CN111270200A - 一种蒸镀设备及对位方法 - Google Patents

一种蒸镀设备及对位方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111270200A
CN111270200A CN201811481249.3A CN201811481249A CN111270200A CN 111270200 A CN111270200 A CN 111270200A CN 201811481249 A CN201811481249 A CN 201811481249A CN 111270200 A CN111270200 A CN 111270200A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
evaporation
substrate
evaporated
alignment mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811481249.3A
Other languages
English (en)
Inventor
丁熙荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Sineva Intelligent Machine Co Ltd
Original Assignee
Hefei Sineva Intelligent Machine Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Sineva Intelligent Machine Co Ltd filed Critical Hefei Sineva Intelligent Machine Co Ltd
Priority to CN201811481249.3A priority Critical patent/CN111270200A/zh
Publication of CN111270200A publication Critical patent/CN111270200A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process

Abstract

本发明公开了一种蒸镀设备及对位方法，通过在蒸镀腔室中增加光调节结构，在图像采集结构中的光源向蒸镀腔室发射光线时，光调节结构可以改变光线的传播方向，使得光线可以照射到掩模版的对位标识所在区域，如此，就可以观察到掩模版的对位标识与待蒸镀基板的对位标识是否对位准确，从而在待蒸镀基板为非透明基板时依然可以实现掩模版与待蒸镀基板的对位，有利于提高镀膜工艺的精确度。

Description

一种蒸镀设备及对位方法
技术领域
本发明涉及蒸镀技术领域，尤其涉及一种蒸镀设备及对位方法。
背景技术
在制作半导体以及有机发光装置时，镀膜工艺是非常重要的，目前常用的镀膜方法包括热蒸发、磁控溅射、以及化学气相沉积等，其中，热蒸发多用于制作有机发光显示装置中的有机发光层。
在实际的操作中，为了能够在待蒸镀基板上制作图案，在蒸镀过程中往往使用掩模版，即掩模版遮挡的地方不会成膜，掩模版未遮挡的地方则会成膜，从而形成所需图案。其中，掩模版与待蒸镀基板的对位是否准确，严重影响着制作的图案是否满足要求。并且，在待蒸镀基板为非透明基板时，在确定掩模版与待蒸镀基板之间是否对位准确方面，存在着较大的困难。
那么，如何确定掩模版与非透明待蒸镀基板之间的对位是否准确，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种蒸镀设备及对位方法，用以实现掩模版与非透明待蒸镀基板之间的对位。
第一方面，本发明实施例提供了一种蒸镀设备，包括蒸镀腔室、以及位于所述蒸镀腔室外部的图像采集结构；所述图像采集结构包括用于向所述蒸镀腔室发射光线的光源、以及图像接收单元；所述蒸镀设备还包括：位于所述蒸镀腔室内部且可移动的光调节结构；
所述光调节结构，靠近掩模版远离待蒸镀基板的一侧表面设置，用于调节所述光源发射出的光线的传播方向以照射至所述掩模版的对位标识所在区域，以及调节从所述掩模版的对位标识所在区域反射出的光线的传播方向以入射至所述图像接收单元；
