CN114068272B - 一种气体流量调节装置和调节方法及等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

一种气体流量调节装置和调节方法及等离子体处理装置，等离子体处理装置中的气体流量调节装置中的气体挡板包含至少一环形初级气体分配区域，多个可升降阀板结构将环形初级气体分配区域分隔为多个次级气体分配区域，通过可升降阀板结构将选定的次级气体分配区域与相邻的次级气体分配区域完全隔离，调节该处于隔离状态的选定的次级气体分配区域内的气体输送量，使该选定的次级气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率与其他区域达到一致。本发明根据等离子体处理速率的变化，灵活地调节等离子体处理装置内气体挡板中的气体腔分布以及气体腔中的气体输送量，从而更加灵活的改善等离子体处理速率不均匀的现象。

Description

一种气体流量调节装置和调节方法及等离子体处理装置

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种气体流量调节装置，气体流量调节方法，及应用该气体流量调节装置的等离子体处理装置。

背景技术

现有的等离子体处理装置在进行等离子处理的过程中，来自外部气源的反应气体通过气体喷淋头进入真空反应腔，反应气体被电离后生成等离子体，对放置在基座上的静电吸盘上的基片进行等离子体处理。在等离子体处理过程中，由于不同区域的反应气体分布不均匀，导致真空反应腔中产生的等离子体的浓度也不均匀，从而引起基片圆心处的等离子体处理速率通常会与基片边缘处的等离子体处理速率发生不一致，产生基片处理的不均匀，影响产品良率。

这里的陈述仅提供与本发明有关的背景技术，而并不必然地构成现有技术。

发明内容

本发明提供一种气体流量调节装置和调节方法及等离子体处理装置，根据等离子体处理速率的变化，灵活地调节气体腔的面积以及气体腔中的气体输送量，从而更加灵活的调节不同气体腔对应的区域的气体分布，以调节不同区域的等离子体处理速率。

为了达到上述目的，本发明提供一种气体流量调节装置，其设置在等离子体处理装置的一真空反应腔内，所述的气体流量调节装置与一外部供气装置连接，且所述的气体流量调节装置通过安装基板连接气体喷淋头，所述的气体流量调节装置包含：

气体挡板，其包含同心设置的一圆形初级气体分配区域和至少一环形初级气体分配区域；

多个可升降阀板结构，用于将所述的环形初级气体分配区域分隔为多个次级气体分配区域；

多条气体输送通道，用于独立向次级气体分配区域或圆形初级气体分配区域供应气体。

所述的圆形初级气体分配区域和所述的环形初级气体分配区域之间设置固定的环形间隔板，实现相邻的圆形初级气体分配区域和环形初级气体分配区域之间的固定隔离，或者，相邻的环形初级气体分配区域之间设置固定的环形间隔板，实现相邻的环形初级气体分配区域之间的固定隔离。

所述的环形间隔板与所述的安装基板之间密封接触。

所述的可升降阀板结构设置在所述的环形初级气体分配区域中，所述的环形初级气体分配区域中至少设置两个可升降阀板结构，将该环形初级气体分配区域分割为至少两个次级气体分配区域。

所述的可升降阀板结构包含：分隔板以及连接分隔板的驱动机构，所述的分隔板至少部分地设置在气体挡板内，所述的驱动机构设置在真空反应腔外部，用于驱动分隔板上升或下降。

所述的分隔板的宽度与相邻的环形间隔板之间的距离相匹配，所述的分隔板的高度大于环形间隔板的高度。

所述的分隔板上设置密封圈，所述的密封圈实现分隔板与环形间隔板和安装基板之间的密封接触。

所述的分隔板与相邻的环形间隔板以及安装基板完全密封接触时，被所述的分隔板所分隔的相邻两个次级气体分配区域之间完全隔离；所述的分隔板与安装基板之间存在间隙时，被所述的分隔板所分隔的相邻两个次级气体分配区域之间连通。

