态变成弯曲状态后,与一条或多条第一引线11的部分位置接触,且同时与一条或多条第二引线12的部分位置接触,从而实现第一引线11和第二引线12通电,以短接像素电极和公共电极或对地电极。当第二引线12电性连接公共电极时,因公共电极是连通的,所以电致动元器件13的导电层与一条第二引线12接触即可。而像素电极阵列是彼此独立的,每条第一引线11连接独立的像素电极阵列,当电致动元器件13的导电层由平面状态变成弯曲状态与一条第一引线11接触,则可使该条第一引线11连接的像素电极因关机留下的残留电荷得到快速释放,如果与多条第一引线11接触,则可使该多条第一引线11连接的像素电极因关机留下的残留电荷得到快速释放。当然,为了更好地改善显示面板的关机残影现象,电致动元器件13的导电层可以与总条数一半以上的第一引线11接触,例如与占总条数60%以上的第一引线11接触,当然,也可以与阵列基板上每条第一引线11接触。
具体地,该多条第一引线11可以是连接显示面板内数据线的信号走线,数据线通过TFT开关与像素电极连接,在得到关机信号后,TFT开关的栅极全部打开,此时电致动元器件13因断电后其中的导电层发生形变与第一引线11和第二引线12接触,从而造成第一引线11连通第二引线12(可以是面内连接公共电极的公共电极线)短路,从而加速像素电极残留电荷的释放。
具体地,电致动元器件的导电层在平面状态时,电致动元器件的导电层与第一引线的距离为1~6mm,电致动元器件的导电层与第二引线的距离1~6mm。该电致动元器件13可以设置在阵列基板非显示区域的第一引线11和第二引线12上方,电致动元器件13的下表面为该导电层;这样,该电致动元器件13的下表面在平面状态时,电致动元器件13的下表面与第一引线11的距离为1~6mm,电致动元器件13的下表面与第二引线12的距离1~6mm。该距离范围内,电致动元器件13通电变成弯曲状态时,可以很好地与第一引线11和第二12接触。
第二实施例:
一种阵列基板,如图1、4-5所示,阵列基板包括衬底10和设于衬底10上非显示区域的第一引线11和第二引线12,第一引线11电性连接像素电极,第二引线12电性连接公共电极或对地电极,阵列基板还包括电致动元器件13,电致动元器件13包括层叠的第一材料层131和第二材料层132,第一材料层131位于衬底10与第二材料层132之间,第一材料层131为导电层,第二材料层132的热膨胀系数大于第一材料层131的热膨胀系数;电致动元器件13由通电状态变成断电状态后,电致动元器件13的下表面的导电层发生形变,与至少部分第一引线11和至少部分第二引线12接触。
本实施例的阵列基板中,第一引线11和第二引线12上方的电致动元器件13包括双层材料结构即层叠的第一材料层131和第二材料层132,具有电致动效果,具体地,第一材料层131与第二材料层132的热膨胀系数存在差异,在电致受热情况下,该双层材料结构可以发生形变。将电致动元器件13提前制备成弯曲状态,在通电状态下电能转换为热能,双层材料结构发生形变变成平面状态。如图4所示,在显示面板正常工作下,电致动元器件13处于通电状态,电致动元器件13的第一材料层131和第二材料层132保持平面状态,不与第一引线11和第二引线12接触;如图5所示,当关机断电后,电致动元器件13上的电能撤销,电致动元器件13发生形变,电致动元器件13的平面状态转变为弯曲状态,其导电的第一材料层131弯曲后接触第一引线11与第二引线12,从而达到短接像素电极与公共电极或对地电极的效果。
层叠的第一材料层131和第二材料层132形成的双层材料结构,电致动效果好,因热膨胀系数的差异,可以很好地电致热变形。具体的,该电致动元器件13由第一材料层131和第二材料层132组成;导电的第一材料层131作为该电致动元器件13的下表面,从平面状态转变为弯曲状态后可以与第一引线11和第二引线12接触。
具体地,电致动元器件13中,第二材料层132的热膨胀系数与第一材料层131的热膨胀系数之比为2~60:1,例如,可以是2:1,5:1,10:1,15:1,25:1,40:1,45:1,50:1,60:1等。第二材料层132的热膨胀系数与第一材料层131的热膨胀系数差异越大,该电致动元器件13容易弯曲,这样很好地与第一引线11和第二引线12接触。其中,第二材料层的热膨胀系数可以为20~500ppm/℃,例如,可以是20~50ppm/℃,50~100ppm/℃,100~250ppm/℃,300~500ppm/℃等;第一材料层的热膨胀系数可以为8~20ppm/℃;例如,可以是8~10ppm/℃,10~12ppm/℃,12~15ppm/℃,15~20ppm/℃等。
具体地,电致动元器件13中,第二材料层的厚度为30~250μm,例如,可以是30~50μm,50~100μm,100~150μm,200~250μm等;第一材料层的厚度为2~25μm,例如,可以是2~5μm,5~10μm,20~25μm等。上述厚度范围内形成的电致动元器件13,因电致动变形效果很好地弯曲。
具体地,第一材料层131为导电层,其材料选自导电聚合物、石墨烯、碳纳米管、金属铁和金属镍中的至少一种,上述导电材料组成的第一材料层131具有很好的导电性,又可以电致动变形弯曲后与第一引线11和第二引线12接触导电,形成短接效果。
具体地,第二材料层132可以由绝缘材料或导电材料组成。例如,第二材料层132由绝缘材料组成,绝缘材料选自选自有机硅、壳聚糖、纤维素、聚四氟乙烯、聚乙烯吡咯烷酮和聚偏氟乙烯中的至少一种,上述材料具有很好的电致动变形效果,从而容易带动第一材料层131弯曲变形;或者,第二材料层132由导电材料组成,该导电材料选自金属铜。第一材料层131和第二材料层132均具有导电性,从而使电致动元器件13与第一引线11和第二引线12接触时的导电效果好。
本实施例的阵列基板中,还可以包括封装电致动元器件13的封装外壳。这样可以增强电致动元器件13稳定性,对电致动元器件13具有很好的保护作用。另外,阵列基板中的衬底10可以是玻璃衬底。
第三实施例:
一种显示面板,包括本申请实施例的阵列基板、与阵列基板相对设置的彩膜基板,以及位于阵列基板和所述彩膜基板的液晶层。具体地,阵列基板包括衬底10和设于衬底10上非显示区域的第一引线11和第二引线12,第一引线11电性连接像素电极,第二引线12电性连接公共电极或对地电极,阵列基板还包括电致动元器件13,电致动元器件13包括至少一导电层;其中,电致动元器件13由通电状态变成断电状态后,电致动元器件13的导电层发生形变,与至少部分第一引线11和至少部分第二引线12接触。