其中，所述待蒸镀基板为非透明基板。
如此，通过光调节结构可以改变光线的传播方向，使得光线可以照射到掩模版的对位标识所在区域，如此，就可以观察到掩模版的对位标识与待蒸镀基板的对位标识是否对位准确，从而在待蒸镀基板为非透明基板时依然可以实现掩模版与待蒸镀基板的对位，有利于提高镀膜工艺的精确度。
可选地，所述光调节结构包括至少一个棱镜；
或，所述光调节结构包括至少一个平面镜。
如此，可以通过简单的结构，即可实现光调节结构的功能，在提高对位精确度的同时，还有利于降低制作成本。
可选地，所述光调节结构设置有多个；
所述图像采集结构设置有至少一个。
如此，可以根据实际需要设置光调节结构，以及图像采集结构的数量，大大提高了设计的灵活性。
可选地，所述图像采集结构设置有多个；
所述图像采集结构与所述光调节结构的设置数量相等。
可选地，所述图像采集结构与所述光调节结构的设置数量均为2至6个。
可选地，所述图像采集结构设置有一个；
所述图像采集结构可移动。
可选地，所述蒸镀设备还包括蒸发源，所述光调节结构位于所述掩模版与所述蒸发源之间；
所述光调节结构包括保护壳，所述保护壳设置在所述光调节结构靠近所述蒸发源的一侧。
如此，有利于对光调节结构进行保护，避免污染。
可选地，所述蒸镀设备还包括：位于所述蒸镀腔室内部的移动控制结构和移动结构；
所述移动结构的一端与所述移动控制结构连接，另一端与所述光调节结构连接，用于在所述移动控制结构的控制下，控制所述光调节结构的移动距离和移动方向。
如此，可以实现光调节结构的移动功能，以使光源发射出的光线经过折射或反射后可以照射至掩模版的对位标识所在区域，以及掩模版的对位标识所在区域反射出的光线经过折射或反射后可以入射至图像接收单元。
可选地，所述图像采集结构设置于所述蒸镀腔室外部且靠近所述待蒸镀基板的一侧。
如此，可以提高对位的精确度。
第二方面，本发明实施例提供了一种对位方法，采用如本发明实施例提供的上述蒸镀设备实现，所述方法包括：
调整光调节结构的位置，以使图像采集结构中光源发射的光线折射或反射到掩模版的对位标识所在区域；
调整所述掩模版或待蒸镀基板的位置；
通过所述图像采集结构中的图像接收单元，确定所述掩模版的对位标识与所述待蒸镀基板的对位标识是否对位准确；
若否，则继续调整所述掩模版或所述待蒸镀基板的位置。
可选地，还包括：
在确定所述掩模版的对位标识与待蒸镀基板的对位标识对位准确，则移动所述光调节结构远离所述掩模版。
如此，可以有利于实现对光调节结构的保护，以及避免对蒸镀过程产生影响。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的一种蒸镀设备及对位方法，通过在蒸镀腔室中增加光调节结构，在图像采集结构中的光源向蒸镀腔室发射光线时，光调节结构可以改变光线的传播方向，使得光线可以照射到掩模版的对位标识所在区域，如此，就可以观察到掩模版的对位标识与待蒸镀基板的对位标识是否对位准确，从而在待蒸镀基板为非透明基板时依然可以实现掩模版与待蒸镀基板的对位，有利于提高镀膜工艺的精确度。
附图说明
图1为现有技术中的蒸镀设备的结构示意图；
图2为本发明实施例中提供的蒸镀设备的结构示意图之一；
图3为本发明实施例中提供的蒸镀设备的结构示意图之二；
图4为本发明实施例中提供的蒸镀设备的结构示意图之三；
图5为本发明实施例中提供的蒸镀设备的局部放大结构示意图之一；
图6为本发明实施例中提供的蒸镀设备的局部放大结构示意图之二；
图7为本发明实施例中提供的蒸镀设备的局部放大结构示意图之三；
图8为本发明实施例中提供的蒸镀设备的局部放大结构示意图之四；
图9为本发明实施例中提供的对位方法的流程图。
蒸镀腔室-10，图像采集结构-20，光源-21，图像接收单元-22，掩模版-30，待蒸镀基板-40，光调节结构-50，蒸发源-60，移动控制结构-70，移动结构-80，掩模版上的对位标识-B，待蒸镀基板上的对位标识-A，出光口和入光口-K，保护壳-m，棱镜-P，平面镜-Z。
具体实施方式
下面将结合附图，对本发明实施例提供的一种蒸镀设备及对位方法的具体实施方式进行详细地说明。需要说明的是，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
