CN114093739A - 一种气体流量调节装置和调节方法及等离子体处理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 135
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 92
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 62
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 269
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 38
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 10
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 9
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000011165 process development Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
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Abstract
一种气体流量调节装置和调节方法及等离子体处理装置，气体流量调节装置包含气体挡板和设置在气体挡板上的多个可升降隔离组件，隔离组件对底板与安装基板之间形成的圆形气体分配区域和环形气体分配区域的面积进行动态调节，从而使圆形气体分配区域和/或环形气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率与其他区域达到一致。本发明可以适用于不同的化学气体环境和不同的气体比例，令不同的气体分配区域面积对应不同的化学气体环境和不同的气体比例，大大提高了对等离子体处理速率进行调节的灵活性、灵敏度和准确性，提高了等离子体处理速率的均匀性，且操作简单，提高了设备的适用度，缩短了工艺调试周期。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种气体流量调节装置，气体流量调节方法，及应用该气体流量调节装置的等离子体处理装置。
背景技术
随着芯片行业的日益更新，技术节点的日趋提升，对工艺和技术的精雕细琢也有着越来越高的要求，尤其是到了3nm以下，精细化工艺就日趋突出，例如工艺的均一性，即任何薄膜的沉积，刻蚀，抛光等工艺随着纳米节点的提升都需要很高的均一性。
现阶段的工艺研发过程中，在一些新的化学环境抑或是对现有的化学环境进行进一步优化时，常常面临许多困难，其一便是均一性的调节。目前有较多的方法来进行均一性的调节，其中一个方法就是通过气体挡板(gas buffer)来调节进入气体喷淋头的气体流量，气体挡板通过安装基座(mounting base)安装至气体喷淋头(showerhead)上方，气体挡板连接外部反应气体，气体挡板一般可分为多个区域，每个区域都是相互隔离的，通过调节进入每个区域的气体比例来获得不同区域的气体含量，进而改变安装基座至气体喷淋头不同区域最后至工艺腔体(chamber)的气体含量，从而来提高均一刻蚀或者沉积的效果。由于现有的气体挡板中的各个区域的位置和面积大小都是固定不变的，某一种气体挡板中的气体分区可能仅仅适用于某一种反应的化学气体，而不同的制程需要使用不同的化学反应气体，不同的化学气体具有不同的密度，同一个气体挡板无法同时满足在不同的化学气体环境下的均一性调节要求，降低了气体挡板在不同的气体，不同的气体比例，不同的化学环境中的灵敏度，不利于工艺制程的进行，降低了产品的良率。
这里的陈述仅提供与本发明有关的背景技术，而并不必然地构成现有技术。
发明内容
本发明提供一种气体流量调节装置和调节方法及等离子体处理装置，根据等离子体处理速率的变化，实现对气体挡板与安装基板之间的圆形气体分配区域和环形气体分配区域的面积进行动态调节，从而动态地调节等离子体处理装置内气体挡板中的气体腔分布，获得均匀的等离子体处理速率。
为了达到上述目的，本发明提供一种气体流量调节装置，其设置在等离子体处理装置的一真空反应腔内，所述气体流量调节装置与一外部供气装置连接，所述气体流量调节装置通过安装基板实现对气体喷淋头的不同区域的面积进行调节，所述气体流量调节装置包含：
气体挡板，包含相对设置的顶板和底板，所述底板与安装基板配合形成同心设置的圆形气体分配区域和至少一环形气体分配区域；
隔离组件，可升降地设置于所述气体挡板与安装基板之间，用于对所述圆形气体分配区域和/或所述环形气体分配区域的面积进行调节。
所述隔离组件包含至少两层同心设置的环状隔离层，升降不同的环状隔离层可以改变所述圆形气体分配区域和/或所述环形气体分配区域的面积。
一方面，所述环状隔离层包含一环状隔板，所述环状隔板为可升降活动连接。
