CN112863990A - 半导体工艺设备及其进气机构 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其进气机构。该进气机构包括进气支撑件、匀流罩及多个调节件；进气支撑件用于设置在工艺腔室的顶部，匀流罩设置于进气支撑件内，进气支撑件和匀流罩之间形成环形的匀流腔，进气支撑件上设有与匀流腔连通的进气道，进气道用于导入气体；匀流罩上设有多个周向间隔排布进气孔，匀流腔通过进气孔与工艺腔室的工艺腔连通；匀流罩的外周壁设置有沿周向延伸的凸缘，凸缘位于多个进气孔的底部；多个调节件均以可活动的方式设置于凸缘上，并且分别与多个进气孔对应设置，调节件用于调节由匀流腔进入各进气孔的气体流量。本申请实施例实现了工艺腔室的均匀进气，大幅提高晶圆的成膜均匀性及良率。

Description

半导体工艺设备及其进气机构

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种半导体工艺设备及其进气机构。

背景技术

目前，半导体存储器是集成电路产业中最为重要的技术之一，广泛应用于信息、社会安全、航空/航天、军事/国防、新能源和科学研究的各个领域，是国家竞争力的重要体现。随着大数据、云计算、物联网等技术的兴起，需要存储分析的信息正在爆炸式增长，因此存储器有着巨大的市场。现有技术中的半导体工艺设备中通常所采用的进气机构包括匀流罩，匀流罩套设于工艺腔室内，并且环绕工艺腔室内基座以形成等离子体发生区域。匀流罩的顶部圆周方向均匀分布有多个进气孔，进气机构将气体导引至多个进气孔的外周，气体经由各个进气孔扩散至工艺腔室内部，受激发成为等离子体进行工艺。

由于进气机构与进气装置的连接处位于工艺腔室的在一侧，由于受到工艺腔室内真空压力的牵引作用，气体会通过匀流罩上的进气孔进入工艺腔室内部，但是靠近进气机构连接处的进气孔进入工艺腔室的气体较多，远离进气机构连接处的进气孔进入工艺腔室的气体较少，因此导致进入工艺腔室内的气体分布不均匀，由于气体分布不均匀导致工艺腔室内等离子体分布不均匀，从而严重影响晶圆成膜质量及均匀性。另外，虽然可以根据模拟实验来调整进气孔位置和数量，但是由于不同客户端气体厂务压力的影响，使得模拟实验与实际进气均匀性存在偏差，从而进一步影响晶圆的良率。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体工艺设备及其进气机构，用以解决现有技术存在的进气机构进气不均匀导致晶圆成膜质量差及均匀性不佳的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种进气机构，设置于半导体工艺设备的工艺腔室上，用于向所述工艺腔室内导入气体，包括进气支撑件、匀流罩及设置于所述匀流罩上的多个调节件；所述进气支撑件用于设置在所述工艺腔室的顶部，所述匀流罩设置于所述进气支撑件内，所述进气支撑件和所述匀流罩之间形成环形的匀流腔，所述进气支撑件上设有与所述匀流腔连通的进气道，所述进气道用于导入所述气体；所述匀流罩上设有多个周向间隔排布进气孔，所述匀流腔通过所述进气孔与所述工艺腔室的工艺腔连通；所述匀流罩的外周壁设置有沿周向延伸的凸缘，所述凸缘位于多个所述进气孔的底部；多个所述调节件均以可活动的方式设置于所述凸缘上，并且分别与多个进气孔对应设置，所述调节件通过调节对所述进气孔的遮挡面积，来调节由所述匀流腔进入各所述进气孔的气体流量。

于本申请的一实施例中，所述调节件包括一体连接的连接部及调节部，所述连接部与所述凸缘活动连接，并且能选择性定位于所述凸缘上；所述调节部用于相对所述凸缘运动，以调节对所述进气孔的遮挡面积。

于本申请的一实施例中，所述进气孔沿所述匀流罩的轴向延伸设置，通过控制所述调节部相对所述凸缘升降，以调节对所述进气孔的遮挡面积。

于本申请的一实施例中，所述进气孔为沿所述匀流罩轴向延伸设置的条形孔，或者所述进气孔为沿所述匀流罩轴向排布的多个圆形孔。

于本申请的一实施例中，所述匀流罩的外壁对应所述进气孔的位置设有多个标尺线，多个所述标尺线沿所述进气孔的高度方向均匀排布，多个所述标尺线与所述进气孔的气体流量一一对应。

于本申请的一实施例中，所述连接部外周加工有外螺纹，所述凸缘上开设有螺纹孔，所述连接部的外螺纹与所述螺纹孔配合，以使所述调节部相对于所述凸缘升降。

于本申请的一实施例中，所述调节部上贯穿有与所述进气孔对应设置的调节孔，通过控制所述调节部相对所述凸缘自旋转控制所述调节孔的朝向，以调节对所述进气孔的遮挡面积。

于本申请的一实施例中，所述连接部上套设有阻尼件，所述凸缘上开设有安装孔，所述连接部设置于所述安装孔内，所述阻尼件用于使所述连接部旋转定位于所述安装孔内。

于本申请的一实施例中，所述匀流罩顶端外周壁上开设有多个弧形缺口，所述弧形缺口和所述进气孔一一对应设置；所述进气孔的一端端口位于所述弧形缺口上，所述进气孔的另一端端口位于所述匀流罩的内壁上；所述调节部的外周壁与所述弧形缺口的内壁贴合设置。

第二个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、供气装置以及第一个方面提供的进气机构，所述进气机构设置于所述工艺腔室上，所述供气装置通过与所述进气支撑件的进气道连通向所述工艺腔室内提供气体。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例通过在匀流罩上设置有多个进气孔，并且在多个进气孔处均对应设置有调节件，通过对各调节件进行调节以对各个进气孔的气体流量进行调节。由于各进气孔的进气量均可以调节，使得匀流罩靠近进气支撑件的进气道的气体流量减少，而远离进气支撑件的进气道的气体流量增加，从而使得经过匀流罩进入工艺腔室内的气体均匀分布，从而大幅提高晶圆的成膜均匀性及良率。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种进气机构与工艺腔室配合的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种匀流罩的立体结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种进气机构的局部放大示意图；

图4为本申请实施例提供的一种匀流罩与调节件配合的局部立体放大示意图；

图5A至图5C为本申请实施例提供的一种匀流罩与调节件配合的多种状态的局部放大示意图；

图6为本申请实施例提供的一种匀流罩与调节件配合的局部放大示意图；

图7为本申请实施例提供的另一种匀流罩与调节件配合的局部立体放大示意图；

图8为本申请实施例提供的另一种匀流罩与调节件配合的局部俯视放大示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种进气机构，设置于半导体工艺设备的工艺腔室200上，用于向工艺腔室200内导入气体，该进气机构的结构示意图如图1及图2所示，包括：进气支撑件4、匀流罩1及设置于匀流罩1上的多个调节件2；进气支撑件4用于设置在工艺腔室200的顶部，匀流罩1设置于进气支撑件4内，进气支撑件4和匀流罩1之间形成环形的匀流腔6，进气支撑件4上设有与匀流腔6连通的进气道41，进气道41用于导入气体；匀流罩1上设有多个周向间隔排布的进气孔11，匀流腔6通过进气孔11与工艺腔室200的工艺腔201连通；匀流罩1的外周壁设置有沿周向延伸的凸缘12，凸缘12位于多个进气孔11的底部；多个调节件2均以可活动的方式设置于凸缘12上，并且分别与多个进气孔11对应设置，调节件2通过调节对进气孔11的遮挡面积，来调节由匀流腔6进入各进气孔11的气体流量。

如图1及图2所示，半导体工艺设备具体为磁控溅射设备，但是本申请实施例对此并不进行限定，半导体工艺设备也可以是其它类型的设备。进气支撑件4具体为环状结构，其设置于工艺腔室200的顶部，匀流罩1设置于进气支撑件4内，并且其顶部与进气支撑件4之间形成环形的匀流腔6，进气支撑件4上还设置有与匀流腔6连通的进气道41，进气道41用于通过一接头42与一供气装置(图中未示出)连接，以向匀流腔6内导入气体，该气体例如可以工艺气体或者清扫气体。匀流罩1具体可以为采用金属材质制成的圆筒形结构，匀流罩1的底部嵌套于工艺腔室200内，匀流罩1的底端环绕工艺腔室200的基座201设置，匀流罩1的顶部位于工艺腔室200的顶部外侧，即匀流罩1可以作为工艺腔室200的内衬，但是本申请实施例并不以此为限。匀流罩1的顶部沿周向可以设置有多个进气孔11，匀流腔6通过进气孔11与工艺腔室200的工艺腔202连通，例如多个进气孔11可以沿匀流罩1的周向间隔分布，但是本申请实施例并不以此为限。匀流罩1外周壁上沿周向延伸的凸缘12，该凸缘12与位于多个进气孔11的底部，并且与匀流罩1采用一体成型的方式制成，但是本申请实施并不以此为限。多个调节件2均以可活动的方式设置于凸缘12上，并且分别与多个进气孔11对应设置，通过对各调节件2进行调节，使得各调节2能够调节对进气孔11的遮挡面积，以调节各进气孔11的气体流量，从而使得进入工艺腔室200内的气体分布均匀。

本申请实施例通过在匀流罩上设置有多个进气孔，并且在多个进气孔处均对应设置有调节件，通过对各调节件进行调节以对各个进气孔的气体流量进行调节。由于各进气孔的进气量均可以调节，使得匀流罩靠近进气支撑件的进气道的气体流量减少，而远离进气支撑件的进气道的气体流量增加，从而使得经过匀流罩进入工艺腔室内的气体均匀分布，从而大幅提高晶圆的成膜均匀性及良率。另外，本申请还可以根据不同客户端气体厂务压力进行调节，不仅能有效提高本申请实施例的适用性，还能进一步提高晶圆的良率。

需要说明的是，本申请实施例并不限匀流罩1的具体结构及材质，例如匀流罩1可以采用圆环形结构，仅作为进气及匀流的作用。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图3至图5C所示，调节件2包括一体连接的连接部21及调节部22，连接部21与凸缘12活动连接，并且能选择性定位于凸缘12上；调节部22用于相对凸缘12运动，以调节对进气孔11的遮挡面积。具体来说，调节件2具体可以采用金属材质制成杆状结构，并且一体成有连接部21及调节部22。连接部21可以与凸缘12活动连接，并且能选择性定位于凸缘12上。调节部22可以通过连接部21相对于凸缘12运动，例如升降或者旋转等运动并定位于凸缘12上，以对进气孔11进行遮挡，由于改变了进气孔11的遮挡面积从而实现了对进气孔11的气体流量进行调节。采用上述设计，不仅调节方式简单快捷，而且由于结构简单还能大幅降低应用及维护成本。

于本申请的一实施例中，如图5A及图6所示，进气孔11沿匀流罩1的轴向延伸设置，通过控制调节部22相对凸缘12升降，以调节对进气孔11的遮挡面积。可选地，进气孔11为沿匀流罩1轴向延伸设置的条形孔，或者进气孔11为沿匀流罩1轴向排布的多个圆形孔。具体来说，每个进气孔11具体可以为一个条形孔，该进气孔11可以沿匀流罩1的轴向延伸设置，此时通过控制调节部22相对于凸缘12升降，以实现对进气孔11的遮挡面积进行调节，从而实现对该进气孔11的气体流量进行调节，通过对多个进气孔11进行调节使得气体采用均匀分布的方式进入工艺腔室200内，具体参照如图5A至图5C所示。此外，每个进气孔11可以包括多个圆形孔，多个圆形孔具体沿匀流罩1的轴向均匀排布，通过控制调节部22相对于凸缘12在升降，以使得调节部22可以根据需求来遮挡不同数量的圆形孔，以实现对进气孔11的遮挡面积进行调节，从而实现对该进气孔11的气体流量进行调节，具体参照如图6所示。在实际应用时，通过模拟和实验的手段可以模拟出一个较为理想的多个进气孔11气体流量分布，并能够通过简单的控制调节件2高度的方式，形成一个进气均匀的匀流罩1，当客户现场的结果表现不理想时，也可以进行现场调节。采用上述设计，不仅使得本申请实施例调节灵活快捷，而且还能大幅提高加工效率及降低加工成本。

于本申请的一实施例中，如图4至图6所示，匀流罩1的外壁对应进气孔11的位置设有多个标尺线13，多个标尺线13沿进气孔11的高度方式均匀排布，多个标尺线13与进气孔11的气体流量一一对应。具体来说，进气孔11的两侧均可以设置有标尺线13，并且两侧的多个标尺线13可以沿匀流罩1的轴向均匀排布于匀流罩1上，即多个标尺线13沿进气孔11的高度方向均匀排布。多个标尺线13均采用刻痕线的方式对称的设置于匀流罩1的外壁上。多个标尺线13的具体包括第一标尺线131、第二标尺线132及第三标尺线133，三个标尺线13与进气孔11气体流量一一对应设置。在实际应用时，进气孔11的气体流量调节方式具体可参照如图5A至图5C所示，当调节部22的顶部与第一标尺线131重合时，即图5A示出的状态为进气孔11气体流量的最大值；当调节部22的顶部与标尺线132重合时，即图5B示出的状态为进气孔11气体流量的中间值；当调节部22的顶部和标尺线133重合时，进气孔11被调节部22完全封堵，即图5C示出的状态为进气孔11气体流量的零值。由于每一个调节件2的高度均可调整，从而通过限制每个进气孔11遮挡面积的大小，实现匀流罩1整体对气体匀流的设计，从而匹配不同的气体压力和工艺需求。

需要说明的是，本申请实施例并不限定标尺线13的具体数量及实现方式，例如标尺线13可以为三个以上或以下，标尺线13具体还可以凸设于匀流罩1的外壁上。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图4至图6所示，连接部21外周加工有外螺纹，凸缘12上开设有螺纹孔，连接部21的外螺纹与螺纹孔配合，以使调节部22相对于凸缘12升降。调节件2具体设计为圆柱形结构(类似螺钉)，连接部21通过螺纹与匀流罩1上的凸缘12连接，由于匀流罩1的外壁上刻画标尺线13，通过旋转调节件2调整其高度，并且参照标尺线13进行限位，从而实现便捷且精确的控制进气孔11的遮挡面积，从而改变进气孔11的气体流量。

于本申请的一实施例中，如图7至图8所示，调节部22上贯穿有与进气孔11对应设置的调节孔23，通过控制调节部22相对凸缘12自旋转控制调节孔23的朝向，以调节对进气孔11的遮挡面积。具体来说，调节部22上贯穿有调节孔23，该调节孔23可以与进气孔11对应设置，例如进气孔11采用圆形孔，调节孔23同样对应设置为圆形孔。通过控制调节部22相对于凸缘12自旋转，以控制调节孔23与进气孔11重叠区域的大小，即控制对进气孔11遮挡面积，从而实现对进气孔11的气体流量进行调节。采用上述设计，使得本申请实施例的调节方式简单快捷，并且使得本申请实施例结构简单易于实现。

于本申请的一实施例中，结合参照如图6至图8所示，连接部21上套设有阻尼件(图中未示出)，凸缘12上开设有安装孔，连接部21设置于安装孔内，阻尼件用于使连接部21旋转定位于安装孔内。具体来说，阻尼件具体可以采用硅胶材质制环状结构，阻尼件套设于在连接部21的外周上。凸缘12上可以开设安装孔，安装孔具体可以为光孔结构，以便于连接部21及阻尼件设置于安装孔内。由于设置有阻尼件便于调节件2与安装孔之间旋转并定位，从而使得本申请实施例调节较为便捷，并且可以大幅降低应用成本。

于本申请的一实施例中，如图4至图7所示，匀流罩1顶端外周壁上开设有多个弧形缺口14，弧形缺口与进气孔11一一对应设置；进气孔11的一端端口位于弧形缺口14上，进气孔11的另一端端口位于匀流罩1的内壁上；调节部22的外周壁与弧形缺口14的内壁贴合设置。具体来说，多个进气孔11均靠近匀流罩1顶端设置，而匀流罩1的顶端外壁上开设有与多个进气孔11对应设置的弧形缺口14，并且进气孔11的一端具体位于该弧形缺口14内，而另一端则位于匀流罩1的内壁上，该弧形缺口14用于容置调节件2的调节部22。由于调节件2相对凸缘12自旋转，因此设置有多个对应的弧形缺口14，使得调节部22的外壁与该弧形缺口14的内壁贴合设置，从而提高调节件2与进气孔11之间的气密性在。另外，并非所有实施例中都必须包括上述弧形缺口14，例如调节件2仅相对于凸缘12作升降运动时，匀流罩1顶端外壁可以对应设置有矩形缺口，而调节件2的调节部22外形对应的设置为矩形结构，同样能达到上述技术效果。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1及图3所示，进气机构还包括屏蔽罩5及密封环7。其中，进气支撑件4具体为环状结构，其设置于工艺腔室200的顶部，并且进气支撑件4的内侧壁凸设有内凸缘43。匀流罩1的凸缘12搭接于进气支撑件4的内凸缘43上。屏蔽罩5具体采用环形结构，并且屏蔽罩5的外侧壁凸设有外凸缘51。屏蔽罩5嵌套于匀流罩1内，屏蔽罩5的外凸缘51搭接于匀流罩1的顶端，匀流罩1的凸缘12、屏蔽罩5的外凸缘51与进气支撑件4的内壁之间构成环形匀流腔6，并且该匀流腔6位于多个进气孔11外侧，进气道41将气体导入匀流腔6内，气体在匀流腔6内扩散并经由各个进气孔11扩散至工艺腔室200内部，受激发成为等离子体进行工艺，从而进一步提高气体的均匀性。靶材300可以通过密封环7密封设置于进气支撑件4及屏蔽罩5的顶部，从而使得本申请实施结构简单易用，但是本申请实施例并不以此为限。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、供气装置以及如上述各实施例提供的进气机构，进气机构设置于工艺腔室上，供气装置通过与进气支撑件的进气道连通向工艺腔室内提供气体。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

本申请实施例通过在匀流罩上设置有多个进气孔，并且在多个进气孔处均对应设置有调节件，通过对各调节件进行调节以对各个进气孔的气体流量进行调节。由于各进气孔的进气量均可以调节，使得匀流罩靠近进气支撑件的进气道的气体流量减少，而远离进气支撑件的进气道的气体流量增加，从而使得经过匀流罩进入工艺腔室内的气体均匀分布，从而大幅提高晶圆的成膜均匀性及良率。另外，本申请还可以根据不同客户端气体厂务压力进行调节，不仅能有效提高本申请实施例的适用性，还能进一步提高晶圆的良率。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种进气机构，设置于半导体工艺设备的工艺腔室上，用于向所述工艺腔室内导入气体，其特征在于，包括进气支撑件、匀流罩及设置于所述匀流罩上的多个调节件；

所述进气支撑件用于设置在所述工艺腔室的顶部，所述匀流罩设置于所述进气支撑件内，所述进气支撑件和所述匀流罩之间形成环形的匀流腔，所述进气支撑件上设有与所述匀流腔连通的进气道，所述进气道用于导入所述气体；

所述匀流罩上设有多个周向间隔排布进气孔，所述匀流腔通过所述进气孔与所述工艺腔室的工艺腔连通；所述匀流罩的外周壁设置有沿周向延伸的凸缘，所述凸缘位于多个所述进气孔的底部；

多个所述调节件均以可活动的方式设置于所述凸缘上，并且分别与多个进气孔对应设置，所述调节件通过调节对所述进气孔的遮挡面积，来调节由所述匀流腔进入各所述进气孔的气体流量。

2.如权利要求1所述的进气机构，其特征在于，所述调节件包括一体连接的连接部及调节部，所述连接部与所述凸缘活动连接，并且能选择性定位于所述凸缘上；所述调节部用于相对所述凸缘运动，以调节对所述进气孔的遮挡面积。

3.如权利要求2所述的进气机构，其特征在于，所述进气孔沿所述匀流罩的轴向延伸设置，通过控制所述调节部相对所述凸缘升降，以调节对所述进气孔的遮挡面积。

4.如权利要求3所述的进气机构，其特征在于，所述进气孔为沿所述匀流罩轴向延伸设置的条形孔，或者所述进气孔为沿所述匀流罩轴向排布的多个圆形孔。

5.如权利要求4所述的进气机构，其特征在于，所述匀流罩的外壁对应所述进气孔的位置设有多个标尺线，多个所述标尺线沿所述进气孔的高度方向均匀排布，多个所述标尺线与所述进气孔的气体流量一一对应。

6.如权利要求2至5的任一所述的进气机构，其特征在于，所述连接部外周加工有外螺纹，所述凸缘上开设有螺纹孔，所述连接部的外螺纹与所述螺纹孔配合，以使所述调节部相对于所述凸缘升降。

7.如权利要求2所述的进气机构，其特征在于，所述调节部上贯穿有与所述进气孔对应设置的调节孔，通过控制所述调节部相对所述凸缘自旋转控制所述调节孔的朝向，以调节对所述进气孔的遮挡面积。

8.如权利要求7所述的进气机构，其特征在于，所述连接部上套设有阻尼件，所述凸缘上开设有安装孔，所述连接部设置于所述安装孔内，所述阻尼件用于使所述连接部旋转定位于所述安装孔内。

9.如权利要求2所述的进气机构，其特征在于，所述匀流罩顶端外周壁上开设有多个弧形缺口，所述弧形缺口和所述进气孔一一对应设置；

所述进气孔的一端端口位于所述弧形缺口上，所述进气孔的另一端端口位于所述匀流罩的内壁上；所述调节部的外周壁与所述弧形缺口的内壁贴合设置。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室、供气装置以及如权利要求1至9的任一所述的进气机构，所述进气机构设置于所述工艺腔室上，所述供气装置通过与所述进气支撑件的进气道连通向所述工艺腔室内提供气体。

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