发明人在研究中发现，在目前的蒸镀设备中，在确定掩模版30的对位标识与待蒸镀基板40的对位标识是否对位准确时，一般可以通过设置在蒸镀腔室10外部的图像采集结构20(如摄像头)来实现。
具体参见图1所示的蒸镀设备，图像采集结构20位于蒸镀腔室10外部且靠近待蒸镀基板40的一侧(如蒸镀腔室10的顶部)，掩模版30设置在蒸发源60与待蒸镀基板40之间，掩模版30上设置有对位标识B(如对位孔)，待蒸镀基板40上也设置有对位标识A，该对位标识可以设置在待蒸镀基板40远离掩模版30的一侧的表面。在待蒸镀基板40为透明基板(如玻璃)时，图像采集结构20中的光源21向蒸镀腔室10发射光线，因待蒸镀基板40为透明基板，所以光线可以透过待蒸镀基板40而照射到掩模版30上；然后通过图像采集结构20中的图像接收单元22，可以观察到待蒸镀基板40的对位标识A与掩模版30的对位标识B是否对位准确。
然而，上述蒸镀设备只适用于待蒸镀基板40为透明基板的情况，若待蒸镀基板40为非透明基板时，图像采集结构20中的光源21发射的光线并不能透过待蒸镀基板40，所以图像采集结构20中的图像接收单元22无法观察到掩模版30上的对位标识B在何处，所以无法完成掩模版30与待蒸镀基板40的对位。
此外，若将图像采集结构20设置在蒸镀腔室10的内部时，如设置在掩模版30与蒸发源60之间的区域，那么光源21发射的光线可以照射到掩模版30上，此时若将待蒸镀基板40上的对位标识A设置在靠近掩模版30的一侧的表面时(未给出图示)，则可以确定掩模版30上的对位标识B与待蒸镀基板40上的对位标识A是否对位准确。
然而，该种结构设置不仅会对蒸镀腔室10造成污染而导致蒸镀腔室10的真空度达不到要求，还会对图像采集结构20造成污染，还有可能发生从蒸发源60到待蒸镀基板40的蒸镀路径上的干涉。
基于此，本发明实施例提供了一种蒸镀设备，用以实现在待蒸镀基板40为非透明基板时，依然可以确定掩模版30与待蒸镀基板40是否对位准确，从而完成对位工作。
具体地，本发明实施例提供的一种蒸镀设备，如图2至图4所示，可以包括蒸镀腔室10、以及位于蒸镀腔室10外部的图像采集结构20；图像采集结构20包括用于向蒸镀腔室10发射光线的光源21、以及图像接收单元22；
蒸镀设备还可以包括：位于蒸镀腔室10内部且可移动的光调节结构50，该光调节结构50靠近掩模版30远离待蒸镀基板40的一侧表面(如图2至图4掩模版30的下表面)设置；待蒸镀基板40为非透明基板；
光调节结构50，用于调节光源21发射出的光线的传播方向以照射至掩模版30的对位标识B所在区域，以及调节从掩模版30的对位标识B所在区域反射出的光线的传播方向以入射至图像接收单元22。
如此，通过在蒸镀腔室10中增加光调节结构50，在图像采集结构20中的光源21向蒸镀腔室10发射光线时，光调节结构50可以改变光线的传播方向，使得光线可以照射到掩模版30的对位标识B所在区域，并且，掩模版30的对位标识B所在区域可以将光线反射至光调节结构50中，再经过光调节结构50入射至图像接收单元22中，如此，就可以观察到掩模版30的对位标识(如图2至图4中的B)与待蒸镀基板40的对位标识(如图2至图4中的A)是否对位准确，从而在待蒸镀基板40为非透明基板时依然可以实现掩模版30与待蒸镀基板40的对位，有利于提高镀膜工艺的精确度。
需要指出的是，光调节结构50与掩模版30之间的距离设置的越小越好，如此可以更好地保证掩模版30与待蒸镀基板40的对位准确。因此，对于光调节结构50与掩模版30之间的距离可以设置为不大于预设距离(如H0)，且该预设距离(如H0)可以根据实际需要确定。例如，如图2所示的结构中，光调节结构50与掩模版30之间的距离为H0。
在具体实施时，为了能够实现光调节结构50的作用，调节光线的传播方向，在本发明实施例中，如图5和图6所示的蒸镀设备的局部结构示意图，光调节结构50可以包括至少一个棱镜P；例如，图5中示出光调节结构50包括一个棱镜P，图6中示出光调节结构50包括2个棱镜P，当然，光调节结构50还可以包括3个棱镜P或是更多棱镜P(未给出图示)，在此并不限定。并且，本发明实施例并未对棱镜P的折射率进行限定，只要能够通过棱镜P将光源21发生的光线折射至掩模版30的对位标识B所在区域即可。