所述环状隔离层还包含设置在所述气体挡板的顶板上的升降固定组件，所述升降固定组件连接所述环状隔板，实现所述环状隔板的升降。
所述环状隔板与所述安装基板接触的一端设置有第一密封圈，用于实现所述环状隔板与所述安装基板之间的密封。
所述环状隔板上设置有第二密封圈，所述第二密封圈位于所述气体挡板的底板上方，所述第二密封圈用于实现所述环状隔板与所述气体挡板的底板之间的密封。
所述气体挡板的底板上具有通孔，所述环状隔板降下时穿过所述通孔与所述安装基板接触。
所述通孔的形状与所述第二密封圈的形状相互契合，随着所述环状隔板下降，所述第二密封圈可以与所述通孔完全匹配贴合密封在一起，避免所述气体挡板内的气体经过所述通孔进入相邻区域。
所述气体挡板还包含连接组件，所述连接组件的一端连接所述气体挡板的顶板，所述连接组件的另一端连接所述气体挡板的底板，用以支撑所述气体挡板的底板并维持所述通孔的形状。
另一方面，所述环状隔离层包含沿圆周线间隔设置的至少两个柱状隔板，以及设置在相邻的柱状隔板之间的扇环状隔板，所述柱状隔板可升降活动连接，所述扇环状隔板固定设置。
所述环状隔离层还包含设置在所述气体挡板的顶板上的升降固定组件，所述升降固定组件连接所述柱状隔板，实现所述柱状隔板的升降。
所述柱状隔板与所述安装基板接触的一端设置有第一密封圈，用于实现所述柱状隔板与所述安装基板之间的密封。
所述柱状隔板上设置有第二密封圈，所述第二密封圈位于所述气体挡板的底板上方，所述第二密封圈用于实现所述柱状隔板与所述气体挡板的底板之间的密封。
所述柱状隔板上设置有第三密封圈，用于实现所述柱状隔板与所述扇环状隔板之间的密封。
所述气体挡板的底板上具有通孔，所述柱状隔板穿过所述通孔与所述安装基板接触。
所述通孔的形状与所述第二密封圈的形状相互契合，随着所述柱状隔板下降，所述第二密封圈可以与所述通孔完全匹配贴合密封在一起，避免所述气体挡板内的气体经过所述通孔进入相邻区域。
所述升降固定组件包含螺纹连接的螺杆和螺母，所述螺杆固定连接所述环状隔板或柱状隔板，通过螺母的旋转实现螺杆的升降，从而实现环状隔板或柱状隔板的升降。
所述螺杆上设置有波纹管，用于实现所述升降固定组件与所述气体挡板的顶板之间的密封。
所述气体挡板的底板上设置多个气体通孔，用于实现对所述圆形气体分配区域和环形气体分配区域的气体输送。
所述安装基板上设置多个气体通孔，所述气体通孔与所述气体喷淋头上的气体通孔相对应。
本发明还提供一种等离子体处理装置，包含一真空反应腔，所述真空反应腔内设置一用于支撑基片的基座，所述真空反应腔内还设置一气体喷淋头，所述气体喷淋头设置在安装基板上，所述安装基板与所述一气体流量调节装置配合，实现对所述气体喷淋头不同区域的面积进行调节。
本发明还提供一种采用所述气体流量调节装置实现的等离子体处理装置内的气体流量调节方法，选定与等离子体处理速率不均匀区域对应的圆形气体分配区域和/或环形气体分配区域的范围，通过调节所述环状隔板的升降，或通过调节所述柱状隔板的升降，实现对所述圆形气体分配区域和/或所述环形气体分配区域的面积进行动态调节，从而使该选定的圆形气体分配区域和/或环形气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率与其他区域达到一致。
所述选定的圆形气体分配区域和/或环形气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则通过调节所述环状隔板或柱状隔板上升，以增加所述圆形气体分配区域和/或所述环形气体分配区域的面积。
所述选定的圆形气体分配区域和/或环形气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则通过调节所述环状隔板或柱状隔板下降，以减少所述圆形气体分配区域和/或所述环形气体分配区域的面积。
本发明通过设置可升降的隔离组件，根据等离子体处理速率的变化，实现对气体挡板与安装基板之间的圆形气体分配区域和环形气体分配区域的面积进行动态调节，从而动态地调节等离子体处理装置内气体挡板中的气体腔分布，可以适用于不同的化学气体环境和不同的气体比例，令不同的气体分配区域面积对应不同的化学气体环境和不同的气体比例，大大提高了对等离子体处理速率进行调节的灵活性、灵敏度和准确性，提高了等离子体处理速率的均匀性，且操作简单，提高了设备的适用度，缩短了工艺调试周期。
附图说明
图1是本发明提供的一种具有气体流量调节装置的等离子体处理装置的结构示意图。
图2是气体流量调节装置的结构示意图。
图3是气体流量调节装置的俯视图。
图4是本发明一种实施例中的隔离组件的结构示意图。
图5是本发明一种实施例中的环状隔离层的俯视图。
图6是本发明一种实施例中的环状隔离层的仰视图。
图7和图8是本发明一种实施例中动态调节气体挡板中气体分配区域的面积的示意图。
图9是本发明另一种实施例中的隔离组件的结构示意图。
图10是本发明另一种实施例中的环状隔离层的俯视图。
图11是本发明另一种实施例中的环状隔离层的仰视图。
图12和图13是本发明另一种实施例中动态调节气体挡板中气体分配区域的面积的示意图。