所述的安装基板上设置多个气体通孔，所述的气体通孔与所述的气体喷淋头上的气体通孔相对应。

每一个次级气体分配区域至少连接一条气体输送通道。

所述的气体输送管道上设置电子阀门，用于控制气体输送量。

本发明还提供一种等离子体处理装置，包含一真空反应腔，所述的真空反应腔内设置一用于支撑基片的基座，所述的真空反应腔内还设置一气体喷淋头，所述的气体喷淋头设置在安装基板上，所述安装基板与所述的一气体流量调节装置配合，实现对所述气体喷淋头不同区域的气体流量进行独立调节。

本发明还提供一种采用所述的气体流量调节装置实现的等离子体处理装置内的气体流量调节方法，选定与等离子体处理速率不均匀区域对应的次级气体分配区域的范围，通过可升降阀板结构将选定的次级气体分配区域与相邻的次级气体分配区域完全隔离，调节该处于隔离状态的选定的次级气体分配区域内的气体输送量，使该选定的次级气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率与其他区域达到一致。

驱动所述的分隔板下降，使分隔板与相邻的环形间隔板以及安装基板完全密封接触，实现选定的次级气体分配区域与相邻的次级气体分配区域的完全隔离。

所述的选定的次级气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则减少所述的处于隔离状态的选定的次级气体分配区域内的气体输送量；所述的选定的次级气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则增加所述的处于隔离状态的选定的次级气体分配区域内的气体输送量。

所述的圆形初级气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则减少所述的圆形初级气体分配区域内的气体输送量；所述的圆形初级气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则增加所述的圆形初级气体分配区域内的气体输送量。

通过调节电子阀门的开度大小，实现对每一条气体输送管道的气体输送量的调节。

本发明根据等离子体处理速率的变化，在气体流量调节装置中沿周向设置多个气体流量独立可调的气体腔，灵活地调节气体腔的面积以及气体腔中的气体输送量，从而更加灵活的调节不同气体腔对应的区域的气体分布，以调节不同区域的等离子体处理速率。

附图说明

图1是本发明提供的一种具有气体流量调节装置的等离子体处理装置的结构示意图。

图2是气体流量调节装置的俯视示意图。

图3是气体流量调节装置中升降阀板结构处于上升状态的剖视示意图。

图4是气体流量调节装置中升降阀板结构处于下降状态的剖视示意图。

图5是本发明实施例中可升降阀板结构的结构示意图。

图6是本发明一个实施例中气体流量调节方法的示意图。

图7是本发明另一个实施例中气体流量调节方法的示意图。

图8是本发明第三个实施例中气体流量调节方法的示意图。

图9是本发明第四个实施例中气体流量调节方法的示意图。

具体实施方式

以下根据图1～图9，具体说明本发明的较佳实施例。

为了调节反应气体分布，通常会在气体喷淋头上设置气体挡板结构，气体挡板结构中设置多个相互隔离的气体腔，通过增加气体腔来改善反应气体的分布，从而改善等离子体的浓度，最终获得均匀的等离子体处理速率。但是单纯地靠增加气体腔的数量来调节反应气体的分布具有局限性，也为各个气体腔中的气体分配控制及半导体设备的布局带来很大的技术难度。

如图1所示，本发明提供一种等离子体处理装置，包含一真空反应腔1，所述的真空反应腔1内设置一作为下电极的基座7，基座7上设置静电夹盘8，基片9设置在静电夹盘8上。所述的真空反应腔1内还设置一作为上电极的气体喷淋头5，所述的气体喷淋头5设置在安装基板4上，所述的安装基板4上设置多个气体通孔41，所述的安装基板4上的气体通孔41与所述的气体喷淋头5上的气体通孔51相对应(如图2和图3所示)。所述的真空反应腔1内还设置一气体流量调节装置3，所述的气体流量调节装置3通过所述的安装基板4连接所述的气体喷淋头5，且所述的气体流量调节装置3与一外部供气装置2连接。反应气体从所述的外部供气装置2进入所述的气体流量调节装置3，所述的安装基板4与所述的气体流量调节装置3配合，实现对所述的气体喷淋头5的不同区域的气体流量进行独立调节，进入真空反应腔1的反应气体电离生成等离子体6，对基片9进行处理。

如图2～图4所示，在本发明的一个实施例中，所述的气体流量调节装置3包含一气体挡板301，其包含同心设置的一圆形初级气体分配区域302和至少一环形初级气体分配区域303，所述的圆形初级气体分配区域302和所述的环形初级气体分配区域303之间设置固定的环形间隔板307，实现相邻的圆形初级气体分配区域302和环形初级气体分配区域303之间的固定隔离，相邻的环形初级气体分配区域303之间也设置固定的环形间隔板307，实现相邻的环形初级气体分配区域303之间的固定隔离。所述的环形间隔板307从所述的气体挡板301的底面一直延伸至所述的安装基板4的顶面，且所述的环形间隔板307不可移动，相应地，所述的圆形初级气体分配区域302和所述的环形初级气体分配区域303的区域范围也是不可变的，是固定的。可以通过设置密封圈或密封垫等形式，使所述的环形间隔板307与所述的安装基板4之间密封接触，防止相邻的圆形初级气体分配区域302和环形初级气体分配区域303之间，或相邻的环形初级气体分配区域303之间发生气体流通，保证了圆形初级气体分配区域302和环形初级气体分配区域303分别形成的气体腔中的气体流量的准确调节。

所述的环形初级气体分配区域303中设置可以进行升降调节的可升降阀板结构304，每一个环形初级气体分配区域303中至少设置两个可升降阀板结构304，将该环形初级气体分配区域303分割为至少两个次级气体分配区域305。所述的可升降阀板结构304包含分隔板308以及连接分隔板308的驱动机构309，所述的分隔板308设置在所述的气体挡板301内，而所述的驱动机构309设置在所述的真空反应腔1外部，用于驱动分隔板308上升或下降。如图3所示，所述的驱动机构309驱动所述的分隔板308上升，所述的分隔板308完全升至所述的气体挡板301内，此时被所述的分隔板308所分隔的相邻两个次级气体分配区域305之间完全连通。如图4所示，所述的驱动机构309驱动所述的分隔板308下降，所述的分隔板308下降至与所述的安装基板4接触，此时被所述的分隔板308所分隔的相邻两个次级气体分配区域305之间完全隔离。所述的分隔板308是用来分隔次级气体分配区域305的，分隔板308的尺寸应该保证能够使相邻的两个次级气体分配区域305之间被完全分隔，所述的分隔板308的宽度与相邻的环形间隔板307之间的距离相匹配，所述的分隔板308的高度至少应该等于所述的环形间隔板307的高度，以确保当分隔板308完全下降到位后，能够完全遮挡住由相邻的环形间隔板307、顶部的气体挡板301和底部的安装基板4所组成的封闭面积，一般来说，由于驱动机构309是设置在真空反应腔1外部的，是与外部环境相连通的，为了保证真空反应腔1内部的真空气密性，所述的分隔板308的高度会比所述的环形间隔板307的高度高一些，这样一来，当所述的分隔板308完全下降到位后，还有部分的分隔板308会留在所述的气体挡板301内，这样就避免了所述的分隔板308和所述的驱动机构309的连接处暴露在气体挡板301之外，从而保证了气密性。

如图5所示，在本发明的一个实施例中，所述的可升降阀板结构304包含分隔板308以及连接分隔板308的驱动机构，所述的驱动机构包含设置在所述的气体挡板301上的伺服电机311，以及连接所述的伺服电机311和所述的分隔板308的多个丝杆312，所述的伺服电机311驱动所述的丝杆312带动所述的分隔板308做升降运动。进一步，所述的分隔板308上设置密封圈313，所述的密封圈313实现分隔板308与环形间隔板307和安装基板4之间的密封接触，保证被所述的分隔板308分隔出的相邻的两个次级气体分配区域305之间的严格密封，实现了完全隔离，防止相邻的两个次级气体分配区域305之间发生气体流通，保证了相邻的两个次级气体分配区域305分别形成的气体腔中的气体流量的准确调节。所述的伺服电机311驱动所述的丝杆312带动所述的分隔板308下降，直至所述的分隔板308与相邻的环形间隔板307以及安装基板4完全密封接触时，被所述的分隔板308所分隔的相邻两个次级气体分配区域305之间完全隔离，所述的伺服电机311驱动所述的丝杆312带动所述的分隔板308上升，上升过程中，所述的分隔板308底面与安装基板4之间产生间隙，被所述的分隔板308所分隔的相邻两个次级气体分配区域305之间连通。

如图2所示，在本发明的一个实施例中，每一个所述的次级气体分配区域305至少连接一条气体输送通道306，所述的圆形初级气体分配区域302也至少连接一条气体输送通道306，所有的气体输送通道306都连通至所述的外部供气装置2，所述的每条气体输送通道306用于独立向所述的次级气体分配区域305和/或所述的圆形初级气体分配区域302供应反应气体，所述的每条气体输送通道306上都设置有电子阀门310，用于控制该气体输送通道306上的气体输送量。

在等离子体处理过程中，如果对基片的等离子体处理速率发生了不均匀，则首先确定与等离子体处理速率不均匀区域对应的气体分配区域的范围，与等离子体处理速率不均匀区域对应的气体分配区域的范围有可能仅包含圆形初级气体分配区域302，也可能仅包含来自同一个次级气体分配区域305中的至少一个次级气体分配区域305，更有可能同时包含圆形初级气体分配区域302和来自不同的环形初级气体分配区域303中的至少一个次级气体分配区域305。

如果与等离子体处理速率不均匀区域对应的气体分配区域的范围正好在圆形初级气体分配区域302内，则无需动用可升降阀板结构304，直接通过调节设置在连接圆形初级气体分配区域302的气体输送通道306上的电子阀门的开度大小，实现对圆形初级气体分配区域302的气体输送量的调节，从而调节该圆形初级气体分配区域302对应区域的等离子体处理速率。如果圆形初级气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则减少所述的圆形初级气体分配区域302内的气体输送量；如果圆形初级气体分配区域302对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则增加所述的圆形初级气体分配区域302内的气体输送量。

如果等离子体处理速率不均匀区域对应的气体分配区域中包含次级气体分配区域305，则首先需要将被选定的一个或多个次级气体分配区域305与其他区域进行隔离，以便于后续对该一个或多个次级气体分配区域305的气体输送量进行独立调节。确定一个或多个次级气体分配区域305的边界，选定位于边界处的可升降阀板结构304，通过驱动机构309驱动分隔板308下降，使分隔板308与相邻的环形间隔板307以及安装基板4完全密封接触，实现选定的一个或多个次级气体分配区域305与其他区域的完全隔离。接着通过调节设置在连接选定的一个或多个次级气体分配区域305的气体输送通道306上的电子阀门的开度大小，实现对选定的一个或多个次级气体分配区域305的气体输送量的调节，使该选定的一个或多个次级气体分配区域305对应的区域的等离子体处理速率与其他区域达到一致。如果选定的一个或多个次级气体分配区域305对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则减少所述的处于隔离状态的选定的一个或多个次级气体分配区域305内的气体输送量；如果选定的一个或多个次级气体分配区域305对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则增加所述的处于隔离状态的选定的一个或多个次级气体分配区域305内的气体输送量。

本发明根据等离子体处理速率不均匀的实际变化状态，利用可升降阀板结构来灵活地调节次级气体分配区域所组成的气体腔区域的面积，从而调节该气体腔区域中的气体输送量，能够更加灵活的调节不同气体腔对应的区域的气体分布，以调节不同区域的等离子体处理速率

如图6所示，在本发明的一个实施例中，一环形间隔板307将气体挡板分隔为一圆形初级气体分配区域和一环形初级气体分配区域，所述的圆形初级气体分配区域作为第一气体腔①，该第一气体腔①连接第一气体输送通道。所述的环形初级气体分配区域被四个可升降阀板结构分隔形成四个次级气体分配区域：第一可升降阀板结构308-1和第二可升降阀板结构308-2共同分隔形成第一次级气体分配区域，所述的第一次级气体分配区域②作为第二气体腔②，该第二气体腔②连接第二气体输送通道；第二可升降阀板结构308-2和第三可升降阀板结构308-3共同分隔形成第二次级气体分配区域，所述的第二次级气体分配区域作为第三气体腔③，该第三气体腔③连接第三气体输送通道；第三可升降阀板结构308-3和第四可升降阀板结构308-4共同分隔形成第三次级气体分配区域，所述的第三次级气体分配区域作为第四气体腔④，该第四气体腔④连接第四气体通道；第四可升降阀板结构308-4和第一可升降阀板结构308-1共同分隔形成第四次级气体分配区域，所述的第四次级气体分配区域作为第五气体腔⑤，该第五气体腔⑤连接第五气体通道。在本实施例中，每一个气体腔仅连接了一条气体通道，在实际应用中，每个气体腔可以连接不止一个气体通道，以便扩大气体量的调节范围和加速调节速度。图中虚线表示可升降阀板结构处于非工作状态，即可升降阀板结构中的分隔板未接触安装基板。在初始状态时，所有的可升降阀板结构都处于非工作状态，所述的第一气体输送通道处于常开状态，非使用的气体输送通道处于关闭状态。

在本实施例中，所述的第四气体腔④和第五气体腔⑤对应的区域的等离子体处理速率与其他区域不一致，则第一可升降阀板结构308-1和第三可升降阀板结构308-3工作，分隔板下降至与安装基板紧密接触，此时整个气体挡板被分割为三个气体空间，第一气体腔①为第一个气体空间，第二气体腔②和第三气体腔③为第二个气体空间，第四气体腔④和第五气体腔⑤为第三个气体空间。通过单独开启第四气体通道或第五气体通道来调节进入第三个气体空间的气体输送量，如果第三个气体空间对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则增加进入第三个气体空间的气体输送量，如果第三个气体空间对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则减少进入第三个气体空间的气体输送量。为了确保气流得到更加均匀分布和气体输送量的更精准的调节，可以同时开启第四气体通道和第五气体通道来调节进入第三个气体空间的气体输送量。根据等离子体处理速率不均匀的实际变化状态，利用可升降阀板结构来灵活地调节次级气体分配区域所组成的气体腔区域的面积，从而调节该气体腔区域中的气体输送量，能够更加灵活的调节不同气体腔对应的区域的气体分布，以调节不同区域的等离子体处理速率不均匀的现象。

如图7所示，在本发明的另一个实施例中，气体挡板的组成结构与图6相同，在本实施例中，所述的第五气体腔⑤对应的区域的等离子体处理速率与其他区域不一致，则第一可升降阀板结构308-1和第四可升降阀板结构308-4工作，分隔板下降至与安装基板紧密接触，此时整个气体挡板被分割为三个气体空间，第一气体腔①为第一个气体空间，第二气体腔②、第三气体腔③和第四气体腔④为第二个气体空间，第五气体腔⑤为第三个气体空间。通过开启第五气体通道来调节进入第三个气体空间的气体输送量，如果第三个气体空间对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则增加进入第三个气体空间的气体输送量，如果第三个气体空间对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则减少进入第三个气体空间的气体输送量。根据等离子体处理速率不均匀的实际变化状态，利用可升降阀板结构来灵活地调节次级气体分配区域所组成的气体腔区域的面积，从而调节该气体腔区域中的气体输送量，能够更加灵活的调节不同气体腔对应的区域的气体分布，以调节不同区域的等离子体处理速率不均匀的现象。

如图8所示，在本发明的第三个实施例中，气体挡板的组成结构与图6相同，在本实施例中，所述的第四气体腔④和第五气体腔⑤对应的区域的等离子体处理速率与其他区域不一致，且第四气体腔④对应的区域的等离子体处理速率与第五气体腔⑤对应的区域的等离子体处理速率也不同，此时就不能将第四气体腔④和第五气体腔⑤划分在一起，而应该将第四气体腔④和第五气体腔⑤相互隔离，此时令第一可升降阀板结构308-1、第三可升降阀板结构308-3和第四可升降阀板结构308-4工作，分隔板下降至与安装基板紧密接触，整个气体挡板被分割为四个气体空间，第一气体腔①为第一个气体空间，第二气体腔②和第三气体腔③为第二个气体空间，第四气体腔④为第三个气体空间，第五气体腔⑤为第四个气体空间。通过开启第四气体通道来调节进入第三个气体空间的气体输送量，如果第三个气体空间对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则增加进入第三个气体空间的气体输送量，如果第三个气体空间对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则减少进入第三个气体空间的气体输送量。通过开启第五气体通道来调节进入第四个气体空间的气体输送量，如果第四个气体空间对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则增加进入第四个气体空间的气体输送量，如果第四个气体空间对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则减少进入第四个气体空间的气体输送量。根据等离子体处理速率不均匀的实际变化状态，利用可升降阀板结构来灵活地调节次级气体分配区域所组成的气体腔区域的面积，从而调节该气体腔区域中的气体输送量，能够更加灵活的调节不同气体腔对应的区域的气体分布，以调节不同区域的等离子体处理速率不均匀的现象。

如图9所示，在本发明的第四个实施例中，气体挡板的组成结构与图6相同，在本实施例中，所述的第二气体腔②、第三气体腔③、第四气体腔④和第五气体腔⑤对应的区域的等离子体处理速率均不一致，此时令第一可升降阀板结构308-1、第二可升降阀板结构308-2、第三可升降阀板结构308-3和第四可升降阀板结构308-4全部工作，分隔板下降至与安装基板紧密接触，整个气体挡板被分割为五个气体空间，第一气体腔①为第一个气体空间，第二气体腔②为第二个气体空间，第三气体腔③为第三个气体空间，第四气体腔④为第四个气体空间，第五气体腔⑤为第五个气体空间。通过开启第二气体通道来调节进入第二个气体空间的气体输送量，如果第二个气体空间对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则增加进入第二个气体空间的气体输送量，如果第二个气体空间对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则减少进入第二个气体空间的气体输送量。通过开启第三气体通道来调节进入第三个气体空间的气体输送量，如果第三个气体空间对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则增加进入第三个气体空间的气体输送量，如果第三个气体空间对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则减少进入第三个气体空间的气体输送量。通过开启第四气体通道来调节进入第四个气体空间的气体输送量，如果第四个气体空间对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则增加进入第四个气体空间的气体输送量，如果第四个气体空间对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则减少进入第四个气体空间的气体输送量。通过开启第五气体通道来调节进入第五个气体空间的气体输送量，如果第五个气体空间对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则增加进入第五个气体空间的气体输送量，如果第五个气体空间对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则减少进入第五个气体空间的气体输送量。根据等离子体处理速率不均匀的实际变化状态，利用可升降阀板结构来灵活地调节次级气体分配区域所组成的气体腔区域的面积，从而调节该气体腔区域中的气体输送量，能够更加灵活的调节不同气体腔对应的区域的气体分布，以调节不同区域的等离子体处理速率不均匀的现象。

本发明根据等离子体处理速率的变化，在气体流量调节装置中沿周向设置多个气体流量独立可调的气体腔，灵活地调节气体腔的面积以及气体腔中的气体输送量，从而更加灵活的调节不同气体腔对应的区域的气体分布，以调节不同区域的等离子体处理速率。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (17)

1.一种气体流量调节装置，其设置在等离子体处理装置的一真空反应腔内，所述的气体流量调节装置与一外部供气装置连接，且所述的气体流量调节装置通过一安装基板连接一气体喷淋头，其特征在于，所述的气体流量调节装置包含：

气体挡板，其包含同心设置的一圆形初级气体分配区域和至少一环形初级气体分配区域；

多个可升降阀板结构，用于将所述的环形初级气体分配区域分隔为多个次级气体分配区域；

多条气体输送通道，用于独立向次级气体分配区域或圆形初级气体分配区域供应气体。

2.如权利要求1所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述的圆形初级气体分配区域和所述的环形初级气体分配区域之间设置固定的环形间隔板，实现相邻的圆形初级气体分配区域和环形初级气体分配区域之间的固定隔离，或者，相邻的环形初级气体分配区域之间设置固定的环形间隔板，实现相邻的环形初级气体分配区域之间的固定隔离。

3.如权利要求2所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述的环形间隔板与所述的安装基板之间密封接触。

4.如权利要求2所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述的可升降阀板结构设置在所述的环形初级气体分配区域中，所述的环形初级气体分配区域中至少设置两个可升降阀板结构，将该环形初级气体分配区域分割为至少两个次级气体分配区域。

5.如权利要求4所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述的可升降阀板结构包含：分隔板以及连接分隔板的驱动机构，所述的分隔板至少部分地设置在气体挡板内，所述的驱动机构设置在真空反应腔外部，用于驱动分隔板上升或下降。

6.如权利要求5所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述的分隔板的宽度与相邻的环形间隔板之间的距离相匹配，所述的分隔板的高度大于环形间隔板的高度。

7.如权利要求6所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述的分隔板上设置密封圈，所述的密封圈实现分隔板与环形间隔板和安装基板之间的密封接触。

8.如权利要求7所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述的分隔板与相邻的环形间隔板以及安装基板完全密封接触时，被所述的分隔板所分隔的相邻两个次级气体分配区域之间完全隔离；所述的分隔板与安装基板之间存在间隙时，被所述的分隔板所分隔的相邻两个次级气体分配区域之间连通。

9.如权利要求1所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述的安装基板上设置多个气体通孔，所述的气体通孔与所述的气体喷淋头上的气体通孔相对应。

10.如权利要求1所述的气体流量调节装置，其特征在于，每一个次级气体分配区域至少连接一条气体输送通道。

11.如权利要求1所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述的气体输送通道上设置电子阀门，用于控制气体输送量。

12.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含一真空反应腔，所述的真空反应腔内设置一用于支撑基片的基座，所述的真空反应腔内还设置一气体喷淋头，所述的气体喷淋头设置在安装基板上，所述安装基板与权利要求1-11中任意一项所述的一气体流量调节装置配合，实现对所述气体喷淋头不同区域的气体流量进行独立调节。

13.一种采用如权利要求1-11中任意一项所述的气体流量调节装置实现的等离子体处理装置内的气体流量调节方法，其特征在于，选定与等离子体处理速率不均匀区域对应的次级气体分配区域的范围，通过可升降阀板结构将选定的次级气体分配区域与相邻的次级气体分配区域完全隔离，调节处于隔离状态的选定的次级气体分配区域内的气体输送量，使该选定的次级气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率与其他区域达到一致。

14.如权利要求13所述的等离子体处理装置内的气体流量调节方法，其特征在于，所述的圆形初级气体分配区域和所述的环形初级气体分配区域之间设置固定的环形间隔板，相邻的环形初级气体分配区域之间也设置固定的环形间隔板，所述的可升降阀板结构包含分隔板，所述的分隔板至少部分地设置在气体挡板内，驱动所述的分隔板下降，使分隔板与相邻的环形间隔板以及安装基板完全密封接触，实现选定的次级气体分配区域与相邻的次级气体分配区域的完全隔离。

15.如权利要求14所述的等离子体处理装置内的气体流量调节方法，其特征在于，所述的选定的次级气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则减少所述的处于隔离状态的选定的次级气体分配区域内的气体输送量；所述的选定的次级气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则增加所述的处于隔离状态的选定的次级气体分配区域内的气体输送量。

16.如权利要求14所述的等离子体处理装置内的气体流量调节方法，其特征在于，所述的圆形初级气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率高于其他区域，则减少所述的圆形初级气体分配区域内的气体输送量；所述的圆形初级气体分配区域对应的区域的等离子体处理速率低于其他区域，则增加所述的圆形初级气体分配区域内的气体输送量。

17.如权利要求15或16所述的等离子体处理装置内的气体流量调节方法，其特征在于，通过调节电子阀门的开度大小，实现对每一条气体输送通道的气体输送量的调节。