或者，如图7和图8所示，光调节结构50可以包括至少一个平面镜Z；如图7所示，光调节结构50包括一个平面镜Z，如图8所示，光调节结构50包括两个平面镜Z；当然，光调节结构50还可以包括3个平面镜Z或是更多个平面镜Z(未给出图示)，在此并不限定。并且，如图8所示，在光调节结构50包括两个平面镜Z时，两个平面镜Z之间的设置距离并不限定，可以根据光调节结构50的尺寸进行设置。
需要说明的是，在光调节结构50包括多个平面镜或多个棱镜时，光调节结构50中还可以包括用于传输光线的光传输介质(如图6两个棱镜之间稀疏的黑点填充的区域，以及图8中两个平面镜之间稀疏的黑点填充的区域)，以使从平面镜或棱镜出射的光线经过光传输介质后到达另一平面镜或棱镜。
又或者，光调节结构50还可以是本领域技术人员所熟知的其他能够调节光线传播方向的结构，在此并不限定。
在具体实施时，在蒸镀过程之前的对位过程中，首先需要将光调节结构50调整至掩模版30的对位标识B所在区域，然后通过调节光线的传播方向，通过图像采集结构20中的图像接收单元22，可以观察到掩模版30的对位标识B与待蒸镀基板40的对位标识A是否对位准确。因此，在本发明实施例中，光调节结构50需要为可移动的结构，且沿着平行于掩模版30表面的方向移动，即沿着水平方向移动。
需要指出的是，在设置掩模版30的对位标识B时，由于对位标识B需要占用一定的区域，所以在将对位标识B设置在掩模版30的中间区域时，可能会对掩模版30的图案设置产生影响；并且，在设置待蒸镀基板40的对位标识A时，也会占用待蒸镀基板40上一定的区域，若将对位标识A设置在待蒸镀基板40的中间区域时，同样会占用待蒸镀基板40的中间区域，从而会减少蒸镀的有效范围。因此，可以将对位标识设置在边缘区域，即将掩模版30上的对位标识B设置在边缘区域，将待蒸镀基板40上的对位标识A设置在边缘区域(如图2至图4所示)，以增加待蒸镀基板40上的有效蒸镀范围，以及减少对掩模版30的图案的影响。
基于此，光调节结构50只需要能够移动至掩模版30的对位标识B附近即可，所以可以将光调节结构50的可移动距离设置为不大于150毫米。
可选地，在本发明实施例中，光调节结构50的可移动距离不大于100毫米，如此可以快速地将光调节结构50移动至所需位置，提高对位的效率。
在实际情况下，在掩模版30上仅设置一个对位标识B，在待蒸镀基板40上仅设置一个对位标识A时，只能保证部分区域对位准确，并不能保证整个掩模版30与整个待蒸镀基板40的对位准确。所以若要保证掩模版30与待蒸镀基板40对位准确，需要在掩模版30的边缘区域设置至少两个对位标识，同理在待蒸镀基板40上的相应位置也要设置至少两个对位标识。
因此，在光调节结构50的可移动距离较大，足以从掩模版30的一端移动至另一端时，在蒸镀腔室10内可以仅设置一个光调节结构50，如图3所示。同时，图像采集结构20可以设置至少一个，若图像采集结构20为可移动结构，且移动距离足够大，足以从掩模版30的一端移动至另一端时，在蒸镀腔室10外也可以仅设置一个图像采集结构20，如图3所示，图中双向黑色填充箭头表示图像采集结构20和光调节结构50的移动方向；若图像采集结构20为不可移动的结构，那么需要根据对位标识的数量设置多个，且设置的数量与掩模版30和待蒸镀基板40上的对位标识的数量相同，如图4所示，图中双向黑色填充箭头表示光调节结构50的移动方向。
但若光调节结构50的可移动距离较小时，如前述指出的可移动距离不大于150毫米时，且掩模版30的尺寸较大时，需要设置多个光调节结构50，如图2所示。同时，图像采集结构20可以设置至少一个，若图像采集结构20为可移动结构，且移动距离足够大，足以从掩模版30的一端移动至另一端时，在蒸镀腔室10外也可以仅设置一个图像采集结构20，未给出图示；若图像采集结构20为不可移动的结构，那么需要根据对位标识的数量设置多个，且设置的数量与掩模版30和待蒸镀基板40上的对位标识的数量相同，如图2所示。
具体地，在光调节结构50设置为多个，图像采集结构20设置为多个，且图像采集结构20与光调节结构50的设置数量相等时，可以将一个光调节结构50和一个图像采集结构20看作是一组对位装置，所以此时蒸镀设备设置有多组对位装置，且对位装置的设置数量与对位标识的设置数量相同，在掩模版30上的一个对位标识和待蒸镀基板40上的一个对位标识看作是一组对位标识时，一组对位装置用于确定每一组对位标识是否对位准确。
可选地，在本发明实施例中，图像采集结构20与光调节结构50的设置数量可以均为2至6个，也就是说，可以设置2至6组对位装置，以便于最大程度地将整个掩模版30与整个待蒸镀基板40对位准确。
在具体实施时，在蒸镀过程之前的对位过程中，将光调节结构50调整至掩模版30的对位标识B所在区域，然后通过改变光线的传播方向，通过图像采集结构20可以观察到掩模版30的对位标识B与待蒸镀基板40的对位标识A是否对位准确。在对位结束后执行蒸镀过程时，即加热位于光调节结构50远离掩模版30一侧的表面的蒸发源60(如图2至图4所示)，使得蒸发源60可以沉积在待蒸镀基板40的表面，且通过掩模版30的掩模作用得到所需的图案。然而，在蒸镀过程中，如果不对光调节结构50进行保护，会使得光调节结构50受到蒸发源60的污染，从而导致对光线方向的调节产生影响。
因此，为了避免光调节结构50受到蒸发源60的污染，在本发明实施例中，如图5至图8所示的局部示意图，光调节结构50还包括保护壳m，保护壳m设置在光调节结构50靠近蒸发源60的一侧(如图5至图8中光调节结构50的下表面和侧面)，用于避免光调节结构50中的棱镜或平面镜的表面受到污染，以起到保护作用。
在具体实施时，为了实现光调节结构50的移动功能，在本发明实施例中，如图5所示，蒸镀设备还可以包括：位于蒸镀腔室10内部的移动控制结构70和移动结构80；
移动结构80的一端与移动控制结构70连接，另一端与光调节结构50连接，用于在移动控制结构70的控制下，控制光调节结构50的移动距离和移动方向，以使光源21发射出的光线经过折射或反射后可以照射至掩模版30的对位标识B所在区域，以及掩模版30的对位标识B所在区域反射出的光线经过折射或反射后可以入射至图像接收单元22。
具体地，移动结构80与光调节结构50之间需要进行物理连接，以便于移动结构80可以带动光调节结构50发生移动。并且，移动结构80可以采用机械臂、弹簧或其他结构实现，只要是能够控制光调节结构50发生移动即可，在此并不限定。
具体地，移动控制结构70可以是任何可以控制移动结构80移动的结构，从而使得移动结构80可以在移动控制结构70的控制下，控制光调节结构50发生移动，在此并不限定。
在具体实施时，图像采集结构20可以设置在蒸镀腔室10外部的任意位置，只要能够通过光调节结构50确定掩模版30的对位标识与待蒸镀基板40的对位标识是否对位准确即可。
例如，如图3所示，将图像采集结构20设置在蒸镀腔室10外部靠近蒸发源60一侧时(如图中蒸镀腔室10的底部)，光调节结构50靠近蒸发源60的一侧(如图中光调节结构50的底部)需要设置光出口和光入口(如图3中所示的K)，以便于光线可以经过光调节结构50，从而通过光调节结构50观察到掩模版30与待蒸镀基板40是否对位准确。然而，在此种结构中，在蒸镀过程中，因光调节结构50位于蒸发源60与掩模版30之间，所以蒸发源60会对光调节结构50底部的出光口和入光口产生污染，从而影响对对位标识的观察。
又例如，如图7所示，将图像采集结构20设置在蒸镀腔室10外部靠近光调节结构50一侧时(如图中蒸镀腔室10的右侧)，光调节结构50靠近图像采集结构20一侧(如图中光调节结构50的右侧)需要设置光出口和光入口(如图7中所示的K)，以便于光线可以经过光调节结构50，从而通过光调节结构50观察到掩模版30与待蒸镀基板40是否对位准确。然而，在此种结构中，在蒸镀过程中，因光调节结构50位于蒸发源60与掩模版30之间，所以蒸发源60也会对光调节结构50右侧的出光口和入光口产生污染，从而影响对对位标识的观察。
因此，可选地，在本发明实施例中，图像采集结构20可以设置于蒸镀腔室10外部且靠近待蒸镀基板40的一侧，如图2和图4所示的蒸镀腔室10的顶部，此时光调节结构50的顶部设置光出口和光入口(如K)，以便于光源21发射的光线进入光调节结构50，以及从掩模版30的对位标识B反射的光线经过光调节结构50之后可以出射到图像接收单元22。由于光出口和光入口设置在光调节结构50的顶部，而蒸发源60位于光调节结构50的底部，所以此种设置会大大降低光出口和光入口的污染几率，从而实现对光调节结构50的保护。
基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种对位方法，如图9所示，可以包括：
S901、调整光调节结构的位置，以使图像采集结构中光源发射的光线折射到掩模版的对位标识所在区域；
S902、调整掩模版或待蒸镀基板的位置；