具体实施方式
以下根据图1～图13，具体说明本发明的较佳实施例。
如图1所示，本发明提供一种等离子体处理装置，包含一真空反应腔1，所述真空反应腔1内设置一作为下电极的基座7，基座7上设置静电夹盘8，基片9设置在静电夹盘8上。所述真空反应腔1内还设置一作为上电极的气体喷淋头5，所述气体喷淋头5设置在安装基板4上，所述安装基板4上设置多个气体通孔41，所述安装基板4上的气体通孔41与所述气体喷淋头5上的气体通孔51相对应。所述真空反应腔1内还设置一气体流量调节装置3，所述气体流量调节装置3通过所述安装基板4连接所述气体喷淋头5，且所述气体流量调节装置3与一外部供气装置2连接。反应气体从所述外部供气装置2进入所述气体流量调节装置3，所述安装基板4与所述气体流量调节装置3配合，实现对所述气体喷淋头5的不同区域的面积进行调节，从而对所述气体喷淋头5的不同区域的气体流量进行调节，进入真空反应腔1的反应气体电离生成等离子体6，对基片9进行处理。
在本发明的一个实施例中，如图2和图3所示，所述气体挡板31包含相对设置的顶板32和底板33，所述底板33与所述安装基板4之间设置固定的环状结构3303，用于将安装基板4的进气面分隔形成同心设置的圆形气体分配区域301和至少一环形气体分配区域302。由于所述环状机构3303为固定结构，圆形气体分配区域301和环形气体分配区域302的面积相对固定，为了对气体喷淋头的不同气体分配区域进行更为灵活的气体流量调节，本发明提供的气体流量调节装置3包含气体挡板31和设置在所述气体挡板31上的多个隔离组件34，所述隔离组件34可升降地设置于所述气体挡板31与安装基板4之间，且所述隔离组件34可以对所述圆形气体分配区域301和/或所述环形气体分配区域302的面积进行动态调节，所述底板33上设置多个气体通孔3302，用于实现对所述圆形气体分配区域301和环形气体分配区域302的气体输送。
如图4～图6所示，所述隔离组件34包含至少两层同心设置的环状隔离层35，所述环状隔离层35包含一环状隔板3501和至少两个升降固定组件3502，所述环状隔板3501与所述顶板32和底板33为可升降活动连接，在本实施例中，设置了三层环状隔离层35，每层所述环状隔离层35上设置了六个升降固定组件3502(如图5所示)，所述升降固定组件3502包含螺纹连接的螺杆3506和螺母3507，所述螺杆3506固定连接所述环状隔板3501，通过所述螺母3507的旋转实现所述螺杆3506的升降，从而实现所述环状隔板3501的升降，所述螺杆3506上设置有波纹管3505，用于实现所述升降固定组件3502与所述气体挡板31的顶板32之间的密封。所述环状隔板3501与所述安装基板4接触的一端设置有第一密封圈3503，用于实现所述环状隔板3501与所述安装基板4之间的密封。所述环状隔板3501上设置有第二密封圈3504，所述第二密封圈3504位于所述气体挡板31的底板33上方，所述第二密封圈3504用于实现所述环状隔板3501与所述气体挡板31的底板33之间的密封。所述第一密封圈3503和所述第二密封圈3504都具有耐高温，耐腐蚀等特性。
如图4所示，为了与所述的隔离组件34相匹配，所述气体挡板31的底板33上设置有通孔3301，所述环状隔板3501降下时穿过所述通孔3301与所述安装基板4接触，所述通孔3301的形状与所述第二密封圈3504的形状相互契合，随着所述环状隔板3501下降，所述第二密封圈3504可以与所述通孔3301完全匹配贴合密封在一起，避免所述气体挡板31内的气体经过所述通孔3301进入相邻区域。由于本实施例中采用的是环状隔板3501，因此从俯视图中看，与其匹配的通孔3301也呈环状，所述底板33上存在多个环状的通孔3301会导致所述底板33被割裂为多个部分，为了防止相邻的通孔3301之间的底板33脱落，则设置连接组件36，所述连接组件36的一端连接所述气体挡板31的顶板32，所述连接组件36的另一端连接所述气体挡板31的底板33，用以支撑所述气体挡板31的底板33并维持所述通孔3301的形状。
在等离子体处理过程中，由于不同工艺中，参与反应的化学气体的种类和比例不同，气体喷淋头上不同的气体分配区域需要输送的气体流量等参数存在变化，因此需要通过升降所述隔离组件34中的所述环状隔板3501来动态调节所述气体挡板31与安装基板4之间的所述圆形气体分配区域和/或所述环形气体分配区域的面积，从而动态调节所述气体喷淋头5的不同区域的气体流量，获得均匀的等离子体处理速率。