该显示面板包括本申请实施例特有的阵列基板,因该阵列基板设有具有电致动变形效果的电致动元器件13,该电致动元器件13由通电状态变成断电状态后,其中导电层发生形变可以由平面状态变成弯曲状态与第一引线11和第二引线12接触,从而短接显示面板的像素电极和公共电极(或对地电极),这样可以使像素电极上因关机留下的残留电荷得到快速释放;因此,该显示面板可以改善面板的关机残影现象,提高显示效果。
具体地,显示面板正常工作时,如图2所示,电致动元器件13通电,处于平整状态,没有与第一引线11和第二引线12接触。电致动元器件13在显示面板关机时,如图3所示,电致动元器件13断电发生弯曲形变,下表面的导电层与第一引线11和第二引线12接触导电,而第一电极21(像素电极)与第一引线11连接,第二电极22(公共电极或对地电极)与第二引线12连接,这样可以将第一电极21和第二电极22短接,从而使像素电极的电荷快速消除,消除压差,改善关机残影。
具体地,显示面板是液晶显示面板。该显示面板还包括驱动芯片,其中阵列基板上的第一引线11和第二引线12电性连接该驱动芯片;驱动芯片位于非显示区中;驱动芯片可以通过第一引线11为像素电极阵列提供驱动信号,以控制像素阵列显示影像。
需要说明的是,本实施例提供的显示面板中可以设置有上述第一实施例、第二实施例提供的阵列基板,因此,上述阵列基板可选的方案均可以用于该显示面板中,显示面板具有上述实施例提供的阵列基板的所有优势,在此不再赘述。
另外,电致动元器件13的控制电路可以是集成至Power IC(功率集成电路),因Power IC可控制显示面板整体的开关机,电源IC断电的同时,该控制电路则断开,电致动元器件13断电,电源IC供电时,则该控制电路闭合电致动元器件13通电。而装配印刷电路板可以满足各种布线需求,所以该控制电路与显示面板其他电路走线可以是独立的。对于该显示面板的封装方式,可以是COF(Chip On Film),即将集成电路(IC)固定在柔性线路板上的晶粒软膜构装技术;或是COB(Chip On Board),即通过邦定将IC裸片固定于印刷线路板上;或是COG(Chip On Glass),即将芯片固定于玻璃上。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种阵列基板,包括衬底和设于所述衬底上非显示区域的第一引线和第二引线,所述第一引线电性连接像素电极,所述第二引线电性连接公共电极或对地电极,其特征在于,所述阵列基板还包括电致动元器件,所述电致动元器件包括至少一导电层;其中,所述电致动元器件由通电状态变成断电状态后,所述电致动元器件的导电层发生形变,与至少部分所述第一引线和至少部分所述第二引线接触。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一引线的条数有多条,所述第一引线和所述第二引线排列成扇形结构;所述电致动元器件的导电层发生形变后,与总条数一半以上的所述第一引线接触。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述电致动元器件的包括层叠的第一材料层和第二材料层,所述第一材料层位于所述衬底与所述第二材料层之间,所述第一材料层为所述导电层,所述第二材料层的热膨胀系数大于所述第一材料层的热膨胀系数。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第二材料层的热膨胀系数与所述第一材料层的热膨胀系数之比为2~60:1。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二材料层的热膨胀系数为20~500ppm/℃,所述第一材料层的热膨胀系数为8~20ppm/℃;
和/或所述第二材料层的厚度为30~250μm,所述第一材料层的厚度为2~25μm。
6.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一材料层的材料选自导电聚合物、石墨烯、碳纳米管、金属铁和金属镍中的至少一种;
和/或所述第二材料层由绝缘材料或导电材料组成。
7.如权利要求要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第二材料层由绝缘材料组成,所述绝缘材料选自选自有机硅、壳聚糖、纤维素、聚四氟乙烯、聚乙烯吡咯烷酮和聚偏氟乙烯中的至少一种;
或者所述第二材料层由导电材料组成,所述导电材料选自金属铜。
8.如权利要求1-7任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述电致动元器件设于所述第一引线和所述第二引线上方,所述电致动元器件的导电层在平面状态时,所述电致动元器件的导电层与所述第一引线的距离为1~6mm,所述电致动元器件的导电层与所述第二引线的距离1~6mm。
9.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板,以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一引线和所述第二引线还电性连接有驱动芯片。
CN202111445605.8A 2021-11-30 2021-11-30 阵列基板和显示面板 Active CN114114767B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111445605.8A CN114114767B (zh) 2021-11-30 2021-11-30 阵列基板和显示面板
US17/994,207 US11880110B2 (en) 2021-11-30 2022-11-25 Array substrate and display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111445605.8A CN114114767B (zh) 2021-11-30 2021-11-30 阵列基板和显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114114767A true CN114114767A (zh) 2022-03-01
CN114114767B CN114114767B (zh) 2022-07-12

Family

ID=80368499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111445605.8A Active CN114114767B (zh) 2021-11-30 2021-11-30 阵列基板和显示面板

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11880110B2 (zh)
CN (1) CN114114767B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11142753A (ja) * 1997-11-04 1999-05-28 Seiko Epson Corp 変形可能ミラーデバイスの製造方法
CN103400546A (zh) * 2013-07-25 2013-11-20 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其驱动方法、显示装置
CN104795040A (zh) * 2015-04-30 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 用于显示装置的关机残影改善电路、阵列基板、显示装置
CN206370279U (zh) * 2017-01-03 2017-08-01 京东方科技集团股份有限公司 电荷释放电路、显示基板、显示面板及显示装置
CN108257565A (zh) * 2018-01-09 2018-07-06 惠科股份有限公司 显示装置及其关机驱动方法
CN113257206A (zh) * 2021-05-19 2021-08-13 惠科股份有限公司 一种显示面板的关机放电电路及方法、显示装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7545550B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-09 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11142753A (ja) * 1997-11-04 1999-05-28 Seiko Epson Corp 変形可能ミラーデバイスの製造方法
CN103400546A (zh) * 2013-07-25 2013-11-20 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其驱动方法、显示装置
CN104795040A (zh) * 2015-04-30 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 用于显示装置的关机残影改善电路、阵列基板、显示装置
CN206370279U (zh) * 2017-01-03 2017-08-01 京东方科技集团股份有限公司 电荷释放电路、显示基板、显示面板及显示装置
CN108257565A (zh) * 2018-01-09 2018-07-06 惠科股份有限公司 显示装置及其关机驱动方法
CN113257206A (zh) * 2021-05-19 2021-08-13 惠科股份有限公司 一种显示面板的关机放电电路及方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20230168555A1 (en) 2023-06-01
US11880110B2 (en) 2024-01-23
CN114114767B (zh) 2022-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4782410B2 (ja) 駆動チップ及びこれを有する表示装置
CN107452438B (zh) 一种各向异性导电胶带及胶带卷、绑定结构及显示装置
CN112930516B (zh) 显示模组和显示装置
CN101807372B (zh) 等离子体显示装置
CN111725265B (zh) 显示模组和显示装置
KR20160090986A (ko) 스피커 및 마이크 일체형 표시패널
JP2001305570A (ja) 表示パネルモジュール及びその製造方法
CN1837911A (zh) 显示装置
KR20080040828A (ko) 고분자 분산형 액정표시장치의 전극 단자부 제조방법
WO2005067398A2 (en) Driver chip and display apparatus
CN100470780C (zh) 电子部件、电光学装置及电子机器
US8716705B2 (en) Organic light emitting diode module
CN114114767B (zh) 阵列基板和显示面板
JP2014038339A (ja) 電子装置の製造方法
CN101726874B (zh) 显示面板与软性电路板的接合结构
JP2008033094A (ja) 表示装置
KR100554923B1 (ko) 1개의 구동ic에 의해 구동되는 액정표시장치
CN103026290B (zh) 组装显示设备
CN201259597Y (zh) 可挠式显示面板
CN101539690A (zh) 基板电极结构及使用其与驱动元件的接合结构
CN210954556U (zh) 一种基板及显示面板
CN110187579B (zh) 一种显示面板和显示装置
US20090073098A1 (en) Display module with identification circuit on panel
CN100480786C (zh) 玻璃覆晶结构和采用该玻璃覆晶结构的液晶显示器
CN216901226U (zh) 一种显示模组

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant