CN114107933A - 标记检测装置、对准装置、成膜装置、标记检测方法以及成膜方法 - Google Patents
标记检测装置、对准装置、成膜装置、标记检测方法以及成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114107933A CN114107933A CN202110971519.4A CN202110971519A CN114107933A CN 114107933 A CN114107933 A CN 114107933A CN 202110971519 A CN202110971519 A CN 202110971519A CN 114107933 A CN114107933 A CN 114107933A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mark
- substrate
- alignment mark
- template
- linear
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
Abstract
本发明提供一种用于提高为了对准而在基板上形成的标记的检测精度的技术。在检测对准标记的标记检测装置中,配备有:对包含对准标记的区域进行摄影以获得摄影图像的摄影机构;以及对摄影图像与样板图像进行比较来检测对准标记的位置的检测机构,对准标记包括线状部分,检测机构采用对于对准标记的除去线状部分的端部以外的部分与样板图像进行比较的标记检测装置。
Description
技术领域
本发明涉及标记检测装置、对准装置、成膜装置、标记检测方法以及成膜方法。
背景技术
已知有根据对基板等进行摄影而获得的图像数据来检测设置于该基板等的标记的标记检测装置。这样的标记检测装置例如被应用于对准装置,所述对准装置配备有经由掩模在基板上形成成膜材料的膜的成膜装置,用于进行基板与掩模的对准(对位)。这种对准装置对基板与掩模进行摄影,检测设置于基板的基板标记和设置于掩模的掩模标记,使基板或者掩模移动以使标记之间的距离满足规定的关系而进行对准。这时,为了提高对准精度,有必要尽可能正确地从摄制的图像中提取出基板标记、掩模标记。
作为这种成膜装置的例子,已有用于有机半导体的制造的有机半导体制造装置。在有机半导体的制造中,通过激光加工在硅等的晶片基板上形成基板用的对准标记(基板标记)。并且,使该基板接近具有所希望的图案的掩模,基于形成于掩模的对准标记(掩模标记)与基板标记的位置关系进行对位。
另外,作为成膜装置的另外的例子,可以列举出用于制造有机EL显示装置的有机EL用的成膜装置。在有机EL显示器的情况下,在成膜装置内将形成有像素图案的掩模与玻璃等的基板对位,经由掩模将有机材料或金属材料成膜,由此,在基板上形成功能层或电极金属层。
在这样的成膜装置中,为了进行高精度的成膜,有必要对基板与掩模进行高精度的对准。
在专利文献1(日本特开2019-179186号公报)中,记载了一种采用通过激光加工形成于基板的对准标记的技术。即,在专利文献1中,利用激光将点状的光束照射于基板而形成对准标记,利用对包含该对准标记的区域进行摄影而获得的图像来进行对准。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2019-179186号公报
发明内容
发明所要解决的课题
为了提高基板与掩模的对准精度,要求以更高的精度来检测基板标记。
本发明是鉴于上述课题做出的,其目的在于提供一种用于提高为了对准而形成于基板的标记的检测精度的技术。
解决课题的手段
本发明采用以下的结构。即,
一种标记检测装置,所述标记检测装置用于检测对准标记,其特征在于,
配备有:对包含所述对准标记的区域进行摄影以获得摄影图像的摄影机构;以及
对所述摄影图像与样板图像进行比较来检测所述对准标记的位置的检测机构,
所述对准标记包括线状部分,
所述检测机构对所述对准标记的除所述线状部分的端部之外的部分与所述样板图像进行比较。
另外,本发明采用以下结构,即,
一种标记检测装置,所述标记检测装置用于检测对准标记,其特征在于,
配备有:对包含所述对准标记的区域进行摄影以获得摄影图像的摄影机构;以及
对所述摄影图像与样板图像进行比较来检测所述对准标记的位置的检测机构,
所述对准标记包括线状部分,
所述样板图像包含与所述对准标记的所述线状部分相对应的线状样板部分,
所述样板图像的所述线状样板部分的长度比所述对准标记的所述线状部分的长度短。
另外,本发明采用以下结构,即,
一种标记检测方法,所述标记检测方法用于检测对准标记,其特征在于,
具有:对包含所述对准标记的区域进行摄影以获得摄影图像的摄影工序;以及
对所述摄影图像与样板图像进行比较来检测所述对准标记的位置的检测工序,
所述对准标记包括线状部分,
所述检测工序包括对所述对准标记的除所述线状部分的端部之外的部分与所述样板图像进行比较的比较工序。
另外,本发明采用以下的结构。即,
一种标记检测方法,所述标记检测方法用于检测对准标记,其特征在于,
具有:对包含所述对准标记的区域进行摄影以获得摄影图像的摄影工序;以及
对所述摄影图像与样板图像进行比较来检测所述对准标记的位置的检测工序,
所述对准标记包含线状部分,
所述样板图像包含与所述对准标记的所述线状部分相对应的线状样板部分,
所述样板图像的所述线状样板部分的长度比所述对准标记的所述线状部分的长度短。
发明的效果
根据本发明,可以提供用于为了对准而形成于基板的标记的检测精度的技术。
附图说明
图1是包括成膜装置的电子器件的生产线的示意图。
图2是表示成膜装置的内部结构的剖视图。
图3是对于标记检测和对准进行说明的图。
图4是表示基板标记端部的隆起和样板基板标记的图。
图5是从标记检测起说明成膜处理的流程的流程图。
图6是说明实施例中的样板基板标记的修正的图。
图7是表示基板标记的其它方式的图。
图8是说明多个修正样板基板标记的图。
具体执行方式
下面,参照附图说明本发明的优选的实施方式。但是,下面的描述只不过举例表示本发明的优选结构,本发明的范围并不限于这些结构。另外,在下面的说明中,对于装置的硬件结构及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等,除非特别说明,否则本发明的范围并不限于这些说明。
这里,当在基板上形成具有任何所希望的形状的膜时,使用具有适合于要形成的膜的形状的掩模图样的掩模。由此,可以任意地构成成膜的各个层。并且,为了在基板上的希望的位置处形成膜,有必要将基板等与掩模的相对位置高精度地对准。在对准时,通常利用照相机等摄影机构对形成于基板的对准标记(基板标记)和形成于掩模的对准标记(掩模标记)进行摄影,利用促动器等对准机构进行对位。即,为了良好地对位,优选地,至少可以高精度地检测基板标记和掩模标记。
如上所述,本发明优选用于检测对准标记(基板标记及/或掩模标记)的技术。从而,本发明可以作为标记检测装置或者标记检测方法来掌握。另外,本发明可以作为利用被检测出的标记对基板与掩模进行对准的对准装置或者对准方法来掌握。另外,本发明可以作为利用这种对准装置或者对准方法的成膜装置或者成膜方法来掌握。另外,本发明可以作为利用这种成膜装置或者成膜方法的电子器件的制造装置或者电子器件的制造方法来掌握。
本发明优选适用于经由掩模在基板的表面形成所希望的图案的薄膜材料层的情况。作为基板的材料,可以利用硅、玻璃、树脂、金属等任意的材料。作为成膜材料,可以利用有机材料、无机材料(金属、金属氧化物)等任意的材料。本发明的技术典型地适用于电子器件或光学部件的制造装置。本发明例如可以适用于有机半导体制造装置或者利用该有机半导体制造装置制造的有机半导体。另外,本发明优选适用于有机EL显示器或利用该有机EL显示器的有机EL显示装置的制造装置、薄膜太阳能电池、有机CMOS图像传感器等有机电子器件。
<现有技术的研究>
作为发明人深入研究的结果,认识到在现有技术中存在着基板标记的检测精度低下的可能性。
图3是对于基板标记的检测进行说明的图。这里,作为例子列举了通过激光加工在晶片基板上形成基板标记的情况。
图3(a)及图3(b)是关于现有技术例的理想的图,分别表示理想地形成的基板标记104、以及样板基板标记174,所述样板基板标记174为用于检测基板标记104的内部的样板。样板基板标记174是表示基板标记的形状的样板图像,被存储在存储机构中。另外,图3(c)是表示在摄影区域内同时包含基板标记104和掩模标记224的状态的图。
下面,对于利用图3(a)的基板标记104和图3(b)的样板基板标记进行基板标记检测的情况进行说明。标记检测装置利用图像匹配等图像识别算法,将利用摄影机构摄制的摄影区域264内的基板标记104的数据与样板基板标记174进行比较。在检测出与样板基板标记174的形状一致的基板标记104的情况下,基板检测装置将检测出的基板标记104的位置作为坐标存储起来。并且,当标记检测装置检测出掩模标记224时,对准装置进行基板与掩模的对准。
另一方面,图4(a)是表示关于现有技术例的利用激光加工技术加工晶片基板而形成的实际的线状的基板标记的图。
在该情况下,基板标记的中央部104m与理想的基板标记粗细相同,然而,存在有基板标记的端部104t形成隆起的形状的情况。即,存在这样的情况:在线状的标记中,线的端部附近的第一区域的线的粗度变得比端部附近以外的第二区域的线的粗度大。虽然端部(第一区域)104t相对于中央部(第二区域)104m隆起的程度或形状根据基板的材质或加工方法而异,但是,存在着这种隆起的发生对标记检测的精度造成影响的可能性。
即,即使通过与图4(b)所示的样板基板标记174的匹配来检测具有本图的形状的基板标记104,基板标记的第一区域104t的形状与样板基板标记174也一致。因此,存在着基板标记104的识别精度低,或者位置检测时的坐标精度低的可能性。其结果是,存在着对准精度低的可能性。
因此,在下面的描述中,对于即使是在端部发生隆起等变形的基板标记,也能够良好地进行检测的实施例进行说明。另外,本发明并不局限于对晶片进行激光加工的情况,也可以适用于当基板及掩模中的至少一个设有标记时,因加工的影响而在端部发生隆起或变形的情况。
<实施例1>
(电子器件的生产线)
图1是示意地表示电子器件的生产线的结构的平面图。这样的生产线是包括成膜装置的成膜系统。这里,对于有机EL显示器的生产线进行说明。在制造有机EL显示器的情况下,将规定尺寸的基板运入生产线,在进行有机EL或金属层的成膜之后,实施基板的切割等后续处理工序。
如图1所示,生产线的成膜组1包括配置在中央的输送室130、配置在输送室130的周围的成膜室110以及掩模存放室120。成膜室110包括成膜装置,对基板10进行成膜处理。掩模存放室120收纳使用前后的掩模。
设置在输送室130内的输送机器人140将基板10或掩模220运入输送室130,从输送室130运出。输送机器人140例如是安装有机械手的机器人,所述机械手将基板10或掩模220保持于多关节臂。成膜室110、掩模存放室120、输送室130、缓冲室160、旋转室170等各个腔室在有机EL显示面板的制造过程中保持高真空状态。
在成膜组1中包括通路室150和缓冲室160,通路室150用于将在基板输送方向上从上游侧传来的基板10输送到输送室130,缓冲室160用于将成膜处理完的基板10向下游侧的其它成膜组输送。当输送室130的输送机器人140从通路室150接收到基板10时,输送给多个成膜室110之中的一个成膜室。另外,输送机器人140从成膜室110接收成膜处理完的基板10,输送给缓冲室160。在图示的例子中,在通路室150的更上游侧,或缓冲室160的更下游侧,设置改变基板10的方向的旋转室170。
(成膜装置)
图2是示意地表示成膜装置的结构的剖视图。在多个成膜室110的每一个中设置成膜装置108(也称作蒸镀装置)。由成膜装置的各个结构部件来进行与输送机器人140进行的基板10的传递、设置于基板10的基板标记的检测、设置于掩模220的掩模标记的检测、基板10与掩模220的相对位置的调整(对准)、基板10向掩模上的固定、成膜(蒸镀)等一系列成膜处理。
在下面的说明中,采用将铅直方向作为Z方向的XYZ直角坐标系。在XYZ直角坐标系中,在成膜时使基板与水平面(XY平面)平行地固定的情况下,将具有长边和短边的矩形的基板10的短的方向(与短边平行的方向)作为X方向,将长的方向(与长边平行的方向)作为Y方向。另外,围绕Z轴的旋转角度用θ表示。
成膜装置108具有真空室200。真空室200的内部保持在真空气氛、或者氮气等不活泼气体气氛下。在真空室200的内部,设置有基板支承单元210、掩模220、掩模台221、冷却板230、以及蒸发源240。
基板支承单元210是具有作为支承从输送机器人140接收的基板10的保持器的功能的基板支承机构。掩模220例如是金属掩模,具有与形成在基板上的薄膜图案相对应的开口图案。掩模220被设置在作为掩模支承单元的框状的掩模台221上,在基板10被定位及保持在掩模上之后,进行成膜。基板支承单元210例如由设置有通过载置或夹持来支承基板10的周围的多个支承器的支承框体构成。
冷却板230在成膜时与基板10的与掩模220接触的面的相反一侧的面接触,是抑制成膜时的基板10的温度上升的板状构件。冷却板230通过对基板10进行冷却,抑制有机材料的变质或劣化。冷却板230也可以兼用作磁板。磁板是通过借助磁力吸引掩模220来提高成膜时的基板10与掩模220的密接性的构件。另外,为了提高基板10与掩模220的密接性,基板支承单元210同时保持基板10和掩模220两者,利用促动器等使两者密接。
蒸发源240是由收容蒸镀材料的容器(坩埚)、加热器、闸门、驱动机构、蒸发速率监测器等构成的成膜机构。另外,成膜源不限于蒸发源240。例如,成膜装置108也可以是利用溅射靶作为成膜源的溅射装置。
控制部270进行促动器部282的各个促动器的动作控制、照相机261的摄影控制及图像数据分析、基板10及掩模220的运入运出控制及对准控制、成膜源的控制、成膜的控制、以及其它各种控制。控制部270例如可以由具有处理器、如存储器这样的存储装置、贮存器、I/O等的计算机构成。在该情况下,控制部270的功能通过处理器实施存储在存储器或贮存器中的程序来实现。作为计算机,可以采用通用的个人计算机,也可以采用内置式(Built-in)的计算机或者PLC(programmable logic controller:可编程逻辑控制器)。或者,也可以由ASIC或FPGA这样的电路构成控制部270的功能的一部分或者全部。另外,可以对每个成膜装置设置控制部270,也可以由一个控制部270控制多个成膜装置。
(用于标记检测的结构)
在真空室200的外侧上部,作为摄影机构,设置有进行光学摄影以生成图像数据的照相机261。照相机261通过设置于真空室200的窗(图中未示出)进行摄影。另外,在本实施例中,采用一步式的对准方式,然而,也可以采用两步式的对准方式。在该情况下,设置低分辨率、大视野的第一对准(粗略对准)用的照相机、以及窄视野、高分辨率的第二对准(精细对准)用的照相机,按照从粗略对准到精细对准的顺序进行对准。
本实施例中的照相机261设置于能够对基板10以及掩模220的角部进行摄影的位置。在照相机261的摄影区域中,包含有基板表面的基板标记104和掩模表面的掩模标记224。在本实施例中,与基板10及掩模220的四角相对应地设置4台照相机261。然而,对准标记的数量及设置部位、以及照相机的数量、设置部位及种类并不限于此。
控制部270对照相机261摄制的图像数据(摄影图像)进行分析,取得基板标记104以及掩模标记224的位置信息。例如,当对基板标记104进行观察时,通过图案匹配处理对于对摄影区域264进行摄影而取得的图像数据进行分析,提取出与样板基板标记174相一致的形状。
由于照相机261的位置被固定,因此,可以将在摄影区域264的范围内摄制的图像数据中的任意的位置转换成坐标值。因而,可以取得从各种摄制图像中检测出的对准标记的位置作为坐标值。
其结果是,可以计算出基板标记104和掩模标记224的距离或角度等。照相机261是取得各个对准标记的位置信息的掩模检测装置。另外,也可以将照相机261和控制部270合在一起作为标记检测装置。控制部270作为本发明的检测机构起作用。
在本实施例中,基板标记是通过激光加工形成在基板上的,各个掩模对准标记是通过机械加工形成在掩模上的。但是,标记的形成方法并不限于此,可以根据材料或目的进行选择。
(对准用的结构)
在真空室200的外侧上部,设置有基板Z促动器250、夹具Z促动器251、冷却板Z促动器252。各个促动器例如由马达和滚珠丝杠、马达和直线导向器等构成。在真空室200的外侧上部还设置有对准台280。
基板Z促动器250是使基板支承单元210整体在Z轴方向上升降的驱动机构。基板Z促动器250可以说是对准机构所配备的垂直移动机构。夹具Z促动器251是使基板支承单元210的夹持机构开闭的驱动机构。冷却板Z促动器252是使冷却板230升降的驱动机构。
对准台280是使基板10在XY方向上移动或者在θ方向上旋转而改变与掩模220的位置的对准装置。对准台280可以说是对准机构所配备的平面内移动装置。对准台280配备有:连接并固定于真空室200的腔室固定部281、用于进行XYθ移动的促动器部282、与基板支承单元210连接的连接部283。另外,也可以将对准台280和基板支承单元210合在一起作为对准装置。另外,也可以将对准台280和基板支承单元210进一步加上控制部270来作为对准装置。
作为促动器部282,也可以采用将X促动器、Y促动器以及θ促动器叠加起来的促动器。另外,也可以采用多个促动器协同动作的UVW方式的促动器。任何方式的促动器部282都根据从控制部270发送的控制信号进行驱动,使基板10在X方向及Y方向上直线移动,在θ方向上旋转移动。如果是叠加方式的促动器,则控制信号表示XYθ各促动器的动作量,如果是UVW方式的促动器,则控制信号表示UVW各个促动器的动作量。
对准台280使基板支承单元210进行XYθ移动。另外,虽然在本实施例中,形成调整基板10的位置的结构,但是,也可以为调整掩模220的位置的结构、或调整基板10与掩模220两者的位置的结构。
控制部270基于图像数据进行各种运算。在通常的对准时,基于标记检测装置检测出的基板标记104和掩模标记224的位置偏离量,计算基板的XYθ方向的移动量。接着,控制部270将计算出的基板等的移动量转换成对准台280的各个促动器所配备的步进马达或伺服马达等的驱动量,生成控制信号。另外,根据需要接收来自于对准台280的传感器信号,进行反馈控制。
(处理流程)
下面,参照附图说明处理的流程。图5是表示本实施例中的标记检测处理和之后的工序的流程图。
另外,图6是表示在本流程中使用的基板标记以及样板基板标记的平面图。图6(a)所示的基板标记104是实际形成于基板10上,与图4(a)相同的标记。在两条线(竖线及横线)交叉的十字形的基板标记104处,根据激光加工的特性,竖线和横线各自的第一区域104t的粗度比第二区域104m的粗度粗(第二区域104m的粗度大体恒定)。这里,基板标记104的竖线的长度为h1,横线的长度为w1,其中竖线的第二区域104m的长度为h2,横线的第二区域104m的长度为w2。
另一方面,在图6(b)中由实线表示的竖线样板及横线样板交叉的十字形是在本流程中使用的、比过去的样板基板标记174小(竖线样板以及横线样板的长度短)的修正样板基板标记176。修正样板基板标记176与第二区域104m一样,竖线样板的长度为h2,横线样板的长度为w2。即,修正样板基板标记176为线状,是该线的长度与基板标记104的所述第二区域相当的长度的图像。另外,竖线以及横线的粗度(宽度)与第二区域104m的粗度相同。在本实施例中,修正样板基板标记176代替样板基板标记174作为样板图像使用。
本流程从如下的状态开始,即:掩模220从掩模存放室120被运入成膜室110内并支承于掩模台221,并且,基板10从通路室150被运入成膜室110并支承于基板支承单元210的状态。
在步骤S101,基板支承单元210使基板10在上下方向上移动,将基板10与掩模220在Z方向上的距离作为在照相机261的聚焦范围内包含基板10的基板标记104和掩模220的掩模标记224的对准距离。在本实施例中,在基板10与掩模220保持对准距离的状态下,基板10在XY平面内在XYθ方向上移动。
在步骤S102,照相机261对摄影区域264进行摄影,生成图像数据。
在步骤S103,控制部270对图像数据进行分析,检测基板标记104。这里,作为对准标记识别方法,采用图案匹配法。图案匹配法是通过判定预先存储在控制部270的存储器中的样板标记的图案形状与图像中的对准标记的形状的相关性来识别对准标记的方法。另外,只要能够对标记进行识别,则对方法没有限制,例如,也可以采用边缘检测法等。
这里,在本流程中,对于特征的方法进行描述。如上所述,在基板标记104的第一区域104t隆起的情况(所述第一区域的线的粗度比端部附近以外的所述第二区域的线的粗度大的情况)下,若进行采用与该基板标记104相同大小的样板基板标记174的图像处理,则会引起识别精度的降低。这里,在图6(b)的修正样板基板标记176中,整体的大小与基板标记104的第二区域104m为相同程度。因此,在整个修正样板基板标记176中,尖端的粗度与实际的基板标记104一致。换句话说,在本流程中的控制部270,从摄影区域264尝试与修正样板基板标记176相关度高的图形的提取。其结果是,第二区域104m的检测成为可能。
控制部270生成将从样板基板标记174中消除的区域178附加于检测出的第二区域104m的数据,作为基板标记104的位置信息存储到存储器中。但是,控制部270也可以将第二区域104m直接作为基板标记来使用。在该情况下,在后面描述的判定处理中,进行以第二区域104m的尺寸或位置为前提的标记比较。
在步骤S104,控制部270从图像数据检测出掩模标记224,将位置信息存储到存储器中。这里,也可以采用图案匹配法或边缘检测法等任意的方法。
在步骤S105,控制部270对存储到存储器中的基板标记104的坐标信息与掩模标记224的坐标信息进行比较。并且,如果满足两者的距离或角度等位置关系在规定的允许范围内这样的条件,则判断为对准完毕。另一方面,在位置关系在允许范围之外的情况下,转到步骤S106,基于从理想的位置关系的偏离量,使基板10在平面内在XYθ方向上移动。通过反复进行该处理,基板10与掩模220的关系落入规定的范围。
在步骤S107,基板支承单元210动作,使基板10与掩模220接触。例如,基板Z促动器250使基板10下降,载置于掩模220。
在步骤S108,作为成膜源的蒸发源240被加热,成膜材料经由掩模220成膜于基板10。由此,在基板上形成与掩模图案相对应的形状的膜。通过上述流程,真空室内部的成膜处理完成。
如上所述,在本实施例中,在检测因激光加工的特性而端部隆起或者变形的基板标记时,使用比基板标记小一圈且消除了与基板标记的变形部分相当的区域的修正样板基板标记。其结果是,由于不受基板标记的变形部分影响地进行检测处理,因此,标记检测的精度提高,能够进行良好的对准。
<实施例2>
在本实施例中,对于用于基板10的各个对准标记形状与实施例1不同的例子进行说明。
图7(a)表示根据本实施例的基板标记104。这样,由于激光加工的影响,在一条直线状的基板标记104的第一区域104t,形成比第二区域104m隆起的形状。
图7(b)表示在以过去的方式检测本实施例的基板标记104的情况下使用的样板基板标记174。这样,当使样板基板标记174的长度(h1)与基板标记104的长度一致时,由于第一区域104t的存在,存在着由图案匹配法进行的基板标记104的检测精度降低的风险。
因此,在本实施例中,利用图7(c)所示的修正样板基板标记176进行检测。由于一条直线状的修正样板基板标记176的长度h2与粗度在恒定范围的第二区域104m的长度一致,因此,检测精度降低的风险小。
<实施例3>
接着,对于修正样板基板标记176的制作方法或应用方法不同的例子进行说明。本实施例的特征在于,制作多个种类的修正样板基板标记176,根据基板标记104选择并利用适当的修正样板基板标记。
图8(a)、图8(b)分别为具有与图6(b)不同的宽度(横线样板的长度)以及高度(竖线样板的长度)的修正样板基板标记176。这里,存在着基板标记104的第一区域104t的隆起或变形的程度根据基板10的材质或激光加工的精度等而分别稍有不同的情况。因此,在图6(b)所示的修正样板基板标记176中,存在着会与隆起部分重叠的可能性。另外,相反地,若图6(b)所示的修正样板基板标记176与第二区域1-4m相比过小,则也存在着标记检测的精度降低的可能性。
因此,本实施例的控制部270,除图6(b)所示的修正样板基板标记176之外,还如竖线样板以及横线样板的长度比图6(b)的修正样板基板标记176的相应长度长的图8(a)所示的修正样板基板标记、及竖线样板以及横线样板的长度比图6(b)的修正样板基板标记176的相应长度短的图8(b)所示的修正样板基板那样,准备了尺寸不同的多个修正样板基板标记176,保存在存储器中。并且,对摄影图像中的基板标记104与多个修正样板基板标记176的每一个进行比较,与消除了第一区域104t的隆起的标记相比较,选择最恰当的尺寸的修正样板基板标记。由此,能够防止标记检测精度的下降。另外,在标记检测时,选择哪个修正样板基板标记176,可以由使用者观察摄影图像而手动地选择,也可以由控制部270选择恰当的修正样板基板标记。
另外,在本实施例中,使修正样板基板标记176的竖线样板的长度与横线样板的长度一致,但是,本发明并不限于此。例如,在存在着基板标记的端部变形的程度对于每个端部不同的倾向的情况下,可以与之相应地改变修正样板基板标记的竖线样板以及横线样板的长度或竖线样板与横线样板的交叉位置。
另外,在利用十字形以外的形状、例如一条线状的基板标记的情况下,也可以如本实施例中所述准备尺寸不同的多个种类的修正样板基板标记。
<实施例4>
在本实施例中,说明修正样板基板标记176的制作方法的另外的例子。
在上述各个实施例中,基于基板标记104的设计值确定修正样板基板标记176的尺寸、形状。但是,也可以根据作为摄影装置的照相机261摄影取得的基板标记104的图像数据,由控制部270从基板标记104中消除隆起或变形部分,制作修正样板基板标记176。
根据本实施例,在摄影取得的基板标记104与周围(背景)的交界部分不清晰的情况下,有时也不能制作上述各个实施例那样精密的样板图像,但是,可以基于实际的基板标记104来进行标记检测和对准。
附图标记说明
261:照相机,270:控制部
Claims (20)
1.一种检测对准标记的标记检测装置,其特征在于,配备有:
对包含所述对准标记的区域进行摄影以获得摄影图像的摄影机构;以及
对所述摄影图像与样板图像进行比较来检测所述对准标记的位置的检测机构,
所述对准标记包含线状部分,
所述检测机构对所述对准标记的除所述线状部分的端部以外的部分与所述样板图像进行比较。
2.如权利要求1所述的标记检测装置,其特征在于,在所述对准标记中,所述线状部分的所述端部的粗度比所述线状部分的与所述端部不同的部分的粗度大。
3.如权利要求1所述的标记检测装置,其特征在于,
所述对准标记的所述线状部分包括第一线状部分和与所述第一线状部分交叉的第二线状部分,
所述检测机构对所述对准标记的除去所述第一线状部分的两侧的端部以及所述第二线状部分的两侧的端部以外的部分与所述样板图像进行比较。
4.如权利要求1所述的标记检测装置,其特征在于,
所述样板图像包含与所述对准标记的所述线状部分相对应的线状样板部分,
所述检测机构从所述线状样板部分的长度不同的多个图案中选择用于比较的所述样板图像。
5.如权利要求1所述的标记检测装置,其特征在于,
所述对准标记是通过激光加工形成于基板的基板标记。
6.如权利要求5所述的标记检测装置,其特征在于,
所述基板是硅晶片基板。
7.如权利要求1所述的标记检测装置,其特征在于,
所述样板图像是基于包含在所述对准标记的设计值或者所述摄影图像中的所述对准标记而生成的。
8.一种检测对准标记的标记检测装置,其特征在于,配备有:
对包含所述对准标记的区域进行摄影而获得摄影图像的摄影机构;以及
对所述摄影图像与样板图像进行比较来检测所述对准标记的位置的检测机构,
所述对准标记包括线状部分,
所述样板图像包括与所述对准标记的所述线状部分相对应的线状样板部分,
所述样板图像的所述线状样板部分的长度比所述对准标记的所述线状部分的长度短。
9.如权利要求8所述的标记检测装置,其特征在于,
在所述对准标记中,所述线状部分的所述端部的粗度比所述线状部分的与所述端部不同的部分的粗度大。
10.如权利要求9所述的标记检测装置,其特征在于,
所述样板图像的所述线状样板部分的长度是与所述对准标记的所述线状部分的所述与所述端部不同的部分的长度相当的长度。
11.如权利要求8所述的标记检测装置,其特征在于,
所述对准标记的所述线状部分包括第一线状部分和与所述第一线状部分交叉的第二线状部分,
所述样板图像的所述线状样板部分包括第一线状样板部分和与所述第一线状样板部分交叉的第二线状样板部分,
所述样板图像的所述第一线状样板部分的长度比所述对准标记的所述第一线状部分的长度短,
所述样板图像的所述第二线状样板部分的长度比所述对准标记的所述第二线状部分的长度短。
12.如权利要求8所述的标记检测装置,其特征在于,
所述检测机构从所述线状样板部分的长度不同的多个图案中选择用于比较的所述样板图像。
13.如权利要求8所述的标记检测装置,其特征在于,
所述对准标记是通过激光加工形成在基板上的基板标记。
14.如权利要求13所述的标记检测装置,其特征在于,
所述基板是硅晶片基板。
15.如权利要求8所述的标记检测装置,其特征在于,
基于包含在所述对准标记的设计值或者所述摄影图像中的所述对准标记生成所述样板图像。
16.一种对准装置,其特征在于,具有:
如权利要求1至15中任一项所述的标记检测装置;以及
基于所述对准标记的位置使基板与掩模对准的对准机构。
17.一种成膜装置,其特征在于,配备有:
权利要求16中所述的对准装置;以及
经由与所述基板对准了的所述掩模对所述基板进行成膜的蒸发源装置。
18.一种检测对准标记的标记检测方法,其特征在于,具有:
对包含所述对准标记的区域进行摄影以获得摄影图像的摄影工序;以及
对所述摄影图像与样板图像进行比较来检测所述对准标记的位置的检测工序,
所述对准标记包括线状部分,
所述检测工序包括对所述对准标记的除去所述线状部分的端部以外的部分与所述样板图像进行比较的比较工序。
19.一种检测对准标记的标记检测方法,其特征在于,具有:
对包含所述对准标记的区域进行摄影以获得摄影图像的摄影工序;以及
对所述摄影图像与样板图像进行比较来检测所述对准标记的位置的检测工序,
所述对准标记包括线状部分,
所述样板图像包括与所述对准标记的所述线状部分相对应的线状样板部分,
所述样板图像的所述线状样板部分的长度比所述对准标记的所述线状部分的长度短。
20.一种成膜方法,其特征在于,具有:
利用权利要求18或者19所述的标记检测方法检测所述对准标记的工序;
基于所述对准标记的位置使基板与掩模对准的对准工序;以及
经由与所述基板对准了的所述掩模对所述基板进行成膜的成膜工序。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020-142333 | 2020-08-26 | ||
JP2020142333A JP7106608B2 (ja) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | マーク検出装置、アライメント装置、成膜装置、マーク検出方法、および、成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114107933A true CN114107933A (zh) | 2022-03-01 |
CN114107933B CN114107933B (zh) | 2023-06-30 |
Family
ID=80440954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110971519.4A Active CN114107933B (zh) | 2020-08-26 | 2021-08-24 | 标记检测装置、对准装置、成膜装置、标记检测方法以及成膜方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7106608B2 (zh) |
KR (1) | KR102508236B1 (zh) |
CN (1) | CN114107933B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024014178A1 (ja) * | 2022-07-11 | 2024-01-18 | 富士フイルム株式会社 | 撮影用治具及び情報処理装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009076227A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Seiko Epson Corp | マスクの製造方法及びマスク |
JP2015046427A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | トヨタ自動車株式会社 | アライメント方法及びパターニング用マスク |
CN106884151A (zh) * | 2015-12-16 | 2017-06-23 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种基片对准装置,基片对准方法和物理气相沉积方法 |
CN107256839A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-10-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种掩膜板及显示面板蒸镀用对位检测系统 |
CN109423603A (zh) * | 2017-08-25 | 2019-03-05 | 佳能特机株式会社 | 对准方法、对准装置、真空蒸镀方法及真空蒸镀装置 |
KR20200000775A (ko) * | 2018-06-25 | 2020-01-03 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 마스크 위치조정장치, 성막장치, 마스크 위치조정방법, 성막방법, 및 전자디바이스의 제조방법 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08304810A (ja) * | 1995-05-02 | 1996-11-22 | Sony Corp | スクリーン印刷方法 |
KR100801665B1 (ko) * | 2006-12-24 | 2008-02-11 | 한국생산기술연구원 | 얼라인 마크 인식 머신 비전 시스템 및 얼라인 마크 인식방법 |
JP2012028664A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2013084407A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネル |
JP2014071315A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | アライメントマーク検出装置、プロキシミティ露光装置、及び基板のアライメント方法 |
JP6048124B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2016-12-21 | 三菱マテリアル株式会社 | レーザ加工装置 |
JP6461235B2 (ja) * | 2017-05-22 | 2019-01-30 | キヤノントッキ株式会社 | 基板載置装置、成膜装置、基板載置方法、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 |
JP6584567B1 (ja) | 2018-03-30 | 2019-10-02 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、パターン形成方法及び物品の製造方法 |
KR20200049034A (ko) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 얼라인먼트 시스템, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
-
2020
- 2020-08-26 JP JP2020142333A patent/JP7106608B2/ja active Active
-
2021
- 2021-08-20 KR KR1020210110062A patent/KR102508236B1/ko active IP Right Grant
- 2021-08-24 CN CN202110971519.4A patent/CN114107933B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009076227A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Seiko Epson Corp | マスクの製造方法及びマスク |
JP2015046427A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | トヨタ自動車株式会社 | アライメント方法及びパターニング用マスク |
CN106884151A (zh) * | 2015-12-16 | 2017-06-23 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种基片对准装置,基片对准方法和物理气相沉积方法 |
CN107256839A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-10-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种掩膜板及显示面板蒸镀用对位检测系统 |
CN109423603A (zh) * | 2017-08-25 | 2019-03-05 | 佳能特机株式会社 | 对准方法、对准装置、真空蒸镀方法及真空蒸镀装置 |
KR20200000775A (ko) * | 2018-06-25 | 2020-01-03 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 마스크 위치조정장치, 성막장치, 마스크 위치조정방법, 성막방법, 및 전자디바이스의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022038048A (ja) | 2022-03-10 |
JP7106608B2 (ja) | 2022-07-26 |
CN114107933B (zh) | 2023-06-30 |
KR20220027023A (ko) | 2022-03-07 |
KR102508236B1 (ko) | 2023-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112962061B (zh) | 对准标记位置检测装置、蒸镀装置和电子器件的制造方法 | |
JP7244401B2 (ja) | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
CN114107933B (zh) | 标记检测装置、对准装置、成膜装置、标记检测方法以及成膜方法 | |
CN111850461A (zh) | 对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法 | |
JP7018111B2 (ja) | アライメント装置、アライメント方法、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 | |
CN112342519B (zh) | 成膜系统、成膜系统的异常部位判别方法及计算机可读取的存储介质 | |
JP7440355B2 (ja) | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体 | |
CN113005418B (zh) | 对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法 | |
JP4631497B2 (ja) | 近接露光装置 | |
JP2014071315A (ja) | アライメントマーク検出装置、プロキシミティ露光装置、及び基板のアライメント方法 | |
CN113005419A (zh) | 对准及成膜装置、对准及成膜方法、电子器件的制造方法 | |
JP5473793B2 (ja) | プロキシミティ露光装置、及びプロキシミティ露光装置のギャップ制御方法 | |
CN114107937B (zh) | 对准装置及对准方法、以及成膜装置及成膜方法 | |
JP2022093003A (ja) | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 | |
JP2001007043A (ja) | 矩形ビーム用マスクアライメント方法 | |
JP4048481B2 (ja) | 電子ビーム近接露光方法 | |
CN114540758B (zh) | 对准方法、成膜方法及电子器件的制造方法 | |
WO2023210096A1 (ja) | 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 | |
JP2022083681A (ja) | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 | |
JP2022083696A (ja) | 成膜方法および成膜装置 | |
CN115831840A (zh) | 对准装置、对准方法、成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 | |
JP3538211B2 (ja) | 電子部品実装装置および電子部品実装方法 | |
KR20040016067A (ko) | 감광막 노광 방법 및 이를 이용한 노광 설비 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |