JP2012058324A - 近接露光用マスク及び近接露光装置ならびに近接露光方法 - Google Patents
近接露光用マスク及び近接露光装置ならびに近接露光方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】近接露光装置による露光転写によって、高解像度なパターンを得る事ができる近接露光用マスク及び近接露光装置ならびに近接露光方法を提供する。
【解決手段】マスクパターンPは、主開口を有する主パターン部81と、該主パターン部81の側方に形成され、現像処理後に解像されない透過性の補助パターン部83とを備え、主パターン部81と補助パターン部83は、位相シフト膜84によって仕切られる。
【選択図】図4
【解決手段】マスクパターンPは、主開口を有する主パターン部81と、該主パターン部81の側方に形成され、現像処理後に解像されない透過性の補助パターン部83とを備え、主パターン部81と補助パターン部83は、位相シフト膜84によって仕切られる。
【選択図】図4
Description
本発明は、近接露光用マスク及び近接露光装置ならびに近接露光方法に関し、より詳細には、液晶ディスプレイ装置のTFTアレイ基板やカラーフィルタ基板の露光転写に好適な近接露光用マスク及び近接露光装置ならびに近接露光方法に関する。
近年、フラットパネルディスプレイ装置には、画素の開口率の向上のため、カラーフィルタ等においても高解像度が要求されてきている。高解像度を得る露光装置としては、ミラープロジェクション露光装置やレンズプロジェクション露光装置があるものの、装置が高価であったり、大型のパネルに対するスループットが低いという問題がある。
一方、マスクと基板とを近接対向させて露光する近接露光装置では、装置自体は比較的安価であるが、露光面での光強度分布は通常、図7に示すように、回折や干渉の影響により滑らかな曲線となる。このため、近接露光装置において、この光強度分布を、図7に示す理想の光強度分布に近づけて、高解像度化を図ることが考案されている(例えば、特許文献1及び2参照。)。特許文献1に記載のマスクでは、カラーフィルタ等のライン状のパターン(以下、「ラインパターン」とも称す。)の開口中に、開口の幅よりも狭く、現像処理後において解像されない遮光性の補助パターンを配置することにより、被露光基板上での光の強度分布を変えて、マスク開口よりも幅の細いラインパターンを作成するようにしている。また、特許文献2に記載のマスクでは、光透過部である開口領域中に、光遮光部である複数の帯状の遮光パターンを設けたフォトマスクを用いて、微細な矩形のスルホールを作成するようにしている。さらに、特許文献3に記載のマスクでは、主開口を有する主パターン部の側方に、遮光部を介して、解像されない所定本数の補助パターンを設けて、補助パターンを透過した光により、干渉の効果を変化させ、細線の形成を図っている。また、必要な露光量は、ギャップが変化してもパターンの線幅が一定となるように決定している。
しかしながら、特許文献1及び2に記載の技術による解像度は、6μm程度が限界であり、さらなる高解像度化を要する基板には不十分な場合があった。また、特許文献3に記載のような干渉効果のみを利用した場合には、大きなコントラストを得る事が難しく、さらに、露光ギャップの変化に対して、露光面強度が過敏に反応するなどの問題があった。
本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、近接露光装置による露光転写によって、高解像度なパターンを得る事ができる近接露光用マスク及び近接露光装置ならびに近接露光方法を提供することにある。
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
(1) 基板の表面にパターンを近接露光により転写するため、パターン露光用の光が透過されるマスクパターンを有する近接露光用マスクであって、位相シフト膜を有することを特徴とする近接露光用マスク。
(2) 前記マスクパターンは、主開口を有するライン状の主パターン部と、前記主パターン部の側方に形成され、現像処理後に解像されない透過性でライン状の補助パターン部とを備え、前記主パターン部と前記補助パターン部は、前記位相シフト膜によって仕切られることを特徴とする(1)に記載の近接露光用マスク。
(3) 前記主開口の線幅は、前記基板の表面に露光転写されるパターンの線幅よりも広いことを特徴とする(1)又は(2)に記載の近接露光用マスク。
(4) 前記主パターン部は、前記位相シフト膜又は遮光膜を介して互いに平行な2本の主開口を備え、
前記補助パターン部は、前記2本の主開口の外側と内側の少なくとも片側に配置されることを特徴とする(1)から(3)のいずれかに記載の近接露光用マスク。
(5) 基板を保持する基板保持部と、
前記基板と対向するように、(1)から(4)のいずれかに記載の近接露光用マスクを保持するマスク保持部と、
前記マスクに向けてパターン露光用の光を照射する照明光学系と、
を有することを特徴とする近接露光装置。
(6) 前記照明光学系は、互いに異なる各波長λをそれぞれ透過する複数のバンドパスフィルタを切り替え可能なフィルタ切替機構を有することを特徴とする(5)に記載の近接露光装置。
(7) 基板を保持する基板保持部と、前記基板と対向するように、(1)から(4)のいずれかに記載の近接露光用マスクを保持するマスク保持部と、前記マスクに向けてパターン露光用の光を照射する照明光学系と、を有する近接露光装置を用いた近接露光方法であって、
前記照明光学系が前記基板に対してパターン露光用の光を前記マスクを介して照射し、前記マスクのマスクパターンによって前記基板に前記主パターン部に対向する基板の表面にパターンを露光転写することを特徴とする近接露光方法。
(8) 前記照明光学系に切換え可能に配置された、互いに異なる各波長λをそれぞれ透過する複数のバンドパスフィルタのうちから、前記基板の感光特性に応じた前記波長λを透過する前記バンドパスフィルタを選択することを特徴とする(7)に記載の近接露光方法。
(1) 基板の表面にパターンを近接露光により転写するため、パターン露光用の光が透過されるマスクパターンを有する近接露光用マスクであって、位相シフト膜を有することを特徴とする近接露光用マスク。
(2) 前記マスクパターンは、主開口を有するライン状の主パターン部と、前記主パターン部の側方に形成され、現像処理後に解像されない透過性でライン状の補助パターン部とを備え、前記主パターン部と前記補助パターン部は、前記位相シフト膜によって仕切られることを特徴とする(1)に記載の近接露光用マスク。
(3) 前記主開口の線幅は、前記基板の表面に露光転写されるパターンの線幅よりも広いことを特徴とする(1)又は(2)に記載の近接露光用マスク。
(4) 前記主パターン部は、前記位相シフト膜又は遮光膜を介して互いに平行な2本の主開口を備え、
前記補助パターン部は、前記2本の主開口の外側と内側の少なくとも片側に配置されることを特徴とする(1)から(3)のいずれかに記載の近接露光用マスク。
(5) 基板を保持する基板保持部と、
前記基板と対向するように、(1)から(4)のいずれかに記載の近接露光用マスクを保持するマスク保持部と、
前記マスクに向けてパターン露光用の光を照射する照明光学系と、
を有することを特徴とする近接露光装置。
(6) 前記照明光学系は、互いに異なる各波長λをそれぞれ透過する複数のバンドパスフィルタを切り替え可能なフィルタ切替機構を有することを特徴とする(5)に記載の近接露光装置。
(7) 基板を保持する基板保持部と、前記基板と対向するように、(1)から(4)のいずれかに記載の近接露光用マスクを保持するマスク保持部と、前記マスクに向けてパターン露光用の光を照射する照明光学系と、を有する近接露光装置を用いた近接露光方法であって、
前記照明光学系が前記基板に対してパターン露光用の光を前記マスクを介して照射し、前記マスクのマスクパターンによって前記基板に前記主パターン部に対向する基板の表面にパターンを露光転写することを特徴とする近接露光方法。
(8) 前記照明光学系に切換え可能に配置された、互いに異なる各波長λをそれぞれ透過する複数のバンドパスフィルタのうちから、前記基板の感光特性に応じた前記波長λを透過する前記バンドパスフィルタを選択することを特徴とする(7)に記載の近接露光方法。
本発明の近接露光用マスク及び近接露光装置ならびに近接露光方法によれば、該マスクが位相シフト膜を有するので、比較的安価な近接露光装置を用いて、高解像度のパターンを基板に形成することができる。
以下、本発明に係る近接露光用マスク、近接露光装置及び近接露光方法を図面に基づいて詳細に説明する。
図1及び図2に示すように、一実施形態の分割逐次近接露光装置PEは、マスクMを保持するマスクステージ10と、ガラス基板(以下、単に「基板W」とも称する。)Wを保持する基板ステージ20と、パターン露光用の光を照射する照明光学系70と、を備えている。
なお、基板Wは、マスクMに対向配置されており、このマスクMに描かれたマスクパターンを露光転写すべく表面(マスクMの対向面側)にレジストが塗布されている。
マスクステージ10は、中央部に矩形形状の開口11aが形成されるマスクステージベース11と、マスクステージベース11の開口11aにX軸,Y軸,θ方向に移動可能に装着されるマスク保持部であるマスク保持枠12と、マスクステージベース11の上面に設けられ、マスク保持枠12をX軸,Y軸,θ方向に移動させて、マスクMの位置を調整するマスク駆動機構16と、を備える。
マスクステージベース11は、装置ベース50上に立設される支柱51、及び支柱51の上端部に設けられるZ軸移動装置52によりZ軸方向に移動可能に支持され(図2参照。)、基板ステージ20の上方に配置される。
図3に示すように、マスクステージベース11の開口11aの周縁部の上面には、平面ベアリング13が複数箇所配置されており、マスク保持枠12は、その上端外周縁部に設けられるフランジ12aを平面ベアリング13に載置している。これにより、マスク保持枠12は、マスクステージベース11の開口11aに所定のすき間を介して挿入されるので、このすき間分だけX軸,Y軸,θ方向に移動可能となる。
また、マスク保持枠12の下面には、マスクMを保持するチャック部14が間座15を介して固定されている。このチャック部14には、マスクMのマスクパターンが描かれていない周縁部を吸着するための複数の吸引ノズル14aが開設されており、マスクMは、吸引ノズル14aを介して図示しない真空式吸着装置によりチャック部14に着脱自在に保持される。また、チャック部14は、マスク保持枠12と共にマスクステージベース11に対してX軸,Y軸,θ方向に移動可能である。
マスク駆動機構16は、マスク保持枠12のX軸方向に沿う一辺に取り付けられる2台のY軸方向駆動装置16yと、マスク保持枠12のY軸方向に沿う一辺に取り付けられる1台のX軸方向駆動装置16xと、を備える。
Y軸方向駆動装置16yは、マスクステージベース11上に設置され、Y軸方向に伸縮するロッド16bを有する駆動用アクチュエータ(例えば、電動アクチュエータ等)16aと、ロッド16bの先端にピン支持機構16cを介して連結されるスライダ16dと、マスク保持枠12のX軸方向に沿う辺部に取り付けられ、スライダ16dを移動可能に取り付ける案内レール16eと、を備える。なお、X軸方向駆動装置16xも、Y軸方向駆動装置16yと同様の構成を有する。
そして、マスク駆動機構16では、1台のX軸方向駆動装置16xを駆動させることによりマスク保持枠12をX軸方向に移動させ、2台のY軸方向駆動装置16yを同等に駆動させることによりマスク保持枠12をY軸方向に移動させる。また、2台のY軸方向駆動装置16yのどちらか一方を駆動することによりマスク保持枠12をθ方向に移動(Z軸回りの回転)させる。
さらに、マスクステージベース11の上面には、図1に示すように、マスクMと基板Wとの対向面間のギャップを測定するギャップセンサ17と、チャック部14に保持されるマスクMの取り付け位置を確認するためのアライメントカメラ18と、が設けられる。これらギャップセンサ17及びアライメントカメラ18は、移動機構19を介してX軸,Y軸方向に移動可能に保持され、マスク保持枠12内に配置される。
また、マスク保持枠12上には、図1に示すように、マスクステージベース11の開口11aのX軸方向の両端部に、マスクMの両端部を必要に応じて遮蔽するアパーチャブレード38が設けられる。このアパーチャブレード38は、モータ、ボールねじ、及びリニアガイド等からなるアパーチャブレード駆動機構39によりX軸方向に移動可能とされて、マスクMの両端部の遮蔽面積を調整する。なお、アパーチャブレード38は、開口11aのX軸方向の両端部だけでなく、開口11aのY軸方向の両端部に同様に設けられている。
基板ステージ20は、図1及び図2に示すように、基板Wを保持する基板保持部21と、基板保持部21を装置ベース50に対してX軸,Y軸,Z軸方向に移動する基板駆動機構22と、を備える。基板保持部21は、図示しない真空吸着機構によって基板Wを着脱自在に保持する。基板駆動機構22は、基板保持部21の下方に、Y軸テーブル23、Y軸送り機構24、X軸テーブル25、X軸送り機構26、及びZ−チルト調整機構27と、を備える。
Y軸送り機構24は、図2に示すように、リニアガイド28と送り駆動機構29とを備えて構成され、Y軸テーブル23の裏面に取り付けられたスライダ30が、装置ベース50上に延びる2本の案内レール31に転動体(図示せず)を介して跨架されると共に、モータ32とボールねじ装置33とによってY軸テーブル23を案内レール31に沿って駆動する。
なお、X軸送り機構26もY軸送り機構24と同様の構成を有し、X軸テーブル25をY軸テーブル23に対してX方向に駆動する。また、Z−チルト調整機構27は、くさび状の移動体34,35と送り駆動機構36とを組み合わせてなる可動くさび機構をX方向の一端側に1台、他端側に2台配置することで構成される。なお、送り駆動機構29,36は、モータとボールねじ装置とを組み合わせた構成であってもよく、固定子と可動子とを有するリニアモータであってもよい。また、Z-チルト調整機構27の設置数は任意で
ある。
ある。
これにより、基板駆動機構22は、基板保持部21をX方向及びY方向に送り駆動するとともに、マスクMと基板Wとの対向面間のギャップを微調整するように、基板保持部21をZ軸方向に微動且つチルト調整する。
基板保持部21のX方向側部とY方向側部にはそれぞれバーミラー61,62が取り付けられ、また、装置ベース50のY方向端部とX方向端部には、計3台のレーザー干渉計63,64,65が設けられている。これにより、レーザー干渉計63,64,65からレーザー光をバーミラー61,62に照射し、バーミラー61,62により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光とバーミラー61,62により反射されたレーザー光との干渉を測定して基板ステージ20の位置を検出する。
図2に示すように、照明光学系70は、発光部としての超高圧水銀ランプ71と、このランプ71から発生された光に指向性をもたせて射出する反射鏡72と、を含む光源部73と、光源部73から射出された光束が入射されるインテグレータ74と、インテグレータ74の出射面から出射された光路の向きを変える平面鏡75と、コリメーションミラー76と、光源部73とインテグレータ74との間に配置されて照射された光を透過・遮断するように開閉制御する露光制御用シャッター(図示せず)と、互いに異なる各波長λ[nm]をそれぞれ透過する複数のバンドパスフィルタ77a,77bを備えたフィルタ切替機構78と、を備える。なお、ランプ71は単一のランプに限らず、複数個のランプを組み合わせたものであってもよい。また、光源部73としては、ランプ71に限らず、レーザー光であってもよい。
このような露光装置PEにおいて、図3に示すように、基板ステージ20上に載置された基板Wと、マスク保持枠12に保持された、後述するマスクパターンPを有するマスクMとが、これらの対向面間のギャップgを例えば100〜150μm程度の隙間に調整されて近接対向配置される。そして、光源部73からの露光用の光が、バンドパスフィルタ77a,77bを介してインテグレータ74で集光され、平面鏡75およびコリメーションミラー76で反射されて所定のコリメーション角を持った平面光とされてマスクMに入射する。そして、マスクMを透過した露光用の光は、基板Wの表面に塗布されたポジ型レジスト80を感光させてマスクMのマスクパターンPが基板Wに露光転写される。
ここで、本実施形態の近接露光装置PEに使用されるマスクMは、透光性基板からなり、図4に示すように、ライン状の主開口を有する主パターン部(光透過部)81と、主パターン部81の側方に透過性でライン状の補助パターン部(光透過部)83とを備え、主パターン部81と補助パターン部83とが、位相シフト膜84によって仕切られた位相シフトマスクである。なお、図4中、補助パターン部83の外側部分は、光を遮光する遮光膜(クロム膜)82である。
補助パターン部83は、現像処理後によって解像されない開口であり、主パターン部81の中心Oに対して両側側方に対称に配置される。なお、補助パターン部83は、主パターン部81の中心Oに対して両側側方にそれぞれ複数対称に配置されてもよい。
また、位相シフト膜84は、通過する光の位相を180°ずらすことにより、光の干渉で劣化していた解像度を改善することができる。また、位相シフト膜84の厚さd[nm]は、基板Wに照射される光の波長をλ[nm]、位相シフト膜84の屈折率をnとしたとき、d=λ/2(n−1)で与えられるようにすることで、180°の位相差が与えられる。位相シフト膜84は、位相シフト量に応じて干渉度合いを変更することも可能である。さらに、位相シフト膜84での透過量を変えても干渉度合いを変える事が可能である。
主パターン部81の線幅Aは、15μm以下であり、基板Wの表面に露光転写されるパターンの線幅よりも広く設定されている。また、位相シフト膜84の幅Bは、主パターン部81の線幅Aの2/3以下に設定され、補助パターン部83の線幅Cは、位相シフト膜の幅Bの2/3以下に設定される。なお、マスクパターンPの主パターン部81と補助パターン部83の各線幅A,C及び位相シフト膜84の幅Bは、基板Wに照射される光の強度を計算によって求め、各マスクパターンによって得られるライン幅方向の強度分布をシミュレーションによって計算し、現像処理後に得られる基板上のパターンの線幅や細線解像に必要なコントラストが得られているかどうかによって決定される。
さらに、位相シフト膜84を有するマスクMは、位相シフトによる解像度を向上させるため、膜厚dとの関係で、透過させる光の波長λが予め決まっていることから、基板Wの感光特性に応じた波長と対応付けられている。また、照明光学系70では、切換え可能に配置された複数のバンドパスフィルタ77a,77bのうちから、基板Wの感光特性に応じた波長λを透過するバンドパスフィルタ77a,77bを選択する。そして、バンドパスフィルタ77a,77bを透過した波長の光をマスクMを介して照射し、マスクMのマスクパターンによって主パターン部81に対向する基板Wの表面にライン状のパターン85が形成される。
また、マスクMは、マスクパターンPが形成されていないマスクMの周縁部がチャック部14に吸着されて保持されるので、マスクMの自重によって撓みが生じ、マスクMと基板Wとの対向面間のギャップgは、マスクMの中心付近で小さく、周縁部で大きくなる傾向があり、マスクMの各位置でのギャップgが変化することで得られる強度分布が異なる。
このため、現像処理後にレジストがパターンを形成するために必要な露光量(エネルギー量)は、ギャップが異なる露光領域における各位置で基板上に形成されるパターンの線幅が略一定となるように決定される。従って、エネルギー量は、基板Wに塗布されたレジストの感度、及び基板WとマスクMとの対向面間とのギャップとを考慮して、基板W上に形成されるパターンの線幅が所望の幅となるように決定される。
なお、マスクMのマスクパターンPは、上述した形状に限定されるものでなく、主パターン部が、位相シフト膜又は遮光膜を介して互いに平行な2本の主開口を備え、補助パターン部が、2本の主開口の外側と内側の少なくとも片側に配置されてもよい。例えば、図5に示すように、主パターン部81は、位相シフト膜84を介して互いに平行な2本の主開口81a,81aを備え、補助パターン部83は、位相シフト膜84を介して2本の主開口81a,81aの外側に配置される。また、補助パターン部83は、2本の主開口81a,81a間の中心Oに対して対称に配置されている。
次に、近接露光装置によるフォトリソグラフィー法で基板W上に作成されるラインパターンの解像度について、一般的なマスクパターンを有するマスクと、本発明のマスクパターンを有する位相シフトマスクと、を用いた場合についてシミュレーションを行った。一般的なマスクパターンとしては、6μmの線幅の主パターン部のみを設けたラインパターンであり、本発明の位相シフトマスクとしては、12μmの線幅Aの主パターン部、4μmの線幅Bの位相シフト膜、1μmの線幅Cの補助パターン部を設けたラインパターンである。
この結果、本発明の位相シフトマスクを用いることで、補助パターン部83と位相シフト膜84によって、理想の強度分布に近い、大きなコントラストを得る事ができ、干渉により劣化した解像度を大幅に改善されることがわかる。
尚、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。
本発明のマスクは、位相シフト膜を有する構成であればよく、マスクパターンが補助パターン部を有しない構成であってもよい。
本発明の近接露光用マスク、近接露光装置及び近接露光方法は、TFTアレイ基板の作成に適用されてもよく、また、カラーフィルタ基板の作成にも適用可能である。
本発明のマスクは、位相シフト膜を有する構成であればよく、マスクパターンが補助パターン部を有しない構成であってもよい。
本発明の近接露光用マスク、近接露光装置及び近接露光方法は、TFTアレイ基板の作成に適用されてもよく、また、カラーフィルタ基板の作成にも適用可能である。
また、上記実施形態では、本発明のマスクを近接露光装置に適用した例について説明したが、これに限定されず、近接スキャン露光装置にも同様に適用することができ、同様の効果を奏する。近接スキャン露光装置は、マスクMに近接して浮上・支持されながら、所定方向に搬送される略矩形状の基板Wに対して、マスクパターンを形成した複数のマスクMを介して露光用の光を照射し、基板Wにマスクパターンを露光転写するものであり、基板Wが複数のマスクMに対して相対移動しながら露光転写が行われるスキャン露光方式を採用している。
12 マスク保持枠(マスク保持部)
21 基板保持部
70 照明光学系
80 ポジ型レジスト
81 主開口(主パターン部)
82 遮光膜
83 副開口(補助パターン部)
84 位相シフト膜
g マスクと基板との対向面間のギャップ
M マスク
PE 分割逐次近接露光装置(近接露光装置)
W ガラス基板(基板)
21 基板保持部
70 照明光学系
80 ポジ型レジスト
81 主開口(主パターン部)
82 遮光膜
83 副開口(補助パターン部)
84 位相シフト膜
g マスクと基板との対向面間のギャップ
M マスク
PE 分割逐次近接露光装置(近接露光装置)
W ガラス基板(基板)
Claims (8)
- 基板の表面にパターンを近接露光により転写するため、パターン露光用の光が透過されるマスクパターンを有する近接露光用マスクであって、位相シフト膜を有することを特徴とする近接露光用マスク。
- 前記マスクパターンは、主開口を有するライン状の主パターン部と、前記主パターン部の側方に形成され、現像処理後に解像されない透過性でライン状の補助パターン部とを備え、前記主パターン部と前記補助パターン部は、前記位相シフト膜によって仕切られることを特徴とする請求項1に記載の近接露光用マスク。
- 前記主開口の線幅は、前記基板の表面に露光転写されるパターンの線幅よりも広いことを特徴とする請求項1又は2に記載の近接露光用マスク。
- 前記主パターン部は、前記位相シフト膜又は遮光膜を介して互いに平行な2本の主開口を備え、
前記補助パターン部は、前記2本の主開口の外側と内側の少なくとも片側に配置されることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の近接露光用マスク。 - 基板を保持する基板保持部と、
前記基板と対向するように、請求項1から4のいずれか1項に記載の近接露光用マスクを保持するマスク保持部と、
前記マスクに向けてパターン露光用の光を照射する照明光学系と、
を有することを特徴とする近接露光装置。 - 前記照明光学系は、互いに異なる各波長λをそれぞれ透過する複数のバンドパスフィルタを切り替え可能なフィルタ切替機構を有することを特徴とする請求項5に記載の近接露光装置。
- 基板を保持する基板保持部と、前記基板と対向するように、請求項1から4のいずれか1項に記載の近接露光用マスクを保持するマスク保持部と、前記マスクに向けてパターン露光用の光を照射する照明光学系と、を有する近接露光装置を用いた近接露光方法であって、
前記照明光学系が前記基板に対してパターン露光用の光を前記マスクを介して照射し、前記マスクのマスクパターンによって前記基板に前記主パターン部に対向する基板の表面にパターンを露光転写することを特徴とする近接露光方法。 - 前記照明光学系に切換え可能に配置された、互いに異なる各波長λをそれぞれ透過する複数のバンドパスフィルタのうちから、前記基板の感光特性に応じた前記波長λを透過する前記バンドパスフィルタを選択することを特徴とする請求項7に記載の近接露光方法。
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2010
- 2010-09-06 JP JP2010199077A patent/JP2012058324A/ja active Pending
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