S903、通过图像采集结构中的图像接收单元，确定掩模版的对位标识与待蒸镀基板的对位标识是否对位准确；若否，则回到步骤S902；若是，则执行步骤S904；
S904、移动光调节结构远离掩模版。
其中，在确定掩模版的对位标识与待蒸镀基板的对位标识对位准确时，则可以确定完成对位过程，之后即将要进行蒸镀过程，为了避免光调节结构对掩模版产生遮挡，影响待蒸镀基板边缘区域的镀膜效果，以及避免对蒸镀路径上的干涉效应，可以将光调节结构沿着远离掩模版的方向移动，即移动至靠近蒸镀腔室10腔壁的位置，以免对蒸镀过程产生影响。
如此，通过光调节结构调整光线的传播方向，使得光线可以照射到掩模版的对位标识所在区域，如此，就可以观察到掩模版的对位标识与待蒸镀基板的对位标识是否对位准确，从而在待蒸镀基板为非透明基板时依然可以实现掩模版与待蒸镀基板的对位，有利于提高镀膜工艺的精确度。
本发明实施例提供了一种蒸镀设备及对位方法，通过在蒸镀腔室中增加光调节结构，在图像采集结构中的光源向蒸镀腔室发射光线时，光调节结构可以改变光线的传播方向，使得光线可以照射到掩模版的对位标识所在区域，如此，就可以观察到掩模版的对位标识与待蒸镀基板的对位标识是否对位准确，从而在待蒸镀基板为非透明基板时依然可以实现掩模版与待蒸镀基板的对位，有利于提高镀膜工艺的精确度。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种蒸镀设备，包括蒸镀腔室、以及位于所述蒸镀腔室外部的图像采集结构；所述图像采集结构包括用于向所述蒸镀腔室发射光线的光源、以及图像接收单元；其特征在于，所述蒸镀设备还包括：位于所述蒸镀腔室内部且可移动的光调节结构；
所述光调节结构，靠近掩模版远离待蒸镀基板的一侧表面设置，用于调节所述光源发射出的光线的传播方向以照射至所述掩模版的对位标识所在区域，以及调节从所述掩模版的对位标识所在区域反射出的光线的传播方向以入射至所述图像接收单元；
其中，所述待蒸镀基板为非透明基板。
2.如权利要求1所述的蒸镀设备，其特征在于，所述光调节结构包括至少一个棱镜；
或，所述光调节结构包括至少一个平面镜。
3.如权利要求1所述的蒸镀设备，其特征在于，所述光调节结构设置有多个；
所述图像采集结构设置有至少一个。
4.如权利要求3所述的蒸镀设备，其特征在于，所述图像采集结构设置有多个；
所述图像采集结构与所述光调节结构的设置数量相等。
5.如权利要求4所述的蒸镀设备，其特征在于，所述图像采集结构与所述光调节结构的设置数量均为2至6个。
6.如权利要求3所述的蒸镀设备，其特征在于，所述图像采集结构设置有一个；
所述图像采集结构可移动。
7.如权利要求1所述的蒸镀设备，其特征在于，所述蒸镀设备还包括蒸发源，所述光调节结构位于所述掩模版与所述蒸发源之间；
所述光调节结构包括保护壳，所述保护壳设置在所述光调节结构靠近所述蒸发源的一侧。
8.如权利要求1所述的蒸镀设备，其特征在于，所述蒸镀设备还包括：位于所述蒸镀腔室内部的移动控制结构和移动结构；
所述移动结构的一端与所述移动控制结构连接，另一端与所述光调节结构连接，用于在所述移动控制结构的控制下，控制所述光调节结构的移动距离和移动方向。
9.如权利要求1所述的蒸镀设备，其特征在于，所述图像采集结构设置于所述蒸镀腔室外部且靠近所述待蒸镀基板的一侧。
10.一种对位方法，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的蒸镀设备实现，所述方法包括：
调整光调节结构的位置，以使图像采集结构中光源发射的光线折射或反射到掩模版的对位标识所在区域；
调整所述掩模版或待蒸镀基板的位置；
通过所述图像采集结构中的图像接收单元，确定所述掩模版的对位标识与所述待蒸镀基板的对位标识是否对位准确；
若否，则继续调整所述掩模版或所述待蒸镀基板的位置。
11.如权利要求10所述的对位方法，其特征在于，还包括：
在确定所述掩模版的对位标识与待蒸镀基板的对位标识对位准确，则移动所述光调节结构远离所述掩模版。
CN201811481249.3A 2018-12-05 2018-12-05 一种蒸镀设备及对位方法 Pending CN111270200A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811481249.3A CN111270200A (zh) 2018-12-05 2018-12-05 一种蒸镀设备及对位方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811481249.3A CN111270200A (zh) 2018-12-05 2018-12-05 一种蒸镀设备及对位方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111270200A true CN111270200A (zh) 2020-06-12

Family

ID=71000070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811481249.3A Pending CN111270200A (zh) 2018-12-05 2018-12-05 一种蒸镀设备及对位方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111270200A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113136545A (zh) * 2021-04-26 2021-07-20 睿馨（珠海）投资发展有限公司 一种对位模块及真空蒸镀装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001033976A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Nikon Corp 位置合わせ装置、位置合わせ方法および露光装置
JP2011170144A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Hitachi High-Technologies Corp フォトマスク、プロキシミティ露光装置、及びプロキシミティ露光装置のアライメントマーク検出方法
JP2013001947A (ja) * 2011-06-15 2013-01-07 Ulvac Japan Ltd アライメント装置
CN103088290A (zh) * 2011-10-28 2013-05-08 株式会社日立高新技术 掩模对准光学系统
JP2013117066A (ja) * 2011-07-07 2013-06-13 Ulvac Japan Ltd 光路形成装置並びにこれを備えた撮像装置、変位測定装置及び検出装置
CN107256839A (zh) * 2017-05-22 2017-10-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种掩膜板及显示面板蒸镀用对位检测系统
CN209522899U (zh) * 2018-12-05 2019-10-22 合肥欣奕华智能机器有限公司 一种蒸镀设备

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001033976A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Nikon Corp 位置合わせ装置、位置合わせ方法および露光装置
JP2011170144A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Hitachi High-Technologies Corp フォトマスク、プロキシミティ露光装置、及びプロキシミティ露光装置のアライメントマーク検出方法
JP2013001947A (ja) * 2011-06-15 2013-01-07 Ulvac Japan Ltd アライメント装置
JP2013117066A (ja) * 2011-07-07 2013-06-13 Ulvac Japan Ltd 光路形成装置並びにこれを備えた撮像装置、変位測定装置及び検出装置
CN103088290A (zh) * 2011-10-28 2013-05-08 株式会社日立高新技术 掩模对准光学系统
CN107256839A (zh) * 2017-05-22 2017-10-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种掩膜板及显示面板蒸镀用对位检测系统
CN209522899U (zh) * 2018-12-05 2019-10-22 合肥欣奕华智能机器有限公司 一种蒸镀设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113136545A (zh) * 2021-04-26 2021-07-20 睿馨（珠海）投资发展有限公司 一种对位模块及真空蒸镀装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102265891B1 (ko) 성막 마스크의 제조 방법 및 성막 마스크
US20090073404A1 (en) Variable slit device, illumination device, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8139199B2 (en) Exposure method, exposure apparatus, light converging pattern formation member, mask, and device manufacturing method
CN104583874A (zh) 衬底支承装置及曝光装置
JP4874384B2 (ja) 基板カバーおよびそれを用いた荷電粒子ビーム描画方法
CN107092166A (zh) 曝光系统、曝光装置及曝光方法
CN103081060B (zh) 使用了微透镜阵列的曝光装置及光学构件
US9046783B2 (en) Photomask, and pattern formation method and exposure apparatus using the photomask
JP4764237B2 (ja) 露光装置
CN104428715A (zh) 衬底处理装置及器件制造方法
CN111270200A (zh) 一种蒸镀设备及对位方法
JPWO2012067246A1 (ja) 近接露光装置及び近接露光方法
CN102597880B (zh) 曝光装置和光掩模
KR101780368B1 (ko) 포토마스크 및 그것을 사용하는 레이저 어닐링 장치 및 노광 장치
JP2002329651A (ja) 露光装置、露光装置の製造方法、及びマイクロデバイスの製造方法
JP4874876B2 (ja) 近接スキャン露光装置及びその露光方法
CN209522899U (zh) 一种蒸镀设备
CN109856924A (zh) 无掩模曝光方法和设备以及制造半导体装置的方法
JP2012058324A (ja) 近接露光用マスク及び近接露光装置ならびに近接露光方法
JP5554753B2 (ja) 露光方法及びその装置
US11149340B2 (en) Method of designing and fabricating a microlens array
KR20170026770A (ko) 레이저 결정화 장치
JP3278782B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法及び投影露光装置
JP3102077B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法及び投影露光装置
TW202008080A (zh) 微影投影設備

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 230013 Southwest District of Hefei City, Anhui Province

Applicant after: Hefei xinyihua Intelligent Machine Co.,Ltd.

Address before: 230013 Southwest District of Hefei City, Anhui Province

Applicant before: HEFEI SINEVA INTELLIGENT MACHINE Co.,Ltd.