在本实施例中，所述底板33与安装基板4之间分隔形成同心设置的一个圆形气体分配区域301和三个环形气体分配区域302，所述隔离组件34包含三层同心设置的环状隔离层35。在等离子体处理过程中，如果紧邻所述圆形气体分配区域301的环形气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则说明该区域内的反应气体密度较大，可以通过扩大该区域对应的环形气体分配区域302的面积(在高度不变的情况下，面积扩大则空间体积也随之扩大)来降低气体密度。如图7所示，可将选定的环形气体分配区域302与相邻的环形气体分配区域302之间的所有环状隔离层35中的所述环状隔板3501都升起，具体来说，通过旋转所述螺杆3506带动所述环状隔板3501上升至所述环状隔板3501与所述安装基板4之间存在间隙，利用所述螺母3507固定所述螺杆3506的当前位置。所述环状隔板3501上升的位置极限是要保证所述第一密封圈3503仍然位于所述底板33上的所述通孔3301内，此时所述第一密封圈3503与所述通孔3301密封在一起，避免所述气体挡板31内的气体经过所述通孔3301进入相邻区域。当所述环状隔离层35全部升起后，此时所述选定的环形气体分配区域302与相邻的环形气体分配区域302之间完全连通，两个相邻的环形气体分配区域302已经合并成为一个环形气体分配区域302，也即是将所述选定的环形气体分配区域302的面积扩大了，从而降低了该环形气体分配区域302内的反应气体密度，随之降低了与所述环形气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率，使该选定的环形气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率与其他区域达到一致，获得均匀的等离子体处理速率。
随着反应的化学气体的种类和比例发生了变化，图7中紧邻所述圆形气体分配区域301的环形气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率变为低于其他区域，则说明该区域内的反应气体密度较小，可以通过缩小该区域对应的环形气体分配区域302的面积来提高气体密度。如图8所示，如果选定的环形气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率与其他区域相差的较大，则需要将所述选定的环形气体分配区域302的面积缩小的多一些，所以选择将最靠近圆心一侧的环状隔离层35中的所述环状隔板3501降下，通过旋转所述螺杆3506带动所述环状隔板3501下降，直至所述第一密封圈3503与所述安装基板4压紧贴合密封，利用所述螺母3507固定所述螺杆3506的当前位置，此时所述第二密封圈3504完全嵌入所述通孔3301内，实现所述环状隔板3501与所述气体挡板31的底板33之间的密封，所述选定的环形气体分配区域302的面积缩小了，从而提高了该环形气体分配区域302内的反应气体密度，随之提高了与所述环形气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率，使该选定的环形气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率与其他区域达到一致，获得均匀的等离子体处理速率。
通过设置可升降的环状隔板，实现对气体挡板与安装基板之间的圆形气体分配区域和环形气体分配区域的面积进行动态调节，可以适用于不同的化学气体环境和不同的气体比例，令不同的气体分配区域面积对应不同的化学气体环境和不同的气体比例，大大提高了对等离子体处理速率进行调节的灵活性、灵敏度和准确性，提高了等离子体处理速率的均匀性，且操作简单，提高了设备的适用度，缩短了工艺调试周期。
在本发明的另一个实施例中，如图2和图3所示，所述气体流量调节装置3包含气体挡板31和设置在所述气体挡板31上的多个隔离组件34，所述气体挡板31包含相对设置的顶板32和底板33，所述隔离组件34可升降地设置于所述气体挡板31与安装基板4之间，所述底板33与安装基板4被所述隔离组件34分隔形成同心设置的圆形气体分配区域301和至少一环形气体分配区域302，且所述隔离组件34可以对所述圆形气体分配区域301和/或所述环形气体分配区域302的面积进行动态调节，所述底板33上设置多个气体通孔3302，用于实现对所述圆形气体分配区域301和环形气体分配区域302的气体输送。
如图9～图11所示，所述隔离组件34包含至少两层同心设置的环状隔离层35，所述环状隔离层35包含沿圆周线间隔设置的至少两个可升降的柱状隔板3508，以及固定设置在相邻的所述柱状隔板3508之间的扇环状隔板3509，所述扇环状隔板3509为固定结构，不可移动，其一直保持与所述气体挡板31和安装基板4贴合的状态，以实现不同的气体分配区域之间的隔离。所述柱状隔板3508与所述顶板32和底板33为可升降活动连接，以实现相邻气体分配区域之间的气体连通。所述环状隔离层35还包含设置在所述气体挡板31的顶板32上的至少两个升降固定组件3502，所述升降固定组件3502连接所述柱状隔板3508，实现所述柱状隔板3508的升降。在本实施例中，设置了三层环状隔离层35，每层所述环状隔离层35上设置了六个可升降的柱状隔板3508，每个所述柱状隔板3508对应连接一个所述升降固定组件3502(如图10和图11所示)，所述升降固定组件3502包含螺纹连接的螺杆3506和螺母3507，所述螺杆3506固定连接所述柱状隔板3508，通过所述螺母3507的旋转实现所述螺杆3506的升降，从而实现所述柱状隔板3508的升降，所述螺杆3506上设置有波纹管3505，用于实现所述升降固定组件3502与所述气体挡板31的顶板32之间的密封。所述柱状隔板3508与所述安装基板4接触的一端设置有第一密封圈3503，用于实现所述柱状隔板3508与所述安装基板4之间的密封。所述柱状隔板3508上设置有第二密封圈3504，所述第二密封圈3504位于所述气体挡板31的底板33上方，所述第二密封圈3504用于实现所述柱状隔板3508与所述气体挡板31的底板33之间的密封。所述第一密封圈3503和所述第二密封圈3504都具有耐高温，耐腐蚀等特性。
如图9所示，为了与所述的隔离组件34相匹配，所述气体挡板31的底板33上设置有通孔3301，所述柱状隔板3508降下时穿过所述通孔3301与所述安装基板4接触，所述通孔3301的形状与所述第二密封圈3504的形状相互契合，随着所述柱状隔板3508下降，所述第二密封圈3504可以与所述通孔3301完全匹配贴合密封在一起，避免所述气体挡板31内的气体经过所述通孔3301进入相邻区域。由于本实施例中采用的是柱状隔板3508，相应地，与其匹配的通孔3301就是形成在所述底板33上的多个相互独立的孔状结构，所述通孔3301并不会将所述底板33割裂，所以在本实施例中无需设置连接组件来支撑底板33和维持通孔3301的形状。
在等离子体处理过程中，由于反应的化学气体的种类和比例发生了变化，引起等离子体处理速率发生了不均匀，则根据等离子体处理速率的实时变化，通过升降所述隔离组件34中的所述柱状隔板3508来动态调节所述气体挡板31与安装基板4之间的所述圆形气体分配区域和/或所述环形气体分配区域的面积，从而动态调节所述气体喷淋头5的不同区域的气体流量，获得均匀的等离子体处理速率。
在本实施例中，所述底板33与安装基板4之间分隔形成同心设置的一个圆形气体分配区域301和三个环形气体分配区域302，所述隔离组件34包含三层同心设置的环状隔离层35。在等离子体处理过程中，如果紧邻所述圆形气体分配区域301的环形气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则说明该区域内的反应气体密度较大，可以通过扩大该区域对应的环形气体分配区域302的面积来降低气体密度。如图12所示，可将选定的环形气体分配区域302与相邻的环形气体分配区域302之间的所有环状隔离层35中的所述柱状隔板3508都升起，具体来说，通过旋转所述螺杆3506带动所述柱状隔板3508上升至所述柱状隔板3508与所述安装基板4之间存在间隙，利用所述螺母3507固定所述螺杆3506的当前位置。所述柱状隔板3508上升的位置极限是要保证所述第一密封圈3503仍然位于所述底板33上的所述通孔3301内，此时所述第一密封圈3503与所述通孔3301密封在一起，避免所述气体挡板31内的气体经过所述通孔3301进入相邻区域。当所述柱状隔板3508全部升起后，此时所述选定的环形气体分配区域302与相邻的环形气体分配区域302之间完全连通，也即是将所述选定的环形气体分配区域302的面积扩大了，从而降低了该环形气体分配区域302内的反应气体密度，随之降低了与所述环形气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率，使该选定的环形气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率与其他区域达到一致，获得均匀的等离子体处理速率。
随着反应的化学气体的种类和比例发生了变化，图12中紧邻所述圆形气体分配区域301的环形气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率变为低于其他区域，则说明该区域内的反应气体密度较小，可以通过缩小该区域对应的环形气体分配区域302的面积来提高气体密度。如图13所示，如果选定的环形气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率与其他区域相差的较大，则需要将所述选定的环形气体分配区域302的面积缩小的多一些，所以选择将最靠近圆心一侧的环状隔离层35中的所述柱状隔板3508降下，通过旋转所述螺杆3506带动所述柱状隔板3508下降，直至所述第一密封圈3503与所述安装基板4压紧贴合密封，利用所述螺母3507固定所述螺杆3506的当前位置，此时所述第二密封圈3504完全嵌入所述通孔3301内，实现所述柱状隔板3508与所述气体挡板31的底板33之间的密封，所述选定的环形气体分配区域302的面积缩小了，从而提高了该环形气体分配区域302内的反应气体密度，随之提高了与所述环形气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率，使该选定的环形气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率与其他区域达到一致，获得均匀的等离子体处理速率。
通过设置可升降的柱状隔板，实现对气体挡板与安装基板之间的圆形气体分配区域和环形气体分配区域的面积进行动态调节，可以适用于不同的化学气体环境和不同的气体比例，令不同的气体分配区域面积对应不同的化学气体环境和不同的气体比例，大大提高了对等离子体处理速率进行调节的灵活性、灵敏度和准确性，提高了等离子体处理速率的均匀性，且操作简单，提高了设备的适用度，缩短了工艺调试周期。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (24)
1.一种气体流量调节装置，其设置在等离子体处理装置的一真空反应腔内，所述气体流量调节装置与一外部供气装置连接，其特征在于，所述气体流量调节装置通过安装基板实现对气体喷淋头的不同区域的面积进行调节，所述气体流量调节装置包含：
气体挡板，包含相对设置的顶板和底板，所述底板与安装基板配合形成同心设置的圆形气体分配区域和至少一环形气体分配区域；
隔离组件，可升降地设置于所述气体挡板与安装基板之间，用于对所述圆形气体分配区域和/或所述环形气体分配区域的面积进行调节。
2.如权利要求1所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述隔离组件包含至少两层同心设置的环状隔离层，升降不同的环状隔离层可以改变所述圆形气体分配区域和/或所述环形气体分配区域的面积。
3.如权利要求2所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述环状隔离层包含一环状隔板，所述环状隔板为可升降活动连接。
4.如权利要求3所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述环状隔离层还包含设置在所述气体挡板的顶板上的升降固定组件，所述升降固定组件连接所述环状隔板，实现所述环状隔板的升降。
5.如权利要求4所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述环状隔板与所述安装基板接触的一端设置有第一密封圈，用于实现所述环状隔板与所述安装基板之间的密封。
6.如权利要求4所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述环状隔板上设置有第二密封圈，所述第二密封圈位于所述气体挡板的底板上方，所述第二密封圈用于实现所述环状隔板与所述气体挡板的底板之间的密封。
7.如权利要求6所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述气体挡板的底板上具有通孔，所述环状隔板降下时穿过所述通孔与所述安装基板接触。
8.如权利要求7所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述通孔的形状与所述第二密封圈的形状相互契合，随着所述环状隔板下降，所述第二密封圈可以与所述通孔完全匹配贴合密封在一起，避免所述气体挡板内的气体经过所述通孔进入相邻区域。
9.如权利要求7所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述气体挡板还包含连接组件，所述连接组件的一端连接所述气体挡板的顶板，所述连接组件的另一端连接所述气体挡板的底板，用以支撑所述气体挡板的底板并维持所述通孔的形状。
10.如权利要求2所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述环状隔离层包含沿圆周线间隔设置的至少两个柱状隔板，以及设置在相邻的柱状隔板之间的扇环状隔板，所述柱状隔板可升降活动连接，所述扇环状隔板固定设置。
11.如权利要求10所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述环状隔离层还包含设置在所述气体挡板的顶板上的升降固定组件，所述升降固定组件连接所述柱状隔板，实现所述柱状隔板的升降。
12.如权利要求11所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述柱状隔板与所述安装基板接触的一端设置有第一密封圈，用于实现所述柱状隔板与所述安装基板之间的密封。
13.如权利要求11所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述柱状隔板上设置有第二密封圈，所述第二密封圈位于所述气体挡板的底板上方，所述第二密封圈用于实现所述柱状隔板与所述气体挡板的底板之间的密封。
14.如权利要求11所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述柱状隔板上设置有第三密封圈，用于实现所述柱状隔板与所述扇环状隔板之间的密封。
15.如权利要求13所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述气体挡板的底板上具有通孔，所述柱状隔板穿过所述通孔与所述安装基板接触。
16.如权利要求15所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述通孔的形状与所述第二密封圈的形状相互契合，随着所述柱状隔板下降，所述第二密封圈可以与所述通孔完全匹配贴合密封在一起，避免所述气体挡板内的气体经过所述通孔进入相邻区域。
17.如权利要求4或11所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述升降固定组件包含螺纹连接的螺杆和螺母，所述螺杆固定连接所述环状隔板或柱状隔板，通过螺母的旋转实现螺杆的升降，从而实现环状隔板或柱状隔板的升降。
18.如权利要求17所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述螺杆上设置有波纹管，用于实现所述升降固定组件与所述气体挡板的顶板之间的密封。
19.如权利要求1所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述气体挡板的底板上设置多个气体通孔，用于实现对所述圆形气体分配区域和环形气体分配区域的气体输送。
20.如权利要求1所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述安装基板上设置多个气体通孔，所述气体通孔与所述气体喷淋头上的气体通孔相对应。
21.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含一真空反应腔，所述真空反应腔内设置一用于支撑基片的基座，所述真空反应腔内还设置一气体喷淋头，所述气体喷淋头设置在安装基板上，所述安装基板与权利要求1-20中任意一项所述的一气体流量调节装置配合，实现对所述气体喷淋头不同区域的面积进行调节。
22.一种采用如权利要求1-20中任意一项所述的气体流量调节装置实现的等离子体处理装置内的气体流量调节方法，其特征在于，选定与等离子体处理速率不均匀区域对应的圆形气体分配区域和/或环形气体分配区域的范围，通过调节所述环状隔板的升降，或通过调节所述柱状隔板的升降，实现对所述圆形气体分配区域和/或所述环形气体分配区域的面积进行动态调节，从而使该选定的圆形气体分配区域和/或环形气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率与其他区域达到一致。
23.如权利要求22所述的等离子体处理装置内的气体流量调节方法，其特征在于，所述选定的圆形气体分配区域和/或环形气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则通过调节所述环状隔板或柱状隔板上升，以增加所述圆形气体分配区域和/或所述环形气体分配区域的面积。
24.如权利要求22所述的等离子体处理装置内的气体流量调节方法，其特征在于，所述选定的圆形气体分配区域和/或环形气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则通过调节所述环状隔板或柱状隔板下降，以减少所述圆形气体分配区域和/或所述环形气体分配区域的面积。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010858525.4A CN114093739B (zh) | 2020-08-24 | 2020-08-24 | 一种气体流量调节装置和调节方法及等离子体处理装置 |
| TW110122197A TWI795807B (zh) | 2020-08-24 | 2021-06-17 | 一種氣體流量調節裝置和調節方法及等離子體處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010858525.4A CN114093739B (zh) | 2020-08-24 | 2020-08-24 | 一种气体流量调节装置和调节方法及等离子体处理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114093739A true CN114093739A (zh) | 2022-02-25 |
| CN114093739B CN114093739B (zh) | 2024-03-12 |
Family
ID=80295569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010858525.4A Active CN114093739B (zh) | 2020-08-24 | 2020-08-24 | 一种气体流量调节装置和调节方法及等离子体处理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114093739B (zh) |
| TW (1) | TWI795807B (zh) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |