CN107256839A - 一种掩膜板及显示面板蒸镀用对位检测系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种掩膜板及显示面板蒸镀用对位检测系统，所述掩膜板包括基板；对位标记，设置于基板一侧，所述对位标记对光线的反射率大于所述基板对所述光线的反射率；反射率与反射强度成正比，通过所述基板和所述对位标记对所述光线的反射强度差异来识别所述对位标记，进而确定所述掩膜板的位置。通过上述方式，本发明所提供的实施方式能够判断出掩膜板的位置。

Description

一种掩膜板及显示面板蒸镀用对位检测系统
技术领域
本发明涉及显示面板领域，特别是涉及一种掩膜板及显示面板蒸镀用对位检测系统。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)具有自发光、轻薄、易于实现柔性显示等特点，是一种具有良好发展前景的新一代显示技术。
目前在OLED面板制程中，OLED材料的蒸镀一般采用物理气相沉积法，即将有机材料放置在真空腔体内的坩埚中加热，使有机材料升华或者气化，在玻璃基板上成膜；为了使有机材料图案化，在蒸镀的时候，需要使用掩膜板。而掩膜板和玻璃基板之间预先需要进行精确对位。
本发明的发明人在长期研究过程中发现，在现有的通过光耦合元件(Charge-Couple Device,CCD)确定玻璃基板和掩膜板位置的方法中存在以下缺点，掩膜板在长期使用过程中不可避免会出现磨损等情况，其会导致在CCD视场中无法准确判断出掩膜板的位置，进而使得掩膜板和玻璃基板出现对位故障，从而影响制程进度。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种掩膜板及显示面板蒸镀用对位检测系统，能够判断出掩膜板的位置。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种掩膜板，所述掩膜板包括基板；对位标记，设置于基板一侧，所述对位标记对光线的反射率大于所述基板对所述光线的反射率；反射率与反射强度成正比，通过所述基板和所述对位标记对所述光线的反射强度差异来识别所述对位标记，进而确定所述掩膜板的位置。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板蒸镀用对位检测系统，所述检测系统利用上述实施例中所述的掩膜板。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明所提供的掩膜板包括基板和设置在基板一侧的对位标记，对位标记对光线的反射率大于基板对光线的反射率，由于反射率和反射强度具有正比关系，通过基板和对位标记在同一视场中对光线的反射强度差异可以识别出对位标记，进而可以确定出掩膜板的位置；
另一方面，在显示面板制程过程中，玻璃基板上的对准标记对光线的反射率大于掩膜板的基板对光线的反射率，通过图像采集装置同时捕捉掩膜板和玻璃基板对光线的反射图像，通过对位标记和对准标记的相对位置是否在阈值范围内，来判定掩膜板和玻璃基板是否对位准确，保证掩膜板与玻璃基板的对位精准度，从而提高显示面板制程的进度。
附图说明
图1是本发明掩膜板一实施方式的结构示意图；
图2是本发明显示面板蒸镀用对位检测系统一实施方式的结构示意图；
图3是图2中图像采集装置捕捉到的反射图像示意图。
具体实施方式
请参阅图1，图1为本发明掩膜板一实施方式的结构示意图，该掩膜板10包括：
基板100，其材质一般为金属，例如不锈钢；其厚度可根据实际情况进行设计，可设计成0.03mm-1mm，例如0.03mm、0.08mm、0.1mm、0.5mm、1mm等；基板100对光线的反射率为20％-40％，如20％、30％、40％等；
对位标记102，设置于基板100一侧，一般而言，基板100的中间部分具有掩膜图形(图未示)，为不影响掩膜板10在制程中的正常使用，对位标记102一般设置在基板100的非掩膜图形区域，如基板100的四周边缘附近；在一个应用场景中，掩膜板10在出厂时在非掩膜图形区域会设置对位孔104，其个数至少为一，本实施例中的对位标记102可以位于任一对位孔104的外围，如图1所示，对位标记102为设置在对位孔104外围的圆环，圆环的宽度为50μm-200μm，例如50μm、100μm、150μm、200μm；当然在其他实施例中，对位标记102也可设置在基板100非掩膜区域的其他位置，其形状也可为其他，如方形、椭圆、星型等。上述任一实施例中的对位标记102对光线的反射率大于基板100对光线的反射率，在一个应用场景中，对位标记102对光线的反射率为75％-90％，例如75％、80％、85％、90％等；上述对位标记102一般为通过真空蒸镀或者磁控溅射方式制备的100nm-1000nm金属膜，厚度可以是100nm、400nm、600nm、800nm、1000nm等，金属膜的材质可以是银膜或者铝膜等。
从上述实施例的描述可知，对位标记102对光线的反射率大于基板100对光线的反射率，反射率与反射强度成正比，即对于同一强度的入射光线，分别经基板100和对位标记102反射后，基板100的反射光线的强度小于对位标记102的反射光线的强度，通过反射光线的反射强度差异即可来识别对位标记102并确定对位标记102的位置，由于对位标记102与掩膜板10具有相对位置关系，从而可以确定掩膜板10的位置；具体地，可借助外部装置捕获基板100和对位标记102的反射光线所呈现的图像，反射强度越大的区域在所捕获的图像中越明亮，通过基板100和对位标记102的反射图像的明亮差异可以快速、准确的确认对位标记102的位置，从而可以确定掩膜板10的位置。
请参阅图2，图2为本发明显示面板蒸镀用对位检测系统一实施方式的结构示意图，显示面板在利用掩膜板进行蒸镀有机材料之前，均需对掩膜板和显示面板的玻璃基板的位置进行检测，以保证掩膜板和玻璃基板精确对位。
该显示面板蒸镀用对位检测系统2包括：
掩膜板20，该掩膜板20包括基板200及在基板200一侧设置的对位标记202，在本实施例中，对位标记202设置在掩膜板20的对位孔204外围，在其他实施例中也可在其他位置，另外关于掩膜板20的其他信息与上述实施例中相同，在此不再赘述；
玻璃基板22，该玻璃基板22是显示面板的衬底基板，在其他实施例中，该衬底基板也可以是塑料、蓝宝石等其他材质，玻璃基板22对光线的反射可基本忽略，即光线可直接透过玻璃基板22；在本实施例中，玻璃基板22包括对准标记220，对准标记220设置在玻璃基板22背向掩膜板20的对位标记202一侧，对准标记220在玻璃基板22上的位置可以在任意玻璃基板22的非显示区域设置，一般在玻璃基板22的四周边缘附近，其形状也可以根据实际情况进行修改，如圆形、方形、星型、十字形等；另外，对准标记220对光线的反射率大于掩膜板20的基板200对光线的反射率，在一个应用场景中，上述对准标记220的反射率为75％-90％，如75％、85％、90％等，其材质可以为铝或者银等具有高反射率的薄膜；
光源24，位于对位标记202一侧，用于产生光线，在一个实施例中，光源24为CCD系统光源；光线的入射方向朝向对位标记202；在一个应用场景中，为使对位检测结果更为准确，光源24的入射光M1的入射方向与玻璃基板22和掩膜板20耦接的一面垂直，即与对位标记202垂直；
图像采集装置26，用于捕获掩膜板20和玻璃基板22的反射图像；
下面将详细介绍该图像采集装置26的工作过程。
首先判断对位标记202与对准标记220的位置；具体地，在一个应用场景中，上述图像采集装置26为CCD相机，用于接收反射光并进行成像，其成像原理为反射光的强度越大，其在CCD相机成像图案中亮度越大；假设在本实施例中玻璃基板22对入射光线M1的反射可基本忽略不计，掩膜板20的对位孔204为通孔，即入射光线M1可直接通过该对位孔204，该检测系统中的反射光主要有基板200的反射光R1、对位标记202的反射光R2以及对准标记220的反射光R3；由于对位标记202和对准标记220的反射率大于基板200的反射率，对于同一强度的入射光M1，其反射光的强度R2＞R1，R3＞R1，因此通过CCD相机接收上述检测系统的反射光后，所呈现的图像如图3所示，基板200的反射光线R1在CCD相机中成像区域200'的亮度低于对位标记202的反射光线R2成像区域202'的亮度，通过基板200和对位标记202的反射强度差异即区域亮度差异来识别并确认对位标记202的位置；基板200的反射光线R1在CCD相机中成像区域200'的亮度低于对准标记220的反射光线R3成像区域220'的亮度，通过基板200与对准标记220的反射强度差异即区域亮度差异来识别并确认对准标记220；另外，由于本实施例中对位标记202设置在对位孔204的外围，而对位孔204又是个通孔，对位孔204在CCD相机中的成像为一黑色区域204'，进而可以进一步快速、准确的判断出对位标记202的位置；
其次，判断对位标记202与对准标记220的相对位置是否在预定范围内；具体地，可分别在对位标记202或对准标记220上取特征点，通过特征点计算出对位标记202和对准标记220的中心点位置，判断两者的中心点位置是否在阈值范围内，在一个应用场景中，假设精确对准时对位标记202和对准标记220中心点位置的距离为X，阈值范围可以是(1±0.2)X，若对位标记202和对准标记220的中心点位置在阈值范围内，则判断掩膜板20和玻璃基板22对位准确；否则，判断对位不准确，且需移动玻璃基板22或掩膜板20的位置，并再次检测判断掩膜板20与玻璃基板22是否对位准确。
总而言之，区别于现有技术的情况，本发明所提供的掩膜板包括基板和设置在基板一侧的对位标记，对位标记对光线的反射率大于基板对光线的反射率，由于反射率和反射强度具有正比关系，通过基板和对位标记在同一视场中对光线的反射强度差异可以识别出对位标记，进而可以确定出掩膜板的位置；
另一方面，在显示面板制程过程中，玻璃基板上的对准标记对光线的反射率大于掩膜板的基板对光线的反射率，通过图像采集装置同时捕捉掩膜板和玻璃基板对光线的反射图像，通过对位标记和对准标记的相对位置是否在阈值范围内，来判定掩膜板和玻璃基板是否对位准确，保证掩膜板与玻璃基板的对位精准度，从而提高显示面板制程的进度。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种掩膜板，其特征在于，包括：
基板；
对位标记，设置于基板一侧，所述对位标记对光线的反射率大于所述基板对所述光线的反射率；反射率与反射强度成正比，通过所述基板和所述对位标记对所述光线的反射强度差异来识别所述对位标记，进而确定所述掩膜板的位置。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，
所述对位标记对所述光线的反射率为75％-90％；所述基板对所述光线的反射率为20％-40％。
3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，
所述对位标记为在所述基板一侧通过真空蒸镀或者磁控溅射方式制备的金属膜。
4.根据权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，
所述金属膜为银膜或者铝膜。
5.根据权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，
所述金属膜的厚度为100nm-1000nm。
6.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，
所述掩膜板进一步包括对位孔；所述对位标记位于所述对位孔外围。
7.根据权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，
所述对位标记为一圆环，所述圆环的宽度为50μm-200μm。
8.一种显示面板蒸镀用对位检测系统，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的掩膜板。
9.根据权利要求8所述的检测系统，其特征在于，进一步包括：
玻璃基板，包括对准标记，所述对准标记设置在所述玻璃基板背向所述掩膜板的所述对位标记一侧，所述对准标记对所述光线的反射率大于所述掩膜板的基板对所述光线的反射率；
光源，位于所述对位标记一侧，用于产生所述光线，所述光线的入射方向朝向所述对位标记；
图像采集装置，用于捕获所述掩膜板和所述玻璃基板的反射图像，通过所述基板和所述对位标记的反射强度差异来识别所述对位标记；通过所述基板与所述对准标记的反射强度差异来识别所述对准标记；判断所述对位标记与所述对准标记的相对位置是否在预定范围内，若是则判断得出所述掩膜板与所述玻璃基板对位准确。
10.根据权利要求9所述的检测系统，其特征在于，
所述对准标记的反射率为75％-90％。
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